WO2020080017A1 - 高周波モジュール - Google Patents

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WO2020080017A1
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high frequency
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impedance element
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弘嗣 森
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to a high frequency module.
  • a ladder-type filter including an elastic wave resonator is known (for example, see Patent Document 1).
  • an elastic wave resonator is arranged in parallel arms that cause series resonance at a frequency corresponding to the attenuation band.
  • the above conventional filter has a problem that the steepness at the low frequency end or the high frequency end of the pass band of the filter is deteriorated due to the inductor component generated in the wiring connected to the elastic wave resonator.
  • an object of the present invention is to provide a high-frequency module capable of enhancing the steepness of the pass band end of the filter with a simple configuration.
  • a high-frequency module is a high-frequency module including a high-frequency filter, wherein the high-frequency filter has an input terminal, an output terminal, the input terminal and the output terminal.
  • a first impedance element arranged in series on a connecting path; and an elastic wave resonator connected between a node on the path and a ground, wherein the first impedance element is a capacitor or an inductor,
  • the capacitance between the first wiring connecting the node and the acoustic wave resonator and the ground is determined by the one of the input terminal and the output terminal, which has a shorter wiring length with the first impedance element, and the first wiring. It is larger than the capacitance between the second wiring connecting the 1-impedance element and the ground.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high frequency filter included in the high frequency module according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining the effect of the generation of a large capacitor component in the high frequency module according to the first embodiment.
  • FIG. 3A is a perspective view of the high frequency module according to the first example of the first embodiment.
  • FIG. 3B is a trihedral view of the high-frequency module according to the first example of the first embodiment.
  • FIG. 3C is a top view of a high frequency module according to a modified example of the first example of the first exemplary embodiment.
  • FIG. 4A is a perspective view of the high frequency module according to the second example of the first embodiment.
  • FIG. 4B is a trihedral view of the high-frequency module according to the second example of the first embodiment.
  • FIG. 5A is a perspective view of a high frequency module according to Example 3 of the first embodiment.
  • FIG. 5B is a trihedral view of the high frequency module according to the third example of the first embodiment.
  • FIG. 6A is a perspective view of a high frequency module according to a fourth example of the first embodiment.
  • FIG. 6B is a trihedral view of the high-frequency module according to the fourth example of the first embodiment.
  • FIG. 7 is a circuit configuration diagram of a high frequency filter included in the high frequency module according to the second embodiment.
  • FIG. 8A is a perspective view of a high frequency module according to an example of the second embodiment.
  • FIG. 8B is a trihedral view of the high-frequency module according to an example of the second embodiment.
  • FIG. 9 is a circuit configuration diagram of a multiplexer included in the high frequency module according to the third embodiment.
  • FIG. 10A is a perspective view of a high frequency module according to a first example of the third embodiment.
  • FIG. 10B is a trihedral view of the high-frequency module according to the first example of the third embodiment.
  • FIG. 11A is a perspective view of a high frequency module according to a second example of the third embodiment.
  • FIG. 11B is a trihedral view of the high-frequency module according to the second example of the third embodiment.
  • FIG. 12 is a circuit configuration diagram of a multiplexer included in the high frequency module according to the fourth embodiment.
  • FIG. 10A is a perspective view of a high frequency module according to a first example of the third embodiment.
  • FIG. 10B is a trihedral view of the high-frequency module according to the first example
  • FIG. 13A is a perspective view of a high frequency module according to an example of the fourth embodiment.
  • FIG. 13B is a trihedral view of the high-frequency module according to the example of the fourth embodiment.
  • FIG. 14 is a circuit configuration diagram of a multiplexer included in the high frequency module according to the fifth embodiment.
  • FIG. 15A is a perspective view of a high frequency module according to an example of the fifth embodiment.
  • FIG. 15B is a trihedral view of the high-frequency module according to an example of the fifth embodiment.
  • FIG. 16 is a circuit configuration diagram of a high frequency front end circuit included in the high frequency module according to the sixth embodiment.
  • FIG. 17A is a circuit configuration diagram of a high frequency filter included in the high frequency module according to the first modification.
  • FIG. 17B is a circuit configuration diagram of a high frequency filter included in the high frequency module according to Modification 2.
  • each diagram is a schematic diagram and is not necessarily an exact illustration. Therefore, for example, the scales and the like in the drawings do not necessarily match.
  • substantially the same configurations are denoted by the same reference numerals, and overlapping description will be omitted or simplified.
  • a term indicating a relationship between elements such as parallel or vertical
  • a term indicating a shape of an element such as a rectangular parallelepiped or a cylinder
  • a numerical range are expressions that only represent a strict meaning. However, it is meant to include a substantially equivalent range, for example, a difference of about several percent.
  • the terms “upper” and “lower” do not refer to an upward direction (vertical upward) and a downward direction (vertical downward) in absolute space recognition, but are based on a stacking order in a stacked structure. Is used as a term defined by a relative positional relationship.
  • the x-axis, the y-axis, and the z-axis represent the three axes of a three-dimensional orthogonal coordinate system.
  • the z-axis direction is the thickness direction of the wiring board.
  • the “thickness direction” means the thickness direction of the wiring board, and is a direction perpendicular to the main surface of the wiring board, and the “plan view” means the main surface of the wiring board. On the other hand, when viewed from a vertical direction.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high frequency filter 10 included in the high frequency module according to the present embodiment.
  • the high frequency filter 10 includes a terminal 11, a terminal 12, an impedance element Z, a parallel arm resonator P, and a capacitor C.
  • high frequency filter 10 is a high pass filter, but may be a low pass filter.
  • the terminals 11 and 12 are an input terminal and an output terminal of the high frequency filter 10, respectively.
  • the input terminal is a terminal that connects the high-frequency module to an external circuit, and is a terminal to which a signal output from the external circuit is input.
  • the output terminal is a terminal that connects the high frequency module to an external circuit, and is a terminal that outputs a signal processed by the high frequency module to the external circuit.
  • the terminal 11 is an input terminal and the terminal 12 is an output terminal will be described.
  • the terminal 11 may be an output terminal and the terminal 12 may be an input terminal. That is, the impedance element Z may be provided on the input terminal side or the output terminal side.
  • a node N is provided on the path 13 connecting the terminals 11 and 12.
  • the node N is a branch point on the route 13.
  • the impedance element Z is an example of a first impedance element arranged in series on a path 13 connecting the terminals 11 and 12. Specifically, the impedance element Z is provided between the terminal 11 and the node N.
  • Impedance element Z is a capacitor or an inductor.
  • the impedance element Z has a capacitance value or an inductance value that is a value determined according to the filter characteristics required for the high frequency filter 10.
  • a capacitor is an element that exhibits capacitance over the entire band as an ideal element, and does not include an elastic wave resonator. This is because the elastic wave resonator has an inductive property in a band between the resonance frequency and the anti-resonant frequency and exhibits a capacitive property in other bands, but is not an element that exhibits a capacitive property in the entire band.
  • the parallel arm resonator P is an example of an elastic wave resonator connected between the node N and the ground.
  • the elastic wave resonator is a resonator using an elastic wave, and includes, for example, a resonator using SAW (Surface Acoustic Wave), a resonator using BAW (Bulk Acoustic Wave), or a FBAR (Film Bulk Acoustic Resonator). ) And so on.
  • SAW Surface Acoustic Wave
  • BAW Bulk Acoustic Wave
  • FBAR Fanm Bulk Acoustic Resonator
  • a SAW resonator is used as the elastic wave resonator.
  • the parallel arm resonator P included in the high frequency filter 10 can be configured by the IDT (Inter Digital Transducer) electrode formed on the substrate having piezoelectricity, and thus the small and low attenuation characteristic with high steepness is provided.
  • a high frequency module for the back can be realized.
  • the substrate having piezoelectricity is a substrate having piezoelectricity on at least the surface (hereinafter referred to as piezoelectric substrate).
  • the piezoelectric substrate may include, for example, a piezoelectric thin film formed on the surface thereof, a film having a sound velocity different from that of the piezoelectric thin film, and a laminated body such as a support substrate.
  • the piezoelectric substrate may be, for example, a laminated body including a high acoustic velocity supporting substrate and a piezoelectric thin film formed on the high acoustic velocity supporting substrate.
  • the piezoelectric substrate may be a laminated body including a high acoustic velocity supporting substrate, a low acoustic velocity film formed on the high acoustic velocity supporting substrate, and a piezoelectric thin film formed on the low acoustic velocity film.
  • the piezoelectric substrate includes a support substrate, a high sonic film formed on the support substrate, a low sonic film formed on the high sonic film, and a piezoelectric thin film formed on the low sonic film. It may be a laminated body including.
  • the piezoelectric substrate may have piezoelectricity over the entire substrate. The same applies to elastic wave resonators in other embodiments.
  • the capacitance C is the capacitance between the wiring 14 and the ground.
  • the wiring 14 is an example of a first wiring that connects the node N and the parallel arm resonator.
  • the capacitance C is a capacitance component (also called stray capacitance) generated by disposing the ground electrode connected to the ground near the wiring 14.
  • the capacitor C is a parallel plate capacitor having at least a part of the wiring 14 as a first electrode and at least a part of a ground electrode as a second electrode.
  • the capacitance C is larger than the capacitance between the wiring 16 and the ground.
  • the wiring 16 is an example of a second wiring that connects the terminal of the terminals 11 and 12 that has a shorter wiring length to the impedance element Z and the impedance element Z.
  • the terminal having the shorter wiring length with the impedance element Z is the terminal 11 of the terminals 11 and 12 in which the node N is not provided on the path to the impedance element Z. That is, in the present embodiment, the wiring 16 is a wiring that connects the terminal 11 and the impedance element Z.
  • the terminal having the shorter wiring length with the impedance element Z is the terminal 11 which is the input terminal, but it may be the terminal 12 which is the output terminal. That is, the wiring length between the impedance element Z and the terminal 12 may be shorter than the wiring length between the impedance element Z and the terminal 11.
  • the filter characteristic of the high frequency filter 10 is improved by utilizing the capacitor component generated in the wiring 14. Below, the effect due to the generation of the capacitor component will be described with reference to FIG.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining the effect of the generation of the capacitor component in the high frequency module according to this embodiment.
  • FIG. 2A is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the high frequency filter 10 included in the high frequency module according to the present embodiment.
  • FIG. 2B is a circuit diagram showing an equivalent circuit of the high frequency filter 10x according to the comparative example.
  • the magnitude (capacitance value) of the capacitance component generated in the wiring 16 is represented by C 1
  • the magnitude (capacitance value) generated in the wiring 14 is represented by C 2 . ing. That is, the capacitance value C 2 corresponds to the capacitance value of the capacitance C shown in FIG.
  • the capacitance value C 2 is larger than the capacitance value C 1 .
  • the capacitance value C 2 is smaller than the capacitance value C 1 .
  • the high frequency filter 10x according to the comparative example is the same as the high frequency filter 10 according to the embodiment, except that the magnitude relationship of the capacitance values is different.
  • a ground electrode for increasing the capacitance C 2 is not provided near the wiring 14.
  • FIG. 2C is a graph showing the pass characteristics of the high frequency filters 10 and 10x.
  • the horizontal axis represents frequency [unit: GHz]
  • the vertical axis represents insertion loss [unit: dB].
  • the solid line graph represents the insertion loss of the high frequency filter 10 according to the present embodiment
  • the broken line graph represents the insertion loss of the high frequency filter 10x according to the comparative example.
  • FIG. 2C shows a simulation result when the high-frequency filter 10 and the high-frequency filter 10x match the frequencies at which the insertion loss is the smallest.
  • both the high frequency filters 10 and 10x are provided with the parallel arm resonator P which is an example of an elastic wave resonator, as shown in FIG. It has excellent damping characteristics. Specifically, in the high frequency filter 10 having the capacitance value C 2 larger than the capacitance value C 1 , the insertion loss becomes maximum when the frequency is about 2.35 GHz. In the high frequency filter 10x having the capacitance value C 2 smaller than the capacitance value C 1 , the insertion loss is maximized when the frequency is about 2.33 GHz. That is, the frequency at which the insertion loss becomes maximum shifts to the high frequency side as the capacitance value C 2 increases.
  • the capacitance value C 2 of the capacitance C generated in the wiring 14 is larger than the capacitance value C 1 of the capacitance generated in the wiring 16, so that the steepness of the attenuation characteristic is achieved. Is increased. Therefore, even if an inductor component is generated in the wiring 14, the steepness of the attenuation characteristic can be improved by increasing the capacitance value C 2 of the capacitance C generated in the wiring 14.
  • a ground electrode may be arranged near the wiring 14, and the steepness of the filter can be increased with a simple configuration.
  • the shorter the wiring length of the wiring included in the high-frequency filter 10 the more the generation of unnecessary inductor components is suppressed, so that good filter characteristics can be realized. That is, the shorter the total length of the wiring included in the high frequency filter 10, the better the filter characteristics.
  • the wiring cannot be sufficiently shortened due to the physical limitation of each terminal and each element.
  • the positions of the terminal 11 and the terminal 12 are fixed, and it may not be possible to shorten the total length of the wiring due to the arrangement of the wiring. Even in this case, the deterioration of the filter characteristics can be suppressed by adjusting the size of the capacitance C generated in the wiring 14.
  • the arrangement and shape of the element, the wiring board, the wiring layer, and the via in each example are merely examples, and are not limited to the examples shown.
  • FIG. 3A is a perspective view of the high frequency module 100 according to the present embodiment.
  • a portion that is invisible from a perspective perspective is indicated by a broken line.
  • the perspective view in order to avoid complication, only the terminal Pa on the node N side among the plurality of terminals of the parallel arm resonator P is illustrated. The manner of illustration is the same in other perspective views described later (specifically, FIGS. 4A, 5A, 6A, 8A, 10A, 11A, 13A, and 15A).
  • FIG. 3B is a three-sided view of the high frequency module 100 according to this embodiment. 3B, (a), (b) and (c) respectively show a top view, a front view and a right side view of the high frequency module 100.
  • a case where the high frequency module 100 is viewed from the positive side of the z axis is a top view
  • a case where the high frequency module 100 is viewed from the negative side of the y axis is a front view
  • the high frequency module 100 is viewed from the positive side of the x axis.
  • the top view is synonymous with a plan view of the surface 102 of the wiring board 101. This also applies to other examples and other embodiments.
  • FIG. 3B (a), the terminal 11 and the terminal 12 of the high frequency filter 10, the terminal Pa of the parallel arm resonator P, and a part of the wiring structure such as the via 121 are indicated by broken lines.
  • the wiring structure (specifically, vias 121 and 122) provided inside the wiring board 101 is shown through the wiring board 101.
  • the wiring structure seen from the perspective of the perspective (that is, the front wiring structure) is represented by a solid line, and the wiring structure overlaps the front wiring structure and is lower than the front wiring structure.
  • the wiring structure located at the back is shown by a broken line.
  • the ground electrode in each figure is shaded with dots.
  • FIGS. 4B, 5B, 6B, 8B, 10B, 11B, 13B, and 15B The manner of illustration is also the same in other three-sided views (specifically, FIGS. 4B, 5B, 6B, 8B, 10B, 11B, 13B, and 15B) described later.
  • the high frequency module 100 includes a wiring board 101 and a ground electrode 105 as shown in FIGS. 3A and 3B.
  • the wiring board 101 has a front surface 102 and a back surface 103 which are opposed to each other.
  • the front surface 102 is an example of a first surface that is a main surface of the wiring board 101.
  • Back surface 103 is an example of a second surface that is the main surface of wiring board 101.
  • the parallel arm resonator P and the impedance element Z are provided on the surface 102 of the wiring board 101.
  • the terminals 11 and 12 are provided on the back surface 103 of the wiring board 101.
  • the positions where the terminal 11, the terminal 12, the parallel arm resonator P, and the impedance element Z are provided are not limited to these.
  • at least one of the terminals 11 and 12 may be provided on the front surface 102 or the side surface of the wiring board 101.
  • the terminals 11 and 12 are, for example, conductive thin films patterned into a predetermined shape.
  • the terminals 11 and 12 are formed by using a metal material such as silver (Ag) or copper (Cu).
  • the top view shape of the terminals 11 and 12 is a square, but may be a circle or a rectangle.
  • the shape and size of each of the terminals 11 and 12 are not particularly limited.
  • the wiring board 101 for example, a multi-layer board made of resin, or a low-temperature co-fired ceramics (LTCC) multi-layer board having a laminated structure of a plurality of dielectric layers is used.
  • the shape of the wiring board 101 is, for example, a flat rectangular parallelepiped, but is not limited to this.
  • the shape of the wiring board 101 may be a cylindrical body or a polyhedron other than a rectangular parallelepiped.
  • the wiring board 101 has one or more wiring layers extending in a direction parallel to the surface 102 and one or more vias extending in a direction orthogonal to the surface 102.
  • the terminal 11, the terminal 12, the impedance element Z, and the parallel arm resonator P are respectively connected to at least one of these one or more wiring layers and one or more vias.
  • the parallel arm resonator P and the impedance element Z are mounted on the front surface 102 of the wiring board 101 by being connected to a wiring layer or a via via solder or the like.
  • the terminal Pa of the parallel arm resonator P and the terminal of the impedance element Z are formed of hardened solder or the like.
  • the mounting method of the parallel arm resonator P and the impedance element Z is not particularly limited.
  • the terminal Pa of the parallel arm resonator P may be a bump electrode.
  • the mounting method of the impedance element and the parallel arm resonator is the same as that of this example.
  • the wiring board 101 has a wiring layer 111, a wiring layer 112, a via 121, and a via 122.
  • the wiring layers 111 and 112 are conductive pattern wirings provided on the surface 102 of the wiring board 101.
  • the wiring layers 111 and 112 are formed, for example, by forming a thin metal film of silver (Ag) or copper (Cu) on the surface 102 and patterning it into a predetermined shape.
  • Each of the wiring layers 111 and 112 extends in a direction parallel to the surface 102, that is, in a direction orthogonal to the thickness direction (z-axis direction) of the wiring board 101.
  • the widths and film thicknesses of the wiring layers 111 and 112 are, for example, the same, but may be different.
  • the via 121 and the impedance element Z are connected to the wiring layer 111.
  • the wiring layer 111 extends linearly along the y-axis direction from the upper end of the via 121 to one end of the impedance element Z, as shown in (a) of FIG. 3A and FIG. 3B.
  • the top view shape of the wiring layer 111 is, for example, a rectangle, but the shape is not limited to this.
  • the impedance element Z, the parallel arm resonator P, and the via 122 are connected to the wiring layer 112.
  • the wiring layer 112 has a first wiring portion 112a and a second wiring portion 112b, as shown in (a) of FIG. 3A and FIG. 3B.
  • the connection portion between the first wiring portion 112a and the second wiring portion 112b is a branch point of the wiring layer 112 and corresponds to the node N.
  • the impedance element Z and the parallel arm resonator P are connected to the first wiring portion 112a.
  • the first wiring portion 112a extends linearly along the y-axis direction from the other end of the impedance element Z to the terminal Pa of the parallel arm resonator P.
  • the impedance element Z and the via 122 are connected to the second wiring portion 112b.
  • the second wiring portion 112b is bent and extends from the other end of the impedance element Z to the upper end portion of the via 122.
  • the top view shape of the wiring layer 112 is, for example, a U shape, but is not limited to this.
  • the second wiring portion 112b may extend linearly, and the wiring layer 112 may have a V-shaped or L-shaped top view.
  • the vias 121 and 122 are conductive members extending along the thickness direction of the wiring board 101.
  • the vias 121 and 122 penetrate from the front surface 102 to the back surface 103 of the wiring board 101.
  • the vias 121 and 122 are formed, for example, by forming a through hole in the wiring board 101 with a laser or the like and then filling a conductive material (for example, a conductive paste) such as silver (Ag) or copper (Cu). It
  • a conductive material for example, a conductive paste
  • the method of forming the vias 121 and 122 is not particularly limited.
  • the shape of each of the vias 121 and 122 is shown as an example of a cylindrical shape, but it may be a prismatic shape and is not particularly limited.
  • the vias 121 and 122 have, for example, the same sectional area, but may have different areas.
  • the terminal 11 and the wiring layer 111 are connected to the via 121.
  • the via 121 is provided so as to overlap both the wiring layer 111 and the terminal 11 in a top view.
  • the terminal 12 and the wiring layer 112 are connected to the via 122.
  • the via 122 is provided so as to overlap both the wiring layer 112 and the terminal 12 in a top view.
  • the path 13 connecting the terminal 11 and the terminal 12 is composed of the via 121, the wiring layer 111, the second wiring portion 112b of the wiring layer 112, and the via 122.
  • the path 13 includes the wiring 16 and the node N, as shown in FIG.
  • the node N is a branch point of the wiring layer 112 and corresponds to a connecting portion between the first wiring portion 112a and the second wiring portion 112b.
  • the wiring 14 branched from the path 13 at the node N is configured by the first wiring portion 112 a of the wiring layer 112.
  • the wiring 16 included in the path 13 is composed of the via 121 and the wiring layer 111.
  • the ground electrode 105 is connected to the ground.
  • the ground electrode 105 is not connected to the terminals 11 and 12, the path 13 and the wiring 14. Specifically, the ground electrode 105 is not connected to any of the terminals 11 and 12, the wiring layers 111 and 112, and the vias 121 and 122.
  • the ground electrode 105 overlaps the wiring 14 when the surface 102 of the wiring board 101 is viewed in a plan view.
  • the wiring 14 is composed of the first wiring portion 112a
  • the ground electrode 105 overlaps the first wiring portion 112a as shown in FIGS. 3A and 3B.
  • the capacitance C is generated between the first wiring portion 112a and the ground electrode 105.
  • the ground electrode 105 is larger than the first wiring portion 112a, and the entire first wiring portion 112a is located inside the ground electrode 105.
  • a part of the first wiring portion 112a does not have to overlap with the ground electrode 105 in a top view.
  • the ground electrode 105 may be smaller than the first wiring portion 112a, or the entire ground electrode 105 may be located inside the first wiring portion 112a.
  • the top view shape and size of the ground electrode 105 may be the same as the top view shape and size of the first wiring part 112a.
  • the contours of the ground electrode 105 and the first wiring portion 112a may be perfectly matched in a top view.
  • the ground electrode 105 does not overlap the wiring layer 111 which is a part of the wiring 16 in a top view.
  • the ground electrode 105 may overlap with the wiring layer 111 in a top view.
  • the ground electrode 105 may be provided, for example, such that the area of the portion overlapping with the first wiring portion 112a is larger than the area of the portion overlapping with the wiring layer 111.
  • the ground electrode 105 is provided inside the wiring board 101.
  • the ground electrode 105 is a conductive pattern electrode provided inside the wiring board 101.
  • the ground electrode 105 is formed, for example, by forming a metal thin film of silver (Ag), copper (Cu), or the like during the formation of the laminated structure of the wiring board 101, and patterning it into a predetermined shape.
  • the ground electrode 105 extends in a direction parallel to the surface 102, that is, a direction orthogonal to the thickness direction (z-axis direction) of the wiring board 101.
  • the top view shape of the ground electrode 105 is, for example, a rectangle, but is not particularly limited.
  • the ground electrode 105 is located closer to the front surface 102 than the back surface 103 of the wiring board 101, as shown in FIGS. 3B and 3C.
  • the ground electrode 105 is provided, for example, at a position where the distance from the first wiring portion 112a forming the wiring 14 is shorter than the distance from the wiring layer 111 included in the wiring 16.
  • the surface of the ground electrode 105 facing the via 121 is the end surface of the ground electrode 105 and is sufficiently small. Therefore, the distance between the ground electrode 105 and the via 121 included in the wiring 16 may be shorter than the distance between the ground electrode 105 and the first wiring portion 112a.
  • the capacitance generated between the ground electrode 105 and the wiring 16 can be made smaller than the capacitance C generated between the wiring 14 (first wiring portion 112a) and the ground electrode 105.
  • FIGS. 3A and 3B do not show the ground connected to the ground electrode 105 and the parallel arm resonator P.
  • the ground is provided, for example, on the back surface 103 of the wiring board 101 while being electrically insulated from the terminals 11 and 12.
  • the ground and the ground electrode 105 are connected via a via (not shown).
  • the ground may be provided inside the wiring board 101 or on the front surface 102. This also applies to other examples and other embodiments.
  • the capacitance C between the wiring 14 connecting the node N and the parallel arm resonator P and the ground is larger than the capacitance between the wiring 16 and the ground. Since it becomes large, the steepness of the pass band end of the high frequency filter 10 can be enhanced with a simple configuration, as described with reference to FIG.
  • the wiring length of the wiring 14 may be increased in order to increase the capacitance C. Specifically, the length of the first wiring portion 112a may be increased.
  • FIG. 3C is a top view of a high frequency module according to a modification of this embodiment.
  • the high frequency module according to this modification includes a wiring layer 113 and a ground electrode 106 instead of the wiring layer 112 and the ground electrode 105.
  • the wiring layer 113 has a first wiring portion 113a and a second wiring portion 112b.
  • the first wiring portion 113a is longer than the first wiring portion 112a according to the first embodiment. Specifically, the length of the first wiring portion 113a is longer than the total length of the wiring layer 111 and the via 121. As a result, the wiring length of the wiring 14 (the length of the first wiring portion 113a) becomes longer than the wiring length of the wiring 16 (the total length of the via 121 and the wiring layer 111).
  • the ground electrode 106 has a longer shape than the ground electrode 105 according to the first embodiment.
  • the ground electrode 106 overlaps the first wiring portion 113a in a top view.
  • the capacitance C is generated between the ground electrode 106 and the first wiring portion 113a.
  • the ground electrode 106 is larger than the first wiring portion 113a, and the entire first wiring portion 113a is located inside the ground electrode 106.
  • the area of the overlapping portion of the first wiring portion 113a and the ground electrode 106 is larger than the area of the overlapping portion of the first wiring portion 112a and the ground electrode 105 according to the first embodiment. Therefore, the capacitance value of the capacitor C according to this modification is larger than that in the first embodiment. Therefore, according to this modification, the steepness of the pass band end of the high frequency filter 10 can be further enhanced.
  • the high frequency module according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 4A and 4B.
  • the high frequency module according to the present embodiment is different from the high frequency module according to the first embodiment in that a ground electrode is provided on the back surface 103 of the wiring board.
  • differences from the first embodiment will be mainly described, and description of common points will be omitted or simplified.
  • FIG. 4A is a perspective view of the high frequency module 130 according to the present embodiment.
  • FIG. 4B is a trihedral view of the high frequency module 130 according to the present embodiment. 4B, (a), (b), and (c) show a top view, a front view, and a right side view of the high-frequency module 130, respectively.
  • the high frequency module 130 includes a wiring board 131 and ground electrodes 135 and 136, as shown in FIGS. 4A and 4B.
  • the wiring board 131 is the same as the wiring board 101 except that no ground electrode is provided inside.
  • the ground electrodes 135 and 136 respectively correspond to the ground electrode 105, and are different from the ground electrode 105 in shape, size, and arrangement.
  • the ground electrodes 135 and 136 are provided on the back surface 103 of the wiring board 131, as shown in (b) and (c) of FIG. 4B.
  • the ground electrodes 135 and 136 are conductive pattern electrodes provided on the back surface 103 of the wiring board 131, respectively.
  • the ground electrodes 135 and 136 are terminals that connect the high-frequency module 130 to an external circuit, and are connected to the ground wiring of the external circuit or the like.
  • the ground electrode 135 overlaps with the first wiring portion 112a (wiring 14) in a top view.
  • the capacitance C is generated between the ground electrode 135 and the first wiring portion 112a.
  • part of the ground electrode 135 and part of the first wiring part 112a overlap.
  • the top view shape of the ground electrode 135 is, for example, a square, but is not limited to this.
  • the ground electrode 136 does not overlap with the first wiring portion 112a (wiring 14) in a top view. Therefore, a capacitance smaller than the capacitance generated between the ground electrode 135 and the first wiring portion 112a is generated between the ground electrode 136 and the first wiring portion 112a. This makes it possible to increase the capacitance generated between the wiring 14 and the ground, as compared with the case where the ground electrode 136 is not provided.
  • the capacitance C between the wiring 14 that connects the node N and the parallel arm resonator P and the ground is greater than the capacitance between the wiring 16 and the ground. Since it becomes large, the steepness of the pass band end of the high frequency filter 10 can be enhanced with a simple configuration, as described with reference to FIG.
  • the ground electrodes 135 and 136 are provided on the back surface 103, for example, the ground electrodes 135 and 136 can be formed in the same process as the terminals 11 and 12. Therefore, it is possible to easily increase the capacitance C between the wiring 14 and the ground while suppressing an increase in the number of manufacturing steps.
  • Example 3 a high frequency module according to the third embodiment will be described with reference to FIGS. 5A and 5B.
  • the high-frequency module according to the present embodiment is different from the high-frequency module according to the first embodiment in that the impedance element Z and the wiring structure are provided inside the wiring board.
  • differences from the first or second embodiment will be mainly described, and description of common points will be omitted or simplified.
  • FIG. 5A is a perspective view of the high frequency module 150 according to the present embodiment.
  • FIG. 5B is a trihedral view of the high frequency module 150 according to the present embodiment. 5B, (a), (b), and (c) show a top view, a front view, and a right side view of the high-frequency module 150, respectively.
  • the high frequency module 150 includes a wiring board 151 and a ground electrode 155, as shown in FIGS. 5A and 5B.
  • the wiring board 151 is the same as the wiring board 101 except that the number and shape of the wiring layers and vias included in the wiring board 151 are different, and that the impedance element Z is provided inside.
  • the wiring board 151 has a wiring layer 161, a wiring layer 162, a via 171, a via 172, and a via 173.
  • the impedance element Z is a capacitor and has an electrode plate 163 and an electrode plate 164.
  • the electrode plates 163 and 164 are located inside the wiring board 151.
  • the electrode plates 163 and 164 are arranged facing each other with a predetermined distance therebetween, and constitute so-called parallel plate electrodes.
  • the electrode plate 163 and the electrode plate 164 overlap.
  • Each of the electrode plates 163 and 164 corresponds to a terminal of the impedance element Z and also functions as a part of wiring.
  • the electrode plates 163 and 164 are conductive pattern electrodes provided inside the wiring board 151, respectively.
  • the electrode plates 163 and 164 are formed, for example, by forming a metal thin film of silver (Ag), copper (Cu), or the like during the formation of the laminated structure of the wiring board 151, and patterning the metal thin film into a predetermined shape.
  • the wiring layers 161 and 162 are conductive pattern wirings provided inside the wiring board 151.
  • the wiring layers 161 and 162 are located in the same layers as the electrode plates 163 and 164 of the impedance element Z, respectively.
  • the wiring layer 161 is formed in the same process as the electrode plate 163, and the wiring layer 162 is formed in the same process as the electrode plate 164.
  • Each of the wiring layers 161 and 162 extends in a direction parallel to the surface 102, that is, in a direction orthogonal to the thickness direction (z-axis direction) of the wiring board 151.
  • the via 171 and the impedance element Z are connected to the wiring layer 161.
  • the wiring layer 161 linearly extends from the upper end of the via 171 toward the electrode plate 163 along the x-axis direction.
  • the top view shape of the wiring layer 161 is, for example, a rectangle, but the shape is not limited to this.
  • the wiring layer 161 and the electrode plate 163 are integrally formed.
  • the via 172 and the impedance element Z are connected to the wiring layer 162.
  • the wiring layer 162 linearly extends from the upper end of the via 172 toward the electrode plate 164 along the x-axis direction.
  • the top view shape of the wiring layer 162 is, for example, a rectangle, but is not limited to this.
  • the wiring layer 162 and the electrode plate 164 are integrally formed.
  • the wiring layer 162 and the electrode plate 164 are provided closer to the front surface 102 than the back surface 103 in the thickness direction of the wiring board 151.
  • the distance between each of the wiring layer 162 and the electrode plate 164 and the front surface 102, that is, the length of the via 173 is the distance between each of the wiring layer 161 and the electrode plate 163 and the rear surface 103, that is, the length of the via 171. It is the following.
  • the wiring layer 162 and the electrode plate 164 may be provided closer to the back surface 103 than the front surface 102.
  • the vias 171, 172 and 173 are conductive members extending along the thickness direction of the wiring board 151.
  • the vias 171 and 172 are embedded in the concave portion that is recessed from the back surface 103 of the wiring board 151 toward the front surface 102.
  • the via 173 is embedded in a recess that is recessed from the front surface 102 of the wiring board 151 toward the back surface 103. That is, the vias 171, 172, and 173 do not penetrate the wiring board 151.
  • the vias 171, 172, and 173 are filled with a conductive material (for example, a conductive paste) such as silver (Ag) or copper (Cu) after forming a recess that does not penetrate the wiring substrate 151 with a laser or the like, for example. It is formed by The method of forming the vias 171, 172 and 173 is not particularly limited. Further, in the present embodiment, the shape of each of the vias 171, 172, and 173 is shown as an example of a cylindrical shape, but it may be a prismatic shape and is not particularly limited. The vias 171, 172, and 173 have, for example, the same cross-sectional area, but may have different cross-sectional areas.
  • a conductive material for example, a conductive paste
  • silver (Ag) or copper (Cu) copper
  • the vias 171, 172, and 173 have, for example, the same cross-sectional area, but may have different cross-sectional areas.
  • the terminal 11 and the wiring layer 161 are connected to the via 171.
  • the via 171 is provided so as to overlap the wiring layer 161 and the terminal 11 in a top view.
  • the terminal 12 and the wiring layer 162 are connected to the via 172.
  • the via 172 is provided so as to overlap the wiring layer 162 and the terminal 12 in a top view.
  • the impedance element Z and the parallel arm resonator P are connected to the via 173.
  • the via 173 is provided so as to overlap the electrode plate 164 of the impedance element Z and the terminal Pa of the parallel arm resonator P in a top view.
  • the via 173 may be connected to the wiring layer 162 instead of the impedance element Z.
  • the path 13 connecting the terminals 11 and 12 is composed of the via 171, the wiring layer 161, the electrode plate 163, the electrode plate 164, the wiring layer 162, and the via 172.
  • the node N is a connection point between the electrode plate 164 and the via 173.
  • the wiring 14 branched from the path 13 is composed of the via 173.
  • the wiring 16 included in the path 13 is composed of a via 171, a wiring layer 161, and an electrode plate 163.
  • the electrode plate 164 corresponds to a wiring that connects the impedance element Z and the node N.
  • the ground electrode 155 corresponds to the ground electrode 105 and is different from the ground electrode 105 in shape, size, and arrangement. Specifically, as shown in FIGS. 5A and 5B, the ground electrode 155 is provided inside the wiring board 151 and is located between the electrode plate 164 and the surface 102 in the thickness direction of the wiring board 151. There is.
  • the ground electrode 155 is provided at a position overlapping the electrode plate 164 in a top view. That is, the ground electrode 155 overlaps with the impedance element Z in a top view. For example, in the top view, part of the ground electrode 155 and part of the electrode plate 164 overlap.
  • the top view shape of the ground electrode 155 is, for example, a rectangle, but is not limited to this.
  • the ground electrode 155 may overlap the wiring layer 162 or the via 172 in a top view, for example.
  • the ground electrode 155 does not overlap with the parallel arm resonator P in a top view, but may overlap with the parallel arm resonator P.
  • a capacitance C is generated between the ground electrode 155 and the electrode plate 164.
  • the ground electrode 155 does not overlap with the via 171 and the wiring layer 161 included in the wiring 16 in a top view.
  • the electrode plate 164 is provided between the ground electrode 155 and the electrode plate 163. Therefore, the capacitance generated between the ground electrode 155 and the wiring 16 can be reduced.
  • the capacitance C between the wiring 14 connecting the node N and the parallel arm resonator P and the ground is greater than the capacitance between the wiring 16 and the ground. Since it becomes large, the steepness of the pass band end of the high frequency filter 10 can be enhanced with a simple configuration, as described with reference to FIG.
  • Example 4 a high frequency module according to the fourth embodiment will be described with reference to FIGS. 6A and 6B.
  • the high-frequency module according to the present embodiment is different from the high-frequency module according to the third embodiment in that a ground electrode is provided below the impedance element Z in the thickness direction of the wiring board.
  • a ground electrode is provided below the impedance element Z in the thickness direction of the wiring board.
  • FIG. 6A is a perspective view of the high frequency module 180 according to the present embodiment.
  • FIG. 6B is a trihedral view of the high frequency module 180 according to the present embodiment. 6B, (a), (b) and (c) show a top view, a front view and a right side view of the high frequency module 180, respectively.
  • the high frequency module 180 includes a wiring board 181 and a ground electrode 185, as shown in FIGS. 6A and 6B.
  • the wiring substrate 181 is the same as that of the third embodiment except that the position of the ground electrode 185 provided inside is different and that the electrode plate 184 is provided instead of the electrode plate 164 of the impedance element Z provided inside. It is the same as the wiring board 151.
  • the shape of the electrode plate 184 is different from that of the electrode plate 164 of the impedance element Z according to the third embodiment. Specifically, the electrode plate 184 has a rectangular shape in a top view and is larger than the electrode plate 163.
  • the ground electrode 185 corresponds to the ground electrode 155 and is different from the ground electrode 155 in shape, size, and arrangement. Specifically, the ground electrode 185 is provided inside the wiring board 181, and is located between the electrode plate 184 and the back surface 103 in the thickness direction of the wiring board 181, as shown in FIGS. 6A and 6B. There is. More specifically, the ground electrode 185 is located between the electrode plate 184 and the electrode plate 163 in the thickness direction of the wiring board 181. For example, the ground electrode 185 may be located in the center of the electrode plates 163 and 184 or in a position closer to the electrode plate 184 than the electrode plate 163 in the thickness direction of the wiring board 181.
  • the ground electrode 185 is provided at a position overlapping the electrode plate 184 in a top view. That is, the ground electrode 185 overlaps the impedance element Z in a top view. For example, in a top view, a part of the ground electrode 185 and a part of the electrode plate 184 overlap.
  • the top view shape of the ground electrode 185 is, for example, a rectangle, but is not limited to this.
  • the ground electrode 185 may overlap the wiring layer 162 or the via 173 in a top view, for example.
  • the ground electrode 185 does not overlap with the parallel arm resonator P in a top view, but may overlap with the parallel arm resonator P.
  • a capacitance C is generated between the ground electrode 185 and the electrode plate 184.
  • the ground electrode 185 does not overlap with the via 171 and the wiring layer 161 included in the wiring 16 in a top view.
  • the ground electrode 185 does not overlap the electrode plate 163.
  • the capacitance C between the wiring 14 connecting the node N and the parallel arm resonator P and the ground is larger than the capacitance between the wiring 16 and the ground. Since it becomes large, the steepness of the pass band end of the high frequency filter 10 can be enhanced with a simple configuration, as described with reference to FIG.
  • the high frequency module according to the present embodiment is a high frequency module including the high frequency filter, and the high frequency filter is arranged in series on the path connecting the input terminal, the output terminal, and the input terminal and the output terminal. And the elastic wave resonator connected between the node on the path and the ground.
  • the first impedance element is a capacitor or an inductor. The capacitance between the first wiring connecting the node and the acoustic wave resonator and the ground is determined by connecting the terminal having the shorter wiring length with the first impedance element of the input terminal and the output terminal to the first impedance element. It is larger than the capacitance between the second wiring to be connected and the ground.
  • the capacitance C between the first wiring and the ground is increased as described with reference to FIG. You can improve your sex.
  • the capacitance C can be easily increased by, for example, disposing the ground electrode near the first wiring. Therefore, it is possible to realize a high frequency module capable of enhancing the steepness of the pass band end of the filter with a simple configuration.
  • the high frequency module further includes a ground electrode connected to the ground, and a wiring board having a first surface and a second surface opposite to each other.
  • the acoustic wave resonator is provided on the first surface, and the input terminal and the output terminal are provided on the second surface.
  • the ground electrode overlaps the first wiring or the wiring connecting the first impedance element and the node when the first surface is viewed in plan.
  • the capacitance C between the first wiring and the ground can be increased with a simple configuration.
  • the input terminal and the output terminal can be provided on the same surface of the wiring board, the high frequency module can be easily mounted on another circuit board or the like. For example, it is possible to realize the connection of both the input terminal and the output terminal with one implementation.
  • the first impedance element is provided inside the wiring board and at a position overlapping the acoustic wave resonator when the first surface is viewed in a plan view.
  • the number of elements mounted on the surface of the wiring board can be reduced, and the degree of freedom in layout can be increased.
  • the ground electrode may be provided between the first surface and the first impedance element inside the wiring board. Further, for example, the ground electrode may be provided inside the wiring board or on the second surface.
  • the position of the ground electrode is not particularly limited, it is possible to increase the degree of freedom of layout within the wiring board.
  • the wiring board has one or more wiring layers extending in a direction parallel to the first surface and one or more vias extending in a direction orthogonal to the first surface.
  • the input terminal, the output terminal, the first impedance element, and the acoustic wave resonator are connected to at least one of one or more wiring layers and one or more vias, respectively.
  • a node is a branch point in one wiring layer of one or more wiring layers, or a connection point of one wiring layer of one or more wiring layers and one via of one or more vias. Is.
  • the wiring length of the first wiring is longer than the wiring length of the second wiring.
  • the inductor component or capacitor component generated in the wiring differs depending on the wiring width. Therefore, when the wirings having different wiring widths are included, the wiring length can be regarded as a value normalized by the wiring width.
  • the high frequency module according to the present embodiment is different from the high frequency module according to the first embodiment in the circuit configuration of the high frequency filter included in the high frequency module.
  • differences from the first embodiment will be mainly described, and description of common points will be omitted or simplified.
  • FIG. 7 is a circuit configuration diagram of a high frequency filter 20 included in the high frequency module according to the present embodiment.
  • high frequency filter 20 newly includes impedance element Z2 as compared with high frequency filter 10 according to the first embodiment.
  • the high frequency filter 20 is, for example, a high pass filter, but may be a low pass filter, a band pass filter or a notch filter.
  • the impedance element Z1 is shown instead of the impedance element Z for convenience of description, but the impedance element Z1 is the same as the impedance element Z according to the first embodiment.
  • the impedance element Z2 is an example of a second impedance element arranged in series on the path 13.
  • the node N is located between the impedance element Z1 and the impedance element Z2.
  • the impedance element Z2 is a capacitor or an inductor.
  • the impedance element Z2 is an impedance element of the same type as the impedance element Z1. That is, both the impedance elements Z1 and Z2 are capacitors. Alternatively, the impedance elements Z1 and Z2 may both be inductors.
  • the capacitance C is larger than the capacitance between the wiring 26 and the ground.
  • the wiring 26 is an example of a third wiring that connects the terminal having the shorter wiring length with the impedance element Z2 of the terminals 11 and 12 to the impedance element Z2.
  • the terminal having the shorter wiring length with the impedance element Z2 is the terminal 12 of the terminals 11 and 12 in which the node N is not provided on the path with the impedance element Z2.
  • the wiring 26 is a wiring that connects the terminal 12 and the impedance element Z2.
  • the terminal having the shorter wiring length with the impedance element Z2 is the terminal 12 which is the output terminal will be described, but it may be the terminal 11 which is the input terminal.
  • the capacitance C between the wiring 14 that connects the node N and the parallel arm resonator P and the ground is larger than the capacitance between the wiring 26 and the ground, and as described with reference to FIG.
  • the steepness of the pass band end of the high frequency filter 20 can be enhanced with a simple configuration.
  • the capacitance C is larger than the capacitance between the wiring 16 and the ground, as in the first embodiment. That is, in the present embodiment, the capacitance C is larger than both the capacitance between the wiring 16 and the ground and the capacitance between the wiring 26 and the ground. Thereby, the steepness of the pass band end of the high frequency filter 20 can be enhanced with a simple configuration.
  • the arrangement and shape of the element, the wiring board, the wiring layer, and the via in each example are merely examples, and are not limited to the examples shown.
  • a high frequency module according to an example of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 8A and 8B.
  • differences from the first to fourth embodiments of the first embodiment will be mainly described, and description of common points will be omitted or simplified.
  • FIG. 8A is a perspective view of the high frequency module 200 according to the present embodiment.
  • FIG. 8B is a trihedral view of the high frequency module 200 according to the present embodiment.
  • 8A, 8B, and 8C show a top view, a front view, and a right side view of the high-frequency module 200, respectively.
  • the high frequency module 200 includes a wiring board 201 and a ground electrode 205, as shown in FIGS. 8A and 8B.
  • the wiring board 201 is the same as the wiring board 101 according to the example 1 of the first embodiment, except that the number and shape of the wiring layers included in the wiring board 201 are different.
  • a parallel arm resonator P and impedance elements Z1 and Z2 are provided on the surface 102 of the wiring board 201.
  • the wiring board 201 has a wiring layer 111, a wiring layer 212, a wiring layer 213, a via 121, and a via 122.
  • the wiring layer 111 and the vias 121 and 122 are the same as in Example 1 of the first embodiment.
  • the wiring layers 212 and 213 are conductive pattern wirings provided on the surface 102 of the wiring board 201.
  • the wiring layers 212 and 213 are formed by, for example, depositing a metal thin film of silver (Ag) or copper (Cu) on the surface 102 and patterning it into a predetermined shape.
  • Each of the wiring layers 212 and 213 extends in a direction parallel to the surface 102, that is, in a direction orthogonal to the thickness direction (z-axis direction) of the wiring board 201.
  • the width and the film thickness of the wiring layers 212 and 213 are, for example, the same, but may be different.
  • the impedance element Z1, the parallel arm resonator P, and the impedance element Z2 are connected to the wiring layer 212.
  • the wiring layer 212 has a first wiring portion 212a and a second wiring portion 212b, as shown in (a) of FIGS. 8A and 8B.
  • the connection portion between the first wiring portion 212a and the second wiring portion 212b is a branch point of the wiring layer 212 and corresponds to the node N.
  • the impedance element Z1 and the parallel arm resonator P are connected to the first wiring part 212a.
  • the first wiring portion 212a linearly extends from one end of the impedance element Z1 to the terminal Pa of the parallel arm resonator P along the y-axis direction.
  • the impedance element Z1 and the impedance element Z2 are connected to the second wiring part 212b.
  • the second wiring portion 212b extends linearly along the x-axis direction from one end of the impedance element Z1 to one end of the impedance element Z2.
  • the top view shape of the wiring layer 212 is, for example, an L shape, but is not limited to this.
  • the top view shape of the wiring layer 212 may be V-shaped.
  • the impedance element Z2 and the via 122 are connected to the wiring layer 213.
  • the wiring layer 213 extends linearly along the y-axis direction from the other end of the impedance element Z2 to the upper end of the via 122, as shown in (a) of FIG. 8A and FIG. 8B.
  • the top view shape of the wiring layer 213 is, for example, a rectangle, but the shape is not limited to this.
  • the path 13 connecting the terminals 11 and 12 is composed of the via 121, the wiring layer 111, the second wiring portion 212b of the wiring layer 212, the wiring layer 213, and the via 122.
  • the path 13 includes the wiring 16, the node N, and the wiring 26.
  • the node N is a branch point of the wiring layer 212 and corresponds to a connecting portion between the first wiring portion 212a and the second wiring portion 212b.
  • the wiring 14 branched from the path 13 at the node N is configured by the first wiring portion 212 a of the wiring layer 212.
  • the wiring 16 is similar to that of Example 1 of the first exemplary embodiment.
  • the wiring 26 is composed of a wiring layer 213 and a via 122.
  • the ground electrode 205 is the same as the ground electrode 105 according to the first example of the first embodiment. In the present embodiment, the ground electrode 205 overlaps with the first wiring portion 212a in a top view. As a result, the capacitance C is generated between the first wiring part 212a and the ground electrode 205.
  • the ground electrode 205 does not overlap with any of the wiring layers 111 and 213 in a top view. Therefore, the capacitance generated between the ground electrode 205 and each of the wiring layers 111 and 213 is smaller than the capacitance C. As a result, the capacitance C between the wiring 14 and the ground becomes larger than both the capacitance between the wiring 16 and the ground and the capacitance between the wiring 26 and the ground.
  • the capacitance C between the wiring 14 connecting the node N and the parallel arm resonator P and the ground is equal to the capacitance between the wiring 16 and the ground, and Since the capacitance between the wiring 26 and the ground is greater than any of the capacitances, the steepness of the pass band end of the high frequency filter 20 can be increased with a simple configuration as described with reference to FIG.
  • the high frequency module according to the present embodiment further includes the second impedance element arranged in series on the path connecting the terminals 11 and 12.
  • the node is located between the first impedance element and the second impedance element.
  • a high-frequency filter having various pass characteristics by including a plurality of impedance elements.
  • a high frequency filter a high pass filter, a low pass filter, a band pass filter, a notch filter, etc. can be easily realized.
  • the capacitance between the first wiring and the ground is the third wiring that connects the terminal having the shorter wiring length with the second impedance element of the input terminal and the output terminal to the second impedance element, Greater than capacitance to ground.
  • the steepness of the pass band edge of the high frequency filter can be further enhanced.
  • the high frequency module according to the present embodiment is different from the high frequency module according to the second embodiment in that it includes a multiplexer having a plurality of high frequency filters. At least one of the plurality of high frequency filters is the high frequency filter 10 or 20 according to the first or second embodiment.
  • a multiplexer having a plurality of high frequency filters.
  • At least one of the plurality of high frequency filters is the high frequency filter 10 or 20 according to the first or second embodiment.
  • FIG. 9 is a circuit configuration diagram of the multiplexer 30 included in the high frequency module according to the present embodiment.
  • the multiplexer 30 is a diplexer including a high frequency filter 20a and a high frequency filter 20b.
  • the high frequency filter 20a is an example of a first filter included in the plurality of filters included in the multiplexer 30.
  • high frequency filter 20a has the same configuration as high frequency filter 20 according to the second embodiment.
  • the high frequency filter 20a includes a terminal 11a, a terminal 12a, an impedance element Z11, an impedance element Z12, and a parallel arm resonator P1.
  • the terminal 11a, the terminal 12a, the impedance element Z11, the impedance element Z12, and the parallel arm resonator P1 are the terminal 11, the terminal 12, the impedance element Z1, the impedance element Z2, and the parallel arm resonator of the high frequency filter 20 according to the second embodiment, respectively.
  • the path 13a, the wires 14a, 16a and 26a, and the node N1 correspond to the path 13, wires 14, 16 and 26, and the node N, respectively.
  • the capacitance C1 between the wiring 14a and the ground corresponds to the capacitance C between the wiring 14 and the ground.
  • the capacitance C1 is larger than the capacitance between the wiring 16a and the ground, as in the second embodiment. Further, the capacitance C1 may be larger than the capacitance between the wiring 26a and the ground.
  • the capacitance C1 between the wiring 14a connecting the node N1 and the parallel arm resonator P1 and the ground is increased, so that the steepness of the pass band end of the high frequency filter 20a can be increased with a simple configuration. .
  • the high frequency filter 20b is an example of a second filter included in the plurality of filters included in the multiplexer 30.
  • high frequency filter 20b has the same configuration as high frequency filter 20 according to the second embodiment.
  • the high frequency filter 20b includes a terminal 11b, a terminal 12b, an impedance element Z21, an impedance element Z22, and a parallel arm resonator P2.
  • the terminal 11b, the terminal 12b, the impedance element Z21, the impedance element Z22, and the parallel arm resonator P2 are the terminal 11, the terminal 12, the impedance element Z1, the impedance element Z2, and the parallel arm resonator of the high frequency filter 20 according to the second embodiment, respectively.
  • the path 13b, the wirings 14b, 16b and 26b, and the node N2 correspond to the path 13, wirings 14, 16 and 26, and the node N, respectively.
  • the capacitance C2 between the wiring 14b and the ground corresponds to the capacitance C between the wiring 14 and the ground.
  • the capacitance C2 is larger than the capacitance between the wiring 16b and the ground, as in the second embodiment. Further, the capacitance C2 may be larger than the capacitance between the wiring 26b and the ground.
  • the capacitance C2 between the wiring 14b connecting the node N2 and the parallel arm resonator P2 and the ground is increased, so that the steepness of the pass band end of the high frequency filter 20b can be increased with a simple configuration. .
  • the terminal 11a included in the high frequency filter 20a and the terminal 11b included in the high frequency filter 20b are commonly connected. That is, the high frequency filter 20a and the high frequency filter 20b have common input terminals.
  • “commonly connected” means not only that the terminals of the two filters are directly connected, but also that they are indirectly connected through another impedance element such as an inductor or a capacitor. Also means.
  • the terminals 11a and 11b form a common terminal.
  • the high-frequency module including the multiplexer 30 according to the present embodiment.
  • the arrangement and shape of the element, the wiring board, the wiring layer, and the via in each example are merely examples, and are not limited to the examples shown.
  • Example 1 First, the high frequency module according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 10A and 10B. In the following description, differences from the example of the second embodiment will be mainly described, and description of common points will be omitted or simplified.
  • FIG. 10A is a perspective view of the high frequency module 300 according to the present embodiment.
  • FIG. 10B is a three-sided view of the high frequency module 300 according to the present embodiment.
  • 10A, 10B, and 10C show a top view, a front view, and a right side view of the high-frequency module 300, respectively.
  • the high frequency module 300 includes a wiring board 301 and a ground electrode 305, as shown in FIGS. 10A and 10B.
  • the wiring board 301 is the same as the wiring board 201 according to the example of the second embodiment, except that the number and shape of the wiring layers and vias included in the wiring board 301 are different.
  • Impedance element Z11, impedance element Z12, impedance element Z21 and impedance element Z22, and parallel arm resonators P1 and P2 are provided on surface 102 of wiring board 301.
  • the wiring board 301 includes a wiring layer 311, a wiring layer 312, a wiring layer 313, a wiring layer 314, a wiring layer 315, and a via 321, as shown in FIGS. 10A and 10B. It has a via 322 and a via 323.
  • the wiring layers 311, 312, 313, 314, and 315 are conductive pattern wirings provided on the surface 102 of the wiring board 301.
  • the wiring layers 311, 312, 313, 314 and 315 are formed, for example, by depositing a metal thin film of silver (Ag) or copper (Cu) on the surface 102 and patterning it into a predetermined shape.
  • Each of the wiring layers 311, 312, 313, 314 and 315 extends in a direction parallel to the surface 102, that is, in a direction orthogonal to the thickness direction (z-axis direction) of the wiring board 301.
  • the width and the film thickness of the wiring layers 311, 312, 313, 314 and 315 are, for example, the same, but may be different.
  • the via 321, the impedance element Z11, and the impedance element Z21 are connected to the wiring layer 311.
  • the wiring layer 311 linearly extends from the upper end of the via 321 to both one end of the impedance element Z11 and one end of the impedance element Z21 along the y-axis direction. It is extended.
  • the top view shape of the wiring layer 311 is, for example, a rectangle, but is not limited to this.
  • the impedance element Z11, the parallel arm resonator P1, and the impedance element Z12 are connected to the wiring layer 312.
  • the wiring layer 312 has a first wiring portion 312a and a second wiring portion 312b, as shown in (a) of FIGS. 10A and 10B.
  • a connecting portion between the first wiring portion 312a and the second wiring portion 312b is a bending point of the wiring layer 312 and corresponds to the node N1.
  • the impedance element Z11 and the parallel arm resonator P1 are connected to the first wiring part 312a.
  • the first wiring portion 312a extends linearly along the x-axis direction from the other end of the impedance element Z11 to the terminal Pa1 of the parallel arm resonator P1.
  • the impedance element Z12 and the parallel arm resonator P1 are connected to the second wiring part 312b.
  • the second wiring portion 312b extends linearly along the y-axis direction from one end of the impedance element Z12 to the terminal Pa1 of the parallel arm resonator P1.
  • the first wiring portion 312a and the second wiring portion 312b are vertically connected in a top view. That is, the top view shape of the wiring layer 312 is, for example, an L shape.
  • the top view shape of the wiring layer 312 may be V-shaped or linear.
  • the impedance element Z12 and the via 322 are connected to the wiring layer 313.
  • the wiring layer 313 extends linearly along the x-axis direction from the other end of the impedance element Z12 to the upper end of the via 322.
  • the impedance element Z21, the parallel arm resonator P2, and the impedance element Z22 are connected to the wiring layer 314.
  • the wiring layer 314 has a first wiring portion 314a and a second wiring portion 314b, as shown in (a) of FIG. 10A and FIG. 10B.
  • the connecting portion between the first wiring portion 314a and the second wiring portion 314b is a branch point of the wiring layer 314 and corresponds to the node N2.
  • the impedance element Z21 and the parallel arm resonator P2 are connected to the first wiring portion 314a.
  • the first wiring portion 314a extends linearly along the x-axis direction from the other end of the impedance element Z21 to the terminal Pa2 of the parallel arm resonator P2.
  • the impedance element Z22 and the parallel arm resonator P2 are connected to the second wiring portion 314b.
  • the second wiring portion 314b extends linearly along the y-axis direction from one end of the impedance element Z22 to the terminal Pa2 of the parallel arm resonator P2.
  • the impedance element Z22 and the via 323 are connected to the wiring layer 315.
  • the wiring layer 315 extends linearly along the x-axis direction from the other end of the impedance element Z22 to the upper end of the via 323.
  • the wiring layers 313 and 315 may not be provided.
  • the via 322 may be located directly below the other end of the impedance element Z12 and may be directly connected to the other end.
  • the via 323 is located immediately below the other end of the impedance element Z22 and may be directly connected to the other end.
  • the vias 321, 322, and 323 are conductive members extending along the thickness direction of the wiring board 301.
  • the vias 321, 322 and 323 penetrate from the front surface 102 to the back surface 103 of the wiring board 301.
  • the vias 321, 322, and 323 have the same formation method, shape, and size as the via 121 of the first embodiment.
  • the terminal 11a (that is, the terminal 11b) and the wiring layer 311 are connected to the via 321.
  • the via 321 is provided so as to overlap both the wiring layer 311 and the terminal 11a in a top view.
  • the terminal 12a and the wiring layer 313 are connected to the via 322.
  • the via 322 is provided so as to overlap both the wiring layer 313 and the terminal 12a in a top view.
  • the terminal 12b and the wiring layer 315 are connected to the via 323.
  • the via 323 is provided to overlap both the wiring layer 315 and the terminal 12b in a top view.
  • the elements, terminals, wiring layers and vias included in the high frequency module 300 are arranged in line symmetry as shown in (a) of FIG. 10B.
  • the axis of line symmetry is an axis that passes through the center of the via 321 and is parallel to the x-axis direction. Accordingly, the wirings and elements included in the high-frequency filter 20a and the wirings and elements included in the high-frequency filter 20b can be arranged separately from each other, so that the high-frequency filter 20a and the high-frequency filter 20b are arranged between wirings or between elements. Can be suppressed.
  • the path 13a connecting the terminal 11a (terminal 11b), which is a common terminal, and the terminal 12a is composed of the via 321, a part of the wiring layer 311, the wiring layer 312, the wiring layer 313, and the via 322.
  • the path 13a includes the wiring 16a, the node N1, and the wiring 26a.
  • the node N1 is a bending point of the wiring layer 312, and corresponds to a connecting portion between the first wiring portion 312a and the second wiring portion 312b.
  • the wiring 14a branched from the path 13a at the node N1 corresponds to the terminal Pa1 of the parallel arm resonator P1.
  • the wiring 16a included in the path 13a is composed of the via 321 and a part of the wiring layer 311. Specifically, the part of the wiring layer 311 forming the wiring 16a is from the connection portion of the wiring layer 311 with the via 321 to the connection portion with one end of the impedance element Z11.
  • the wiring 26a is composed of a wiring layer 313 and a via 322.
  • the path 13b connecting the terminal 11b (terminal 11a), which is a common terminal, and the terminal 12b is configured by the via 321, a part of the wiring layer 311, the wiring layer 314, the wiring layer 315, and the via 323.
  • the path 13b includes the wiring 16b, the node N2, and the wiring 26b.
  • the node N2 is a bending point of the wiring layer 314 and corresponds to a connecting portion between the first wiring portion 314a and the second wiring portion 314b.
  • the wiring 14b branched from the path 13b at the node N2 corresponds to the terminal Pa2 of the parallel arm resonator P2.
  • the wiring 16b included in the path 13b is composed of the via 321 and a part of the wiring layer 311. Specifically, the part of the wiring layer 311 forming the wiring 16b is from the connection portion of the wiring layer 311 with the via 321 to the connection portion with one end of the impedance element Z21.
  • the wiring 26b is composed of a wiring layer 315 and a via 323.
  • the ground electrode 305 corresponds to the ground electrode 205 according to the example of the second embodiment, and differs from the ground electrode 205 in shape, size, and arrangement. Specifically, as shown in FIGS. 10A and 10B, the ground electrode 305 has a shape longer than the ground electrode 205 along the y-axis direction. More specifically, the ground electrode 305 overlaps both the second wiring portion 312b and the second wiring portion 314b in a top view.
  • the ground electrode 305 is continuously provided from the connecting portion between the second wiring portion 312b and the impedance element Z12 to the connecting portion between the second wiring portion 314b and the impedance element Z22 in a top view. .
  • the ground electrode 305 is not separated inside the wiring board 301 and is composed of one electrode plate.
  • the ground electrode 305 is located directly below the terminal Pa1 (wiring 14a) of the parallel arm resonator P1 and in the parallel arm resonator. It is located directly below the terminal Pa2 (wiring 14b) of P2.
  • the ground electrode 305 functions as a ground electrode common to the capacitance C1 generated in the wiring 14a of the high frequency filter 20a and the capacitance C2 generated in the wiring 14b of the high frequency filter 20b.
  • the ground electrode 305 is provided closer to the front surface 102 than the back surface 103 in the thickness direction of the wiring board 301, for example.
  • the ground electrode 305 is provided, for example, at a position where the distance from the terminal Pa1 forming the wiring 14a is shorter than the distance from the wiring layer 311 included in the wiring 16a.
  • the ground electrode 305 does not overlap with the wiring layers 311, 313, and 315 in a top view.
  • the ground electrode 305 is provided at a position where the distances from the vias 321, 322, and 323 (distances in the x-axis direction) are equal to each other. Specifically, the ground electrode 305 is located at the center of the wiring board 301 in the x-axis direction. Further, the ground electrode 305 does not overlap with any of the terminals 11a (terminals 11b), 12a, and 12b in a top view.
  • each wiring layer and each via are symmetrically arranged with respect to a line passing through the terminal 11a (that is, the terminal 11b) which is a common input terminal and the via 321 as a symmetrical axis.
  • the ground electrodes 305 are also line-symmetrical and symmetrically arranged with respect to the same axis of symmetry.
  • the capacitance C1 between the wiring 14a connecting the node N1 and the parallel arm resonator P1 and the ground is equal to the capacitance between the wiring 16a and the ground, and Since the capacitance between the wiring 26a and the ground is larger than any of the capacitances, the steepness of the pass band end of the high frequency filter 20a can be increased with a simple configuration as described with reference to FIG. Similarly, the steepness of the pass band end of the high frequency filter 20b can be enhanced with a simple configuration. Therefore, it is possible to realize the high frequency module 300 including the multiplexer having the high frequency filters 20a and 20b in which the steepness of the pass band end of the filter is increased.
  • the high frequency module according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 11A and 11B.
  • the high-frequency module according to the present embodiment is different from the high-frequency module according to the first embodiment in that the impedance elements Z11, Z12, Z21 and Z22 and the wiring structure are provided inside the wiring board.
  • differences from the first embodiment will be mainly described, and description of common points will be omitted or simplified.
  • FIG. 11A is a perspective view of the high frequency module 330 according to the present embodiment.
  • FIG. 11B is a trihedral view of the high frequency module 330 according to the present embodiment. 11B, (a), (b) and (c) show a top view, a front view and a right side view of the high frequency module 330, respectively.
  • the high frequency module 330 includes a wiring board 331 and a ground electrode 335 as shown in FIGS. 11A and 11B.
  • the wiring board 331 is the same as the wiring board 301 except that the number and shape of the wiring layers and vias included in the wiring board 331 are different, and that the impedance elements Z11, Z12, Z21, and Z22 are provided inside. Is the same.
  • the wiring board 331 includes a wiring layer 341, a wiring layer 342, a via 351, a via 352, a via 353, a via 354, and a via 355, as shown in FIGS. 11A and 11B. Have.
  • the impedance elements Z11, Z12, Z21 and Z22 are all capacitors.
  • the impedance element Z11 includes an electrode plate 391 and an electrode plate 392.
  • the impedance element Z12 includes an electrode plate 392 and an electrode plate 393.
  • the impedance element Z11 and the impedance element Z12 share the electrode plate 392.
  • the impedance element Z11 is configured by the electrode plate 391 and the portion of the electrode plate 392 that overlaps the electrode plate 391 in a top view. Further, a portion of the electrode plate 392 which overlaps with the electrode plate 393 and the electrode plate 393 form an impedance element Z12.
  • the electrode plate 392 and each of the electrode plates 391 and 393 are arranged facing each other with a predetermined distance.
  • the electrode plates 391 and 393 are located in the same layer in the wiring board 331, for example.
  • the electrode plate 391 and the electrode plate 393 are separated and are not connected to each other.
  • the electrode plate 391 and the electrode plate 393 may be located in different layers.
  • the electrode plate 391 and the electrode plate 392 respectively correspond to terminals of the impedance element Z11 and also function as a part of wiring.
  • the electrode plate 392 and the electrode plate 393 respectively correspond to terminals of the impedance element Z12 and also function as a part of wiring.
  • the impedance element Z21 has an electrode plate 394 and an electrode plate 395.
  • the impedance element Z22 includes an electrode plate 395 and an electrode plate 396.
  • the impedance element Z21 and the impedance element Z22 share the electrode plate 395.
  • a portion of the electrode plate 395 that overlaps the electrode plate 394 and the electrode plate 394 form an impedance element Z21.
  • the impedance element Z22 is configured by a portion of the electrode plate 395 overlapping the electrode plate 396 and the electrode plate 396.
  • the electrode plate 395 and each of the electrode plates 394 and 396 are arranged facing each other with a predetermined distance.
  • the electrode plates 394 and 396 are located in the same layer in the wiring board 331, for example.
  • the electrode plate 394 and the electrode plate 396 are separated and not connected to each other.
  • the electrode plate 394 and the electrode plate 396 may be located in different layers.
  • the electrode plates 394 and 395 respectively correspond to the terminals of the impedance element Z21 and also function as a part of the wiring.
  • the electrode plates 395 and 396 respectively correspond to terminals of the impedance element Z22 and also function as a part of wiring.
  • portion of the electrode plate 392 that does not overlap with any of the electrode plates 391 and 393 may be shorter than the width of the electrode plates 391 and 393, and may have the same width as the wiring layer 341, for example.
  • the portion of the electrode plate 395 that does not overlap with any of the electrode plates 394 and 396 may be shorter than the width of the electrode plates 394 and 396, and may have the same width as the wiring layer 341, for example.
  • the electrode plates 392 and 395 are provided closer to the front surface 102 than the back surface 103 in the thickness direction of the wiring board 331.
  • the distance between each of the electrode plates 392 and 395 and the front surface 102 that is, the length of each of the vias 354 and 355
  • the distance between each of the electrode plates 391, 393, 394 and 396, and the back surface 103 that is, the via. Shorter than the length of each of 351, 352 and 353.
  • the electrode plates 392 and 395 may be provided at positions closer to the back surface 103 than the front surface 102 in the thickness direction of the wiring board 331.
  • the wiring layers 341 and 342 are conductive pattern wirings provided inside the wiring board 331, respectively.
  • the wiring layers 341 and 342 are formed, for example, by forming a metal thin film of silver (Ag), copper (Cu), or the like in the course of forming the laminated structure of the wiring substrate 331 and patterning it into a predetermined shape.
  • the via 351 and the impedance element Z11 are connected to the wiring layer 341.
  • the wiring layer 341 linearly extends from the upper end of the via 351 to the electrode plate 391 of the impedance element Z11, as shown in (a) of FIG. 11A and FIG. 11B.
  • the top view shape of the wiring layer 341 is, for example, a parallelogram, but is not limited to this.
  • the via 351 and the impedance element Z21 are connected to the wiring layer 342.
  • the wiring layer 342 linearly extends from the upper end of the via 351 to the electrode plate 394 of the impedance element Z21, as shown in FIGS. 11A and 11B.
  • the top view shape of the wiring layer 342 is, for example, a parallelogram, but is not limited to this.
  • the vias 351, 352, 353, 354 and the via 355 are conductive members extending along the thickness direction of the wiring board 331.
  • the vias 351, 352, and 353 are embedded in the concave portion that is recessed from the back surface 103 to the front surface 102 of the wiring board 331.
  • the vias 354 and 355 are embedded in a concave portion that is recessed from the front surface 102 of the wiring board 331 toward the rear surface 103. That is, the vias 351, 352, 353, 354, and 355 do not penetrate the wiring board 331.
  • the vias 351, 352, and 353 have the same formation method, shape, and size as the via 171 according to Example 3 of the first embodiment, for example.
  • the vias 354 and 355 have, for example, the same formation method, shape, and size as the via 173 according to Example 3 of the first embodiment.
  • the terminal 11a (terminal 11b) and the wiring layers 341 and 342 are connected to the via 351.
  • the via 351 is provided so as to overlap both the wiring layers 341 and 342 and the terminal 11a in a top view.
  • the terminal 12a and the electrode plate 393 are connected to the via 352.
  • the via 352 is provided so as to overlap both the electrode plate 393 and the terminal 12a in a top view.
  • the terminal 12b and the electrode plate 396 are connected to the via 353.
  • the via 353 is provided so as to overlap both the electrode plate 396 and the terminal 12b in a top view.
  • the elements, terminals, wiring layers and vias included in the high frequency module 330 are arranged line-symmetrically as shown in FIG. 11B (a).
  • the axis of line symmetry is an axis that passes through the center of the via 351 and is parallel to the x-axis direction.
  • the path 13a connecting the terminal 11a (terminal 11b), which is a common terminal, and the terminal 12a is composed of the via 351, the wiring layer 341, the electrode plate 391, the electrode plate 392, the electrode plate 393, and the via 352.
  • the node N1 corresponds to a connecting portion between the electrode plate 392 and the via 354.
  • the wiring 14 a branched from the path 13 a at the node N 1 is composed of the via 354.
  • the wiring 16a included in the path 13a includes a via 351 and a wiring layer 341.
  • the wiring 26a is composed of a via 352.
  • the electrode plate 392 corresponds to the wiring that connects the impedance element Z11 and the impedance element Z12. That is, the electrode plate 392 corresponds to a wiring that connects the impedance element Z11 and the node N1 and a wiring that connects the impedance element Z12 and the node N1.
  • the electrode plate 395 corresponds to a wiring that connects the impedance element Z21 and the impedance element Z22. That is, the electrode plate 395 corresponds to a wiring that connects the impedance element Z21 and the node N2 and a wiring that connects the impedance element Z22 and the node N2.
  • the ground electrode 335 corresponds to the ground electrode 305 according to the first embodiment, and differs from the ground electrode 305 in shape, size, and arrangement. Specifically, the ground electrode 335 is provided inside the wiring board 331 as shown in FIGS. 11A and 11B, and is located between the electrode plates 392 and 395 and the surface 102 in the thickness direction of the wiring board 331. is doing.
  • the ground electrode 335 is provided at a position overlapping the electrode plate 392 in a top view. That is, the ground electrode 335 overlaps with each of the impedance elements Z11 and Z12 in a top view. Further, the ground electrode 335 is provided at a position overlapping the electrode plate 395 in a top view. That is, the ground electrode 335 overlaps with each of the impedance elements Z21 and Z22 in a top view. For example, in the top view, part of the ground electrode 335, part of the electrode plate 392, and part of the electrode plate 395 overlap.
  • the top view shape of the ground electrode 335 is, for example, a rectangle, but is not limited to this.
  • the ground electrode 335 is continuously provided from a part of the electrode plate 392 to a part of the electrode plate 395 in a top view.
  • the ground electrode 335 is not separated inside the wiring board 331 and is composed of one electrode plate.
  • the ground electrode 335 functions as a ground electrode common to the capacitance C1 generated in the wiring 14a of the high frequency filter 20a and the capacitance C2 generated in the wiring 14b of the high frequency filter 20b.
  • a capacitance C1 is generated between the ground electrode 335 and the electrode plate 392.
  • a capacitance C2 is generated between the ground electrode 335 and the electrode plate 395.
  • the ground electrode 335 does not overlap the via 351 and the wiring layers 341 and 342 included in the wirings 16a and 16b in a top view.
  • the ground electrode 335 overlaps with the electrode plates 391, 393, 394, and 396, the ground electrode 335 and the electrode plates 391, 393, 394, and 396 are overlapped with each other as shown in FIG. 11B (c).
  • An electrode plate 392 or 395 is provided between them. Therefore, the capacitance generated between the ground electrode 335 and each of the wirings 16a, 16b, 26a and 26b can be reduced.
  • the capacitance C1 between the wiring 14a connecting the node N1 and the parallel arm resonator P1 and the ground is equal to the capacitance between the wiring 16a and the ground, and Since the capacitance between the wiring 26a and the ground is larger than any of the capacitances, the steepness of the pass band end of the high frequency filter 20a can be increased with a simple configuration as described with reference to FIG. Similarly, the steepness of the pass band end of the high frequency filter 20b can be enhanced with a simple configuration. Therefore, it is possible to realize the high frequency module 330 including the multiplexer having the high frequency filters 20a and 20b in which the steepness of the pass band end portion of the filter is increased.
  • the high frequency module includes the multiplexer including the plurality of filters including the first filter which is the high frequency filter described above.
  • the plurality of filters further includes a second filter that is the above-described high frequency filter, and the multiplexer has an input terminal or an output terminal included in the first filter and an input terminal or an output terminal included in the second filter, It has a common terminal commonly connected.
  • both high-frequency filter 20a and high-frequency filter 20b are high-frequency filter 20 according to the second embodiment
  • at least one is high-frequency filter 10 according to the first embodiment. It may be. Further, for example, only one of the high frequency filter 20a and the high frequency filter 20b may be the high frequency filter 10 or the high frequency filter 20.
  • the plurality of frequency bands corresponding to each of the plurality of filters may be, for example, LTE (Long Term Evolution: 4G) Band or NR (New Radio: 5G) Band.
  • LTE Long Term Evolution: 4G
  • NR New Radio: 5G
  • sub 6 GHz n77 (3.3-4.2 GHz), n78 (3.3-3.8 GHz), n79 (4.4-5.0 GHz), 5.0-7.125 GHz)
  • the plurality of frequency bands may be, for example, GPS (Global Positioning System) L5.
  • the plurality of frequency bands may include a Wi-Fi (registered trademark) band of 5 GHz.
  • the 5 GHz band may be, for example, 5150-5725 MHz.
  • the first filter and the second filter may be filters including any of these frequency bands in the pass band.
  • the plurality of filters include a filter including a pass band of 699 MHz to 960 MHz, a filter including a pass band of 1.2 GHz, a filter including a pass band of 1.4 GHz to 5 GHz, and a filter including 5 GHz to 7.125 GHz. At least two of the filters included in the pass band may be included as the first filter and the second filter.
  • the plurality of filters include a filter including a pass band of 699 MHz to 2.7 GHz, a filter including a pass band of 3.3 GHz to 5 GHz, and a filter including a pass band of 5 GHz to 7.125 GHz. At least two filters may be included as the first filter and the second filter.
  • the plurality of filters include a filter including a pass band of 699 MHz to 2.7 GHz, a filter including a pass band of 3.3 GHz to 4.2 GHz, and a filter including a pass band of 4.4 GHz to 5 GHz, At least two filters out of a filter having a pass band of 5 GHz to 7.125 GHz may be included as the first filter and the second filter.
  • the high frequency module according to the present embodiment is different from the high frequency module according to the third embodiment in that an elastic wave resonator included in each of the two high frequency filters is packaged in one package.
  • differences from the third embodiment will be mainly described, and description of common points will be omitted or simplified.
  • FIG. 12 is a circuit configuration diagram of the multiplexer 40 included in the high frequency module according to the present embodiment.
  • the parallel arm resonator P1 of the high frequency filter 20a and the parallel arm resonator P2 of the high frequency filter 20b are accommodated in one package 41.
  • a dashed frame surrounding each of the parallel arm resonators P1 and P2 represents one package 41.
  • downsizing of the multiplexer 40 can be realized.
  • the ground electrodes that generate the capacitance C1 and the capacitance C2 are separated in the wiring board.
  • the high frequency module according to the present embodiment includes a first ground electrode overlapping the wiring 14a of the high frequency filter 20a and a second ground electrode overlapping the wiring 14b of the high frequency filter 20b. The first ground electrode and the second ground electrode are electrically separated in the wiring board.
  • the multiplexer 40 of the high frequency module according to this embodiment isolation can be secured between the high frequency filter 20a and the high frequency filter 20b. Further, since the high frequency module according to the present embodiment has the same capacitance relationship as that of the third embodiment, it is possible to enhance the steepness of the pass band end of each of the high frequency filters 20a and 20b.
  • the arrangement and shape of the element, the wiring board, the wiring layer, and the via in each example are merely examples, and are not limited to the examples shown.
  • Example A high frequency module according to an example of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 13A and 13B. Below, it demonstrates centering around difference with Example 1 or 2 of Embodiment 3, and abbreviate
  • FIG. 13A is a perspective view of the high frequency module 400 according to the present embodiment.
  • FIG. 13B is a three-sided view of the high frequency module 400 according to the present embodiment. 13B, (a), (b), and (c) show a top view, a front view, and a right side view of the high-frequency module 400, respectively.
  • the high frequency module 400 includes a wiring board 401 and ground electrodes 405 and 406, as shown in FIGS. 13A and 13B.
  • the wiring board 401 is the same as the wiring board 301 according to the example 1 of the third embodiment, except that the wiring layer provided in the wiring board 401, the number of vias, and the shape are different.
  • the wiring board 401 includes a wiring layer 411, a wiring layer 412, a wiring layer 413, a wiring layer 414, a wiring layer 415, a via 321, a via 322, and a via 323.
  • the vias 321, 322, and 323 are the same as in Example 1 of the third embodiment.
  • the wiring layers 411, 412, 413, 414, and 415 are the same as the wiring layers 311, 312, 313, 314, and 315 included in the wiring board 301 according to the first example of the third embodiment, respectively, and have at least a shape and an arrangement. One is different. Impedance elements Z11, Z12, Z21 and Z22 and a package 41 accommodating the parallel arm resonators P1 and P2 are provided on the surface 102 of the wiring board 401.
  • the wiring layer 412 has a T-shape when viewed from above.
  • the wiring layer 412 has a first wiring portion 412a and a second wiring portion 412b.
  • the connecting portion between the first wiring portion 412a and the second wiring portion 412b is a branch point of the wiring layer 412 and corresponds to the node N1.
  • the impedance element Z11 and the impedance element Z12 are connected to the first wiring portion 412a.
  • the first wiring portion 412a extends in the x-axis direction from one end of the impedance element Z11 to one end of the impedance element Z12.
  • the parallel arm resonator P1 is connected to the second wiring portion 412b.
  • the second wiring portion 412b extends linearly along the y-axis direction from the first wiring portion 412a to the terminal Pa1 of the parallel arm resonator P1.
  • the wiring layer 414 has a T-shape in a top view. Specifically, the wiring layer 414 has a first wiring portion 414a and a second wiring portion 414b. The connecting portion between the first wiring portion 414a and the second wiring portion 414b is a branch point of the wiring layer 414 and corresponds to the node N2.
  • the impedance element Z21 and the impedance element Z22 are connected to the first wiring portion 414a.
  • the first wiring part 414a extends in the x-axis direction from one end of the impedance element Z21 to one end of the impedance element Z22.
  • the parallel arm resonator P2 is connected to the second wiring portion 414b.
  • the second wiring portion 414b extends linearly along the y-axis direction from the first wiring portion 414a to the terminal Pa2 of the parallel arm resonator P2.
  • the path 13a connecting the terminal 11a (terminal 11b), which is a common terminal, and the terminal 12a includes the via 321, a part of the wiring layer 411, the first wiring portion 412a of the wiring layer 412, the wiring layer 413, and the via. 322.
  • the node N1 is a branch point of the wiring layer 412 and corresponds to a connecting portion between the first wiring portion 412a and the second wiring portion 412b.
  • the wiring 14a branched from the path 13a at the node N1 is composed of the second wiring portion 412b.
  • the wiring 16a included in the path 13a is composed of the via 321 and a part of the wiring layer 411.
  • the part of the wiring layer 411 forming the wiring 16a is from the connection portion of the wiring layer 411 with the via 321 to the connection portion with one end of the impedance element Z11.
  • the wiring 26a is composed of a wiring layer 413 and a via 322.
  • the path 13b connecting the terminal 11a (terminal 11b) which is a common terminal and the terminal 12b is formed by the via 321, a part of the wiring layer 411, the first wiring portion 414a of the wiring layer 414, the wiring layer 415, and the via 323. It is configured.
  • the node N2 is a branch point of the wiring layer 414 and corresponds to a connecting portion between the first wiring portion 414a and the second wiring portion 414b.
  • the wiring 14b branched from the path 13b at the node N2 is configured by the second wiring portion 414b.
  • the wiring 16b included in the path 13b is composed of the via 321 and a part of the wiring layer 411.
  • the part of the wiring layer 411 forming the wiring 16b is from the connection portion of the wiring layer 411 with the via 321 to the connection portion with one end of the impedance element Z21.
  • the wiring 26b is composed of the wiring layer 415 and the via 323.
  • the ground electrode 405 is an example of a first ground electrode that overlaps with the wiring 14a of the high frequency filter 20a when the surface 102 is viewed in a plan view. Specifically, as shown in (a) of FIG. 13B, the ground electrode 405 overlaps with the second wiring portion 412b forming the wiring 14a in a top view. More specifically, the ground electrode 405 overlaps with the wiring layer 412 in a top view. For example, in a top view, the ground electrode 405 is larger than the wiring layer 412, and the entire wiring layer 412 is located inside the ground electrode 405. In the present embodiment, the ground electrode 405 does not overlap with any of the wiring layers 411, 413, 414 and 415 in a top view.
  • the ground electrode 406 is an example of a second ground electrode that overlaps the wiring 14b of the high frequency filter 20b when the surface 102 is viewed in a plan view. Specifically, as shown in (a) of FIG. 13B, the ground electrode 406 overlaps with the second wiring portion 414b forming the wiring 14b in a top view. More specifically, the ground electrode 406 overlaps the wiring layer 414 in a top view. For example, in a top view, the ground electrode 406 is larger than the wiring layer 414, and the entire wiring layer 414 is located inside the ground electrode 406. In this embodiment, the ground electrode 406 does not overlap with any of the wiring layers 411, 412, 413, and 415 in a top view.
  • the ground electrodes 405 and 406 are electrically separated in the wiring board 401.
  • the ground electrode 405 and the ground electrode 406 are located in the same layer in the wiring board 401 in the thickness direction of the wiring board 401.
  • the ground electrode 405 and the ground electrode 406 are arranged apart from each other by a predetermined distance or more.
  • the ground electrode 405 and the ground electrode 406 are arranged apart from each other by a distance longer than the diameter of the via 321 in a top view.
  • the ground electrode 405 and the ground electrode 406 may be provided in different layers in the wiring board 401.
  • Each of the ground electrodes 405 and 406 is connected to the ground.
  • each of the ground electrodes 405 and 406 is connected to the ground provided on the back surface 103 of the wiring board 401 via a via (not shown) or the like.
  • the ground provided on the back surface 103 may be common to the ground electrodes 405 and 406. That is, the ground electrode 405 and the ground electrode 406 are physically and electrically separated inside the wiring board 401, but may be electrically connected outside the wiring board 401.
  • the elements, terminals, wiring layers, vias, and ground electrodes included in the high-frequency module 400 are arranged line-symmetrically as shown in FIG. 13B (a).
  • the axis of line symmetry is an axis that passes through the center of the via 321 and is parallel to the x-axis direction.
  • Impedance elements Z11 and Z12 included in the high-frequency filter 20a and a ground electrode 405 are arranged in a first region of the two regions separated by the axis of line symmetry as a boundary.
  • Impedance elements Z21 and Z22 included in the high-frequency filter 20b and the ground electrode 406 are arranged in the second region of the two regions divided by the axis of line symmetry as a boundary.
  • both ends of the impedance element Z11, both ends of the impedance element Z12, and the via 322 are linearly arranged along the x-axis direction.
  • both ends of the impedance element Z21, both ends of the impedance element Z22, and the via 323 are linearly arranged along the x-axis direction.
  • the impedance elements Z11 and Z12 included in the high frequency filter 20a and the impedance elements Z21 and Z22 included in the high frequency filter 20b are arranged separately. Further, the ground electrode 405 and the ground electrode 406 are electrically separated in the wiring board 401. Thereby, coupling between filters can be suppressed and isolation can be ensured.
  • the capacitance C1 between the wiring 14a connecting the node N1 and the parallel arm resonator P1 and the ground is the capacitance between the wiring 16a and the ground, and the capacitance between the wiring 26a and the ground. Since the capacitance is larger than any of the capacitances between the two, the steepness of the pass band end of the high frequency filter 20a can be enhanced with a simple configuration, as described with reference to FIG. Similarly, the steepness of the pass band end of the high frequency filter 20b can be enhanced with a simple configuration.
  • the elastic wave resonator included in the first filter and the elastic wave resonator included in the second filter are packaged in one package.
  • the multiplexer can be downsized, the high frequency module can also be downsized.
  • the first ground electrode connected to the ground, which overlaps the first wiring of the first filter when viewed from one direction, and the one viewed from the one direction.
  • a second ground electrode that is connected to the ground and that overlaps the first wiring of the second filter.
  • the first ground electrode and the second ground electrode are electrically separated in the wiring board.
  • the high frequency module may include three or more high frequency filters, and three or more acoustic wave resonators included in the three or more high frequency filters may be packaged in one package.
  • the high frequency module according to the present embodiment is different in that the impedance elements Z11, Z12, Z21 and Z22 of the multiplexer 30 according to the third embodiment are capacitors and further include four inductors.
  • the impedance elements Z11, Z12, Z21 and Z22 of the multiplexer 30 according to the third embodiment are capacitors and further include four inductors.
  • FIG. 14 is a circuit configuration diagram of the multiplexer 50 included in the high frequency module according to the present embodiment. As shown in FIG. 14, the multiplexer 50 is a diplexer including a high frequency filter 20c and a high frequency filter 20d.
  • the high frequency filter 20c is an example of a first filter included in the plurality of filters included in the multiplexer 30.
  • the high frequency filter 20c includes a terminal 11a, a terminal 12a, a capacitor C11, a capacitor C12, an inductor L11, an inductor L12, and a parallel arm resonator P1.
  • the capacitor C11 is an example of a first impedance element arranged in series on the path 13a connecting the terminals 11a and 11b.
  • the capacitor C12 is an example of a second impedance element arranged in series on the path 13a connecting the terminals 11a and 11b.
  • the node N1 is located between the capacitors C11 and C12.
  • the inductor L11 is an example of a third impedance element connected in parallel with a series circuit of the first impedance element and the second impedance element. Specifically, the inductor L11 is connected in parallel to the series circuit of the capacitors C11 and C12. More specifically, the inductor L11 has one end connected to a wiring connecting the capacitor C11 and the terminal 11a, and the other end connected to a wiring connecting the capacitor C12 and the terminal 12a.
  • the inductor L12 is arranged in series between the parallel arm resonator P and the ground. Specifically, the inductor L12 is connected to the terminal Pb1 of the parallel arm resonator P1 on the side opposite to the node N1 and the ground. The inductor L12 may be connected to the terminal Pa1 of the parallel arm resonator P1 and the node N1.
  • the high frequency filter 20c satisfies the same capacitance relationship as the high frequency filter 20a according to the third embodiment. Specifically, the capacitance C1 between the wiring 14a connecting the node N1 and the parallel arm resonator P1 and the ground is larger than the capacitance between the wiring 16a connecting the terminal 11a and the capacitor C11 and the ground. Thereby, the steepness of the pass band end of the high frequency filter 20c can be enhanced.
  • the high frequency filter 20c two capacitors C11 and C12 connected in series on the path 13a forming the series arm, an inductor L11 connected in parallel to the two capacitors C11 and C12, and a parallel arm resonator P1.
  • the inductor and the capacitor may be replaced with each other.
  • the high frequency filter 20c may include two inductors instead of the capacitors C11 and C12, and may include a capacitor instead of the inductor L11.
  • the high frequency filter 20d is an example of a second filter included in the plurality of filters included in the multiplexer 30.
  • the high frequency filter 20d has the same configuration as the high frequency filter 20c.
  • the high frequency filter 20d includes a terminal 11b, a terminal 12b, a capacitor C21, a capacitor C22, an inductor L21, an inductor L22, and a parallel arm resonator P2.
  • the terminal 11b, the terminal 12b, the capacitor C21, the capacitor C22, the inductor L21, the inductor L22, and the parallel arm resonator P2 are the terminal 11a of the high-frequency filter 20c, the terminal 12a, the capacitor C11, the capacitor C12, and the inductor L11, respectively. It corresponds to the inductor L12 and the parallel arm resonator P1.
  • the high-frequency filter 20d has the same configuration as the high-frequency filter 20c, it is possible to enhance the steepness of the pass band end portion, like the high-frequency filter 20c.
  • the capacitance values of the capacitors C11, C12, C21 and C22 and the inductance values of the inductors L11, L12, L21 and L22 are set to appropriate values according to the filter characteristics of the high frequency filters 20c and 20d.
  • the high-frequency module including the multiplexer 50 according to the present embodiment.
  • the arrangement and shape of elements, wiring boards, wiring layers, and vias in the following embodiments are merely examples, and are not limited to the examples shown.
  • FIG. 15A is a perspective view of the high frequency module 500 according to the present embodiment.
  • FIG. 15B is a trihedral view of the high frequency module 500 according to the present embodiment.
  • 15B, (a), (b), and (c) show a top view, a front view, and a right side view of the high-frequency module 500, respectively.
  • the high frequency module 500 includes a wiring board 501 and ground electrodes 505 and 506, as shown in FIGS. 15A and 15B.
  • the wiring board 501 is the same as the wiring board 301, except that the number and shape of the wiring layers and vias included in the wiring board 501 are different.
  • capacitors C11, C12, C21 and C22, inductors L11, L12, L21 and L22, and a package 41 accommodating the parallel arm resonators P1 and P2 are provided.
  • the wiring board 501 includes a wiring layer 511, a wiring layer 512, a wiring layer 513, a wiring layer 514, a wiring layer 515, and a wiring layer 516, as shown in FIGS. 15A and 15B.
  • the wiring layer 517, the via 321, the via 322, and the via 323 are included.
  • the vias 321, 322, and 323 are the same as in Example 1 of the third embodiment.
  • the wiring layers 511, 512, 513, 514, 515, 516, and 517 are conductive pattern wirings provided on the surface 102 of the wiring board 501, respectively.
  • the wiring layers 511, 512, 513, 514, 515, 516 and 517 are formed, for example, by depositing a metal thin film of silver (Ag) or copper (Cu) on the surface 102 and patterning it into a predetermined shape. .
  • Each of the wiring layers 511, 512, 513, 514, 515, 516, and 517 extends in a direction parallel to the surface 102, that is, a direction orthogonal to the thickness direction (z-axis direction) of the wiring board 501.
  • the width and the film thickness of the wiring layers 511, 512, 513, 514, 515, 516 and 517 are, for example, the same, but may be different.
  • a via 321, capacitors C11 and C21, and inductors L11 and L21 are connected to the wiring layer 511.
  • the wiring layer 511 extends linearly along the y-axis direction from the upper end of the via 321 to both one end of the inductor L11 and one end of the inductor L21.
  • the top view shape of the wiring layer 511 is, for example, a rectangle, but is not limited to this.
  • the capacitor C11, the parallel arm resonator P1, and the capacitor C12 are connected to the wiring layer 512.
  • the wiring layer 512 has a first wiring portion 512a and a second wiring portion 512b, as shown in (a) of FIG. 15A and FIG. 15B.
  • a connecting portion between the first wiring portion 512a and the second wiring portion 512b is a branch point of the wiring layer 512 and corresponds to the node N1.
  • a capacitor C11 and a capacitor C12 are connected to the first wiring part 512a.
  • the first wiring portion 512a extends linearly along the x-axis direction from the other end of the capacitor C11 to one end of the capacitor C12.
  • the parallel arm resonator P1 is connected to the second wiring portion 512b.
  • the second wiring portion 512b extends linearly along the y-axis direction from the first wiring portion 512a to the terminal Pa1 of the parallel arm resonator P1.
  • the first wiring part 512a and the second wiring part 512b are vertically connected in a top view. That is, the top view shape of the wiring layer 512 is, for example, a T shape.
  • the top view shape of the wiring layer 512 may be L-shaped, V-shaped, or linear.
  • the capacitor C12, the inductor L11, and the via 322 are connected to the wiring layer 513.
  • the wiring layer 513 extends linearly along the x-axis direction from the other end of the inductor L11 to the upper end of the via 322.
