CN115066408B - 接合体、保持装置以及静电卡盘 - Google Patents

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Abstract

一种接合体，其由第1构件和第2构件经由接合部接合而成，该接合部包含具有相互连通的多个孔的金属层，在第1构件和金属层分别形成有相互连通的贯通孔，在形成于金属层的贯通孔的内侧与金属层的内部之间配置有筒状构件。

Description

接合体、保持装置以及静电卡盘
技术领域
本发明涉及接合体、保持装置以及静电卡盘。
背景技术
以往，公知一种由两个构件接合而成的接合体。通常，用于保持晶圆的保持装置具有接合体，该接合体包括：具备供晶圆载置的载置面的陶瓷构件、冷却晶圆的金属构件、以及将陶瓷构件与金属构件接合的接合部(例如专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许3485390号公报
发明内容
发明要解决的问题
为了缓和由陶瓷构件与金属构件的热膨胀差引起的应力，有时在接合体的接合部配置金属层。若在该金属层形成有供流体流动的贯通孔，则有可能贯通孔的流体从贯通孔的内侧向金属层的内部漏出，或者保持装置的外侧的流体经由金属层的孔流入贯通孔。另外，金属层的碎片等有可能落入贯通孔。
本发明的目的在于提供如下一种技术：在具备形成有贯通孔的金属层的接合体中，限制贯通孔的内侧与金属层的内部之间的流体的移动，并且抑制金属层的碎片落入贯通孔。
用于解决问题的方案
本发明是为了解决上述课题的至少一部分而完成的，能够作为以下的方式来实现。
(1)根据本发明的一方式，提供一种接合体，其由第1构件和第2构件经由接合部接合而成，该接合部包含具有相互连通的多个孔的金属层。在该接合体中，在所述第1构件和所述金属层分别形成有相互连通的贯通孔，在形成于所述金属层的贯通孔的内侧与所述金属层的内部之间配置有筒状构件。
根据该结构，接合部所包含的金属层具有相互连通的多个孔，在金属层形成有与形成于第1构件的贯通孔连通的贯通孔。在该金属层的贯通孔的内侧与金属层的内部之间配置有筒状构件。由此，在流体向贯通孔的内侧流动时，能够利用筒状构件抑制流体向金属层的内部漏出。另外，在筒状构件的作用下，流体难以从金属层的多个孔向贯通孔的内侧流入，能够抑制贯通孔的外部的流体向贯通孔流入。另外，能够利用筒状构件抑制金属层的碎片等落入贯通孔。
(2)在上述方式的接合体中，也可以是，在所述第2构件形成有与分别形成于所述第1构件和所述金属层的贯通孔连通的贯通孔。根据该结构，分别形成于第1构件和金属层的贯通孔与形成于第2构件的贯通孔连通。在形成于金属层的贯通孔中，利用筒状构件抑制贯通孔的流体向金属层漏出、或者金属层的内部的流体向贯通孔流入，因此，在第2构件的贯通孔中流动的流体的流量相对于在第1构件的贯通孔中流动的流体的流量的变化较小。由此，能够隔着接合体从第1构件侧向第2构件侧、或者从第2构件侧向第1构件侧稳定地供给流体。
(3)在上述方式的接合体中，也可以是，所述筒状构件的一个端部配置于在所述第1构件形成的贯通孔的内侧，所述筒状构件的另一个端部配置于在所述第2构件形成的贯通孔的内侧。根据该结构，筒状构件的一个端部配置于第1构件的贯通孔的内侧，另一个端部配置于第2构件的贯通孔的内侧。由此，能够抑制因在利用接合部将第1构件与第2构件接合时、在高温下使用接合体时产生的热应力而导致筒状构件从第1构件、第2构件分离。因此，能够进一步限制贯通孔的内侧与金属层的内部之间的流体的移动，并且能够进一步抑制金属层的碎片落入贯通孔。
