CN114790184A - 一种发光辅助材料及其制备方法、发光器件、发光装置 - Google Patents

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Abstract

本申请适用于材料技术领域，提供了一种发光辅助材料及其制备方法、发光器件、发光装置。本申请通过在三芳胺主体结构上连接呋喃等的衍生基团，三芳胺结构本身由于存在含有孤对电子的氮原子，其氮原子上的电子在外电场的作用下发生跃迁式传递，分子因而产生空穴，从而实现空穴的反向传递，另外，三芳胺本身具有良好的空穴传输能力，呋喃类衍生基团为弱的供电子基团，在非平面分子结构基础上增加了几何结构，形成空间构型较大的化合物，其独特的结构有利于空穴的传输，从而获得较高的空穴传输效率。

Description

一种发光辅助材料及其制备方法、发光器件、发光装置
技术领域
本申请属于材料技术领域，尤其涉及一种发光辅助材料及其制备方法、发光器件、发光装置。
背景技术
OLED材料分为发光材料、空穴传输材料、电子传输材料等。其中，空穴传输材料通常具有低的最高已占据分子轨道(HOMO)值，在发光层中生成的激子扩散到空穴传输层界面或者空穴传输层侧，最终导致在发光层内界面的发光或者发光层内的电荷不均衡，从而在空穴传输层的界面上发光，使有机电致发光器件的色纯度及效率变低，并且寿命变短。
空穴传输层(HTL)负责调节空穴的注入速度和注入量，在所述OLED中，酞菁铜(CuPc)、4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)、N，N’-二苯基-N，N’-双(3-甲基苯基)-(1，1’-联苯基)-4，4’-二胺(TPD)、4，4’，4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)等常用作在空穴传输区域中包含的化合物。然而，使用这些材料的OLED在量子效率和使用寿命方面存在问题。这是因为当在高电流下驱动OLED时，在阳极与空穴注入层之间出现热应力，并且所述热应力显著降低装置的使用寿命。此外，由于空穴传输区域中使用的有机材料具有非常高的空穴迁移率，所以可能破坏空穴-电子电荷平衡并且量子效率(cd/A)可能降低。
因此，为了解决上述问题，通常会在空穴输送层和发光层之间加入发光辅助层(即设置多层空穴输送层)提高器件寿命和效率。发光辅助层能够起到减少空穴传输层与发光层之间的势垒，降低有机电致发光器件的驱动电压的作用，进一步增加空穴的利用率，从而改善器件的发光效率和寿命，降低驱动电压。但是现有能够形成发光辅助层的功能材料较少，特别是，OLED的寿命和发光效率提升不明显，玻璃化温度较低等问题，导致因此开发更高性能的有机功能材料，满足面板制造企业的要求，显得尤为重要。
发明内容
本申请的目的在于提供一种发光辅助材料，旨在解决现有能够形成发光辅助层的功能材料对OLED的寿命和发光效率提升不明显等问题。
本申请是这样实现的，一种发光辅助材料，所述发光辅助材料的结构通式如通式I和/或者通式II所示：
Figure 338528DEST_PATH_IMAGE001
其中，R1、R2分别独立选自氢、卤素、取代或未取代的C6-C30芳基、或取代或未取代的3元-30 元杂芳基中的一种，但R1、R2不能同时选自氢；
R3、R4分别独立选自氢、氘、氰基、 取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、或取代或未取代的3元-30元杂芳基；
Ar1选自经取代或未经取代的C6-C30芳基、经取代或未经取代的3元-30元杂芳基；
所述杂芳基中的杂原子为氧、氮、硫中的一种。
本申请的另一目的在于一种所述的发光辅助材料的制备方法，其特征在于，包括：
Figure 724510DEST_PATH_IMAGE002
将原料A和原料B溶于甲苯后，在N2氛围下加入Pd2(dba)3、P(t-Bu)3和t-BuONa，升温至90-115℃并搅拌反应4-12h，得到中间体1；
