CN115551665A - 接合体和静电卡盘 - Google Patents

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Abstract

接合体包括平板状的第1构件、平板状的第2构件以及配置于第1构件与第2构件之间并且将第1构件和第2构件接合起来的接合部,接合部具有:第1接合层,其由第1接合材料构成,配置于第1构件侧;第2接合层,其由第2接合材料构成,配置于第2构件侧;以及金属层,其配置于第1接合层与第2接合层之间,形成有彼此连通的多个孔,呈平板状,该金属层具有:配置于第1接合层侧并且第1接合材料浸渗到多个孔中的第1接合材料浸渗层、配置于第2接合层侧并且第2接合材料浸渗到多个孔中的第2接合材料浸渗层以及配置于第1接合材料浸渗层与第2接合材料浸渗层之间并且多个孔为空的空孔层。

Description

接合体和静电卡盘
技术领域
本发明涉及一种将两个构件接合起来的接合体。
背景技术
以往提出了如下的技术:在使用钎焊材料等焊接材料、粘接剂等接合材料将由金属、陶瓷等形成的两个构件接合起来的接合体中,抑制因两个构件的热膨胀系数不同等导致的形变(例如参照专利文献1、2)。
专利文献1公开了如下的技术:通过使接合两个构件的接合层具有焊料和金属丝网,从而使接合层的厚度均匀化,并且确保厚度,抑制热应力的缓和能力的降低。
专利文献2公开了如下的技术:通过使金属多孔材料作为中间层夹在中间来接合陶瓷材料和金属材料,从而利用中间层的变形来缓和热应力。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-179313号公报
专利文献2:日本特开2012-91975号公报
发明内容
发明要解决的问题
在专利文献1所述的技术中,由于在接合之后利用接合层固定单元构造体,因此,在使用接合体时,存在应力缓冲效果变小的问题。另外,在专利文献2中,未提及钎焊材料相对于金属多孔材料浸渗的程度,根据钎焊材料相对于金属多孔材料浸渗程度的不同,有可能导致接合不充分、应力缓冲效果变小。
本发明是为了解决上述的课题而完成的,其目的在于提供能够在使用接合材料将两个构件接合起来的接合体中缓冲应力的其他技术。
用于解决问题的方案
本发明是为了解决上述的课题的至少一部分而完成的,能够通过以下的方式来实现。
(1)根据本发明的一方式,提供一种接合体。该接合体包括平板状的第1构件、平板状的第2构件以及配置于所述第1构件与所述第2构件之间并且将所述第1构件和所述第2构件接合起来的接合部,该接合体的特征在于,所述接合部具有:第1接合层,其由第1接合材料构成,配置于所述第1构件侧;第2接合层,其由第2接合材料构成,配置于所述第2构件侧;以及金属层,其呈平板状,配置于所述第1接合层与所述第2接合层之间,形成有互相连通的多个孔,该金属层具有:配置于所述第1接合层侧并在所述多个孔中浸渗有所述第1接合材料的第1接合材料浸渗层、配置于所述第2接合层侧并在所述多个孔中浸渗有所述第2接合材料的第2接合材料浸渗层以及配置于所述第1接合材料浸渗层与所述第2接合材料浸渗层之间并且所述多个孔为空的空孔层。
根据该结构,由于接合部所具备的金属层具备空孔层,因此,在使用接合体时的加热冷却环境中,金属层能够变形。因此,能够利用金属层缓冲与第1构件和第2构件的变形相伴随的应力,能够抑制接合体的形变、翘曲、剥离等。另外,由于在金属层中浸渗有接合材料,在金属层形成有第1接合材料浸渗层和第2接合材料浸渗层,因此,能够充分地进行第1接合层与金属层的接合以及第2接合层与金属层的接合。其结果是,能够将第1构件和第2构件充分地接合,能够抑制剥离。
(2)根据上述方式的接合体,也可以是,所述金属层的所述空孔层在从所述金属层的中心至外周的范围形成。这样,能够在第1构件的整个主面和第2构件的整个主面的范围缓冲应力,能够得到更大的应力缓冲效果。
(3)根据上述方式的接合体,也可以是,所述金属层为金属纤维的毡。金属纤维的毡中的纤维容易进行动作,因此,若这样设置,则能够更适当地缓和应力。
