JP3459141B2 - 熱燐酸によるエッチング方法 - Google Patents
熱燐酸によるエッチング方法Info
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Description
われるエッチング方法に関し、特に、半導体基板上の窒
化珪素膜を加熱燐酸水溶液により選択的にエッチングす
る方法の改良に関するものである。 【0002】 【従来の技術】半導体製造にあたり、半導体基板上にパ
ターン形成された窒化珪素膜の選択エッチング方法とし
ては、加熱した燐酸水溶液をエッチング液とする方法が
知られている。この方法では、通常、エッチング液を清
浄に保つためエッチング液を濾過循環し、エッチング液
中のゴミや窒化膜のエッチングによりエッチング液中に
析出してくる珪素化合物等の異物を除去しながらエッチ
ングを行い、また、エッチング液中の燐酸濃度を一定に
保つために、水を補充しながらエッチングを行っている
(特公平3−20895号)。また、エッチング液中に
溶解又は析出してくる珪素化合物をフッ化水素により系
外へ除去してエッチング液を精製する方法が知られてい
る(特開平7−86260号)。 【0003】 【発明が解決しようとする課題】ところで、MOS型L
SI等のパターン形成された窒化膜のエッチングにおい
ては、窒化膜を選択的にエッチングしようとするもので
あるが、酸化膜も適度にエッチングする必要があり、酸
化膜/窒化膜のエッチング選択比が適切で、その選択比
がエッチング工程の間で一定であることが望まれてい
る。加熱燐酸水溶液は、この選択比が適当なものである
が、エッチングの進行に伴い、エッチング反応生成物で
ある珪素化合物がエッチング液中に蓄積し、次第に窒化
膜の選択比が大きくなり、製品品質の低下をきたすこと
になる。また、エッチング選択比の変動は、エッチング
工程の管理上からも好ましくない。従って、通常は、エ
ッチング液を頻繁に交換することが必要となる。エッチ
ング液の交換作業は煩雑な上、薬剤の使用量が増加し経
済的にも好ましくない。 【0004】そこで、本発明者らは、前記特開平7−8
6260号を発展させ酸化膜/窒化膜に対する窒化膜の
選択的エッチングへの適用性を検討してきた結果、特
に、エッチング液に水及びフッ素水素を添加する場合、
エッチング液の燐酸濃度とともにフッ素イオン濃度を調
整管理することにより両膜に対するエッチング選択比の
変動を有効に抑えられることを見いだし、本発明を完成
するに至った。本発明の目的は、加熱燐酸水溶液による
窒化珪素膜の選択的エッチングにおいて、酸化膜/窒化
膜に対する選択比の変動を容易かつ高精度に抑えること
が可能なエッチング方法を提供することにある。 【0005】 【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、基板上に窒化珪素膜及び酸化珪素膜が形成さ
れた半導体基板を、エッチング槽内において沸点まで加
熱されている80重量%以上の加熱燐酸水溶液により処
理して窒化珪素膜を選択的にエッチングする方法におい
て、前記加熱燐酸水溶液であるエッチング液に水及びフ
ッ化水素を連続的又は断続的に添加調整して、前記エッ
チング液中の燐酸濃度を一定に維持するとともに、フッ
素イオン濃度を40〜150mg/lの範囲に維持しな
がらエッチングを行うことにより、前記エッチング液中
に溶解してくるエッチング反応生成物である珪素化合物
をフッ化水素と反応させて前記エッチング槽より蒸発す
る水分に同伴させて系外へ流出することにある。なお、
以上の本発明において、フッ素イオン濃度を表す単位で
あるmg/lは20℃、常圧における値である。 【0006】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。本発明における水及びフッ化水素の
添加は、希フッ化水素酸としての一系列の添加であって
も良いし、燐酸濃度を一定に維持するための水の添加
と、フッ素イオン濃度を一定範囲に維持するための希フ
ッ化水素酸の添加との二系列の添加であっても良いが、
フッ素イオンの濃度管理が容易な後者の二系列の添加方
法が好ましい。 【0007】希フッ化水素酸の添加は、エッチング液が
新鮮な時点で開始してもよいが、通常、エッチング液中
に珪素化合物が溶解しエッチング選択比に変化が生じ始
めた時点で添加を開始する。 【0008】エッチング液中のフッ素イオン濃度は、通
常、20〜200mg/lの範囲に維持することが不可
欠であり、選択比の変動をより小さくするためには40
〜150mg/lの範囲に維持することが好ましい。こ
れは、各種の試験結果から燐酸水溶液の濃度や加熱温度