将所述中间体1和原料C-I溶于甲苯后，在N2氛围下加入Pd2(dba)3、P(t-Bu)3和t-BuONa，升温至90-115℃并搅拌反应4-12h，即得通式I所示化合物；
或：
将所述中间体1和原料C-Ⅱ溶于甲苯后，在N2氛围下加入Pd2(dba)3、P(t-Bu)3和t-BuONa，升温至90-115℃并搅拌反应4-12h，即得通式Ⅱ所示化合物；
其中，原料B、原料C-I、原料C-Ⅱ中Hal1-Hal3各自独立的选自氟、氯、溴或碘中的一种。
本申请的另一目的在于一种发光器件，所述发光器件包括所述的发光辅助材料或者根据所述的发光辅助材料的制备方法制备的发光辅助材料。
本申请的另一目的在于一种发光装置，所述发光装置包括所述的发光器件。
本申请提供的发光辅助材料，通过在三芳胺主体结构上连接呋喃等的衍生基团，三芳胺结构本身由于存在含有孤对电子的氮原子，其氮原子上的电子在外电场的作用下发生跃迁式传递，分子因而产生空穴，从而实现空穴的反向传递，另外，三芳胺本身具有良好的空穴传输能力，呋喃类衍生基团为弱的供电子基团，在非平面分子结构基础上增加了几何结构，形成空间构型较大的化合物，其独特的结构有利于空穴的传输，从而获得较高的空穴传输效率。
附图说明
图1是本申请实施例1提供的化合物-1的核磁共振氢谱图；
图2是本申请实施例2提供的化合物-2的核磁共振氢谱图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
本申请提供了一种发光辅助材料，其结构通式如通式（I）、通式（Ⅱ）所示：
Figure 973089DEST_PATH_IMAGE003
R1、R2独立表示的基团可以相同也可以不同，分别独立选自氢、卤素、取代或未取代的(C6-C30)芳基、或取代或未取代的(3元-30元)杂芳基，其杂原子选自氧、氮、硫。其中，R1、R2不能同时选自氢。
R3、R4独立表示的基团可以相同也可以不同，分别独立选自氢、氘、氰基、 取代或未取代的(C1-C20)烷基、取代或未取代的(C6-C30)芳基、或取代或未取代的(3元-30元)杂芳基，其杂原子选自氧、氮、硫。
Ar1选自经取代或未经取代的(C6-C30)芳基、经取代或未经取代的(3元-30元)杂芳基，其杂原子选自氧、氮、硫。
进一步的，R1、R2独立表示的基团可以相同也可以不同，分别独立的优选为氢、苯基、萘基；其中，R1、R2不能同时选自氢。
进一步的，R3、R4独立表示的基团可以相同也可以不同，分别独立优选为氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的(C1-C6)烷基、取代或未取代的(C6-C20)芳基、或取代或未取代的(3元-25元)杂芳基，其杂原子选自氧、氮、硫。
进一步的，Ar1优选自以下结构，或其任意组合的结构：
Figure 837139DEST_PATH_IMAGE004
其中上述式中*表示为连接点。
进一步优选，上述发光辅助材料的结构通式为式I-1~ I-4、Ⅱ-1~Ⅱ-4：
Figure 120353DEST_PATH_IMAGE005
更进一步优选，上述发光辅助材料的结构通式为I-1-1~ I-1-3、Ⅱ-1-1~Ⅱ-1-3：
Figure 614920DEST_PATH_IMAGE006
其中上述通式I-1~ I-4、Ⅱ-1~Ⅱ-4、I-1-1~ I-1-3、Ⅱ-1-1~Ⅱ-1-3中R1- R4、Ar1如上述所定义。
本申请的上述术语中，“取代”意指与化合物的碳原子键合的氢原子变成另外的取代基，并且取代的位置没有限制，只要该位置为氢原子被取代的位置（即，取代基可以取代的位置）即可，并且当两个或更多个取代基取代时，两个或更多个取代基可以彼此相同或不同。取代基包含：C1-C20烷基、C1-C20环烷基、C6-C30的芳基、C6-C30的杂芳基，其中杂原子选自氧、氮、硫；
在上述技术方案中，进一步优选所述发光辅助材料为下述结构中的任意一个，但不限于此：
Figure 350794DEST_PATH_IMAGE007
Figure 159482DEST_PATH_IMAGE008
Figure 500464DEST_PATH_IMAGE009
Figure 962669DEST_PATH_IMAGE010