(4)根据上述方式的接合体,也可以是,所述金属纤维的线径为1μm以上且30μm以下。这样,能够适当地形成金属层的空孔层。
(5)根据上述方式的接合体,也可以是,所述金属层的空隙率为50%以上且90%以下。这样,能够充分地得到由金属层的空孔层所产生的应力缓和效果。
(6)根据上述方式的接合体,也可以是,在将所述金属层的与所述第1接合层接合的接合面积和所述金属层的与所述第2接合层接合的接合面积的平均面积设为Smm2,将所述金属层的厚度设为tmm时,t≥0.07log(S)-0.1。这样,更加能够得到应力缓和效果。
(7)根据上述方式的接合体,所述第1接合材料由无机材料或者金属构成,所述第2接合材料由无机材料或者金属构成。无机的接合材料、金属的接合材料的耐热温度高于树脂等有机的接合材料的耐热温度,因此,例如,在300℃以上等的高温环境下,也能够使用接合体。
(8)根据本发明的其他方式,提供一种静电卡盘。该静电卡盘具备上述接合体,所述第1构件的主面为用于载置保持对象物的载置面。根据该结构,能够利用金属层的空孔层缓和应力,能够抑制在使用静电卡盘时的第1构件的变形,因此,能够抑制保持对象的载置面的变形,能够提高静电卡盘的保持性能。
此外,本发明能够以各种实施方式实现,例如,能够以具备接合体的保持装置、具备接合体的半导体部件、具备接合体的波长变换部件、接合体的制造方法、具备接合体的静电卡盘的制造方法等方式实现。
附图说明
图1是概略地表示第1实施方式的接合体的XZ剖面结构的说明图。
图2是表示金属层的空隙率与第1构件的变形量的关系的图。
图3是表示金属层的厚度与应力缓冲效果的关系的图。
图4是表示金属层的金属纤维的线径与应力缓冲效果的关系的图。
图5是概略地表示第2实施方式的接合体的XZ剖面结构的说明图。
图6是概略地表示第2实施方式的金属层的俯视结构的说明图。
图7是概略地表示第3实施方式的静电卡盘的外观结构的立体图。
图8是概略地表示静电卡盘的XZ剖面结构的说明图。
具体实施方式
<第1实施方式>
图1是概略地表示第1实施方式的接合体10的XZ剖面结构的说明图。在图1中,Y轴正方向为朝向纸面背侧的方向。在图1中,为了确定方向,示出彼此正交的XYZ轴。在本说明书中,为了方便起见,将Z轴正方向设为上方,将Z轴负方向设为下方,但接合体10实际上也可以以与这样的朝向不同的朝向来使用。
接合体10包括平板状的第1构件100、平板状的第2构件200以及配置于第1构件100与第2构件200之间并将第1构件100和第2构件200接合起来的接合部300。接合体10形成为大致圆柱状。
第1构件100具有俯视时呈大致圆形状的主面且是板状构件,由陶瓷形成。第1构件100的直径例如为5mm~350mm左右,第1构件100的厚度例如为0.5mm~6mm左右。陶瓷的种类能够使用例如氧化铝(Al203)、氮化铝(AlN)、氧化锆(ZrO2)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)等各种陶瓷。并且,也可以对第1构件100实施金属镀敷。另外,第1构件100的尺寸能够根据使用目的等适当地设定。
第2构件200例如具有直径与第1构件100的直径相等的俯视时呈大致圆形状的主面且是板状构件,由金属形成。在本实施方式中,第2构件200的厚度例如为1mm~30mm左右。此外,第2构件200也可以是直径与第1构件100不同的大致圆板。金属的种类能够使用例如不锈钢、铜、铝、铝合金等各种金属。另外,第2构件200的尺寸能够根据使用目的等适当地设定。
接合部300将第1构件100和第2构件200接合。接合部300包括由第1接合材料构成并配置于第1构件100侧的第1接合层310、由第2接合材料构成并配置于第2构件200侧的第2接合层320以及配置于第1接合层310与第2接合层320之间的金属层330。
