CN113823562A - 半导体结构的形成方法 - Google Patents
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Abstract
一种半导体结构的形成方法，包括：在基底上形成横跨鳍部的栅极结构以及介质层；刻蚀所述介质层和鳍部，直至暴露出基底表面，在所述鳍部和介质层内形成鳍部凹槽；在所述鳍部凹槽内形成鳍部隔断。通过刻蚀所述介质层和鳍部，直至暴露出基底表面，在所述鳍部和介质层内形成鳍部凹槽，所述介质层有利于削弱刻蚀鳍部，在鳍部内形成鳍部凹槽时，对鳍部形貌的影响，从而有利于所述鳍部保持较大的应力，从而提高沟道迁移率，进而提高形成的半导体结构的性能。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
背景技术
随着半导体器件集成度的提高，晶体管的关键尺寸不断缩小。然而，随着晶体管尺寸的急剧减小，栅介质层厚度与工作电压不能相应改变使抑制短沟道效应的难度加大，使晶体管的沟道漏电流增大。
鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor，FinFET)的栅极成类似鱼鳍的叉状3D架构。FinFET的沟道凸出衬底表面形成鳍部，栅极覆盖鳍部的顶面和侧壁，从而使反型层形成在沟道各侧上，可于鳍部的两侧控制电路的接通与断开。这种设计能够增加栅极对沟道区的控制，从而能够很好地抑制晶体管的短沟道效应。
为了实现电性隔离，需要对鳍部进行鳍部切割工艺(fin cut)，将鳍部分割为多个鳍部结构，对栅极结构进行栅极结构切割工艺(P2C)，将栅极结构分割成多个栅极结构。
采用现有工艺形成的鳍式场效应晶体管(Fin FET)的性能亟需提升。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，以提高形成的半导体结构的性能。
为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种半导体结构的形成方法，包括：在基底上形成横跨鳍部的栅极结构以及介质层；刻蚀所述介质层和鳍部，直至暴露出基底表面，在所述鳍部和介质层内形成鳍部凹槽；在所述鳍部凹槽内形成鳍部隔断。
可选的，还包括：形成介质层之后，形成所述鳍部隔断之前，刻蚀所述介质层和栅极结构，直至暴露出基底表面，在所述栅极结构和介质层内形成栅极凹槽；形成所述栅极凹槽之后，在所述栅极凹槽内形成栅极隔断。
可选的，所述栅极凹槽和鳍部凹槽在同一过程中形成。
可选的，所述鳍部凹槽和栅极凹槽的形成方法包括：在所述栅极结构和介质层表面形成掩膜层，所述掩膜层内具有第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出部分鳍部上的介质层表面，所述第二开口暴露出部分栅极结构顶部表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述栅极结构、鳍部以及介质层，直至暴露出基底表面，形成所述鳍部凹槽和栅极凹槽。
可选的，形成所述第二开口之后，形成所述第一开口。
可选的，所述介质层暴露出栅极结构顶部表面；所述掩膜层以及掩膜层内的第一开口和第二开口的形成方法包括：在所述介质层表面形成掩膜材料膜；在所述掩膜材料膜表面形成第一图形化层，所述第一图形化层暴露出部分掩膜材料膜；以所述第一图形化层为掩膜，刻蚀所述掩膜材料膜，直至暴露出栅极结构和介质层顶部表面，形成初始掩膜层和位于初始掩膜层内的第二开口；形成所述第二开口之后，去除所述第一图形化层；在所述第二开口内和初始掩膜层表面形成牺牲层；在所述牺牲层表面形成第二图形化层，所述第二图形化层暴露出部分鳍部上的牺牲层表面；以所述第二图形化层为掩膜，刻蚀所述牺牲层和初始掩膜层，直至暴露出介质层表面，形成掩膜层和位于掩膜层内的第一开口；去除所述第二图形化层，暴露出所述第二开口。
可选的，所述牺牲层的材料和掩膜层的材料不同；所述牺牲层的包括：含碳氧的有机材料。
可选的，形成所述第一开口之后，形成所述第二开口。
可选的，所述掩膜层的材料包括：氮化硅、氮氧化硅或者碳氧化硅。
可选的，所述栅极结构包括：位于部分鳍部顶部和侧壁表面的栅介质层和位于栅介质层表面的栅极层；所述栅介质层的材料包括：高K介质材料，所述栅极层的材料包括：金属。
可选的，还包括：形成所述伪栅极结构之后，形成所述介质层之前，在所述伪栅极结构两侧的鳍部内形成源漏掺杂层；所述鳍部隔断贯穿所述鳍部内的源漏掺杂层。
