KR100863792B1 - 적층 필터 및 전자부품 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 대략 동일한 주파수 특성을 가지면서, 커패시터의 용량을 저감하고, 소형화가 가능한 적층 필터를 제공하는 것이다.
유전체 세라믹스의 소자 본체 내부에 설치된 복수의 전극에 의하여 소정의 필터회로가 구성되고, 입출력단자(201, 202)의 각각에 필터회로의 입출력단에 배치된 커패시터(401, 404)의 한쪽 끝이 접속된 적층 필터에서 입출력단자(201, 202)와 커패시터(401, 404)의 한쪽 끝과의 사이에 개재하는 권회형 인덕터(301, 302)를 소자 본체 내부에 설치하였다.

Description

적층 필터 및 전자부품{MULTILAYER FILTER AND ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 고주파영역에서 사용되는 적층 필터에 관한 것이다.
최근, 휴대전화기 등의 소형 통신기의 보급에 따라 예를 들면 특허 제3197249호 공보(특허문헌 1)에 개시되는 바와 같은 유전체 적층 필터(이하, 적층 필터라 한다)가 많이 사용되도록 되어 왔다. 도 8은 이 종류의 유전체 적층 필터를 나타내는 투과 사시도, 도 9는 그 내부 전극의 구성을 나타내는 분해 사시도, 도 10은 등가회로이다. 이들 도면에 나타내는 적층 필터(2)는 하이패스 필터(이하, HPF라 한다)를 기본으로 하고, LC 공진회로에 의하여 특정한 주파수에 급준한 감쇠를 주는 특성을 가지게 한 것으로, 이와 같은 특성을 가지는 필터는 일반적으로 노치필터라고도 불리우고 있다.
도 8에 나타내는 적층 필터(2)는, 도시 생략한 직육면체형상의 저온 소성 세라믹스(LTCC : Low Temperature Co-fired Ceramic)로 이루어지는 소자 본체 내의 복수층에 스트립 라인 전극 및 용량 전극을 설치하고, 소정 개소에서 다른 층의 전극끼리를 비어 도체로 접속함으로써 구성되어 있다.
즉, 적층 필터(2)는 상기 소자 본체 내에 최상층의 제 1 층부터 최하층의 제 6 층까지의 각 층에 전극이 배치되어 있다. 최상층의 제 1 층과 최하층의 6층에는 GND 전극(접지전극)(601, 611)이 배치되고, 제 2 층에는 양쪽 끝부에 용량 전극(602a, 602b)이 형성된 전극(602)이 배치되어 있다. 또 제 3 층에는 2개의 전극(603, 604)이 배치되어 있다. 전극(603)의 한쪽 끝부는 용량 전극(603a)을 이루고, 다른쪽 끝부는 루프형상의 스트립 라인 전극(603b)을 이루고 있다. 마찬가지로 전극(604)의 한쪽 끝부는 용량 전극(604a)을 이루고, 다른쪽 끝부는 루프형상의 스트립 라인 전극(604b)을 이루고 있다. 또 용량 전극(603a)은 제 2 층의 용량 전극(602a)에 대향하는 위치에 배치되고, 이들 대향하는 용량 전극(603a, 602a)에 의하여 커패시터(904)가 형성되어 있다. 또한 용량 전극(604a)은 제 2 층의 용량 전극(602b)에 대향하는 위치에 배치되고, 이들 대향하는 용량 전극(604a, 602b)에 의하여 커패시터(905)가 형성되어 있다.
제 4 층에는 4개의 전극(605, 606, 607, 608)이 배치되어 있다. 전극(605)은 루프형상의 스트립 라인 전극이고, 제 3 층의 스트립 라인 전극(603b)과 겹치도록 배치되며, 그 한쪽 끝(605a)이 비어 도체(711)를 거쳐 스트립 라인 전극(603b)의 개방단에 접속되고, 이들 스트립 라인 전극(603b, 605)에 의하여 코일 (인덕터)(901)이 형성되어 있다. 전극(606)은 루프형상의 스트립 라인 전극이고, 제 3 층의 스트립 라인 전극(604b)과 겹치도록 배치되며, 그 한쪽 끝(606a)이 비어 도체(712)를 거쳐 스트립 라인 전극(604b)의 개방단에 접속되고, 이들 스트립 라인 전극(604b, 606)에 의하여 코일(인덕터)(902)이 형성되어 있다.
