CN113979468B - 一种太阳能电池组件用CZTS(Se)系纳米粉体的制备方法 - Google Patents
一种太阳能电池组件用CZTS(Se)系纳米粉体的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113979468B CN113979468B CN202111499350.3A CN202111499350A CN113979468B CN 113979468 B CN113979468 B CN 113979468B CN 202111499350 A CN202111499350 A CN 202111499350A CN 113979468 B CN113979468 B CN 113979468B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- microemulsion
- source
- mixed salt
- solution
- czts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000004530 micro-emulsion Substances 0.000 claims abstract description 106
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 77
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 77
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 63
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 17
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000004064 cosurfactant Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 77
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 52
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 18
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 18
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N dodecyl benzenesulfonate;sodium Chemical compound [Na].CCCCCCCCCCCCOS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229940080264 sodium dodecylbenzenesulfonate Drugs 0.000 claims description 10
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical compound [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BVTBRVFYZUCAKH-UHFFFAOYSA-L disodium selenite Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Se]([O-])=O BVTBRVFYZUCAKH-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 229960001471 sodium selenite Drugs 0.000 claims description 6
- 235000015921 sodium selenite Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000011781 sodium selenite Substances 0.000 claims description 6
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RNGFNLJMTFPHBS-UHFFFAOYSA-L dipotassium;selenite Chemical compound [K+].[K+].[O-][Se]([O-])=O RNGFNLJMTFPHBS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Chemical compound CC(N)=S YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Natural products CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N (1,10,13-trimethyl-3-oxo-4,5,6,7,8,9,11,12,14,15,16,17-dodecahydrocyclopenta[a]phenanthren-17-yl) heptanoate Chemical compound C1CC2CC(=O)C=C(C)C2(C)C2C1C1CCC(OC(=O)CCCCCC)C1(C)CC2 TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- IOUCSUBTZWXKTA-UHFFFAOYSA-N dipotassium;dioxido(oxo)tin Chemical compound [K+].