可选的，所述源漏掺杂层的形成方法包括：在所述伪栅极结构两侧的鳍部内形成源漏开口；采用外延工艺在所述源漏开口内形成源漏掺杂层。
可选的，当所要形成半导体结构为P型器件时，所述源漏掺杂层的材料包括：硅锗。
可选的，当所要形成半导体结构为N型器件时，所述源漏掺杂层的材料包括：碳化硅。
可选的，所述鳍部隔断和栅极隔断在同一过程中形成。
可选的，所述鳍部隔断和栅极隔断的形成方法包括：在所述鳍部凹槽和栅极凹槽内以及掩膜层表面形成隔离材料膜；平坦化所述介质材料膜，直至暴露出掩膜层表面，在所述鳍部凹槽内形成鳍部隔断，在所述栅极凹槽内形成栅极隔断。
可选的，所述隔离材料膜包括：第一隔离材料膜和位于第一隔离材料膜表面的第二隔离材料膜，且所述第一隔离材料膜和第二隔离材料膜的材料不同。
可选的，所述鳍部沿第一方向延伸，所述栅极结构沿第二方向延伸；沿第二方向上，所述鳍部隔断贯穿所述鳍部；沿第一方向上，所述栅极隔断贯穿所述栅极结构。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：
本发明技术方案提供的半导体结构的形成方法中，形成所述栅极结构和介质层之后，在所述介质层和鳍部内形成鳍部凹槽，在所述鳍部凹槽内形成鳍部隔断，所述介质层有利于削弱刻蚀鳍部，在鳍部内形成鳍部凹槽时，对鳍部形貌的影响，从而有利于所述鳍部保持较大的应力，从而提高沟道迁移率，进而提高形成的半导体结构的性能。
进一步，形成掩膜层，且所述掩膜层内具有第一开口和第二开口，所述第一开口用于形成鳍部凹槽，所述第二开口用于形成栅极凹槽，因此，以所述掩膜层为掩膜，进行刻蚀工艺，同时形成鳍部凹槽和栅极凹槽，有利于降低生产成本。
进一步，在鳍部凹槽内形成鳍部隔断，与在栅极凹槽内形成栅极隔断在同一过程中实现，有利于减少工艺步骤，有利于降低生产成本，并且提高生产效率。
附图说明
图1至图4是一种半导体结构的形成方法各步骤的结构示意图；
图5至图15是本发明一实施例中的半导体结构的形成方法各步骤的结构示意图。
具体实施方式
需要注意的是，本说明书中的“表面”、“上”，用于描述空间的相对位置关系，并不限定于是否直接接触。
首先，对现有半导体结构的性能较差的原因结合附图进行详细说明，图1至图4是一种现有半导体结构的形成方法各步骤的结构示意图。
请参考图1和图2，图2为图1沿a-a线方向的示意图，提供基底100；在所述基底100上形成鳍部110，且所述鳍部110沿第一方向X延伸。
请参考图3，在基底100上形成横跨所述鳍部110的伪栅极结构120，所述伪栅极结构120位于部分所述鳍部110的顶部表面和侧墙表面，且所述伪栅极结构120沿第二方向延伸，所述第一方向X和第二方向垂直；在所述伪栅极结构120两侧的部分鳍部110内形成鳍部隔断130，且沿第二方向上，所述鳍部隔断130贯穿所述鳍部110。
请参考图4，形成所述鳍部隔断130之后，在所述基底100上形成覆盖所述伪栅极结构120的介质层140，所述介质层140暴露出伪栅极结构120顶部表面；去除所述伪栅极结构120，在所述介质层140内形成伪栅开口；在所述伪栅开口内形成栅极结构150。
上述方法中，通过在鳍部110内形成鳍部隔断130，实现电性隔断，满足具体工艺要求。
然而，所述鳍部隔断130是通过首先在鳍部110内形成鳍部凹槽(图中未示出)，在鳍部凹槽内填充隔离材料形成的。由于在鳍部110内形成鳍部凹槽的刻蚀过程中，容易造成鳍部110的应力被释放，导致器件沟道的电子迁移率降低，使得形成的半导体结构的性能较差。
为了解决所述技术问题，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：在基底上形成横跨鳍部的栅极结构以及介质层；刻蚀所述介质层和鳍部，直至暴露出基底表面，在所述鳍部和介质层内形成鳍部凹槽；在所述鳍部凹槽内形成鳍部隔断，通过刻蚀所述介质层和鳍部，直至暴露出基底表面，在所述鳍部和介质层内形成鳍部凹槽，所述介质层有利于削弱刻蚀鳍部，在鳍部内形成鳍部凹槽时，对鳍部形貌的影响，从而有利于所述鳍部保持较大的应力，从而提高沟道迁移率，进而提高形成的半导体结构的性能。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图5至图15是本发明一实施例中的半导体结构的形成方法各步骤的结构示意图。
请参考图5，提供基底200，所述基底200上具有鳍部210。
