CN1150674C - 多层电感电容复合元件 - Google Patents

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Abstract

一种多层LC复合元件，其可以增加在中央频率附近的衰减量，而不增加插入损耗。在该多层LC复合元件的结构中，每个电感器图案的一端连接到一连接图案，被短路。这些电感器图案形成电感器。频率调节电容图案与电感图案的的开路端相对，形成电容器。结果，该电容器和电感器构成LC谐振器。连接图案隔着绝缘片与屏蔽图案相对，形成公共电容器。

Description

多层电感电容复合元件
技术领域
本发明涉及一种多层LC(电感电容)复合元件，特别涉及一种用于高频带中的多层LC复合元件。
背景技术
作为一种多层LC复合元件，现在已有具有图15和16中所示结构的常规多层LC滤波器。如图15中所示，多层LC滤波器1包括形成有电感图案7和8和频率调节电容图案9和10的陶瓷片4、形成有屏蔽图案12和13的陶瓷片3和5、以及陶瓷片2等等。
陶瓷片2至5相叠压整体烧结，以形成图16中所示的多层结构15。在多层结构15上，形成输入端16、输出端17和接地端G1和G2。输入端16连接到电感图案7的引出部分7a。输出端17连接到电感图案8的引出部分8a。接地端G1连接到每个频率调节电容图案9和10以及频率图案12和13的一端。接地端G2连接到每个电感图案7和8以及每个频率图案42和43的另一端的接地端部分。
在上述LC滤波器1中，由电感图案7所形成的电感器以及与电感图案7的开端部分相对的由频率调节电路图案9所形成电容器构成LC谐振器Q1。类似地，由电感图案8所形成的电感器以及与电感图案8的开端部分相对的由频率调节电容图案10所形成的电容器构成LC谐振器Q2。
当制造具有图15和16中所示的结构的GHz波带的LC滤波器1时，衰减极点形成在中央频率的高频侧。但是，实际上，为了增加在中央频率附近的衰减量，当一种设计是在中央频率的高频侧上添加另一个衰减极点，例如在中央频率F0+0.12GHz的附近，则可以获得该衰减。另外，当该设计是要在中央频率的附近获得多个衰减极点时，则出现增加插入损耗的另一个问题。
发明内容
相应地，本发明的一个目的是提供一种多层LC复合元件，其可以增加在中央频率附近的衰减量，而不增加插入损耗。
为了实现上述目的，根据本发明第一方面，在此提供一种多层LC复合元件，其中包括多层结构的多层LC复合元件，该多层结构是通过叠压位于多层结构内的绝缘层、多个电感器和多个电容器而形成的；其中，构成多个电感器的每个电感器导体的一端由连接电极电连接，以形成短路，电感器导体的所述短路端通过一公共电容器接地，其中所述公共电容器是连接电极与屏蔽电极通过置于其间的绝缘片形成的；电感器导体的另一端开路，每个电感器导体的开路端分别与每个电容器的一端连接，其中所述电容器的另一端接地。
另外，根据本发明第二方面，在此提供一种根据本发明第一方面的多层LC复合元件，其中包括通过叠压位于多层结构中的绝缘层、多个电感器和多个电容器而形成的多层结构；由多个电感器和多个电容器所确定的多个LC谐振器；其中所述多个电感器是由在绝缘层的叠压方向上连接的通孔所确定的。
电感器导体的端部被短路并且由连接电极相互并线连。通过这种结构，多个衰减极点形成在中央频率的附近，从而改进在中央频率附近的衰减特性。
附图说明
图1为示出根据本发明第一实施例的多层LC复合元件的部件分解透视图；
图2为图1中所示的多层LC复合元件的外观的透视图；
图3为图1中所示的多层LC复合元件的等效电路图；
图4为示出图1中所示的多层LC复合元件传递特性和反射特性的曲线图；
图5为示出图1中所示的多层LC复合元件的一个改进实例的部件分解透视图；
图6为示出根据本发明第二实施例的多层LC复合元件的部件分解透视图；
图7为图6中所示的多层LC复合元件的外观的透视图；
