CN114651318B - 控制装置、基片处理系统和控制方法 - Google Patents

控制装置、基片处理系统和控制方法 Download PDF

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Abstract

本发明的控制装置(200)包括获取部(210)、选择部(213)、计算部(215)和设定部(216)。获取部(210)从多个基片处理装置(100)获取基片处理装置(100)对基片的处理计划。选择部(213)基于多个基片处理装置(100)的优先级，选择预定要对新的基片开始执行处理计划的预定开始基片处理装置(100)。计算部(215)计算处理已开始的处理计划使用的资源与预定开始基片处理装置(100)中将要开始执行的处理计划即预定开始处理计划要使用的资源的合计值。设定部(216)在合计值大于规定的上限值的情况下，设定预定开始处理计划的开始时机，以使得合计值成为规定的上限值以下。

Description

控制装置、基片处理系统和控制方法
技术领域
本发明涉及控制装置、基片处理系统和控制方法。
背景技术
在专利文献1中公开了一种技术，在全基片处理装置中的纯水的每单位时间的合计消耗量超过最大供给量时，对任一个基片处理装置的处理部指示再次安排处理计划的内容。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-129600号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供抑制基片处理装置中的资源不足的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方面的控制装置具有获取部、选择部、计算部和设定部。获取部从多个基片处理装置获取基片处理装置对基片的处理计划。选择部基于多个基片处理装置的优先级，选择预定要对新的基片开始执行处理计划的预定开始基片处理装置。计算部计算处理已开始的处理计划使用的资源与预定开始基片处理装置中将要开始执行的处理计划即预定开始处理计划要使用的资源的合计值。设定部在合计值比规定的上限值大情况下，设定预定开始处理计划的开始时机，以使得合计值成为规定的上限值以下。
发明效果
依照本发明，能够抑制基片处理装置中的资源不足。
附图说明
图1是表示实施方式的基片处理系统的概略结构的图。
图2是实施方式的基片处理装置的概略平面图。
图3是实施方式的服务器装置的概略框图。
图4是说明实施方式的处理计划的管理处理的流程图。
图5是说明实施方式的处理计划的管理处理的时间表和时间图(其一)。
图6是说明实施方式的处理计划的管理处理的时间表和时间图(其二)。
具体实施方式
以下，参照附图，详细说明本发明公开的控制装置、基片处理系统和控制方法的实施方式。另外，并不限定于以下所示的实施方式所公开的控制装置、基片处理系统和控制方法。此外，需要注意的是，附图是示意性的，各部件的尺寸的关系、各部件的比率等有时与现实不同。而且，有时也包括在附图之间彼此的尺寸关系、比率不同的部分。
<基片处理系统的概要>
图1是表示实施方式的基片处理系统1的概略结构的图。基片处理系统1包括多个基片处理装置100和服务器装置200(控制装置的一例)。多个基片处理装置100和服务器装置200以能够经由网络有线或无线地通信的方式连接。
多个基片处理装置100可以包括对基片8(参照图2)进行相同处理的基片处理装置100，也可以包括进行不同处理的基片处理装置100。即，多个基片处理装置100可以是相同的装置，也可以是不同的装置。
多个基片处理装置100从资源供给源300被供给资源。资源例如是DIW(DeIonizedWater：去离子水)、电能。基片处理系统1中，设定了上限值(规定的上限值的一例)。例如，在资源为DIW的情况下，在多个基片处理装置100中设定有能够同时使用的DIW的上限值。此外，在资源为电能的情况下，在多个基片处理装置100中设定有能够同时使用的电能的上限值。另外，以下的说明中，说明作为资源的一例使用DIW的情况。
<基片处理装置的概要>