在本实施例中，所述鳍部210沿第一方向X延伸。
在本实施例中，所述基底200的材料为硅；在其他实施例中，所述衬底的材料还可以为锗、锗化硅、碳化硅、砷化镓或镓化铟。
所述鳍部210的形成方法包括：在所述基底200上形成鳍部材料膜(图中未示出)；在所述鳍部材料膜表面形成图形化层(图中未示出)；以所述图形化层为掩膜，刻蚀所述鳍部材料膜，形成鳍部210。
在本实施例中，所述鳍部210的材料为硅；在其他实施例中，所述衬底的材料还可以为锗、锗化硅、碳化硅、砷化镓或镓化铟。
接着，在所述基底200上形成横跨所述鳍部210的栅极结构以及介质层，所述栅极结构覆盖所述鳍部210的部分顶部和侧壁表面，具体形成所述栅极结构和介质层的过程请参考图6至图7。
请参考图6，在所述基底200上形成横跨所述鳍部210的伪栅极结构220，；在所述基底200上形成覆盖所述伪栅极结构220表面的所述介质层230，所述介质层230暴露出所述伪栅极结构220顶部表面。
所述伪栅极结构220覆盖部分鳍部210的顶部和侧壁表面。
所述伪栅极结构220的作用在于：通过后栅工艺为后续形成栅极结构占据空间。
所述介质层230为后续形成栅极结构提供支撑。
在本实施例中，所述介质层230暴露出所述伪栅极结构220顶部表面。
所述伪栅极结构220的形成方法包括：在所述基底200上形成覆盖所述鳍部210表面的伪栅极材料膜；图形化所述伪栅极材料膜，直至暴露出基底200表面，在所述基底200上形成横跨所述鳍部210伪栅极结构220，所述伪栅极结构220顶部表面高于所述鳍部210顶部表面。
具体的，所述伪栅极结构220位于隔离结构211表面且覆盖部分鳍部210顶部表面和侧壁表面。
所述介质层230的形成方法包括：在所述基底200上形成覆盖所述伪栅极结构220表面的介质材料膜(图中未示出)；平坦化所述介质材料膜，直至暴露出伪栅极结构220顶部表面，形成所述介质层230。
在本实施例中，所述半导体结构的形成方法还包括：形成所述伪栅极结构220之后，形成所述介质层230之前，在所述伪栅极结构220两侧的鳍部210内形成源漏掺杂层(图中未示出)。
所述源漏掺杂层的形成方法包括：在所述伪栅极结构220两侧的鳍部210内形成源漏开口(图中未示出)；采用外延工艺在所述源漏开口内形成源漏掺杂层。
当所要形成半导体结构为P型器件时，所述源漏掺杂层的材料包括：硅锗。
当所要形成半导体结构为N型器件时，所述源漏掺杂层的材料包括：碳化硅。
在本实施例中，形成所述伪栅极结构220和介质层230之前，所述半导体结构的形成方法还包括：在所述基底200上形成隔离结构211，所述隔离结构211覆盖所述鳍部210的部分侧壁表面，且所述隔离结构211的顶部表面低于所述鳍部210的顶部表面。
所述隔离结构211用于实现不同半导体器件之间的电绝缘。
所述隔离结构211的材料采用绝缘材料，所述绝缘材料包括氧化硅或氮氧化硅；在本实施例中，所述隔离层202的材料采用氧化硅。
请参考图7，去除所述伪栅极结构220，在所述介质层230内形成伪栅极开口(图中未示出)；在所述伪栅极开口底部和侧壁表面以及介质层230表面形成栅介质材料膜(图中未示出)；在所述栅介质材料膜表面形成栅极材料膜(图中未示出)，且所述栅极材料膜填充满所述伪栅极开口；平坦化所述栅介质材料膜和栅极材料膜，直至暴露出介质层230表面，在所述伪栅极开口内形成所述栅极结构240。
所述栅极结构240覆盖所述鳍部210的部分顶部表面和侧壁表面。
所述介质层230覆盖所述鳍部210和栅极结构240表面，且所述介质层230暴露出栅极结构240的顶部表面。
所述栅极结构240包括：位于部分鳍部210顶部和侧壁表面的栅介质层(图中未示出)和位于栅介质层表面的栅极层(图中未示出)；所述栅介质层的材料包括：高K介质材料，所述栅极层的材料包括：金属。
所述高K(介电常数大于3.9)介质材料包括：氧化铪、氧化锆、氧化铪硅、氧化镧、氧化锆硅、氧化钛、氧化钽、氧化钡锶钛、氧化钡钛、氧化锶钛或氧化铝。
在本实施例中，所述栅介质层的材料为氧化铪。
所述金属包括：铜、钨、铝、钛、镍、氮化钛和氮化钽中的一种或多种组合。
在本实施例中，所述栅极层的材料为钨。
接着，刻蚀所述介质层230和鳍部210，直至暴露出基底200表面，在所述鳍部210和介质层230内形成鳍部凹槽。
在本实施例中，所述半导体结构的形成方法还包括：刻蚀所述介质层230和栅极结构240，直至暴露出基底200表面，在所述栅极结构240和介质层230内形成栅极凹槽。
在本实施例中，所述栅极凹槽和鳍部凹槽在同一过程中形成。
所述鳍部凹槽和栅极凹槽的形成方法包括：在所述栅极结构240和介质层230表面形成掩膜层，所述掩膜层内具有第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出部分鳍部210上的介质层表面，所述第二开口暴露出部分栅极结构240顶部表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述栅极结构240、鳍部210以及介质层230，直至暴露出基底200表面，形成所述鳍部凹槽和栅极凹槽，具体形成所述栅极凹槽和鳍部凹槽的过程请参考图8至图13。
请参考图8和图9，图8中左图为图9沿A-A切线方向的截面示意图，图8中右图为图9沿B-B切线方向的截面示意图，在所述介质层230表面形成掩膜材料膜250；在所述掩膜材料膜250表面形成第一图形化层261，所述第一图形化层261暴露出部分掩膜材料膜250。
所述掩膜材料膜250为后续形成掩膜层提供材料。
所述掩膜材料膜250的材料包括：氮化硅、氮氧化硅或者二氧化钛。
在本实施例中，所述掩膜材料膜250的材料为氮化硅。
所述第一图形化层261的材料为光刻胶，采用旋涂工艺和光刻工艺形成具有图案的第一图形化层261。
需要说明的是，图9为省略了隔离结构211、介质层230、掩膜材料膜250以及第一图形化层261的俯视图。
在本实施例中，所述栅极结构240沿第二方向Y延伸，所述第一方向X和第二方向Y不同。
在本实施例中，所述第一方向X垂直于第二方向Y。
请参考图10，图10和图8的视图方向相同，以所述第一图形化层261为掩膜，刻蚀所述掩膜材料膜250，直至暴露出栅极结构240和介质层230顶部表面，形成初始掩膜层251和位于初始掩膜层251内的第二开口272。
所述第二开口272用于定义后续在栅极结构240内形成栅极凹槽的位置和尺寸。
刻蚀所述掩膜材料膜250的工艺包括：干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺中的一种或者两种组合。
在本实施例中，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述掩膜材料膜250，使得形成的第二开口272的形貌较好，从而有利于图案转移的准确性。
形成所述第二开口272之后，去除所述第一图形化层261。
在本实施例中，采用灰化工艺去除所述第一图形化层261。
请参考图11，在所述第二开口272内和初始掩膜层251表面形成牺牲层262；在所述牺牲层262表面形成第二图形化层263，所述第二图形化层263暴露出部分鳍部210上的牺牲层262表面。
所述牺牲层262的材料和掩膜材料膜的材料不同，相应的，所述牺牲层262和后续形成的掩膜层的材料不同。
所述牺牲层262的包括：含碳氧的有机材料，由于含碳氧的有机材料具有一定流动性，所述含碳氧的有机材料有利于充分填充于第二开口272内，且易于形成较平整的表面，从而利于在所述平整的牺牲层262表面形成第二图形化层263，进行刻蚀工艺。
请参考图12，以所述第二图形化层263为掩膜，刻蚀所述牺牲层262和初始掩膜层251，直至暴露出介质层230表面，形成掩膜层252和位于掩膜层252内的第一开口271。
所述第一开口271用于定义后续在鳍部210内形成鳍部凹槽的位置和尺寸。
刻蚀所述牺牲层262和初始掩膜层251的工艺包括：干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺中的一种或者两种组合。
在本实施例中，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述牺牲层262和初始掩膜层251，使得形成的第一开口271的形貌较好，从而有利于图案转移的准确性。
在本实施例中，形成所述第一开口271之后，去除所述第二图形化层263和牺牲层262，暴露出所述第二开口272。
在本实施例中，采用灰化工艺去除所述第二图形化层263。
在其他实施例中，还可以为在掩膜层内形成第一开口之后，形成第二开口。
请参考图13，形成掩膜层252和位于掩膜层252内的第一开口271之后，以所述掩膜层252为掩膜，刻蚀所述鳍部210和介质层230，直至暴露出基底200表面，在所述介质层230和鳍部210内形成鳍部凹槽281。
具体的，在本实施例中，形成所述掩膜层252和位于掩膜层252内的第一开口271以及第二开口272之后，以所述掩膜层252为掩膜，刻蚀所述栅极结构240、鳍部210以及介质层230，直至暴露出基底200表面，形成所述鳍部凹槽281和栅极凹槽282。
具体的，所述鳍部凹槽281位于所述第一开口271底部，所述栅极凹槽282位于所述第二开口272底部。
沿第二方向Y上，所述鳍部凹槽281贯穿鳍部210，使得后续在鳍部凹槽281内形成的鳍部隔断能够将鳍部210进行有效隔断，满足工艺需求。
沿第一方向X上，所述栅极凹槽282贯穿栅极结构240，使得后续在栅极凹槽282内形成的栅极隔断能够将栅极结构240进行有效隔断，满足工艺需求。
形成所述掩膜层252，且所述掩膜层252内具有第一开口271和第二开口272，所述第一开口271用于形成鳍部凹槽281，所述第二开口272用于形成栅极凹槽282，因此，以所述掩膜层252为掩膜，进行刻蚀工艺，同时形成鳍部凹槽281和栅极凹槽282，有利于降低生产成本。
通过在形成所述栅极结构240和介质层230之后，在所述介质层230和鳍部210内形成鳍部凹槽281，后续在所述鳍部凹槽281内形成鳍部隔断，所述介质层230有利于削弱刻蚀鳍部210，在鳍部210内形成鳍部凹槽281时，对鳍部210形貌的影响，从而有利于所述鳍部210保持较大的应力，从而提高沟道迁移率，进而提高形成的半导体结构的性能。
接着，在所述鳍部凹槽281内形成鳍部隔断。
在本实施例中，所述半导体结构的形成方法还包括：在所述栅极凹槽282内形成栅极隔断
在本实施例中，所述鳍部隔断和栅极隔断在同一过程中形成，具体形成所述鳍部隔断和栅极隔断的过程请参考图14至图15。
请参考图14，在所述鳍部凹槽281和栅极凹槽282内以及掩膜层252表面形成隔离材料膜290。
在本实施例中，所述隔离材料膜290包括：第一隔离材料膜(图中未标示)和位于第一隔离材料膜表面的第二隔离材料膜(图中未标示)，且所述第一隔离材料膜和第二隔离材料膜的材料不同。
所述第一隔离材料膜的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。
在本实施例中，所述第一隔离材料膜的材料为氮化硅。
所述第一隔离材料膜用于作为后续平坦化工艺的停止指示层。
所述第二隔离材料膜的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。
在本实施例中，所述第二隔离材料膜的材料为氧化硅。
在本实施例中，不去除所述掩膜层252，在所述第一开口271、鳍部凹槽281、第二开口272以及栅极凹槽282内形成所述隔离材料膜290。
在其他实施例中，形成鳍部凹槽和栅极凹槽之后，去除所述掩膜层，
请参考图15，平坦化所述隔离材料膜290，直至暴露出掩膜层252表面，在所述鳍部凹槽281内形成鳍部隔断291，在所述栅极凹槽282内形成栅极隔断292。
沿第二方向Y上，所述鳍部隔断291贯穿所述鳍部210。
沿第一方向X上，所述栅极隔断292贯穿所述栅极结构240。
在鳍部凹槽281内形成鳍部隔断291，与在栅极凹槽282内形成栅极隔断292在同一过程中实现，有利于减少工艺步骤，有利于降低生产成本，并且提高生产效率。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (18)
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
在基底上形成横跨鳍部的栅极结构以及介质层；
刻蚀所述介质层和鳍部，直至暴露出基底表面，在所述鳍部和介质层内形成鳍部凹槽；
在所述鳍部凹槽内形成鳍部隔断。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成介质层之后，形成所述鳍部隔断之前，刻蚀所述介质层和栅极结构，直至暴露出基底表面，在所述栅极结构和介质层内形成栅极凹槽；形成所述栅极凹槽之后，在所述栅极凹槽内形成栅极隔断。
3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极凹槽和鳍部凹槽在同一过程中形成。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述鳍部凹槽和栅极凹槽的形成方法包括：在所述栅极结构和介质层表面形成掩膜层，所述掩膜层内具有第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出部分鳍部上的介质层表面，所述第二开口暴露出部分栅极结构顶部表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述栅极结构、鳍部以及介质层，直至暴露出基底表面，形成所述鳍部凹槽和栅极凹槽。
5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二开口之后，形成所述第一开口。
6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介质层暴露出栅极结构顶部表面；所述掩膜层以及掩膜层内的第一开口和第二开口的形成方法包括：在所述介质层表面形成掩膜材料膜；在所述掩膜材料膜表面形成第一图形化层，所述第一图形化层暴露出部分掩膜材料膜；以所述第一图形化层为掩膜，刻蚀所述掩膜材料膜，直至暴露出栅极结构和介质层顶部表面，形成初始掩膜层和位于初始掩膜层内的第二开口；形成所述第二开口之后，去除所述第一图形化层；在所述第二开口内和初始掩膜层表面形成牺牲层；在所述牺牲层表面形成第二图形化层，所述第二图形化层暴露出部分鳍部上的牺牲层表面；以所述第二图形化层为掩膜，刻蚀所述牺牲层和初始掩膜层，直至暴露出介质层表面，形成掩膜层和位于掩膜层内的第一开口；去除所述第二图形化层，暴露出所述第二开口。
7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料和掩膜层的材料不同；所述牺牲层的包括：含碳氧的有机材料。
8.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一开口之后，形成所述第二开口。
9.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料包括：氮化硅、氮氧化硅或者碳氧化硅。
10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括：位于部分鳍部顶部和侧壁表面的栅介质层和位于栅介质层表面的栅极层；所述栅介质层的材料包括：高K介质材料，所述栅极层的材料包括：金属。
11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述伪栅极结构之后，形成所述介质层之前，在所述伪栅极结构两侧的鳍部内形成源漏掺杂层；所述鳍部隔断贯穿所述鳍部内的源漏掺杂层。
12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述源漏掺杂层的形成方法包括：在所述伪栅极结构两侧的鳍部内形成源漏开口；采用外延工艺在所述源漏开口内形成源漏掺杂层。
13.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当所要形成半导体结构为P型器件时，所述源漏掺杂层的材料包括：硅锗。
14.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当所要形成半导体结构为N型器件时，所述源漏掺杂层的材料包括：碳化硅。
15.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述鳍部隔断和栅极隔断在同一过程中形成。
16.如权利要求15所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述鳍部隔断和栅极隔断的形成方法包括：在所述鳍部凹槽和栅极凹槽内以及掩膜层表面形成隔离材料膜；平坦化所述介质材料膜，直至暴露出掩膜层表面，在所述鳍部凹槽内形成鳍部隔断，在所述栅极凹槽内形成栅极隔断。
17.如权利要求16所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述隔离材料膜包括：第一隔离材料膜和位于第一隔离材料膜表面的第二隔离材料膜，且所述第一隔离材料膜和第二隔离材料膜的材料不同。
18.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述鳍部沿第一方向延伸，所述栅极结构沿第二方向延伸；沿第二方向上，所述鳍部隔断贯穿所述鳍部；沿第一方向上，所述栅极隔断贯穿所述栅极结构。
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