Figure 451420DEST_PATH_IMAGE011
Figure 657273DEST_PATH_IMAGE012
Figure 649500DEST_PATH_IMAGE013
Figure 745589DEST_PATH_IMAGE014
本申请的另一个目的在于提供上述发光辅助材料的制备方法，优选以下反应流程来制备。
Figure 456056DEST_PATH_IMAGE015
Figure 200021DEST_PATH_IMAGE016
上述式中，R1-R4、Ar1如上述通式I和通式Ⅱ中所定义，Hal1-Hal3各自独立的选自氟、氯、溴或碘。
将原料A（1.0eq）和原料B（1.0eq）溶于甲苯后，在N2氛围下加入Pd2(dba)3（0.01eq）、P(t-Bu)3（0.05eq）和t-BuONa（2.0eq），升温至90-115℃并搅拌反应4-12h，反应结束后使用硅藻土趁热抽滤，除去盐和催化剂，滤液冷却至室温后，将蒸馏水添加到滤液中进行洗涤，分液后保留有机相，用乙酸乙酯萃取水相，然后使用硫酸镁干燥合并后的有机层，并使用旋转式蒸发器去除溶剂。利用二氯甲烷和石油醚（V:V=10:4）的混合溶液，通过柱色谱法纯化剩余物质，得到中间体1；
将中间体1（1.0eq）和原料C-I（1.0eq）溶于甲苯后，在N2氛围下加入Pd2(dba)3（0.01eq）、P(t-Bu)3（0.05eq）和t-BuONa（2.0eq），升温至90-115℃并搅拌反应4-12h，反应结束后使用硅藻土趁热抽滤，除去盐和催化剂，滤液冷却至室温后，将蒸馏水添加到滤液中进行洗涤，分液后保留有机相，用乙酸乙酯萃取水相，然后使用硫酸镁干燥合并后的有机层，并且使用旋转式蒸发器去除溶剂，利用二氯甲烷和石油醚（V:V=10:4）的混合溶液，通过柱色谱法纯化剩余物质，即得通式I所示化合物。
或：
将中间体1（1.0eq）和原料C-Ⅱ（1.0eq）溶于甲苯后，在N2氛围下加入Pd2(dba)3（0.01eq）、P(t-Bu)3（0.05eq）和t-BuONa（2.0eq），升温至90-115℃并搅拌反应4-12h，反应结束后使用硅藻土趁热抽滤，除去盐和催化剂，滤液冷却至室温后，将蒸馏水添加到滤液中进行洗涤，分液后保留有机相，用乙酸乙酯萃取水相，然后使用硫酸镁干燥合并后的有机层，并且使用旋转式蒸发器去除溶剂，利用二氯甲烷和石油醚（V:V=10:4）的混合溶液，通过柱色谱法纯化剩余物质，即得通式Ⅱ所示化合物。
本申请在三芳胺主体结构上连接呋喃等基团，从而得到本申请所述的发光辅助材料。
其中，三芳胺结构本身由于存在含有孤对电子的氮原子，其氮原子上的电子在外电场的作用下发生跃迁式传递，分子因而产生空穴，从而实现空穴的反向传递。三芳胺本身具有良好的空穴传输能力，呋喃类衍生基团为弱的供电子基团，本申请在三芳胺主体结构上连接呋喃等的衍生基团，在非平面分子结构基础上增加了几何结构，形成空间构型较大的化合物，其独特的结构有利于空穴的传输，从而获得较高的空穴传输效率。
本申请还提供了一种发光器件，所述发光器件包括第一电极、第二电极以及位于上述第一电极和第二电极之间的有机物层，此时，有机物层包括空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、发光层、电子传输层、电子注入层中的至少一种层，上述化合物中的至少一种被包含在这种有机物层中。即，有机物层可以由上述通式I和通式Ⅱ表示的一种单独化合物或两种以上的混合物来形成。优选地，以上通式I和通式Ⅱ来表示的单独化合物或包含两种以上的化合物的混合物，可包含于发光辅助层。
本申请对所述发光器件的制备方法并无限定，本领域常规方法即可，本申请优选利用薄膜蒸镀、电子束蒸发或物理气相沉积等方法在基板上蒸镀金属及具有导电性的氧化物及它们的合金形成阳极，然后在其上形成有机物层及蒸镀阴极，得到发光器件。
本申请提供的发光器件可应用在有机发光器件(OLED)、有机太阳电池(OSC)、电子纸(e-paper)、有机感光体(OPC)或有机薄膜晶体管(OTFT)上。