(4)在上述方式的接合体中，也可以是，在所述筒状构件的外周遍及周向地形成有波纹部。根据该结构，在筒状构件的外周，遍及周向地形成有波纹部。由此，例如在第1构件和第2构件由热膨胀率不同的材料形成的情况下，在将第1构件和第2构件接合时、在高温下使用接合体时，波纹部根据因热膨胀差所产生的应力的大小而变形。当波纹部变形时，能够缓和第1构件与第2构件的接合界面的残余应力、对应力的耐受较弱的构件中的残余应力。因此，能够抑制接合体的破损。
(5)在上述方式的接合体中，也可以是，所述筒状构件由与所述金属层相同的材料形成。根据该结构，筒状构件由与金属层相同的材料形成。由此，接合部由筒状构件及金属层的材料和钎料的材料这两种材料形成，因此，与筒状构件、金属层以及钎料由不同的材料形成的情况相比，接合部的组成不受部位的影响而较为均匀。因此，在接合部处难以产生由部位引起的热应力之差，能够进一步抑制接合体的破损。
(6)在上述方式的接合体中，也可以是，所述筒状构件的与轴线方向垂直的剖面为圆形形状。根据该结构，筒状构件形成为，与轴线方向垂直的剖面为圆形形状。由此，筒状构件难以因从与轴线交叉的方向作用的力而变形，因此能够进一步抑制流体在贯通孔与金属层之间移动、金属层的碎片向贯通孔落下。
(7)根据本发明的另一方式，提供一种保持装置。该保持装置具备上述的接合体，所述第2构件具备供保持对象物载置的载置面。根据该结构，例如在分别形成于第1构件和金属层的贯通孔与第2构件的贯通孔连通的情况下，能够抑制在这些贯通孔中流动的流体的流量变化，因此，能够向保持对象物与载置面之间稳定地供给流体。另外，由于能够抑制金属层的碎片向贯通孔落下，因此，能够抑制由金属层的碎片引起的保持对象物的污染。由此，能够提高产品的成品率。
(8)根据本发明的又一方式，提供一种静电卡盘。该静电卡盘具备上述的保持装置，所述第2构件在内部具有静电吸附电极。根据该结构，在接合体形成有向载置面供给流体的贯通孔。在上述的保持装置中，通过配置于金属层的贯通孔的内侧与金属层的内部之间的筒状构件，能够抑制因接合材料向贯通孔漏出而导致的贯通孔的堵塞。由此，能够抑制金属层的碎片向贯通孔落下，因此，能够抑制由金属层的碎片引起的污染。因此，能够提高使用静电卡盘制造的产品的成品率。
此外，本发明能够以各种方式实现，例如，能够以包含接合体的装置、接合体以及保持装置的制造方法等方式实现。
附图说明
图1是表示第1实施方式的静电卡盘的外观的立体图。
图2是静电卡盘的整体剖视图。
图3是静电卡盘的局部剖视图。
图4是说明筒状构件的第1图。
图5是说明筒状构件的第2图。
图6是比较例的静电卡盘的剖视图。
图7是第2实施方式的静电卡盘的剖视图。
图8是静电卡盘的放大剖视图。
图9是第3实施方式的静电卡盘的剖视图。
图10是静电卡盘的放大剖视图。
图11是第3实施方式的静电卡盘的变形例的剖视图。
具体实施方式
<第1实施方式>
图1是表示第1实施方式的静电卡盘1的外观的立体图。图2是静电卡盘1的整体剖视图。图3是静电卡盘1的局部剖视图。第1实施方式的静电卡盘1是通过利用静电引力来吸附晶圆W并保持晶圆W的保持装置，例如设于蚀刻装置。静电卡盘1具备陶瓷构件10、电极端子15、升降销18、金属构件20以及接合部30。在静电卡盘1中，在z轴方向(上下方向)上依次层叠有陶瓷构件10、接合部30、金属构件20。在静电卡盘1中，由陶瓷构件10、接合部30以及金属构件20构成的接合体1a成为大致圆形形状的柱状体。陶瓷构件10相当于技术方案的“第2构件”。金属构件20相当于技术方案的“第1构件”。晶圆W相当于技术方案的“保持对象物”。