第1接合材料和第2接合材料能够使用例如包含钛(Ti)的钎焊材料、银钎焊等钎焊材料及焊料等焊接材料;有机硅类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂等粘接材料;玻璃膏等无机的粘接材料等。作为第1接合材料和第2接合材料,若使用无机材料或者由金属构成的材料,则耐热温度比树脂等有机的粘接材料高,因此,例如在300℃以上等的高温环境下也能够使用接合体10,较为优选。第1接合材料和第2接合材料既可以彼此不同,也可以相同。在本实施方式中,第1接合层310和第2接合层320的厚度例如分别为0.05mm左右。能够适当地设定第1接合层310和第2接合层320的厚度。在以下的说明中,在不对第1接合材料和第2接合材料进行区别时,简称为“接合材料”,在不对第1接合层和第2接合层进行区别时,简称为“接合层”。
金属层330具有直径与第1构件100及第2构件200的直径相等的俯视时呈大致圆形状的主面且是板状构件,形成有彼此连通的多个孔。本实施方式的金属层330为金属纤维的毡。作为金属纤维的材质,能够使用镍、铝、铜、黄铜、不锈钢、它们的合金等。金属层330的厚度t(图1)没有特别限定,例如为0.2mm~3mm左右。金属层330的厚度例如能够基于与第1接合层310及第2接合层320接合的接合面积的关系来适当地设定。金属层330的空隙率没有特别限定,例如为50%以上且90%以下。金属纤维的线径没有特别限定,例如为1μm以上且30μm以下。
金属层330具有配置于第1接合层310侧且在多个孔中浸渗有第1接合材料的第1接合材料浸渗层331、配置于第2接合层320侧且在多个孔中浸渗有第2接合材料的第2接合材料浸渗层332以及配置于第1接合材料浸渗层331与第2接合材料浸渗层332之间且多个孔为空的空孔层333。借助金属层330并利用第1接合材料和第2接合材料将第1构件100和第2构件200接合,从而形成本实施方式的接合体10。在制造接合体10时,第1接合材料的局部浸透到金属层330的局部而形成第1接合材料浸渗层331,第2接合材料的局部浸透到金属层330的局部而形成第2接合材料浸渗层332。此时,在金属层330中,未被第1接合材料和第2接合材料浸透的部分形成为层状,该部分成为空孔层333。本实施方式的接合体10如图所示,空孔层333在从金属层330的中心CP至外周OP1的范围形成。
如上所述,本实施方式的接合体10存在第1构件100由陶瓷构成,第2构件200由金属构成,热膨胀系数彼此不同的情况。因此,有时与接合体10的使用温度的变化相伴随的第1构件100和第2构件200的变形量不同。根据本实施方式的接合体10,接合部300所具备的金属层330具备空孔层333,空孔层333能够比较自由地变形,因此,即使伴随着接合体10的使用温度的变化而第1构件100和第2构件200以不同的变形率变形的情况下,也能够通过金属层330的空孔层333变形,来缓和伴随着第1构件100和第2构件200的变形而产生的应力。其结果是,能够抑制第1构件100和第2构件200的剥离、翘曲。
在本实施方式的接合体10中,空孔层333在从金属层330的中心CP至外周OP1的范围形成,因此,能够在第1构件100以及第2构件200的整个主面的范围得到空孔层333所产生的应力缓冲效果。因此,能够进一步抑制剥离、翘曲。
另外,根据本实施方式的接合体10,在金属层330中浸渗有接合材料,在金属层330形成有第1接合材料浸渗层331和第2接合材料浸渗层332,因此,能够充分地进行第1接合层310与金属层330的接合以及第2接合层320与金属层330的接合。其结果是,能够充分地将第1构件100和第2构件200接合起来,能够抑制第1构件100和第2构件200的剥离。
以下对关于金属层330的空隙率、厚度、金属纤维的线径的研究结果进行说明。
图2是表示金属层330的空隙率与第1构件100的变形量的关系的图。图2所示的接合体10为直径36mm的大致圆柱。第1构件100由氧化铝(Al2O3)构成,厚度为3.6mm。第2构件200由不锈钢构成,厚度为30mm。金属层330为金属纤维的毡,金属的种类为不锈钢,纤维材料的线径为10μm。第1接合材料和第2接合材料为包含钛(Ti)的钎焊材料,且是厚度为0.05mm的片材。