此处，作为基片处理装置100的一例，参照图2进行说明。图2是实施方式的基片处理装置100的概略平面图。此处，以与水平方向正交的方向为上下方向的方式进行说明。
基片处理装置100具有承载器送入送出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次输送部5、批次处理部6和控制部50。
承载器送入送出部2进行将多个(例如25个)基片8以水平姿态上下排列地收纳的承载器9的送入和送出。
在承载器送入送出部2设置有载置多个承载器9的承载器台10、进行承载器9的输送的承载器输送机构11、暂时保管承载器9的承载器栈12、13和载置承载器9的承载器载置台14。
承载器送入送出部2使用承载器输送机构11将从外部送入承载器台10的承载器9输送至承载器栈12、承载器载置台14。承载器栈12暂时保管收纳由批次处理部6处理之前的多个基片8的承载器9。
从被输送至承载器载置台14且收纳由批次处理部6处理前的多个基片8的承载器9，利用后述的基片输送机构15送出多个基片8。
另外，对载置于承载器载置台14且没有收纳基片8的承载器9，从基片输送机构15送入由批次处理部6处理后的多个基片8。
承载器送入送出部2使用承载器输送机构11将载置于承载器载置台14且收纳由批次处理部6处理后的多个基片8的承载器9输送至承载器栈13、承载器台10。
承载器栈13暂时保管由批次处理部6处理后的多个基片8。输送至承载器台10的承载器9被送出到外部。
在批次形成部3，设置有输送多个(例如25个)基片8的基片输送机构15。批次形成部3由基片输送机构15进行2次多个(例如25个)基片8的输送，形成由多个(例如50个)基片8构成的批次。
批次形成部3使用基片输送机构15，从载置于承载器载置台14的承载器9向批次载置部4输送多个基片8，将多个基片8载置在批次载置部4，由此形成批次。
另外，批次形成部3从由批次处理部6进行了处理且载置于批次载置部4的批次中，使用基片输送机构15将多个基片8向承载器9输送。
批次载置部4将由批次输送部5在批次形成部3与批次处理部6之间输送的批次在批次载置台16处暂时载置(待机)。在批次载置部4设置有送入侧批次载置台17和送出侧批次载置台18。
在送入侧批次载置台17载置处理前的批次。在送出侧批次载置台18载置处理后的批次。在送入侧批次载置台17和送出侧批次载置台18，一个批次的量的多个基片8以垂直姿态前后排列地载置。
批次输送部5在批次载置部4与批次处理部6之间、批次处理部6的内部之间进行批次的输送。在批次输送部5设置有进行批次的输送的批次输送机构19。批次输送机构19具有：沿着批次载置部4和批次处理部6配置的轨道20；以及一边保持批次一边沿着轨道20移动的移动体21。
在移动体21设置有基片保持体22，基片保持体22保持以垂直姿态前后排列的多个基片8所形成的批次。
批次输送部5用批次输送机构19的基片保持体22收取载置于送入侧批次载置台17的批次，将所收取的批次交接到批次处理部6。
另外，批次输送部5用批次输送机构19的基片保持体22收取由批次处理部6处理了的批次，将所收取的批次交接到送出侧批次载置台18。
而且，批次输送部5使用批次输送机构19在批次处理部6的内部进行批次的输送。
批次处理部6对由多个基片8形成的批次进行蚀刻、清洗、干燥等处理。
在批次处理部6排列地设置有蚀刻处理装置23、清洗处理装置24、基片保持体清洗装置25和干燥处理装置26。蚀刻处理装置23对批次进行蚀刻处理。清洗处理装置24进行批次的清洗处理。基片保持体清洗装置25进行基片保持体22的清洗处理。干燥处理装置26进行批次的干燥处理。此外，各装置23～26的台数并不限于图2所示的台数。例如，蚀刻处理装置23的台数不限于2台，可以是1台，也可以是3台以上。
蚀刻处理装置23具有蚀刻用处理槽27、冲洗用处理槽28和基片升降机构29、30。
在蚀刻用处理槽27贮存蚀刻用处理液(以下称为“蚀刻液”。)。在冲洗用处理槽28贮存作为冲洗用处理液的DIW。
在基片升降机构29、30，形成批次的多个基片8以垂直姿态前后排列地被保持。
蚀刻处理装置23从批次输送机构19的基片保持体22用基片升降机构29收取批次，用基片升降机构29使所收取的批次下降，由此将批次浸渍于处理槽27的蚀刻液中来进行蚀刻处理。
之后，蚀刻处理装置23通过使基片升降机构29上升而将批次从处理槽27取出，从基片升降机构29将批次交接到批次输送机构19的基片保持体22。
然后，从批次输送机构19的基片保持体22用基片升降机构30收取批次，用基片升降机构30使所收取的批次下降，由此将批次浸渍于处理槽28的冲洗用处理液中来进行冲洗处理。
之后，蚀刻处理装置23使基片升降机构30上升，由此将批次从处理槽28取出，从基片升降机构30将批次交接到批次输送机构19的基片保持体22。
清洗处理装置24具有清洗用处理槽31、冲洗用处理槽32和基片升降机构33、34。
在清洗用处理槽31贮存清洗用处理液(SC-1等)。在冲洗用处理槽32贮存作为冲洗用处理液的DIW。在基片升降机构33、34，一个批次的多个基片8以垂直姿态前后排列地被保持。
干燥处理装置26具有处理槽35和相对于处理槽35升降的基片升降机构36。
对处理槽35供给干燥用处理气体(IPA(异丙醇)等)。在基片升降机构36，一个批次的多个基片8以垂直姿态前后排列地被保持。
干燥处理装置26从批次输送机构19的基片保持体22用基片升降机构36收取批次，用基片升降机构36使所收取的批次下降而送入处理槽35，利用供给到处理槽35的干燥用处理气体进行批次的干燥处理。然后，干燥处理装置26用基片升降机构36使批次上升，从基片升降机构36将进行了干燥处理的批次交接到批次输送机构19的基片保持体22。
基片保持体清洗装置25具有处理槽37。基片保持体清洗装置25能够向处理槽37供给作为清洗用处理液的DIW和干燥气体，在对批次输送机构19的基片保持体22供给清洗用处理液后供给干燥气体，由此进行基片保持体22的清洗处理。
控制部50控制基片处理装置100的各部分(承载器送入送出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次输送部5、批次处理部6)的动作。控制部50基于来自开关等的信号，控制基片处理装置100的各部分的动作。
控制部50例如由电脑构成，具有计算机可读取的存储介质38。在存储介质38中存储控制在基片处理装置100中执行的各种处理的程序。例如，在存储介质38中，存储基片处理装置100的处理计划。
处理计划是基片处理装置100对基片8进行的全部处理的计划。即，处理计划是对批次，由基片处理装置100进行的处理全体的处理计划。具体而言，处理计划是批次处理部6中的处理计划。例如，处理计划是从将处理前的批次从送入侧批次载置台17送出至将处理后的批次送入送出侧批次载置台18为止的计划。
处理计划中包含与处理中使用的资源有关的信息。在处理计划中，包括与用批次处理部6对批次进行各处理时使用的DIW的量有关的信息。
控制部50通过读出并执行存储于存储介质38的程序来控制基片处理装置100的动作。此外，程序可以存储在计算机可读取的存储介质38中，也可以从其它存储介质安装于控制部50的存储介质38。
作为计算机可读取的存储介质38，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
另外，控制部50基于从服务器装置200发送的处理计划的开始信号开始对批次的处理。
<服务器装置>
接着，参照图3，对服务器装置200进行说明。图3是实施方式的服务器装置200的概略框图。
服务器装置200具有通信部201、控制部202和存储部203。通信部201是与各基片处理装置100经由网络进行通信的通信接口。通信部201从各基片处理装置100接收处理计划。此外，通信部201将由控制部202允许的各基片处理装置100中的处理计划的开始信号发送到各基片处理装置100。
存储部203由RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)、闪存(FlashMemory)等半导体存储元件、或硬盘、光盘等存储装置实现。在存储部203存储用于控制在服务器装置200中执行的各种处理的程序。此外，在存储部203中，存储基于各基片处理装置100的处理计划生成的时间表。控制部202通过读出并执行存储于存储部203的程序来控制服务器装置200的动作。
另外，该程序可以记录在计算机可读取的存储介质中，也可以从该存储介质安装于服务器装置200的存储部203。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘、光盘、存储卡等。
控制部202具有获取部210、优先级设定部211、时间表生成部212、选择部213、判断部214、计算部215、设定部216和指示部217。
控制部202是控制器(controller)，利用CPU(Central Processing Unit，中央处理器)、MPU(Micro Processing Unit，微处理单元)等，以RAM为作业区域来执行存储于存储部203内部的存储器件的各种程序。由此，控制部202作为获取部210、优先级设定部211、时间表生成部212、选择部213、判断部214、计算部215、设定部216和指示部217发挥功能。
另外，控制部202能够由ASIC(Application Specific Integrated Circuit，专用集成电路)、FPGA(Field Programmable Gate Array，现场可编程逻辑门阵列)等集成电路实现。此外，获取部210、优先级设定部211、时间表生成部212、选择部213、判断部214、计算部215、设定部216和指示部217可以是集中的，也可以分为多个。
获取部210从多个基片处理装置100获取基片处理装置100对基片8的处理计划。在处理计划中包含与处理已开始的批次有关的处理计划和与预定要处理的批次有关的处理计划。预定要处理的批次是在基片处理装置100的批次处理部6中接下来要开始进行处理的批次。
另外，获取部210被送入承载器送入送出部2，从各基片处理装置100获取与开始处理前的基片8有关的信息。与开始处理前的基片8有关的信息例如是与被送入承载器送入送出部2的处理前的基片8的个数有关的信息。
优先级设定部211设定各基片处理装置100中的优先级。优先级设定部211设定对各基片处理装置100决定的优先级。例如，优先级设定部211对某各基片处理装置100设定优先级“1”。此外，优先级设定部211对另一个基片处理装置100设定优先级“2”。优先级的数值越小则优先级越高。此外，也可以设定成数值越大则优先级越高。
另外，优先级设定部211基于多个基片处理装置100的状态设定优先级。具体而言，优先级设定部211使具有警告中或维护中的处理槽(处理部的一例)的基片处理装置100的优先级低。例如，优先级设定部211在优先级为“1”的基片处理装置100的某个处理槽处于警告中或维护中时，降低基片处理装置100的优先级，使优先级为“2”。
另外，优先级设定部211使处理前的基片8的数量多的基片处理装置100的优先级高。例如，优先级设定部211在优先级为“3”的基片处理装置100中处理前的基片8的数量比预先设定的规定数量多的情况下，提高基片处理装置100的优先级，使优先级为“2”。此外，例如，优先级设定部211将多个基片处理装置100中的、处理前的基片8的数量多的基片处理装置100的优先级比处理前的基片8的数量少的基片处理装置100的优先级高。
另外，优先级根据基片处理装置100的数量设定。例如，在基片处理装置100的数量为“10”时，优先级设定成“1”～“10”。此外，优先级可以层级式设定。优先级也可以设定成“1-1”、“1-2”、“2-1”、“2-2”、“2-3”和“3-1”等。此时，例如，优先级“1-2”比“1-1”低且比“2-1”高。
时间表生成部212基于从各基片处理装置100获取到的处理计划生成时间表。时间表生成部212基于处理已开始的批次的处理计划，生成由各基片处理装置100开始了处理的批次的资源的时间表。
另外，时间表生成部212在基片处理装置100中的批次的处理被允许的情况下，基于处理新被允许而处理能够开始的批次的处理计划，更新时间表。具体而言，时间表生成部212在处理已开始的批次的资源的时间表上，添加处理能够开始的批次的资源的处理计划，更新资源的时间表。
选择部213基于多个基片处理装置100的优先级，选择预定要对新的批次(基片8的一例)开始执行处理计划的基片处理装置100(预定开始基片处理装置的一例)。即，选择部213基于优先级选择判断是否允许批次的处理的基片处理装置100。选择部213按优先级从高到低的顺序选择基片处理装置100。
判断部214在由选择部213选择的基片处理装置100中判断是否有处理前的批次。此外，判断部214判断后述的资源的合计值是否大于上限值。
计算部215计算处理已开始的处理计划使用的资源与预定要对新批次(基片的一例)开始执行处理计划的基片处理装置100(预定开始基片处理装置的一例)中将要开始执行(新开始)的处理计划即预定开始处理计划要使用的资源的合计值。具体而言，计算部215在各基片处理装置100中处理已开始的处理计划结束为止使用的资源的相加值上，加上预定开始处理计划要使用的资源，计算合计值。例如，计算部215在将各基片处理装置100中处理已开始的处理计划结束为止使用的各DIW的值相加而得的相加值上，加上预定开始处理计划要使用的DIW的值，计算DIW的合计值。
设定部216设定各基片处理装置100中的预定开始处理计划的开始时机。设定部216在合计值为上限值以下的情况下，允许预定开始处理计划的执行。即，设定部216在合计值为上限值以下的情况下，允许基于预定开始处理计划进行的处理，在基片处理装置100中开始对新批次的基片的处理。
另外，设定部216在合计值比上限值(规定的上限值的一例)大的情况下，设定预定开始处理计划的开始时机，使得合计值为上限值以下。具体而言，设定部216在合计值比上限值大的情况下，使预定开始处理计划的开始时机延迟，以使得合计值成为上限值以下。
指示部217生成对执行由设定部216允许的预定开始处理计划的基片处理装置100的处理计划的开始信号。
接着，参照图4，说明实施方式的处理计划的管理处理。图4是说明实施方式的处理计划的管理处理的流程图。
服务器装置200从各基片处理装置100获取与处理已开始的批次有关的处理计划和处理前的批次的数量(S100)，生成对处理已开始的批次的时间表(S101)。
服务器装置200设定各基片处理装置100的优先级(S102)。服务器装置200基于优先级选择判断是否允许对新的批次的处理的基片处理装置100(S103)。
服务器装置200判断在所选择的基片处理装置100中，是否有处理前的批次(S104)。服务器装置200在无处理前的批次的情况下(S104：否)，判断是否有未选择的基片处理装置100(S111)。服务器装置200在有处理前的批次的情况下(S104：是)，获取预定要处理的批次的处理计划(S105)。即，服务器装置200获取预定开始处理计划。
服务器装置200计算资源的合计值(S106)，判断合计值是否大于上限值(S107)。资源是预先设定的资源例如DIW。此外，资源也可以包括多个资源例如DIW和电能。在资源包含多个资源的情况下，对每个资源进行判断。
服务器装置200在资源的合计值大于上限值的情况下(S107：是)，抑制批次的处理开始(S108)。具体而言，服务器装置200设定预定开始处理计划的开始时机，以使得资源的合计值小于上限值。
服务器装置200在资源的合计值为上限值以下的情况下(S107：否)，允许对预定要处理的批次的处理(S109)。即，服务器装置200允许预定开始处理计划的开始。服务器装置200将对所允许的批次的处理计划添加在时间表中，更新时间表(S110)。
服务器装置200判断是否有未选择的基片处理装置100(S111)，在有未选择的基片处理装置100的情况下(S111：是)，选择新的基片处理装置100(S103)。服务器装置200在没有未选择的基片处理装置100的情况下(S111：否)，结束处理。
接着，参照图5和图6的时间表和时间图，说明实施方式的处理计划管理处理。图5是说明实施方式的处理计划的管理处理的时间表和时间图(其一)。图6是说明实施方式的处理计划的管理处理的时间表和时间图(其二)。
此处，基片处理系统1具有3个基片处理装置100(以下有时称为基片处理装置A～C)。关于优先级，基片处理装置B最低，基片处理装置A和基片处理装置C依次变高。