陶瓷构件10是大致圆形形状的板状构件，由氧化铝(Al2O3)形成。陶瓷构件10的直径例如为50mm～500mm左右(通常为200mm～350mm左右)，陶瓷构件10的厚度例如为1mm～10mm左右。陶瓷构件10具有一对主面11、12。在一对主面11、12中的一个主面11形成供晶圆W载置的载置面13。载置于载置面13的晶圆W通过配置于陶瓷构件10的内部的静电吸附电极100(参照图2和图3)所产生的静电引力而被吸附固定于载置面13。在另一个主面12形成有凹部14。在凹部14配置将来自未图示的电源的电力向静电吸附电极100供给的电极端子15的端部15a。此外，形成陶瓷构件10的陶瓷也可以是氮化铝(AlN)、氧化锆(ZrO2)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)、氧化钇(Y2O3)等。
在陶瓷构件10形成有两个贯通孔16、17。贯通孔16沿z轴方向贯通陶瓷构件10，供升降销18插入。在晶圆W载置于载置面13时，贯通孔17成为供向载置面13与晶圆W之间供给的氦气流动的流路。
金属构件20是由不锈钢形成的大致圆形平面状的板状构件，具有一对主面21、22。金属构件20的直径例如为220mm～550mm左右(通常为220mm～350mm)，金属构件20的厚度例如为20mm～40mm左右。在金属构件20的内部形成有制冷剂流路200(参照图2)。当例如氟类非活性液体、水等制冷剂在制冷剂流路200中流动时，经由接合部30将陶瓷构件10冷却，将载置于陶瓷构件10的晶圆W冷却。此外，形成金属构件20的金属的种类也可以是铜(Cu)、铝(Al)、铝合金、钛(Ti)、钛合金等。
在金属构件20形成有3个贯通孔23、24、25。如图3所示，3个贯通孔23、24、25分别沿z轴方向贯通陶瓷构件10。电极端子15在贯通孔23中贯穿。升降销18插入贯通孔24。在晶圆W载置于载置面13时，贯通孔25成为供向载置面13与晶圆W之间供给的氦气流动的流路。
接合部30具备金属层31、筒状构件32以及钎料33，将陶瓷构件10与金属构件20接合。金属层31是大致圆形平面状的板状构件，且是具有相互连通的多个孔的多孔质体。在本实施方式中，金属层31是由包含钛(Ti)的金属纤维形成的毛毡，配置于陶瓷构件10与金属构件20之间。此外，金属层31并不限定于由金属纤维形成的毛毡，也可以是多孔材料、网眼构造材料。另外，形成金属层31的金属也可以由镍(Ni)、铝、铜、黄铜、它们的合金或不锈钢等形成。
在金属层31形成有3个贯通孔31a、31b、31c。贯通孔31a将陶瓷构件10的凹部14与金属构件20的贯通孔23连通。贯通孔31b将陶瓷构件10的贯通孔16与金属构件20的贯通孔24连通。贯通孔31c将陶瓷构件10的贯通孔17与金属构件20的贯通孔25连通。即，在金属构件20和金属层31分别形成有相互连通的贯通孔23、25、31a、31c，在陶瓷构件10形成有与分别形成于金属构件20和金属层31的贯通孔25、31c连通的贯通孔17。
筒状构件32是圆筒形状的构件，是上下开口且侧面密封的构件。如图3所示，筒状构件32配置于贯通孔31a和贯通孔31c各自的内侧。在本实施方式中，筒状构件32由与金属层31相同材料的包含钛的金属形成，适合在高温环境下使用。在本实施方式中，筒状构件32的高度为0.5mm～2.0mm，外壁的厚度为0.01mm～0.15mm。