在图2所示的例的接合体10中,如图所示,将金属层330的空隙率变更为30%、50%、90%、95%,调查了第1构件100在接合后和热循环试验后的变形量。在此,接合温度为930℃。热循环试验以从室温至350℃为一个循环,进行了50次循环。第1构件100的变形量为第1构件100的表面(主面)的中心与端部之间的高度差。另外,使用金属纤维的单位面积重量A(g/cm2)和厚度B(cm)以及母材的密度C(g/cm3)如下那样计算空隙率。在此,单位面积重量为纤维的每单位面积的重量。
空隙率=1-(A/B)/C
在样本2~样本5中,金属层330的空隙率不同,但其他结构相同。样本1不具备金属层330,但其他结构与样本2~样本5相同。
在样本1中,接合部300不具备金属层330。在该结构中,在将第1构件100和第2构件200接合时,在第1构件100产生裂纹,无法接合。
在样本2中,金属层330的空隙率为30%。在样本2中,接合时的第1构件100的变形量为30μm,变形较大。热循环试验后的变形量为18μm,变形量减少,但在空孔层333的局部产生了金属纤维的破裂。金属层330的空隙率为30%,空隙较少,接合面积、金属纤维彼此的接触面积增加,由此应力缓冲效果变小,在金属纤维间的接触部产生了较大的应力,因此可以认为产生了破裂。
在样本3中,金属层330的空隙率为50%,在样本4中,金属层330的空隙率为90%。样本3、样本4与样本1相比,抑制了接合后的第1构件100的变形,另外,在接合后和热循环试验后,第1构件100的变形量不变。即,能够通过金属层得到应力缓冲效果。
在样本5中,金属层330的空隙率为95%。在该结构中,在将第1构件100和第2构件200接合时,接合材料几乎全部浸渗到金属层330内,无法将第1构件100和第2构件200接合起来。
如图2所示,当金属层330的空隙率为50%以上且90%以下时,能够得到充分的应力缓冲效果,能够抑制接合体10的变形、剥离、破裂等劣化。
图3是表示金属层的厚度与应力缓冲效果的关系的图。图3所示的接合体10为直径(在图3中记载为“接合体径”)100mm和350mm的大致圆柱这两种。第1构件100由氧化铝(Al2O3)构成,厚度为6mm。第2构件200由不锈钢构成,厚度为23mm。金属层330为金属纤维的毡,金属的种类为不锈钢,纤维材料的线径为10μm,空隙率为80%。第1接合材料和第2接合材料为包含钛(Ti)的钎焊材料,且是厚度为0.05mm的片材。
在图3所示的例中,针对第1构件100以及第2构件200的直径都为100mm的构件和都为350mm的构件,分别使用金属层330的厚度为0.5mm、1.0mm以及3.0mm的金属层,利用接合材料进行了接合。接合温度为930℃。在该例中,使用分别具有相同直径的第1构件100、第2构件200、金属层330以及接合材料进行接合。
如图所示,针对接合体径为100mm、350mm的任一者,在金属层330的厚度为0.5mm的情况下,都在金属层的金属纤维的局部产生了破裂。在金属层330的厚度为1.0mm以及3.0mm的情况下,接合状态良好。即,在金属层330的厚度为1.0mm以及3.0mm的情况下,可以说能够得到金属层所产生的应力缓冲效果。
金属层330的厚度和应力缓冲效果的关系也因接合面积而不同。在将金属层330的与第1接合层310的接合面积S1(图1)和金属层330的与第2接合层320的接合面积S2(图1)的平均面积设为Smm2,将金属层330的厚度设为tmm时,若t≥0.07log(S)-0.1,则更加能够得到应力缓和效果。
图4是表示金属层的金属纤维的线径与应力缓冲效果的关系的图。在图4所示的接合体10中,第1构件100由硅(Si)构成,且是实施有金属镀层的、直径5mm、厚度0.5mm的大致圆板。第2构件200由铜构成,且是直径20mm、厚度1mm的大致圆板。金属层为空隙率80%的金属(铜)纤维材料的毡,且是直径7mm、厚度0.2mm的大致圆板。将它们利用由厚度0.05mm的金锡(AuSn)焊料构成的、厚度0.05mm的片状的接合材料在接合温度280℃下进行了接合。在该例中,第1构件100、第1接合层310以及第2接合层320的直径相等,金属层330的直径大于它们的直径,第2构件200进一步大于金属层330的直径。
在图4所示的例中,在将线径不同(10μm、30μm、50μm)的金属纤维的毡用作金属层330并将第1构件100和第2构件200接合起来之后,进行透过X射线的观察、剖面观察,确认有无空隙。
如图所示,在金属纤维的线径为10μm以及30μm的情况下,在接合后确认有空隙,但在金属纤维的线径为50μm的情况下,没确认出空隙。
认为其原因在于即使金属纤维的线径为50μm时的空隙率与金属纤维的线径为10μm、30μm时的空隙率相同,也会有一个空隙变大,接合材料容易浸渗。在使用金属纤维的毡作为金属层330的情况下,当线径为30μm以下时,能够形成空孔层,因此,能够优选地得到应力缓冲效果。
<第2实施方式>
图5是概略地表示第2实施方式的接合体10A的XZ剖面结构的说明图。在图5中,Y轴正方向为朝向纸面背侧的方向。图6是概略地表示第2实施方式的金属层330A的俯视结构的说明图。在图6中,以从上方(Z轴正方向)观察的方式示出金属层330A。图5也可以说是图6的A-A剖视图。在图5、图6中示出金属层330A的中心CP和外周OP1。在图6中,用虚线示出金属层330A的空孔层333的外周OP2。
本实施方式的接合体10A中,金属层330的空孔层333不是在从金属层330的中心至外周的范围形成。空孔层333的外周OP2配置于距离金属层330A的外周OP1为距离d之内。即,在金属层330A中,在从外周OP1向内侧为距离d之间浸渗有第1接合材料和2接合材料。金属层330A为半径R1的圆板,空孔层333形成为半径R2(R2<R1)的圆板状。
在本实施方式的接合体10A中,金属层330A也具备空孔层333,因此,能够缓冲与第1构件100以及第2构件200的变形相伴随的应力,能够抑制接合体10A的形变、翘曲、剥离等。
<第3实施方式>
图7是概略地表示第3实施方式的静电卡盘500的外观结构的立体图。图8是概略地表示静电卡盘500的XZ剖面结构的说明图。在图7、图8中,为了确定方向,示出相互正交的XYZ轴。在图8中,Y轴正方向为朝向纸面背侧的方向。在本说明书中,为了方便起见,将Z轴正方向设为上方,将Z轴负方向设为下方,但静电卡盘500实际上也可以以与这样的朝向不同的朝向设置。
静电卡盘500是利用静电引力将对象物(例如晶圆W)吸附并保持的保持装置,例如为了在半导体制造装置的真空腔室内固定晶圆W而使用。静电卡盘500具备接合体10B。接合体10B包括在上下方向(Z轴方向)上排列配置的第1构件100B、第2构件200B以及将第1构件100B和第2构件200B接合起来的接合部300。
第1构件100B具有俯视时呈大致圆形状的载置面SS且是板状构件,由陶瓷(例如氧化铝、氮化铝等)形成。即,第1构件100B的主面为用于载置保持对象物的载置面SS。第1构件100B的直径例如为50mm~500mm左右(通常为200mm~350mm左右),第1构件100B的厚度例如为1mm~10mm左右。
在第1构件100B的内部配置有由导电性材料(例如,钨、钼等)形成的吸附电极400(图8)。在沿Z轴方向观察时的吸附电极400的形状例如为大致圆形。当从电源(未图示)对吸附电极400施加电压时,产生静电引力,通过该静电引力将晶圆W吸附固定于第1构件100B的载置面SS。
第2构件200B为直径大于第1构件100B的直径的、俯视时呈大致圆形状的板状构件。第2构件200B由例如铝、铝合金等金属形成。第2构件200B的直径例如为220mm~550mm左右(通常为220mm~350mm),第2构件200B的厚度例如为20mm~40mm左右。
在第2构件200B的内部形成有制冷剂流路210(图8)。在利用等离子体对保持于静电卡盘500的第1构件100B的晶圆W进行加工时,从等离子体向晶圆W传热,晶圆W的温度上升。当制冷剂(例如氟类非活性液体、水等)在形成于第2构件200B的制冷剂流路210中流动时,第2构件200B被冷却,通过第2构件200B与第1构件100B之间的经由接合部300的导热,第1构件100B被冷却,保持于第1构件100B的载置面SS的晶圆W被冷却。由此实现晶圆W的温度控制。
接合部300为直径与第1构件100B的直径相等的俯视时呈大致圆形状的板状构件,其结构与第1实施方式相同。
根据本实施方式的静电卡盘500,由于接合部300的金属层330具备空孔层333,因此,能够缓冲与第1构件100B以及第2构件200B的变形相伴随的应力,能够抑制第1构件100B与第2构件200B的剥离、翘曲。因此,能够抑制静电卡盘500的保持性能的降低。另外,能够抑制静电卡盘500的劣化。
<本实施方式的变形例>
本发明并不限于上述的实施方式,在不脱离其主旨的范围内,能够以各种方式实施,例如也能够进行如下的变形。
·在上述实施方式中,示出了第1构件由陶瓷构成,第2构件由金属构成的例子,但并不限定于此。例如,第1构件和第2构件也可以都是陶瓷构件,第1构件和第2构件也可以都是金属构件。并且,也可以由除陶瓷和金属以外的其他材料形成。也可以由例如玻璃、玻璃环氧、热塑性树脂及热固化性树脂等树脂、纸苯酚、纸环氧、玻璃复合物、将这些绝缘构件形成于表面的金属构件等形成。
·构成第1构件的材料的热膨胀系数与构成第2构件的材料的热膨胀系数既可以相同,也可以不同。假设在两种材料的热膨胀系数相同的情况下,由于第1构件的温度与第2构件的温度不同,从而各自的变形量也不同。因此,当利用上述实施方式的接合部300将第1构件和第2构件接合时,能够缓和与第1构件和第2构件的变形相伴随的应力。
·在接合体中,也可以在第1构件与接合部之间、以及第2构件与接合部之间的至少任一方还具备金属层等其他层。其他层例如也可以是通过形成接合部的钎焊材料中的钛(Ti)的蒸发而形成的层、预先形成的金属化层等。
·在上述实施方式中,作为金属层,例示了金属纤维的毡,但并不限于此,而是能够使用各种金属层。例如,也可以使用通过编织金属纤维的网、织布等的金属纤维而制造的金属纤维的结合体。另外,也可以不对片料、无纺布等的金属纤维进行编织,而是使用将多数的金属纤维彼此缠绕、或通过热、粘接剂进行结合而制造的金属纤维的结合体。另外,也可以使用金属发泡体。发泡体是指内部具有多个气孔的材料。
·金属层330和第1接合层310的接合面积与金属层330和第2接合层320的接合面积既可以相同,也可以不同。
·在上述实施方式中,作为保持装置,例示了静电卡盘,但保持装置并不限于静电卡盘。例如,能够设为CVD、PVD、PLD(Pulsed Laser Deposition:脉冲激光沉积)等真空装置用加热器装置、基座、载置台而构成。
·在上述实施方式中,例示了作为俯视时呈大致圆形的柱状体的接合体,但俯视形状并不限定于上述实施方式。例如,也可以是俯视呈矩形、俯视呈多边形等。
以上基于实施方式、变形例说明了本发明,上述的技术方案的实施方式是为了容易理解本发明的方式,而不是限定本发明。本发明在不脱离其主旨以及权利要求书的情况下,能够进行变更、改进,并且本发明包含其等价物。另外,如果其技术特征在本说明书中不是作为必要技术特征进行说明的,则能够适当地删除。
附图标记说明
10、10A、10B、接合体;100、100B、第1构件;200、200B、第2构件;210、制冷剂流路;300、接合部;310、第1接合层;320、第2接合层;330、330A、金属层;331、第1接合材料浸渗层;332、第2接合材料浸渗层;333、空孔层;400、吸附电极;500、静电卡盘;CP、中心;OP1、OP2、外周;R1、R2、半径;SS、载置面;S1、S2、接合面积;W、晶圆;d、距离。

Claims (8)

1.一种接合体,其包括平板状的第1构件、平板状的第2构件以及配置于所述第1构件与所述第2构件之间并将所述第1构件和所述第2构件接合起来的接合部,该接合体的特征在于,