전극(607)은 한 변에 입력단자(801)가 되는 돌출부(607a)를 가지는 장방형을 한 용량 전극이고, 제 3 층의 용량 전극(603a)과 대향하는 위치에 배치되며, 이들 대향하는 용량 전극(607, 603a)에 의하여 커패시터(903)가 형성되어 있다. 전극(608)은 한 변에 출력단자(802)가 되는 돌출부(608a)를 가지는 장방형을 한 용량 전극이고, 제 3 층의 용량 전극(604a)과 대향하는 위치에 배치되며, 이들, 대향하는 용량 전극(608, 604a)에 의하여 커패시터(906)가 형성되어 있다.
제 5 층에는 2개의 전극(609, 610)이 배치되어 있다. 전극(609)은 장방형형상의 용량 전극이고, 제 4 층의 스트립 라인 전극(605)의 밑에 배치되며, 비어 도체(713)에 의하여 스트립 라인 전극(605)의 다른쪽 끝에 접속되어 있다. 또 용량 전극(609)과 제 6 층의 GND 전극(611)에 의하여 커패시터(907)가 형성되어 있다. 전극(610)은 장방형 형상의 용량 전극이고, 제 4 층의 스트립 라인 전극(606)의 밑에 배치되며, 비어 도체(714)에 의하여 스트립 라인 전극(606)의 다른쪽 끝에 접속되어 있다. 또 용량 전극(610)과 제 6 층의 GND 전극(611)에 의하여 커패시터(908)가 형성되어 있다.
또한 최상층과 최하층의 GND 전극(601, 611)은 외부로부터의 전자파 등의 영향을 차단하는 차폐기능도 가지고 있다.
[특허문헌 1]
일본국 특허 제3197249호 공보
그러나, 상기한 종래의 적층 필터(2)에서는 커패시터(903∼906)의 정수는 소자 본체를 구성하는 세라믹의 유전율이나 투자율 및 전극의 도전율이나 전기적 특성 등에 의하여 결정되기 때문에, 용량 전극 사이의 간격 및 용량 전극의 면적에 일정한 하한값이 존재한다. 이 때문에 커패시터(903∼906)를 형성하는 용량 전극(602a, 602b, 603a, 604a, 607, 608)의 전극 간격 및 면적에 일정한 하한값이 존재하여 소형화의 장해로 되어 있었다.
또, GND 전극(601, 611)은 외부로부터의 노이즈 등의 영향을 저감하기 위하여 필요 불가결한 것이나, 이들 GND 전극(601, 611)이 있는 상태에서 적층 필터(2)를 소형 저배화시키면, 도 11에 나타내는 바와 같이 용량 전극(602a, 602b, 609, 610)과 GND 전극(601, 611)과의 사이에, 적층 필터(2)에 있어서 바람직하지 않은 기생 용량(C1p, C2p, C3p, C4p)이 발생하기 때문에, 소형 저배화의 장해로 되어 있었다. 여기서 기생 용량 C1p는 용량 전극(607)과 GND 전극(611)과의 사이에 발생하는 기생 용량, 기생 용량 C2p는 용량 전극(602a)과 GND 전극(601)과의 사이에 발생하는 기생 용량, 기생 용량 C3p는 용량 전극(602b)과 GND 전극(601)과의 사이에 발생하는 기생 용량, 기생 용량 C4p는 용량 전극(610)과 GND 전극(611)과의 사이에 발생하는 기생 용량이다.
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 점은, 대략 동일한 주파수 특성을 가지면서, 커패시터의 용량을 저감하여, 소형화가 가능한 적층 필터를 제공하는 것에 있다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여, 유전체 세라믹스의 소자 본체 내부에 설치된 복수의 전극에 의하여 소정의 필터회로가 구성되고, 2개의 입출력단자의 각각에 상기 필터회로의 입출력단의 각각에 배치된 커패시터의 한쪽 끝이 접속된 적층 필터에 있어서, 상기 입출력단자와 상기 커패시터의 한쪽 끝과의 사이에 개재하는 인덕터를 상기 소자 본체 내부에 설치하였다.
