CN113903777A - 显示设备 - Google Patents

显示设备 Download PDF

Info

Publication number
CN113903777A
CN113903777A CN202110691249.1A CN202110691249A CN113903777A CN 113903777 A CN113903777 A CN 113903777A CN 202110691249 A CN202110691249 A CN 202110691249A CN 113903777 A CN113903777 A CN 113903777A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
display device
holes
display
valley portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110691249.1A
Other languages
English (en)
Inventor
禹珉宇
高健佑
李旺宇
曹正铉
许讲旭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN113903777A publication Critical patent/CN113903777A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133308—Support structures for LCD panels, e.g. frames or bezels
    • G02F1/133331—Cover glasses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
    • G06F1/1637—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing
    • G06F1/1641—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing the display being formed by a plurality of foldable display components
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16—Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1633—Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
    • G06F1/1637—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing
    • G06F1/1652—Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing the display being flexible, e.g. mimicking a sheet of paper, or rollable
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0404—Matrix technologies
    • G09G2300/0408—Integration of the drivers onto the display substrate
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2380/00—Specific applications
    • G09G2380/02—Flexible displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/868—Arrangements for polarized light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

提供了一种通过有效地控制有机层的铺展而具有改善的可靠性的显示设备。所述显示设备包括：基底，包括显示区域和在所述显示区域的外部的外围区域；显示元件，在所述显示区域处；输入感测层，在所述显示元件上方；以及光学功能层，在所述输入感测层上，并且包括对应于所述显示区域和所述外围区域的第一层和在所述第一层上的第二层，其中，所述第一层限定有第一谷部分，所述第一谷部分限定有在所述外围区域上并且围绕所述第二层的多个第一孔。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年6月22日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0075936号韩国专利申请的优先权以及权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或多个实施例涉及一种由于有效地控制有机层的铺展而具有改善的可靠性的显示设备。
背景技术
与其它显示设备相比，有机发光显示设备具有更大的视角、更好的对比度特性以及更快的响应速度，并且因此作为下一代显示设备已经引起了关注。
通常，有机发光显示设备包括形成在基底上的薄膜晶体管和作为显示元件的有机发光二极管，并且有机发光二极管自身发射光(例如，是自发射式的)。这样的有机发光显示设备可以用作诸如移动电话的小型产品的显示器，并且还可以用作诸如电视机的大型产品的显示器。
发明内容
常规的显示设备包括有机层，并且有机层可以使用例如喷射法形成。在该工艺期间，有机层可能溢出到其上将要形成有机层的区的外部。
本公开的一个或多个实施例包括一种由于有效地控制有机层的铺展而具有改善的可靠性的显示设备。然而，所公开的实施例仅是示例，并且本公开的范围不限于此。
附加方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地根据描述将是明显的，或者可以通过实践所公开的实施例来获知。
根据一种或多种实施例，一种显示设备包括：基底，包括显示区域和在所述显示区域的外部的外围区域；显示元件，在所述显示区域处；输入感测层，在所述显示元件上方；以及光学功能层，在所述输入感测层上，并且包括对应于所述显示区域和所述外围区域的第一层和在所述第一层上的第二层，其中，所述第一层限定有第一谷部分，所述第一谷部分限定有在所述外围区域上并且围绕所述第二层的多个第一孔。
所述多个第一孔可以在第一方向上的至少一行中对齐，并且可以在与所述第一方向交叉的第二方向上的至少一列中对齐。
所述多个第一孔可以包括：多个第一子孔，布置在所述第一方向上；多个第二子孔，与所述多个第一子孔间隔开，并且布置在所述第一方向上；以及多个第三子孔，与所述多个第二子孔间隔开，并且布置在所述第一方向上。
所述多个第一子孔可以以第一距离的间隔彼此间隔开，其中，所述多个第二子孔相对于所述第一方向在所述多个第一子孔中的相应的相邻第一子孔之间居中。
所述多个第一孔中的至少一个第一孔可以具有菱形形状。
所述第一孔的至少一个顶点可以面对所述第二层的端部。
所述多个第一孔中的一个第一孔的两个平行侧之间的第一宽度可以为大约1μm至大约10μm。
所述多个第一孔中的一个第一孔的两个相对的顶点之间的第二宽度可以为大约1μm至大约15μm。
相邻一对所述第一孔可以在第一方向上以大约1μm至大约15μm的第一距离的间隔彼此间隔开。
所述第一宽度可以小于所述第一距离。
所述第一谷部分还可以包括在第一方向上延伸的辅助谷，所述第一孔在所述辅助谷和所述第二层的端部之间。
所述辅助谷的与所述第一孔相邻的第一端部可以与所述第一孔的形状和布置相对应地弯曲。
所述辅助谷的与所述第一端部相对的第二端部可以包括直线形状。
所述第一层可以进一步限定有第二谷部分，所述第二谷部分与所述外围区域相对应地围绕所述第二层，并且与所述第一谷部分间隔开。
所述第二谷部分可以限定有多个第二孔。
所述第二谷部分可以在第一方向上延伸。
在与所述第一方向交叉的第二方向上，所述第二谷部分的宽度可以小于或等于所述第一谷部分的宽度。
所述显示设备还可以包括：薄膜封装层，在所述显示元件和所述输入感测层之间，并且所述薄膜封装层包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层，其中，所述输入感测层直接在所述薄膜封装层上。
所述显示设备还可以包括：分隔壁，与所述外围区域相对应地围绕所述显示区域，其中，所述第一谷部分围绕所述分隔壁。
所述第二层可以覆盖所述分隔壁。
所述至少一个无机封装层可以在所述外围区域中在所述第一层下方延伸，其中，所述第一孔暴露所述至少一个无机封装层的至少一部分。
所述第一层可以进一步限定有与所述显示元件相对应的开口图案。
所述多个第一孔中的至少一个第一孔的宽度可以小于或等于所述开口图案的宽度。
所述显示元件可以包括像素电极、与所述像素电极相对的相对电极以及在所述像素电极和所述相对电极之间的中间层，其中，所述显示设备还包括：像素限定层，覆盖所述像素电极的边缘，并且具有暴露所述像素电极的中心部分的开口，并且其中，所述开口图案的宽度大于所述开口的宽度。
所述中间层可以包括绿色发射层，其中，所述开口图案与所述多个第一孔中的相应一个第一孔具有相同的尺寸。
所述第二层可以具有比所述第一层大的折射率。
所述第二层可以具有大约1.6或更大的折射率。
所述第一孔的深度可以为大约2μm或更大。
所述第二层可以朝向所述外围区域延伸，并且包括与所述第一谷部分间隔开的端部。
根据一种或多种实施例，一种显示设备包括：基底，包括显示区域和在所述显示区域的外部的外围区域；有机绝缘层，在所述基底上；以及高折射率层，与所述显示区域相对应地在所述有机绝缘层上，其中，所述有机绝缘层限定有第一谷部分，所述第一谷部分与所述外围区域相对应地围绕所述高折射率层，并且限定有孔，并且其中，所述高折射率层朝向所述外围区域延伸，并且包括与所述第一谷部分间隔开的部分。
通过以下对实施例、权利要求书和附图的描述，这些和/或其它方面将变得明显并且更容易理解。
附图说明
通过以下结合附图所做的描述，本公开的一些实施例的上述和其它方面将更加明显，在附图中：
图1是根据一些实施例的显示设备的一部分的平面图；
图2A和图2B是沿图1的显示设备的线A-A'截取的截面图；
图3是根据一些实施例的显示设备的一部分的截面图；
图4是图1的显示设备的显示面板的平面图；
图5是根据一些实施例的可以包括在显示设备中的像素的等效电路图；
图6是根据一些实施例的显示设备的输入感测层的平面图；
图7是图6的部分B的放大平面图；
图8A至图8E是根据一些实施例的显示设备的显示区域的一部分的沿图7的线C-C'截取的截面图；
图9是图6的部分D的放大平面图；
图10是图4的部分E的放大平面图；
图11A是沿图10的线F-F'截取的截面图；
图11B、图11C和图12是图11A的变型；
图13是图10的显示区域和第一谷部分的一部分的放大平面图；
图14是与沿图13的线G-G'截取的截面相对应的制造工艺的一部分的截面图；
图15是图13的一部分的放大平面图；以及
图16至图21是示意性示出根据一些实施例的显示设备的一部分的平面图。
具体实施方式
通过参考实施例和附图的详细描述，可以更容易地理解本公开的一些实施例的各方面以及实现其的方法。在下文中，将参照附图更详细地描述实施例。然而，所描述的实施例可以以各种不同的形式实施，并且不应被解释为仅限于本文中示出的实施例。相反，提供这些实施例作为示例，使得该公开将是透彻的和完整的，并将向本领域技术人员充分地传达本公开的各方面。因此，可以不描述对于本领域普通技术人员而言对于完全理解本公开的各方面不是必需的工艺、元件和技术。
除非另有说明，否则在整个附图和书面描述中，同样的附图标记、字符或它们的组合表示同样的元件，并且因此，将不重复其描述。此外，与实施例的描述无关的部分可能不被示出以使描述清楚。在附图中，为了清楚起见，可能夸大了元件、层和区的相对尺寸。另外，通常在附图中提供交叉影线和/或阴影的使用来阐明相邻元件之间的边界。这样，除非另外指明，否则无论是否存在交叉影线或阴影都不能传达或表明对元件的特定材料、材料性能、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或任何其他特性、属性、性能等的任何偏好或要求。