所述接合部具有:
第1接合层,其由第1接合材料构成,配置于所述第1构件侧;
第2接合层,其由第2接合材料构成,配置于所述第2构件侧;以及
金属层,其呈平板状,配置于所述第1接合层与所述第2接合层之间,形成有互相连通的多个孔,该金属层具有:配置于所述第1接合层侧并在所述多个孔中浸渗有所述第1接合材料的第1接合材料浸渗层、配置于所述第2接合层侧并在所述多个孔中浸渗有所述第2接合材料的第2接合材料浸渗层以及配置于所述第1接合材料浸渗层与所述第2接合材料浸渗层之间并且所述多个孔为空的空孔层。
2.根据权利要求1所述的接合体,其特征在于,
所述金属层的所述空孔层在从所述金属层的中心至外周的范围形成。
3.根据权利要求1或2所述的接合体,其特征在于,
所述金属层为金属纤维的毡。
4.根据权利要求3所述的接合体,其特征在于,
所述金属纤维的线径为1μm以上且30μm以下。
5.权利要求1~4中任一项所述的接合体,其特征在于,
所述金属层的空隙率为50%以上且90%以下。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的接合体,其特征在于,
在将所述金属层的与所述第1接合层接合的接合面积和所述金属层的与所述第2接合层接合的接合面积的平均面积设为Smm2,将所述金属层的厚度设为tmm时,
t≥0.07log(S)-0.1。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的接合体,其特征在于,
所述第1接合材料由无机材料或者金属构成,所述第2接合材料由无机材料或者金属构成。
8.一种静电卡盘,其特征在于,
该静电卡盘具备权利要求1~7中任一项所述的接合体,
所述第1构件的主面为用于载置保持对象物的载置面。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60186483A (ja) * 1984-03-06 1985-09-21 新明和工業株式会社 拡散接合方法
JP4985129B2 (ja) * 2007-06-12 2012-07-25 三菱電機株式会社 接合体および電子モジュールならびに接合方法
JP2010179313A (ja) 2009-02-03 2010-08-19 Nhk Spring Co Ltd 二つの部材の接合方法及び該方法による接合体
JP2012091975A (ja) * 2010-10-28 2012-05-17 Mitsubishi Materials Corp セラミックス材と金属材との接合体の製造方法
JP5234195B2 (ja) * 2011-01-24 2013-07-10 住友ベークライト株式会社 プリプレグ、積層板、プリント配線板及び半導体装置
JP6098607B2 (ja) * 2014-09-30 2017-03-22 マツダ株式会社 金属部材と樹脂部材との接合方法
WO2016142239A1 (en) * 2015-03-11 2016-09-15 Nv Bekaert Sa Carrier for temporary bonded wafers
CN108907199B (zh) * 2018-08-31 2020-09-08 湖南惠同新材料股份有限公司 一种电焊用多孔金属焊材
JP6865201B2 (ja) * 2018-09-19 2021-04-28 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP6702385B2 (ja) * 2018-09-27 2020-06-03 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
JP6859309B2 (ja) * 2018-10-22 2021-04-14 日本特殊陶業株式会社 保持装置

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