[K+].[O-][Sn]([O-])=O IOUCSUBTZWXKTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- TVQLLNFANZSCGY-UHFFFAOYSA-N disodium;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Sn]([O-])=O TVQLLNFANZSCGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229940079864 sodium stannate Drugs 0.000 claims description 4
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000001119 stannous chloride Substances 0.000 claims description 4
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229910000368 zinc sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229960001763 zinc sulfate Drugs 0.000 claims description 4
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- QYHFIVBSNOWOCQ-UHFFFAOYSA-N selenic acid Chemical compound O[Se](O)(=O)=O QYHFIVBSNOWOCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical class [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 19
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 15
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 8
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 60
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 22
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 11
- 235000011837 pasties Nutrition 0.000 description 7
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 6
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N diisopropylamine Chemical compound CC(C)NC(C)C UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-2-ol Chemical compound CCC(C)(C)O MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDSNLYIMUZNERS-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropanamine Chemical compound CC(C)CN KDSNLYIMUZNERS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N isoamylol Chemical compound CC(C)CCO PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 2
- 229940000207 selenious acid Drugs 0.000 description 2
- MCAHWIHFGHIESP-UHFFFAOYSA-N selenous acid Chemical compound O[Se](O)=O MCAHWIHFGHIESP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- PCRGAMCZHDYVOL-UHFFFAOYSA-N copper selanylidenetin zinc Chemical compound [Cu].[Zn].[Sn]=[Se] PCRGAMCZHDYVOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WILFBXOGIULNAF-UHFFFAOYSA-N copper sulfanylidenetin zinc Chemical compound [Sn]=S.[Zn].[Cu] WILFBXOGIULNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229940043279 diisopropylamine Drugs 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 238000005551 mechanical alloying Methods 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G19/00—Compounds of tin
- C01G19/006—Compounds containing, besides tin, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/002—Compounds containing, besides selenium or tellurium, more than one other element, with -O- and -OH not being considered as anions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0326—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising AIBIICIVDVI kesterite compounds, e.g. Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnSnS4
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
Abstract
一种太阳能电池组件用CZTS(Se)系纳米粉体的制备方法，包括Cu、Zn、Sn混合盐微乳液和S或Se源微乳液的制备，共混反应两个步骤；表面活性剂溶解于有机溶剂后，加入Cu、Zn、Sn混合盐溶液或S（Se）源水溶液搅拌至浆糊状后边搅拌边滴加助表面活性剂至浆糊状物质全溶后，超声震荡至澄清透明得到Cu、Zn、Sn混合盐微乳液或S（Se）源微乳液；上述两种微乳液按一定摩尔比混合反应后，离心分离出的沉淀经水洗醇洗干燥得到CZTS或CZTSe纳米粉体。本发明在65~90℃条件下制备出了CZTS或CZTSe纳米粉体，制得的CZTS或CZTSe纳米粉体粒径为20~38nm。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池组件用CZTS(Se)系纳米粉体的制备方法，属于光电功能材料领域。
背景技术
CZTS(Se)系纳米粉体作为新一代太阳能电池材料，不但具有与太阳光相匹配的合适的禁带宽度，还拥有高的吸收系数(1*105 cm-1)，高辐射稳定性，高能量转换效率等优异性质，因此在光伏产业的应用前景十分广阔。CZTS(Se)系纳米粉体的合成方法很多，粗分为物理方法和化学方法。其中物理方法成本较高，粉体粒径尺寸和微观形貌难以控制，难以得到单分散性的纳米粉体。化学方法成本相对低廉，而且化学合成过程可控参数较多，能通过调控诸多条件来控制粉体粒径和表面形貌，进而获得单分散性好的纳米粉体，便于满足制备光电转换薄膜材料时易于分散均匀的要求。
中国专利CN102642818A一种低温机械合金化制备CZTS(Se)系纳米粉体的方法，将单质Cu粉、Zn粉、Sn粉和S(Se)粉按一定摩尔比加入球磨罐中，以醇类和胺类混合液为过程控制剂，按照额定的球料比、设定转速和球磨时间进行球磨，球磨产物经离心洗涤烘干即可得到目标产物。所述原料中，单质硫粉和硒粉可以任意摩尔比互换；所述过程控制剂是体积比为1~20:1的醇类和胺类混合液，所述醇类为乙醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇、异戊醇、叔戊醇和丙三醇中的一种，所述胺类为乙二胺、异丁胺、二异丙胺、己二胺和三乙胺中的一种。该专利最终产品CZTS(Se)粉末的粒径由Cu粉、Zn粉、Sn粉和S(Se)粉球磨过程决定，这几种金属粉硬度、耐磨程度均不相同，统一用相同的球磨加工参数磨制出的粉体，难以得到粒径分布均匀统一的混合粉体。
中国专利CN112210762A公开了一种铜锌锡硒（CZTSe）或铜锌锡硫（CZTS）四元靶材的制备方法，包含以下步骤：(1)使用Cu颗粒、Sn颗粒、Zn颗粒、Se颗粒或者S粉体按比例称量放置于石英管内；(2)将石英管抽真空密封后置于热处理炉中，由室温升温至高温并保温一段时间，制成CZTSe或CZTS化合物块体；(3)将块体破碎制成粒径为80微米以下的粉体；(4)把粉体置于石墨模具中热压烧结制成CZTSe或CZTS四元靶材。该专利所述方法将反应物金属粉末混合烧结成目标产物后，再用物理方法粉碎成80微米以下粉体，高温反应条件能耗高，而且高温烧结后的固体大多是体积较大的不规则颗粒，研磨至纳米级粉末，相对困难而且效率低成本高。
综上可以看出目前CZTS(Se)系纳米粉体的制备主要存在成本高、粒径分布宽、微观形貌难以控制等问题。
发明内容