在本文中，参照作为实施例和/或中间结构的示意图的截面图来描述各种实施例。这样，将预期到由于例如制造技术和/或公差引起的示图的形状的变化。此外，出于描述根据本公开的构思的实施例的目的，本文中公开的特定结构描述或特定功能描述仅是说明性的。因此，本文中公开的实施例不应被解释为限于区的特定示出形状，而是包括例如由制造引起的形状偏差。
例如，示出为矩形的注入区通常将在注入区的边缘处具有倒圆或弯曲的特征和/或注入浓度的梯度，而不是从注入区到非注入区二元变化。同样地，通过注入形成的埋入区可能导致在埋入区与通过其发生注入的表面之间的区中的一些注入。因此，附图中示出的区本质上是示意性的，并且区的形状不旨在示出装置的区的实际形状，并且不旨在进行限制。另外，如本领域技术人员将认识到的，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例，而所有这些方式不脱离本公开的精神或范围。
在详细描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对各种实施例的透彻理解。然而，显而易见的是，可以在没有这些具体细节或具有一个或多个等效布置的情况下实践各种实施例。在其它实例中，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免不必要地混淆各个实施例。
将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区、层和/或部分，但是这些元件、组件、区、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、组件、区、层或部分与另一元件、组件、区、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，以下描述的第一元件、组件、区、层或部分可以被称为第二元件、组件、区、层或部分。
为了易于解释，在本文中可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……下面”、“在……上方”和“上”等空间相对术语以描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语还旨在涵盖装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件随后将定向“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……下面”可以涵盖上方和下方两种方位。所述装置可以以其它方式定向(例如，旋转90度或在其它方位处)，并且，应当相应地解释本文中使用的空间相对描述语。类似地，当第一部件被描述为布置“在”第二部件“上”时，这表示第一部件布置在第二部分的上侧或下侧处，而并不基于重力方向限于第二部分的上侧。
此外，在该说明书中，短语“在平面上”或“平面图”是指从顶部观察目标部分，并且短语“在截面上”是指从侧面观察通过垂直切割目标部分而形成的截面。
将理解的是，当元件、层、区或组件被称为“形成在”另一元件、层、区或组件“上”、“在”另一元件、层、区或组件“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件、层、区或组件时，所述元件、层、区或组件可以直接形成在所述另一元件、层、区或组件上、直接在所述另一元件、层、区或组件上、直接连接到或直接耦接到所述另一元件、层、区或组件，或者可以间接形成在所述另一元件、层、区或组件上、间接在所述另一元件、层、区或组件上、间接连接到或间接耦接到所述另一元件、层、区或组件，使得可以存在一个或多个中间元件、层、区或组件。例如，当层、区或组件被称为“电连接”或者“电耦接”到另一层、区或组件时，所述层、区或组件可以直接电连接到或直接电耦接到所述另一层、区和/或组件，或者可以存在中间层、区或组件。然而，“直接连接/直接耦接”是指一个组件与另一组件直接连接或直接耦接而没有中间组件。类似地，表述“组件X直接布置在组件Y上”是指在组件X和Y之间没有布置粘合层/粘合构件(例如，在形成组件Y之后经由连续工艺，组件X形成在组件Y的基体表面上)。同时，可以类似地解释描述组件之间的关系的其它表述，诸如“在……之间”、“直接在……之间”或者“与……相邻”和“与……直接相邻”。另外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，所述元件或层可以是两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或多个中间元件或层。
为了本公开的目的，诸如“……中的至少一个”的表述当在元件列表之后时修饰整个元件列表并且不修饰列表中的各个元件。例如，“X、Y和Z中的至少一个”、“X、Y或Z中的至少一个”和“从由X、Y和Z构成的组中选择的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z、诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例的X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合或它们的任意变化。类似地，诸如“A和B中的至少一个”的表述可以包括A、B、或A和B。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。例如，诸如“A和/或B”的表述可以包括A、B、或A和B。
在示例中，x轴、y轴和/或z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。这同样适用于第一方向、第二方向和/或第三方向。
本文中使用的术语仅是出于描述特定实施例的目的，而不旨在限制本公开。如本文中所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个”和“一种”也旨在包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprises、comprising)”、“具有(have、having)”和“包含(includes、including)”说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
如本文中所使用的，术语“基本上”、“大约”、“近似”和类似术语用作近似术语而非程度术语，并且旨在说明将由本领域普通技术人员认识到的测量值或计算值的固有偏差。考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如本文中所使用的“大约”或“近似”包括所述值，并且意指在如由本领域普通技术人员确定的用于特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以指在一个或多个标准偏差内，或者在所述值的±30％、±20％、±10％或±5％以内。此外，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用是指“本公开的一个或多个实施例”。
当可以不同地实施一个或多个实施例时，可以与描述的顺序不同地执行具体工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
另外，本文中公开和/或列举的任何数值范围旨在包括包含在列举范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，范围“1.0至10.0”旨在包括在所列举的最小值1.0和所列举的最大值10.0之间(并且包括所列举的最小值1.0和所列举的最大值10.0)的所有子范围，也就是说，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的所有子范围，诸如以2.4至7.6为例。本文中列举的任何最大数值限制旨在包括其中所包含的所有较低数值限制，并且本说明书中列举的任何最小数值限制旨在包括其中所包含的所有较高数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确地列举包含在本文中明确地列举的范围内的任何子范围。所有这些范围旨在被固有地描述于本说明书中。
可以利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或软件、固件和硬件的组合来实现根据本文中描述的本公开的实施例的电子或电气装置和/或任何其它相关装置或组件。例如，这些装置的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上，或者可以形成在单独的IC芯片上。此外，这些装置的各种组件可以在柔性印刷电路膜、带载封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上实现，或者可以在一个基底上形成。
此外，这些装置的各种组件可以是在一个或多个计算装置中的在一个或多个处理器上运行的、执行计算机程序指令并与其它系统组件进行交互以执行本文中所描述的各种功能的进程或线程。计算机程序指令存储在存储器中，存储器可以使用诸如以随机存取存储器(RAM)为例的标准存储装置在计算装置中实现。计算机程序指令还可以存储在诸如以CD-ROM或闪存驱动器等为例的其它非暂时性计算机可读介质中。另外，本领域技术人员应当认识到，在不脱离本公开的实施例的精神和范围的情况下，各种计算装置的功能可以组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以分布在一个或多个其它计算装置内。
除非另外定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。还将理解的是，除非在本文中明确地如此定义，否则诸如在通用词典中定义的术语的术语应当被解释为具有与它们在相关领域的上下文和/或本说明书中的含义相一致的含义，而不应当以理想化的或过于形式化的含义来解释。
图1是根据一些实施例的显示设备1的一部分的示意性平面图。
参照图1，显示设备1包括显示区域DA和在显示区域DA的外部的外围区域NDA。包括显示元件的多个像素P布置在显示区域DA中，并且显示设备1可以通过使用由布置在显示区域DA中的多个像素P发射的光提供图像。外围区域NDA是未布置显示元件的非显示区域，并且显示区域DA可以被外围区域NDA完全地围绕。可以理解的是，由于显示设备1和基底100各自可以被描述为包括具有显示区域DA和在显示区域DA的外部的外围区域NDA，所以，诸如像素、电路或线等元件可以被描述为在某区域中(即在显示设备1的某区域中)或描述为在某区域上(即在基底100的某区域上)。
尽管图1示出了包括平坦的显示表面的显示设备1，但是本公开的实施例不限于此。根据其它实施例，显示设备1可以包括三维显示表面或弯曲的显示表面。
当显示设备1包括三维显示表面时，显示设备1可以包括指向不同的方向的多个显示区域，并且例如，可以包括多棱柱(polyprism)形式的显示表面。根据其它实施例，当显示设备1包括弯曲的显示表面时，显示设备1可以以各种类型实施，诸如柔性显示设备、可折叠显示设备和可卷曲显示设备。
根据一些实施例，图1示出了适用于移动电话的显示设备1。例如，安装在主板上的电子模块、照相机模块和电源模块等可以与显示设备1一起布置在支架/壳体等中，从而构成移动电话。根据一些实施例的显示设备1不仅适用于诸如电视机和监视器的大型电子设备，而且适用于诸如平板电脑、汽车导航装置、游戏机和智能手表的小型和中型电子设备。
图1示出了其中显示设备1的显示区域DA具有角部倒圆的矩形的形状的情况。然而，根据其它实施例，显示区域DA的形状可以是圆形、椭圆形或诸如三角形或五边形的多边形。
尽管现在有机发光显示设备将被示出并描述为根据本公开的一些实施例的显示设备1，但是其它实施例不限于此。根据其它实施例，显示设备1可以是无机发光显示器或量子点发光显示器等。例如，显示设备1中包括的显示元件的发射层可以包括有机材料，可以包括无机材料，可以包括量子点，可以包括有机材料和量子点，或者可以包括无机材料和量子点。