이에 의하여, 상기 인덕터를 부가하기 전의 상태에서의 필요한 통과 주파수 대역에서의 음의 리액턴스에 대하여, 상기 인덕터를 부가함으로써 필요한 통과주파수 대역에서의 리액턴스가 커패시터의 리액턴스와 인덕터의 리액턴스의 합성 리액턴스가 되기 때문에 상기 커패시터보다도 작은 커패시턴스를 가지는 커패시터로 동등한 주파수 특성을 가지는 필터를 구성할 수 있다.
본 발명의 적층 필터에 의하면, 종래예에 비하여 입출력단자에 접속되는 커패시터의 용량을 저감할 수 있고, 이에 의하여 소자 본체를 소형화하는 것이 가능하게 된다. 또한 입출력단자에 접속한 인덕터에 의하여 종래부터 생겨 있던 기생 용량을 저감할 수 있다는 매우 뛰어난 효과를 나타내는 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태의 적층 필터를 나타내는 투과 사시도,
도 2는 본 발명의 일 실시형태에서의 적층 필터의 전극 구성을 나타내는 분해 사시도,
도 3은 본 발명의 일 실시형태에서의 적층 필터의 전기계 회로를 나타내는 등가 회로도,
도 4는 본 발명의 일 실시형태에서의 적층 필터의 개략 구성을 설명하는 평면도,
도 5는 본 발명의 일 실시형태에서의 적층 필터의 전기적 특성을 나타내는 도,
도 6은 본 발명의 일 실시형태에서의 전자부품을 설명하는 외관도,
도 7은 본 발명의 일 실시형태에서의 전자부품의 적용예를 나타내는 블럭도,
도 8은 종래예의 적층 필터의 전극 배치를 나타내는 사시도,
도 9는 종래예의 적층 필터의 전극 구성을 나타내는 분해사시도,
도 10은 종래예의 적층 필터의 전기계 회로를 나타내는 등가회로도,
도 11은 종래예의 적층 필터에 발생하는 기생 용량을 설명하는 도면이다.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 적층 필터 20 : 전자부품
30 : 통신 기능부 31 : IC
32 : 커패시터 33 : 저항기
41 : 안테나 42 : CDMA 인터페이스
43 : 베이스 밴드 신호처리 IC 100 : 소자 본체
101 : 출력단자 전극 102, 151, 161 : GND 전극
111, 112, 121-123, 131-134, 144 : 스트립 라인 전극
113 : 전극 113a : 스트립 라인 전극
113b : 용량 전극
114, 125-128, 135-137, 145-147, 153, 162, 163, 172, 173 : 비어 도체
124, 143 : 용량 전극 141, 142 : 전극
141a, 142a : 스트립 라인 전극 141b, 142b : 용량 전극
152 : 전극 152a : 스트립 라인 전극
152b : 용량 전극 171 : GND 단자 전극
173 : 입력단자 전극 175 : 더미 전극
201 : 입력단자 202 : 출력단자
301-304 : 인덕터 401-406 : 커패시터
501-504 : 기생 용량
도 1 내지 도 5는 본 발명의 일 실시형태를 나타내는 것으로, 도 1은 본 발명의 일 실시형태에서의 적층 필터를 나타내는 투과 사시도, 도 2는 본 발명의 일 실시형태에서의 적층 필터의 전극 구성을 나타내는 분해사시도, 도 3은 본 발명의 일 실시형태에서의 적층 필터의 전기계 회로를 나타내는 등가회로도, 도 4는 본 발명의 일 실시형태에서의 적층 필터의 개략 구성을 설명하는 평면도, 도 5는 본 발명의 일 실시형태에서의 적층 필터의 전기적 특성을 나타내는 도면이다.
도면에서 1은 적층 필터이고, 저온 소성 세라믹스(LTCC : Low Temperature Co-fired Ceramic)로 이루어지는 직육면체 형상의 소자 본체(100) 내의 복수층에 스트립 라인 전극 및 용량 전극을 설치하고, 소정 개소에서 다른 층의 전극끼리를 비어 도체로 접속함으로써 구성되고, 상기 소자 본체의 표면 및 내부에 최상층인 제 1 층부터 최하층인 제 9 층까지의 각 층에 전극이 배치되어 있다.
소자 본체(100) 상면의 제 1 층에는, 출력단자 전극(101)이 설치되어 있다.