等のエッチング条件によって多少異なるものの、フッ素
イオン濃度が20mg/lより低いと、次第に珪素化合
物の濃度が増加して酸化膜のエッチング速度が低下し、
また、フッ素イオン濃度が200mg/lより高いと、
酸化膜のエッチング速度が大きくなり、何れの場合も選
択比の変動が大きくなりすぎることに基づく。 【0009】水の添加は、蒸発した水分を補いエッチン
グ液中の燐酸濃度の変化をできるだけ小さくするよう
に、連続的あるいは断続的に行う。また、フッ化水素の
添加は、通常、希フッ化水素酸として行い、反応してあ
るいは未反応でエッチング槽から留出したフッ化水素を
補いエッチング液中におけるフッ素イオン濃度を上記の
濃度範囲に維持されるように、連続的あるいは断続的に
行う。 【0010】フッ化水素及び水の添加形態は、エッチン
グ槽あるいは槽外の濾過循環経路の何れにおいて行って
も良いが、エッチング液の均一性をより向上するために
は循環経路での添加が好ましい。 【0011】本発明方法は、80重量%以上の燐酸水溶
液によるエッチングに好適であり、エッチング温度は、
通常、使用するエッチング液の沸点である。 【0012】本発明の方法により窒化珪素膜のエッチン
グを行うと、エッチング液中に溶解してくるエッチング
反応生成物である珪素化合物は、フッ化水素と反応し四
フッ化珪素又はフルオロ珪酸に変化し、エッチング槽に
おいて蒸発する水分に同伴されて系外に流出する。従っ
て、エッチング液中の珪素化合物は低濃度に維持される
ため、酸化膜のエッチング速度の低下が抑えられる。し
かしながら、エッチング液中の珪素化合物は全て除去さ
れることはないので、新鮮な燐酸水溶液に比べて酸化膜
のエッチング速度は次第に低下することになるが、フッ
化水素を継続的に添加してエッチング液中のフッ素イオ
ン濃度を本発明の範囲に保つことにより、酸化膜のエッ
チング速度の低下が補われ、初期のエッチング選択比を
維持することが可能となる。 【実施例】 【0013】以下、実施例中、選択比とは「酸化珪素膜
のエッチング速度/窒化珪素膜のエッチング速度」を意
味する。各実施例及び比較例に用いたエッチング対象物
である半導体基板は、6インチシリコン基板に酸化珪素
膜5000オングストローム、窒化珪素膜1500オン
グストロームを形成したものである。フッ素イオン濃度
の測定はイオン濃度計により行った。また、各実施例及
び比較例はエッチング液の循環濾過タイプのもの(日曹
エンジニアリング(株)製−NISON1800:加
熱、純水供給及び濾過機能付き)を使用し、循環経路に
おいて純水やフッ化水素酸を添加した。 【0014】(実施例1)ここでは、85%燐酸水溶液
を使用し、155℃の温度で半導体基板上の窒化珪素膜
のエッチングを行った。その間、断続的に純水を添加し
て燐酸濃度を一定に保った。1バッチ(ウエハ50枚処
理)目の選択比は1/25であった。更に、エッチング
処理を行い10バッチ目の選択比が1/63になったの
で、以後、純水の添加に替えて、0.1%フッ化水素酸
を添加しながらエッチング処理を行った。13バッチ目
から30バッチ目まで、選択比は1/27〜1/20で
あった。その間、燐酸濃度は一定(約85%)に維持
し、フッ素イオン濃度は70〜120mg/lの範囲に
維持された。 【0015】(比較例1)フッ化水素酸を使用すること
なく、純水のみを添加して燐酸濃度を一定に保ち、他は
実施例1と同様にエッチング処理を行った。この結果、
最後の30バッチ目の選択比は1/250となった。 【0016】(実施例2−6、比較例2−4)ここで
は、フッ素イオン濃度の特定値と選択比との関係を調べ
るため、燐酸濃度調整のための純水の添加とは別に希フ
ッ化水素酸を連続的に添加して、エッチング液中のフッ
素イオン濃度を所定の値(濃度が12mg/l〜300
mg/lの各値)に保持しながら、実施例1と同様にエ
ッチング処理を行った。この結果、エッチング液中のフ
ッ素イオン濃度とエッチング選択比との関係は下記の表
1に示す通りであった。表1には代表的なものを、最後
の30バッチ目の選択比で示している。なお、フッ素イ
オン濃度は複数回を測定しその平均値で表わした。 【0017】 【0018】 【発明の効果】以上のように本発明は、熱燐酸水溶液に
よる窒化珪素膜のエッチング方法において、酸化珪素膜
/窒化珪素膜に対するエッチング選択比の変動を高精度
に制御して、一定の選択比を容易に維持してエッチング
を行うことができ、エッチング工程の管理が容易な、工
業的に優れたエッチング方法を提供することができる。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 基板上に窒化珪素膜及び酸化珪素膜が形