图2A和图2B是沿图1的显示设备1的线A-A'截取的截面图，并且图3是根据一些实施例的显示设备1的一部分的截面图。图2A、图2B和图3是用于说明构成显示设备1的功能面板和/或功能层之间的堆叠关系的简化截面图。
参照图2A，根据一些实施例的显示设备1可以包括显示层DU、输入感测层TU、光学功能层OU、防反射层PU和窗口层WU。显示层DU、输入感测层TU、光学功能层OU、防反射层PU和窗口层WU中的至少一些组件可以通过连续的工艺形成，或者可以经由粘合构件彼此结合。图2A示出了作为粘合构件的光学透明粘合构件OCA。在下文中将描述的粘合构件可以包括典型的粘合剂。根据一些实施例，防反射层PU和窗口层WU可以由其它组件替代或者可以被省略。
根据一些实施例，输入感测层TU直接布置在显示层DU上。显示层DU、直接布置在显示层DU上的输入感测层TU以及光学功能层OU可以被限定为显示面板DP。根据一些实施例，如图2A中所示，光学透明粘合构件OCA可以分别布置在显示面板DP和防反射层PU之间以及防反射层PU和窗口层WU之间。
根据其它实施例，如图2B中所示，显示面板DP可以包括滤色器层CU。滤色器层CU可以布置在输入感测层TU和光学功能层OU之间。滤色器层CU可以包括对应于每个像素P的发光区域的滤色器以及对应于像素P之间的非发光区域的光遮蔽层。根据一些实施例，在滤色器层CU和显示面板DP之间可以省略光学透明粘合构件OCA，并且滤色器层CU可以直接在显示面板DP上。
显示层DU生成图像，并且输入感测层TU获得外部输入(例如，触摸事件)的坐标信息。根据一些实施例的显示面板DP还可以包括布置在显示层DU的下表面上的保护构件。保护构件和显示层DU可以经由粘合构件彼此结合。
光学功能层OU可以改善光效率。光学功能层OU可以改善例如由有机发光二极管OLED发射的光的前光效率和/或侧面可见性。
防反射层PU减小从窗口层WU的顶部入射到防反射层PU上的外部光的反射率。根据一些实施例的防反射层PU可以包括相位延迟器和偏振器。相位延迟器可以是膜型的或液体涂覆型的，并且可以包括λ/2相位延迟器和/或λ/4相位延迟器。偏振器也可以是膜型的或液体涂覆型的。膜型可以包括可拉伸的合成树脂膜，并且液体涂覆型可以包括布置(例如，以预定布置方式布置)的液晶。相位延迟器和偏振器还可以分别包括保护膜。相位延迟器和偏振器可以限定为防反射层PU的基层。
现在将参照图3详细描述显示层DU、输入感测层TU和光学功能层OU。
参照图3，显示面板DP包括显示层DU和输入感测层TU。简单地示出了显示层DU以说明输入感测层TU的堆叠结构。在一些实施例中，图2A的防反射层PU和图2A的窗口层WU可以布置在输入感测层TU上。
显示层DU可以通过在基底100上顺序地布置电路层CL、有机发光二极管OLED和薄膜封装层TFE而获得。输入感测层TU可以直接布置在薄膜封装层TFE上。如图8A(稍后描述)中所示，薄膜封装层TFE包括至少一个有机封装层320，并且因此可以提供较平坦的基体表面。因此，即使当通过连续工艺形成输入感测层TU的组件时，也可以降低缺陷率。
输入感测层TU可以具有多层结构。输入感测层TU包括检测电极、连接到检测电极的信号线(或迹线)以及至少一个绝缘层。输入感测层TU可以根据例如静电电容方法来检测外部输入。在本公开中，输入感测层TU的操作方法不被特别地限制。根据一些实施例，输入感测层TU可以根据电磁感应方法或压力检测方法感测外部输入。
如图3中所示，根据一些实施例的输入感测层TU可以包括第一绝缘层IL1、第一导电层CL1、第二绝缘层IL2和第二导电层CL2。
例如，第一导电层CL1和第二导电层CL2中的每一个可以具有单层结构或堆叠的多层结构。具有单层结构的导电层可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝和它们的合金。透明导电层可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电氧化物。可选地，透明导电层可以包括导电聚合物(例如，PEDOT)、金属纳米线或石墨烯等。
具有多层结构的导电层可以包括多个金属层。多个金属层可以具有例如钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)的三层结构。具有多层结构的导电层可以包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
第一导电层CL1和第二导电层CL2中的每一个包括多个图案。在下文中可以理解的是，第一导电层CL1包括第一导电图案，并且第二导电层CL2包括第二导电图案。第一导电图案和第二导电图案可以形成图6中示出的检测电极。根据一些实施例，如稍后将参照图6描述的，检测电极可以具有网格形状，这减少或防止了用户对检测电极的视觉识别。
第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2中的每一个可以具有单层或多层结构。第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2中的每一个可以包括无机材料或复合材料。例如，第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2中的至少一个可以包括无机层(下文也可称为第一无机绝缘层IL1和第二无机绝缘层IL2)。无机层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。根据其它实施例，第一无机绝缘层IL1和/或第二无机绝缘层IL2可以由有机绝缘层替代。
显示面板DP还包括光学功能层OU。光学功能层OU可以直接在输入感测层TU上。光学功能层OU可以包括第一层410以及在第一层410上的第二层420。第一层410和第二层420可以包括有机绝缘材料，并且可以被包括以具有不同的折射率。根据一些实施例，第二层420(例如，作为高折射率层)的折射率可以大于第一层410(例如，作为有机绝缘层)的折射率。
图4是图1的显示设备1的显示面板DP的平面图。
参照图4，显示面板DP包括布置在基底100上的显示部10、第一扫描驱动电路20和第二扫描驱动电路30、端子部分40、数据驱动电路50、驱动电压供给线60和公共电压供给线(例如，公共电源线)70。在其它实施例中，发射控制驱动电路可以进一步布置在第一扫描驱动电路20的一侧上。
基底100可以包括诸如玻璃材料、金属或有机材料的材料。根据一些实施例，基底100可以由柔性材料形成。例如，基底100可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或醋酸丙酸纤维素。
显示部10包括在第一方向(例如，x方向)上延伸的扫描线SL、在与第一方向(例如，x方向)交叉的第二方向(例如，y方向)上延伸的数据线DL以及连接到驱动电压线PL的像素P。像素P中的每一个可以发射例如红光、绿光、蓝光和/或白光，并且可以包括例如有机发光二极管。
显示部10经由从像素P发射的光提供特定图像，并且显示区域DA由像素P限定。显示部10可以具有近似矩形的形状。然而，根据各种实施例，显示部10可以具有多边形、圆形或椭圆形的形状，或者可以具有与多边形、圆形和椭圆形中的一些相对应的形状。显示部10可以具有包括倒圆角部的大体上矩形形状。显示部10定位在基底100上，基底100可以具有外边缘，外边缘的至少一部分是弯曲的。
第一扫描驱动电路20和第二扫描驱动电路30布置在基底100的外围区域NDA上，并且产生扫描信号并经由扫描线SL将扫描信号传输到像素P中的每一个。例如，第一扫描驱动电路20可以定位在显示部10的左侧上，并且第二扫描驱动电路30可以定位在显示部10的右侧上。第一扫描驱动电路20和第二扫描驱动电路30分别布置在显示部10的两侧上。然而，根据其它实施例，扫描驱动电路可以布置在显示部10的一侧上。
端子部分40定位在基底100的一个端部上，并且包括多个端子41、42、43和44。端子部分40可以暴露而不被绝缘层覆盖，并且可以电连接到控制器，诸如柔性印刷电路板或驱动器集成电路(IC)芯片。
控制器将从外部源接收的多个图像信号改变为多个图像数据信号，并且经由端子41将多个图像数据信号传输到数据驱动电路50。数据驱动电路50可以产生数据信号，并且所产生的数据信号可以经由扇出布线FW传输到显示区域DA。
控制器可以接收垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号以产生用于控制第一扫描驱动电路20和第二扫描驱动电路30的驱动的控制信号，并且可以经由端子43将所产生的控制信号传输到第一扫描驱动电路20和第二扫描驱动电路30。控制器分别经由端子42和44将驱动电压ELVDD(参见图5)和公共电压ELVSS(参见图5)传输到驱动电压供给线60和公共电压供给线70。
数据驱动电路50在基底100的外围区域NDA上，并且产生数据信号并经由数据线DL将数据信号传输到像素P中的每一个。数据驱动电路50可以在显示部10的一侧上，例如在端子部分40和显示部10之间。
驱动电压供给线60可以在外围区域NDA上。例如，驱动电压供给线60可以在数据驱动电路50和显示部10之间。驱动电压供给线60将驱动电压ELVDD(参见图5)提供给像素P。驱动电压供给线60可以在第一方向(例如，x方向)上延伸，并且可以连接到各自在第二方向(例如，y方向)上延伸的多条驱动电压线PL。
公共电压供给线70布置在外围区域NDA上，并且将图5的公共电压ELVSS提供给每个像素P的图8A的有机发光二极管OLED的相对电极230。例如，公共电压供给线70具有其一侧打开的环形形状，并且因此可以沿着基底100的除了端子部分40之外的边缘延伸。
光学功能层OU可以在显示区域DA上。光学功能层OU可以在显示区域DA的整个表面上方，并且可以部分地延伸到外围区域NDA。基本上，光学功能层OU布置在图2A和图3的输入感测层TU上，并且可以改善显示区域DA上的像素P的发光效率和侧面可见性。
光学功能层OU可以包括第一层410和在第一层410上的第二层420。第一层410可以比第二层420朝向外围区域NDA延伸更多，并且因此可以更靠近基底100的边缘。稍后将描述的谷部分VP可以在定位在外围区域NDA上的第一层410上。
第二层420布置在第一层410上以朝向外围区域NDA延伸，并且可以由谷部分VP控制或者可以具有与谷部分VP相对应的形状。换句话说，第二层420可以布置在外围区域NDA上以不延伸超出谷部分VP。
例如，第二层420可以使用喷射法形成。因为第二层420包括具有良好的铺展性的有机绝缘材料，所以显示设备1需要能够控制第二层420的在基底100的边缘中的铺展的结构。
谷部分VP可以在外围区域NDA上以围绕显示区域DA。谷部分VP可以在公共电压供给线70的外部上。根据一些实施例，图3的第一层410可以朝向外围区域NDA延伸，并且谷部分VP可以通过去除第一层410的一部分来限定。谷部分VP可以有效地控制包括在显示区域DA中的第二层420的朝向基底100的边缘的铺展。
根据一些实施例，谷部分VP可以具有闭环的形状以围绕有机层(例如，第二层420)。稍后将参照图9及其后续附图对谷部分VP的结构进行详细描述。
图5是根据一些实施例的可以包括在显示设备1中的像素P的等效电路图。
参照图5，每个像素P包括连接到扫描线SL和数据线DL的像素电路PC以及连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。
像素电路PC包括驱动薄膜晶体管Td、开关薄膜晶体管Ts和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管Ts连接到扫描线SL和数据线DL，并且根据经由扫描线SL接收到的扫描信号Sn，将经由数据线DL接收到的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管Td。
存储电容器Cst连接到开关薄膜晶体管Ts和驱动电压线PL，并且存储与从开关薄膜晶体管Ts接收到的电压和供给到驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差相对应的电压。
驱动薄膜晶体管Td连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以依据存储在存储电容器Cst中的电压值控制从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流Id。有机发光二极管OLED可以通过驱动电流Id发射具有一定亮度的光。
尽管在图5中示出了其中像素电路PC包括两个薄膜晶体管Td、Ts和一个存储电容器Cst的情况，但是本公开不限于此。根据其它实施例，像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。根据其它实施例，像素电路PC可以包括两个或更多个存储电容器。
图6是根据一些实施例的显示设备1的输入感测层TU的示意性平面图，并且图7是图6的部分B的放大平面图。
参照图6，输入感测层TU可以包括第一检测电极IE1-1至IE1-5、分别连接到第一检测电极IE1-1至IE1-5的第一信号线SL1-1至SL1-5、第二检测电极IE2-1至IE2-4以及分别连接到第二检测电极IE2-1至IE2-4的第二信号线SL2-1至SL2-4。
在其它实施例中，输入感测层TU还可以包括布置在第一检测电极IE1-1至IE1-5和第二检测电极IE2-1至IE2-4之间的边界区域上的光学虚设电极。
图3的薄膜封装层TFE包括至少一个图8A的有机封装层320，并且由此提供了较平坦的基体表面。因此，即使当通过连续工艺形成输入感测层TU的组件时，也可以降低缺陷率。因为第一信号线SL1-1至SL1-5和第二信号线SL2-1至SL2-4布置在具有减小的台阶差的外围区域NDA中，所以第一信号线SL1-1至SL1-5和第二信号线SL2-1至SL2-4可以具有均匀的厚度。因此，可以减小由下层的台阶差另外引起的第一信号线SL1-1至SL1-5和第二信号线SL2-1至SL2-4的压力。
第一检测电极IE1-1至IE1-5与第二检测电极IE2-1至IE2-4交叉。第一检测电极IE1-1至IE1-5可以布置在第二方向(例如，y方向)上，并且第一检测电极IE1-1至IE1-5中的每一个可以在第一方向(例如，x方向)上延伸。第二检测电极IE2-1至IE2-4可以布置在第一方向(例如，x方向)上，并且第二检测电极IE2-1至IE2-4中的每一个可以在第二方向(例如，y方向)上延伸。
第一检测电极IE1-1至IE1-5分别包括第一传感器SP1，并且分别包括第一传感器连接器CP1。第二检测电极IE2-1至IE2-4分别包括第二传感器SP2，并且分别包括第二传感器连接器CP2。第一传感器SP1中的在第一检测电极IE1-1至IE1-5的两个端部上的两个第一传感器SP1可以具有比第一检测电极IE1-1至IE1-5的第一传感器SP1小的尺寸(例如，第一检测电极IE1-1至IE1-5的第一传感器SP1的尺寸的大约1/2的尺寸)。第二传感器SP2中的在第二检测电极IE2-1至IE2-4的两个端部上的两个第二传感器SP2可以具有比第二检测电极IE2-1至IE2-4的第二传感器SP2小的尺寸(例如，第二检测电极IE2-1至IE2-4的第二传感器SP2的尺寸的大约1/2的尺寸)。
图6示出了根据一些实施例的第一检测电极IE1-1至IE1-5和第二检测电极IE2-1至IE2-4，但是第一检测电极IE1-1至IE1-5和第二检测电极IE2-1至IE2-4的形状不被限制。根据一些实施例，第一检测电极IE1-1至IE1-5和第二检测电极IE2-1至IE2-4中的每一个可以具有其中传感器和传感器连接器彼此不区分的形状(例如，棒状)。图6示出了各自具有菱形形状的第一传感器SP1和第二传感器SP2，但是本公开不限于此。第一传感器SP1和第二传感器SP2中的每一个可以具有其它多边形形状中的任意一种。
一个第一检测电极内的第一传感器SP1布置在第一方向(例如，x方向)上，并且一个第二检测电极内的第二传感器SP2布置在第二方向(例如，y方向)上。第一传感器连接器CP1中的每一个将第一传感器SP1中的各相邻第一传感器SP1彼此连接，并且第二传感器连接器CP2中的每一个将第二传感器SP2中的各相邻第二传感器SP2彼此连接。
第一信号线SL1-1至SL1-5分别连接到第一检测电极IE1-1至IE1-5的一个相应端部。第二信号线SL2-1至SL2-4分别连接到第二检测电极IE2-1至IE2-4的两个端部。根据其它实施例，第一信号线SL1-1至SL1-5可以分别连接到第一检测电极IE1-1至IE1-5的两个端部。根据其它实施例，第二信号线SL2-1至SL2-4可以分别连接到第二检测电极IE2-1至IE2-4的单个相应端部。
第一信号线SL1-1至SL1-5和第二信号线SL2-1至SL2-4可以连接到焊盘PD。焊盘PD可以布置在焊盘区域PDA中。
根据一些实施例，第一信号线SL1-1至SL1-5的位置可以与第二信号线SL2-1至SL2-4的位置互换。例如，与图6相反，第一信号线SL1-1至SL1-5可以布置在左侧上，并且第二信号线SL2-1至SL2-4可以布置在右侧上。
参照图6，第一检测电极IE1-1至IE1-5和第二检测电极IE2-1至IE2-4中的每一个可以具有网格形状。因为第一检测电极IE1-1至IE1-5和第二检测电极IE2-1至IE2-4中的每一个具有网格形状，所以可以减小第一检测电极IE1-1至IE1-5以及第二检测电极IE2-1至IE2-4和图8A的显示层DU的电极(例如，相对电极320)之间的寄生电容。如稍后将描述的，第一检测电极IE1-1至IE1-5和第二检测电极IE2-1至IE2-4不与发光区域PA-R、PA-G和PA-B重叠，并且因此，在视觉上不被显示设备1的用户识别。
各自具有网格形状的第一检测电极IE1-1至IE1-5和第二检测电极IE2-1至IE2-4可以包括可以被执行低温工艺的金属，例如，银、铝、铜、铬、镍和钛。因此，即使当经由连续工艺形成输入感测层TU时，也可以减少或防止对图8A的有机发光二极管OLED的损坏。
参照图7，第一传感器SP1的一部分被放大并示出。第一传感器SP1不与发光区域PA-R、PA-G和PA-B重叠，并且反而与非发光区域NPA重叠。发光区域PA-R、PA-G和PA-B中的每一个可以限定为与图7的发光区域PA相同。
第一传感器SP1的网格线可以限定多个网格孔OPR、OPG和OPB。网格线可以具有Ti/Al/Ti的三层结构。网格孔OPR、OPG和OPB可以与发光区域PA-R、PA-G和PA-B具有一一对应关系。
发光区域PA-R、PA-G和PA-B可以根据由有机发光二极管OLED产生的光束的颜色进行分类。图7示出了通过分别由三个发光区域PA-R、PA-G和PA-B发射的光的颜色来区分的三个发光区域PA-R、PA-G和PA-B。根据一些实施例，发光区域PA-R、PA-G和PA-B可以分别发射红光、绿光和蓝光。
图7示出了与发光区域PA-R、PA-G和PA-B具有一一对应关系的网格孔OPR、OPG和OPB，但是本公开的实施例不限于此。网格孔OPR、OPG和OPB中的每一个可以对应于发光区域PA-R、PA-G和PA-B中的两个或更多个。在图7中，网格孔OPR、OPG和OPB的平面形状对应于发光区域PA-R、PA-G和PA-B的形状，并且因此被示出为菱形形状。然而，实施例不限于此。网格孔OPR、OPG和OPB可以具有除了菱形形状之外的多边形形状作为网格孔OPR、OPG和OPB的平面形状。例如，网格孔OPR、OPG和OPB可以具有具有倒圆角部的多边形形状。
第一层410可以布置为覆盖第一传感器SP1。换句话说，第一层410可以布置为覆盖形成第一传感器SP1的图8A的第二导电层CL2。在第一层410中，可以形成与像素Pr、Pg和Pb的各个显示元件相对应的开口图案OPR-H、OPG-H和OPB-H，即与发光区域PA-R、PA-G和PA-B相对应的开口图案OPR-H、OPG-H和OPB-H。在平面(例如，x-y平面)上，开口图案OPR-H、OPG-H和OPB-H的面积可以大于发光区域PA-R、PA-G和PA-B的面积。开口图案OPR-H、OPG-H和OPB-H分别定位在像素Pr、Pg和Pb的光提取方向上，从而增强由发光区域PA-R、PA-G和PA-B发射的光束的平直度，并且因此可以改善光提取效率。
图7示出了第一传感器SP1，但是第二传感器SP2中的每一个具有与图7中示出的第一传感器SP1基本上相同的结构。
图8A至图8E是根据一些实施例的显示设备1的显示区域DA的一部分的沿图7的线C-C'截取的截面图。
参照图8A，基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂的示例可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯和醋酸丙酸纤维素。包括聚合物树脂的基底100可以具有柔性、可卷曲或可弯折的特性。基底100可以具有包括包含上述聚合物树脂的层和无机层的多层结构。
缓冲层101可以位于基底100上，并且可以减少或防止异物、湿气或环境空气从基底100下方渗透，并且可以在基底100上提供平坦的表面。缓冲层101可以包括无机材料(诸如氧化物或氮化物)、有机材料或有机和无机化合物，并且可以是无机材料和有机材料的单层或多层。根据一些实施例，缓冲层101可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或/和氮氧化硅(SiON)。
在与发光区域(例如图8A中示出的发光区域PA-G)相对应的位置处的薄膜晶体管TFT和存储电容器以及电连接到薄膜晶体管TFT和存储电容器的有机发光二极管OLED可以定位在基底100上。
薄膜晶体管TFT可以在缓冲层101上。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层134、栅极电极136、源极电极138s和漏极电极138d。
半导体层134可以包括非晶硅(a-Si)、多晶硅、氧化物半导体和有机半导体材料中的至少一种。根据一些实施例，半导体层134可以包括低温多晶硅(LTPS)。因为多晶硅材料具有高电子迁移率(100cm2/Vs或更高)，所以能量消耗功率低并且可靠性高，并且因此可以用作显示设备的薄膜晶体管的半导体层。
半导体层134可以包括与栅极电极136重叠的沟道区131，以及定位在沟道区131的相应侧部上并且具有比沟道区131高的杂质的浓度的源极区132和漏极区133。杂质可以包括N型杂质或P型杂质。源极区132和漏极区133可以理解为薄膜晶体管TFT的源极电极和漏极电极。
栅极绝缘层103可以在半导体层134和栅极电极136之间。栅极绝缘层103可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或/和氮氧化硅(SiON)，并且可以是单层或多层。
层间绝缘层107可以在栅极电极136上。层间绝缘层107可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或/和氮氧化硅(SiON)，并且可以是单层或多层。
薄膜晶体管TFT可以包括分别连接到半导体层134的源极区132和漏极区133的源极电极138s和漏极电极138d。源极电极138s和漏极电极138d可以经由穿透栅极绝缘层103和层间绝缘层107的接触孔分别电连接到半导体层134的源极区132和漏极区133。
源极电极138s和漏极电极138d可以包括铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)，并且可以形成为单层或形成为多层。根据一些实施例，源极电极138s和漏极电极138d可以具有多层结构，诸如Ti/Al/Ti或TiN/Al/Ti。
在其它实施例中，图4的数据线DL和图4的驱动电压线PL可以与源极电极138s和漏极电极138d形成在相同的层上，并且可以包括与源极电极138s和漏极电极138d相同的材料。
根据一些实施例，薄膜晶体管TFT可以被保护层109覆盖。保护层109可以减少或防止在显示设备的制造期间发生包括像铝一样的可以被蚀刻剂损坏的金属的布线暴露到蚀刻环境。保护层109可以延伸到外围区域NDA(见图1和图4)。在某些情况下，可以省略保护层109。
平坦化薄膜晶体管TFT的上表面的平坦化层111可以布置在保护层109上。其上将布置像素电极210的上表面可以通过平坦化层111被平坦化。平坦化层111可以包括有机绝缘材料，并且可以是单层或多层。
像素电极210在平坦化层111上。像素电极210可以是(半)透光电极或反射电极。根据一些实施例，像素电极210可以包括由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物形成的反射层以及形成在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括从由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)构成的组中选择的至少一种。根据一些实施例，像素电极210可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层112可以在像素电极210上，并且像素限定层112可以具有与每个(子)像素相对应的开口。像素限定层112可以通过包括开口来限定发光区域PA-G，像素电极210的至少中心部分经由开口暴露。像素限定层112可以通过增加像素电极210的边缘和相对电极230之间的距离来减少或防止在像素电极210的边缘和相对电极230之间发生电弧等的可能性。像素限定层112可以包括有机材料，例如，聚酰亚胺或六甲基二硅醚(HMDSO)。
根据一些实施例，间隔件113可以在像素限定层112上。根据一些实施例，间隔件113可以定位在非发光区域NPA处。间隔件113可以减少或防止在使用掩模的制造工艺中由于掩模的下垂导致损坏有机发光二极管OLED的可能性。间隔件113可以包括有机绝缘材料，并且可以是单层或多层。
平坦化层111、像素限定层112和间隔件113可以包括有机绝缘材料。有机绝缘材料可以包括基于酰亚胺的聚合物、诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的商业聚合物、具有基于酚的基团的聚合物衍生物、基于丙烯酸的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于乙烯醇的聚合物或它们的混合物等。根据一些实施例，平坦化层111可以包括聚酰亚胺。
中间层220在像素电极210和相对电极230之间。中间层220可以包括低分子量材料或高分子量材料。
当中间层220包括低分子量材料时，中间层220可以通过在单一结构中或复合结构中堆叠空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)来形成，并且可以包括诸如铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)或三-8-羟基喹啉铝(Alq3)的各种材料中的任意一种。这些层可以经由真空沉积形成。
当中间层220包括高分子量材料时，中间层220通常可以具有包括HTL和EML的结构。在这种情况下，HTL可以包括聚(乙烯二氧噻吩)(PEDOT)，并且EML可以包括高分子量材料，诸如基于聚亚苯基亚乙烯基(PPV)的材料或基于聚芴的材料。
中间层220不限于上述结构，并且可以具有各种其它结构中的任意一种。例如，构成中间层220的层中的至少一层可以与相对电极230一体地形成。根据其它实施例，中间层220可以包括被图案化为对应于多个像素电极210中的每一个的层。
相对电极230可以布置在显示区域DA上并且可以覆盖整个显示区域DA。换句话说，相对电极230可以形成为覆盖整个显示区域DA的单体。相对电极230的一部分可以延伸到外围区域NDA。如图10中所示，相对电极230可以延伸到布置在外围区域NDA中的分隔壁(例如，第一分隔壁PW1)，并且因此可以电接触公共电压供给线70。
薄膜封装层TFE可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。根据一些实施例，薄膜封装层TFE可以包括第一无机封装层310、第二无机封装层330以及在第一无机封装层310和第二无机封装层330之间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每一个可以包括一种或多种无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括例如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以通过化学气相沉积形成。
有机封装层320可以包括基于聚合物的材料。基于聚合物的材料的示例可以包括丙烯酸树脂、基于环氧的树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。例如，有机封装层320可以包括丙烯酸树脂，例如聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸。有机封装层320可以通过固化单体或者通过涂覆聚合物来形成。
薄膜封装层TFE可以覆盖整个显示区域DA，并且可以朝向外围区域NDA延伸以覆盖外围区域NDA的一部分。薄膜封装层TFE可以延伸到公共电压供给线70的外部或者可以延伸为超出公共电压供给线70。
输入感测层TU包括第一无机绝缘层IL1、在第一无机绝缘层IL1上的第一导电层CL1、在第一导电层CL1上的第二无机绝缘层IL2以及在第二无机绝缘层IL2上的第二导电层CL2。第一导电层CL1和第二导电层CL2可以对应于图7的第一传感器SP1。如上所述，第一传感器SP1可以不与发光区域PA-G重叠，并且反而可以与非发光区域NPA重叠。在其它实施例中，在一些区域中，第一导电层CL1和第二导电层CL2可以经由限定在第二无机绝缘层IL2中的接触孔彼此电连接。
光学功能层OU可以在输入感测层TU上。光学功能层OU可以包括覆盖第二导电层CL2并且布置在第二无机绝缘层IL2上的第一层410以及布置在第一层410上的第二层420。
开口图案OPG-H可以布置在第一层410中以对应于发光区域PA-G。开口图案OPG-H的宽度W-H可以大于发光区域PA-G的在相同的方向上的宽度。换言之，开口图案OPG-H的宽度W-H大于像素限定层112的开口的宽度。这可能意味着，如上面参照图7所描述的，在平面上(例如，在x-y平面上或在平面图中)，开口图案OPG-H的面积大于发光区域PA-G的面积。开口图案OPG-H定位在像素Pg的光提取方向上，从而增强由发光区域PA-G发射的光的平直度，并且因此可以改善光提取效率。
为了进一步改善上述光提取效率，具有比第一层410的折射率高的折射率的第二层420可以进一步布置在第一层410上。第一层410可以包括具有第一折射率的有机绝缘材料，并且第二层420可以包括具有第二折射率的有机绝缘材料。
第一层410的第一折射率可以在大约1.3至大约1.6的范围内。根据一些实施例，第一层410的第一折射率可以在大约1.4至大约1.55的范围内。第一层410可以包括例如丙烯酸(乙基)己酯、丙烯酸五氟丙酯、聚(乙二醇)二甲基丙烯酸酯或乙二醇二甲基丙烯酸酯等。根据一些实施例，第一层410可以包括具有大约1.5的折射率的丙烯酸有机材料。可替代地，第一层410可以包括在薄膜封装层TFE的有机封装层320中包括的材料。根据一些实施例，第一层410可以包括基于环氧的有机材料，并且在一些情况下，还可以包括可光固化的材料。
第二层420可以是具有第二折射率的平坦化层。第二层420的第二折射率可以在大约1.65至大约1.85的范围内。第二层420可以包括例如聚二芳基硅氧烷、甲基三甲氧基硅烷或四甲氧基硅烷等。根据一些实施例，第二层420可以包括具有大约1.6的折射率的基于丙烯酸和/或硅氧烷的有机材料。根据其它实施例，第二层420可以包括分散颗粒以具有高折射率。在第二层420中，金属氧化物颗粒例如氧化锌(ZnOx)、氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)或钛酸钡(BaTiO3)可以分散在第二层420中。
如图8B中所示，防反射层PU可以布置在光学功能层OU上。防反射层PU可以通过光学透明粘合构件OCA附接到光学功能层OU上。
根据其它实施例，如图8C中所示，滤色器层CU可以布置在输入感测层TU上，并且光学功能层OU可以布置在滤色器层CU上。滤色器层CU可以包括基层510、光遮蔽层520、滤色器530和外覆层540。根据一些实施例，可以省略基层510。
可以通过考虑分别由显示面板DP的像素发射的光束的颜色来布置滤色器530。例如，根据由有机发光二极管OLED发射的光的颜色，每个滤色器530可以具有红色、绿色或蓝色。光遮蔽层520可以在绝缘材料(例如，有机绝缘材料)中包括具有黑色的颜料或染料。光遮蔽层520可以是例如黑矩阵。外覆层540可以在滤色器530和输入感测层TU之间，可以包括诸如树脂的有机材料，并且可以具有透光性能。
根据其它实施例，如图8D中所示，为了最大化滤色器层CU的效果，像素限定层112和/或间隔件113可以包括黑色光遮蔽材料。在这种情况下，可以包括像素限定层112和/或间隔件113作为例如黑矩阵。光遮蔽层520可以布置为对应于非发光区域NPA(见图8A)，从而减少或防止由于像素P之间的光泄漏导致的颜色混合。此外，像素限定层112和/或间隔件113可以进一步与光遮蔽层520一起执行光遮蔽功能，从而增加或最大化滤色器层CU的效果。在一些实施例中，可以省略图8B的防反射层PU。
根据其它实施例，如图8E中所示，滤色器层CU'可以布置在输入感测层TU上，并且滤色器层CU'可以包括光遮蔽层520'和滤色器530'。光遮蔽层520'可以定位在非发光区域NPA(见图8A)中，并且可以围绕发光区域PA-G(见图8A)。
根据一些实施例，光遮蔽层520'可以使输入感测层TU的触摸电极钝化。例如，如图8E中所示，包括触摸电极的输入感测层TU的第二导电层CL2可以被光遮蔽层520'重叠并且可以被光遮蔽层520'覆盖。
图9是图6的部分D的放大平面图，图10是图4的部分E的放大平面图，并且图11A是沿图10的线F-F'截取的截面图。图11B、图11C和图12是图11A的变型。
图9示出了与图6的输入感测层TU的部分D的位置相对应的结构，但是除了输入感测层TU之外，还示出了在输入感测层TU下方的显示层DU(见图8A)。
参照图9，如上所述，检测电极可以定位在显示区域DA中。图9示出了定位在显示区域DA的右下角处的一些检测电极，例如，第一检测电极IE1-5和第二检测电极IE2-1。
信号线可以定位在显示区域DA的外部，即定位在外围区域NDA中。图9示出了定位在显示区域DA的右下角处的一些信号线，例如，第一信号线SL1-1至SL1-5(在图9中统一标为SL1)。
静电防止线ESL可以定位在第一信号线SL1-1至SL1-5的外部。静电防止线ESL可以布置在第一信号线SL1-1至SL1-5和第二信号线SL2-1至SL2-4(见图6)的外部，即，可以布置在输入感测层TU的最外边缘上。静电防止线ESL可以被包括，以使得不向其施加信号，而是流过均匀的恒定电压。
屏蔽层90可以定位在静电防止线ESL的外部。屏蔽层90可以与图8A的像素电极210布置在相同的层上，并且可以包括与包括在像素电极210中的材料相同的材料。驱动电路，例如第二扫描驱动电路30(见图6)可以在屏蔽层90下方。屏蔽层90可以包括多个通孔90H。图8A的平坦化层111可以在第二扫描驱动电路30(见图6)和屏蔽层90之间，并且在显示设备的制造期间由平坦化层111产生的废气可以经由多个通孔90H排出。
防反射层92可以布置在屏蔽层90上方。在其它实施例中，定位在屏蔽层90下方的平坦化层111可以包括通过去除平坦化层111的一部分而获得的谷结构。谷结构可以通过阻挡经由与有机绝缘材料相对应的平坦化层111的外部湿气渗透来阻挡杂质引入到显示区域DA中。谷结构还可以减少或防止图8A的薄膜封装层TFE的有机封装层320溢出。
防反射层92可以与谷结构重叠，并且可以反射外部光以减少或防止谷结构的从外部的可见性。例如，防反射层92可以包括与包括在输入感测层TU的检测电极中的材料相同的材料。
根据一些实施例，裂缝感测线80可以在屏蔽层90的外部。根据一些实施例，当显示设备1在显示区域DA和/或外围区域NDA中包括穿透基底100的透射单元时，裂缝感测线80可以感测透射单元周围的层的裂缝。根据其它实施例，当显示设备1不包括透射单元时，可以省略裂缝感测线80。
第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以定位在裂缝感测线80的外部。第一谷部分VP1和第二谷部分VP2可以定位在第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2的外部。将参照图10和稍后将描述的其它附图对第一分隔壁PW1、第二分隔壁PW2、第一谷部分VP1和第二谷部分VP2进行详细描述。
参照图10和图11A，外围区域NDA在显示区域DA的一侧(例如，显示区域DA的外部)上。在外围区域NDA中，辅助分隔壁PW0、第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以与显示区域DA相邻地依次布置。辅助分隔壁PW0、第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以彼此间隔开(例如，预定距离)。
在图11A中，第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以分别包括平坦化层111的部分111P1和111P2、像素限定层112的部分112P1和112P2以及间隔件113的部分113P1和113P2。然而，本公开的实施例不限于此。
辅助分隔壁PW0可以是单层，并且可以定位在平坦化层111上。在这种情况下，辅助分隔壁PW0可以与像素限定层112或间隔件113包括相同的材料。根据其它实施例，辅助分隔壁PW0可以在层间绝缘层107上。在这种情况下，辅助分隔壁PW0可以包括与平坦化层111相同的材料。
第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2布置为围绕显示区域DA，并且可以减少或防止薄膜封装层TFE的有机封装层320溢出到基底100的外部。因此，有机封装层320可以接触或可以靠近第一分隔壁PW1的面对显示区域DA的内表面。在这种情况下，有机封装层320靠近第一分隔壁PW1的内表面可以被理解为第一无机封装层310在有机封装层320和第一分隔壁PW1之间，有机封装层320与第一无机封装层310直接接触。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以在第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2上，并且可以朝向基底100的边缘延伸。
谷部分VP可以定位在第二分隔壁PW2的外部。根据一些实施例，谷部分VP可以包括第一谷部分VP1和第二谷部分VP2。第一谷部分VP1和第二谷部分VP2可以通过去除第一层410的至少一部分来形成。第一谷部分VP1和第二谷部分VP2可以通过形成穿透第一层410的至少一部分的孔(或凹槽)来被包括，或者可以通过形成不完全地穿透第一层410的凹部来被包括，但是在朝向基底100的方向上形成在第一层410中。第一谷部分VP1可以比第二谷部分VP2更靠近显示区域DA。在膜形成时，第一谷部分VP1和第二谷部分VP2可以控制具有迁移性的第二层420的铺展。
根据一些实施例，第一谷部分VP1可以包括多个第一孔H1。换句话说，可以理解的是，多个第一孔H1形成至少一行和至少一列，并且多个第一孔H1的该矩阵形成第一谷部分VP1。
在图10中，与第一谷部分VP1相比，第二谷部分VP2具有一体地连接的形状。然而，本公开的实施例不限于此。稍后将参照图14至图21对关于第一谷部分VP1和第二谷部分VP2的形状的各种实施例进行详细描述。
第二层420可以被包括以覆盖整个显示区域DA，并且可以部分地延伸到外围区域NDA。第二层420可以延伸到第二分隔壁PW2以覆盖辅助分隔壁PW0、第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2，并且可以不与第一谷部分VP1重叠。因此，第二层420的端部420e可以与第一谷部分VP1间隔开(例如，预定距离)，并且可以定位在第二分隔壁PW2和第一谷部分VP1之间。
在图10及其后续附图中，第二层420的端部420e与第一谷部分VP1间隔开(例如，预定距离)。然而，在一些情况下，第二层420的至少一部分可以填充第一谷部分VP1的多个第一孔H1中的至少一些和/或第二谷部分VP2中的至少一些。即使在这种情况下，第二层420也可以由第一谷部分VP1(或第二谷部分VP2)控制。这可能意味着第二层420的一部分或全部可以填充第一谷部分VP1(或第二谷部分VP2)的一部分或全部，但是因此不溢出(例如，不延伸经过)第一谷部分VP1(或第二谷部分VP2)。
薄膜封装层TFE的端部TFEe可以在基底100的端部100e和第一层410的端部410e之间。薄膜封装层TFE的端部TFEe可以指第一无机封装层310和/或第二无机封装层330的端部或者可以对应于第一无机封装层310和/或第二无机封装层330的端部。
参照图11A，第一谷部分VP1和第二谷部分VP2可以穿透第一层410，并且第一谷部分VP1可以包括多个第一孔H1。第一谷部分VP1和第二谷部分VP2可以暴露定位在第一层410下方的第二无机封装层330的至少一部分。
第一谷部分VP1的在一个方向(例如，x方向)上的宽度W-VP1可以大于第二谷部分VP2的在相同的方向(例如，x方向)上的宽度W-VP2。换言之，在与y方向交叉的x方向上，第二谷部分VP2的宽度W-VP2小于或等于第一谷部分VP1的宽度W-VP1。第一谷部分VP1可以是用于控制第二层420的铺展的主谷部分，并且第二谷部分VP2可以是为第二层420在第一谷部分VP1上方铺展的情况做好准备的辅助谷部分。因此，由于第一谷部分VP1的宽度W-VP1大于第二谷部分VP2的宽度W-VP2，因此可以有效地实现作为主谷部分的功能。
根据一些实施例，多个第一孔H1中的每一个的深度dt可以是例如大约2μm或更大(例如，第一层410可以具有大约2μm或更大的厚度)。然而，当第一层410的厚度小于或等于大约2μm时，可以通过在定位在第一层410下方的第一无机封装层310和/或第二无机封装层330中形成孔或凹部来调节多个第一孔H1中的每一个的深度dt。实质上，为了使第一谷部分VP1控制第二层420的铺展，多个第一孔H1中的每一个可以具有一深度(例如，预定深度，或大于预定深度的深度)。当多个第一孔H1中的每一个的深度dt小于大约2μm时，第一谷部分VP1难以有效地控制第二层420的铺展。
如图11B中所示，防反射层PU可以布置在图11A的显示面板DP(见图3)上方。防反射层PU可以通过光学透明粘合构件OCA附接到在防反射层PU下方的显示面板DP(见图3)。防反射层PU可以是例如偏振器，并且可以延伸到第二谷部分VP2。如上面参照图10所描述的，防反射层PU的端部PUe可以与第二谷部分VP2重叠。然而，实施例不限于此，并且例如，防反射层PU可以与显示区域DA重叠，而防反射层PU的端部PUe不延伸到第二谷部分VP2。在这种情况下，防反射层PU的端部PUe定位在显示区域DA和外围区域NDA之间的边界处或定位在外围区域NDA上就足够了，并且各种修改是可能的。根据一些实施例，防反射层PU的端部PUe可以在显示区域DA和第二谷部分VP2之间。
根据其它实施例，如上面参照图8D所描述的，滤色器层CU可以在图11A的显示面板DP(见图3)上方。图11C可以对应于从图8D的显示区域DA延伸的外围区域NDA。当包括像素限定层112和/或间隔件113作为黑矩阵时，如上面参照图8D所描述的，布置在外围区域NDA中的辅助分隔壁PW0、第一分隔壁PW1和第二分隔壁PW2可以被包括作为黑矩阵。在这种情况下，如图11C中所示，像素限定层112中包括的光遮蔽材料可以流到下部平坦化层111，并且因此，平坦化层111的至少一部分可以变为黑矩阵。
如图12中所示，根据一些实施例的显示设备1可以仅包括第一谷部分VP1。换句话说，如图12中所示，可以省略第二谷部分VP2，并且可以仅通过第一谷部分VP1来控制第二层420的铺展。图12中的第一谷部分VP1的形状与上面参照图10描述的第一谷部分VP1的形状相同。然而，在图12中，可以改变多个第一孔H1的布置。
参照图11A至图12，第二层420不与第一谷部分VP1重叠。第一层410的其上具有多个第一孔H1的表面由于低的表面能(表面张力)而具有疏水性。该现象被称为荷叶效应。因为第一层410的表面由于荷叶效应而具有疏水性，所以可以控制第二层420以在到达第一谷部分VP1之前的区域中停止铺展，并且不会溢出到第一谷部分VP1。
为了增加或最大化荷叶效应，构成第一谷部分VP1的多个第一孔H1的尺寸和配置充当重要的因素。多个第一孔H1中的每一个的尺寸可以适当地为小于或等于给定尺寸(例如，预定尺寸)的相对微小的尺寸，并且多个第一孔H1可以布置为具有规则性。现在将参照图13至图21描述关于多个第一孔H1的尺寸和配置的各种实施例。
图13是图10的显示区域DA和第一谷部分VP1的一部分的放大平面图，图14是与沿图13的线G-G'截取的截面相对应的制造工艺的一部分的截面图，并且图15是图13的一部分的放大平面图。
参照图13，像素Pr、Pg和Pb可以布置在显示区域DA上，并且第一层410可以布置在像素Pr、Pg和Pb上方。第一层410可以布置在显示区域DA的整个表面上，并且可以延伸到外围区域NDA。
第一层410可以包括与显示区域DA相对应的开口图案OPR-H、OPG-H和OPB-H，并且可以包括与外围区域NDA相对应的限定为多个第一孔H1的第一谷部分VP1。如上所述，开口图案OPR-H、OPG-H和OPB-H可以分别对应于像素Pr、Pg和Pb。
在显示区域DA中，第二层420可以覆盖第一层410，并且第二层420的一部分可以延伸到外围区域NDA。第二层420的端部420e可以与第一谷部分VP1间隔开(例如，预定距离)。换句话说，第二层420可以不与第一谷部分VP1重叠。
多个第一孔H1可以布置为在一个方向(例如，y方向)上形成至少一行，并且在与一个方向(例如，y方向)交叉的另一方向(例如，x方向)上形成至少一列。
参照图15，多个第一孔H1可以包括布置在一个方向(例如，y方向)上的多个第一子孔SH1、多个第二子孔SH2和多个第三子孔SH3。多个第一子孔SH1、多个第二子孔SH2和多个第三子孔SH3可以布置为分别形成第一行L1、第二行L2和第三行L3。第一行L1的多个第一子孔SH1、第二行L2的多个第二子孔SH2和第三行L3的多个第三子孔SH3可以在另一方向(例如，x方向)上彼此间隔开。
根据一些实施例，多个第一子孔SH1可以在第一方向(例如，y方向)上以第一距离d1的间隔彼此间隔开，并且多个第二子孔SH2(例如，多个第二子孔SH2的相应顶角)可以在第一方向(例如，y方向)上从多个第一子孔SH1(例如，多个第一子孔SH1的相应侧角)偏移第一距离d1的一半。也就是说，第二子孔SH2可以在在第二方向(例如，x方向)上从第一子孔SH1偏置的同时，相对于第一方向(例如，y方向)在第一子孔SH1中的相应的相邻第一子孔SH1之间居中。多个第二子孔SH2可以对应于与多个第一子孔SH1彼此间隔开的距离相对应的区域(例如，第二子孔SH2可以在第一方向(例如，y方向)上以第一距离d1的间隔彼此间隔开)。多个第三子孔SH3可以以与多个第一子孔SH1相同的方式布置。
换句话说，假定第一方向(例如，y方向)是行方向并且第二方向(例如，x方向)是列方向，则多个第一子孔SH1和多个第三子孔SH3布置在相同的列(例如，第一列R1和第二列R2)中，但是多个第二子孔SH2可以定位在列之间(例如，定位在第一列R1和第二列R2之间)。由于如上所述，多个第二子孔SH2通过在多个第一子孔SH1之间偏移第一距离d1的1/2来定位，因此第二层420的朝向多个第一子孔SH1以迁移性铺展的控制区域可以增加，并且因此可以更有效地控制第二层420的铺展。
第二层420可以在朝向第一谷部分VP1的方向(例如，x方向)上铺展，可以主要由多个第一子孔SH1控制，并且可以其次由多个第二子孔SH2控制。根据一些实施例，第二层420的端部420e可以依据其中多个第一子孔SH1和多个第二子孔SH2如图15中那样布置的形状弯曲。
多个第一孔H1中的每一个可以具有各种形状中的任意一种。多个第一孔H1中的每一个可以具有各种形状，例如圆形、椭圆形、多边形和圆角多边形。根据一些实施例，多个第一孔H1中的每一个可以具有菱形形状。换句话说，多个第一孔H1可以具有矩形形状，但是也可以具有菱形形状。菱形形状是指多个第一孔H1中的每一个的至少一个顶点面对第二层420的端部420e。因此，因为与顶点相对应的多个第一孔H1的部分(而不是与侧部相对应的边缘)布置为面对第二层420的端部420e，所以第二层420的端部420e处的压力可以被分散，并且因此可以更有效地控制第二层420的铺展。
当多个第一孔H1中的每一个的尺寸增加(例如，增加到预定尺寸或更大)时，荷叶效应可能降低，并且因此第二层420的铺展可能被更低效地控制，并可能溢出到第一谷部分VP1。
因此，根据一些实施例，假定多个第一孔H1中的每一个具有菱形形状，则彼此面对的两个侧部可以具有两个侧部之间的第一宽度w1。例如，第一宽度w1可以为大约1μm至大约10μm。在多个第一孔H1中的每一个中，彼此面对的两个顶点之间的第二宽度w2可以为大约1μm至大约15μm。例如，如果第一宽度w1为大约10μm，则第二宽度w2可以为大约14.14μm。
当多个第一孔H1之间的距离加宽(例如，加宽到预定距离或更大)时，荷叶效应可能降低。
因此，根据一些实施例，多个第一孔H1可以在第一方向(例如，y方向)上以第一距离d1的间隔彼此间隔开。例如，第一距离d1可以为大约1μm至大约15μm。根据一些实施例，多个第一孔H1中的每一个的第一宽度w1可以小于多个第一孔H1之间的第一距离d1。
多个第一孔H1可以在第二方向(例如，x方向)上以第二距离d2彼此间隔开。详细地，在第一列R1中对准的第一子孔SH1和第三子孔SH3可以以第二距离d2彼此间隔开。例如，第二距离d2可以为大约1μm至大约15μm。
多个第一孔H1可以在第三方向(例如，w方向)上以第三距离d3彼此间隔开。第三方向(例如，w方向)可以同时与第一方向(例如，y方向)和第二方向(例如，x方向)交叉，并且可以是例如对角线方向。例如，第三距离d3可以为大约1μm至大约10μm。
图14参照图12示出了显示区域DA和外围区域NDA两者。为了集中于并描述形成在第一层410中的开口图案OPG-H和多个第一孔H1以及布置在第一层410上的第二层420，图14省略了其它组件的示出。
为了对应于显示区域DA，显示元件，即有机发光二极管OLED布置在基底100上。示出了各自包括发射绿光的像素Pg的有机发光二极管OLED。第一层410在有机发光二极管OLED上方，并且第一层410可以包括分别与有机发光二极管OLED相对应的开口图案OPG-H。
第一层410可以延伸到外围区域NDA，并且在外围区域NDA中可以包括具有多个第一孔H1的第一谷部分VP1。
根据一些实施例，多个第一孔H1中的每一个的宽度W-H1可以小于或等于开口图案OPG-H中的每一个的宽度W-H。参照上述图7或图13，像素Pr、Pg和Pb可以包括发射红光的第一像素Pr、发射绿光的第二像素Pg和发射蓝光的第三像素Pb。每个发射绿光的第二像素Pg的面积可以小于每个第一像素Pr或每个第三像素Pb的面积。因此，开口图案OPR-H、OPG-H和OPB-H具有分别对应于像素Pr、Pg和Pb的尺寸的尺寸，并且与发射绿光的第二像素Pg相对应的开口图案OPG-H可以具有最小的尺寸。多个第一孔H1中的每一个的宽度W-H1可以小于或等于开口图案OPR-H、OPG-H和OPB-H中的与第二像素Pg相对应的开口图案OPG-H的宽度W-H。
第二层420可以在第一层410上，并且可以使用如图14中的喷射法形成。换句话说，第二层420可以通过将喷射材料I-J直接沉积到第一层410上形成。在根据一些实施例的显示设备1中，第一谷部分VP1控制第二层420的铺展，从而减小或防止第二层420溢出到基底100的边缘，并且因此可以降低或最小化使用喷射工艺时的缺陷率。
图16至图21是示意性地示出根据一些实施例的显示设备的一部分的平面图。图16至图21示出了图13中示出的示例的修改。
参照图16，第一层410还可以包括在第一谷部分VP1的外部的第二谷部分VP2。图16可以对应于图10和图11A。图16的结构与图10和图11A的结构相同，并且因此将省略其多余的描述。
图17与图16相似，但是与图16的不同之处在于，第二谷部分VP2以与第一谷部分VP1相同的方式包括多个第二孔H2。构成第二谷部分VP2的多个第二孔H2的配置和各自的形状可以与第一谷部分VP1的多个第一孔H1的配置和各自的形状相同，并且因此将省略其多余的描述。
参照图18，第一层410包括第一谷部分VP1，并且第一谷部分VP1可以包括多个第一孔H1和第一辅助谷SV1。第一辅助谷SV1可以沿着基本平行于第二层420的端部420e的第一方向(例如，y方向)连续地形成，并且多个第一孔H1在第一辅助谷SV1和第二层420的端部420e之间。
多个第一孔H1的在第二方向(例如，x方向)上的宽度W-VP11可以等于或大于第一辅助谷SV1的在第二方向(例如，x方向)上的宽度(例如，平均宽度、最大宽度或最小宽度)W-VP12。因为第一辅助谷SV1在控制第二层420的铺展中基本上起辅助作用，所以在控制第二层420的铺展中起主要作用或起主导作用的多个第一孔H1可以具有比第一辅助谷SV1宽的区域。
在第一辅助谷SV1中，第一辅助谷SV1的与多个第一孔H1相邻的第一端部SV1a沿着多个第一孔H1的配置可以弯曲或者可以具有锯齿形状。图17示出了依据多个第一孔H1的形状而具有不规则形状的第一端部SV1a，但是实施例不限于此。
第一辅助谷SV1的与第一端部SV1a相对的第二端部SV1b可以包括直线形状。因为第一端部SV1a在朝向第二层420的方向上，所以如果第二层420溢出到多个第一孔H1，则第一辅助谷SV1的第一端部SV1a的形状可以分配第二层420的端部420e的压力。
根据其它实施例，如图19中，第一辅助谷SV1的第一端部SV1a和第二端部SV1b两者可以包括直线形状。
图19和图20与图18相似，但是与图18的不同之处在于，在第一谷部分VP1的外部还包括第二谷部分VP2。第二谷部分VP2的配置和形状与图16的第二谷部分VP2的上述配置和上述形状相同，并且因此将省略其多余的描述。
图21与图18相似，但是与图18的不同之处在于，还包括与第一谷部分VP1具有相同的形状的第二谷部分VP2。第二辅助谷SV2的配置和形状与第一辅助谷SV1的上述配置和上述形状相同，并且因此将省略其多余的描述。
尽管上面仅已经描述了显示设备，但是实施例不限于此。例如，通过使用制造显示设备的方法制造的显示设备也属于本公开的范围。
根据如上所述的一些实施例，可以实现通过有效地控制有机层的铺展而具有改善的可靠性的显示设备。当然，本公开的范围不限于此。
应该理解的是，本文中描述的实施例应当仅以描述性的含义来考虑，而不是为了限制的目的。所公开的实施例的各方面的描述通常应当被认为可以用于其它实施例中的其它类似方面。尽管已经参照附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由随附权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中作出形式和细节上的各种变化，其功能等同物将包括在其中。

Claims (30)

1.一种显示设备，其中，所述显示设备包括：
基底，包括显示区域和在所述显示区域的外部的外围区域；
显示元件，在所述显示区域处；
输入感测层，在所述显示元件上方；以及
光学功能层，在所述输入感测层上，并且包括对应于所述显示区域和所述外围区域的第一层和在所述第一层上的第二层，
其中，所述第一层限定有第一谷部分，所述第一谷部分限定有在所述外围区域上并且围绕所述第二层的多个第一孔。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述多个第一孔在第一方向上的至少一行中以及在与所述第一方向交叉的第二方向上的至少一列中对齐。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述多个第一孔包括：
多个第一子孔，布置在所述第一方向上；
多个第二子孔，与所述多个第一子孔间隔开，并且布置在所述第一方向上；以及
多个第三子孔，与所述多个第二子孔间隔开，并且布置在所述第一方向上。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述多个第一子孔以第一距离的间隔彼此间隔开，并且
其中，所述多个第二子孔相对于所述第一方向在所述多个第一子孔中的相应的相邻第一子孔之间居中。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述多个第一孔中的至少一个第一孔具有菱形形状。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述多个第一孔的至少一个顶点面对所述第二层的端部。
7.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述多个第一孔中的一个第一孔的两个平行侧之间的第一宽度为1μm至10μm。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述多个第一孔中的一个第一孔的两个相对的顶点之间的第二宽度为1μm至15μm。
9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，相邻一对所述第一孔在第一方向上以1μm至15μm的第一距离的间隔彼此间隔开。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述第一宽度小于所述第一距离。
11.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一谷部分还包括在第一方向上延伸的辅助谷，所述多个第一孔在所述辅助谷和所述第二层的端部之间。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述辅助谷的与所述多个第一孔相邻的第一端部与所述多个第一孔的形状和布置相对应地弯曲。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述辅助谷的与所述第一端部相对的第二端部包括直线形状。
14.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一层进一步限定有第二谷部分，所述第二谷部分与所述外围区域相对应地围绕所述第二层，并且与所述第一谷部分间隔开。
15.根据权利要求14所述的显示设备，其中，所述第二谷部分限定有多个第二孔。
16.根据权利要求14所述的显示设备，其中，所述第二谷部分在第一方向上延伸。
17.根据权利要求16所述的显示设备，其中，在与所述第一方向交叉的第二方向上，所述第二谷部分的宽度小于或等于所述第一谷部分的宽度。
18.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：薄膜封装层，在所述显示元件和所述输入感测层之间，并且所述薄膜封装层包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层，
其中，所述输入感测层直接在所述薄膜封装层上。
19.根据权利要求18所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：分隔壁，与所述外围区域相对应地围绕所述显示区域，
其中，所述第一谷部分围绕所述分隔壁。
20.根据权利要求19所述的显示设备，其中，所述第二层覆盖所述分隔壁。
21.根据权利要求18所述的显示设备，其中，所述至少一个无机封装层在所述外围区域中在所述第一层下方延伸，并且
其中，所述多个第一孔暴露所述至少一个无机封装层的至少一部分。
22.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一层进一步限定有与所述显示元件相对应的开口图案。
23.根据权利要求22所述的显示设备，其中，所述多个第一孔中的至少一个第一孔的宽度小于或等于所述开口图案的宽度。
24.根据权利要求22所述的显示设备，其中，所述显示元件包括像素电极、与所述像素电极相对的相对电极以及在所述像素电极和所述相对电极之间的中间层，