下面将结合本申请的发光辅助材料，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。
另外，需要说明的是，以下实施例中所给出的数值是尽可能精确，但是本领域技术人员理解由于不可能避免的测量误差和实验操作问题，每一个数字都应该被理解为约数，而不是绝对准确的数值。
实施例1
Figure 577913DEST_PATH_IMAGE017
将原料A-1（30.00mmol）和原料B-1（30.00mmol）溶于甲苯后，在N2氛围下加入Pd2(dba)3（0.30mmol）、P(t-Bu)3（1.50mmol）和t-BuONa（60.00mmol），升温至100℃并搅拌反应8h，反应结束后使用硅藻土趁热抽滤，除去盐和催化剂，滤液冷却至室温后，将蒸馏水添加到滤液中进行洗涤，分液后保留有机相，用乙酸乙酯萃取水相，然后使用硫酸镁干燥合并后的有机层，并使用旋转式蒸发器去除溶剂。利用二氯甲烷和石油醚（V:V=10:4）的混合溶液，通过柱色谱法纯化剩余物质，得到中间体1（10.57g，产率：76.3%）；
将中间体1（21.67mmol）和原料C-I-1（21.67mmol）溶于甲苯后，在N2氛围下加入Pd2(dba)3（0.22mmol）、P(t-Bu)3（1.08mmol）和t-BuONa（43.34mmol），升温至100℃并搅拌反应8h，反应结束后使用硅藻土趁热抽滤，除去盐和催化剂，滤液冷却至室温后，将蒸馏水添加到滤液中进行洗涤，分液后保留有机相，用乙酸乙酯萃取水相，然后使用硫酸镁干燥合并后的有机层，并且使用旋转式蒸发器去除溶剂，利用二氯甲烷和石油醚（V:V=10:4）的混合溶液，通过柱色谱法纯化剩余物质，获得化合物-1（10.68g，产率：72.7%，Mw：677.80）。
对所得化合物-1进行检测分析，结果如下：
HPLC纯度：＞99%。
质谱测试：理论值为677.80；测试值为677.52。
元素分析：
计算值为：C, 88.60; H, 4.61; N, 2.07; O, 4.72。
测试值为：C, 88.27; H, 4.83; N, 2.22; O, 4.93。
核磁共振氢谱：如图1所示。
实施例2
Figure 381920DEST_PATH_IMAGE018
将原料A-27（30.00mmol）和原料B-27（30.00mmol）溶于甲苯后，在N2氛围下加入Pd2(dba)3（0.30mmol）、P(t-Bu)3（1.50mmol）和t-BuONa（60.00mmol），升温至100℃并搅拌反应8h，反应结束后使用硅藻土趁热抽滤，除去盐和催化剂，滤液冷却至室温后，将蒸馏水添加到滤液中进行洗涤，分液后保留有机相，用乙酸乙酯萃取水相，然后使用硫酸镁干燥合并后的有机层，并使用旋转式蒸发器去除溶剂。利用二氯甲烷和石油醚（V:V=10:4）的混合溶液，通过柱色谱法纯化剩余物质，得到中间体1（12.41g，产率：75.0%）；
将中间体1（21.75mmol）和原料C-I-27（21.75mmol）溶于甲苯后，在N2氛围下加入Pd2(dba)3（0.22mmol）、P(t-Bu)3（1.09mmol）和t-BuONa（43.50mmol），升温至100℃并搅拌反应8h，反应结束后使用硅藻土趁热抽滤，除去盐和催化剂，滤液冷却至室温后，将蒸馏水添加到滤液中进行洗涤，分液后保留有机相，用乙酸乙酯萃取水相，然后使用硫酸镁干燥合并后的有机层，并且使用旋转式蒸发器去除溶剂，利用二氯甲烷和石油醚（V:V=10:4）的混合溶液，通过柱色谱法纯化剩余物质，获得化合物-27（13.02g，产率：70.9%，Mw：843.98）。
对所得化合物-27进行检测分析，结果如下：
HPLC纯度：＞99%。
质谱测试：理论值为843.98；测试值为843.66。
元素分析：
计算值为：C, 88.23; H, 4.42; N, 1.66; O, 5.69。
测试值为：C, 88.01; H, 4.66; N, 1.83; O, 5.78。
核磁共振氢谱：如图2所示。
实施例3
Figure 782946DEST_PATH_IMAGE019
