CN114311917A - 一种高分子微粘缓冲膜及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高分子微粘缓冲膜及其制作方法,该高分子微粘缓冲膜的制作方法包括:提供具有支撑作用的金属箔层;在金属箔层的一侧涂覆硅胶微粘剂制作硅胶微粘层;在硅胶微粘层的一侧贴敷PET膜层,以获得高分子微粘缓冲膜。本发明提供的高分子微粘缓冲膜,通过在金属箔层的一侧涂覆硅胶微粘剂,形成硅胶微粘层,该硅胶微粘层具备适当的覆型性、合适的阻胶能力、良好的尺寸稳定性以及易剥离性,适合半自动化生产,提高生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及多层线路板热压合工序用的覆型膜领域,尤其涉及一种高分子微粘缓冲膜的制作方法及其一种高分子微粘缓冲膜。
背景技术
线路板压合工序包括在高温高压的条件下,使半固化片由固态变为凝胶态再与其他线路层、介质层结合的过程。
在5G通讯快速发展领域,要求线路板具有高Tg和高散热性能,线路板在压制过程中需要选择高Tg材料,压制温度通常在220℃以上,同时线路板在结构设计上选择嵌入大铜块来加速散热,为了保证线路板压合具备良好的填充性、平整性、可靠性,压合时需要用到辅助膜材料,通常称之为覆型膜,因此,对于品质要求越高的线路板制作,要求垫片具备更好的覆型性、离型性、耐更高温度、尺寸稳定性、平整性、清洁性等性能。
目前一般常用以下3种类型用于压合工序的覆型膜材料,包括:
(1)聚四氟乙烯(PTFE)膜;(2)聚酰亚胺(PI)薄膜;(3)聚四氟乙烯(PTFE)与其他缓冲材料的组合式垫片。
针对以上三种材料,具备以下技术问题:
1、聚四氟乙烯(PTFE)膜:聚四氟乙烯(PTFE)材料的离型性、耐高温性良好,但由于聚四氟乙烯薄膜比较柔软,不利于加工操作;覆型能力太强,会在铜块与板面间型成较大凹陷;且不能自动化作业。
2、聚酰亚胺(PI)薄膜:聚酰亚胺(PI)薄膜的耐高温性良好,但尺寸稳定性较差,PI膜厚度胶厚,覆型能力偏差,较薄,又不利于加工操作,做成PI保护膜,线路板压制完成后又难于从线路板上进行剥离。
3、聚四氟乙烯(PTFE)与其他缓冲材料的组合式垫片:此类组合式垫片中的其他缓冲材料,一般采用铜箔、铝箔等金属来稳定尺寸,但操作较复杂;不利于精益生产,不利于自动化作业。
因此,为了解决上述覆型膜的问题,提高线路板压合垫片材料的覆型性、离型性、耐高温性、尺寸稳定性、平整性、清洁性以及自动化作业,成为亟需待解决的问题。
发明内容
本发明的主要目的是提出一种高分子微粘缓冲膜,旨在解决现有技术中高频多层线路板压合工序中聚四氟乙烯(PTFE)膜或者聚酰亚胺(PI)薄膜不利于自动化作业,效率低下的技术问题。
为实现上述目的,本发明提出的一种高分子微粘缓冲膜的制作方法,所述高分子微粘缓冲膜的制作方法包括:
提供具有支撑作用的金属箔层;
在所述金属箔层的一侧涂覆硅胶微粘剂制作硅胶微粘层;
在所述硅胶微粘层的一侧贴敷PET膜层,以获得所述高分子微粘缓冲膜。
进一步的,所述在所述金属箔层的一侧涂覆硅胶微粘剂制作硅胶微粘层的步骤,包括:
提供所述硅胶微粘剂的第一组成混合物;
提供所述硅胶微粘剂的第二组成混合物;
充分混合所述第一组成混合物和第二组成混合物,制成所述硅胶微粘剂;
在所述金属箔层的一侧涂覆硅胶微粘剂,熟化后制成所述硅胶微粘层。
进一步的,所述第一组成混合物包括乙烯基硅油、白炭黑、含羟基的MQ硅树脂、催化剂以及稀释剂;其中,
所述乙烯基硅油采用粘度为100-5000mPa.s的乙烯基硅油,所述乙烯基硅油占比重为40-90份;
所述白炭黑采用比表面积100-400m2/g的白炭黑,所述白炭黑占比重为0-25份;
所述含羟基的MQ硅树脂采用羟基含量为1-15%的含羟基的MQ硅树脂,所述含羟基的MQ硅树脂占比重为0-30份;
所述催化剂采用铂或铑金属的催化剂,所述催化剂占比重为份;
所述稀释剂为含量100-10000PPM的稀释剂,所述稀释剂占比重为0.05-5份。
进一步的,所述第二组成混合物包括乙烯基硅油、白炭黑、含羟基的MQ硅树脂、MQ含氢硅树脂、线性含氢硅油以及乙炔类抑制剂;其中,
所述乙烯基硅油采用粘度为100-5000mPa.s的乙烯基硅油,所述乙烯基硅油占比重为30-85份;
所述白炭黑采用比表面积100-400m2/g的白炭黑,所述白炭黑占比重为0-20份;
所述含羟基的MQ硅树脂采用羟基含量为1-15%的含羟基的MQ硅树脂,所述含羟基的MQ硅树脂占比重为0-5份;
所述MQ含氢硅树脂采用含氢量为0.1-1.1%的MQ含氢硅树脂,所述MQ含氢硅树脂占比重为0-5份;
所述线性含氢硅油采用含氢量为0.05-1.6%的线性含氢硅油,所述线性含氢硅油占比重为0.5-10份;
所述乙炔类抑制剂占比重为0.001-0.5份。
进一步的,所述硅胶微粘层的厚度范围为0.5μm-15μm。
进一步的,所述在所述金属箔层的一侧涂覆硅胶微粘剂,熟化后制成所述硅胶微粘层的步骤之前,包括:
在所述金属箔层的一侧涂覆底涂剂,对所述金属箔层进行预处理。
进一步的,所述金属箔层为铝箔层或者铜箔层。
进一步的,所述金属箔层的厚度范围为0.01mm-0.2mm。
进一步的,所述PET膜层的厚度范围为0.015mm-0.5mm。
为实现上述目的,本发明提出的一种高分子微粘缓冲膜,所述高分子微粘缓冲膜由上述所述的制作方法制成,其中,所述高分子微粘缓冲膜包括金属箔层、硅胶微粘胶层以及PET膜层,其中,所述金属箔层、硅胶微粘胶层和所述PET膜层位于所述硅胶微粘胶层的两侧。
本发明技术方案中,本发明提供的高分子微粘缓冲膜,通过在金属箔层的一侧涂覆硅胶微粘剂,形成硅胶微粘层,该硅胶微粘层具备适当的覆型性、合适的阻胶能力、良好的尺寸稳定性以及易剥离性,适合半自动化生产,提高生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明一种高分子微粘缓冲膜的制作方法的工艺流程示意图;
图2为图1中步骤20的部分工艺流程示意图;
图3为本发明一种高分子微粘缓冲膜的结构示意图。
附图标号说明:
标号 | 名称 | 标号 | 名称 |
100 | 高分子微粘缓冲膜 | 120 | 硅胶微粘层 |
110 | 金属箔层 | 130 | PET膜层 |
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
需要说明,本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后、里、外……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。
另外,在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“连接”、“固定”等应做广义理解,例如,“固定”可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
另外,本发明各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本发明要求的保护范围之内。
请参照图1至图3,图1为本发明一种高分子微粘缓冲膜的制作方法的工艺流程示意图;图2为图1中的部分工艺流程示意图;图3为本发明一种高分子微粘缓冲膜的结构示意图。
如图3所示,本实施例的高分子微粘缓冲膜100由图1的制作方法所得,该高分子微粘缓冲膜100包括金属箔层110、硅胶微粘层120以及PET膜层130。其中,金属箔层110和PET膜层130位于硅胶微粘胶层120的两侧。
请一并参阅图1至图3,本发明的一种高分子微粘缓冲膜的制作方法的具体步骤包括:
步骤S10:提供具有支撑作用的金属箔层。
本实施例中,金属箔层110为铝箔层或者铜箔层。金属箔层110可以采用硬质的金属层,也可以采用软质的金属层;金属箔层110可以为一面光的金属层,也可以为两面光的金属层;即金属箔层110可以为一面光的硬质的铝箔,或者,也可以为两面光的硬质的铝箔,亦或者,也可以为两面光的软质的铝箔,在此不一一列举。金属箔层110主要起到稳定尺寸、承载以及轻微覆型等作用。
金属箔层110的厚度范围为0.01mm-0.2mm。进一步的,金属箔层110的厚度范围为0.2mm-0.1mm。
步骤S20:在所述金属箔层的一侧涂覆硅胶微粘剂制作硅胶微粘层。
如图2所示,在所述金属箔层110的一侧涂覆硅胶微粘剂制作硅胶微粘层120。其中,步骤S20具体可以细分以下几个步骤,包括:
步骤S21:提供所述硅胶微粘剂的第一组成混合物。
本实施例中,提供硅胶微粘剂的第一组成混合物。其中,第一组成混合物包括乙烯基硅油、白炭黑、含羟基的MQ硅树脂、催化剂以及稀释剂。
其中,所述乙烯基硅油采用粘度为100-5000mPa.s的乙烯基硅油,所述乙烯基硅油占比重为40-90份;所述白炭黑采用比表面积100-400m2/g的白炭黑,所述白炭黑占比重为0-25份;所述含羟基的MQ硅树脂采用羟基含量为1-15%的含羟基的MQ硅树脂,所述含羟基的MQ硅树脂占比重为0-30份;所述催化剂采用铂或铑金属的催化剂,所述催化剂占比重为0-5份;所述稀释剂为含量100-10000PPM的稀释剂,所述稀释剂占比重为0.05-5份。具体示例,例如所述乙烯基硅油采用粘度为2000mPa.s的乙烯基硅油,所述乙烯基硅油占比重为70份;所述白炭黑采用比表面积200m2/g的白炭黑,所述白炭黑占比重为10份;所述含羟基的MQ硅树脂采用羟基含量为8%的含羟基的MQ硅树脂,所述含羟基的MQ硅树脂占比重为15份;所述催化剂采用铂或铑金属的催化剂,所述催化剂占比重为3份;所述稀释剂为含量5000PPM的稀释剂,所述稀释剂占比重为2份。
步骤S22:提供所述硅胶微粘剂的第二组成混合物。
本实施例中,提供硅胶微粘剂的第二组成混合物。第二组成混合物包括乙烯基硅油、白炭黑、含羟基的MQ硅树脂、MQ含氢硅树脂、线性含氢硅油以及乙炔类抑制剂。
其中,所述乙烯基硅油采用粘度为100-5000mPa.s的乙烯基硅油,所述乙烯基硅油占比重为30-85份;所述白炭黑采用比表面积100-400m2/g的白炭黑,所述白炭黑占比重为0-20份;所述含羟基的MQ硅树脂采用羟基含量为1-15%的含羟基的MQ硅树脂,所述含羟基的MQ硅树脂占比重为0-5份;所述MQ含氢硅树脂采用含氢量为0.1-1.1%的MQ含氢硅树脂,所述MQ含氢硅树脂占比重为0-5份;所述线性含氢硅油采用含氢量为0.05-1.6%的线性含氢硅油,所述线性含氢硅油占比重为0.5-10份;所述乙炔类抑制剂占比重为0.001-0.5份。具体示例,例如所述乙烯基硅油采用粘度为3000mPa.s的乙烯基硅油,所述乙烯基硅油占比重为70份;所述白炭黑采用比表面积300m2/g的白炭黑,所述白炭黑占比重为20份;所述含羟基的MQ硅树脂采用羟基含量为7%的含羟基的MQ硅树脂,所述含羟基的MQ硅树脂占比重为1.75份;所述MQ含氢硅树脂采用含氢量为0.5%的MQ含氢硅树脂,所述MQ含氢硅树脂占比重为3份;所述线性含氢硅油采用含氢量为1.0%的线性含氢硅油,所述线性含氢硅油占比重为5份;所述乙炔类抑制剂占比重为0.25份。
步骤S23:充分混合所述第一组成混合物和第二组成混合物,制成所述硅胶微粘剂。
具体的,所述第一组成混合物和所述第一组成混合物均为液态混合物,将所述第一组成混合物和第二组成混合物进行充分混合后,制成所述硅胶微粘剂。
步骤S24:在所述金属箔层的一侧涂覆硅胶微粘剂,熟化后制成所述硅胶微粘层。
本实施例中,在金属箔层110的一侧涂覆硅胶微粘剂,熟化后制成所述硅胶微粘层120。具体应用中,金属箔层110选为铝箔,即当第一组成混合物和第二组成混合物充分混合均匀后,涂覆于铝箔的表面上,于80-180℃的高温条件下,1-30min加热固化,得到厚度为0.5μm-15μm,剥离力1-500g/25mm的硅胶微粘层120。即硅胶微粘层120的厚度范围为0.5μm-15μm,优选的,硅胶微粘层120的厚度范围为1μm-10μm;硅胶微粘层120的剥离力范围为1-500g/25mm,优选的,硅胶微粘层120的剥离力范围为100-500g/25mm。
本实施例中的硅胶微粘层120在压合工序中,主要起到压合前操作时锚固线路板和铜块,压合过程中覆型、阻胶,以及压合后拆板易剥离的作用。硅胶微粘层120在压合工序不同阶段有不同的作用,其作用广泛,能够广泛应用在耐高温高压的线路板制作中。
在其他实施例中,步骤S24之前,还包括:
步骤S25:在所述金属箔层的一侧涂覆底涂剂,对所述金属箔层进行预处理。
本实施例中,在所述金属箔层110的一侧涂覆底涂剂,对所述金属箔层110进行预处理。底涂剂可以增强硅胶微粘剂在金属箔层110上的附着力。其他的步骤通上述一致,在此不一一赘述。
步骤S30:在所述硅胶微粘层的一侧贴敷PET膜层,以获得所述高分子微粘缓冲膜。
具体的,在所述硅胶微粘层120的一侧贴敷PET膜层130,以获得所述高分子微粘缓冲膜100。其中,所述PET膜层130的厚度范围为0.015mm-0.5mm,优选的,所述PET膜层130的厚度范围为0.05mm-0.3mm。所述PET膜层130可以选择透明或哑光的PET膜。PET膜层130可以为聚酯薄膜,PET膜层130主要起到防止高分子微粘缓冲膜100收卷时相互黏连,便于后段使用。在具体应用中,PET膜层130还起到隔离的作用,在硅胶微粘层120固化后,PET膜层130与硅胶微粘层120直接贴敷后收卷,在线路板加工使用时,PET膜层130需要揭去进行使用。
综上,新型的高分子微粘缓冲膜100主要具备以下方面的有益效果:
1、可以良好的控制压合垫片本身的涨缩,并且能够良好的辅助控制线路板的涨缩,有效解决层偏、线路脱胶、线路断裂等问题。
2、此种高分子微粘缓冲膜100,应用两种材料组合而成,集合两种材料的各项优势,具备良好的耐高温性能,能够有效应用在220℃乃至280℃以上高温的线路板压合制作中。具体的,第一,因其具备硅胶微粘层120,使高温微粘缓冲膜具备良好的锚固性,能够有效锚固铜块,防止偏移;又具有柔软性,起到覆型阻胶的作用;第二,因其具备金属铝箔层110,因此在压合过程中,具备良好的整平性,能够有效防止橘皮纹、表面褶皱、凹陷过大等缺陷。因此,高分子微粘缓冲膜100,具备适当的覆型性、合适的阻胶能力和良好的尺寸稳定性,易剥离性,不残胶、平整性、清洁性等各种优良的性能。
3、此种高温微粘缓冲膜能够广泛应用在耐高温高压的线路板制作中。
综上所述,本发明技术方案中,本发明提供的高分子微粘缓冲膜,通过在金属箔层的一侧涂覆硅胶微粘剂,形成硅胶微粘层,该硅胶微粘层具备适当的覆型性、合适的阻胶能力、良好的尺寸稳定性以及易剥离性,适合半自动化生产,提高生产效率。
以上所述仅为本发明的优选实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是在本发明的发明构思下,利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种高分子微粘缓冲膜的制作方法,其特征在于,所述高分子微粘缓冲膜的制作方法包括:
提供具有支撑作用的金属箔层;
在所述金属箔层的一侧涂覆硅胶微粘剂制作硅胶微粘层;
在所述硅胶微粘层的一侧贴敷PET膜层,以获得所述高分子微粘缓冲膜。
2.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述在所述金属箔层的一侧涂覆硅胶微粘剂制作硅胶微粘层的步骤,包括:
提供所述硅胶微粘剂的第一组成混合物;
提供所述硅胶微粘剂的第二组成混合物;
充分混合所述第一组成混合物和第二组成混合物,制成所述硅胶微粘剂;
在所述金属箔层的一侧涂覆硅胶微粘剂,熟化后制成所述硅胶微粘层。
3.如权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述第一组成混合物包括乙烯基硅油、白炭黑、含羟基的MQ硅树脂、催化剂以及稀释剂;其中,
所述乙烯基硅油采用粘度为100-5000mPa.s的乙烯基硅油,所述乙烯基硅油占比重为40-90份;
所述白炭黑采用比表面积100-400m2/g的白炭黑,所述白炭黑占比重为0-25份;
所述含羟基的MQ硅树脂采用羟基含量为1-15%的含羟基的MQ硅树脂,所述含羟基的MQ硅树脂占比重为0-30份;
所述催化剂采用铂或铑金属的催化剂,所述催化剂占比重为0-5份;
所述稀释剂为含量100-10000PPM的稀释剂,所述稀释剂占比重为0.05-5份。
4.如权利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述第二组成混合物包括乙烯基硅油、白炭黑、含羟基的MQ硅树脂、MQ含氢硅树脂、线性含氢硅油以及乙炔类抑制剂;其中,
所述乙烯基硅油采用粘度为100-5000mPa.s的乙烯基硅油,所述乙烯基硅油占比重为30-85份;
所述白炭黑采用比表面积100-400m2/g的白炭黑,所述白炭黑占比重为0-20份;
所述含羟基的MQ硅树脂采用羟基含量为1-15%的含羟基的MQ硅树脂,所述含羟基的MQ硅树脂占比重为0-5份;
所述MQ含氢硅树脂采用含氢量为0.1-1.1%的MQ含氢硅树脂,所述MQ含氢硅树脂占比重为0-5份;
所述线性含氢硅油采用含氢量为0.05-1.6%的线性含氢硅油,所述线性含氢硅油占比重为0.5-10份;
所述乙炔类抑制剂占比重为0.001-0.5份。
5.如权利要求4所述的制作方法,其特征在于,所述硅胶微粘层的厚度范围为0.5μm-15μm。
6.如权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述在所述金属箔层的一侧涂覆硅胶微粘剂,熟化后制成所述硅胶微粘层的步骤之前,包括:
在所述金属箔层的一侧涂覆底涂剂,对所述金属箔层进行预处理。
7.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述金属箔层为铝箔层或者铜箔层。
8.如权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述金属箔层的厚度范围为0.01mm-0.2mm。
9.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述PET膜层的厚度范围为0.015mm-0.5mm。
10.一种高分子微粘缓冲膜,其特征在于,所述高分子微粘缓冲膜由权利要求1-9任一所述的制作方法制成,其中,所述高分子微粘缓冲膜包括金属箔层、硅胶微粘胶层以及PET膜层,其中,所述金属箔层、硅胶微粘胶层和所述PET膜层位于所述硅胶微粘胶层的两侧。
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