제 2 층에는 소자 본체 상면과 대략 동일 면적을 가지는 GND 전극(접지전 극)(102)이 설치되어 있다.
제 3 층에는 루프형상의 스트립 라인 전극(111, 112)과 전극(113)이 설치되어 있고, 전극(113)의 한쪽 끝부에는 스트립 라인 전극(113a)이 형성되고, 다른쪽 끝부에는 장방형 형상의 용량 전극(113b)이 형성되어 있다.
제 4 층에는 루프형상의 스트립 라인 전극(121, 122, 123)과 장방형 형상의 용량 전극(124)이 설치되고, 스트립 라인 전극(121)은 제 3 층의 스트립 라인전극(111)에 겹치도록 배치되고, 스트립 라인 전극(122)은 제 3 층의 스트립 라인전극(112)에 겹치도록 배치되어 있다. 또한 스트립 라인 전극(121)의 한쪽 끝은 비어 도체(125)를 거쳐 스트립 라인 전극(111)의 한쪽 끝에 접속되고, 스트립 라인 전극(122)의 한쪽 끝은 비어 도체(126)를 거쳐 스트립 라인 전극(112)의 한쪽 끝에 접속되어 있다.
또, 스트립 라인 전극(123)은 제 3 층의 전극(113)의 한쪽 끝부에 형성된 스트립 라인 전극에 겹치도록 배치되고, 그 한쪽 끝이 비어 도체(127)를 거쳐 전극(113)의 한쪽 끝부에 형성된 스트립 라인 전극의 개방단에 접속되어 있다. 또용량 전극(124)은 전극(113)의 다른쪽 끝부에 형성된 용량 전극에 겹치도록 배치되고, 그 한 변에 돌출부를 가지고, 이 돌출부가 비어 도체(128)를 거쳐 제 3 층의 스트립 라인 전극(112)의 다른쪽 끝에 접속되어 있다.
제 5 층에는 루프형상의 스트립 라인 전극(131∼134)이 설치되어 있고, 스트립 라인 전극(131)은 제 4 층의 스트립 라인 전극(121)에 겹치도록 배치되며, 그 한쪽 끝이 비어 도체(135)를 거쳐 스트립 라인 전극(121)의 다른쪽 끝에 접속되어 있다. 스트립 라인 전극(132)은 제 4 층의 스트립 라인 전극(122)에 겹치도록 배치되고, 그 한쪽 끝이 비어 도체(136)를 거쳐 스트립 라인 전극(122)의 다른쪽 끝에 접속되어 있다.
또, 스트립 라인 전극(133)은 제 4 층의 스트립 라인 전극(123)에 겹치도록 배치되고, 그 한쪽 끝이 비어 도체(137)를 거쳐 스트립 라인 전극(123)의 다른쪽 끝에 접속되어 있다. 스트립 라인 전극(134)은 제 3 층부터 제 4 층에 설치된 전극에 겹치지 않는 위치에 배치되고, 그 한쪽 끝이 비어 도체(138)를 거쳐 제 1 층의 출력단자 전극(101)에 접속되어 있다.
제 6 층에는 전극(141, 142)과 루프형상의 스트립 라인 전극(144)과 장방형 형상의 용량 전극(143)이 설치되어 있고, 전극(141)의 한쪽 끝부에는 스트립 라인 전극(141a)이 형성되고, 다른쪽 끝부에는 용량 전극(141b)이 형성되어 있다. 스트립 라인 전극(141a)은, 제 5 층의 스트립 라인 전극(131)에 겹치도록 배치되고, 그 개방단이 비어 도체(145)를 거쳐 스트립 라인 전극(131)의 다른쪽 끝에 접속되어 있다. 전극(142)의 한쪽 끝부에는 스트립 라인 전극(142a)이 형성되고, 다른쪽 끝부에는 용량 전극(142b)이 형성되어 있다. 스트립 라인 전극(142a)은, 제 5 층의 스트립 라인 전극(132)에 겹치도록 배치되고, 그 개방단이 비어 도체(146)를 거쳐 스트립 라인 전극(132)의 다른쪽 끝에 접속되어 있다.
용량 전극(143)은 제 4 층의 용량 전극(124)에 겹치도록 배치되고, 그 한 변에는 돌출부를 가지며, 이 돌출부가 비어 도체(147)를 거쳐 제 3 층의 스트립 라인 전극(111)의 다른쪽 끝에 접속되어 있다.
스트립 라인 전극(144)은, 제 5 층의 스트립 라인 전극(134)에 겹치도록 배치되고, 그 한쪽 끝이 비어 도체(148)를 거쳐 스트립 라인 전극(134)의 다른쪽 끝에 접속되어 있다.
제 7 층에는, GND 전극(151)과 전극(152)이 설치되어 있고, 전극(152)의 한쪽 끝부에는 루프형상의 스트립 라인 전극(152a)이 제 6 층의 스트립 라인 전극(144)에 겹치도록 형성되고, 그 개방단이 비어 도체(153)를 거쳐 제 6 층의 스트립 라인 전극(144)의 다른쪽 끝에 접속되어 있다. 또한 전극(152)의 다른쪽 끝부에는 제 6 층의 용량 전극(143)에 겹치도록 장방형 형상의 용량 전극(152b)이 형성되어 있다.
소자 본체(100)의 바닥면의 제 8 층에는 입력단자 전극(173), GND 단자 전극(171, 172 및 175)과, 한 변에 돌출부(161a)를 가지는 장방형 형상의 GND 전극(161)이 설치되어 있고, GND 전극(161)은 복수의 비어 도체(162)를 거쳐 제 7 층의 GND 전극(151)에 접속되어 있음과 동시에, 돌출부(161a)가 비어 도체(163)를 거쳐 제 2 층의 GND 전극(102)에 접속되어 있다. 또 입력단자 전극(173)은 비어 도체(174)를 거쳐 제 5 층의 스트립 라인 전극(133)의 다른쪽 끝에 접속되어 있다.
도 3에 나타내는 등가회로에서의 입력단자(201)는 입력단자 전극(173)에 의하여 구성되고, 출력단자(202)는 출력단자 전극(101)에 의하여 구성되어 있다. 또 입력단자(201)에 한쪽 끝이 접속된 인덕터(301)는 스트립 라인 전극(133, 123, 113a)에 의하여 구성되고, 출력단자(202)에 한쪽 끝이 접속된 인덕터(302)는 스트립 라인 전극(134, 144, 152a)에 의하여 구성되어 있다.
인덕터(301)와 인덕터(302) 사이에 직렬 접속되어 있는 커패시터(401∼404) 중의 커패시터(401)는 용량 전극(113b, 124)에 의하여 구성되고, 커패시터(402, 403)를 합성한 커패시터가 용량 전극(124, 143)에 의하여 구성되고, 커패시터(404)는 용량 전극(143, 152b)에 의하여 구성되어 있다.
또, 커패시터(401)와 커패시터(402)의 접속점에 한쪽 끝이 접속된 인덕터(303)는 스트립 라인 전극(112, 122, 132, 142a)에 의하여 구성되고, 인덕터(303)의 다른쪽 끝과 GND 단자 전극(171)의 사이에 접속된 커패시터(405)는 용량 전극(142b)과 GND 전극(151)에 의하여 구성되어 있다. 또 커패시터(403)와 커패시터(404)의 접속점에 한쪽 끝이 접속된 인덕터(304)는 스트립 라인 전극(111, 121, 131, 141a)에 의하여 구성되고, 인덕터(303)의 다른쪽 끝과 GND 단자 전극(171)과의 사이에 접속된 커패시터(406)는 용량 전극(141b)과 GND 전극(151)에 의하여 구성되어 있다.
또, 도 3에 나타내는 바와 같이 종래예와 마찬가지로 기생 용량(501, 504)이 발생한다.
상기 구성의 적층 필터(1)에서는 도 4에 나타내는 바와 같이 소자 본체(100) 내의 소정 평면 위에 제 1 내지 제 4 영역(11∼14)이 설치되고, 입출력단자(201, 202)에 접속된 인덕터(301, 302)의 다른쪽 끝 사이에 직렬 접속된 2개 이상의 커패시터(401∼404)는 겹쳐지도록 제 1 영역(11)에 배치되고, 입력단자(201)에 배치된 제 1 인덕터(301)는 제 1 영역(11)에 인접하는 제 2 영역(12)에 배치되어 있다. 또 출력단자(202)에 배치되는 제 2 인덕터(302)는 제 1 영역(11)을 사이에 두고 제 2 영역(12)에 대칭인 위치에 존재하는 제 3 영역(13)에 배치되어 있다. 또한 커패시터(401∼404) 끼리의 접속점과 접지점의 사이에 접속된 인덕터(303)와 커패시터(405)와의 직렬회로 및 인덕터(304)와 커패시터(406)의 직렬회로는 제 1 내지 제 3 영역(11∼13)에 인접하는 제 4 영역(14)에 배치되어 있다.
상기한 바와 같이 입력단자(201)와 커패시터(401)의 사이에 인덕터(301)를 직렬 접속하여 설치함과 동시에, 출력단자(202)와 커패시터(404)의 사이에 인덕터(302)를 직렬 접속하여 설치하였기 때문에, 종래예에 비하여 이하의 (1)∼(3)의 효과를 얻을 수 있다.
(1) 통과 주파수 대역에서 동일 특성을 얻기 위한 커패시터(401, 404)를 구성하는 용량 전극(113b, 124, 143, 152b)의 면적을 저감할 수 있다. 이것은 커패시터(401, 404)의 커패시턴스를 각각 C1, C4라 하고, 인덕터(301, 302)의 인덕턴스를 각각 L1, L2라 하면, 인덕터(301)를 부가하기 전의 상태에서의 필요한 통과 주파수 대역에서의 음의 리액턴스(1/ωC1*)에 대하여 인덕터(301)를 부가함으로써 필요한 통과 주파수 대역에서의 리액턴스가(1/ωC1)-ωL1이 되기 때문에 커패시턴스(C1*)보다 작은 커패시턴스(C1)로 동등의 주파수 특성을 가지는 필터를 구성할 수 있기 때문이다. 마찬가지로 인덕터(302)를 부가하기 전의 상태에서의 필요한 통과 주파수 대역에서의 음의 리액턴스(1/ωC4*)에 대하여 인덕터(302)를 부가함으로써 필요한 통과 주파수 대역에서의 음의 리액턴스가 (1/ωC4)-ωL4가 되기 때문에 커패시턴스(C4*)보다 작은 커패시턴스(C4)로 동등한 주파수 특성을 가지는 필터를 구성할 수 있다. 또한 ω(= 2πf, f는 주파수)는 각주파수이다.
(2) 감쇠해야 할 저역 주파수 대역에서는 인덕터(301, 302)에 의하여 입력단자(201)와 출력단자(202) 사이의 전기적 결합이 감소하기 때문에, 저역 주파수 대역에서의 감쇠량을 개선하여 크게 할 수 있다. 이것은 인덕터(301, 302)의 리액턴스의 값은 주파수에 대하여 비례하여 커지고, 커패시터(401, 404)의 리액턴스는 주파수에 반비례하기 때문에 작아져, 인덕터(301, 302)를 부가하기 전의 커패시터(401, 404)의 커패시턴스(C1*, C4*)보다 커패시턴스값이 작은 커패시턴스(C1, C4)를 사용하여 인덕터(301, 302)를 부가하기 전과 동등한 주파수 특성을 가지는 필터를 구성할 수 있기 때문이다. 또한 원래의 커패시턴스(C1*, C4*)에 대하여 작은 커패시턴스(C1, C4)를 사용하여 설계함으로써, 직렬 인덕터를 포함하여도 저역에서는 커패시턴스(C1, C4)의 용량이 저하하고, 고역에서는 통과역에 비하여 직렬 임피던스가 상승하여 통과를 억압한다. 이와 같이 고역에서의 감쇠가 크기 때문에, 3.0 GHz 이상의 주파수를 사용하는 W-LAN이나 Wi-MAX와의 병용에 유효하다.
(3) 커패시터(401, 404)를 구성하는 용량 전극과 GND 전극의 사이에 발생하는 원래 불필요한 기생 용량(501, 504)을, 인덕터(301, 302)를 부가하지 않는 것보다 저감할 수 있다. 이것은 입출력단자에서의 임피던스 정합을 생각하면, 인덕터(301, 302)의 임피던스 벡터의 방향이 기생 용량(501, 504)의 임피던스 벡터의 방향과 반대방향이 되기 때문이다.
상기한 적층 필터의 주파수 특성은 도 5에 나타내는 바와 같다. 도 5에서 가로축은 주파수(GHz)를, 세로축은 이득(dB)을 표시하고, 도면에서의 3개의 곡선중 A의 곡선은 S11의 반사특성을 표시하고, B의 곡선은 S22의 반사특성을 표시하고, C 의 곡선은 S21의 통과특성을 표시하고 있다.
한편, 상기한 적층 필터(1)의 표면에 IC 등을 실장하여 모듈화한 전자부품을 구성하는 것도 가능하다. 예를 들면 도 6에 나타내는 바와 같이 적층 필터(1)의 LTCC 기판 위에 무선통신기능을 가지는 IC(31)와 커패시터(32)나 저항기(33) 등의 칩부품으로 이루어지는 통신 기능부(30)를 실장하여 적층 필터(1)와 통신 기능부(30)를 접속하여 모듈화한 전자부품(20)을 구성한다.
이와 같은 전자부품(20)은, 도 7에 나타내는 바와 같은 통신장치에 사용할 수 있다. 즉, 전자부품(20)의 적층 필터(1)에 안테나(41)를 접속함과 동시에, 통신 기능부(30)를 CDMA 인터페이스(42)를 거쳐 베이스 밴드 신호처리용 IC(43)에 접속함으로써 용이하게 통신장치를 구성할 수 있다.
또한 상기 실시형태는 본 발명의 일 구체예로서 본 발명이 상기 실시형태에만 한정되는 것은 아니다.
필터회로의 입출력단자에 접속된 커패시터와 입출력단자의 사이에 인덕터를 설치함으로써, 커패시터의 용량을 작게 하여도 동등한 주파수 특성을 가지는 필터를 구성할 수 있기 때문에, 종래예에 비하여 입출력단자에 접속되는 커패시터의 용량을 저감할 수 있고, 이에 의하여 소자 본체를 소형화하는 것이 가능하게 된다. 또한 입출력단자에 접속한 인덕터에 의하여 종래부터 생겨 있던 기생 용량을 저감할 수 있다. 이에 의하여 대략 동일한 주파수 특성을 가지면서 적층 필터를 종래보다 소형화할 수 있다.

Claims (5)

  1. 유전체 세라믹스의 소자 본체 내부에 설치된 복수의 전극에 의하여 소정의 필터회로가 구성되고, 2개의 입출력단자의 각각과 상기 필터회로의 입출력단의 각각과의 사이에 직렬로 배치되어 한쪽 끝이 상기 입출력단자에 접속되어 있는 2개의 커패시터를 구비한 적층 필터에 있어서,
    상기 입출력단자와 상기 각 커패시터의 한쪽 끝과의 사이에 직렬로 개재하는 2개의 인덕터를 상기 소자 본체 내부에 설치한 것을 특징으로 하는 적층 필터.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 인덕터는 권회형 인덕터인 것을 특징으로 하는 적층 필터.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 각 입출력단자의 각각에 한쪽 끝이 접속된 인덕터의 다른쪽 끝 사이에 2개 이상의 커패시터가 직렬 접속되어 있음과 동시에,
    상기 커패시터끼리의 접속점과 접지점과의 사이에 접속된 인덕터와 커패시터와의 직렬 회로를 가지는 것을 특징으로 하는 적층 필터.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 각 입출력단자의 각각에 한쪽 끝이 접속된 2개의 인덕터의 다른쪽 끝사이에 직렬 접속된 2개 이상의 커패시터가 겹치도록 상기 제 1 영역에 배치되고, 한쪽의 입출력단자에 접속된 제 1 인덕터가 상기 제 1 영역에 인접하는 상기 제 2 영역에 배치되며,
    다른쪽의 입출력단자에 접속된 제 2 인덕터는 상기 제 1 영역을 사이에 두고 상기 제 2 영역에 대칭인 위치에 존재하는 상기 제 3 영역에 배치되고,
    상기 인덕터의 다른쪽 끝 사이에 직렬 접속되어 있는 커패시터끼리의 접속점과 접지점과의 사이에 접속된 인덕터와 커패시터의 직렬 회로가 상기 제 1 내지 제 3 영역에 인접하는 상기 제 4 영역에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 적층 필터.
  5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 기재된 적층 필터에 IC를 실장하여 모듈화한 것을 특징으로 하는 전자부품.
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