将原料A-157（30.00mmol）和原料B-157（30.00mmol）溶于甲苯后，在N2氛围下加入Pd2(dba)3（0.30mmol）、P(t-Bu)3（1.50mmol）和t-BuONa（60.00mmol），升温至100℃并搅拌反应8h，反应结束后使用硅藻土趁热抽滤，除去盐和催化剂，滤液冷却至室温后，将蒸馏水添加到滤液中进行洗涤，分液后保留有机相，用乙酸乙酯萃取水相，然后使用硫酸镁干燥合并后的有机层，并使用旋转式蒸发器去除溶剂。利用二氯甲烷和石油醚（V:V=10:4）的混合溶液，通过柱色谱法纯化剩余物质，得到中间体1（12.74g，产率：74.8%）；
将中间体1（21.14mmol）和原料C-Ⅱ-157（21.14mmol）溶于甲苯后，在N2氛围下加入Pd2(dba)3（0.21mmol）、P(t-Bu)3（1.06mmol）和t-BuONa（42.28mmol），升温至100℃并搅拌反应8h，反应结束后使用硅藻土趁热抽滤，除去盐和催化剂，滤液冷却至室温后，将蒸馏水添加到滤液中进行洗涤，分液后保留有机相，用乙酸乙酯萃取水相，然后使用硫酸镁干燥合并后的有机层，并且使用旋转式蒸发器去除溶剂，利用二氯甲烷和石油醚（V:V=10:4）的混合溶液，通过柱色谱法纯化剩余物质，获得化合物-157（11.83g，产率：71.4%，Mw：783.95）。
对所得化合物-157进行检测分析，结果如下：
HPLC纯度：＞99%。
质谱测试：理论值为783.95；测试值为783.66。
元素分析：
计算值为：C, 85.80; H, 4.24; N, 1.79; O, 4.08; S, 4.09。
测试值为：C, 85.57; H, 4.45; N, 1.96; O, 4.22; S, 4.18。
实施例4
Figure 330602DEST_PATH_IMAGE020
将原料A-205（30.00mmol）和原料B-205（30.00mmol）溶于甲苯后，在N2氛围下加入Pd2(dba)3（0.30mmol）、P(t-Bu)3（1.50mmol）和t-BuONa（60.00mmol），升温至100℃并搅拌反应8h，反应结束后使用硅藻土趁热抽滤，除去盐和催化剂，滤液冷却至室温后，将蒸馏水添加到滤液中进行洗涤，分液后保留有机相，用乙酸乙酯萃取水相，然后使用硫酸镁干燥合并后的有机层，并使用旋转式蒸发器去除溶剂。利用二氯甲烷和石油醚（V:V=10:4）的混合溶液，通过柱色谱法纯化剩余物质，得到中间体1（13.95g，产率：74.2%）；
将中间体1（20.74mmol）和原料C-Ⅱ-205（20.74mmol）溶于甲苯后，在N2氛围下加入Pd2(dba)3（0.21mmol）、P(t-Bu)3（1.04mmol）和t-BuONa（41.48mmol），升温至100℃并搅拌反应8h，反应结束后使用硅藻土趁热抽滤，除去盐和催化剂，滤液冷却至室温后，将蒸馏水添加到滤液中进行洗涤，分液后保留有机相，用乙酸乙酯萃取水相，然后使用硫酸镁干燥合并后的有机层，并且使用旋转式蒸发器去除溶剂，利用二氯甲烷和石油醚（V:V=10:4）的混合溶液，通过柱色谱法纯化剩余物质，获得化合物-205（12.18g，产率：69.7%，Mw：843.00）。
对所得化合物-205进行检测分析，结果如下：
HPLC纯度：＞99%。
质谱测试：理论值为843.00；测试值为842.75。
元素分析：
计算值为：C, 88.34; H, 4.54; N, 3.32; O, 3.80。
测试值为：C, 88.09; H, 4.76; N, 3.58; O, 3.99。
因结构通式为发明内容中的通式Ⅰ和通式Ⅱ，其他化合物的合成路线和原理均与上述所列举的实施例相同，所以在此不再穷举。其中，本申请实施例5~50按照上述制备方法可得到如下表1所示的发光辅助材料:
Figure 297421DEST_PATH_IMAGE021
Figure 803489DEST_PATH_IMAGE022
采用上述实施例提供的发光辅助材料制备发光器件，当有机物层包括发光辅助层时，所述发光辅助层包括上述实施例提供的发光辅助材料。
器件实施例1
含发光辅助材料的发光器件的制备，具体包括以下步骤：
a、ITO阳极：将涂层厚度为150nm的ITO(氧化铟锡)-Ag-ITO(氧化铟锡)玻璃基板在蒸馏水中清洗2次，超声波洗涤30min，再用蒸馏水反复清洗2次，超声波洗涤10min，洗涤结束后，然后转移至等甩干机内进行甩干，最后用真空烘箱220℃烘烤2小时，烘烤结束后降温即可使用。以该基板为阳极，使用蒸镀机进行蒸镀器件工艺，在其上依次蒸镀其它功能层；
b、HIL（空穴注入层）：以1Å/s的蒸镀速率，真空蒸镀空穴注入层材料HT-1和P-dopant，其化学式如下所示；其中，HT-1和P-dopant的蒸镀速率比为97：3，厚度为10nm；
c、HTL（空穴传输层）：以1.5Å/s的蒸镀速率，在空穴注入层上面真空蒸镀120nm的HT-1作为空穴传输层；
d、发光辅助层：以0.5Å/s的蒸镀速率，在空穴传输层上面真空蒸镀10nm的实施例1提供的化合物-1作为发光辅助层；
e、EML（发光层）：然后在上述发光辅助层上，以1 Å/s的蒸镀速率，真空蒸镀厚度为20nm的主体材料(Host)和掺杂材料(Dopant)作为发光层，其Host和Dopant的化学式如下所示；其中，Host和Dopant的蒸镀速率比为98：2；
f、HB（空穴阻挡层）：以0.5Å/s的蒸镀速率，真空蒸镀厚度为5.0nm的HB-1；
g、ETL（电子传输层）：以1Å/s的蒸镀速率，真空蒸镀厚度为35nm的ET和Liq作为电子传输层，其ET的化学式如下所示；其中，ET和Liq的蒸镀速率比为50：50；
h、EIL（电子注入层）：以0.5Å/s的蒸镀速率，蒸镀Yb膜层1.0nm，形成电子注入层；
i、阴极：以1Å/s的蒸镀速率比，蒸镀镁和银18nm，其蒸镀速率比为1:9，得到OLED器件；
j、光取出层：以1Å/s的蒸镀速率，在阴极上真空蒸镀厚度为70nm的CPL，作为光取出层；
k、将蒸镀完成的基板进行封装：首先采用涂胶设备将清洗后盖板用UV胶进行涂覆工艺，然后将涂覆完成的盖板移至压合工段，将蒸镀完成的基板置于盖板上端，最后将基板和盖板在贴合设备作用下进行贴合，同时完成对UV胶光照固化。
以上涉及的结构式如下：
Figure 222969DEST_PATH_IMAGE023
参照上述器件实施例1提供的方法，分别选用化合物-3、7、11、19、25、26、27、30、34、35、37、40、43、49、51、55、57、67、73、74、75、76、77、82、86、87、90、92、98、111、114、121、123、127、131、139、140、142、145、147、150、157、161、163、164、171、179、205、218替代化合物-1，进行发光辅助层的蒸镀，并制备得到相应的有机电致发光器件，分别记为器件实施例2-50。
器件对比例1：
该对比例提供了一种发光器件，该发光器件的制备方法与器件实施例1的唯一区别在于，该发光器件是分别采用现有的对比化合物a、b、c、d、e、f替代上述器件实施例1中的发光辅助材料（化合物-1）进行蒸镀，制备器件对比例1-6。其中，对比化合物a、b、c、d、e、f的化学结构式为：
Figure 574316DEST_PATH_IMAGE024
在1000（nits）亮度下对上述器件实施例1-50以及器件对比例1-6得到的发光器件的驱动电压、发光效率、BI值以及寿命进行表征。测试结果如表2所示。
Figure 395641DEST_PATH_IMAGE025
Figure 10293DEST_PATH_IMAGE026
Figure 917069DEST_PATH_IMAGE027
Figure 806528DEST_PATH_IMAGE028
注：在蓝光顶发射器件中，电流效率受色度影响较大，因此将色度对效率的影响因素考虑进去，将发光效率与CIEy比值定义为BI值，即BI=（cd/A）/ CIEy。
由表2可知，使用本申请提供的发光辅助材料制备的有机电致发光器件实施例1-50与对比例1-6提供的现有有机电致发光器件相比较而言，在降低了驱动电压的同时、BI值和寿命方面均得到提高。
与比较化合物相比，即使具有相似的母核，但是通过改变二苯并呋喃上稠合苯环的位置，以及调整取代基的位置，可以使化合物的空间结构发生改变，导致化合物的空穴迁移率提高，从而在器件上更加适配，可有效提升OLED器件的BI值和寿命。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种发光辅助材料，其特征在于，所述发光辅助材料的结构通式如通式I和/或者通式II所示:
Figure 959914DEST_PATH_IMAGE001
其中，R1、R2分别独立选自氢、卤素、取代或未取代的C6-C30芳基、或取代或未取代的3元-30元杂芳基中的一种，但R1、R2不能同时选自氢；
R3、R4分别独立选自氢、氘、氰基、取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C6-C30芳基、或取代或未取代的3元-30元杂芳基；
Ar1选自经取代或未经取代的C6-C30芳基、经取代或未经取代的3元-30元杂芳基；
所述杂芳基中的杂原子为氧、氮、硫中的一种。
2.根据权利要求1所述的发光辅助材料，其特征在于，所述R1、R2分别独立选自氢、苯基、萘基中的一种；但R1、R2不能同时选自氢。
3.根据权利要求1所述的发光辅助材料，其特征在于，所述R3、R4分别独立选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1-C6烷基、取代或未取代的C6-C20芳基、或取代或未取代的3元-25元杂芳基。
4.根据权利要求1所述的发光辅助材料，其特征在于，所述Ar1选自以下结构中的一种或其任意组合的结构：
Figure 807784DEST_PATH_IMAGE002
其中，式中*表示为连接点。
5.根据权利要求1所述的发光辅助材料，其特征在于，所述发光辅助材料的结构通式为式I-1~ I-4、Ⅱ-1~Ⅱ-4：
Figure 201857DEST_PATH_IMAGE003
。
6.根据权利要求1所述的发光辅助材料，其特征在于，所述发光辅助材料的结构通式为I-1-1~ I-1-3、Ⅱ-1-1~Ⅱ-1-3：
Figure 895006DEST_PATH_IMAGE004
。
7.根据权利要求1所述的发光辅助材料，其特征在于，所述发光辅助材料为以下结构中的任意一个：
Figure 425345DEST_PATH_IMAGE005
Figure 381799DEST_PATH_IMAGE006
Figure 528747DEST_PATH_IMAGE007
Figure 25587DEST_PATH_IMAGE008
Figure 879274DEST_PATH_IMAGE009
Figure 803367DEST_PATH_IMAGE010
Figure 172032DEST_PATH_IMAGE011
Figure 206984DEST_PATH_IMAGE012
。
8.一种发光辅助材料的制备方法，其特征在于，包括：
Figure 977494DEST_PATH_IMAGE013
将原料A和原料B溶于甲苯后，在N2氛围下加入Pd2(dba)3、P(t-Bu)3和t-BuONa，升温至90-115℃并搅拌反应4-12h，得到中间体1；
将所述中间体1和原料C-I溶于甲苯后，在N2氛围下加入Pd2(dba)3、P(t-Bu)3和t-BuONa，升温至90-115℃并搅拌反应4-12h，即得通式I所示化合物；
或：
将所述中间体1和原料C-Ⅱ溶于甲苯后，在N2氛围下加入Pd2(dba)3、P(t-Bu)3和t-BuONa，升温至90-115℃并搅拌反应4-12h，即得通式Ⅱ所示化合物；
其中，原料B、原料C-I、原料C-Ⅱ中Hal1-Hal3各自独立的选自氟、氯、溴或碘中的一种。
9.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件包括权利要求1-7任一所述的发光辅助材料或者根据权利要求8所述的发光辅助材料的制备方法制备的发光辅助材料。
10.一种发光装置，其特征在于，所述发光装置包括权利要求9所述的发光器件。
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