图8为根据本发明第三实施例的多层LC复合元件的部件分解透视图；
图9为图8中所示的多层LC复合元件的外观的透视图；
图10为图9中所示的多层LC复合元件的截面视图；
图11为图9中所示的多层LC复合元件的等效电路图；
图12为示出图9中所示的多层LC复合元件的传递特性和反射特性的曲线图；
图13为根据本发明第四实施例的多层LC复合元件的部件分解透视图；
图14为图13中所示的多层LC复合元件的外观的透视图；
图15为常规的多层LC复合元件的部件分解透视图；以及
图16为图15中所示的多层LC复合元件的外观的透视图。
现在参照附图给出关于本发明的多层LC复合元件的实施例的具体描述。
具体实施方式
(第一实施例：图1至5)
图1示出多层LC复合滤波器21的结构。图2示出LC滤波器21的外观的透视图，以及图3示出其等效电路图。LC滤波器21是一个具有LC谐振器Q1和Q2的两级滤波器。
如图1中所示，多层LC滤波器21包括：形成有电感图案27和28、频率调节电容图案29和30以及连接图案31的绝缘片24；形成有屏蔽图案32的绝缘片23；形成有屏蔽图案33的绝缘片；以及绝缘片22等等。绝缘片22至25是通过把电介质粉末和磁粉与粘合剂等等相混合而形成的薄片。图案27至33是由例如银、铂、铜、镍、金、银—铂等等材料所形成，并且该图案是通过印刷或其它方法形成在绝缘片上的。
具有预定图案宽度的线型电感图案27和28以一种状态排列，其中电感图案27和28从绝缘片24的左侧到右侧相互平行排列。每个电感图案27和28的一端连接到连接图案31，被短路，另一端开路。电感图案27和28分别构成电感器L1和L2。电感L1和L2的轴与从绝缘片24的左侧到右侧的方向相平行。当电流流过每个电感器L1和L2时，产生磁场。磁场在与电感器L1和L2的轴向方向相垂直的表面上在每个电感L1和L2的外围循环产生。
电感图案27的引出部分27a暴露在薄片24的前缘。电感图案28的引出部分28a暴露在薄片24的后缘。每个电感图案27和28的长度基本上被设置为λ/4，其中符号λ表示中央频率的波长。
频率调节电容图案29和30排列在薄片24的左侧。频率调节电容图案29与电感图案27的开路端相对，以形成电容器C1。电容器C1和电感器L1构成LC谐振器Q1。另外，频率调节电容图案30与电感图案28的开路端相对，以形成电容器C2。电容器C2和电感器L2构成LC谐振器Q2。
连接图案31隔着置于其间的绝缘片23和24与每个屏蔽图案32和33的右侧相对，以分别形成公共电容器Cd。通过这种结构，电感图案的27和28的短路端由连接图案31并线结合，并且还通过公共电容器Cd接地。另外，由于电感图案27和28相互平行排列，在电感图案27和28相互正对的区域产生电容。所产生电容变为耦合谐振器Q1和Q2的耦合电容器Cs。另外，在电感图案27和28之间产生互感M，以电磁耦合谐振器Q1和Q2。另外，隔着置于其间的图案27至31设置宽的屏蔽图案32和33。
绝缘片22至25被整体烧结，以形成图2中所示的多层结构40。接地端G1和G2形成在多层结构40的右端和左端面上。输入端41形成在多层结构40的正面上，并且输出端42形成在其背面上。
输入端41连接到电感图案27的引出部分27a，并且输出端42连接到电感端28的引出部分28a。接地端G1分别连接到每个频率调节电容图案29和30以及每个屏蔽图案32和33的端部。接地端G2连接到每个屏蔽端32和33的另一端部。
图3为由上述结构所获得的多层LC滤波器21的等效电路图。谐振器Q1和Q2通过耦合电容器Cs和互感M相互电磁连接，以形成二级滤波器。每个谐振器Q1和Q2的电感L1和L2的一端，即每个电感图案27和28的每个开路端连接到每个电容器C1和C2的一端。电容器C1和C2的另一端接地。电感器L1和L2的另一端，即电感图案27和28的短路端被相互并线连接，并且通过公共电容器Cd接地。通过这种结构，在多层LC滤波器21中，如图4中所示，两个衰减极点P1和P2可以形成在中央频率的高频侧。因此，在中央频率附近的衰减特性可以得到改进。在图4中，实线S21和S11示出LC滤波器21的传递特性和反射特性。为了与LC滤波器21的这些特性相比较，在此提供常规LC滤波器的传递特性和反射特性，由虚线S21’和S11’所示。另外，由于在滤波器频带的低频侧上的衰减比常规LC滤波器更加缓和，因此由于频带变窄所造成的插入损耗的影响较小。
另外，如图5中所示，在LC滤波器21中，为了增加公共电容器Cd的电容，形成有电容图案36的薄绝缘片37放置在绝缘片24和25之间，以通过置于绝缘片24中的通孔35电连接该连接图案31和电容图案36。通过这种结构，电容图案36和屏蔽图案33之间的距离减小，并且在电容图案36和屏蔽图案33之间产生大电容。
(第二实施例：图6和7)
如图6中所示，多层LC滤波器50包括：形成有频率调节电容图案60至62的绝缘片53、形成有电感图案57、58和59以及连接图案63的绝缘片54、形成有电容图案64的绝缘片55、以及分别形成有屏蔽图案65和66的绝缘片52和56，等等。
具有预定图案宽度的线型电感图案57至59从绝缘片54的左侧至右侧相互平行排列。每个电感图案57至59的一端连接到连接图案63，相互间被短路，并且它们的另一端开路。电感图案57、58和59分别形成电感器L1、L2和L3。电感器L1至L3的轴线从绝缘片54的左侧到右侧的方向相平行。
电感图案57的引出部分57a暴露在薄片54的前缘。电感图案59的引出部分59a暴露在薄片54的后缘。每个电感图案57至59的长度基本上被设置为λ/4。
频率调节电容图案60至62排列在绝缘片53的左侧。频率调节电容图案60隔着薄片53与电感图案57的开路端相对，以形成电容器C1。电容器C1和电感器L1构成LC谐振器Q1。类似地，频率调节电容图案61和62隔着薄片53与电感图案58和59的开路端相对，以分别形成电容器C2和C3。电容器C2和电感器L2构成LC谐振器Q2，并且电容器C3和电感器L3构成LC谐振器Q3。
连接图案63隔着位于其间的绝缘片54与电容图案64相对以形成公共电容器Cd。通过这种结构，电感图案57至59的短路端由连接图案63并线连接，并且还通过公共电容器Cd接地。
另外，由于电感图案57至59相互平行放置，因此在电感图案57和58相对的区域以及在电感图案58和59相对的区域产生电容。该电容变为耦合谐振器Q1至Q3的耦合电流。另外，在电感图案57和58之间以及在电感图案58和59之间产生互感，使得谐振器Q1至Q3相互磁耦合。宽的屏蔽图案65和66是在图案57至64之间将它们间隔放置的。
绝缘片51至56被叠压，整体烧结形成图7中所示的多层结构70。接地端G1和G2形成在多层结构70的右侧和左侧。输入端71形成在多层结构70的正面上，并且输出端72形成在其背面上。
输入端71连接到电感图案57的引出部分57a。输出端72连接到电感图案59的引出部分59a。接地端G1连接到每个频率调节电容图案60至62以及屏蔽图案65和66的端部。接地端G2连接到电容图案64和屏蔽图案65和66的另一端。
通过上述结构获得的多层LC滤波器50构成三级滤波器。每个谐振器Q1至Q3的电感器L1至L3的一端，即，每个电感图案57至59的开路端连接到每个电容器C1至C3的一端。电容器C1至C3的另一端接地。电感器L1至L3的另一端，即，电感图案57至59的短路端被并线连接，并且还通过公共电容器Cd接地。通过这种结构，在多层LC滤波器50中，两个衰减极点可以形成在中央频率的高频侧，并且从而可以改进中央频率附近的衰减特性。
(第三实施例：图8至12)
如图8中所示，多层LC滤波器81包括绝缘片82至89，其上形成有电感器通孔90a至90d、91a至91d和92a至92d、电容图案93至95、频率调节电路图案96至98、耦合电容图案99至101、连接图案102、屏蔽图案105和106，等等。
电感器通孔90a至90d、91a至91d和92a至92d在绝缘片84至87叠压的方向上链接，以构成柱状电感器L1、L2和L3。电感器L1至L3的轴向与薄片84至87的表面相垂直。每个电感器L1至L3的一端，即，通孔90d、91d和92d连接到连接图案102，被短路。
频率调节电路图案96、97和98隔着绝缘片83与屏蔽图案105相对，以形成电容器C1、C2和C3。频率调节电容图案96直接连接到电感器L1的一个端部，即通孔90a，并且电感器L1和电容器C1构成LC谐振器Q1。频率调节电容图案97直接连接到电感器L2的一个端部，即通孔91a，并且电感器L2和电容器C2构成LC谐振器Q2。频率调节电容图案98直接连接到电感器L3的一个端部，即通孔92a，并且电感器L3和电容器C3构成LC谐振器Q3。
连接图案102隔着绝缘片88与屏蔽图案106相对，以形成公共电容器Cd。通过这种结构，电感器L1至L3的短路端由连接图案102并线连接，并且通过公共电容器Cd接地。
形成在绝缘片86上的电容图案93至95在从薄片86的前缘到后缘的方向上相互平行延伸。电容图案93、94和95直接连接到形成电感器L1、L2、和L3的通孔90c、91c、92c。另外，电容图案93和95分别连接到输入引出图案108和输出引出图案109。输入引出图案108暴露于薄片86的左边缘，并且输出引出图案109暴露于右边缘。
电容器图案93和94隔着薄片85与耦合电容图案99相对，以形成用于耦合LC谐振器Q1和Q2的耦合电容器Cs1。电容图案94和95隔着薄片85与耦合电容图案100相对，以形成用于耦合LC谐振器Q2和Q3的耦合电容器Cs2。另外，耦合电容图案101与从输入电容图案93到输出电容图案95范围内的区域相对，以形成用于耦合输入端LC谐振器Q1和输出端LC谐振器Q3的耦合电容器Cs3。衰减极点的位置可以通过改变耦合电容器Cs3的电容量而调节。
如图8中所示，薄片82至89依次叠压，被整体烧结以形成图9和10中所示的多层结构110。输入端111和输出端112形成在多层结构110的右端面和左端面上。接地端G1和G2形成在多层结构110的正面和背面。输入端121连接到输入引出端108。输出端102连接到输出引出图案109。接地端G1和G2连接到屏蔽图案105和106。
图11为由上述结构所产生的多层LC滤波器81的等效电路图。谐振器Q1至Q3通过耦合电容器Cs1至Cs3相互电连接，以形成Chebyshev型三级滤波器。每个谐振器Q1至Q3的电感器L1至L3的一端，即，每个通孔90a至92a连接到每个电容器C1至C3的一端。电感器L1至L3的另一端，即，通孔90d至92d被并线连接，并且还通过公共电容器Cd接地。通过这种结构，在如图12中所示的多层LC滤波器81中，两个衰减极点P1和P2可以形成在中央频率(F0＝1.8987GHz)的高频侧。因此，在中央频率附近的衰减特性可以得到改善。另外，由于在滤波频带的低频侧上的衰减被缓和，因此由于频带变窄所造成的插入损耗的影响较小。更加具体来说，LC滤波器81的插入损耗为1.41dB，并且在中央频率(F0＝1.96GHz)附近(F0+0.12GHz)的衰减量为8.3dB。
(第四实施例：图13和14)
如图13所示，多层LC滤波器121包括绝缘片122至126，其上形成有电容图案127和128、电感图案129和130、连接图案131、屏蔽图案132和133，等等。
形成在绝缘片125上的曲折电感图案129和130分别形成电感器L1和L2。每个电感图案129和130的一端连接到连接图案131，被挡住。电感图案129和130的另一端通过置于绝缘片124上的通孔135和136连接到电容图案127和128。
电容图案127的一端与接地端G1相对(参见图14)，以形成频率调节电容器C1。电容器C1和电感器21构成LC谐振器Q1。电容图案128与接地端G2相对(参见图14)，以形成频率调节电容器C2。电容器C2和电感器L2构成LC谐振器Q2。
连接图案131隔着绝缘片125与屏幕图案133的右侧相对，以形成公共电容器Cd。通过这种结构，电感图案129和130的短路端由连接图案131并线连接，并且还通过公共电容器Cd接地。由于电容图案127和128在薄片124上相对，因此在电容图案127和128之间产生电容。该电容变为用于耦合谐振器Q1和Q2的耦合电容Cs)。
绝缘片122到126被叠压，以整体烧结形成图14中所示的多层结构140。接地端G1和G2形成在多层结构的左端面上，并且接地端G3形成在右侧面上。输入端141形成在多层结构140的正面，并且输出端142形成在其背面。
输入端141通过输入引出图案137电连接到电容图案127。输出端142通过输出引出图案138电连接到电容图案128。接地端G1至G3电连接到接地图案132至133。
具有上述结构的多层LC滤波器121可以提供用于第一实施例中的LC滤波器21所获得的相同优点。
(其它实施例)
根据本发明的多层LC滤波器不限于上述实施例。可以在本发明的范围内作出各种变化和改进。
作为LC复合元件，可以是带通滤波器、低通滤波器、高通滤波器等等。另外，可以提供通过组合带通滤波器形成的双工器、通过组合低通滤波器、高通滤波器或者陷波电路形成的双工器、或者通过组合各种类型的电路形成的双工器。另外，除了双工器之外，可以提供三工器、多工器等等，其中包括包含在单个多层结构中的多个滤波器。例如，多工器可以通过包含低通滤波器和高通滤波器的形成。另外，还可以使用这样一种结构，其中屏蔽图案仅仅放置在多层结构的上部和下部之一中。
另外，在上述实施例中，尽管形成有导电图案和通孔的绝缘片在叠压之后被整体烧结，但是这不是实现本发明的唯一方式。绝缘片可以在电压之前烧结。另外，本发明的LC复合元件可以通过如下方法产生。例如，通过印刷或其它方法形成由膏状绝缘材料所形成的绝缘层之后，把膏状导电材料施加到绝缘层的表面上，以形成导电图案和通孔。接着，膏状绝缘材料再次施加到该层面上，以形成另一个绝缘层。类似地，通过顺序施加膏状绝缘材料，可以制造出具有多层结构的LC复合元件。
如上文所述，根据本发明，多个谐振器的导电电感图案的一端被连接电极相互并线连接，并且还通过电容器接地。因此，可以在中央频率附近获得高的衰减特性。另外，由于在滤波器频带的低频侧的衰减被缓和，因此由于频带变窄所造成的插入损耗较小。结果，无论狭窄频带如何，也可以获得具有小的插入损耗和在中央频率附近的高衰减特性的多层LC复合元件。
尽管已经描述了优选实施例，但是应当知道，对于本领域内的专业人员可以作出改变而并没有脱离本发明的范围，本发明的范围是由所附的权利要求书确定的。

Claims (2)

1.一种多层电感电容复合元件，其中包括：
通过叠压绝缘层而形成的多层结构；
位于该多层结构内的多个电感器和多个电容器；
由多个电感器和多个电容器所确定的多个电感电容谐振器；
其中，
构成多个电感器的每个电感器导体的一端由连接电极电连接，以形成短路，电感器导体的所述短路端通过一公共电容器接地，其中所述公共电容器是连接电极与屏蔽电极通过置于其间的绝缘片形成的；
电感器导体的另一端开路，每个电感器导体的开路端分别与每个电容器的一端连接，其中所述电容器的另一端接地。
2.如权利要求1所述的多层电感电容复合元件，其特征在于：
其中所述多个电感器是由在绝缘层的叠压方向上连接的通孔所确定。
CNB001333402A 1999-11-26 2000-11-27 多层电感电容复合元件 Expired - Fee Related CN1150674C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

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