图4是说明筒状构件32的第1图，且是图3的A部放大图。图5是说明筒状构件32的第2图，且是筒状构件32的与轴线C32垂直的剖视图。筒状构件32的两个端部32a、32b中的一个端部32a与金属构件20的一个主面21接触，另一个端部32b与陶瓷构件10的另一个主面12接触。在本实施方式中，一个端部32a与金属构件20的一个主面21通过未图示的钎料接合，另一个端部32b与陶瓷构件10的另一个主面12通过未图示的钎料接合。在本实施方式中，筒状构件32的与轴线C32方向垂直的剖面为圆形(参照图5)。
配置于贯通孔31a的内侧的筒状构件32限制贯通孔31a的内侧与金属层31的内部之间的流体的移动。由此，在蚀刻装置中加工晶圆W时滞留在静电卡盘1的外侧的加工气体等难以经由金属层31流入贯通孔23、31a、凹部14，能够抑制用于形成金属层31的金属纤维的碎片向贯通孔31a落下。
配置于贯通孔31c的内侧的筒状构件32限制贯通孔31c的内侧与金属层31的内部之间的流体的移动。由此，能够抑制在金属构件20的贯通孔25、金属层31的贯通孔31c、陶瓷构件10的贯通孔17中流动的氦气向金属层31的内部漏出，并且抑制金属层31的金属纤维的碎片向贯通孔31c落下。
钎料33为银(Ag)系钎料，进入金属层31所具有的多个孔，并且分别与陶瓷构件10的另一个主面12以及金属构件20的一个主面21接合。此外，钎料33也可以是包含钛(Ti)的钎料、焊料等焊接材料、硅酮类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂等粘接材料、玻璃膏等无机类粘接材料等。
接着，对静电卡盘1的制造方法进行说明。在静电卡盘1的制造方法中，首先，在形成有贯通孔23、24、25和制冷剂流路200的金属构件20的一个主面21配置成为钎料33的金属箔(以下，称为“金属构件侧的金属箔”)。接着，将形成有贯通孔31a、31b、31c的金属层31配置在金属构件侧的金属箔上，在贯通孔31a、31c中分别插入筒状构件32。接着，在金属层31的与金属构件20相反的一侧配置成为钎料33的另一金属箔(以下，称为“陶瓷构件侧的金属箔”)。在该陶瓷构件侧的金属箔上配置陶瓷构件10，使用陶瓷构件侧的金属箔将陶瓷构件10与金属层31接合，使用金属构件侧的金属箔将金属构件20与金属层31接合。由此，接合体1a完成。通过在已完成的接合体1a组装电极端子15、升降销18，从而完成静电卡盘1。
图6是比较例的静电卡盘5的剖视图。接着，与比较例的静电卡盘5进行比较来说明本实施方式的静电卡盘1中的筒状构件32的效果。比较例的静电卡盘5在接合部30的贯通孔31a、31c的内侧未配置筒状构件。
在使用比较例的静电卡盘5来利用等离子体对晶圆W进行加工时，加工气体滞留在静电卡盘5的周围。该加工气体有可能经过形成于金属层31的内部的多个孔而流入贯通孔31a(参照图6的虚线箭头F01)。另外，伴随着此时的加工气体的流入，金属层31的金属纤维的碎片有可能落入贯通孔31a。
在比较例的静电卡盘5中，在对晶圆W进行加工时，经由金属构件20的贯通孔25、接合部30的贯通孔31c以及陶瓷构件10的贯通孔17向载置面13与晶圆W之间供给氦气。在比较例的静电卡盘5中，经过接合部30的贯通孔31c的内侧的氦气从贯通孔31c向金属层31所具有的多个孔漏出(参照图6的虚线箭头F02)，因此，在贯通孔31c中流动的氦气的流量有可能减少，难以向载置面13与晶圆W之间稳定地供给氦气。另外，接合部30内的残留气体有可能流入贯通孔31c，有可能因该残留气体流入贯通孔31c而导致污染晶圆W。进而，伴随着残留气体的流入，金属层31的金属纤维的碎片落入贯通孔31c而与氦气一起向载置面13移动，附着于晶圆W，由此有可能污染晶圆W。
在本实施方式的静电卡盘1中，在接合部30的贯通孔31a的内侧配置有筒状构件32(参考图3)。由此，滞留于静电卡盘1的周围的加工气体被配置于贯通孔31a的内侧的筒状构件32遮挡，因此难以流入贯通孔23、31a、凹部14(参考图3的虚线箭头F11)。另外，金属层31的金属纤维的碎片向贯通孔23、31a、凹部14的进入也被筒状构件32抑制。
在本实施方式的静电卡盘1中，在接合部30的贯通孔31c的内侧配置有筒状构件32(参考图3)。由此，在接合部30的贯通孔31c中流动的氦气在贯通孔31c中不会漏出到金属层31的内部，而是稳定地向载置面13与晶圆W之间供给(参照图3的虚线箭头F12)，因此能够使载置面13与晶圆W之间的氦气气氛稳定。另外，能够抑制接合部30内的残留气体流入贯通孔31c，因此能够抑制晶圆W的污染。并且，能够抑制金属层31的金属纤维的碎片伴随着接合部30的残留气体的流入而落入贯通孔31c，因此能够抑制晶圆W被碎片污染。
根据以上说明的本实施方式的接合体1a，接合部30所含的金属层31具有相互连通的多个孔，在金属层31形成有与形成于金属构件20的贯通孔23、25分别连通的贯通孔31a、31c。在该金属层31的贯通孔31a、31c各自的内侧配置有筒状构件32，该筒状构件32限制气体在贯通孔31a、31c各自的内侧与金属层31的内部之间进行移动。由此，配置于贯通孔31a的内侧的筒状构件32能够抑制晶圆W的加工气体向贯通孔31a流入，并且能够抑制金属层31的金属纤维的碎片向贯通孔31a落下。另外，配置于贯通孔31c的内侧的筒状构件32能够抑制在贯通孔31c中流动的氦气向金属层31的内部漏出，并且能够抑制金属层31的金属纤维的碎片向贯通孔31a落下。
另外，根据本实施方式的接合体1a，分别形成于金属构件20和金属层31的贯通孔25、31c与形成于陶瓷构件10的贯通孔17连通。在形成于金属层31的贯通孔31c中，能够抑制在贯通孔31c中流动的氦气向金属层31漏出、或者金属层31的内部的流体向贯通孔31c的内侧流入，因此，在陶瓷构件10的贯通孔17中流动的氦气的流量相对于在金属构件20的贯通孔25中流动的氦气的流量的变化较小。由此，能够隔着接合体1a从金属构件20侧向陶瓷构件10侧稳定地供给氦气，因此能够向晶圆W与载置面13之间稳定地供给氦气。
另外，根据本实施方式的接合体1a，筒状构件32由与金属层31相同的材料形成。由此，接合部30由金属层31及筒状构件32的材料和钎料33的材料这两种材料形成，因此，与钎料、金属层以及筒状构件由不同的材料形成的情况相比，接合部30的组成不受部位的影响而较为均匀。因此，在接合部30处难以产生由部位引起的热应力之差，能够抑制接合体1a的破损。
另外，根据本实施方式的接合体1a，如图5所示，筒状构件32的与轴线C32方向垂直的剖面形成为圆形形状。由此，筒状构件32难以因从与轴线C32交叉的方向作用的力而变形，因此能够进一步抑制流体在贯通孔31a、31c与金属层31之间移动、金属层31的碎片向贯通孔31a、31c落下。
另外，根据本实施方式的静电卡盘1，例如，分别形成于金属构件20和金属层31的贯通孔25、31c与陶瓷构件10的贯通孔17连通，在贯通孔31c中流动的氦气的流量变化被抑制，因此，能够向晶圆W与载置面13之间稳定地供给氦气。另外，能够抑制金属层31的碎片向贯通孔31c落下，因此，能够抑制由金属层31的碎片引起的晶圆W的污染。由此，能够提高产品的成品率。
<第2实施方式>
图7是第2实施方式的静电卡盘2的剖视图。第2实施方式的静电卡盘2与第1实施方式的静电卡盘1(图3)相比，筒状构件的形状不同。
本实施方式的静电卡盘2具备陶瓷构件10、电极端子15、升降销18、金属构件20以及接合部40。接合部40将陶瓷构件10与金属构件20接合，具备金属层31、筒状构件42以及钎料33。在静电卡盘2中，由陶瓷构件10、接合部40以及金属构件20构成的接合体2a成为大致圆形形状的柱状体。
筒状构件42是大致圆筒形状的构件，且是上下开口且侧面密封的构件。如图7所示，筒状构件42配置于贯通孔31a和贯通孔31c各自的内侧。配置于贯通孔31a的内侧的筒状构件42抑制晶圆W的加工气体向贯通孔31a流入，并且抑制金属层31的金属纤维的碎片向贯通孔31a落下。配置于贯通孔31c的内侧的筒状构件42抑制在贯通孔31c中流动的氦气向金属层31的内部漏出，并且抑制金属层31的金属纤维的碎片向贯通孔31a落下。
图8是静电卡盘2的放大剖视图，且是图7的B部放大图。筒状构件42具有两个端部42a、42b以及连接两个端部42a、42b的波纹部42c。一个端部42a位于筒状构件42的z轴方向的负侧，与金属构件20的一个主面21接触。另一个端部42b位于筒状构件42的z轴方向的正侧，与陶瓷构件10的另一个主面12接触。波纹部42c在筒状构件42的外周遍及周向地形成。波纹部42c根据一个端部42a的位置与另一个端部42b的位置的关系而变形。
根据以上说明的本实施方式的静电卡盘2，在筒状构件42的外周，遍及周向地形成有波纹部42c。由此，例如在将陶瓷构件10与金属构件20接合时、在高温下使用静电卡盘2时，波纹部42c根据因陶瓷构件10与金属构件20的热膨胀差所产生的应力的大小而变形。当波纹部42c变形时，能够缓和陶瓷构件10与金属构件20的接合界面的残余应力、对应力的耐受较弱的陶瓷构件10的残余应力。因此，能够抑制静电卡盘2的破损。
<第3实施方式>
图9是第3实施方式的静电卡盘3的局部剖视图。第3实施方式的静电卡盘3与第1实施方式的静电卡盘1(图3)相比，筒状构件的端部的位置不同。
本实施方式的静电卡盘3具备陶瓷构件10、电极端子15、升降销18、金属构件20以及接合部50。接合部50将陶瓷构件10与金属构件20接合，具备金属层31、筒状构件52、53以及钎料33。在静电卡盘3中，由陶瓷构件10、接合部50以及金属构件20构成的接合体3a成为大致圆形形状的柱状体。
筒状构件52是圆筒形状的构件，且是上下开口且侧面密封的构件，配置于金属层31的贯通孔31a的内侧。如图9所示，筒状构件52的两个端部52a、52b中的一个端部52a配置于金属构件20的贯通孔23的内侧。另一个端部52b与陶瓷构件10的另一个主面12接触。由此，在金属构件20与筒状构件52之间难以形成间隙，因此，能够抑制晶圆W的加工气体向贯通孔31a流入，抑制金属层31的金属纤维的碎片向贯通孔31a落下。此外，筒状构件52的另一个端部52b也可以配置于在陶瓷构件10的另一个主面12形成的槽等。
图10是静电卡盘3的放大剖视图，且是图9的C部放大图。筒状构件53是圆筒形状的构件，且是上下开口且侧面密封的构件，配置于金属层31的贯通孔31c的内侧。筒状构件53的两个端部53a、53b中的一个端部53a配置于金属构件20的贯通孔25的内侧。另一个端部53b配置于陶瓷构件10的贯通孔17的内侧。由此，在陶瓷构件10与筒状构件53之间以及金属构件20与筒状构件53之间难以形成间隙，因此，抑制在贯通孔31c中流动的氦气向金属层31的内部漏出，抑制金属层31的金属纤维的碎片向贯通孔31a落下。
根据以上说明的本实施方式的静电卡盘3，筒状构件52的一个端部52a配置于金属构件20的贯通孔23的内侧。筒状构件53的一个端部53a配置于金属构件20的贯通孔25的内侧，另一个端部53b配置于陶瓷构件10的贯通孔17的内侧。由此，能够抑制因在利用接合部50将陶瓷构件10与金属构件20接合时、在高温下使用静电卡盘3时在静电卡盘3的内部产生的热应力而导致筒状构件52、53从陶瓷构件10、金属构件20分离。因此，能够进一步限制贯通孔31c的内侧与金属层31的内部之间的流体的移动，并且能够进一步抑制金属层31的碎片落入贯通孔31c。
<本实施方式的变形例>
本发明不限于上述的实施方式，能够在不脱离其主旨的范围内以各种方式实施，例如也能够进行如下的变形。
[变形例1]
在上述的实施方式中，“接合体”具备陶瓷构件10和金属构件20。但是，构成“接合体”的构件的组合并不限定于此。例如，可以是陶瓷构件彼此接合而成的接合体，也可以是金属构件彼此接合而成的接合体。进而，也可以由陶瓷和金属以外的其他材料形成。例如，也可以由玻璃、环氧玻璃、热塑性树脂和热固性树脂等树脂、酚醛纸、环氧纸、玻璃复合材料、在表面形成有这些绝缘构件的金属构件等形成。
[变形例2]
在上述的实施方式中，陶瓷构件10具有与接合部30的贯通孔31a连通的凹部14和与贯通孔31c连通的作为“第2构件的贯通孔”的贯通孔17。但是，也可以在“第2构件”形成有与接合部的贯通孔连通的凹部或“贯通孔”中的任一者。另外，也可以不形成凹部和贯通孔，也可以形成多个贯通孔。
[变形例3]
在上述的实施方式中，筒状构件由与金属层相同材料的包含钛的金属形成。但是，形成筒状构件的材料与形成金属层的材料也可以不同，并不限定于包含钛的金属。也可以是钛以外的金属，也可以是氧化铝、氮化铝等陶瓷材料。另外，筒状构件优选为致密体。通过由相同的材料形成筒状构件和金属层，由此，接合部的组成不受部位的影响而较为均匀，因此，在接合部处难以产生由部位引起的热应力之差，能够抑制接合体的破损。
[变形例4]
在上述的实施方式中，在筒状构件中，筒状构件的与轴线方向垂直的剖面为圆形形状。但是，筒状构件的与轴线方向垂直的剖面也可以不是圆形形状。
[变形例5]
在上述的实施方式中，静电卡盘设于蚀刻装置。但是，静电卡盘的应用领域并不限定于此。例如，也可以是具备用于加热晶圆的加热器的静电卡盘。在静电卡盘具备加热器的情况下，静电卡盘在高温环境下使用，因此，用于形成筒状构件的材料优选由耐热温度高的金属形成。另外，静电卡盘也可以用于在半导体制造装置中进行晶圆的固定、矫正、输送等。进而，包括具有接合体的“保持装置”的装置并不限定于静电卡盘，例如也可以用作CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)装置、PVD(Physical Vapor Deposition：物理气相沉积)装置、PLD(Pulsed Laser Deposition：脉冲激光沉积)装置等真空装置用加热器、基座(susceptor)、载置台。因此，对保持对象物进行保持的力并不限定于静电引力。
[变形例6]
在上述的实施方式中，也可以是，在接合体中，在陶瓷构件与接合部之间、以及金属构件与接合部之间的至少任一者具备金属层等其他层。该其他层例如也可以是通过形成接合部的钎料中的钛的蒸发而形成的层、预先形成的金属化层等。
[变形例7]
在上述的实施方式中，陶瓷构件10、接合部30、40、50以及金属构件20的接合体1a、2a、3a为大致圆形形状的柱状体。但是，“接合体”的形状并不限定于此。例如，既可以是矩形形状，也可以是多边形形状等。
[变形例8]
在第3实施方式中，配置于电极端子15的周围的筒状构件52的一个端部52a在金属构件20的一个主面21侧配置于贯通孔23的内侧。但是，配置筒状构件的端部的位置并不限定于此。
图11是第3实施方式的静电卡盘3的变形例的剖视图。如图11所示，筒状构件52的一个端部52a在金属构件20的另一个主面22侧配置于贯通孔25的内侧。即，筒状构件52也可以以贯穿金属构件20的方式配置。另外，在第3实施方式中，筒状构件53也可以以贯穿陶瓷构件10、金属构件20的方式配置。
[变形例9]
在第3实施方式中，筒状构件52的一个端部52a配置于金属构件20的贯通孔23的内侧，另一个端部52b与陶瓷构件10的另一个主面12接触。这样，接合部的筒状构件的两个端部中的任一端部配置于与接合部相邻的构件中的任一构件的贯通孔的内侧即可。由此，能够抑制筒状构件离开在贯通孔的内侧插入有筒状构件的端部的构件，因此，能够进一步限制金属层的贯通孔的内侧与金属层的内部之间的流体的移动，并且能够进一步抑制金属层的碎片落入贯通孔。
以上基于实施方式、变形例对本方式进行了说明，但上述方式的实施方式是为了容易理解本方式，并不是限定本方式。本方式能够在不脱离其主旨以及权利要求书的前提下进行变更、改良，并且本方式包含其等价物。另外，如果其技术特征在本说明书中没有作为必须的技术特征进行说明，则能够适当地删除。
附图标记说明
1、2、3、静电卡盘；1a、2a、3a、接合体；10、陶瓷构件；13、载置面；16、17、(陶瓷构件的)贯通孔；20、金属构件；23、24、25、(金属构件的)贯通孔；30、40、50、接合部；31、金属层；31a、31c、贯通孔；32、42、52、53、筒状构件；32a、42a、52a、53a、一个端部；32b、42b、52b、53b、另一个端部；42c、波纹部；W、晶圆。

Claims (8)

1.一种接合体，其由第1构件和第2构件经由接合部接合而成，该接合部包含具有相互连通的多个孔的金属层，
该接合体的特征在于，
在所述第1构件和所述金属层分别形成有相互连通的贯通孔，
在形成于所述金属层的贯通孔的内侧与所述金属层的内部之间配置有筒状构件，
在所述筒状构件的外周遍及周向地形成有波纹部。
2.根据权利要求1所述的接合体，其特征在于，
在所述第2构件形成有与分别形成于所述第1构件和所述金属层的贯通孔连通的贯通孔。
3.根据权利要求2所述的接合体，其特征在于，
所述筒状构件的一个端部配置于在所述第1构件形成的贯通孔的内侧，
所述筒状构件的另一个端部配置于在所述第2构件形成的贯通孔的内侧。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的接合体，其特征在于，
所述筒状构件由与所述金属层相同的材料形成。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的接合体，其特征在于，
所述筒状构件的与轴线方向垂直的剖面为圆形形状。
6.根据权利要求4所述的接合体，其特征在于，
所述筒状构件的与轴线方向垂直的剖面为圆形形状。
7.一种保持装置，其特征在于，
该保持装置具备权利要求1～6中任一项所述的接合体，
所述第2构件具备供保持对象物载置的载置面。
8.一种静电卡盘，其特征在于，
该静电卡盘具备权利要求7所述的保持装置，
所述第2构件在内部具有静电吸附电极。
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