成された半導体基板を、エッチング槽内において沸点ま
で加熱されている80重量%以上の加熱燐酸水溶液によ
り処理して窒化珪素膜を選択的にエッチングする方法に
おいて、 前記加熱燐酸水溶液であるエッチング液に水及びフッ化
水素を連続的又は断続的に添加調整して、前記エッチン
グ液中の燐酸濃度を一定に維持するとともに、フッ素イ
オン濃度を40〜150mg/lの範囲に維持しながら
エッチングを行うことにより、 前記エッチング液中に溶解してくるエッチング反応生成
物である珪素化合物をフッ化水素と反応させて前記エッ
チング槽より蒸発する水分に同伴させて系外へ流出する
ことを特徴とする熱燐酸によるエッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21652895A JP3459141B2 (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | 熱燐酸によるエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21652895A JP3459141B2 (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | 熱燐酸によるエッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0945660A JPH0945660A (ja) | 1997-02-14 |
JP3459141B2 true JP3459141B2 (ja) | 2003-10-20 |
Family
ID=16689851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21652895A Expired - Fee Related JP3459141B2 (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | 熱燐酸によるエッチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3459141B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3975333B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2007-09-12 | セイコーエプソン株式会社 | 処理装置および半導体装置の製造方法 |
EP1724824A3 (en) | 2005-05-17 | 2010-08-25 | Apprecia Technology Inc. | Equipment and method for measuring silicon concentration in phosphoric acid solution |
KR101538826B1 (ko) | 2008-10-20 | 2015-07-22 | 니타 하스 인코포레이티드 | 질화 규소 연마용 조성물 및 이것을 이용한 선택비의 제어 방법 |
KR20170009240A (ko) | 2015-07-16 | 2017-01-25 | 동우 화인켐 주식회사 | 비불소계 실리콘 질화막 식각 조성물 |
US10147619B2 (en) | 2015-08-27 | 2018-12-04 | Toshiba Memory Corporation | Substrate treatment apparatus, substrate treatment method, and etchant |
KR102443370B1 (ko) | 2015-11-20 | 2022-09-15 | 동우 화인켐 주식회사 | 실리콘 질화막 식각액 조성물 |
KR101953380B1 (ko) | 2018-05-31 | 2019-02-28 | 엘티씨에이엠 주식회사 | 실리콘질화막 식각 조성물 |
-
1995
- 1995-08-03 JP JP21652895A patent/JP3459141B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0945660A (ja) | 1997-02-14 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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