另外，基片处理装置A执行6个处理(处理A-1～A-6)作为对批次的处理。基片处理装置B执行6个处理(处理B-1～B-6)作为对批次的处理。此外，基片处理装置C执行5个处理(处理C-1～C-5)作为对批次的处理。
另外，基片处理装置A具有2个进行处理“A-1”和处理“A-2”的处理装置，具有2个进行处理“A-3”和处理“A-4”的处理装置。此外，基片处理装置B具有2个进行处理“B-1”和处理“B-2”的处理装置，具有2个进行处理“B-3”和处理“B-4”的处理装置。
另外，图5和图6中，对各基片处理装置A～C中的批次的处理顺序添加“1”～“5”或“1”～“3”的序号。此外，作为资源以DIW为一例，将在各处理中使用的DIW的量表示在处理之下。此外，DIW的上限值是700L/min。例如，在基片处理装置A中，处理“A-1”不使用DIW，处理“A-2”使用80L/min的DIW。
首先，使用图5说明各基片处理装置100中的处理计划。
在时间t0，基片处理装置A中，对批次“1”执行着处理“A-4”，对批次“2”执行着处理“A-3”。此外，对批次“3”执行着处理“A-2”，对批次“4”执行着处理“A-1”。此外，批次“5”为预定要处理。
另外，基片处理装置B中，对批次“1”执行着处理“B-4”，对批次“2”执行着处理“B-3”。此外，对批次“3”执行着处理“B-2”，对批次“4”执行着处理“B-1”。此外，对于批次“5”没有开始处理。
另外，基片处理装置C中，对批次“1”执行着处理“C-5”，对批次“2”执行着处理“C-2”。
在这样的状况下，如果基片处理装置A和基片处理装置B对于各批次“5”开始处理，则在时间t1，整个基片处理系统1中的DIW的合计值大于上限值。因此，对基片处理装置A～C的至少一者不能够供给足够的DIW。
因此，实施方式的服务器装置200如图6所示，设定对新的批次的处理计划的开始时机。
服务器装置200判断在时间t0对优先级高的基片处理装置A批次“5”的处理已开始的情况下，DIW的合计值是否大于上限值。此处，即使在基片处理装置A中开始批次“5”的处理，DIW的合计值也不会变得比上限值大，因此服务器装置200允许基片处理装置A中的批次“5”的处理。
进而，服务器装置200判断在基片处理装置B中的批次“5”的处理已开始的情况下，DIW的合计值是否大于上限值。此处，如果在基片处理装置B中开始批次“5”的处理，则DIW的合计值变得大于上限值，因此对于基片处理装置B，使开始批次“5”的处理计划的开始时机延迟。
服务器装置200判断为即使在时间t2对基片处理装置B批次“5”的处理已开始的情况下，DIW的合计值为上限值以下。因此，服务器装置200对基片处理装置B允许批次“5”的处理。
服务器装置200具有获取部210、选择部213、计算部215和设定部216。获取部210从多个基片处理装置100获取基片处理装置100对基片8的处理计划。选择部213基于多个基片处理装置100的优先级，选择预定要对新的基片8开始执行处理计划的基片处理装置100(预定开始基片处理装置的一例)。计算部215计算处理已开始的处理计划使用的资源与基片处理装置100中将要开始执行的处理计划即预定开始处理计划要使用的资源的合计值。设定部216在合计值大于规定的上限值的情况下，设定预定开始处理计划的开始时机，以使得合计值成为规定的上限值以下。处理计划是基片处理装置100对基片8进行的全部处理的计划。
由此，服务器装置200能够抑制资源不足。此外，服务器装置200能够抑制在对基片8的处理计划开始后，由于资源不足而导致的处理计划的停止。因此，服务器装置200能够抑制在处理计划的中途，基片8的处理的停止，能够使对基片8的处理计划在一定的时间内结束。由此，服务器装置200能够抑制对基片8的处理发生不均。
服务器装置200具有优先级设定部211。优先级设定部211基于多个基片处理装置100的状态设定优先级。
由此，服务器装置200能够基于各基片处理装置100的状态，使各基片处理装置100的处理计划开始。即，服务器装置200能够基于各基片处理装置100的状态，变更使处理计划开始的顺序。
优先级设定部211使具有处于警告中或维护中的批次处理部6(处理部的一例)的基片处理装置100的优先级低。
由此，服务器装置200能够抑制在具有处于警告中或维护中的批次处理部6的基片处理装置100中开始对基片的处理。
优先级设定部211提高处理前的基片8的数量较多的基片处理装置100的优先级。
由此，服务器装置200能够促进处理前的基片8的数量较多的基片处理装置100中的处理。
<变形例>
变形例的服务器装置200可以提高处理前的基片8的待机时间较长的基片处理装置100的优先级。例如，变形例的服务器装置200提高批次的待机时间比预先设定的规定待机时间长的基片处理装置100的优先级。此外，例如，变形例的服务器装置200可以使多个基片处理装置100中的、具有待机时间较长的批次的基片处理装置100的优先级比具有待机时间较短的批次的基片处理装置100高。
由此，变形例的服务器装置200能够促进具有待机时间较长的基片8的基片处理装置100中的处理。
变形例的服务器装置200可以从多个基片处理装置100一起获取对处理已开始的批次的处理计划和对处理前的新的批次的处理计划。
基片处理装置100可以是对基片逐一进行处理的单片式的基片处理装置100。此外，基片处理装置100也可以包括单片式的基片处理装置100。
上述实施方式和变形例的基片处理系统1可以组合地使用。
另外，此次公开的实施方式在所有方面均是例示而并非限制性的。实际上，上述实施方式能够以多种方式实现。此外，上述实施方式可以在不脱离保护范围及其主旨的条件下以各种方式进行省略、替换、变更。
附图标记说明
1   基片处理系统
6   批次处理部
8   基片
50  控制部
100 基片处理装置
200 服务器装置(控制装置)
201 通信部
202 控制部
203 存储部
210 获取部
211 优先级设定部
212 时间表生成部
213 选择部
214 判断部
215 计算部
216 设定部
300 资源供给源。

Claims (7)

1.一种控制装置，其特征在于，包括：
获取部，其从多个基片处理装置获取基片处理装置对基片的处理计划；
选择部，其基于所述多个基片处理装置的优先级，选择预定要对新的基片开始执行处理计划的预定开始基片处理装置；
计算部，其计算处理已开始的所述处理计划使用的资源与所述预定开始基片处理装置中预定开始处理计划要使用的资源的合计值，其中，所述预定开始处理计划是将要开始执行的所述处理计划；和
设定部，其在所述合计值大于规定的上限值的情况下，设定所述预定开始处理计划的开始时机，以使得所述合计值成为所述规定的上限值以下，
所述处理计划是所述基片处理装置对所述基片进行的全部处理的计划。
2.如权利要求1所述的控制装置，其特征在于：
包括优先级设定部，其基于多个基片处理装置的状态来设定所述优先级。
3.如权利要求2所述的控制装置，其特征在于：
所述优先级设定部降低具有警告中或维护中的处理部的基片处理装置的所述优先级。
4.如权利要求2所述的控制装置，其特征在于：
所述优先级设定部提高处理前的所述基片的数量较多的所述基片处理装置的所述优先级。
5.如权利要求2所述的控制装置，其特征在于：
所述优先级设定部提高处理前的所述基片的待机时间较长的所述基片处理装置的所述优先级。
6.一种基片处理系统，其特征在于，包括：
权利要求1～5中任一项所述的控制装置；和
所述多个基片处理装置。
7.一种控制方法，其特征在于，包括：
获取步骤，其从多个基片处理装置获取基片处理装置对基片的处理计划；
选择步骤，其基于所述多个基片处理装置的优先级，选择预定要对新的基片开始执行处理计划的预定开始基片处理装置；
计算步骤，其计算处理已开始的所述处理计划使用的资源与所述预定开始基片处理装置中预定开始处理计划要使用的资源的合计值，其中，所述预定开始处理计划是将要开始执行的所述处理计划；和
设定步骤，其在所述合计值大于规定的上限值的情况下，设定所述预定开始处理计划的开始时机，以使得所述合计值成为所述规定的上限值以下，
所述处理计划是所述基片处理装置对所述基片进行的全部处理的计划。
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