针对上述现有技术存在的不足，本发明提供一种太阳能电池组件用CZTS(Se)系纳米粉体的制备方法，实现以下发明目的：低温低成本制备出粒径分布集中的纳米级CZTS(Se)系粉体。
为实现上述发明目的，本发明采取以下技术方案：
一种太阳能电池组件用CZTS(Se)系纳米粉体的制备方法，包括Cu、Zn、Sn混合盐微乳液和 S或Se源微乳液的制备，共混反应两个步骤；表面活性剂溶解于有机溶剂后，加入Cu、Zn、Sn混合盐溶液或S（Se）源水溶液搅拌至浆糊状后边搅拌边滴加助表面活性剂至浆糊状物质全溶后，超声震荡至澄清透明得到Cu、Zn、Sn混合盐微乳液或S（Se）源微乳液；上述两种微乳液按一定摩尔比混合反应后，离心分离出沉淀经水洗醇洗干燥得到CZTS或CZTSe纳米粉体。
以下是对上述技术方案的进一步改进：
步骤（1）Cu、Zn、Sn混合盐微乳液和S或Se源微乳液的制备
所述Cu、Zn、Sn混合盐，Cu盐可选硫酸铜、硝酸铜、氯化铜等易溶于水的铜盐中的一种，Zn盐可用硫酸锌、硝酸锌、氯化锌等易溶于水的锌盐中的一种，Sn盐可用锡酸钠、锡酸钾、氯化亚锡等易溶于水的锡盐中的一种；
所述S源或Se源，S源可选硫脲或硫代乙酰胺中的一种，Se源可选亚硒酸、亚硒酸钠、亚硒酸钾；
所述Cu、Zn、Sn混合盐微乳液的制备，表面活性剂加入有机溶剂中，搅拌溶解后，加入Cu、Zn、Sn混合盐溶液搅拌至粘稠浆糊状后，边搅拌边缓慢滴加助表面活性剂至溶液中浆糊状物质全溶后，转移至超声仪器中，超声震荡至澄清透明状态的溶液即为Cu、Zn、Sn混合盐微乳液；
所述S或Se源微乳液的制备，表面活性剂加入有机溶剂中，搅拌溶解后，加入S源或Se源水溶液搅拌至粘稠浆糊状后，边搅拌边缓慢滴加助表面活性剂至溶液中浆糊状物质全溶后，转移至超声仪器中，超声震荡至澄清透明状态的溶液即为S或Se源微乳液；
所述有机溶剂为环己烷、正己烷中的一种；
所述表面活性剂，为十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠中的一种；
所述助表面活性剂，为正戊醇或正己醇中的一种；
所述Cu、Zn、Sn混合盐溶液，混合盐总摩尔浓度为0.2~0.4mol/L，其中Cu、Zn、Sn摩尔比为2:1:1；
所述S源或Se源水溶液，S或Se摩尔浓度为0.25~0.4mol/L；
所述有机溶剂和Cu、Zn、Sn混合盐溶液，加入量体积比为6~10:1；
所述有机溶剂和S源或Se源水溶液，加入量体积比为6~10:1；
所述表面活性剂和助表面活性剂，表面活性剂在Cu、Zn、Sn混合盐微乳液中的摩尔浓度控制为0.1~0.2 mol/L，助表面活性剂在Cu、Zn、Sn混合盐微乳液中的摩尔浓度控制为0.03~0.07mol/L，表面活性剂在S或Se源微乳液中的摩尔浓度控制为0.14~0.22 mol/L，助表面活性剂在S或Se源微乳液中的摩尔浓度控制为0.05~0.08mol/L。
步骤（2）共混反应
将Cu、Zn、Sn混合盐微乳液和S或Se源微乳液预热至65~90℃，温度恒定后，2000~3500转/分搅拌速率下，按Cu、Zn、Sn、S摩尔比为2:1:1:4~4.6或Cu、Zn、Sn、Se摩尔比为2:1:1:4~4.6将S或Se源微乳液迅速倒入Cu、Zn、Sn混合盐微乳液中，恒温搅拌反应15~25分钟后，离心分离得到沉淀，将该沉淀用去离子水洗三次，无水乙醇洗三次后，于80℃下干燥两个小时得到CZTS或CZTSe纳米粉体。
优选的技术方案：
上述步骤（1）所述Cu、Zn、Sn混合盐，Cu盐选氯化铜，Zn盐选硝酸锌，Sn盐用锡酸钠；
所述S源或Se源，S源选硫脲，Se源选亚硒酸钠；
所述有机溶剂为环己烷；
所述表面活性剂为十二烷基硫酸钠；
所述助表面活性剂为正戊醇；
所述Cu、Zn、Sn混合盐溶液，混合盐总摩尔浓度为0.32mol/L；
所述S源或Se源水溶液，S或Se摩尔浓度为0.36mol/L；
所述有机溶剂和Cu、Zn、Sn混合盐溶液，加入量体积比为8:1；
所述有机溶剂和S源或Se源水溶液，加入量体积比为8:1；
所述表面活性剂和助表面活性剂，表面活性剂在Cu、Zn、Sn混合盐微乳液中的摩尔浓度控制为0.16 mol/L，助表面活性剂在Cu、Zn、Sn混合盐微乳液中的摩尔浓度控制为0.05mol/L，表面活性剂在S或Se源微乳液中的摩尔浓度控制为0.2mol/L，助表面活性剂在S或Se源微乳液中的摩尔浓度控制为0.06mol/L；
步骤（2）将Cu、Zn、Sn混合盐微乳液和S或Se源微乳液预热至85℃，温度恒定后，3000转/分搅拌速率下，按Cu、Zn、Sn、S摩尔比为2:1:1:4.4或Cu、Zn、Sn、Se摩尔比为2:1:1:4.4将S或Se源微乳液迅速倒入Cu、Zn、Sn混合盐微乳液中，恒温搅拌反应20分钟后，离心分离得到沉淀，将该沉淀用去离子水洗三次，无水乙醇洗三次后，于80℃下干燥两个小时得到CZTS或CZTSe纳米粉体。
与现有技术相比，本发明取得以下有益效果：
1、本发明在65~90℃条件下制备出了CZTS或CZTSe纳米粉体；
2、本发明制得的CZTS或CZTSe纳米粉体粒径为20~38nm。
具体实施方式
以下对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1：一种太阳能电池组件用CZTS(Se)系纳米粉体的制备方法
包括以下步骤：
1、Cu、Zn、Sn混合盐微乳液和S源微乳液的制备