其中，所述显示设备还包括：像素限定层，覆盖所述像素电极的边缘，并且具有暴露所述像素电极的中心部分的开口，并且
其中，所述开口图案的宽度大于所述开口的宽度。
25.根据权利要求24所述的显示设备，其中，所述中间层包括绿色发射层，并且
其中，所述开口图案与所述多个第一孔中的相应一个第一孔具有相同的尺寸。
26.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二层具有比所述第一层大的折射率。
27.根据权利要求26所述的显示设备，其中，所述第二层具有1.6或更大的折射率。
28.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述多个第一孔的深度为2μm或更大。
29.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二层朝向所述外围区域延伸，并且包括与所述第一谷部分间隔开的端部。
30.一种显示设备，其中，所述显示设备包括：
基底，包括显示区域和在所述显示区域的外部的外围区域；
有机绝缘层，在所述基底上；以及
高折射率层，与所述显示区域相对应地在所述有机绝缘层上，
其中，所述有机绝缘层限定有第一谷部分，所述第一谷部分与所述外围区域相对应地围绕所述高折射率层，并且限定有孔，并且
其中，所述高折射率层朝向所述外围区域延伸，并且包括与所述第一谷部分间隔开的部分。
CN202110691249.1A 2020-06-22 2021-06-22 显示设备 Pending CN113903777A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0075936 2020-06-22
KR1020200075936A KR20210157947A (ko) 2020-06-22 2020-06-22 디스플레이 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113903777A true CN113903777A (zh) 2022-01-07

Family

ID=76623841

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110691249.1A Pending CN113903777A (zh) 2020-06-22 2021-06-22 显示设备

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11943956B2 (zh)
EP (1) EP3929994B1 (zh)
KR (1) KR20210157947A (zh)
CN (1) CN113903777A (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200116577A (ko) * 2019-04-01 2020-10-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN113748517B (zh) * 2020-03-27 2023-08-25 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
CN115380318A (zh) * 2021-01-29 2022-11-22 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
US20230165038A1 (en) * 2021-11-19 2023-05-25 Wuhanchinastaroptoelectronicssemiconductordisplaytechnologyco.,Ltd Display panel and mobile terminal
EP4311393A1 (en) * 2022-07-20 2024-01-24 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100790866B1 (ko) 2006-01-06 2008-01-03 삼성전자주식회사 컬러 필터용 블랙 매트릭스 및 그 제조방법
KR20080029279A (ko) 2006-09-28 2008-04-03 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR101926527B1 (ko) * 2016-09-30 2018-12-10 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102662681B1 (ko) * 2016-12-26 2024-04-30 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시장치와 그의 제조방법
KR20180078860A (ko) * 2016-12-30 2018-07-10 엘지디스플레이 주식회사 안테나 일체형 편광판 및 이를 이용한 플렉서블 표시 장치
KR102438256B1 (ko) * 2017-06-07 2022-08-30 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린을 갖는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102281226B1 (ko) * 2017-07-18 2021-07-22 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102374168B1 (ko) * 2017-08-08 2022-03-17 삼성디스플레이 주식회사 입력감지유닛 및 이를 구비한 표시장치
KR102367826B1 (ko) * 2017-10-20 2022-02-24 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시 장치와 그의 제조방법
KR102408164B1 (ko) * 2017-10-31 2022-06-10 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조방법
KR102433274B1 (ko) * 2017-11-28 2022-08-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102456123B1 (ko) 2017-12-04 2022-10-17 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102521879B1 (ko) * 2018-04-12 2023-04-18 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102536116B1 (ko) * 2018-04-12 2023-05-25 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102606941B1 (ko) * 2018-05-31 2023-11-30 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20200044264A (ko) * 2018-10-18 2020-04-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP7153533B2 (ja) * 2018-10-30 2022-10-14 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20200057142A (ko) * 2018-11-15 2020-05-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102670355B1 (ko) * 2018-12-28 2024-05-28 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시장치
KR20200118920A (ko) * 2019-04-08 2020-10-19 삼성디스플레이 주식회사 전자 패널 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20210004006A (ko) 2019-07-02 2021-01-13 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210028775A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210032608A (ko) * 2019-09-16 2021-03-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP3929994A2 (en) 2021-12-29
KR20210157947A (ko) 2021-12-30
US20210399262A1 (en) 2021-12-23
US11943956B2 (en) 2024-03-26
EP3929994B1 (en) 2024-03-06
EP3929994A3 (en) 2022-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3929994B1 (en) Display apparatus
US9831469B2 (en) Organic light emitting display apparatus
KR20200120845A (ko) 표시 장치
CN112750864A (zh) 显示设备
US11244989B2 (en) Display device
US11462605B2 (en) Display apparatus
US11468848B2 (en) Display apparatus and electronic device including the same
US20230046181A1 (en) Display apparatus
US11158837B2 (en) Display apparatus having a thin-film encapsulation layer
CN114551527A (zh) 显示装置
US20240032326A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US20220344441A1 (en) Display apparatus
US11711943B2 (en) Display panel having a valley portion and display apparatus including the same
EP3993057B1 (en) Display apparatus
CN217280776U (zh) 显示装置
US20240032403A1 (en) Display device
CN218831201U (zh) 显示面板和显示设备
US20240134469A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US20230058377A1 (en) Display apparatus
KR20230159751A (ko) 표시패널 및 이를 구비하는 표시장치
CN118159075A (zh) 显示装置和提供该显示装置的方法
KR20240032263A (ko) 표시 패널
CN114078921A (zh) 显示设备
KR20230092098A (ko) 표시 패널의 제조 방법
KR20230037751A (ko) 표시 장치, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination