CN217406506U - 叠层双通带滤波器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种叠层双通带滤波器,包括第一滤波器本体和第二滤波器本体,其均包括长方体状结构的介质块和设置在介质块上用于构成各自滤波特性的金属化电路;第一滤波器本体、第二滤波器本体分别位于顶层和底层设置,第一滤波器本体的介质块的底部表面与第二滤波器的介质块的顶部表面锡焊连接;第一滤波器本体的介质块的底部表面设有第一I/O端口;第二滤波器本体的介质块的顶部表面设有I/O延伸端口,其介质块的底部表面设有第二I/O端口,其介质块的前端面设有延伸金属化块;第一I/O端口锡焊连接I/O延伸端口,延伸金属化块的两端分别电气连接第二I/O端口和I/O延伸端口。本实用新型的叠层双通带滤波器,能够减小产品的整体尺寸,且生产良率高。
Description
技术领域
本实用新型涉及通信器件技术领域,具体涉及一种叠层双通带滤波器。
背景技术
双通带滤波器涉及介质滤波器的一种,通常由陶瓷材料成型后金属化制成具有两个滤波通带的滤波器,如图1所示,其示出一种设计形式的双通带滤波器,两种不同频率的滤波器单独制成后分别焊接至PCB板上,再通过PCB板上的微带线将两个滤波器连接起来,通过微带线的连接和匹配形成具有一个输入端口,一个输出端口的双通带滤波器。如图2所示,其示出第二种设计形式的双通带滤波器,一体成型具有上下两部分结构的介质块,介质块的上下两部分之间留有隔离间隙,介质块根据设计的电路结构金属化后上下两部分分别构成两种不同频率的滤波器,整体构成双通带滤波器。
以上,第一种设计形式的双通带滤波器整体尺寸较大,在一些安装空间受限的设备上的应用受到限制。第二种设计形式的双通带滤波器,具有上下两部分结构并中间保留间隙的介质块构成了特异结构,其制备过程中的成型环节、烧结环节的良率均较低。
发明内容
为此,本实用新型的目的在于解决现有技术中存在的技术问题,提供一种优化结构设计的叠层双通带滤波器,能够减小产品的整体尺寸,且生产良率高。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种叠层双通带滤波器,包括第一滤波器本体和第二滤波器本体,所述第一滤波器本体和第二滤波器本体均包括长方体状结构的介质块和设置在所述介质块上用于构成各自滤波特性的金属化电路;
所述第一滤波器本体位于顶层设置,所述第二滤波器本体位于底层设置,所述第一滤波器本体的介质块的底部表面与所述第二滤波器的介质块的顶部表面锡焊连接;
所述第一滤波器本体的介质块的底部表面设有第一I/O端口;
所述第二滤波器本体的介质块的顶部表面设有I/O延伸端口,其介质块的底部表面设有第二I/O端口,其介质块的前端面设有延伸金属化块;
所述第一I/O端口锡焊连接所述I/O延伸端口,所述延伸金属化块的两端分别电气连接所述第二I/O端口和I/O延伸端口。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括所述第一滤波器本体、第二滤波器本体叠层锡焊连接时各自居中设置。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括所述第一滤波器本体、第二滤波器本体的介质块的尺寸相同。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括所述第一滤波器本体的介质块的尺寸小于第二滤波器本体的介质块的尺寸;或者所述第一滤波器本体的介质块的尺寸大于第二滤波器本体的介质块的尺寸。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括所述第一I/O端口、I/O延伸端口、第二I/O端口均设置为规则的金属化区域,且与各自滤波器本体的接地金属化区域隔断。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括所述第一I/O端口和I/O延伸端口两者对应的金属化区域的面积相同。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括所述第一I/O端口、I/O延伸端口、第二I/O端口通过去金属化间隙与各自滤波器本体的接地金属化区域隔断。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括所述延伸金属化块与构成所述第二滤波器本体的金属化电路的金属化区域隔断。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括所述延伸金属化块与构成所述第二滤波器本体的金属化电路的金属化区域通过去金属化间隙隔断。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括各金属化区域设置为银层区域、铜层区域、金层区域或者铝合金层区域。
本实用新型的上述技术方案相比现有技术具有以下优点:
本实用新型所述的叠层双通带滤波器,包含的两个滤波器本体各自独立进入成型、金属化等制程,且各自独立设计金属化的滤波电路,最后将两个滤波器本体叠层并锡焊连接。其中,第一I/O端口、第二I/O端口分别为上、下层滤波器本体的输入输出端口,而第一I/O端口又通过I/O延伸端口、延伸金属化块电气连接第二I/O端口,使得两个滤波器形成公用一个输入端口和一个输出端口的双通带滤波器。基于此,所述的叠层双通带滤波器不需要微带线连接,也不需要额外的端口匹配,能够减小产品XY方向的尺寸。另一方面,两个独立的滤波器本体均为常规结构,其生产过程中各个环节的良率都能有效保证。
附图说明
图1为现有技术中第一种设计形式的叠层双通带滤波器的结构示意图;
图2为现有技术中第二种设计形式的叠层双通带滤波器的结构示意图;
图3为本实用新型优选实施例中叠层双通带滤波器的结构示意图;
图4为图3所示叠层双通带滤波器中第一滤波器本体的结构示意图;
图5为图3所示叠层双通带滤波器中第二滤波器本体的第一视角结构示意图;
图6为图3所示叠层双通带滤波器中第二滤波器本体的第二视角结构示意图。
图中标号说明:1-PCB板,11-第一带通滤波器,33-第二带通滤波器,55- 微带线;
2-第一滤波器本体,21-介质块,22-第一I/O端口,
4-第二滤波器本体,41-I/O延伸端口,42-第二I/O端口,43-延伸金属化块, 44-介质块;
6-去金属化间隙。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明,以使本领域的技术人员可以更好地理解本实用新型并能予以实施,但所举实施例不作为对本实用新型的限定。
电磁波在高介电常数物质中传播时,其波长可以缩短,利用这一理论可采用介质材料代替传统金属材料,在相同指标下,滤波器的体积可以缩小。其中,陶瓷是目前常用的介质材料,其根据配方不同可以变换多种介电常数,比如介电常数为21,36,90等。
参照图1所示,图1为现有技术中第一种设计形式的双通带滤波器的结构示意图,图1所示双通带滤波器包含两个分离的带通滤波器(11,33),该两个带通滤波器各自焊接在PCB板1上,并通过PCB板1上的微带线55连接以公用一个输入端口和一个输出端口,根据需要微带线55上可以焊接电感、电容进行端口匹配。这种结构设计的双通带滤波器,XY方向的整体尺寸较大,在一些安装空间受限的设备上的应用受到限制。
参照图2所示,图2为第二种设计形式的双通带滤波器的结构示意图,图 2所示双通带滤波器包含一体成型、具有上下两部分结构的介质块,介质块的上下两部分之间留有隔离间隙,介质块根据设计的滤波电路金属化后上下两部分分别构成两种不同频率的滤波器,整体构成双通带滤波器。具有上下两部分结构并中间保留间隙的介质块构成了特异结构,其制备过程中的成型环节、烧结环节的良率均较低。
本实用新型实施例公开一种叠层双通带滤波器,能够减小产品的整体尺寸,且生产良率高。
下面结合附图,对本实用新型实施例作进一步说明。
参照图3至图6所示,本实用型新型优选实施例的一种叠层双通带滤波器,包括第一滤波器本体2和第二滤波器本体4,所述第一滤波器本体2和第二滤波器本体4均包括长方体状结构的介质块(21、44)和设置在所述介质块上用于构成各自滤波特性的金属化电路;此处需要说明的是,所述的第一滤波器本体2、第二滤波器本体4可以为现有技术中的常规连体式介质滤波器、分体式介质滤波器,此处对两个滤波器本体的具体结构不做赘述,并对构成各自滤波特性的金属化电路不做特别限制。
所述第一滤波器本体2位于顶层设置,所述第二滤波器本体4位于底层设置,所述第一滤波器本体2的介质块21的底部表面与所述第二滤波器4的介质块44的顶部表面锡焊连接;需要说明的是,第一滤波器本体2的介质块21的底部表面、第二滤波器本体4的介质块44的顶部表面均在金属化制程中涂覆金属层(例如,银层),焊接时直接在介质块21的底部表面或/和介质块44的顶部表面加锡即可。
参照图3、4所示,所述第一滤波器本体2的介质块21的底部表面设有第一I/O端口22;需要说明的是,所述第一I/O端口22为金属化区域,基于激光工艺或者印刷工艺获得,比如,当介质块21底部表面全部覆盖金属层时,通过激光工艺去除部分的金属化区域,激光去除部分产生去金属化间隙6,由去金属化间隙6隔离开的金属化区域即为第一I/O端口22。参照图3、5-6所示,所述第二滤波器本体4的介质块44的顶部表面设有I/O延伸端口41,其介质块 44的底部表面设有第二I/O端口42,其介质块44的前端面设有延伸金属化块 43。需要说明的是,所述I/O延伸端口41和第二I/O端口42的获得方式同上述第一I/O端口22,所述第一I/O端口22锡焊连接所述I/O延伸端口41,所述延伸金属化块43的两端分别电气连接所述第二I/O端口42和I/O延伸端口 41。
所述的叠层双通带滤波器,包含的两个滤波器本体(2,4)各自独立进入成型、金属化等制程,且各自独立设计滤波电路,最后将两个滤波器本体(2, 4)叠层放置后锡焊连接。其中,第一I/O端口22、第二I/O端口42分别为上、下层滤波器本体的输入输出端口,而第一I/O端口22又通过I/O延伸端口41、延伸金属化块43电气连接第二I/O端口42,使得两个滤波器本体(2,4)形成公用一个输入端口和一个输出端口的双通带滤波器,其中,第二I/O端口42 既是第二滤波器本体4的输入输出端口,又是叠层双通带滤波器的输入输出端口。基于此,所述的叠层双通带滤波器不需要微带线连接,也不需要额外的端口匹配,能够减小产品XY方向的尺寸。另一方面,两个独立的滤波器本体均为常规结构,其生产过程中各个环节的良率都能有效保证。
具体的,所述第一I/O端口22、I/O延伸端口41、第二I/O端口42均设置为规则的金属化区域,且与各自滤波器本体的接地金属化区域隔断,具体的,其中,所述第一I/O端口22、I/O延伸端口41、第二I/O端口42通过去金属化间隙6与各自滤波器本体的接地金属化区域隔断。所述第一I/O端口22、I/O 延伸端口41、第二I/O端口42的金属化区域的获得方式同滤波器的金属化电路的获得方式相同,例如,基于印刷、激光等工艺获得,此处不再赘述。
所述延伸金属化块43与构成所述第二滤波器本体的金属化电路的金属化区域隔断。具体的,所述延伸金属化块43与构成所述第二滤波器本体的金属化电路的金属化区域通过去金属化间隙6隔断。同上,所述延伸金属化块43的获得方式同上,例如,基于印刷、激光等工艺获得,此处不再赘述。
所述的各金属化区域(包第一I/O端口22、I/O延伸端口41、第二I/O端口42、延伸金属化块44)设置为银层区域、铜层区域、金层区域或者铝合金层区域。较多的使用银层区域,其具有良好的导电性和性价比。其中,在同一款叠层双通带滤波器中使用相同的材料制成。
所述第一I/O端口22和I/O延伸端口41两者通过各自的金属化区域锡焊连接,本实用新型实施例中,所述第一I/O端口22和I/O延伸端口41两者对应的金属化区域的面积相同,锡焊连接效果较好。
进一步的,所述第一滤波器本体2、第二滤波器本体4叠层锡焊连接时各自居中设置,使得带通滤波器通带的高、低频端具有一致的性能指标,即滤波器的矩形系数趋近于1。其中一个实施例中,所述第一滤波器本体2、第二滤波器本体4的介质块的尺寸相同。另一个实施例中,所述第一滤波器本体2的介质块21的尺寸小于第二滤波器本体4的介质块44的尺寸;或者所述第一滤波器本体2的介质块21的尺寸大于第二滤波器本体4的介质块44的尺寸。
以上所述实施例仅是为充分说明本实用新型而所举的较佳的实施例,本实用新型的保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本实用新型基础上所作的等同替代或变换,均在本实用新型的保护范围之内。本实用新型的保护范围以权利要求书为准。
Claims (10)
1.一种叠层双通带滤波器,包括第一滤波器本体和第二滤波器本体,所述第一滤波器本体和第二滤波器本体均包括长方体状结构的介质块和设置在所述介质块上用于构成各自滤波特性的金属化电路;其特征在于:
所述第一滤波器本体位于顶层设置,所述第二滤波器本体位于底层设置,所述第一滤波器本体的介质块的底部表面与所述第二滤波器的介质块的顶部表面锡焊连接;
所述第一滤波器本体的介质块的底部表面设有第一I/O端口;
所述第二滤波器本体的介质块的顶部表面设有I/O延伸端口,其介质块的底部表面设有第二I/O端口,其介质块的前端面设有延伸金属化块;
所述第一I/O端口锡焊连接所述I/O延伸端口,所述延伸金属化块的两端分别电气连接所述第二I/O端口和I/O延伸端口。
2.如权利要求1所述的叠层双通带滤波器,其特征在于:所述第一滤波器本体、第二滤波器本体叠层锡焊连接时各自居中设置。
3.如权利要求2所述的叠层双通带滤波器,其特征在于:所述第一滤波器本体、第二滤波器本体的介质块的尺寸相同。
4.如权利要求2所述的叠层双通带滤波器,其特征在于:所述第一滤波器本体的介质块的尺寸小于第二滤波器本体的介质块的尺寸;或者所述第一滤波器本体的介质块的尺寸大于第二滤波器本体的介质块的尺寸。
5.如权利要求1所述的叠层双通带滤波器,其特征在于:所述第一I/O端口、I/O延伸端口、第二I/O端口均设置为规则的金属化区域,且与各自滤波器本体的接地金属化区域隔断。
6.如权利要求5所述的叠层双通带滤波器,其特征在于:所述第一I/O端口和I/O延伸端口两者对应的金属化区域的面积相同。
7.如权利要求5所述的叠层双通带滤波器,其特征在于:所述第一I/O端口、I/O延伸端口、第二I/O端口通过去金属化间隙与各自滤波器本体的接地金属化区域隔断。
8.如权利要求1所述的叠层双通带滤波器,其特征在于:所述延伸金属化块与构成所述第二滤波器本体的金属化电路的金属化区域隔断。
9.如权利要求8所述的叠层双通带滤波器,其特征在于:所述延伸金属化块与构成所述第二滤波器本体的金属化电路的金属化区域通过去金属化间隙隔断。
10.如权利要求1所述的叠层双通带滤波器,其特征在于:各金属化区域设置为银层区域、铜层区域、金层区域或者铝合金层区域。
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