  • the parallel arm resonator P1 and the inductor L12 are connected to the wiring layer 514.
  • the wiring layer 514 extends linearly along the x-axis direction from the terminal Pb1 of the parallel arm resonator P1 to one end of the inductor L12.
  • the top view shape of the wiring layer 514 is, for example, a rectangle, but is not limited to this.
  • the other end of the inductor L12 is connected to the ground (not shown).
  • the capacitor C21, the parallel arm resonator P2, and the capacitor C22 are connected to the wiring layer 515.
  • the wiring layer 515 has a first wiring portion 515a and a second wiring portion 515b, as shown in (a) of FIG. 15A and FIG. 15B.
  • the connecting portion between the first wiring portion 515a and the second wiring portion 515b is a branch point of the wiring layer 515 and corresponds to the node N2.
  • a capacitor C21 and a capacitor C22 are connected to the first wiring part 515a.
  • the first wiring portion 515a extends linearly along the x-axis direction from the other end of the capacitor C21 to one end of the capacitor C22.
  • the parallel arm resonator P2 is connected to the second wiring portion 515b.
  • the second wiring portion 515b extends linearly along the y-axis direction from the first wiring portion 515a to the terminal Pa2 of the parallel arm resonator P2.
  • the first wiring part 515a and the second wiring part 515b are vertically connected in a top view. That is, the top view shape of the wiring layer 515 is, for example, a T shape.
  • the top view shape of the wiring layer 515 may be L-shaped, V-shaped, or linear.
  • a capacitor C22, an inductor L21, and a via 323 are connected to the wiring layer 516.
  • the wiring layer 516 extends linearly along the x-axis direction from the other end of the inductor L21 to the upper end of the via 323.
  • the parallel arm resonator P2 and the inductor L22 are connected to the wiring layer 517.
  • the wiring layer 517 extends linearly along the x-axis direction from the terminal Pb2 of the parallel arm resonator P2 to one end of the inductor L22.
  • the top view shape of the wiring layer 517 is, for example, a rectangle, but is not limited to this.
  • the other end of the inductor L22 is connected to the ground (not shown).
  • the elements, terminals, wiring layers and vias included in the high frequency module 500 are arranged line-symmetrically as shown in FIG. 15B (a).
  • the axis of line symmetry is an axis that passes through the center of the via 321 and is parallel to the x-axis direction. Accordingly, the wirings and elements included in the high-frequency filter 20c and the wirings and elements included in the high-frequency filter 20d can be arranged separately from each other. Can be suppressed.
  • the path 13a connecting the terminal 11a (terminal 11b), which is a common terminal, and the terminal 12a includes one of the via 321, a part of the wiring layer 511, the first wiring portion 512a of the wiring layer 512, and the wiring layer 513. And a via 322.
  • the node N1 is a branch point of the wiring layer 512 and corresponds to a connecting portion between the first wiring portion 512a and the second wiring portion 512b.
  • the wiring 14a branched from the path 13a at the node N1 is composed of the second wiring portion 512b.
  • the wiring 16a included in the path 13a is composed of the via 321 and a part of the wiring layer 511. Specifically, the part of the wiring layer 511 forming the wiring 16a is from the connection portion of the wiring layer 511 with the via 321 to the connection portion with one end of the capacitor C11.
  • the wiring 26 a is composed of a part of the wiring layer 513 and the via 322. Specifically, a part of the wiring layer 513 forming the wiring 26a is a portion of the wiring layer 513 from a connection portion with the other end of the capacitor C12 to a connection portion with the via 322.
  • the high frequency filter 20c and the high frequency filter 20d are arranged line-symmetrically with the axis passing through the terminal 11a (terminal 11b), which is the common input terminal, as the axis of symmetry. Therefore, the wiring included in the high frequency filter 20d has the same wiring relationship as that of the high frequency filter 20c.
  • the ground electrode 505 is an example of a first ground electrode that overlaps the wiring 14a that connects the node N1 and the parallel arm resonator P1. Specifically, as shown in (a) of FIG. 15B, the ground electrode 505 overlaps with the second wiring portion 512b forming the wiring 14a in a top view. For example, in a top view, the ground electrode 505 is larger than the second wiring portion 512b, and the entire second wiring portion 512b is located inside the ground electrode 505. In this embodiment, the ground electrode 505 also overlaps a part of the first wiring portion 512a. The ground electrode 505 does not overlap with any of the wiring layers 511, 513, 514, 515, 516, and 517 in a top view.
  • the ground electrode 506 is an example of a second ground electrode overlapping the wiring 14b that connects the node N2 and the parallel arm resonator P2. Specifically, as shown in (a) of FIG. 15B, the ground electrode 506 overlaps with the second wiring portion 515b forming the wiring 14b in a top view. For example, in a top view, the ground electrode 506 is larger than the second wiring portion 515b, and the entire second wiring portion 515b is located inside the ground electrode 506. In this embodiment, the ground electrode 506 also overlaps a part of the first wiring portion 515a. The ground electrode 506 does not overlap with any of the wiring layers 511, 512, 513, 514, 516, and 517 in a top view.
  • the ground electrodes 505 and 506 are electrically separated in the wiring board 501.
  • the ground electrode 505 and the ground electrode 506 are located in the same layer in the wiring board 501 in the thickness direction of the wiring board 501.
  • the ground electrode 505 and the ground electrode 506 are arranged apart from each other by a predetermined distance or more.
  • the ground electrode 505 and the ground electrode 506 are arranged apart from each other by a distance longer than the diameter of the via 321 in a top view.
  • the ground electrode 505 and the ground electrode 506 may be provided in different layers in the wiring board 501.
  • Each of the ground electrodes 505 and 506 is connected to the ground.
  • each of the ground electrodes 505 and 506 is connected to the ground provided on the back surface 103 of the wiring board 501 via a via (not shown) or the like.
  • the ground provided on the back surface 103 may be common to the ground electrodes 505 and 506. That is, the ground electrode 505 and the ground electrode 506 are physically and electrically separated inside the wiring board 501, but may be electrically connected outside the wiring board 501.
  • the capacitance C1 between the wiring 14a connecting the node N1 and the parallel arm resonator P1 and the ground is equal to the capacitance between the wiring 16a and the ground, and Since the capacitance between the wiring 26a and the ground is larger than any of the capacitances, the steepness of the pass band end of the high frequency filter 20c can be increased with a simple configuration, as described with reference to FIG. Similarly, the steepness at the pass band end of the high frequency filter 20d can be enhanced with a simple configuration.
  • the ground electrode 505 that generates the capacitance C1 and the ground electrode 506 that generates the capacitance C2 are electrically separated in the wiring substrate 501, the isolation between the high frequency filter 20c and the high frequency filter 20d is ensured. can do. In this way, it is possible to realize the high frequency module 500 including the multiplexer having the high frequency filters 20c and 20d with improved filter characteristics.
  • the high frequency filter further includes the third impedance element connected in parallel to the series circuit of the first impedance element and the second impedance element.
  • Both the first impedance element and the second impedance element are one of a capacitor and an inductor.
  • the third impedance element is the other of the capacitor and the inductor.
  • the high frequency module according to the present embodiment has a high frequency front having at least one of the high frequency filter 10 or 20 shown in the first or second embodiment or the multiplexer 30, 40 or 50 shown in the third to fifth embodiments. It has an end circuit.
  • the high frequency filter 10 or 20 shown in the first or second embodiment or the multiplexer 30, 40 or 50 shown in the third to fifth embodiments. It has an end circuit.
  • FIG. 16 is a circuit configuration diagram of a high frequency front end circuit 60 included in the high frequency module according to the present embodiment.
  • the high frequency front end circuit 60 is a reception system front end circuit, and includes a multiplexer 30, switches 81 and 82, filters 71, 72, 73, 74 and 75, and reception amplifiers 91 and 92. , 93, 94 and 95.
  • the antenna element ANT is shown in FIG. 16.
  • the antenna element ANT is a multi-band compatible antenna that transmits and receives a high-frequency signal and is compliant with a communication standard such as LTE (Long Term Evolution).
  • the antenna element ANT and the high-frequency front-end circuit 60 are arranged, for example, in the front-end part of a mobile phone supporting multimode / multiband.
  • the multiplexer 30 includes, for example, a high frequency filter 20a which is a high pass filter and a high frequency filter 20b which is a low pass filter.
  • the high-frequency filter 20b is a low-pass filter having a low band group frequency range (for example, 1427 MHz-2200 MHz) as a pass band and a high band group frequency range as an attenuation band.
  • the high-frequency filter 20a is a high-pass filter that uses the frequency range of the high band group (for example, 2300 MHz-2690 MHz) as the pass band and the frequency range of the low band group as the attenuation band.
  • at least one of the high frequency filters 20a and 20b may be a tunable filter whose frequency such as a pass band or an attenuation band can be changed.
  • the switch 81 is a switch element that has a common terminal and two selection terminals, and the common terminal is connected to the high frequency filter 20b.
  • the switch 81 is an SPDT type switch circuit capable of connecting the common terminal and either of the two selection terminals.
  • the switch 82 is a switch element having a common terminal and three selection terminals, the common terminal being connected to the high frequency filter 20a.
  • the switch 82 is an SP3T type switch circuit capable of connecting the common terminal and any one of the three selection terminals.
  • the filter 71 is a bandpass filter that is connected to the selection terminal of the switch 81 and uses, for example, LTE Band 3 (reception band: 1805-1880 MHz) as a pass band.
  • the filter 72 is a bandpass filter connected to the selection terminal of the switch 81 and having, for example, LTE Band 1 (reception band: 2110-2170 MHz) as a pass band.
  • the filter 73 is a bandpass filter connected to the selection terminal of the switch 82 and having, for example, LTE Band 7 (reception band: 2620-2690 MHz) as a pass band.
  • the filter 74 is a bandpass filter that is connected to the selection terminal of the switch 82 and has, for example, LTE Band 40 (reception band: 2300-2400 MHz) as a pass band.
  • the filter 75 is a bandpass filter that is connected to the selection terminal of the switch 82 and uses, for example, LTE Band 41 (reception band: 2496-2690 MHz) as a pass band.
  • the reception amplifier 91 is connected to the filter 71, the reception amplifier 92 is connected to the filter 72, the reception amplifier 93 is connected to the filter 73, the reception amplifier 94 is connected to the filter 74, and the reception amplifier 95 is connected to the filter 75.
  • Each of the reception amplifiers 91, 92, 93, 94 and 95 is a low noise amplifier formed of, for example, a transistor.
  • the reception amplifiers 91 and 92 form an amplification circuit 96.
  • the reception amplifiers 93, 94 and 95 form an amplification circuit 97.
  • Each of the amplifier circuits 96 and 97 may be composed of one receiving amplifier.
  • an SPDT type switch is arranged between the filters 71 and 72 and the amplifier circuit 96, and the filters 73 and 74 are provided.
  • 75 and the amplifier circuit 97 an SP3T type switch is arranged.
  • the high frequency module includes the front end circuit having the multiplexer.
  • the front-end circuit has a switch directly or indirectly connected to the multiplexer and an amplifier circuit directly or indirectly connected to the multiplexer.
  • the high frequency front end circuit 60 including the multiplexer 30 capable of enhancing the steepness of the pass band end of the filter.
  • one or more capacitors or one or more inductors may be connected in series to at least one of the first impedance element and the second impedance element, or may be connected in parallel.
  • at least one of the inductors L11, L12, L21, and L22 may be connected in series with one or more capacitors or with one or more inductors, or may be connected in parallel.
  • the high frequency filter may include an elastic wave resonator arranged in series on a path connecting the input terminal and the output terminal.
  • FIG. 17A is a circuit configuration diagram of a high frequency filter 10A included in the high frequency module according to the first modification. As shown in FIG. 17A, the high frequency filter 10A is different from the high frequency filter 10 shown in FIG. 1 in that a new series arm resonator S is additionally provided.
  • the series arm resonator S is an example of an elastic wave resonator arranged in series on the path connecting the terminals 11 and 12. Similar to the parallel arm resonator P, the series arm resonator S is, for example, a resonator using SAW, a resonator using BAW, or FBAR. As shown in FIG. 17A, the series arm resonator S is connected between the node N and the terminal 12. That is, the series arm resonator S can be regarded as an example of the second impedance element. In other words, the second impedance element may be an acoustic wave resonator.
  • the capacitance value C 2 of the capacitance C generated in the wiring 14 connecting the node N and the parallel arm resonator P is larger than the capacitance value C 1 of the capacitance generated in the wiring 16 connecting the impedance element Z and the terminal 11. It is large and is larger than the capacitance value of the capacitance generated in the wiring that connects the series arm resonator S and the terminal 12. Since the series arm resonator S corresponds to the impedance element Z2 shown in FIG. 7, the capacitance value of the capacitance generated in the wiring connecting the series arm resonator S and the terminal 12 is the wiring according to the second embodiment. This corresponds to the capacitance value of the capacitance between 26 and the ground.
  • the series arm resonator S may be connected between the impedance element Z and the node N.
  • the capacitance value C 2 is larger than the capacitance value C 1 of the capacitance generated in the wiring 16.
  • the series arm resonator S may be connected in parallel to the impedance element Z.
  • the series arm resonator S may be connected between the terminal 11 and the impedance element Z.
  • the terminal having a short wiring length with the impedance element Z becomes the terminal 12. Therefore, the capacitance value C 2 is larger than the capacitance value of the capacitance generated in the wiring that connects the impedance element Z and the terminal 12.
  • FIG. 17B is a circuit configuration diagram of a high frequency filter 20A included in a high frequency module according to Modification 2. As shown in FIG. 17B, the high-frequency filter 20A is different from the high-frequency filter 20 shown in FIG. 7 in that a series arm resonator S is newly provided.
  • the series arm resonator S is connected between the impedance element Z2 and the terminal 12.
  • the capacitance value C 2 of the capacitance C generated in the wiring connecting the node N and the parallel arm resonator P is larger than the capacitance value of the capacitance generated in the wiring 16 connecting the impedance element Z1 and the terminal 11, and , Larger than the capacitance value of the capacitance generated in the wiring connecting the series arm resonator S and the terminal 12.
  • the series arm resonator S can be regarded as an example of the second impedance element.
  • the series arm resonator S may be connected between the node N and the impedance element Z2.
  • the impedance element Z2 is an example of the second impedance element, as in the second embodiment. That is, the capacitance value C 2 of the capacitance C is larger than the capacitance value of the capacitance generated in the wiring 16 connecting the impedance element Z1 and the terminal 11, and the capacitance value generated in the wiring 26 connecting the impedance element Z2 and the terminal 12. Larger than the capacity value of.
  • the series arm resonator S may be connected in parallel to the impedance element Z2.
  • one or more capacitors or one or more inductors may be connected in series to the parallel arm resonator, or may be connected in parallel.
  • An impedance variable circuit may be connected to the parallel arm resonator.
  • one or more capacitors or inductors may be connected in series or in parallel to the parallel arm resonator via a switch.
  • the elastic wave resonator used as the parallel arm resonator P is not limited to one resonator, and may be composed of a plurality of divided resonators obtained by dividing one resonator.
  • the impedance element Z provided inside the wiring board may be an inductor.
  • the impedance element Z may be an inductor composed of spiral or annular pattern wiring.
  • the multiplexer a configuration in which a plurality of input terminals are commonly connected to a common terminal is shown, but a plurality of output terminals may be commonly connected to a common terminal.
  • at least one of the plurality of filters included in the multiplexer may be used when demultiplexing the input high-frequency signal or may be used when multiplexing.
  • at least one of the first filter and the second filter included in the multiplexer may be used as a reception filter or a transmission filter.
  • the high frequency front-end circuit includes both the switch and the amplifier circuit, but it does not have to include at least one of the switch and the amplifier circuit.
  • the present invention can be used for a high frequency filter, a multiplexer, a front end circuit, a communication device, and the like applicable to a multiband system, and can be used for a communication device such as a mobile phone.

Landscapes

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Abstract

高周波モジュールは、高周波フィルタ（１０）を備え、高周波フィルタ（１０）は、端子（１１）と、端子（１２）と、端子（１１）と端子（１２）とを結ぶ経路（１３）上に直列配置されたインピーダンス素子（Ｚ）と、経路（１３）上のノード（Ｎ）とグランドとの間に接続された並列腕共振子（Ｐ）とを備え、インピーダンス素子（Ｚ）は、キャパシタ又はインダクタであり、ノード（Ｎ）と並列腕共振子（Ｐ）とを接続する配線（１４）と、グランドとの間の容量（Ｃ）は、端子（１１）及び端子（１２）のうちインピーダンス素子（Ｚ）との配線長が短い方の端子（例えば、端子（１１））とインピーダンス素子（Ｚ）とを接続する配線（１６）と、グランドとの間の容量よりも大きい。

Description

高周波モジュール
　本発明は、高周波モジュールに関する。
　従来、弾性波共振子を備えるラダー型のフィルタが知られている（例えば、特許文献１を参照）。特許文献１に開示されたフィルタでは、減衰域に対応する周波数で直列共振を起こす並列腕に弾性波共振子が配置されている。
特開２０１２－１７５４３８号公報
　上記従来のフィルタでは、弾性波共振子に接続された配線に生じるインダクタ成分などによって、フィルタの通過帯域の低周波端又は高周波端の急峻性が悪化するという問題がある。
　そこで、本発明は、フィルタの通過帯域端部の急峻性を簡単な構成で高めることができる高周波モジュールを提供することを目的とする。
　上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る高周波モジュールは、高周波フィルタを備える高周波モジュールであって、前記高周波フィルタは、入力端子と、出力端子と、前記入力端子と前記出力端子とを結ぶ経路上に直列配置された第１インピーダンス素子と、前記経路上のノードとグランドとの間に接続された弾性波共振子とを備え、前記第１インピーダンス素子は、キャパシタ又はインダクタであり、前記ノードと前記弾性波共振子とを接続する第１配線と、グランドとの間の容量は、前記入力端子及び前記出力端子のうち前記第１インピーダンス素子との配線長が短い方の端子と前記第１インピーダンス素子とを接続する第２配線と、グランドとの間の容量よりも大きい。
　本発明によれば、フィルタの通過帯域端部の急峻性を簡単な構成で高めることができる高周波モジュールを提供することができる。
図１は、実施の形態１に係る高周波モジュールが備える高周波フィルタの回路構成図である。 図２は、実施の形態１に係る高周波モジュールの、大きなキャパシタ成分が生じることによる効果を説明するための図である。 図３Ａは、実施の形態１の実施例１に係る高周波モジュールの斜視図である。 図３Ｂは、実施の形態１の実施例１に係る高周波モジュールの三面図である。 図３Ｃは、実施の形態１の実施例１の変形例に係る高周波モジュールの上面図である。 図４Ａは、実施の形態１の実施例２に係る高周波モジュールの斜視図である。 図４Ｂは、実施の形態１の実施例２に係る高周波モジュールの三面図である。 図５Ａは、実施の形態１の実施例３に係る高周波モジュールの斜視図である。 図５Ｂは、実施の形態１の実施例３に係る高周波モジュールの三面図である。 図６Ａは、実施の形態１の実施例４に係る高周波モジュールの斜視図である。 図６Ｂは、実施の形態１の実施例４に係る高周波モジュールの三面図である。 図７は、実施の形態２に係る高周波モジュールが備える高周波フィルタの回路構成図である。 図８Ａは、実施の形態２の実施例に係る高周波モジュールの斜視図である。 図８Ｂは、実施の形態２の実施例に係る高周波モジュールの三面図である。 図９は、実施の形態３に係る高周波モジュールが備えるマルチプレクサの回路構成図である。 図１０Ａは、実施の形態３の実施例１に係る高周波モジュールの斜視図である。 図１０Ｂは、実施の形態３の実施例１に係る高周波モジュールの三面図である。 図１１Ａは、実施の形態３の実施例２に係る高周波モジュールの斜視図である。 図１１Ｂは、実施の形態３の実施例２に係る高周波モジュールの三面図である。 図１２は、実施の形態４に係る高周波モジュールが備えるマルチプレクサの回路構成図である。 図１３Ａは、実施の形態４の実施例に係る高周波モジュールの斜視図である。 図１３Ｂは、実施の形態４の実施例に係る高周波モジュールの三面図である。 図１４は、実施の形態５に係る高周波モジュールが備えるマルチプレクサの回路構成図である。 図１５Ａは、実施の形態５の実施例に係る高周波モジュールの斜視図である。 図１５Ｂは、実施の形態５の実施例に係る高周波モジュールの三面図である。 図１６は、実施の形態６に係る高周波モジュールが備える高周波フロントエンド回路の回路構成図である。 図１７Ａは、変形例１に係る高周波モジュールが備える高周波フィルタの回路構成図である。 図１７Ｂは、変形例２に係る高周波モジュールが備える高周波フィルタの回路構成図である。
　以下では、本発明の実施の形態に係る高周波モジュールについて、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本発明を限定する趣旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
　また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、例えば、各図において縮尺などは必ずしも一致しない。また、各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
　また、本明細書において、平行又は垂直などの要素間の関係性を示す用語、及び、直方体又は円柱体などの要素の形状を示す用語、並びに、数値範囲は、厳格な意味のみを表す表現ではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する表現である。
　また、本明細書において、「上方」及び「下方」という用語は、絶対的な空間認識における上方向（鉛直上方）及び下方向（鉛直下方）を指すものではなく、積層構成における積層順を基に相対的な位置関係により規定される用語として用いる。
　また、本明細書及び図面において、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、三次元直交座標系の三軸を示している。各実施の形態では、ｚ軸方向を配線基板の厚み方向としている。また、本明細書において、「厚み方向」とは、配線基板の厚み方向を意味し、配線基板の主面に垂直な方向のことであり、「平面視」とは、配線基板の主面に対して垂直な方向から見たときのことをいう。
　（実施の形態１）
　以下ではまず、実施の形態１に係る高周波モジュールが備える高周波フィルタの構成と、その構成によって得られる効果とを説明する。その後、本実施の形態に係る高周波モジュールの具体的な実施例について説明する。
　図１は、本実施の形態に係る高周波モジュールが備える高周波フィルタ１０の回路構成図である。図１に示されるように、高周波フィルタ１０は、端子１１と、端子１２と、インピーダンス素子Ｚと、並列腕共振子Ｐと、容量Ｃとを備える。本実施の形態では、高周波フィルタ１０は、ハイパスフィルタであるが、ローパスフィルタであってもよい。
　端子１１及び１２はそれぞれ、高周波フィルタ１０の入力端子及び出力端子である。入力端子は、高周波モジュールを外部回路に接続する端子であり、外部回路から出力される信号が入力される端子である。出力端子は、高周波モジュールを外部回路に接続する端子であり、高周波モジュールで処理された信号を外部回路に出力する端子である。本実施の形態では、端子１１が入力端子であり、端子１２が出力端子である場合を説明する。なお、端子１１が出力端子であり、端子１２が入力端子であってもよい。つまり、インピーダンス素子Ｚは、入力端子側に設けられていてもよく、出力端子側に設けられていてもよい。
　図１に示されるように、端子１１と端子１２とを結ぶ経路１３上には、ノードＮが設けられている。ノードＮは、経路１３上の分岐点である。
　インピーダンス素子Ｚは、端子１１と端子１２とを結ぶ経路１３上に直列配置された第１インピーダンス素子の一例である。具体的には、インピーダンス素子Ｚは、端子１１とノードＮとの間に設けられている。
　インピーダンス素子Ｚは、キャパシタ又はインダクタである。インピーダンス素子Ｚは、高周波フィルタ１０に要求されるフィルタ特性に応じて定められた値の容量値又はインダクタンス値を有する。
　なお、キャパシタとは、理想素子としては全帯域で容量性を示す素子であり、弾性波共振子を含まない。弾性波共振子は、その共振周波数と反共振周波数との間の帯域において誘導性を有し、その他の帯域では容量性を示すが、全帯域で容量性を示す素子ではないためである。
　並列腕共振子Ｐは、ノードＮとグランドとの間に接続された弾性波共振子の一例である。弾性波共振子は、弾性波を用いた共振子であり、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）を利用した共振子、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）を利用した共振子、又は、ＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）などである。なお、ＳＡＷには、表面波だけでなく、境界波も含まれる。
　本実施の形態では、弾性波共振子としてＳＡＷ共振子を利用する。これにより、高周波フィルタ１０が備える並列腕共振子Ｐを、圧電性を有する基板上に形成されたＩＤＴ（InterDigital Transducer）電極によって構成することができるので、急峻度が高い減衰特性を有する小型かつ低背の高周波モジュールを実現することができる。
　なお、圧電性を有する基板は、少なくとも表面に圧電性を有する基板（以下、圧電基板と記載する）である。圧電基板は、例えば、表面に形成された圧電薄膜を備え、当該圧電薄膜とは音速が異なる膜、及び、支持基板などの積層体で構成されていてもよい。また、圧電基板は、例えば、高音速支持基板と、当該高音速支持基板上に形成された圧電薄膜とを含む積層体であってもよい。圧電基板は、高音速支持基板と、当該高音速支持基板上に形成された低音速膜と、当該低音速膜上に形成された圧電薄膜とを含む積層体であってもよい。あるいは、圧電基板は、支持基板と、当該支持基板上に形成された高音速膜と、当該高音速膜上に形成された低音速膜と、当該低音速膜上に形成された圧電薄膜とを含む積層体であってもよい。また、圧電基板は、基板全体に圧電性を有していてもよい。他の実施の形態における弾性波共振子についても同様である。
　容量Ｃは、配線１４とグランドとの間の容量である。配線１４は、ノードＮと並列腕共振子とを接続する第１配線の一例である。
　詳細については後述するが、容量Ｃは、配線１４の近傍に、グランドに接続されたグランド電極が配置されることで生じる容量成分（浮遊容量とも呼ばれる）である。例えば、容量Ｃは、配線１４の少なくとも一部を第１電極として有し、かつ、グランド電極の少なくとも一部を第２電極として有する平行平板型の容量である。
　本実施の形態では、容量Ｃは、配線１６とグランドとの間の容量よりも大きい。配線１６は、端子１１及び１２のうちインピーダンス素子Ｚとの配線長が短い方の端子とインピーダンス素子Ｚとを接続する第２配線の一例である。例えば、インピーダンス素子Ｚとの配線長が短い方の端子は、端子１１及び１２のうち、インピーダンス素子Ｚとの経路上にノードＮが設けられていない方の端子１１である。つまり、本実施の形態では、配線１６は、端子１１とインピーダンス素子Ｚとを結ぶ配線である。
　ここでは、インピーダンス素子Ｚとの配線長が短い方の端子が、入力端子である端子１１である場合を説明するが、出力端子である端子１２であってもよい。つまり、インピーダンス素子Ｚと端子１２との配線長は、インピーダンス素子Ｚと端子１１との配線長よりも短くてもよい。
　高周波フィルタ１０に含まれる配線の配線長が長い場合には、当該配線にインダクタンス成分、キャパシタ成分又はこれらの両方の成分が発生する。本実施の形態に係る高周波フィルタ１０では、配線１４に生じるキャパシタ成分を利用することで、高周波フィルタ１０のフィルタ特性が改善される。以下では、キャパシタ成分が生じることによる効果について、図２を用いて説明する。
　図２は、本実施の形態に係る高周波モジュールの、キャパシタ成分が生じることによる効果を説明するための図である。図２の（ａ）は、本実施の形態に係る高周波モジュールが備える高周波フィルタ１０の等価回路を示す回路図である。図２の（ｂ）は、比較例に係る高周波フィルタ１０ｘの等価回路を示す回路図である。
　図２の（ａ）及び（ｂ）ではそれぞれ、配線１６に生じる容量成分の大きさ（容量値）をＣ１で表し、配線１４に生じる容量成分の大きさ（容量値）をＣ２で表している。つまり、容量値Ｃ２は、図１に示される容量Ｃの容量値に相当する。
　本実施の形態に係る高周波フィルタ１０では、容量値Ｃ２が容量値Ｃ１よりも大きい。これに対して、比較例に係る高周波フィルタ１０ｘは、容量値Ｃ２が容量値Ｃ１よりも小さい。比較例に係る高周波フィルタ１０ｘは、容量値の大小関係が異なる点を除いて、実施の形態に係る高周波フィルタ１０と同じである。例えば、高周波フィルタ１０ｘでは、配線１４の近傍には、容量Ｃ２を大きくするためのグランド電極が設けられていない。
　図２の（ｃ）は、高周波フィルタ１０及び１０ｘの各々の通過特性を示すグラフである。図２の（ｃ）において、横軸は、周波数［単位：ＧＨｚ］を表しており、縦軸は、挿入損失［単位：ｄＢ］を表している。ここでは、実線のグラフで本実施の形態に係る高周波フィルタ１０の挿入損失を表し、破線のグラフで比較例に係る高周波フィルタ１０ｘの挿入損失を表している。図２の（ｃ）は、高周波フィルタ１０と高周波フィルタ１０ｘとで、挿入損失が最も小さくなる周波数を一致させたときのシミュレーション結果を表している。
　高周波フィルタ１０及び１０ｘはいずれも、弾性波共振子の一例である並列腕共振子Ｐを備えるので、図２の（ｃ）に示されるように、弾性波共振子による急峻な減衰極によって、急峻な減衰特性を有している。具体的には、容量値Ｃ２が容量値Ｃ１よりも大きい高周波フィルタ１０では、周波数が約２．３５ＧＨｚの場合に挿入損失が極大になっている。容量値Ｃ２が容量値Ｃ１よりも小さい高周波フィルタ１０ｘでは、周波数が約２．３３ＧＨｚの場合に挿入損失が極大になっている。つまり、容量値Ｃ２が大きくなることで、挿入損失が極大となる周波数が高周波側にシフトしている。
　このように、本実施の形態に係る高周波フィルタ１０では、配線１４に生じる容量Ｃの容量値Ｃ２が、配線１６に生じる容量の容量値Ｃ１よりも大きくなることで、減衰特性の急峻性が高められる。このため、配線１４にインダクタ成分が生じたとしても、配線１４に生じる容量Ｃの容量値Ｃ２を大きくすることにより、減衰特性の急峻性を高めることができる。容量Ｃの容量値Ｃ２を大きくするには、例えば、グランド電極を配線１４の近傍に配置すればよく、簡単な構成でフィルタの急峻性を高めることができる。
　なお、高周波フィルタ１０に含まれる配線の配線長が短い程、不要なインダクタ成分の発生が抑制されるので、良好なフィルタ特性を実現することができる。つまり、高周波フィルタ１０に含まれる配線の全長が短い程、フィルタ特性が良好になる。
　しかしながら、高周波モジュールにおいて、各端子及び各素子の物理的な配置の制限により、配線を十分に短くすることができない場合が起こりうる。例えば、端子１１と端子１２との位置が固定されており、配線の引き回し上、配線の全長を短くすることができない場合がある。この場合においても、配線１４に生じる容量Ｃの大きさを調整することで、フィルタ特性の劣化を抑制することができる。
　以下では、本実施の形態に係る高周波フィルタ１０を備える高周波モジュールの具体的な実施例について説明する。なお、各実施例における素子、配線基板、配線層及びビアの配置及び形状は、一例に過ぎず、示した例に限定されるものではない。
　［実施例１］
　まず、実施例１に係る高周波モジュールについて、図３Ａ及び図３Ｂを用いて説明する。
　図３Ａは、本実施例に係る高周波モジュール１００の斜視図である。図３Ａでは、端子１１及び１２、並びに、高周波モジュール１００に含まれる配線構造のうち、斜視の視点からは見えない部分を破線で表している。また、斜視図においては、複雑化を避けるため、並列腕共振子Ｐの複数の端子のうちノードＮ側の端子Ｐａのみを図示している。これらの図示の仕方は、後述する他の斜視図（具体的には、図４Ａ、図５Ａ、図６Ａ、図８Ａ、図１０Ａ、図１１Ａ、図１３Ａ及び図１５Ａ）においても同様である。
　図３Ｂは、本実施例に係る高周波モジュール１００の三面図である。図３Ｂの（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、高周波モジュール１００の上面図、正面図及び右側面図を表している。なお、本明細書では、ｚ軸の正側から高周波モジュール１００を見た場合を上面視、ｙ軸の負側から高周波モジュール１００を見た場合を正面視、ｘ軸の正側から高周波モジュール１００を見た場合を右側面視としている。つまり、上面視とは、配線基板１０１の表面１０２を平面視することと同義である。これは、他の実施例及び他の実施の形態においても同様である。
　図３Ｂの（ａ）では、高周波フィルタ１０の端子１１と、端子１２と、並列腕共振子Ｐの端子Ｐａと、ビア１２１などの配線構造の一部とを破線で表している。図３Ｂの（ｂ）及び（ｃ）では、配線基板１０１の内部に設けられた配線構造（具体的にはビア１２１及び１２２）を、配線基板１０１を透視して図示している。透視の際には、内部の配線構造のうち、透視の視点から見える配線構造（すなわち、手前の配線構造）を実線で表し、当該手前の配線構造に重複し、かつ、当該手前の配線構造より奥に位置する配線構造を破線で表す。また、各図におけるグランド電極にはドットの網掛けを付している。これらの図示の仕方は、後述する他の三面図（具体的には、図４Ｂ、図５Ｂ、図６Ｂ、図８Ｂ、図１０Ｂ、図１１Ｂ、図１３Ｂ及び図１５Ｂ）においても同様である。
　高周波モジュール１００は、図３Ａ及び図３Ｂに示されるように、配線基板１０１と、グランド電極１０５とを備える。
　配線基板１０１は、図３Ａに示されるように、互いに背向する表面１０２及び裏面１０３を有する。表面１０２は、配線基板１０１の主面である第１面の一例である。裏面１０３は、配線基板１０１の主面である第２面の一例である。
　本実施例では、図３Ａ及び図３Ｂに示されるように、配線基板１０１の表面１０２に、並列腕共振子Ｐ及びインピーダンス素子Ｚが設けられている。配線基板１０１の裏面１０３に、端子１１及び１２が設けられている。なお、端子１１、端子１２、並列腕共振子Ｐ及びインピーダンス素子Ｚが設けられる位置は、これらに限らない。例えば、端子１１及び１２の少なくとも一方は、表面１０２又は配線基板１０１の側面に設けられていてもよい。
　端子１１及び１２は、例えば、所定形状にパターニングされた導電性の薄膜である。端子１１及び１２は、例えば、銀（Ａｇ）又は銅（Ｃｕ）などの金属材料を用いて形成されている。端子１１及び１２の上面視形状は、正方形であるが、円形でもよく、長方形でもよい。端子１１及び１２の各々の形状及び大きさは、特に限定されない。
　配線基板１０１としては、例えば、樹脂からなる多層基板、又は、複数の誘電体層の積層構造からなる低温同時焼成セラミックス（Low Temperature Co-fired Ceramics：ＬＴＣＣ）多層基板などが用いられる。配線基板１０１の形状は、例えば、扁平な直方体であるが、これに限らない。配線基板１０１の形状は、円柱体であってもよく、直方体以外の多面体であってもよい。
　配線基板１０１は、表面１０２に平行な方向に延びる１以上の配線層と、表面１０２に直交する方向に延びる１以上のビアとを有する。端子１１、端子１２、インピーダンス素子Ｚ及び並列腕共振子Ｐはそれぞれ、これらの１以上の配線層及び１以上のビアの少なくとも１つに接続されている。例えば、並列腕共振子Ｐ及びインピーダンス素子Ｚは、半田などを介して配線層又はビアに接続されることで、配線基板１０１の表面１０２に実装されている。例えば、並列腕共振子Ｐの端子Ｐａ、並びに、インピーダンス素子Ｚの端子は、硬化した半田などで形成されている。なお、並列腕共振子Ｐ及びインピーダンス素子Ｚの実装方法は特に限定されない。例えば、並列腕共振子Ｐの端子Ｐａは、バンプ電極であってもよい。他の実施例及び他の実施の形態においても、インピーダンス素子及び並列腕共振子の実装方法は、本実施例と同様である。
　本実施例では、図３Ａ及び図３Ｂに示されるように、配線基板１０１は、配線層１１１と、配線層１１２と、ビア１２１と、ビア１２２とを有する。
　配線層１１１及び１１２は、配線基板１０１の表面１０２に設けられた導電性のパターン配線である。配線層１１１及び１１２は、例えば、銀（Ａｇ）又は銅（Ｃｕ）などの金属薄膜を表面１０２に成膜し、所定形状にパターニングすることにより形成される。配線層１１１及び１１２はいずれも、表面１０２に平行な方向、すなわち、配線基板１０１の厚み方向（ｚ軸方向）に直交する方向に延びている。配線層１１１及び１１２の幅及び膜厚は、例えば同じであるが、異なっていてもよい。
　配線層１１１には、ビア１２１とインピーダンス素子Ｚとが接続されている。配線層１１１は、図３Ａ及び図３Ｂの（ａ）に示されるように、ビア１２１の上端部からインピーダンス素子Ｚの一端までｙ軸方向に沿って直線状に延びている。配線層１１１の上面視形状は、例えば長方形であるが、これに限らない。
　配線層１１２には、インピーダンス素子Ｚと並列腕共振子Ｐ及びビア１２２とが接続されている。配線層１１２は、図３Ａ及び図３Ｂの（ａ）に示されるように、第１配線部１１２ａと、第２配線部１１２ｂとを有する。第１配線部１１２ａと第２配線部１１２ｂとの接続部分は、配線層１１２の分岐点であり、ノードＮに相当する。
　第１配線部１１２ａには、インピーダンス素子Ｚと並列腕共振子Ｐとが接続されている。第１配線部１１２ａは、インピーダンス素子Ｚの他端から並列腕共振子Ｐの端子Ｐａまでｙ軸方向に沿って直線状に延びている。
　第２配線部１１２ｂには、インピーダンス素子Ｚとビア１２２とが接続されている。第２配線部１１２ｂは、インピーダンス素子Ｚの他端からビア１２２の上端部まで屈曲して延びている。
　配線層１１２の上面視形状は、例えば、Ｕ字状であるが、これに限らない。例えば、第２配線部１１２ｂは直線状に延びていてもよく、配線層１１２の上面視形状は、Ｖ字状又はＬ字状であってもよい。
　ビア１２１及び１２２は、配線基板１０１の厚み方向に沿って延びる導電性部材である。本実施例では、ビア１２１及び１２２は、配線基板１０１の表面１０２から裏面１０３までを貫通している。ビア１２１及び１２２は、例えば、配線基板１０１にレーザなどで貫通孔を形成した後、銀（Ａｇ）又は銅（Ｃｕ）などの導電性材料（例えば、導電性ペースト）を充填することにより形成される。ビア１２１及び１２２の形成方法は、特に限定されない。また、本実施例では、ビア１２１及び１２２の各々の形状は、円柱状である例を示しているが、角柱状でもよく、特に限定されない。ビア１２１及び１２２は、例えば、断面積が同じであるが、異なっていてもよい。
　ビア１２１には、端子１１と配線層１１１とが接続されている。ビア１２１は、上面視において、配線層１１１及び端子１１の両方に重複して設けられている。
　ビア１２２には、端子１２と配線層１１２とが接続されている。ビア１２２は、上面視において、配線層１１２及び端子１２の両方に重複して設けられている。
　ここで、本実施例に係る高周波モジュール１００に含まれる配線構造と、図１に示される高周波フィルタ１０に含まれる配線との対応関係について説明する。
　本実施例では、端子１１と端子１２とを結ぶ経路１３は、ビア１２１、配線層１１１、配線層１１２の第２配線部１１２ｂ及びビア１２２によって構成されている。経路１３には、図１に示されるように、配線１６及びノードＮが含まれる。ノードＮは、配線層１１２の分岐点であり、第１配線部１１２ａと第２配線部１１２ｂとの接続部分に相当する。また、経路１３からノードＮで分岐した配線１４は、配線層１１２の第１配線部１１２ａで構成されている。また、経路１３に含まれる配線１６は、ビア１２１と配線層１１１とで構成されている。
　グランド電極１０５は、グランドに接続されている。グランド電極１０５は、端子１１及び１２、経路１３及び配線１４には接続されていない。具体的には、グランド電極１０５は、端子１１及び１２、配線層１１１及び１１２、並びに、ビア１２１及び１２２のいずれにも接続されていない。
　グランド電極１０５は、配線基板１０１の表面１０２を平面視した場合に、配線１４に重複している。本実施例では、配線１４が第１配線部１１２ａで構成されているので、図３Ａ及び図３Ｂに示されるように、グランド電極１０５は、第１配線部１１２ａに重複している。これにより、第１配線部１１２ａとグランド電極１０５との間に、容量Ｃが発生する。例えば、上面視において、グランド電極１０５は、第１配線部１１２ａより大きく、グランド電極１０５の内部に第１配線部１１２ａの全体が位置している。
　あるいは、第１配線部１１２ａの一部は、上面視においてグランド電極１０５と重複していなくてもよい。上面視において、グランド電極１０５は、第１配線部１１２ａより小さくてもよく、第１配線部１１２ａの内部にグランド電極１０５の全体が位置していてもよい。グランド電極１０５の上面視形状及び大きさは、第１配線部１１２ａの上面視形状及び大きさと同じであってもよい。グランド電極１０５と第１配線部１１２ａとは、上面視において輪郭が完全に一致していてもよい。
　また、グランド電極１０５は、上面視において、配線１６の一部である配線層１１１には重複していない。なお、グランド電極１０５は、上面視において配線層１１１に重複していてもよい。この場合、グランド電極１０５は、例えば、第１配線部１１２ａと重複している部分の面積が、配線層１１１に重複している部分の面積より大きくなるように設けられていてもよい。
　本実施例では、グランド電極１０５は、配線基板１０１の内部に設けられている。例えば、グランド電極１０５は、配線基板１０１の内部に設けられた導電性のパターン電極である。グランド電極１０５は、例えば、配線基板１０１の積層構造を形成する途中で、銀（Ａｇ）又は銅（Ｃｕ）などの金属薄膜を成膜し、所定形状にパターニングすることにより形成される。グランド電極１０５は、表面１０２に平行な方向、すなわち、配線基板１０１の厚み方向（ｚ軸方向）に直交する方向に延びている。グランド電極１０５の上面視形状は、例えば長方形であるが、特に限定されない。
　グランド電極１０５は、図３Ｂの（ｂ）及び（ｃ）に示されるように、配線基板１０１の裏面１０３よりも表面１０２に近い位置に位置している。グランド電極１０５と第１配線部１１２ａとの距離が短い程、容量Ｃを大きくすることができる。例えば、グランド電極１０５は、例えば、配線１４を構成する第１配線部１１２ａとの距離が、配線１６に含まれる配線層１１１との距離よりも近くなる位置に設けられている。
　なお、ビア１２１に対してグランド電極１０５が面する面は、グランド電極１０５の端面であって十分に小さい。このため、グランド電極１０５と、配線１６に含まれるビア１２１との距離は、グランド電極１０５と第１配線部１１２ａとの距離より短くてもよい。グランド電極１０５と配線１６との間に発生する容量を、配線１４（第１配線部１１２ａ）とグランド電極１０５との間に発生する容量Ｃよりも小さくすることができる。
　なお、図３Ａ及び図３Ｂには、グランド電極１０５及び並列腕共振子Ｐに接続されるグランドを図示していない。グランドは、例えば、配線基板１０１の裏面１０３に、端子１１及び１２とは電気的に絶縁されて設けられている。グランドとグランド電極１０５とは、図示しないビアを介して接続されている。グランドと並列腕共振子Ｐとも同様である。グランドは、配線基板１０１の内部に設けられていてもよく、表面１０２に設けられていてもよい。これは、他の実施例及び他の実施の形態においても同様である。
　以上の構成により、本実施例に係る高周波モジュール１００では、ノードＮと並列腕共振子Ｐとを接続する配線１４とグランドとの間の容量Ｃは、配線１６とグランドとの間の容量よりも大きくなるので、図２で説明したように、高周波フィルタ１０の通過帯域端部の急峻性を簡単な構成で高めることができる。
　なお、容量Ｃを大きくするために、配線１４の配線長を長くしてもよい。具体的には、第１配線部１１２ａの長さを長くしてもよい。
　図３Ｃは、本実施例の変形例に係る高周波モジュールの上面図である。図３Ｃに示されるように、本変形例に係る高周波モジュールは、配線層１１２及びグランド電極１０５の代わりに、配線層１１３及びグランド電極１０６を備える。配線層１１３は、第１配線部１１３ａと、第２配線部１１２ｂとを有する。
　第１配線部１１３ａは、実施例１に係る第１配線部１１２ａよりも長さが長い。具体的には、第１配線部１１３ａの長さは、配線層１１１の長さとビア１２１の長さとの合計長よりも長い。これにより、配線１４の配線長（第１配線部１１３ａの長さ）は、配線１６の配線長（ビア１２１及び配線層１１１の合計長）よりも長くなる。
　グランド電極１０６は、実施例１に係るグランド電極１０５よりも長尺な形状を有する。グランド電極１０６は、上面視において、第１配線部１１３ａに重複している。これにより、グランド電極１０６と第１配線部１１３ａとの間に容量Ｃが発生する。例えば、上面視において、グランド電極１０６は、第１配線部１１３ａより大きく、グランド電極１０６の内部に第１配線部１１３ａの全体が位置している。
　第１配線部１１３ａとグランド電極１０６との重複部分の面積は、実施例１に係る第１配線部１１２ａとグランド電極１０５との重複部分の面積より大きい。このため、本変形例に係る容量Ｃの容量値は、実施例１よりも大きくなる。したがって、本変形例によれば、高周波フィルタ１０の通過帯域端部の急峻性を更に高めることができる。
　［実施例２］
　次に、実施例２に係る高周波モジュールについて、図４Ａ及び図４Ｂを用いて説明する。本実施例に係る高周波モジュールでは、実施例１に係る高周波モジュールと比較して、グランド電極が配線基板の裏面１０３に設けられている点が相違する。以下の説明では、実施例１との相違点を中心に説明し、共通点の説明を省略又は簡略化する。
　図４Ａは、本実施例に係る高周波モジュール１３０の斜視図である。図４Ｂは、本実施例に係る高周波モジュール１３０の三面図である。図４Ｂの（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、高周波モジュール１３０の上面図、正面図及び右側面図を表している。
　高周波モジュール１３０は、図４Ａ及び図４Ｂに示されるように、配線基板１３１と、グランド電極１３５及び１３６とを備える。配線基板１３１は、内部にグランド電極が設けられていない点を除いて、配線基板１０１と同じである。
　グランド電極１３５及び１３６はそれぞれ、グランド電極１０５に相当し、グランド電極１０５とは形状、大きさ及び配置が相違している。具体的には、グランド電極１３５及び１３６は、図４Ｂの（ｂ）及び（ｃ）に示されるように、配線基板１３１の裏面１０３に設けられている。例えば、グランド電極１３５及び１３６はそれぞれ、配線基板１３１の裏面１０３に設けられた導電性のパターン電極である。例えば、グランド電極１３５及び１３６はそれぞれ、高周波モジュール１３０を外部回路に接続する端子であり、外部回路のグランド配線などに接続される。
　本実施例では、グランド電極１３５は、上面視において、第１配線部１１２ａ（配線１４）に重複している。これにより、グランド電極１３５と第１配線部１１２ａとの間に、容量Ｃが発生する。例えば、上面視において、グランド電極１３５の一部と、第１配線部１１２ａの一部とが重複している。グランド電極１３５の上面視形状は、例えば正方形であるが、これに限らない。
　グランド電極１３６は、上面視において、第１配線部１１２ａ（配線１４）には重複していない。このため、グランド電極１３５と第１配線部１１２ａとの間に発生する容量よりも小さい容量が、グランド電極１３６と第１配線部１１２ａとの間に発生する。これにより、グランド電極１３６が設けられていない場合よりも、配線１４とグランドとの間に発生する容量を大きくすることができる。
　以上の構成により、本実施例に係る高周波モジュール１３０では、ノードＮと並列腕共振子Ｐとを接続する配線１４とグランドとの間の容量Ｃは、配線１６とグランドとの間の容量よりも大きくなるので、図２で説明したように、高周波フィルタ１０の通過帯域端部の急峻性を簡単な構成で高めることができる。
　また、本実施例によれば、グランド電極１３５及び１３６が裏面１０３に設けられているので、例えば、端子１１及び１２と同じ工程でグランド電極１３５及び１３６を形成することができる。したがって、製造工程の工程数の増加を抑制しながら、配線１４とグランドとの間の容量Ｃを簡単に大きくすることができる。
　［実施例３］
　次に、実施例３に係る高周波モジュールについて、図５Ａ及び図５Ｂを用いて説明する。本実施例に係る高周波モジュールでは、実施例１に係る高周波モジュールと比較して、インピーダンス素子Ｚ及び配線構造が配線基板の内部に設けられている点が相違する。以下の説明では、実施例１又は２との相違点を中心に説明し、共通点の説明を省略又は簡略化する。
　図５Ａは、本実施例に係る高周波モジュール１５０の斜視図である。図５Ｂは、本実施例に係る高周波モジュール１５０の三面図である。図５Ｂの（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、高周波モジュール１５０の上面図、正面図及び右側面図を表している。
　高周波モジュール１５０は、図５Ａ及び図５Ｂに示されるように、配線基板１５１と、グランド電極１５５とを備える。
　配線基板１５１は、配線基板１５１が備える配線層及びビアの数及び形状が相違する点及び内部にインピーダンス素子Ｚが設けられている点を除いて、配線基板１０１と同じである。本実施例では、図５Ａ及び図５Ｂに示されるように、配線基板１５１は、配線層１６１と、配線層１６２と、ビア１７１と、ビア１７２と、ビア１７３とを有する。
　本実施例では、インピーダンス素子Ｚは、キャパシタであり、電極板１６３と、電極板１６４とを有する。電極板１６３及び１６４は、配線基板１５１の内部に位置している。電極板１６３及び１６４は、所定の距離を空けて、互いに対向して配置されており、いわゆる平行平板電極を構成している。配線基板１５１の表面１０２を平面視した場合に、電極板１６３と電極板１６４とは、重複している。電極板１６３及び１６４はそれぞれ、インピーダンス素子Ｚの端子に相当し、配線の一部としても機能する。
　電極板１６３及び１６４はそれぞれ、配線基板１５１の内部に設けられた導電性のパターン電極である。電極板１６３及び１６４は、例えば、配線基板１５１の積層構造を形成する途中で、銀（Ａｇ）又は銅（Ｃｕ）などの金属薄膜を成膜し、所定形状にパターニングすることにより形成される。
　配線層１６１及び１６２は、配線基板１５１の内部に設けられた導電性のパターン配線である。本実施例では、配線層１６１及び１６２はそれぞれ、インピーダンス素子Ｚの電極板１６３及び１６４と同層に位置している。例えば、配線層１６１は、電極板１６３と同じ工程で形成され、配線層１６２は、電極板１６４と同じ工程で形成される。配線層１６１及び１６２はいずれも、表面１０２に平行な方向、すなわち、配線基板１５１の厚み方向（ｚ軸方向）に直交する方向に延びている。
　配線層１６１には、ビア１７１とインピーダンス素子Ｚとが接続されている。配線層１６１は、図５Ｂに示されるように、ビア１７１の上端部から電極板１６３に向かってｘ軸方向に沿って直線状に延びている。配線層１６１の上面視形状は、例えば長方形であるが、これに限らない。配線層１６１と電極板１６３とは一体的に構成されている。
　配線層１６２には、ビア１７２とインピーダンス素子Ｚとが接続されている。配線層１６２は、図５Ｂに示されるように、ビア１７２の上端部から電極板１６４に向かってｘ軸方向に沿って直線状に延びている。配線層１６２の上面視形状は、例えば長方形であるが、これに限らない。配線層１６２と電極板１６４とは一体的に構成されている。
　配線層１６２及び電極板１６４は、図５Ｂの（ｂ）及び（ｃ）に示されるように、配線基板１５１の厚み方向において、裏面１０３よりも表面１０２に近い位置に設けられている。例えば、配線層１６２及び電極板１６４の各々と表面１０２との距離、すなわち、ビア１７３の長さは、配線層１６１及び電極板１６３の各々と裏面１０３との距離、すなわち、ビア１７１の長さ以下である。あるいは、配線層１６２及び電極板１６４は、表面１０２よりも裏面１０３に近い位置に設けられていてもよい。
　ビア１７１、１７２及び１７３は、配線基板１５１の厚み方向に沿って延びる導電性部材である。本実施例では、ビア１７１及び１７２は、配線基板１５１の裏面１０３から表面１０２に向かって凹む凹部に埋め込まれている。ビア１７３は、配線基板１５１の表面１０２から裏面１０３に向かって凹む凹部に埋め込まれている。つまり、ビア１７１、１７２及び１７３は、配線基板１５１を貫通していない。ビア１７１、１７２及び１７３は、例えば、配線基板１５１にレーザなどで、貫通しない凹部を形成した後、銀（Ａｇ）又は銅（Ｃｕ）などの導電性材料（例えば、導電性ペースト）を充填することにより形成される。ビア１７１、１７２及び１７３の形成方法は、特に限定されない。また、本実施例では、ビア１７１、１７２及び１７３の各々の形状は、円柱状である例を示しているが、角柱状でもよく、特に限定されない。ビア１７１、１７２及び１７３は、例えば、断面積が同じであるが、異なっていてもよい。
　ビア１７１には、端子１１と配線層１６１とが接続されている。ビア１７１は、上面視において、配線層１６１及び端子１１に重複して設けられている。
　ビア１７２には、端子１２と配線層１６２とが接続されている。ビア１７２は、上面視において、配線層１６２及び端子１２に重複して設けられている。
　ビア１７３には、インピーダンス素子Ｚと並列腕共振子Ｐとが接続されている。ビア１７３は、上面視において、インピーダンス素子Ｚの電極板１６４と並列腕共振子Ｐの端子Ｐａとに重複して設けられている。なお、ビア１７３は、インピーダンス素子Ｚの代わりに、配線層１６２に接続されていてもよい。
　ここで、本実施例に係る高周波モジュール１５０に含まれる配線構造と、図１に示される高周波フィルタ１０に含まれる配線との対応関係について説明する。
　本実施例では、端子１１と端子１２とを結ぶ経路１３は、ビア１７１、配線層１６１、電極板１６３、電極板１６４、配線層１６２及びビア１７２によって構成されている。ノードＮは、電極板１６４とビア１７３との接続点である。また、経路１３から分岐した配線１４は、ビア１７３で構成されている。また、経路１３に含まれる配線１６は、ビア１７１と、配線層１６１と、電極板１６３とで構成されている。なお、電極板１６４は、インピーダンス素子ＺとノードＮとを接続する配線に相当している。
　グランド電極１５５は、グランド電極１０５に相当し、グランド電極１０５とは形状、大きさ及び配置が相違している。具体的には、グランド電極１５５は、図５Ａ及び図５Ｂに示されるように、配線基板１５１の内部に設けられ、配線基板１５１の厚み方向において電極板１６４と表面１０２との間に位置している。
　具体的には、グランド電極１５５は、上面視において電極板１６４と重なる位置に設けられている。つまり、グランド電極１５５は、上面視においてインピーダンス素子Ｚと重複している。例えば、上面視において、グランド電極１５５の一部と、電極板１６４の一部とが重複している。グランド電極１５５の上面視形状は、例えば長方形であるが、これに限らない。グランド電極１５５は、例えば、上面視において、配線層１６２に重複していてもよく、ビア１７２に重複していてもよい。なお、グランド電極１５５は、上面視において、並列腕共振子Ｐとは重複していないが、並列腕共振子Ｐに重複していてもよい。
　この構成により、グランド電極１５５と電極板１６４との間に、容量Ｃが発生する。なお、図５Ｂの（ａ）に示されるように、グランド電極１５５は、上面視において、配線１６に含まれるビア１７１及び配線層１６１とは重複していない。また、グランド電極１５５は、電極板１６３には重複しているが、図５Ｂの（ｃ）に示されるように、グランド電極１５５と電極板１６３との間に電極板１６４が設けられている。このため、グランド電極１５５と配線１６との間に発生する容量を小さくすることができる。
　以上の構成により、本実施例に係る高周波モジュール１５０では、ノードＮと並列腕共振子Ｐとを接続する配線１４とグランドとの間の容量Ｃは、配線１６とグランドとの間の容量よりも大きくなるので、図２で説明したように、高周波フィルタ１０の通過帯域端部の急峻性を簡単な構成で高めることができる。
　［実施例４］
　次に、実施例４に係る高周波モジュールについて、図６Ａ及び図６Ｂを用いて説明する。本実施例に係る高周波モジュールでは、実施例３に係る高周波モジュールと比較して、グランド電極が配線基板の厚み方向においてインピーダンス素子Ｚの下側に設けられている点が相違する。以下の説明では、実施例３との相違点を中心に説明し、共通点の説明を省略又は簡略化する。
　図６Ａは、本実施例に係る高周波モジュール１８０の斜視図である。図６Ｂは、本実施例に係る高周波モジュール１８０の三面図である。図６Ｂの（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、高周波モジュール１８０の上面図、正面図及び右側面図を表している。
　高周波モジュール１８０は、図６Ａ及び図６Ｂに示されるように、配線基板１８１と、グランド電極１８５とを備える。配線基板１８１は、内部に設けられたグランド電極１８５の位置が異なる点と、内部に設けられたインピーダンス素子Ｚの電極板１６４の代わりに電極板１８４を有する点とを除いて、実施例３に係る配線基板１５１と同じである。
　電極板１８４は、実施例３に係るインピーダンス素子Ｚの電極板１６４と比較して、その形状が異なっている。具体的には、電極板１８４は、上面視形状が長方形であり、電極板１６３よりも大きい。
　グランド電極１８５は、グランド電極１５５に相当し、グランド電極１５５とは形状、大きさ及び配置が相違している。具体的には、グランド電極１８５は、図６Ａ及び図６Ｂに示されるように、配線基板１８１の内部に設けられ、配線基板１８１の厚み方向において電極板１８４と裏面１０３との間に位置している。より具体的には、グランド電極１８５は、配線基板１８１の厚み方向において、電極板１８４と電極板１６３との間に位置している。例えば、グランド電極１８５は、配線基板１８１の厚み方向において、電極板１６３と電極板１８４との中央、又は、電極板１６３よりも電極板１８４に近い位置に位置していてもよい。
　グランド電極１８５は、上面視において電極板１８４と重なる位置に設けられている。つまり、グランド電極１８５は、上面視においてインピーダンス素子Ｚと重複している。例えば、上面視において、グランド電極１８５の一部と、電極板１８４の一部とが重複している。グランド電極１８５の上面視形状は、例えば長方形であるが、これに限らない。グランド電極１８５は、例えば、上面視において、配線層１６２に重複していてもよく、ビア１７３に重複していてもよい。なお、グランド電極１８５は、上面視において、並列腕共振子Ｐとは重複していないが、並列腕共振子Ｐに重複していてもよい。
　この構成により、グランド電極１８５と電極板１８４との間に、容量Ｃが発生する。なお、図６Ｂの（ａ）に示されるように、グランド電極１８５は、上面視において、配線１６に含まれるビア１７１及び配線層１６１とは重複していない。また、グランド電極１８５は、電極板１６３には重複していない。
　以上の構成により、本実施例に係る高周波モジュール１８０では、ノードＮと並列腕共振子Ｐとを接続する配線１４とグランドとの間の容量Ｃは、配線１６とグランドとの間の容量よりも大きくなるので、図２で説明したように、高周波フィルタ１０の通過帯域端部の急峻性を簡単な構成で高めることができる。
　［まとめ］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュールは、高周波フィルタを備える高周波モジュールであって、高周波フィルタは、入力端子と、出力端子と、入力端子と出力端子とを結ぶ経路上に直列配置された第１インピーダンス素子と、経路上のノードとグランドとの間に接続された弾性波共振子とを備える。第１インピーダンス素子は、キャパシタ又はインダクタである。ノードと弾性波共振子とを接続する第１配線と、グランドとの間の容量は、入力端子及び出力端子のうち第１インピーダンス素子との配線長が短い方の端子と第１インピーダンス素子とを接続する第２配線と、グランドとの間の容量よりも大きい。
　これにより、並列腕共振子Ｐに不要なインダクタ成分が発生したとしても、図２を用いて説明したように、第１配線とグランドとの間の容量Ｃを大きくすることで、減衰特性の急峻性を高めることができる。容量Ｃは、例えばグランド電極を第１配線の近傍に配置することで、簡単に大きくすることができる。したがって、フィルタの通過帯域端部の急峻性を簡単な構成で高めることができる高周波モジュールを実現することができる。
　また、例えば、高周波モジュールは、さらに、グランドに接続されたグランド電極と、互いに背向する第１面及び第２面を有する配線基板とを備える。弾性波共振子は、第１面に設けられ、入力端子及び出力端子は、第２面に設けられている。グランド電極は、第１面を平面視した場合に、第１配線、又は、第１インピーダンス素子とノードとを接続する配線に重複している。
　これにより、グランド電極を設けることで、簡単な構成で第１配線とグランドとの間の容量Ｃを大きくすることができる。また、入力端子と出力端子とを配線基板の同じ面に設けることができるので、高周波モジュールを他の回路基板などに容易に実装することができる。例えば、１回の実装で、入力端子及び出力端子の両方の接続を実現することができる。
　また、例えば、第１インピーダンス素子は、配線基板の内部で、かつ、第１面を平面視した場合に、弾性波共振子に重なる位置に設けられている。
　これにより、配線基板の表面に実装される素子数を減らすことができるので、レイアウトの自由度を高めることができる。
　また、例えば、グランド電極は、配線基板の内部において第１面と第１インピーダンス素子との間に設けられていてもよい。また、例えば、グランド電極は、配線基板の内部、又は、第２面に設けられていてもよい。
　このように、グランド電極の配置位置は特に限定されないので、配線基板内でのレイアウトの自由度を高めることができる。
　また、例えば、配線基板は、第１面に平行な方向に延びる１以上の配線層と、第１面に直交する方向に延びる１以上のビアとを有する。入力端子、出力端子、第１インピーダンス素子及び弾性波共振子はそれぞれ、１以上の配線層及び１以上のビアのうちの少なくとも１つに接続されている。ノードは、１以上の配線層のうちの一の配線層内での分岐点、又は、１以上の配線層のうちの一の配線層と１以上のビアのうちの一のビアとの接続点である。
　これにより、配線層又はビアの配置を調整することで、グランド電極との間に容易に所望の容量を得ることができる。つまり、各素子、各配線及びグランド電極のレイアウトを適切に設計することで、ノードＮと並列腕共振子Ｐとを接続する配線とグランドとの間の容量Ｃを簡単に大きくすることができ、フィルタの通過帯域端部の急峻性を高めることができる。
　また、例えば、第１配線の配線長は、第２配線の配線長よりも長い。
　これにより、第１配線を長くすることで、簡単に容量Ｃを大きくすることができる。
　なお、配線に生じるインダクタ成分又はキャパシタ成分は、配線幅によっても異なる。このため、配線幅が異なる配線が含まれる場合には、配線長は、配線幅によって正規化された値とみなすことができる。
　（実施の形態２）
　続いて、実施の形態２に係る高周波モジュールについて説明する。
　本実施の形態に係る高周波モジュールは、実施の形態１に係る高周波モジュールと比較して、高周波モジュールが備える高周波フィルタの回路構成が相違する。以下では、実施の形態１との相違点を中心に説明し、共通点の説明を省略又は簡略化する。
　図７は、本実施の形態に係る高周波モジュールが備える高周波フィルタ２０の回路構成図である。図７に示されるように、高周波フィルタ２０は、実施の形態１に係る高周波フィルタ１０と比較して、新たにインピーダンス素子Ｚ２を備える。高周波フィルタ２０は、例えばハイパスフィルタであるが、ローパスフィルタであってもよく、バンドパスフィルタ又はノッチフィルタであってもよい。
　なお、図７では、説明の都合上、インピーダンス素子Ｚの代わりにインピーダンス素子Ｚ１を示しているが、インピーダンス素子Ｚ１は、実施の形態１に係るインピーダンス素子Ｚと同じである。
　インピーダンス素子Ｚ２は、経路１３上に直列配置された第２インピーダンス素子の一例である。本実施の形態では、インピーダンス素子Ｚ１とインピーダンス素子Ｚ２との間にノードＮが位置している。
　インピーダンス素子Ｚ２は、キャパシタ又はインダクタである。インピーダンス素子Ｚ２は、インピーダンス素子Ｚ１と同種のインピーダンス素子である。すなわち、インピーダンス素子Ｚ１及びＺ２はいずれも、キャパシタである。あるいは、インピーダンス素子Ｚ１及びＺ２はいずれも、インダクタであってもよい。
　本実施の形態では、容量Ｃは、配線２６とグランドとの間の容量よりも大きい。配線２６は、端子１１及び１２のうちインピーダンス素子Ｚ２との配線長が短い方の端子とインピーダンス素子Ｚ２とを接続する第３配線の一例である。例えば、インピーダンス素子Ｚ２との配線長が短い方の端子は、端子１１及び１２のうち、インピーダンス素子Ｚ２との経路上にノードＮが設けられていない方の端子１２である。つまり、本実施の形態では、配線２６は、端子１２とインピーダンス素子Ｚ２とを接続する配線である。ここでは、インピーダンス素子Ｚ２との配線長が短い方の端子が、出力端子である端子１２である場合を説明するが、入力端子である端子１１であってもよい。
　以上の構成により、ノードＮと並列腕共振子Ｐとを接続する配線１４とグランドとの間の容量Ｃは、配線２６とグランドとの間の容量よりも大きくなるので、図２で説明した通りに、高周波フィルタ２０の通過帯域端部の急峻性を簡単な構成で高めることができる。
　また、容量Ｃは、実施の形態１と同様に、配線１６とグランドとの間の容量よりも大きい。つまり、本実施の形態では、容量Ｃは、配線１６とグランドとの間の容量、及び、配線２６とグランドとの間の容量のいずれよりも大きい。これにより、高周波フィルタ２０の通過帯域端部の急峻性を簡単な構成で高めることができる。
　以下では、本実施の形態に係る高周波フィルタ２０を備える高周波モジュールの具体的な実施例について説明する。なお、各実施例における素子、配線基板、配線層及びビアの配置及び形状は、一例に過ぎず、示した例に限定されるものではない。
　［実施例］
　本実施の形態の実施例に係る高周波モジュールについて、図８Ａ及び図８Ｂを用いて説明する。以下の説明では、実施の形態１の実施例１～４との相違点を中心に説明し、共通点の説明を省略又は簡略化する。
　図８Ａは、本実施例に係る高周波モジュール２００の斜視図である。図８Ｂは、本実施例に係る高周波モジュール２００の三面図である。図８Ｂの（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、高周波モジュール２００の上面図、正面図及び右側面図を表している。
　高周波モジュール２００は、図８Ａ及び図８Ｂに示されるように、配線基板２０１と、グランド電極２０５とを備える。
　配線基板２０１は、配線基板２０１が備える配線層の数及び形状が相違する点を除いて、実施の形態１の実施例１に係る配線基板１０１と同じである。配線基板２０１の表面１０２には、並列腕共振子Ｐ、インピーダンス素子Ｚ１及びＺ２が設けられている。
　本実施例では、図８Ａ及び図８Ｂに示されるように、配線基板２０１は、配線層１１１と、配線層２１２と、配線層２１３と、ビア１２１と、ビア１２２とを有する。配線層１１１、並びに、ビア１２１及び１２２は、実施の形態１の実施例１と同じである。
　配線層２１２及び２１３は、配線基板２０１の表面１０２に設けられた導電性のパターン配線である。配線層２１２及び２１３は、例えば、銀（Ａｇ）又は銅（Ｃｕ）などの金属薄膜を表面１０２に成膜し、所定形状にパターニングすることにより形成される。配線層２１２及び２１３はいずれも、表面１０２に平行な方向、すなわち、配線基板２０１の厚み方向（ｚ軸方向）に直交する方向に延びている。配線層２１２及び２１３の幅及び膜厚は、例えば同じであるが、異なっていてもよい。
　配線層２１２には、インピーダンス素子Ｚ１と並列腕共振子Ｐとインピーダンス素子Ｚ２とが接続されている。配線層２１２は、図８Ａ及び図８Ｂの（ａ）に示されるように、第１配線部２１２ａと、第２配線部２１２ｂとを有する。第１配線部２１２ａと第２配線部２１２ｂとの接続部分は、配線層２１２の分岐点であり、ノードＮに相当する。
　第１配線部２１２ａには、インピーダンス素子Ｚ１と並列腕共振子Ｐとが接続されている。第１配線部２１２ａは、インピーダンス素子Ｚ１の一端から並列腕共振子Ｐの端子Ｐａまでｙ軸方向に沿って直線状に延びている。
　第２配線部２１２ｂには、インピーダンス素子Ｚ１とインピーダンス素子Ｚ２とが接続されている。第２配線部２１２ｂは、インピーダンス素子Ｚ１の一端からインピーダンス素子Ｚ２の一端までｘ軸方向に沿って直線状に延びている。
　配線層２１２の上面視形状は、例えば、Ｌ字状であるが、これに限らない。例えば、配線層２１２の上面視形状は、Ｖ字状であってもよい。
　配線層２１３には、インピーダンス素子Ｚ２とビア１２２とが接続されている。配線層２１３は、図８Ａ及び図８Ｂの（ａ）に示されるように、インピーダンス素子Ｚ２の他端からビア１２２の上端部までｙ軸方向に沿って直線状に延びている。配線層２１３の上面視形状は、例えば長方形であるが、これに限らない。
　ここで、本実施例に係る高周波モジュール２００に含まれる配線構造と、図７に示される高周波フィルタ２０に含まれる配線との対応関係について説明する。
　本実施例では、端子１１と端子１２とを結ぶ経路１３は、ビア１２１、配線層１１１、配線層２１２の第２配線部２１２ｂ、配線層２１３及びビア１２２によって構成されている。経路１３には、図７に示されるように、配線１６、ノードＮ及び配線２６が含まれている。ノードＮは、配線層２１２の分岐点であり、第１配線部２１２ａと第２配線部２１２ｂとの接続部分に相当する。また、経路１３からノードＮで分岐した配線１４は、配線層２１２の第１配線部２１２ａで構成されている。配線１６は、実施の形態１の実施例１と同様である。また、配線２６は、配線層２１３とビア１２２とで構成されている。
　グランド電極２０５は、実施の形態１の実施例１に係るグランド電極１０５と同様である。本実施例では、グランド電極２０５は、上面視において、第１配線部２１２ａに重複している。これにより、第１配線部２１２ａとグランド電極２０５との間に、容量Ｃが発生する。
　グランド電極２０５は、上面視において、配線層１１１及び２１３のいずれにも重複していない。このため、グランド電極２０５と配線層１１１及び２１３の各々との間に生じる容量は、容量Ｃよりも小さくなる。これにより、配線１４とグランドとの間の容量Ｃは、配線１６とグランドとの間の容量、及び、配線２６とグランドとの間の容量のいずれよりも大きくなる。
　以上の構成により、本実施例に係る高周波モジュール２００では、ノードＮと並列腕共振子Ｐとを接続する配線１４とグランドとの間の容量Ｃは、配線１６とグランドとの間の容量、及び、配線２６とグランドとの間の容量のいずれよりも大きくなるので、図２で説明したように、高周波フィルタ２０の通過帯域端部の急峻性を簡単な構成で高めることができる。
　［まとめ］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュールは、さらに、端子１１と端子１２とを結ぶ経路上に直列配置された第２インピーダンス素子を備える。ノードは、第１インピーダンス素子と第２インピーダンス素子との間に位置する。
　これにより、複数のインピーダンス素子を備えることで、様々な通過特性を有する高周波フィルタを実現することができる。例えば、高周波フィルタとして、ハイパスフィルタ、ローパスフィルタ、バンドパスフィルタ、ノッチフィルタなどを容易に実現することができる。
　また、例えば、第１配線とグランドとの間の容量は、入力端子及び出力端子のうち第２インピーダンス素子との配線長が短い方の端子と第２インピーダンス素子とを接続する第３配線と、グランドとの間の容量よりも大きい。
　これにより、高周波フィルタの通過帯域端部の急峻性を更に高めることができる。
　（実施の形態３）
　続いて、実施の形態３に係る高周波モジュールについて説明する。
　本実施の形態に係る高周波モジュールは、実施の形態２に係る高周波モジュールと比較して、複数の高周波フィルタを有するマルチプレクサを備える点が相違する。複数の高周波フィルタの少なくとも１つは、実施の形態１又は２に係る高周波フィルタ１０又は２０である。以下では、実施の形態２との相違点を中心に説明し、共通点の説明を省略又は簡略化する。
　図９は、本実施の形態に係る高周波モジュールが備えるマルチプレクサ３０の回路構成図である。図９に示されるように、マルチプレクサ３０は、高周波フィルタ２０ａと、高周波フィルタ２０ｂとを備えるダイプレクサである。
　高周波フィルタ２０ａは、マルチプレクサ３０が有する複数のフィルタに含まれる第１フィルタの一例である。本実施の形態では、高周波フィルタ２０ａは、実施の形態２に係る高周波フィルタ２０と同じ構成を有する。
　具体的には、高周波フィルタ２０ａは、端子１１ａと、端子１２ａと、インピーダンス素子Ｚ１１と、インピーダンス素子Ｚ１２と、並列腕共振子Ｐ１とを備える。端子１１ａ、端子１２ａ、インピーダンス素子Ｚ１１、インピーダンス素子Ｚ１２及び並列腕共振子Ｐ１はそれぞれ、実施の形態２に係る高周波フィルタ２０の端子１１、端子１２、インピーダンス素子Ｚ１、インピーダンス素子Ｚ２及び並列腕共振子Ｐに相当する。経路１３ａ、配線１４ａ、１６ａ及び２６ａ、並びに、ノードＮ１はそれぞれ、経路１３、配線１４、１６及び２６、並びに、ノードＮに相当する。
　また、配線１４ａとグランドとの間の容量Ｃ１は、配線１４とグランドとの間の容量Ｃに相当する。容量Ｃ１は、実施の形態２と同様に、配線１６ａとグランドとの間の容量よりも大きい。また、容量Ｃ１は、配線２６ａとグランドとの間の容量よりも大きくてもよい。これにより、ノードＮ１と並列腕共振子Ｐ１とを接続する配線１４ａとグランドとの間の容量Ｃ１が大きくなるので、高周波フィルタ２０ａの通過帯域端部の急峻性を簡単な構成で高めることができる。
　高周波フィルタ２０ｂは、マルチプレクサ３０が有する複数のフィルタに含まれる第２フィルタの一例である。本実施の形態では、高周波フィルタ２０ｂは、実施の形態２に係る高周波フィルタ２０と同じ構成を有する。
　具体的には、高周波フィルタ２０ｂは、端子１１ｂと、端子１２ｂと、インピーダンス素子Ｚ２１と、インピーダンス素子Ｚ２２と、並列腕共振子Ｐ２とを備える。端子１１ｂ、端子１２ｂ、インピーダンス素子Ｚ２１、インピーダンス素子Ｚ２２及び並列腕共振子Ｐ２はそれぞれ、実施の形態２に係る高周波フィルタ２０の端子１１、端子１２、インピーダンス素子Ｚ１、インピーダンス素子Ｚ２及び並列腕共振子Ｐに相当する。経路１３ｂ、配線１４ｂ、１６ｂ及び２６ｂ、並びに、ノードＮ２はそれぞれ、経路１３、配線１４、１６及び２６、並びに、ノードＮに相当する。
　また、配線１４ｂとグランドとの間の容量Ｃ２は、配線１４とグランドとの間の容量Ｃに相当する。容量Ｃ２は、実施の形態２と同様に、配線１６ｂとグランドとの間の容量よりも大きい。また、容量Ｃ２は、配線２６ｂとグランドとの間の容量よりも大きくてもよい。これにより、ノードＮ２と並列腕共振子Ｐ２とを接続する配線１４ｂとグランドとの間の容量Ｃ２が大きくなるので、高周波フィルタ２０ｂの通過帯域端部の急峻性を簡単な構成で高めることができる。
　本実施の形態では、高周波フィルタ２０ａが備える端子１１ａと、高周波フィルタ２０ｂが備える端子１１ｂとは、共通接続されている。つまり、高周波フィルタ２０ａと高周波フィルタ２０ｂとは、入力端子が共通である。なお、「共通接続される」とは、２つのフィルタの端子が直接的に接続されることを意味するだけでなく、インダクタ又はキャパシタなどの他のインピーダンス素子を介して間接的に接続されることも意味する。ここでは、端子１１ａ及び１１ｂが共通端子を構成している。
　以上の構成により、通過帯域端部の急峻性が高められたフィルタを有するマルチプレクサ３０を備える高周波モジュールを実現することができる。
　以下では、本実施の形態に係るマルチプレクサ３０を備える高周波モジュールの具体的な実施例について説明する。なお、各実施例における素子、配線基板、配線層及びビアの配置及び形状は、一例に過ぎず、示した例に限定されるものではない。
　［実施例１］
　まず、実施例１に係る高周波モジュールについて、図１０Ａ及び図１０Ｂを用いて説明する。以下の説明では、実施の形態２の実施例との相違点を中心に説明し、共通点の説明を省略又は簡略化する。
　図１０Ａは、本実施例に係る高周波モジュール３００の斜視図である。図１０Ｂは、本実施例に係る高周波モジュール３００の三面図である。図１０Ｂの（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、高周波モジュール３００の上面図、正面図及び右側面図を表している。
　高周波モジュール３００は、図１０Ａ及び図１０Ｂに示されるように、配線基板３０１と、グランド電極３０５とを備える。
　配線基板３０１は、配線基板３０１が備える配線層及びビアの数及び形状が相違する点を除いて、実施の形態２の実施例に係る配線基板２０１と同じである。配線基板３０１の表面１０２には、インピーダンス素子Ｚ１１、インピーダンス素子Ｚ１２、インピーダンス素子Ｚ２１及びインピーダンス素子Ｚ２２、並びに、並列腕共振子Ｐ１及びＰ２が設けられている。
　本実施例では、配線基板３０１は、図１０Ａ及び図１０Ｂに示されるように、配線層３１１と、配線層３１２と、配線層３１３と、配線層３１４と、配線層３１５と、ビア３２１と、ビア３２２と、ビア３２３とを有する。
　配線層３１１、３１２、３１３、３１４及び３１５はそれぞれ、配線基板３０１の表面１０２に設けられた導電性のパターン配線である。配線層３１１、３１２、３１３、３１４及び３１５は、例えば、銀（Ａｇ）又は銅（Ｃｕ）などの金属薄膜を表面１０２に成膜し、所定形状にパターニングすることにより形成される。配線層３１１、３１２、３１３、３１４及び３１５はいずれも、表面１０２に平行な方向、すなわち、配線基板３０１の厚み方向（ｚ軸方向）に直交する方向に延びている。配線層３１１、３１２、３１３、３１４及び３１５の幅及び膜厚は、例えば同じであるが、異なっていてもよい。
　配線層３１１には、ビア３２１とインピーダンス素子Ｚ１１とインピーダンス素子Ｚ２１とが接続されている。配線層３１１は、図１０Ａ及び図１０Ｂの（ａ）に示されるように、ビア３２１の上端部から、インピーダンス素子Ｚ１１の一端及びインピーダンス素子Ｚ２１の一端の両方までｙ軸方向に沿って直線状に延びている。配線層３１１の上面視形状は、例えば長方形であるが、これに限らない。
　配線層３１２には、インピーダンス素子Ｚ１１と並列腕共振子Ｐ１とインピーダンス素子Ｚ１２とが接続されている。配線層３１２は、図１０Ａ及び図１０Ｂの（ａ）に示されるように、第１配線部３１２ａと、第２配線部３１２ｂとを有する。第１配線部３１２ａと第２配線部３１２ｂとの接続部分は、配線層３１２の折れ曲がり点であり、ノードＮ１に相当する。
　第１配線部３１２ａには、インピーダンス素子Ｚ１１と並列腕共振子Ｐ１とが接続されている。第１配線部３１２ａは、インピーダンス素子Ｚ１１の他端から並列腕共振子Ｐ１の端子Ｐａ１までｘ軸方向に沿って直線状に延びている。
　第２配線部３１２ｂには、インピーダンス素子Ｚ１２と並列腕共振子Ｐ１とが接続されている。第２配線部３１２ｂは、インピーダンス素子Ｚ１２の一端から並列腕共振子Ｐ１の端子Ｐａ１までｙ軸方向に沿って直線状に延びている。
　本実施例では、第１配線部３１２ａと第２配線部３１２ｂとは、上面視において垂直に接続されている。つまり、配線層３１２の上面視形状は、例えば、Ｌ字状である。例えば、配線層３１２の上面視形状は、Ｖ字状又は直線状であってもよい。
　配線層３１３には、インピーダンス素子Ｚ１２とビア３２２とが接続されている。配線層３１３は、インピーダンス素子Ｚ１２の他端からビア３２２の上端部までｘ軸方向に沿って直線状に延びている。
　配線層３１４には、インピーダンス素子Ｚ２１と並列腕共振子Ｐ２とインピーダンス素子Ｚ２２とが接続されている。配線層３１４は、図１０Ａ及び図１０Ｂの（ａ）に示されるように、第１配線部３１４ａと、第２配線部３１４ｂとを有する。第１配線部３１４ａと第２配線部３１４ｂとの接続部分は、配線層３１４の分岐点であり、ノードＮ２に相当する。
　第１配線部３１４ａには、インピーダンス素子Ｚ２１と並列腕共振子Ｐ２とが接続されている。第１配線部３１４ａは、インピーダンス素子Ｚ２１の他端から並列腕共振子Ｐ２の端子Ｐａ２までｘ軸方向に沿って直線状に延びている。
　第２配線部３１４ｂには、インピーダンス素子Ｚ２２と並列腕共振子Ｐ２とが接続されている。第２配線部３１４ｂは、インピーダンス素子Ｚ２２の一端から並列腕共振子Ｐ２の端子Ｐａ２までｙ軸方向に沿って直線状に延びている。
　配線層３１５には、インピーダンス素子Ｚ２２とビア３２３とが接続されている。配線層３１５は、インピーダンス素子Ｚ２２の他端からビア３２３の上端部までｘ軸方向に沿って直線状に延びている。
　配線層３１３及び３１５は、設けられていなくてもよい。例えば、ビア３２２は、インピーダンス素子Ｚ１２の他端の直下方向に位置しており、当該他端と直接接続されていてもよい。同様に、ビア３２３は、インピーダンス素子Ｚ２２の他端の直下方向に位置しており、当該他端と直接接続されていてもよい。
　ビア３２１、３２２及び３２３は、配線基板３０１の厚み方向に沿って延びる導電性部材である。本実施例では、ビア３２１、３２２及び３２３は、配線基板３０１の表面１０２から裏面１０３までを貫通している。ビア３２１、３２２及び３２３は、実施の形態１のビア１２１と形成方法、形状及び大きさなどが同じである。
　ビア３２１には、端子１１ａ（すなわち、端子１１ｂ）と配線層３１１とが接続されている。ビア３２１は、上面視において、配線層３１１及び端子１１ａの両方に重複して設けられている。
　ビア３２２には、端子１２ａと配線層３１３とが接続されている。ビア３２２は、上面視において、配線層３１３及び端子１２ａの両方に重複して設けられている。
　ビア３２３には、端子１２ｂと配線層３１５とが接続されている。ビア３２３は、上面視において、配線層３１５及び端子１２ｂの両方に重複して設けられている。
　本実施例では、高周波モジュール３００に含まれる素子、端子、配線層及びビアは、図１０Ｂの（ａ）に示されるように、線対称に配置されている。線対称の軸は、ビア３２１の中心を通り、ｘ軸方向に平行な軸である。これにより、高周波フィルタ２０ａに含まれる配線及び素子と、高周波フィルタ２０ｂに含まれる配線と素子とを離れて配置させることができるので、高周波フィルタ２０ａと高周波フィルタ２０ｂとで、配線間又は素子間などの結合を抑制することができる。
　ここで、本実施例に係る高周波モジュール３００に含まれる配線構造と、図９に示されるマルチプレクサ３０に含まれる配線との対応関係について説明する。
　本実施例では、共通端子である端子１１ａ（端子１１ｂ）と端子１２ａとを結ぶ経路１３ａは、ビア３２１、配線層３１１の一部、配線層３１２、配線層３１３及びビア３２２によって構成されている。経路１３ａには、図９に示されるように、配線１６ａ、ノードＮ１及び配線２６ａが含まれている。ノードＮ１は、配線層３１２の折れ曲がり点であり、第１配線部３１２ａと第２配線部３１２ｂとの接続部分に相当する。また、経路１３ａからノードＮ１で分岐した配線１４ａは、並列腕共振子Ｐ１の端子Ｐａ１に相当している。また、経路１３ａに含まれる配線１６ａは、ビア３２１と配線層３１１の一部とで構成されている。具体的には、配線１６ａを構成する配線層３１１の一部とは、配線層３１１の、ビア３２１との接続部分からインピーダンス素子Ｚ１１の一端との接続部分までである。また、配線２６ａは、配線層３１３とビア３２２とで構成されている。
　同様に、共通端子である端子１１ｂ（端子１１ａ）と端子１２ｂとを結ぶ経路１３ｂは、ビア３２１、配線層３１１の一部、配線層３１４、配線層３１５及びビア３２３によって構成されている。経路１３ｂには、図９に示されるように、配線１６ｂ、ノードＮ２及び配線２６ｂが含まれている。ノードＮ２は、配線層３１４の折れ曲がり点であり、第１配線部３１４ａと第２配線部３１４ｂとの接続部分に相当する。また、経路１３ｂからノードＮ２で分岐した配線１４ｂは、並列腕共振子Ｐ２の端子Ｐａ２に相当している。また、経路１３ｂに含まれる配線１６ｂは、ビア３２１と配線層３１１の一部とで構成されている。具体的には、配線１６ｂを構成する配線層３１１の一部とは、配線層３１１の、ビア３２１との接続部分からインピーダンス素子Ｚ２１の一端との接続部分までである。また、配線２６ｂは、配線層３１５とビア３２３とで構成されている。
　グランド電極３０５は、実施の形態２の実施例に係るグランド電極２０５に相当し、グランド電極２０５とは、形状、大きさ及び配置が相違している。具体的には、グランド電極３０５は、図１０Ａ及び図１０Ｂに示されるように、グランド電極２０５よりもｙ軸方向に沿って長尺な形状を有する。より具体的には、グランド電極３０５は、上面視において、第２配線部３１２ｂと第２配線部３１４ｂとの両方に重複している。
　例えば、グランド電極３０５は、上面視において、第２配線部３１２ｂとインピーダンス素子Ｚ１２との接続部分から、第２配線部３１４ｂとインピーダンス素子Ｚ２２との接続部分までに亘って連続して設けられている。グランド電極３０５は、配線基板３０１の内部では分離されておらず、１枚の電極板で構成されており、並列腕共振子Ｐ１の端子Ｐａ１（配線１４ａ）の直下方向、及び、並列腕共振子Ｐ２の端子Ｐａ２（配線１４ｂ）の直下方向に位置している。グランド電極３０５は、高周波フィルタ２０ａの配線１４ａに発生させる容量Ｃ１と、高周波フィルタ２０ｂの配線１４ｂに発生させる容量Ｃ２とに共通するグランド電極として機能する。
　グランド電極３０５は、例えば、配線基板３０１の厚み方向において、裏面１０３よりも表面１０２に近い位置に設けられている。グランド電極３０５と配線層３１２及び３１４との距離が短い程、容量Ｃ１及びＣ２を大きくすることができる。例えば、グランド電極３０５は、例えば、配線１４ａを構成する端子Ｐａ１との距離が、配線１６ａに含まれる配線層３１１との距離よりも近くなる位置に設けられている。
　グランド電極３０５は、上面視において、配線層３１１、３１３及び３１５には重複していない。グランド電極３０５は、例えば、ビア３２１、３２２及び３２３からの距離（ｘ軸方向における距離）が互いに等しくなる位置に設けられている。具体的には、グランド電極３０５は、配線基板３０１のｘ軸方向における中央に位置している。また、グランド電極３０５は、上面視において、端子１１ａ（端子１１ｂ）、１２ａ及び１２ｂのいずれにも重複していない。
　本実施例では、共通入力端子である端子１１ａ（すなわち、端子１１ｂ）及びビア３２１を通る線を対称の軸として、各配線層及び各ビアは対称な形状で、対称に配置されている。また、同じ対称の軸によって、グランド電極３０５も線対称な形状で、対称に配置されている。
　以上の構成により、本実施例に係る高周波モジュール３００では、ノードＮ１と並列腕共振子Ｐ１とを接続する配線１４ａとグランドとの間の容量Ｃ１は、配線１６ａとグランドとの間の容量、及び、配線２６ａとグランドとの間の容量のいずれよりも大きくなるので、図２で説明したように、高周波フィルタ２０ａの通過帯域端部の急峻性を簡単な構成で高めることができる。同様に、高周波フィルタ２０ｂの通過帯域端部の急峻性を簡単な構成で高めることができる。したがって、フィルタの通過帯域端部の急峻性が高められた高周波フィルタ２０ａ及び２０ｂを有するマルチプレクサを備える高周波モジュール３００を実現することができる。
　［実施例２］
　次に、実施例２に係る高周波モジュールについて、図１１Ａ及び図１１Ｂを用いて説明する。本実施例に係る高周波モジュールでは、実施例１に係る高周波モジュールと比較して、インピーダンス素子Ｚ１１、Ｚ１２、Ｚ２１及びＺ２２、並びに、配線構造が配線基板の内部に設けられている点が相違する。以下の説明では、実施例１との相違点を中心に説明し、共通点の説明を省略又は簡略化する。
　図１１Ａは、本実施例に係る高周波モジュール３３０の斜視図である。図１１Ｂは、本実施例に係る高周波モジュール３３０の三面図である。図１１Ｂの（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、高周波モジュール３３０の上面図、正面図及び右側面図を表している。
　高周波モジュール３３０は、図１１Ａ及び図１１Ｂに示されるように、配線基板３３１と、グランド電極３３５とを備える。
　配線基板３３１は、配線基板３３１が備える配線層及びビアの数及び形状が相違する点、並びに、インピーダンス素子Ｚ１１、Ｚ１２、Ｚ２１及びＺ２２が内部に設けられている点を除いて、配線基板３０１と同じである。本実施例では、配線基板３３１は、図１１Ａ及び図１１Ｂに示されるように、配線層３４１と、配線層３４２と、ビア３５１と、ビア３５２と、ビア３５３と、ビア３５４と、ビア３５５とを有する。
　本実施例では、インピーダンス素子Ｚ１１、Ｚ１２、Ｚ２１及びＺ２２はいずれも、キャパシタである。インピーダンス素子Ｚ１１は、電極板３９１と、電極板３９２とを有する。インピーダンス素子Ｚ１２は、電極板３９２と、電極板３９３とを有する。
　インピーダンス素子Ｚ１１とインピーダンス素子Ｚ１２とは、電極板３９２を共有している。上面視において、電極板３９２の、電極板３９１に重複する部分と電極板３９１とでインピーダンス素子Ｚ１１が構成されている。また、電極板３９２の、電極板３９３に重複する部分と電極板３９３とでインピーダンス素子Ｚ１２が構成されている。例えば、電極板３９２と、電極板３９１及び３９３の各々とは、所定の距離を空けて、互いに対向して配置されている。電極板３９１及び３９３は、例えば、配線基板３３１内において同層に位置している。電極板３９１と電極板３９３とは、分離しており、互いに接続されていない。なお、電極板３９１と電極板３９３とは、互いに異なる層に位置していてもよい。
　電極板３９１及び電極板３９２はそれぞれ、インピーダンス素子Ｚ１１の端子に相当し、配線の一部としても機能する。電極板３９２及び電極板３９３はそれぞれ、インピーダンス素子Ｚ１２の端子に相当し、配線の一部としても機能する。
　インピーダンス素子Ｚ２１は、電極板３９４と、電極板３９５とを有する。インピーダンス素子Ｚ２２は、電極板３９５と、電極板３９６とを有する。
　インピーダンス素子Ｚ２１とインピーダンス素子Ｚ２２とは、電極板３９５を共有している。上面視において、電極板３９５の、電極板３９４に重複する部分と電極板３９４とでインピーダンス素子Ｚ２１が構成されている。また、電極板３９５の、電極板３９６に重複する部分と電極板３９６とでインピーダンス素子Ｚ２２が構成されている。例えば、電極板３９５と、電極板３９４及び３９６の各々とは、所定の距離を空けて、互いに対向して配置されている。電極板３９４及び３９６は、例えば、配線基板３３１内において同層に位置している。電極板３９４と電極板３９６とは、分離しており、互いに接続されていない。なお、電極板３９４と電極板３９６とは、互いに異なる層に位置していてもよい。
　電極板３９４及び３９５はそれぞれ、インピーダンス素子Ｚ２１の端子に相当し、配線の一部としても機能する。電極板３９５及び３９６はそれぞれ、インピーダンス素子Ｚ２２の端子に相当し、配線の一部としても機能する。
　なお、電極板３９２の、電極板３９１及び３９３のいずれにも重複しない部分は、電極板３９１及び３９３の幅よりも短くてもよく、例えば配線層３４１と同じ幅であってもよい。電極板３９５の、電極板３９４及び３９６のいずれにも重複しない部分は、電極板３９４及び３９６の幅よりも短くてもよく、例えば配線層３４１と同じ幅であってもよい。
　本実施例では、電極板３９２及び３９５は、配線基板３３１の厚み方向において、裏面１０３よりも表面１０２に近い位置に設けられている。例えば、電極板３９２及び３９５の各々と表面１０２との距離、すなわち、ビア３５４及び３５５の各々の長さは、電極板３９１、３９３、３９４及び３９６の各々と裏面１０３との距離、すなわち、ビア３５１、３５２及び３５３の各々の長さよりも短い。あるいは、電極板３９２及び３９５は、配線基板３３１の厚み方向において、表面１０２よりも裏面１０３に近い位置に設けられていてもよい。
　配線層３４１及び３４２はそれぞれ、配線基板３３１の内部に設けられた導電性のパターン配線である。配線層３４１及び３４２は、例えば、配線基板３３１の積層構造を形成する途中で、銀（Ａｇ）又は銅（Ｃｕ）などの金属薄膜を成膜し、所定形状にパターニングすることにより形成される。
　配線層３４１には、ビア３５１とインピーダンス素子Ｚ１１とが接続されている。配線層３４１は、図１１Ａ及び図１１Ｂの（ａ）に示されるように、ビア３５１の上端部から、インピーダンス素子Ｚ１１の電極板３９１まで直線状に延びている。配線層３４１の上面視形状は、例えば平行四辺形であるが、これに限らない。
　配線層３４２には、ビア３５１とインピーダンス素子Ｚ２１とが接続されている。配線層３４２は、図１１Ａ及び図１１Ｂの（ａ）に示されるように、ビア３５１の上端部から、インピーダンス素子Ｚ２１の電極板３９４まで直線状に延びている。配線層３４２の上面視形状は、例えば平行四辺形であるが、これに限らない。
　ビア３５１、３５２、３５３、３５４及びビア３５５は、配線基板３３１の厚み方向に沿って延びる導電性部材である。本実施例では、ビア３５１、３５２及び３５３は、配線基板３３１の裏面１０３から表面１０２に向かって凹む凹部に埋め込まれている。ビア３５４及び３５５は、配線基板３３１の表面１０２から裏面１０３に向かって凹む凹部に埋め込まれている。つまり、ビア３５１、３５２、３５３、３５４及び３５５は、配線基板３３１を貫通していない。ビア３５１、３５２及び３５３は、例えば、実施の形態１の実施例３に係るビア１７１と形成方法、形状及び大きさなどが同じである。ビア３５４及び３５５は、例えば、実施の形態１の実施例３に係るビア１７３と形成方法、形状及び大きさなどが同じである。
　ビア３５１には、端子１１ａ（端子１１ｂ）と配線層３４１及び３４２とが接続されている。ビア３５１は、上面視において、配線層３４１及び３４２並びに端子１１ａの両方に重複して設けられている。
　ビア３５２には、端子１２ａと電極板３９３とが接続されている。ビア３５２は、上面視において、電極板３９３及び端子１２ａの両方に重複して設けられている。
　ビア３５３には、端子１２ｂと電極板３９６とが接続されている。ビア３５３は、上面視において、電極板３９６及び端子１２ｂの両方に重複して設けられている。
　本実施例では、高周波モジュール３３０に含まれる素子、端子、配線層及びビアは、図１１Ｂの（ａ）に示されるように、線対称に配置されている。線対称の軸は、ビア３５１の中心を通り、ｘ軸方向に平行な軸である。これにより、高周波フィルタ２０ａと高周波フィルタ２０ｂとで、配線間又は素子間などの結合を抑制することができる。
　ここで、本実施例に係る高周波モジュール３３０に含まれる配線構造と、図９に示されるマルチプレクサ３０に含まれる配線との対応関係について説明する。
　本実施例では、共通端子である端子１１ａ（端子１１ｂ）と端子１２ａとを結ぶ経路１３ａは、ビア３５１、配線層３４１、電極板３９１、電極板３９２、電極板３９３及びビア３５２によって構成されている。ノードＮ１は、電極板３９２とビア３５４との接続部分に相当する。また、経路１３ａからノードＮ１で分岐した配線１４ａは、ビア３５４で構成されている。また、経路１３ａに含まれる配線１６ａは、ビア３５１と配線層３４１とで構成されている。配線２６ａは、ビア３５２で構成されている。
　なお、電極板３９２は、インピーダンス素子Ｚ１１とインピーダンス素子Ｚ１２とを接続する配線に相当する。つまり、電極板３９２は、インピーダンス素子Ｚ１１とノードＮ１とを接続する配線、及び、インピーダンス素子Ｚ１２とノードＮ１とを接続する配線に相当する。同様に、電極板３９５は、インピーダンス素子Ｚ２１とインピーダンス素子Ｚ２２とを接続する配線に相当する。つまり、電極板３９５は、インピーダンス素子Ｚ２１とノードＮ２とを接続する配線、及び、インピーダンス素子Ｚ２２とノードＮ２とを接続する配線に相当する。
　グランド電極３３５は、実施例１に係るグランド電極３０５に相当し、グランド電極３０５とは、形状、大きさ及び配置が相違している。具体的には、グランド電極３３５は、図１１Ａ及び図１１Ｂに示されるように、配線基板３３１の内部に設けられ、配線基板３３１の厚み方向において電極板３９２及び３９５と表面１０２との間に位置している。
　具体的には、グランド電極３３５は、上面視において電極板３９２と重なる位置に設けられている。つまり、グランド電極３３５は、上面視においてインピーダンス素子Ｚ１１及びＺ１２の各々と重複している。さらに、グランド電極３３５は、上面視において電極板３９５と重なる位置に設けられている。つまり、グランド電極３３５は、上面視においてインピーダンス素子Ｚ２１及びＺ２２の各々と重複している。例えば、上面視において、グランド電極３３５の一部と、電極板３９２の一部及び電極板３９５の一部とが重複している。グランド電極３３５の上面視形状は、例えば長方形であるが、これに限らない。
　例えば、グランド電極３３５は、上面視において、電極板３９２の一部から電極板３９５の一部までに亘って連続して設けられている。グランド電極３３５は、配線基板３３１の内部では分離されておらず、１枚の電極板で構成されている。グランド電極３３５は、高周波フィルタ２０ａの配線１４ａに発生させる容量Ｃ１と、高周波フィルタ２０ｂの配線１４ｂに発生させる容量Ｃ２とに共通するグランド電極として機能する。
　この構成により、グランド電極３３５と電極板３９２との間に、容量Ｃ１が発生する。同様に、グランド電極３３５と電極板３９５との間に、容量Ｃ２が発生する。なお、図１１Ｂの（ａ）に示されるように、グランド電極３３５は、上面視において、配線１６ａ及び１６ｂに含まれるビア３５１、配線層３４１及び３４２には重複していない。また、グランド電極３３５は、電極板３９１、３９３、３９４及び３９６には重複しているが、図１１Ｂの（ｃ）に示されるように、グランド電極３３５と電極板３９１、３９３、３９４及び３９６との間には、電極板３９２又は３９５が設けられている。このため、グランド電極３３５と配線１６ａ、１６ｂ、２６ａ及び２６ｂの各々との間に発生する容量を小さくすることができる。
　以上の構成により、本実施例に係る高周波モジュール３３０では、ノードＮ１と並列腕共振子Ｐ１とを接続する配線１４ａとグランドとの間の容量Ｃ１は、配線１６ａとグランドとの間の容量、及び、配線２６ａとグランドとの間の容量のいずれよりも大きくなるので、図２で説明したように、高周波フィルタ２０ａの通過帯域端部の急峻性を簡単な構成で高めることができる。同様に、高周波フィルタ２０ｂの通過帯域端部の急峻性を簡単な構成で高めることができる。したがって、フィルタの通過帯域端部の急峻性が高められた高周波フィルタ２０ａ及び２０ｂを有するマルチプレクサを備える高周波モジュール３３０を実現することができる。
　［まとめ］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュールは、上述した高周波フィルタである第１フィルタを含む複数のフィルタを有するマルチプレクサを備える。
　これにより、フィルタ特性の劣化が抑制された高周波フィルタを有するマルチプレクサを備える高周波モジュールを実現することができる。
　また、例えば、複数のフィルタは、さらに、上述した高周波フィルタである第２フィルタを含み、マルチプレクサは、第１フィルタが備える入力端子又は出力端子と第２フィルタが備える入力端子又は出力端子とが、共通接続された共通端子を有する。
　これにより、フィルタ特性の劣化が抑制された複数の高周波フィルタを有するマルチプレクサを備える高周波モジュールを実現することができる。
　なお、本実施の形態では、高周波フィルタ２０ａ及び高周波フィルタ２０ｂの双方が、実施の形態２に係る高周波フィルタ２０である例を示したが、少なくとも一方は、実施の形態１に係る高周波フィルタ１０であってもよい。また、例えば、高周波フィルタ２０ａ及び高周波フィルタ２０ｂの一方のみが、高周波フィルタ１０又は高周波フィルタ２０であってもよい。
　また、複数のフィルタの各々に対応する複数の周波数帯域は、例えば、ＬＴＥ（Long Term Evolution：４Ｇ）のＢａｎｄであってもよく、ＮＲ（New Radio：５Ｇ）のＢａｎｄであってもよい。ＮＲのＢａｎｄとして、例えば、ｓｕｂ　６ＧＨｚ（ｎ７７（３．３－４．２ＧＨｚ）、ｎ７８（３．３－３．８ＧＨｚ）、ｎ７９（４．４－５．０ＧＨｚ）、５．０－７．１２５ＧＨｚ）であってもよい。また、当該複数の周波数帯域は、例えば、ＧＰＳ（Global Positioning System）のＬ５であってもよい。また、例えば、当該複数の周波数帯域には、Ｗｉ－Ｆｉ（登録商標）の５ＧＨｚの帯域が含まれてもよい。５ＧＨｚの帯域は、例えば、５１５０－５７２５ＭＨｚであってもよい。例えば、第１フィルタおよび第２フィルタは、これらのいずれかの周波数帯域を通過帯域に含むフィルタであってもよい。
　また、例えば、複数のフィルタは、６９９ＭＨｚから９６０ＭＨｚを通過帯域に含むフィルタと、１．２ＧＨｚを通過帯域に含むフィルタと、１．４ＧＨｚから５ＧＨｚを通過帯域に含むフィルタと、５ＧＨｚから７．１２５ＧＨｚを通過帯域に含むフィルタと、のうち少なくとも２つのフィルタを第１フィルタ及び第２フィルタとして含んでもよい。
　また、例えば、複数のフィルタは、６９９ＭＨｚから２．７ＧＨｚを通過帯域に含むフィルタと、３．３ＧＨｚから５ＧＨｚを通過帯域に含むフィルタと、５ＧＨｚから７．１２５ＧＨｚを通過帯域に含むフィルタと、のうち少なくとも２つのフィルタを第１フィルタ及び第２フィルタとして含んでもよい。
　また、例えば、複数のフィルタは、６９９ＭＨｚから２．７ＧＨｚを通過帯域に含むフィルタと、３．３ＧＨｚから４．２ＧＨｚを通過帯域に含むフィルタと、４．４ＧＨｚから５ＧＨｚを通過帯域に含むフィルタと、５ＧＨｚから７．１２５ＧＨｚを通過帯域に含むフィルタと、のうち少なくとも２つのフィルタを第１フィルタ及び第２フィルタとして含んでもよい。
　（実施の形態４）
　続いて、実施の形態４に係る高周波モジュールについて説明する。
　本実施の形態に係る高周波モジュールは、実施の形態３に係る高周波モジュールと比較して、２つの高周波フィルタの各々に含まれる弾性波共振子が１パッケージ化されている点が相違する。以下では、実施の形態３との相違点を中心に説明し、共通点の説明を省略又は簡略化する。
　図１２は、本実施の形態に係る高周波モジュールが備えるマルチプレクサ４０の回路構成図である。図１２に示されるように、高周波フィルタ２０ａの並列腕共振子Ｐ１と、高周波フィルタ２０ｂの並列腕共振子Ｐ２とは、１つのパッケージ４１に収容されている。なお、図１２では、並列腕共振子Ｐ１及び並列腕共振子Ｐ２の各々を囲む破線の枠が、１つのパッケージ４１を表している。例えば、１つのパッケージ４１に並列腕共振子Ｐ１及びＰ２が収容されることで、マルチプレクサ４０の小型化を実現することができる。
　本実施の形態では、容量Ｃ１及び容量Ｃ２を発生させるグランド電極が配線基板内で分離している。具体的には、本実施の形態に係る高周波モジュールは、高周波フィルタ２０ａの配線１４ａと重複する第１グランド電極と、高周波フィルタ２０ｂの配線１４ｂと重複する第２グランド電極とを備える。第１グランド電極と第２グランド電極とは、配線基板内で電気的に分離されている。
　このような構成により、本実施の形態に係る高周波モジュールのマルチプレクサ４０では、高周波フィルタ２０ａと高周波フィルタ２０ｂとの間で、アイソレーションを確保することができる。また、本実施の形態に係る高周波モジュールでは、実施の形態３と同様の容量の関係を有するので、高周波フィルタ２０ａ及び２０ｂの各々のフィルタの通過帯域端部の急峻性を高めることができる。
　以下では、本実施の形態に係るマルチプレクサ４０を備える高周波モジュールの具体的な実施例について説明する。なお、各実施例における素子、配線基板、配線層及びビアの配置及び形状は、一例に過ぎず、示した例に限定されるものではない。
　［実施例］
　本実施の形態の実施例に係る高周波モジュールについて、図１３Ａ及び図１３Ｂを用いて説明する。以下では、実施の形態３の実施例１又は２との相違点を中心に説明し、共通点の説明を省略又は簡略化する。
　図１３Ａは、本実施例に係る高周波モジュール４００の斜視図である。図１３Ｂは、本実施例に係る高周波モジュール４００の三面図である。図１３Ｂの（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、高周波モジュール４００の上面図、正面図及び右側面図を表している。
　高周波モジュール４００は、図１３Ａ及び図１３Ｂに示されるように、配線基板４０１と、グランド電極４０５及び４０６とを備える。
　配線基板４０１は、配線基板４０１が備える配線層及びビア数及び形状が相違する点を除いて、実施の形態３の実施例１に係る配線基板３０１と同じである。配線基板４０１は、配線層４１１と、配線層４１２と、配線層４１３と、配線層４１４と、配線層４１５と、ビア３２１と、ビア３２２と、ビア３２３とを有する。ビア３２１、３２２及び３２３は、実施の形態３の実施例１と同様である。
　配線層４１１、４１２、４１３、４１４及び４１５はそれぞれ、実施の形態３の実施例１に係る配線基板３０１が有する配線層３１１、３１２、３１３、３１４及び３１５と同様であり、形状及び配置の少なくとも一方が異なっている。なお、配線基板４０１の表面１０２には、インピーダンス素子Ｚ１１、Ｚ１２、Ｚ２１及びＺ２２と、並列腕共振子Ｐ１及びＰ２が収容されたパッケージ４１とが設けられている。
　例えば、本実施例では、配線層４１２は、上面視形状がＴ字状である。具体的には、配線層４１２は、第１配線部４１２ａと、第２配線部４１２ｂとを有する。第１配線部４１２ａと第２配線部４１２ｂとの接続部分は、配線層４１２の分岐点であり、ノードＮ１に相当する。
　第１配線部４１２ａには、インピーダンス素子Ｚ１１とインピーダンス素子Ｚ１２とが接続されている。具体的には、第１配線部４１２ａは、インピーダンス素子Ｚ１１の一端からインピーダンス素子Ｚ１２の一端までｘ軸方向に沿って延びている。
　第２配線部４１２ｂには、並列腕共振子Ｐ１が接続されている。具体的には、第２配線部４１２ｂは、第１配線部４１２ａから並列腕共振子Ｐ１の端子Ｐａ１までｙ軸方向に沿って直線状に延びている。
　配線層４１４は、配線層４１２と同様に、上面視形状がＴ字状である。具体的には、配線層４１４は、第１配線部４１４ａと、第２配線部４１４ｂとを有する。第１配線部４１４ａと第２配線部４１４ｂとの接続部分は、配線層４１４の分岐点であり、ノードＮ２に相当する。
　第１配線部４１４ａには、インピーダンス素子Ｚ２１とインピーダンス素子Ｚ２２とが接続されている。具体的には、第１配線部４１４ａは、インピーダンス素子Ｚ２１の一端からインピーダンス素子Ｚ２２の一端までｘ軸方向に沿って延びている。
　第２配線部４１４ｂには、並列腕共振子Ｐ２が接続されている。具体的には、第２配線部４１４ｂは、第１配線部４１４ａから並列腕共振子Ｐ２の端子Ｐａ２までｙ軸方向に沿って直線状に延びている。
　ここで、本実施例に係る高周波モジュール４００に含まれる配線構造と、図１２に示されるマルチプレクサ４０に含まれる配線との対応関係について説明する。
　本実施例では、共通端子である端子１１ａ（端子１１ｂ）と端子１２ａとを結ぶ経路１３ａは、ビア３２１、配線層４１１の一部、配線層４１２の第１配線部４１２ａ、配線層４１３及びビア３２２によって構成されている。ノードＮ１は、配線層４１２の分岐点であり、第１配線部４１２ａと第２配線部４１２ｂとの接続部分に相当する。また、経路１３ａからノードＮ１で分岐した配線１４ａは、第２配線部４１２ｂで構成されている。また、経路１３ａに含まれる配線１６ａは、ビア３２１と配線層４１１の一部とで構成されている。具体的には、配線１６ａを構成する配線層４１１の一部とは、配線層４１１の、ビア３２１との接続部分からインピーダンス素子Ｚ１１の一端との接続部分までである。また、配線２６ａは、配線層４１３とビア３２２とで構成されている。
　同様に、共通端子である端子１１ａ（端子１１ｂ）と端子１２ｂとを結ぶ経路１３ｂは、ビア３２１、配線層４１１の一部、配線層４１４の第１配線部４１４ａ、配線層４１５及びビア３２３によって構成されている。ノードＮ２は、配線層４１４の分岐点であり、第１配線部４１４ａと第２配線部４１４ｂとの接続部分に相当する。また、経路１３ｂからノードＮ２で分岐した配線１４ｂは、第２配線部４１４ｂで構成されている。また、経路１３ｂに含まれる配線１６ｂは、ビア３２１と配線層４１１の一部とで構成されている。具体的には、配線１６ｂを構成する配線層４１１の一部とは、配線層４１１の、ビア３２１との接続部分からインピーダンス素子Ｚ２１の一端との接続部分までである。また、配線２６ｂは、配線層４１５とビア３２３とで構成されている。
　グランド電極４０５は、表面１０２を平面視した場合に、高周波フィルタ２０ａの配線１４ａと重複する第１グランド電極の一例である。具体的には、図１３Ｂの（ａ）に示されるように、グランド電極４０５は、上面視において配線１４ａを構成する第２配線部４１２ｂに重複している。より具体的には、グランド電極４０５は、上面視において配線層４１２に重複している。例えば、上面視において、グランド電極４０５は、配線層４１２より大きく、グランド電極４０５の内部に配線層４１２の全体が位置している。本実施例では、グランド電極４０５は、上面視において、配線層４１１、４１３、４１４及び４１５のいずれにも重複していない。
　グランド電極４０６は、表面１０２を平面視した場合に、高周波フィルタ２０ｂの配線１４ｂと重複する第２グランド電極の一例である。具体的には、図１３Ｂの（ａ）に示されるように、グランド電極４０６は、上面視において配線１４ｂを構成する第２配線部４１４ｂに重複している。より具体的には、グランド電極４０６は、上面視において配線層４１４に重複している。例えば、上面視において、グランド電極４０６は、配線層４１４より大きく、グランド電極４０６の内部に配線層４１４の全体が位置している。本実施例では、グランド電極４０６は、上面視において、配線層４１１、４１２、４１３及び４１５のいずれにも重複していない。
　図１３Ｂの（ａ）及び（ｃ）に示されるように、グランド電極４０５及び４０６は、配線基板４０１内において電気的に分離されている。例えば、グランド電極４０５とグランド電極４０６とは、配線基板４０１の厚み方向において、配線基板４０１内で同層に位置している。このとき、グランド電極４０５とグランド電極４０６とは、所定の距離以上離れて配置されている。例えば、グランド電極４０５とグランド電極４０６とは、上面視において、ビア３２１の径よりも長い距離だけ、互いに離れて配置されている。なお、グランド電極４０５とグランド電極４０６とは、配線基板４０１内で異なる層に設けられていてもよい。
　グランド電極４０５及び４０６はそれぞれ、グランドに接続されている。例えば、グランド電極４０５及び４０６はそれぞれ、図示しないビアなどを介して、配線基板４０１の裏面１０３に設けられたグランドに接続されている。裏面１０３に設けられたグランドは、グランド電極４０５及び４０６に対して共通であってもよい。つまり、グランド電極４０５とグランド電極４０６とは、配線基板４０１の内部では物理的かつ電気的に分離されているが、配線基板４０１の外部においては電気的に接続されていてもよい。
　また、本実施例では、高周波モジュール４００に含まれる素子、端子、配線層、ビア及びグランド電極は、図１３Ｂの（ａ）に示されるように、線対称に配置されている。線対称の軸は、ビア３２１の中心を通り、ｘ軸方向に平行な軸である。当該線対称の軸を境界として分けられた２つの領域のうちの第１領域に、高周波フィルタ２０ａに含まれるインピーダンス素子Ｚ１１及びＺ１２と、グランド電極４０５とが配置されている。当該線対称の軸を境界として分けられた２つの領域のうちの第２領域に、高周波フィルタ２０ｂに含まれるインピーダンス素子Ｚ２１及びＺ２２と、グランド電極４０６とが配置されている。
　例えば、図１３Ｂの（ａ）に示されるように、インピーダンス素子Ｚ１１の両端、インピーダンス素子Ｚ１２の両端、及び、ビア３２２がｘ軸方向に沿って直線状に並んで設けられている。同様に、インピーダンス素子Ｚ２１の両端、インピーダンス素子Ｚ２２の両端、及び、ビア３２３がｘ軸方向に沿って直線状に並んで設けられている。
　以上のように、本実施例では、高周波フィルタ２０ａに含まれるインピーダンス素子Ｚ１１及びＺ１２と、高周波フィルタ２０ｂに含まれるインピーダンス素子Ｚ２１及びＺ２２とが離れて配置されている。また、グランド電極４０５とグランド電極４０６とが配線基板４０１内で電気的に分離されている。これにより、フィルタ間での結合を抑制することができ、アイソレーションを確保することができる。
　なお、本実施例においても、ノードＮ１と並列腕共振子Ｐ１とを接続する配線１４ａとグランドとの間の容量Ｃ１は、配線１６ａとグランドとの間の容量、及び、配線２６ａとグランドとの間の容量のいずれよりも大きくなるので、図２で説明したように、高周波フィルタ２０ａの通過帯域端部の急峻性を簡単な構成で高めることができる。同様に、高周波フィルタ２０ｂの通過帯域端部の急峻性を簡単な構成で高めることができる。
　［まとめ］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュールは、第１フィルタが備える弾性波共振子と第２フィルタが備える弾性波共振子とは、１パッケージ化されている。
　これにより、マルチプレクサを小型化することができるので、高周波モジュールも小型化することができる。
　また、例えば、本実施の形態に係る高周波モジュールは、一方向から見た場合に第１フィルタの第１配線に重複する、グランドに接続された第１グランド電極と、上記一方向から見た場合に第２フィルタの第１配線に重複する、グランドに接続された第２グランド電極とを備える。第１グランド電極と第２グランド電極とは、配線基板内で電気的に分離されている。
　これにより、高周波フィルタ間の結合を抑制することができ、アイソレーションを確保することができる。
　なお、本実施の形態では、マルチプレクサ４０に含まれる全てのインピーダンス素子が、配線基板４０１の表面１０２に設けられている例を示したが、少なくとも１つのインピーダンス素子が配線基板４０１の内部に設けられていてもよい。
　また、本実施の形態では、２つの弾性波共振子が１パッケージ化されている例について説明したが、３つ以上の弾性波共振子が１パッケージ化されていてもよい。例えば、高周波モジュールは、３つ以上の高周波フィルタを備えてもよく、３つ以上の高周波フィルタに含まれる３つ以上の弾性波共振子が１パッケージ化されていてもよい。
　（実施の形態５）
　続いて、実施の形態５に係る高周波モジュールについて説明する。
　本実施の形態に係る高周波モジュールでは、実施の形態３に係るマルチプレクサ３０のインピーダンス素子Ｚ１１、Ｚ１２、Ｚ２１及びＺ２２がキャパシタであり、かつ、さらに、４つのインダクタを備える点が相違する。以下では、実施の形態３との相違点を中心に説明し、共通点の説明を省略又は簡略化する。
　図１４は、本実施の形態に係る高周波モジュールが備えるマルチプレクサ５０の回路構成図である。図１４に示されるように、マルチプレクサ５０は、高周波フィルタ２０ｃと、高周波フィルタ２０ｄとを備えるダイプレクサである。
　高周波フィルタ２０ｃは、マルチプレクサ３０が有する複数のフィルタに含まれる第１フィルタの一例である。具体的には、高周波フィルタ２０ｃは、端子１１ａと、端子１２ａと、キャパシタＣ１１と、キャパシタＣ１２と、インダクタＬ１１と、インダクタＬ１２と、並列腕共振子Ｐ１とを備える。
　キャパシタＣ１１は、端子１１ａと端子１１ｂとを結ぶ経路１３ａ上に直列配置された第１インピーダンス素子の一例である。キャパシタＣ１２は、端子１１ａと端子１１ｂとを結ぶ経路１３ａ上に直列配置された第２インピーダンス素子の一例である。キャパシタＣ１１とキャパシタＣ１２との間にノードＮ１が位置している。
　インダクタＬ１１は、第１インピーダンス素子及び第２インピーダンス素子の直列回路に対して並列接続された第３インピーダンス素子の一例である。具体的には、インダクタＬ１１は、キャパシタＣ１１及びＣ１２の直列回路に対して並列接続されている。より具体的には、インダクタＬ１１は、一端がキャパシタＣ１１と端子１１ａとを接続する配線に接続され、他端がキャパシタＣ１２と端子１２ａとを接続する配線に接続されている。
　インダクタＬ１２は、並列腕共振子Ｐとグランドとの間に直列配置されている。具体的には、インダクタＬ１２は、並列腕共振子Ｐ１の、ノードＮ１とは反対側の端子Ｐｂ１とグランドとに接続されている。なお、インダクタＬ１２は、並列腕共振子Ｐ１の端子Ｐａ１とノードＮ１とに接続されていてもよい。
　本実施の形態においても、高周波フィルタ２０ｃは、実施の形態３に係る高周波フィルタ２０ａと同様の容量の関係を満たしている。具体的には、ノードＮ１と並列腕共振子Ｐ１とを結ぶ配線１４ａとグランドとの間の容量Ｃ１は、端子１１ａとキャパシタＣ１１とを結ぶ配線１６ａとグランドとの間の容量よりも大きい。これにより、高周波フィルタ２０ｃの通過帯域端部の急峻性を高めることができる。
　また、高周波フィルタ２０ｃでは、直列腕を構成する経路１３ａ上に直列接続された２つのキャパシタＣ１１及びＣ１２と、当該２つのキャパシタＣ１１及びＣ１２に並列接続されたインダクタＬ１１と、並列腕共振子Ｐ１とを備えることで、減衰特性の劣化を効果的に抑制することができる。これにより、高周波フィルタ２０ｃのフィルタ特性をより良好にすることができる。なお、インダクタとキャパシタとは入れ替えて配置されてもよい。具体的には、高周波フィルタ２０ｃは、キャパシタＣ１１及びＣ１２の代わりに２つのインダクタを備え、インダクタＬ１１の代わりにキャパシタを備えてもよい。
　高周波フィルタ２０ｄは、マルチプレクサ３０が有する複数のフィルタに含まれる第２フィルタの一例である。高周波フィルタ２０ｄは、高周波フィルタ２０ｃと同様の構成を有する。具体的には、高周波フィルタ２０ｄは、端子１１ｂと、端子１２ｂと、キャパシタＣ２１と、キャパシタＣ２２と、インダクタＬ２１と、インダクタＬ２２と、並列腕共振子Ｐ２とを備える。端子１１ｂ、端子１２ｂ、キャパシタＣ２１、キャパシタＣ２２、インダクタＬ２１、インダクタＬ２２及び並列腕共振子Ｐ２はそれぞれ、高周波フィルタ２０ｃの端子１１ａと、端子１２ａと、キャパシタＣ１１と、キャパシタＣ１２と、インダクタＬ１１と、インダクタＬ１２と、並列腕共振子Ｐ１とに相当する。
　高周波フィルタ２０ｄは、高周波フィルタ２０ｃと同様の構成を有するので、高周波フィルタ２０ｃと同様に、通過帯域端部の急峻性を高めることができる。
　なお、キャパシタＣ１１、Ｃ１２、Ｃ２１及びＣ２２の各容量値、並びに、インダクタＬ１１、Ｌ１２、Ｌ２１及びＬ２２の各インダクタンス値は、高周波フィルタ２０ｃ及び２０ｄのフィルタ特性に応じて適切な値に定められる。
　以上の構成により、通過帯域端部の急峻性が高められたフィルタを有するマルチプレクサを備える高周波モジュールを実現することができる。
　以下では、本実施の形態に係るマルチプレクサ５０を備える高周波モジュールの具体的な実施例について説明する。なお、以下に示す実施例における素子、配線基板、配線層及びビアの配置及び形状は、一例に過ぎず、示した例に限定されるものではない。
　［実施例］
　実施例に係る高周波モジュールについて、図１５Ａ及び図１５Ｂを用いて説明する。
　図１５Ａは、本実施例に係る高周波モジュール５００の斜視図である。図１５Ｂは、本実施例に係る高周波モジュール５００の三面図である。図１５Ｂの（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、高周波モジュール５００の上面図、正面図及び右側面図を表している。
　高周波モジュール５００は、図１５Ａ及び図１５Ｂに示されるように、配線基板５０１と、グランド電極５０５及び５０６とを備える。
　配線基板５０１は、配線基板５０１が備える配線層及びビアの数及び形状が相違する点を除いて、配線基板３０１と同じである。配線基板５０１の表面１０２には、キャパシタＣ１１、Ｃ１２、Ｃ２１及びＣ２２と、インダクタＬ１１、Ｌ１２、Ｌ２１及びＬ２２と、並列腕共振子Ｐ１及びＰ２が収容されたパッケージ４１とが設けられている。
　本実施例では、配線基板５０１は、図１５Ａ及び図１５Ｂに示されるように、配線層５１１と、配線層５１２と、配線層５１３と、配線層５１４と、配線層５１５と、配線層５１６と、配線層５１７と、ビア３２１と、ビア３２２と、ビア３２３とを有する。ビア３２１、３２２及び３２３は、実施の形態３の実施例１と同様である。
　配線層５１１、５１２、５１３、５１４、５１５、５１６及び５１７はそれぞれ、配線基板５０１の表面１０２に設けられた導電性のパターン配線である。配線層５１１、５１２、５１３、５１４、５１５、５１６及び５１７は、例えば、銀（Ａｇ）又は銅（Ｃｕ）などの金属薄膜を表面１０２に成膜し、所定形状にパターニングすることにより形成される。配線層５１１、５１２、５１３、５１４、５１５、５１６及び５１７はいずれも、表面１０２に平行な方向、すなわち、配線基板５０１の厚み方向（ｚ軸方向）に直交する方向に延びている。配線層５１１、５１２、５１３、５１４、５１５、５１６及び５１７の幅及び膜厚は、例えば同じであるが、異なっていてもよい。
　配線層５１１には、ビア３２１と、キャパシタＣ１１及びＣ２１と、インダクタＬ１１及びＬ２１とが接続されている。配線層５１１は、図１５Ａ及び図１５Ｂの（ａ）に示されるように、ビア３２１の上端部から、インダクタＬ１１の一端及びインダクタＬ２１の一端の両方までｙ軸方向に沿って直線状に延びている。配線層５１１の上面視形状は、例えば長方形であるが、これに限らない。
　配線層５１２には、キャパシタＣ１１と並列腕共振子Ｐ１とキャパシタＣ１２とが接続されている。配線層５１２は、図１５Ａ及び図１５Ｂの（ａ）に示されるように、第１配線部５１２ａと、第２配線部５１２ｂとを有する。第１配線部５１２ａと第２配線部５１２ｂとの接続部分は、配線層５１２の分岐点であり、ノードＮ１に相当する。
　第１配線部５１２ａには、キャパシタＣ１１とキャパシタＣ１２とが接続されている。第１配線部５１２ａは、キャパシタＣ１１の他端からキャパシタＣ１２の一端までｘ軸方向に沿って直線状に延びている。
　第２配線部５１２ｂには、並列腕共振子Ｐ１が接続されている。第２配線部５１２ｂは、第１配線部５１２ａから並列腕共振子Ｐ１の端子Ｐａ１までｙ軸方向に沿って直線状に延びている。
　本実施例では、第１配線部５１２ａと第２配線部５１２ｂとは、上面視において垂直に接続されている。つまり、配線層５１２の上面視形状は、例えば、Ｔ字状である。例えば、配線層５１２の上面視形状は、Ｌ字状、Ｖ字状又は直線状であってもよい。
　配線層５１３には、キャパシタＣ１２と、インダクタＬ１１と、ビア３２２とが接続されている。配線層５１３は、インダクタＬ１１の他端からビア３２２の上端部までｘ軸方向に沿って直線状に延びている。
　配線層５１４には、並列腕共振子Ｐ１とインダクタＬ１２とが接続されている。配線層５１４は、並列腕共振子Ｐ１の端子Ｐｂ１からインダクタＬ１２の一端までｘ軸方向に沿って直線状に延びている。配線層５１４の上面視形状は、例えば長方形であるが、これに限らない。なお、インダクタＬ１２の他端は、図示しないグランドに接続されている。
　配線層５１５には、キャパシタＣ２１と並列腕共振子Ｐ２とキャパシタＣ２２とが接続されている。配線層５１５は、図１５Ａ及び図１５Ｂの（ａ）に示されるように、第１配線部５１５ａと、第２配線部５１５ｂとを有する。第１配線部５１５ａと第２配線部５１５ｂとの接続部分は、配線層５１５の分岐点であり、ノードＮ２に相当する。
　第１配線部５１５ａには、キャパシタＣ２１とキャパシタＣ２２とが接続されている。第１配線部５１５ａは、キャパシタＣ２１の他端からキャパシタＣ２２の一端までｘ軸方向に沿って直線状に延びている。
　第２配線部５１５ｂには、並列腕共振子Ｐ２が接続されている。第２配線部５１５ｂは、第１配線部５１５ａから並列腕共振子Ｐ２の端子Ｐａ２までｙ軸方向に沿って直線状に延びている。
　本実施例では、第１配線部５１５ａと第２配線部５１５ｂとは、上面視において垂直に接続されている。つまり、配線層５１５の上面視形状は、例えば、Ｔ字状である。例えば、配線層５１５の上面視形状は、Ｌ字状、Ｖ字状又は直線状であってもよい。
　配線層５１６には、キャパシタＣ２２と、インダクタＬ２１と、ビア３２３とが接続されている。配線層５１６は、インダクタＬ２１の他端からビア３２３の上端部までｘ軸方向に沿って直線状に延びている。
　配線層５１７には、並列腕共振子Ｐ２とインダクタＬ２２とが接続されている。配線層５１７は、並列腕共振子Ｐ２の端子Ｐｂ２からインダクタＬ２２の一端までｘ軸方向に沿って直線状に延びている。配線層５１７の上面視形状は、例えば長方形であるが、これに限らない。なお、インダクタＬ２２の他端は、図示しないグランドに接続されている。
　本実施例では、高周波モジュール５００に含まれる素子、端子、配線層及びビアは、図１５Ｂの（ａ）に示されるように、線対称に配置されている。線対称の軸は、ビア３２１の中心を通り、ｘ軸方向に平行な軸である。これにより、高周波フィルタ２０ｃに含まれる配線及び素子と、高周波フィルタ２０ｄに含まれる配線と素子とを離れて配置させることができるので、高周波フィルタ２０ｃと高周波フィルタ２０ｄとで、配線間又は素子間などの結合を抑制することができる。
　ここで、本実施例に係る高周波モジュール５００に含まれる配線構造と、図１４に示されるマルチプレクサ５０に含まれる配線との対応関係について説明する。
　本実施例では、共通端子である端子１１ａ（端子１１ｂ）と端子１２ａとを結ぶ経路１３ａは、ビア３２１、配線層５１１の一部、配線層５１２の第１配線部５１２ａ、配線層５１３の一部、及び、ビア３２２によって構成されている。ノードＮ１は、配線層５１２の分岐点であり、第１配線部５１２ａと第２配線部５１２ｂとの接続部分に相当する。また、経路１３ａからノードＮ１で分岐した配線１４ａは、第２配線部５１２ｂで構成されている。
　また、経路１３ａに含まれる配線１６ａは、ビア３２１と配線層５１１の一部とで構成されている。具体的には、配線１６ａを構成する配線層５１１の一部とは、配線層５１１の、ビア３２１との接続部分からキャパシタＣ１１の一端との接続部分までである。
　また、配線２６ａは、配線層５１３の一部とビア３２２とで構成されている。具体的には、配線２６ａを構成する配線層５１３の一部とは、配線層５１３の、キャパシタＣ１２の他端との接続部分からビア３２２との接続部分までの部分である。
　本実施例では、上述したように、共通入力端子である端子１１ａ（端子１１ｂ）を通る軸を対称軸として、高周波フィルタ２０ｃと高周波フィルタ２０ｄとが線対称に配置されている。したがって、高周波フィルタ２０ｄに含まれる配線についても、高周波フィルタ２０ｃと同様の配線の関係を有している。
　グランド電極５０５は、実施の形態４の実施例に係るグランド電極４０５と同様に、ノードＮ１と並列腕共振子Ｐ１とを接続する配線１４ａに重複する第１グランド電極の一例である。具体的には、図１５Ｂの（ａ）に示されるように、グランド電極５０５は、上面視において、配線１４ａを構成する第２配線部５１２ｂに重複している。例えば、上面視において、グランド電極５０５は、第２配線部５１２ｂより大きく、グランド電極５０５の内部に第２配線部５１２ｂの全体が位置している。本実施例では、グランド電極５０５は、第１配線部５１２ａの一部とも重複している。グランド電極５０５は、上面視において、配線層５１１、５１３、５１４、５１５、５１６及び５１７のいずれにも重複していない。
　グランド電極５０６は、実施の形態４の実施例に係るグランド電極４０６と同様に、ノードＮ２と並列腕共振子Ｐ２とを接続する配線１４ｂに重複する第２グランド電極の一例である。具体的には、図１５Ｂの（ａ）に示されるように、グランド電極５０６は、上面視において、配線１４ｂを構成する第２配線部５１５ｂに重複している。例えば、上面視において、グランド電極５０６は、第２配線部５１５ｂより大きく、グランド電極５０６の内部に第２配線部５１５ｂの全体が位置している。本実施例では、グランド電極５０６は、第１配線部５１５ａの一部とも重複している。グランド電極５０６は、上面視において、配線層５１１、５１２、５１３、５１４、５１６及び５１７のいずれにも重複していない。
　図１５Ｂの（ａ）及び（ｃ）に示されるように、グランド電極５０５及び５０６は、配線基板５０１内において電気的に分離されている。例えば、グランド電極５０５とグランド電極５０６とは、配線基板５０１の厚み方向において、配線基板５０１内で同層に位置している。このとき、グランド電極５０５とグランド電極５０６とは、所定の距離以上離れて配置されている。例えば、グランド電極５０５とグランド電極５０６とは、上面視において、ビア３２１の径よりも長い距離だけ、互いに離れて配置されている。なお、グランド電極５０５とグランド電極５０６とは、配線基板５０１内で異なる層に設けられていてもよい。
　グランド電極５０５及び５０６はそれぞれ、グランドに接続されている。例えば、グランド電極５０５及び５０６はそれぞれ、図示しないビアなどを介して、配線基板５０１の裏面１０３に設けられたグランドに接続されている。裏面１０３に設けられたグランドは、グランド電極５０５及び５０６に対して共通であってもよい。つまり、グランド電極５０５とグランド電極５０６とは、配線基板５０１の内部では物理的かつ電気的に分離されているが、配線基板５０１の外部においては電気的に接続されていてもよい。
　以上の構成により、本実施例に係る高周波モジュール５００では、ノードＮ１と並列腕共振子Ｐ１とを接続する配線１４ａとグランドとの間の容量Ｃ１は、配線１６ａとグランドとの間の容量、及び、配線２６ａとグランドとの間の容量のいずれよりも大きくなるので、図２で説明したように、高周波フィルタ２０ｃの通過帯域端部の急峻性を簡単な構成で高めることができる。同様に、高周波フィルタ２０ｄの通過帯域端部の急峻性を簡単な構成で高めることができる。また、容量Ｃ１を発生させるグランド電極５０５と、容量Ｃ２を発生させるグランド電極５０６とが、配線基板５０１内で電気的に分離されているので、高周波フィルタ２０ｃと高周波フィルタ２０ｄとのアイソレーションを確保することができる。このように、フィルタ特性が改善された高周波フィルタ２０ｃ及び２０ｄを有するマルチプレクサを備える高周波モジュール５００を実現することができる。
　［まとめ］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュールでは、高周波フィルタは、さらに、第１インピーダンス素子及び第２インピーダンス素子の直列回路に対して並列接続された第３インピーダンス素子を備える。第１インピーダンス素子及び第２インピーダンス素子の双方は、キャパシタ及びインダクタの一方である。第３インピーダンス素子は、キャパシタ及びインダクタの他方である。
　これにより、良好なフィルタ特性を有する高周波フィルタを実現することができる。また、このような良好な高周波フィルタを含むマルチプレクサ５０を備える高周波モジュールを実現することができる。
　（実施の形態６）
　続いて、実施の形態６に係る高周波モジュールについて説明する。
　本実施の形態に係る高周波モジュールは、実施の形態１又は２において示した高周波フィルタ１０若しくは２０、又は、実施の形態３～５で示したマルチプレクサ３０、４０若しくは５０の少なくとも１つを有する高周波フロントエンド回路を備える。以下では、各実施の形態との相違点を中心に説明し、共通点の説明を省略又は簡略化する。
　図１６は、本実施の形態に係る高周波モジュールが備える高周波フロントエンド回路６０の回路構成図である。図１６に示されるように、高周波フロントエンド回路６０は、受信系フロントエンド回路であり、マルチプレクサ３０と、スイッチ８１及び８２と、フィルタ７１、７２、７３、７４及び７５と、受信増幅器９１、９２、９３、９４及び９５とを備える。なお、図１６には、アンテナ素子ＡＮＴが示されている。アンテナ素子ＡＮＴは、高周波信号を送受信する、例えばＬＴＥ（Long Term Evolution）などの通信規格に準拠したマルチバンド対応のアンテナである。アンテナ素子ＡＮＴ及び高周波フロントエンド回路６０は、例えば、マルチモード／マルチバンド対応の携帯電話のフロントエンド部に配置される。
　マルチプレクサ３０は、例えば、ハイパスフィルタである高周波フィルタ２０ａと、ローパスフィルタである高周波フィルタ２０ｂとを備える。
　高周波フィルタ２０ｂは、ローバンド群の周波数範囲（例えば１４２７ＭＨｚ－２２００ＭＨｚ）を通過帯域とし、ハイバンド群の周波数範囲を減衰帯域とする、低域通過型フィルタである。高周波フィルタ２０ａは、ハイバンド群の周波数範囲（例えば２３００ＭＨｚ－２６９０ＭＨｚ）を通過帯域とし、ローバンド群の周波数範囲を減衰帯域とする、高域通過型フィルタである。なお、高周波フィルタ２０ａ及び２０ｂの少なくとも一方は、通過帯域又は減衰帯域などの周波数を変更可能なチューナブルフィルタであってもよい。
　スイッチ８１は、共通端子と、２つの選択端子とを有し、共通端子が高周波フィルタ２０ｂに接続されたスイッチ素子である。スイッチ８１は、共通端子と、２つの選択端子のいずれかとの接続が可能な、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路である。
　スイッチ８２は、共通端子と、３つの選択端子を有し、共通端子が高周波フィルタ２０ａに接続されたスイッチ素子である。スイッチ８２は、共通端子と、３つの選択端子のいずれかとの接続が可能なＳＰ３Ｔ型のスイッチ回路である。
　フィルタ７１は、スイッチ８１の選択端子に接続され、例えば、ＬＴＥのＢａｎｄ３（受信帯域：１８０５－１８８０ＭＨｚ）を通過帯域とするバンドパスフィルタである。フィルタ７２は、スイッチ８１の選択端子に接続され、例えば、ＬＴＥのＢａｎｄ１（受信帯域：２１１０－２１７０ＭＨｚ）を通過帯域とするバンドパスフィルタである。フィルタ７３は、スイッチ８２の選択端子に接続され、例えば、ＬＴＥのＢａｎｄ７（受信帯域：２６２０－２６９０ＭＨｚ）を通過帯域とするバンドパスフィルタである。フィルタ７４は、スイッチ８２の選択端子に接続され、例えば、ＬＴＥのＢａｎｄ４０（受信帯域：２３００－２４００ＭＨｚ）を通過帯域とするバンドパスフィルタである。フィルタ７５は、スイッチ８２の選択端子に接続され、例えば、ＬＴＥのＢａｎｄ４１（受信帯域：２４９６－２６９０ＭＨｚ）を通過帯域とするバンドパスフィルタである。
　受信増幅器９１はフィルタ７１に接続され、受信増幅器９２はフィルタ７２に接続され、受信増幅器９３はフィルタ７３に接続され、受信増幅器９４はフィルタ７４に接続され、受信増幅器９５はフィルタ７５に接続されている。受信増幅器９１、９２、９３、９４及び９５の各々は、例えば、トランジスタなどによって構成されたローノイズアンプである。受信増幅器９１及び９２は、増幅回路９６を構成している。受信増幅器９３、９４及び９５は、増幅回路９７を構成している。なお、増幅回路９６及び９７はそれぞれ、１つの受信増幅器で構成されていてもよく、この場合にはフィルタ７１及び７２と増幅回路９６との間にＳＰＤＴ型のスイッチが配置され、フィルタ７３、７４及び７５と増幅回路９７との間にＳＰ３Ｔ型のスイッチが配置される。
　［まとめ］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュールは、マルチプレクサを有するフロントエンド回路を備える。フロントエンド回路は、マルチプレクサに直接的又は間接的に接続されたスイッチと、マルチプレクサに直接的又は間接的に接続された増幅回路とを有する。
　これにより、フィルタの通過帯域端部の急峻性を高めることができるマルチプレクサ３０を備える高周波フロントエンド回路６０を実現できる。
　（その他）
　以上、本発明に係る高周波モジュールについて、上記の実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではない。
　例えば、各実施の形態及び各実施例において、第１インピーダンス素子及び第２インピーダンス素子の少なくとも一方に、１つ以上のキャパシタ又は１つ以上のインダクタが直列接続されてもよく、並列接続されてもよい。また、例えば、実施の形態５において、インダクタＬ１１、Ｌ１２、Ｌ２１及びＬ２２の少なくとも１つに、１つ以上のキャパシタ又は１つ以上のインダクタが直列接続されてもよく、並列接続されてもよい。
　また、例えば、高周波フィルタは、入力端子と出力端子とを結ぶ経路上に直列配置された弾性波共振子を備えてもよい。
　図１７Ａは、変形例１に係る高周波モジュールが備える高周波フィルタ１０Ａの回路構成図である。図１７Ａに示されるように、高周波フィルタ１０Ａは、図１に示される高周波フィルタ１０と比較して、新たに、直列腕共振子Ｓを備える点が相違する。
　直列腕共振子Ｓは、端子１１と端子１２とを結ぶ経路上に直列配置された弾性波共振子の一例である。直列腕共振子Ｓは、例えば、並列腕共振子Ｐと同様に、ＳＡＷを利用した共振子、ＢＡＷを利用した共振子、又は、ＦＢＡＲなどである。図１７Ａに示されるように、直列腕共振子Ｓは、ノードＮと端子１２との間に接続されている。つまり、直列腕共振子Ｓは、第２インピーダンス素子の一例とみなすことができる。言い換えれば、第２インピーダンス素子は、弾性波共振子であってもよい。
　この場合、ノードＮと並列腕共振子Ｐとを接続する配線１４に生じる容量Ｃの容量値Ｃ２は、インピーダンス素子Ｚと端子１１とを接続する配線１６に生じる容量の容量値Ｃ１よりも大きく、かつ、直列腕共振子Ｓと端子１２とを接続する配線に生じる容量の容量値よりも大きい。なお、直列腕共振子Ｓは、図７に示されるインピーダンス素子Ｚ２に相当するので、直列腕共振子Ｓと端子１２とを接続する配線に生じる容量の容量値は、実施の形態２に係る配線２６とグランドとの容量の容量値に相当している。
　なお、直列腕共振子Ｓは、インピーダンス素子ＺとノードＮとの間に接続されていてもよい。この場合、容量値Ｃ２は、配線１６に生じる容量の容量値Ｃ１よりも大きい。また、直列腕共振子Ｓは、インピーダンス素子Ｚに並列接続されていてもよい。
　あるいは、直列腕共振子Ｓは、端子１１とインピーダンス素子Ｚとの間に接続されていてもよい。この場合、直列腕共振子Ｓが端子１１とインピーダンス素子Ｚとの間に接続されることにより、インピーダンス素子Ｚとの配線長が短い端子は、端子１２になる。このため、容量値Ｃ２は、インピーダンス素子Ｚと端子１２とを接続する配線に生じる容量の容量値よりも大きくなる。
　図１７Ｂは、変形例２に係る高周波モジュールが備える高周波フィルタ２０Ａの回路構成図である。図１７Ｂに示されるように、高周波フィルタ２０Ａは、図７に示される高周波フィルタ２０と比較して、新たに、直列腕共振子Ｓを備える点が相違する。
　図１７Ｂに示される例では、直列腕共振子Ｓは、インピーダンス素子Ｚ２と端子１２との間に接続されている。この場合、ノードＮと並列腕共振子Ｐとを接続する配線に生じる容量Ｃの容量値Ｃ２は、インピーダンス素子Ｚ１と端子１１とを接続する配線１６に生じる容量の容量値よりも大きく、かつ、直列腕共振子Ｓと端子１２とを接続する配線に生じる容量の容量値よりも大きい。本変形例では、直列腕共振子Ｓが第２インピーダンス素子の一例とみなすことができる。
　また、直列腕共振子Ｓは、ノードＮとインピーダンス素子Ｚ２との間に接続されていてもよい。この場合は、実施の形態２と同様に、インピーダンス素子Ｚ２が第２インピーダンス素子の一例である。すなわち、容量Ｃの容量値Ｃ２は、インピーダンス素子Ｚ１と端子１１とを接続する配線１６に生じる容量の容量値よりも大きく、かつ、インピーダンス素子Ｚ２と端子１２とを接続する配線２６に生じる容量の容量値よりも大きい。また、直列腕共振子Ｓは、インピーダンス素子Ｚ２に並列接続されていてもよい。
　また、並列腕共振子に、１つ以上のキャパシタ又は１つ以上のインダクタが直列接続されてもよく、並列接続されてもよい。また、並列腕共振子にはインピーダンス可変回路が接続されてもよい。具体的には、並列腕共振子に、スイッチを介して１つ以上のキャパシタ又はインダクタが直列接続又は並列接続されてもよい。
　また、例えば、並列腕共振子Ｐとして用いられる弾性波共振子は、１つの共振子に限らず、１つの共振子が分割された複数の分割共振子によって構成されていてもよい。
　また、例えば、配線基板の内部に設けられたインピーダンス素子Ｚは、インダクタであってもよい。例えば、インピーダンス素子Ｚは、スパイラル状又は環状のパターン配線からなるインダクタであってもよい。
　また、例えば、マルチプレクサでは、複数の入力端子が共通端子に共通接続されている構成を示したが、複数の出力端子が共通端子に共通接続されていてもよい。例えば、マルチプレクサが有する複数のフィルタの少なくとも１つは、入力された高周波信号を分波する際に用いられてもよく、合波する際に用いられてもよい。例えば、マルチプレクサが有する第１フィルタ及び第２フィルタの少なくとも一方は、受信フィルタとして用いられてもよく、送信フィルタとして用いられてもよい。
　また、例えば、実施の形態６では、高周波フロントエンド回路は、スイッチ及び増幅回路の両方を備えたが、スイッチ及び増幅回路の少なくとも一方を備えていなくてもよい。
　その他、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
　本発明は、マルチバンドシステムに適用できる高周波フィルタ、マルチプレクサ、フロントエンド回路及び通信装置などに利用でき、例えば、携帯電話などの通信機器に利用することができる。
１０、１０Ａ、１０ｘ、２０、２０ａ、２０Ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ　高周波フィルタ
１１、１１ａ、１１ｂ　端子（入力端子）
１２、１２ａ、１２ｂ　端子（出力端子）
１３、１３ａ、１３ｂ　経路
１４、１４ａ、１４ｂ、１６、１６ａ、１６ｂ、２６、２６ａ、２６ｂ　配線
３０、４０、５０　マルチプレクサ
４１　パッケージ
６０　高周波フロントエンド回路
７１、７２、７３、７４、７５　フィルタ
８１、８２　スイッチ
９１、９２、９３、９４、９５　受信増幅器
９６、９７　増幅回路
１００、１３０、１５０、１８０、２００、３００、３３０、４００、５００　高周波モジュール
１０１、１３１、１５１、１８１、２０１、３０１、３３１、４０１、５０１　配線基板
１０２　表面（第１面）
１０３　裏面（第２面）
１０５、１０６、１３５、１３６、１５５、１８５、２０５、３０５、３３５、４０５、４０６、５０５、５０６　グランド電極
１１１、１１２、１１３、１６１、１６２、２１２、２１３、３１１、３１２、３１３、３１４、３１５、３４１、３４２、４１１、４１２、４１３、４１４、４１５、５１１、５１２、５１３、５１４、５１５、５１６、５１７　配線層
１１２ａ、１１３ａ、２１２ａ、３１２ａ、３１４ａ、４１２ａ、４１４ａ、５１２ａ、５１５ａ　第１配線部
１１２ｂ、２１２ｂ、３１２ｂ、３１４ｂ、４１２ｂ、４１４ｂ、５１２ｂ、５１５ｂ　第２配線部
１２１、１２２、１７１、１７２、１７３、３２１、３２２、３２３、３５１、３５２、３５３、３５４、３５５　ビア
１６３、１６４、１８４、３９１、３９２、３９３、３９４、３９５、３９６　電極板
ＡＮＴ　アンテナ
Ｃ　容量
Ｃ１１、Ｃ１２、Ｃ２１、Ｃ２２　キャパシタ
Ｌ１１、Ｌ１２、Ｌ２１、Ｌ２２　インダクタ
Ｎ、Ｎ１、Ｎ２　ノード
Ｐ　並列腕共振子
Ｐａ、Ｐａ１、Ｐａ２　端子（ノード側端子）
Ｐｂ１、Ｐｂ２　端子
Ｓ　直列腕共振子
Ｚ、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ１１、Ｚ１２、Ｚ２１、Ｚ２２　インピーダンス素子

Claims (20)

  1. 　高周波フィルタを備える高周波モジュールであって、
    　前記高周波フィルタは、
    　入力端子と、
    　出力端子と、
    　前記入力端子と前記出力端子とを結ぶ経路上に直列配置された第１インピーダンス素子と、
    　前記経路上のノードとグランドとの間に接続された弾性波共振子とを備え、
    　前記第１インピーダンス素子は、キャパシタ又はインダクタであり、
    　前記ノードと前記弾性波共振子とを接続する第１配線と、グランドとの間の容量は、前記入力端子及び前記出力端子のうち前記第１インピーダンス素子との配線長が短い方の端子と前記第１インピーダンス素子とを接続する第２配線と、グランドとの間の容量よりも大きい
    　高周波モジュール。
  2. 　さらに、
    　グランドに接続されたグランド電極と、
    　互いに背向する第１面及び第２面を有する配線基板とを備え、
    　前記弾性波共振子は、前記第１面に設けられ、
    　前記入力端子及び前記出力端子は、前記第２面に設けられており、
    　前記グランド電極は、前記第１面を平面視した場合に、前記第１配線、又は、前記第１インピーダンス素子と前記ノードとを接続する配線に重複している
    　請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　前記第１インピーダンス素子は、前記配線基板の内部で、かつ、前記第１面を平面視した場合に、前記弾性波共振子に重なる位置に設けられている
    　請求項２に記載の高周波モジュール。
  4. 　前記グランド電極は、前記配線基板の内部において前記第１面と前記第１インピーダンス素子との間に設けられている
    　請求項３に記載の高周波モジュール。
  5. 　前記グランド電極は、前記配線基板の内部、又は、前記第２面に設けられている
    　請求項２又は３に記載の高周波モジュール。
  6. 　前記配線基板は、
    　前記第１面に平行な方向に延びる１以上の配線層と、
    　前記第１面に直交する方向に延びる１以上のビアとを有し、
    　前記入力端子、前記出力端子、前記第１インピーダンス素子及び前記弾性波共振子はそれぞれ、前記１以上の配線層及び前記１以上のビアのうちの少なくとも１つに接続されており、
    　前記ノードは、前記１以上の配線層のうちの一の配線層内での分岐点、又は、前記１以上の配線層のうちの一の配線層と前記１以上のビアのうちの一のビアとの接続点である
    　請求項２～５のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  7. 　前記第１配線の配線長は、前記第２配線の配線長よりも長い
    　請求項１～６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  8. 　さらに、前記経路上に直列配置された第２インピーダンス素子を備え、
    　前記ノードは、前記第１インピーダンス素子と前記第２インピーダンス素子との間に位置する
    　請求項１～７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  9. 　前記第２インピーダンス素子は、キャパシタ、インダクタ又は弾性波共振子である
    　請求項８に記載の高周波モジュール。
  10. 　前記第１配線とグランドとの間の容量は、前記入力端子及び前記出力端子のうち前記第２インピーダンス素子との配線長が短い方の端子と前記第２インピーダンス素子とを接続する第３配線と、グランドとの間の容量よりも大きい
    　請求項８又は９に記載の高周波モジュール。
  11. 　前記高周波フィルタは、さらに、前記第１インピーダンス素子及び前記第２インピーダンス素子の直列回路に対して並列接続された第３インピーダンス素子を備え、
    　前記第１インピーダンス素子及び前記第２インピーダンス素子の双方は、キャパシタ及びインダクタの一方であり、
    　前記第３インピーダンス素子は、キャパシタ及びインダクタの他方である
    　請求項８～１０のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  12. 　前記高周波フィルタは、さらに、前記入力端子と前記出力端子とを結ぶ経路上に直列配置された弾性波共振子を備える
    　請求項１～１０のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  13. 　前記高周波フィルタである第１フィルタを含む複数のフィルタを有するマルチプレクサを備える
    　請求項１～１２のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  14. 　前記複数のフィルタは、さらに、前記高周波フィルタである第２フィルタを含み、
    　前記マルチプレクサは、前記第１フィルタが備える前記入力端子又は前記出力端子と前記第２フィルタが備える前記入力端子又は前記出力端子とが、共通接続された共通端子を有する
    　請求項１３に記載の高周波モジュール。
  15. 　前記第１フィルタが備える前記弾性波共振子と前記第２フィルタが備える前記弾性波共振子とは、１パッケージ化されている
    　請求項１４に記載の高周波モジュール。
  16. 　一方向から見た場合に前記第１フィルタの前記第１配線に重複する、グランドに接続された第１グランド電極と、
    　前記一方向から見た場合に前記第２フィルタの前記第１配線に重複する、グランドに接続された第２グランド電極とを備え、
    　前記第１グランド電極と前記第２グランド電極とは、配線基板内で電気的に分離されている
    　請求項１５に記載の高周波モジュール。
  17. 　前記複数のフィルタは、
    　６９９ＭＨｚから９６０ＭＨｚを通過帯域に含むフィルタと、
    　１．２ＧＨｚを通過帯域に含むフィルタと、
    　１．４ＧＨｚから５ＧＨｚを通過帯域に含むフィルタと、
    　５ＧＨｚから７．１２５ＧＨｚを通過帯域に含むフィルタと、のうち少なくとも２つのフィルタを前記第１フィルタ及び前記第２フィルタとして含む
    　請求項１４～１６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  18. 　前記複数のフィルタは、
    　６９９ＭＨｚから２．７ＧＨｚを通過帯域に含むフィルタと、
    　３．３ＧＨｚから５ＧＨｚを通過帯域に含むフィルタと、
    　５ＧＨｚから７．１２５ＧＨｚを通過帯域に含むフィルタと、のうち少なくとも２つのフィルタを前記第１フィルタ及び前記第２フィルタとして含む
    　請求項１４～１６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  19. 　前記複数のフィルタは、
    　６９９ＭＨｚから２．７ＧＨｚを通過帯域に含むフィルタと、
    　３．３ＧＨｚから４．２ＧＨｚを通過帯域に含むフィルタと、
    　４．４ＧＨｚから５ＧＨｚを通過帯域に含むフィルタと、
    　５ＧＨｚから７．１２５ＧＨｚを通過帯域に含むフィルタと、のうち少なくとも２つのフィルタを前記第１フィルタ及び前記第２フィルタとして含む
    　請求項１４～１６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  20. 　前記マルチプレクサを有するフロントエンド回路を備え、
    　前記フロントエンド回路は、
    　前記マルチプレクサに直接的又は間接的に接続されたスイッチと、
    　前記マルチプレクサに直接的又は間接的に接続された増幅回路とを有する
    　請求項１３～１９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
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