摩尔比为2:1:1的氯化铜、硝酸锌、锡酸钠与去离子水配制成三种盐总摩尔浓度为0.32mol/L的混合盐水溶液100mL，将十二烷基硫酸钠加入到800 mL环己烷中，十二烷基硫酸钠加入量控制为：在最终得到的Cu、Zn、Sn混合盐微乳液中的摩尔浓度为0.16mol/L，搅拌溶解后，加入上述100mL混合盐水溶液，搅拌至粘稠浆糊状后，边搅拌边缓慢滴加正戊醇至溶液中浆糊状物质全溶后，转移至超声仪器中，正戊醇加入量控制为：在最终得到的Cu、Zn、Sn混合盐微乳液中的摩尔浓度为0.05mol/L，超声震荡至澄清透明状态的溶液即为Cu、Zn、Sn混合盐微乳液；
硫脲与去离子水配制成0.36mol/L的硫脲水溶液500mL，将十二烷基硫酸钠加入到4000 mL环己烷中，十二烷基硫酸钠加入量控制为：在最终得到的S源微乳液中的摩尔浓度为0.2mol/L，搅拌溶解后，加入上述500mL硫脲水溶液，搅拌至粘稠浆糊状后，边搅拌边缓慢滴加正戊醇至溶液中浆糊状物质全溶后，转移至超声仪器中，正戊醇加入量控制为：最终得到的S源微乳液中的摩尔浓度为0.06mol/L，超声震荡至澄清透明状态的溶液即为S源微乳液；
2、共混反应
将Cu、Zn、Sn混合盐微乳液和S源微乳液预热至85℃，温度恒定后，3000转/分搅拌速率下，按Cu、Zn、Sn、S摩尔比为2:1:1:4.4将S源微乳液迅速倒入Cu、Zn、Sn混合盐微乳液中，恒温搅拌反应20分钟后，离心分离得到沉淀，将该沉淀用去离子水洗三次，无水乙醇洗三次后，于80℃下干燥两个小时得到CZTS纳米粉体。
实施例1得到的CZTS纳米粉体粒径为20~32nm。
实施例2：一种太阳能电池组件用CZTS(Se)系纳米粉体的制备方法
包括以下步骤：
1、Cu、Zn、Sn混合盐微乳液和Se源微乳液的制备
摩尔比为2:1:1的硫酸铜、氯化锌、锡酸钾与去离子水配制成三种盐总摩尔浓度为0.32mol/L的混合盐水溶液100mL，将十二烷基硫酸钠加入到800 mL环己烷中，十二烷基硫酸钠加入量控制为：在最终得到的Cu、Zn、Sn混合盐微乳液中的摩尔浓度为0.16mol/L，搅拌溶解后，加入上述100mL混合盐水溶液，搅拌至粘稠浆糊状后，边搅拌边缓慢滴加正戊醇至溶液中浆糊状物质全溶后，转移至超声仪器中，正戊醇加入量控制为：在最终得到的Cu、Zn、Sn混合盐微乳液中的摩尔浓度为0.05mol/L，超声震荡至澄清透明状态的溶液即为Cu、Zn、Sn混合盐微乳液；
亚硒酸钠与去离子水配制成0.36mol/L的亚硒酸钠水溶液500mL，将十二烷基硫酸钠加入到4000 mL环己烷中，十二烷基硫酸钠加入量控制为：在最终得到的Se源微乳液中的摩尔浓度为0.2mol/L，搅拌溶解后，加入上述500mL亚硒酸钠水溶液，搅拌至粘稠浆糊状后，边搅拌边缓慢滴加正戊醇至溶液中浆糊状物质全溶后，转移至超声仪器中，正戊醇加入量控制为：最终得到的Se源微乳液中的摩尔浓度为0.06mol/L，超声震荡至澄清透明状态的溶液即为Se源微乳液；
2、共混反应
将Cu、Zn、Sn混合盐微乳液和Se源微乳液预热至85℃，温度恒定后，3000转/分搅拌速率下，按Cu、Zn、Sn、Se摩尔比为2:1:1:4.4将Se源微乳液迅速倒入Cu、Zn、Sn混合盐微乳液中，恒温搅拌反应20分钟后，离心分离得到沉淀，将该沉淀用去离子水洗三次，无水乙醇洗三次后，于80℃下干燥两个小时得到CZTSe纳米粉体。
实施例2得到的CZTSe纳米粉体粒径为24~30nm。
实施例3：一种太阳能电池组件用CZTS(Se)系纳米粉体的制备方法
包括以下步骤：
1、Cu、Zn、Sn混合盐微乳液和S源微乳液的制备
摩尔比为2:1:1硝酸铜、硫酸锌、氯化亚锡与去离子水配制成三种盐总摩尔浓度为0.32mol/L的混合盐水溶液100mL，将十二烷基硫酸钠加入到800 mL环己烷中，十二烷基硫酸钠加入量控制为：在最终得到的Cu、Zn、Sn混合盐微乳液中的摩尔浓度为0.16mol/L，搅拌溶解后，加入上述100mL混合盐水溶液，搅拌至粘稠浆糊状后，边搅拌边缓慢滴加正戊醇至溶液中浆糊状物质全溶后，转移至超声仪器中，正戊醇加入量控制为：在最终得到的Cu、Zn、Sn混合盐微乳液中的摩尔浓度为0.05mol/L，超声震荡至澄清透明状态的溶液即为Cu、Zn、Sn混合盐微乳液；
硫代乙酰胺与去离子水配制成0.36mol/L的硫代乙酰胺水溶液500mL，将十二烷基硫酸钠加入到4000 mL环己烷中，十二烷基硫酸钠加入量控制为：在最终得到的S源微乳液中的摩尔浓度为0.2mol/L，搅拌溶解后，加入上述500mL硫代乙酰胺水溶液，搅拌至粘稠浆糊状后，边搅拌边缓慢滴加正戊醇至溶液中浆糊状物质全溶后，转移至超声仪器中，正戊醇加入量控制为：最终得到的S源微乳液中的摩尔浓度为0.06mol/L，超声震荡至澄清透明状态的溶液即为S源微乳液；
2、共混反应
将Cu、Zn、Sn混合盐微乳液和S源微乳液预热至85℃，温度恒定后，3000转/分搅拌速率下，按Cu、Zn、Sn、S摩尔比为2:1:1:4.4将S源微乳液迅速倒入Cu、Zn、Sn混合盐微乳液中，恒温搅拌反应20分钟后，离心分离得到沉淀，将该沉淀用去离子水洗三次，无水乙醇洗三次后，于80℃下干燥两个小时得到CZTS纳米粉体。
实施例3得到的CZTS纳米粉体粒径为28~36nm。
实施例4：一种太阳能电池组件用CZTS(Se)系纳米粉体的制备方法
包括以下步骤：
1、Cu、Zn、Sn混合盐微乳液和Se源微乳液的制备
摩尔比为2:1:1硝酸铜、硫酸锌、氯化亚锡与去离子水配制成三种盐总摩尔浓度为0.2mol/L的混合盐水溶液100mL，将十二烷基苯磺酸钠加入到600 mL环己烷中，十二烷基苯磺酸钠加入量控制为：在最终得到的Cu、Zn、Sn混合盐微乳液中的摩尔浓度为0.1mol/L，搅拌溶解后，加入上述100mL混合盐水溶液，搅拌至粘稠浆糊状后，边搅拌边缓慢滴加正戊醇至溶液中浆糊状物质全溶后，转移至超声仪器中，正戊醇加入量控制为：在最终得到的Cu、Zn、Sn混合盐微乳液中的摩尔浓度为0.03mol/L，超声震荡至澄清透明状态的溶液即为Cu、Zn、Sn混合盐微乳液；
亚硒酸与去离子水配制成0.25mol/L的亚硒酸水溶液500mL，将十二烷基苯磺酸钠加入到3000 mL环己烷中，十二烷基苯磺酸钠加入量控制为：在最终得到的Se源微乳液中的摩尔浓度为0.14mol/L，搅拌溶解后，加入上述500mL亚硒酸水溶液，搅拌至粘稠浆糊状后，边搅拌边缓慢滴加正戊醇至溶液中浆糊状物质全溶后，转移至超声仪器中，正戊醇加入量控制为：最终得到的Se源微乳液中的摩尔浓度为0.05mol/L，超声震荡至澄清透明状态的溶液即为Se源微乳液；
2、共混反应
将Cu、Zn、Sn混合盐微乳液和Se源微乳液预热至65℃，温度恒定后，2000转/分搅拌速率下，按Cu、Zn、Sn、Se摩尔比为2:1:1:4将Se源微乳液迅速倒入Cu、Zn、Sn混合盐微乳液中，恒温搅拌反应15分钟后，离心分离得到沉淀，将该沉淀用去离子水洗三次，无水乙醇洗三次后，于80℃下干燥两个小时得到CZTSe纳米粉体。
实施例4得到的CZTSe纳米粉体粒径为24~38nm。
实施例5：一种太阳能电池组件用CZTS(Se)系纳米粉体的制备方法
包括以下步骤：
1、Cu、Zn、Sn混合盐微乳液和Se源微乳液的制备
摩尔比为2:1:1硝酸铜、硝酸锌、锡酸钾与去离子水配制成三种盐总摩尔浓度为0.4mol/L的混合盐水溶液100mL，将十二烷基苯磺酸钠加入到1000 mL正己烷中，十二烷基苯磺酸钠加入量控制为：在最终得到的Cu、Zn、Sn混合盐微乳液中的摩尔浓度为0.2mol/L，搅拌溶解后，加入上述100mL混合盐水溶液，搅拌至粘稠浆糊状后，边搅拌边缓慢滴加正己醇至溶液中浆糊状物质全溶后，转移至超声仪器中，正己醇加入量控制为：在最终得到的Cu、Zn、Sn混合盐微乳液中的摩尔浓度为0.07mol/L，超声震荡至澄清透明状态的溶液即为Cu、Zn、Sn混合盐微乳液；
亚硒酸钾与去离子水配制成0.4mol/L的亚硒酸钾水溶液500mL，将十二烷基苯磺酸钠加入到5000 mL正己烷中，十二烷基苯磺酸钠加入量控制为：在最终得到的Se源微乳液中的摩尔浓度为0.22mol/L，搅拌溶解后，加入上述500mL亚硒酸钾水溶液，搅拌至粘稠浆糊状后，边搅拌边缓慢滴加正己醇至溶液中浆糊状物质全溶后，转移至超声仪器中，正己醇加入量控制为：最终得到的Se源微乳液中的摩尔浓度为0.08mol/L，超声震荡至澄清透明状态的溶液即为Se源微乳液；
2、共混反应
将Cu、Zn、Sn混合盐微乳液和Se源微乳液预热至90℃，温度恒定后，3500转/分搅拌速率下，按Cu、Zn、Sn、Se摩尔比为2:1:1:4.6将Se源微乳液迅速倒入Cu、Zn、Sn混合盐微乳液中，恒温搅拌反应25分钟后，离心分离得到沉淀，将该沉淀用去离子水洗三次，无水乙醇洗三次后，于80℃下干燥两个小时得到CZTSe纳米粉体。
实施例5得到的CZTSe纳米粉体粒径为22~34nm。
Claims (4)
1.一种太阳能电池组件用CZTS(Se)系纳米粉体的制备方法，其特征在于：包括Cu、Zn、Sn混合盐微乳液和 S或Se源微乳液的制备，共混反应两个步骤；
所述Cu、Zn、Sn混合盐微乳液的制备，表面活性剂加入有机溶剂中，搅拌溶解后，加入Cu、Zn、Sn混合盐溶液搅拌至粘稠浆糊状后，边搅拌边缓慢滴加助表面活性剂至溶液中浆糊状物质全溶后，转移至超声仪器中，超声震荡至澄清透明状态的溶液即为Cu、Zn、Sn混合盐微乳液；
所述S源或Se源，S源可选硫脲或硫代乙酰胺中的一种，Se源可选亚硒酸、亚硒酸钠、亚硒酸钾；
所述有机溶剂为环己烷、正己烷中的一种；所述表面活性剂，为十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠中的一种；所述助表面活性剂，为正戊醇或正己醇中的一种；
所述Cu、Zn、Sn混合盐溶液，混合盐总摩尔浓度为0.2-0.4mol/L，其中Cu、Zn、Sn摩尔比为2:1:1；所述S源或Se源水溶液，S或Se摩尔浓度为0.25-0.4mol/L；
所述S或Se源微乳液的制备，表面活性剂加入有机溶剂中，搅拌溶解后，加入S源或Se源水溶液搅拌至粘稠浆糊状后，边搅拌边缓慢滴加助表面活性剂至溶液中浆糊状物质全溶后，转移至超声仪器中，超声震荡至澄清透明状态的溶液即为S或Se源微乳液；
所述共混反应，将Cu、Zn、Sn混合盐微乳液和S或Se源微乳液预热至65-90℃，温度恒定后，2000-3500转/分搅拌速率下，按Cu、Zn、Sn、S摩尔比为2:1:1:4-4.6或Cu、Zn、Sn、Se摩尔比为2:1:1:4-4.6将S或Se源微乳液迅速倒入Cu、Zn、Sn混合盐微乳液中，恒温搅拌反应15-25分钟后，离心分离得到的沉淀用去离子水洗三次，无水乙醇洗三次后，于80℃下干燥两个小时得到CZTS或CZTSe纳米粉体。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池组件用CZTS(Se)系纳米粉体的制备方法，其特征在于：所述Cu、Zn、Sn混合盐，Cu盐可选硫酸铜、硝酸铜、氯化铜等易溶于水的铜盐中的一种，Zn盐可用硫酸锌、硝酸锌、氯化锌等易溶于水的锌盐中的一种，Sn盐可用锡酸钠、锡酸钾、氯化亚锡等易溶于水的锡盐中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种太阳能电池组件用CZTS(Se)系纳米粉体的制备方法，其特征在于：所述有机溶剂和Cu、Zn、Sn混合盐溶液，加入量体积比为6-10:1；所述有机溶剂和S源或Se源水溶液，加入量体积比为6-10:1。
4.根据权利要求1所述的一种太阳能电池组件用CZTS(Se)系纳米粉体的制备方法，其特征在于：所述表面活性剂和助表面活性剂，表面活性剂在Cu、Zn、Sn混合盐微乳液中的摩尔浓度控制为0.1-0.2 mol/L，在S或Se源微乳液中的摩尔浓度控制为0.14-0.22 mol/L；助表面活性剂在Cu、Zn、Sn混合盐微乳液中的摩尔浓度控制为0.03-0.07mol/L，在S或Se源微乳液中的摩尔浓度控制为0.05-0.08mol/L。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111499350.3A CN113979468B (zh) | 2021-12-09 | 2021-12-09 | 一种太阳能电池组件用CZTS(Se)系纳米粉体的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111499350.3A CN113979468B (zh) | 2021-12-09 | 2021-12-09 | 一种太阳能电池组件用CZTS(Se)系纳米粉体的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113979468A CN113979468A (zh) | 2022-01-28 |
| CN113979468B true CN113979468B (zh) | 2023-05-09 |
Family
ID=79733611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111499350.3A Active CN113979468B (zh) | 2021-12-09 | 2021-12-09 | 一种太阳能电池组件用CZTS(Se)系纳米粉体的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113979468B (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101830444A (zh) * | 2010-05-28 | 2010-09-15 | 上海交通大学 | 铜锌锡硫硒纳米粒子的制备方法 |
| CN101885071A (zh) * | 2010-05-28 | 2010-11-17 | 电子科技大学 | 一种铜锌锡硒纳米粉末材料的制备方法 |
| CN102826595A (zh) * | 2012-09-11 | 2012-12-19 | 电子科技大学 | 一种铜锌锡硫纳米粉末材料的制备方法 |
| CN104393103A (zh) * | 2014-10-17 | 2015-03-04 | 广东工业大学 | 一种Cu2ZnSnS4半导体薄膜的制备方法及其应用 |
| CN106379931A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-02-08 | 昆明理工大学 | 一种快速制备铜锌锡硫纳米颗粒的方法 |
| CN106517314A (zh) * | 2016-12-06 | 2017-03-22 | 昆明理工大学 | 一种铜锌锡硫微粒的制备方法 |
| CN211908717U (zh) * | 2020-04-17 | 2020-11-10 | 山东中鸿新能源科技有限公司 | 一种太阳能光伏板固定装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120313044A1 (en) * | 2011-06-10 | 2012-12-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating solution for forming light-absorbing layer, and method for producing coating solution for forming light-absorbing layer |
| US20130168825A1 (en) * | 2011-12-30 | 2013-07-04 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Fabrication of ionic liquid electrodeposited cu-sn-zn-s-se thin films and method of making |
| KR20140097981A (ko) * | 2013-01-29 | 2014-08-07 | 주식회사 엘지화학 | 태양전지용 금속 나노 입자의 제조 방법, 그 금속 나노 입자를 포함하는 잉크 조성물 및 이를 사용한 박막의 제조 방법 |
| ES2656299T3 (es) * | 2013-08-01 | 2018-02-26 | Lg Chem, Ltd. | Composición de tinta para la fabricación de una capa de absorción de luz de célula solar y método para la fabricación de una película fina que usa la misma |
| KR101619933B1 (ko) * | 2013-08-01 | 2016-05-11 | 주식회사 엘지화학 | 태양전지 광흡수층 제조용 3층 코어-쉘 나노 입자 및 이의 제조 방법 |
-
2021
- 2021-12-09 CN CN202111499350.3A patent/CN113979468B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101830444A (zh) * | 2010-05-28 | 2010-09-15 | 上海交通大学 | 铜锌锡硫硒纳米粒子的制备方法 |
| CN101885071A (zh) * | 2010-05-28 | 2010-11-17 | 电子科技大学 | 一种铜锌锡硒纳米粉末材料的制备方法 |
| CN102826595A (zh) * | 2012-09-11 | 2012-12-19 | 电子科技大学 | 一种铜锌锡硫纳米粉末材料的制备方法 |
| CN104393103A (zh) * | 2014-10-17 | 2015-03-04 | 广东工业大学 | 一种Cu2ZnSnS4半导体薄膜的制备方法及其应用 |
| CN106379931A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-02-08 | 昆明理工大学 | 一种快速制备铜锌锡硫纳米颗粒的方法 |
| CN106517314A (zh) * | 2016-12-06 | 2017-03-22 | 昆明理工大学 | 一种铜锌锡硫微粒的制备方法 |
| CN211908717U (zh) * | 2020-04-17 | 2020-11-10 | 山东中鸿新能源科技有限公司 | 一种太阳能光伏板固定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113979468A (zh) | 2022-01-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108675267B (zh) | 一种一步制备纳米金属硫化物及其复合物的通用方法 | |
| CN103582690B (zh) | 一种制备核壳纳米粒子及其溶液的方法 | |
| CN107640792A (zh) | 一种高密实小粒径镍钴锰氢氧化物及其制备方法 | |
| CN101962537B (zh) | (Zn,Cd)S量子点的制备方法 | |
| CN102642818B (zh) | 一种低温机械合金化制备CZTS(Se)系纳米粉体的方法 | |
| CN102060273A (zh) | 常压开放体系溶剂热合成ⅰ-ⅲ-ⅵ族半导体材料的方法 | |
| CN105399136B (zh) | 一种CdS花状自组装结构的制备方法及所得产品 | |
| CN114392734B (zh) | 一种氧化钨复合材料及其制备方法和应用 | |
| CN107601441B (zh) | 一种水热法合成硒化锡微米晶粉体的方法 | |
| CN1191193C (zh) | 一种微米级硒化锌空心球的合成方法 | |
| CN104701138A (zh) | 一种CZTS(Se)纳米晶薄膜的制备方法 | |
| CN109279642B (zh) | 一种稀土掺杂氧化锌的制备方法 | |
| CN113979468B (zh) | 一种太阳能电池组件用CZTS(Se)系纳米粉体的制备方法 | |
| CN103887373A (zh) | 非真空法制备梯度带隙cigs太阳能电池光吸收层的生产工艺 | |
| CN105253909A (zh) | 一种锌黄锡矿结构的铜锌锡硫纳米晶的制备方法 | |
| CN101368292A (zh) | 制备ZnS或ZnSe纳米晶体的配位模板及水热制备方法 | |
| CN105399137B (zh) | 一种纤锌矿相CdS球状自组装结构的制备方法及所得产品 | |
| CN109850932B (zh) | 一种粒径可调控的单分散Cu2O单晶实心球及其制备方法 | |
| CN111117614A (zh) | 一种微波驱动后掺杂合成CsPbCl3:Mn2+纳米晶的方法 | |
| CN101319404A (zh) | 一种制备空心球状硫化镉纳米晶的方法 | |
| CN108328647B (zh) | 一种纤锌矿结构CuInS2纳米晶的制备方法 | |
| CN114105107B (zh) | 具有不同形貌的高度单分散MoSe2纳米材料的制备方法 | |
| CN106833648B (zh) | 一种高效合成具有黄铜矿结构的CuInSe2量子点的方法 | |
| CN106542577B (zh) | 一种在可控条件下的纳米硫化锑粒子制备方法 | |
| CN103601157B (zh) | 一种乙二胺辅助多元醇基溶液合成铜铟铝硒纳米晶的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |