CN1136727A - 温度补偿压电振荡器 - Google Patents
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Abstract
提供一种易于进行IC化及制造后的调整工作的、并且能够不外接可变电抗元件而补偿频率温度特性的温度补偿压电振荡器。该温度补偿压电振荡器1的特征是具有一个频率受温度影响的压电振子9、一个使压电振子9振荡的同时根据外加电源电压VDD(T)的变化改变振荡频率的振荡电路8、一个检测压电振子9的周围温度T的温度检测电路2、一个根据温度检测电路2的检出温度把使频率温度特性发生变化的外加电源电压VDD(T)供给到振荡电路8的可变电源电路15。
Description
本发明涉及一种作为通信机等的基准频率源而使用的温度补偿压电振荡器。
以往，作为补偿由于温度而引起的频率变化的压电振荡电路，一直使用图22(a)所示的模拟型温度补偿压电振荡电路。这种电路结构的振荡器例如示于特公昭64-1969。如该图所示，该温度补偿压电振荡器100具有压电振子9、使压电振子9振荡的科尔皮兹型振荡电路108、补偿其频率温度特性的温度补偿网路101。
温度补偿网路101如同图(b)所示，由串联连接高温温度补偿电路101a和低温温度补偿电路101b而构成。将高温温度补偿电路101a构成为串联连接热敏电阻RTH(T)和高温侧温度特性调整电阻RCH，并在这些电阻上并联电容器CH，另外，低温温度补偿电路101b构成为并联连接热敏电阻RTL(T)、低温侧温度特性调整电阻RCL以及电容器CL。通过这些结构，温度补偿电路网络101使科尔皮兹型振荡电路108的电抗特性发生变化，抵消压电振子9的频率温度特性，由此，补偿例如AT切割晶体振子的3次特性(参照图3)，把科尔皮兹型振荡电路108的输出fout的频率即温度补偿压电振荡器100的振荡频率维持在预定范围内。而且，这些电路如图23所示，被焊接在电路底板143的正反两面，搭载于树脂基座144上，并用金属盒145封装。
图24示出以往的温度补偿压电振荡器另一例，示出对振荡器因温度而引起的频率变化以数字方式进行补偿的温度补偿压电振荡器的结构。如同图所示，该温度补偿压电振荡器200具有检测周围(环境)温度T并输出对应于其检出温度的电压Vsens(T)的温度检测电路2、把电压Vsens(T)变换为数字值的温度数据的A/D转换器52、输出对应于该温度数据的温度特性补偿数据的数据存储电路204、把温度特性补偿数据变换为控制电压Vcont(T)并输出的D/A转换器253和振荡电路119，并构成为将对应于周围温度T的控制电压Vcont(T)输入到振荡电路119中。将温度特性补偿数据在进行温度补偿压电振荡器200制造后的调整工作时经由从外部连接的f0·温度特性调整电路11和内部的数据输入/出电路10，预先存储在数据存储电路204中。
如图24及图25所示，振荡电路119上还连接着压电振子9，稳压电路3、f0调整电路7、可变电抗元件202和输出缓冲器12。f0调整电路7是用于根据数据存储电路204内的频率设定数据调整基准频率f0的电路，该频率设定数据作为用于调节因压电振子9的制造分散性引起的频偏的数据，与温度特性补偿数据一样，由f0温度特性调整电路11和数据输入/出电路10予先存储在数据存储电路204内。可变电抗元件202是用于由控制电压Vcont(T)改变其电抗特性而抵消压电振子9具有的温度特性的元件；通过该可变电抗元件202的作用，把温度补偿压电振荡器200的振荡频率维持在预定范围内。而且，该温度补偿压电振荡器200能够如图26所示那样，做成仅有压电振子9，可变电抗元件202和把除此之外的电路集成电路化了的温度补偿振荡器集成电路241的结构，还能够把这3个部件搭载于引线框架242上，做成塑料整体模块240。
在上述温度补偿压电振荡器100和温度补偿压电振荡器200中，为补偿频率温度特性，即，为得到高精度的频率特性，需要根据周围温度T精确地变化电抗，而且要把用于此目的电路或元件外接到振荡电路108或119上。
一般在上述温度补偿压电振荡器100中，使用能够得到比CMOS更广泛的频率特性的双极型晶体管，与此相应，使用大阻值、高精度的电阻和热敏电阻，以及大容量、高精度的电容器等。然而，由于这些一般都是难于IC化的部件，所以，在温度补偿压电振荡器100中，作为这些部件不得不使用分立元件，由此，存在部件数量多、不能小型化的缺点。还有，由于把各部件锡焊在电路底板143上，故不能够回流安装等。另外，在进行温度特性调整时，暂时焊接温度特性调整电阻RCH、RCL，而在对一个个制品确认了温度特性后，需要更换相应于补偿程度的温度特性调整电阻RCH及RCL，因而，调整工作极其烦琐，这一点构成生产性低下、成本上升的主要原因。
另一方面，在温度补偿压电振荡器200中，通过在数据存储电路204中预先存储温度特性补偿数据和频率设定数据，易于进行频率调整工作，还有，能够做成仅包括压电振子9、可变电抗元件202和温度补偿振荡器IC241的结构，从而达到某种程度的小型化是可能的。然而，即使在该温度补偿压电振荡器200中也需要以变容二极管等为代表的可变电抗元件202，该可变电抗元件202也和上述温度补偿压电振荡器100的各部件相同，一般难于在CMOS-IC内构成，即使勉强构成，与外接的可变电抗元件相比，则由于线性和可变范围等特性大为恶化，故难于精确地补偿频率温度特性。
另外，人们也曾考虑把f0调整电路7的等同电路作为可变电抗元件202的代用电路，但是与成为初始设定的元件的分散性的补偿不同，若根据检出的温度T而变化，则产生由温度特性补偿数据二进制码的过渡变化引起的噪声，因而不实用。即，在温度补偿压电振荡器200中，外接可变电抗元件202成为必要的构成因素，仅此部分就成为小型化无法进展而需要较多部件及较高的安装成本的原因。
本发明是为解决以上课题而完成的，目的在于提供易于进行IC化及制造后的调整工作的、而且在不外接可变电抗元件等的情况下能够补偿频率温度特性的温度补偿压电振荡器。
本发明的第一方面的温度补偿压电振荡器的特征在于具有：
一个具有频率温度特性的压电振子；
一个使上述压电振子振荡的同时，根据外加电源电压的变化改变振荡频率的振荡电路；
一个检测上述压电振子的周围温度的温度检测电路；
一个根据上述温度检测电路的检出温度，把使上述频率温度特性发生变化的上述外加电源电压供给上述振荡电路的可变电源电路。
若根据该结构，则即使压电振子的振荡频率随周围温度变化，但由于能够根据其周围温度改变供给振荡电路的外加电源电压，能够根据该外加电源电压的变化改变振荡频率，故通过抵消压电振子频率温度特性的这种变化能够把作为振荡器总体的振荡频率维持在预定范围内。此外，由于通过变化外加电源电压补偿频率温度特性，故没有必要把以往那样的可变电抗元件等外接到振荡电路。从而，易于用CMOS工艺过程构成温度补偿压电振荡器内的各电路元件其结果是易于实现IC化。
在本发明的第一方面的温度补偿压电振荡器中，上述可变电源电路具有根据周围温度存储用于抵消上述频率温度特性的温度特性补偿数据的数据存储装置，最好能够根据从上述数据存储装置相应于上述检出温度而读出的该温度特性补偿数据使上述外加电源电压变化。
若根据该结构，由于能够相应于检出的周围温度读出温度特性补偿数据，能够根据该温度特性补偿数据改变外加电源电压，因而能够容易地生成用于抵消压电振子的频率温度特性的外加电源电压。
本发明的第一方面的温度补偿压电振荡器中，上述可变电源电路具有数据存储装置，存储所设定的温度特性补偿数据，以便在上述频率温度特性可用周围温度T、1次系数A、2次系数B及3次系数C以函数f(T)＝A(T-25)+B(T-25)2+C(T-25)3进行近似时，抵消与上述1次系数A、上述2次系数B及上述3次系数C有关的频率的变化中至少1个频率的变化，并最好根据从上述数据存储装置读出的上述温度特性补偿数据改变上述外加电源电压以抵消遵从上述函数f(T)的频率的变化。
若根据该结构，则读出温度特性补偿数据并根据该温度特性补偿数据，能够容易地生成抵消与1次系数A、2次系数B及3次系数C有关的频率变化之中至少一个频率变化的外加电源电压。
在本发明的第三方面的温度补偿压电振荡器中，上述温度特性补偿数据具有由上述周围温度T、乘法系数G及加法系数H构成的一次函数V(T)＝G(T)+H中的上述乘法系数G以及上述加法系数H，上述可变电源电路在读出上述乘法系数G及上述加法系数H的同时，最好根据上述一次函数V(T)改变上述外加电源电压，使之抵消上述与1次系数A有关的频率变化。
若根据该构成，则作为温度特性补偿数据读出所存储的乘法系数G和加法系数H，并根据该乘法系数G和加法系数H能够容易地生成抵消与1次系数A有关的频率变化的外加电源电压。另外，这种情况下，存储在数据存储装置中的温度特性补偿数据由于最低限度仅为乘法系数G和加法系数H即可，因而能够使用存储容量小的数据存储装置，由此，有可能使温度补偿压电振荡器进一步小型化。
本发明的第二至第四方面的任一方面的温度补偿压电振荡器中，相对于上述数据存储装置，最好还具有能够从该温度补偿压电振荡器的外部输入数据的数据输入装置。
若根据该结构，则由于在温度补偿压电振荡器制造后，能够从外部输入温度特性补偿数据等数据，因而不更换内部各电路元件就能够个别调整由制造的分散性引起的电路特性的差别。即，能够使温度补偿压电振荡器实现IC化且能大批量生产等，并在谋求低成本化的同时能够容易地进行制造后的调整工作。
在本发明的第二至第五方面的任一方面的温度补偿压电振荡器中，上述数据存储装置内还具有为了修正上述压电振子在基准温度下的基准振荡频率而设定的频率设定数据，上述可变电源电路最好根据从上述数据存储装置读出的频率设定数据修正上述基准振荡频率。
例如，有时由于制造分散性，在温度补偿压电振荡器中使用的压电振子的基准振荡频率产生偏移。若根据该结构，则在那样的情况下，也能够根据对应于该压电振子的特性的频率设定数据容易地修正基准振荡频率的偏移，由此，能够提高振荡频率的精度。另外，如果做到在温度补偿压电振荡器制造后能够变更该频率设定数据，则即使IC化且大批量生产时也能够容易地进行制造后的振荡频率的调整工作。
在本发明的第一或第四方面的温度补偿压电振荡器中，上述可变电源电路最好根据上述检出温度的上升使上述外加电源电压上升。
一般来说，振荡电路具有在高温下振荡余量减小，停振电压上升的倾向。若根据该结构，由于随周围温度的上升使外加电源电压上升，因而在高温下也能够确保振荡余量。
在本发明的第一至第七方面的任一方面的温度补偿压电振荡器中，上述可变电源电路最好还具有限制上述外加电源电压的变化范围的限幅电路。
若根据该结构，则能够用限幅电路把供给振荡电路的外加电源电压限制在预定的变化范围内。
在本发明的第八方面的温度补偿压电振荡器中，上述变化范围内的上限最好设定为比供给该温度补偿压电振荡器自身的电源电压低的电压。
若根据该结构，则由于用限幅电路把供给振荡电路的外加电源电压限制为比温度补偿压电振荡器的电源电压低的电压，因而能够做成几乎不受该温度补偿压电振荡器的电源电压影响的更为稳定的振荡器。
在本发明的第八或第九方面的温度补偿压电振荡器中，上述变化范围内的下限最好设定为比上述振荡电路的停振电压高的电压。
若根据该结构，则由于用限幅电路把供给振荡电路的外加电源电压限制为比停振电压高的电压，因而能够做成不停振的稳定的温度补偿压电振荡器。
在本发明的第一至第十方面的任一方面的温度补偿压电振荡器中，最好把除上述压电振子之外的构成部件形成单片IC。
若根据该结构，能够使温度补偿压电振荡器实现小型化，能够大批量生产。
在本发明的第十一方面的温度补偿压电振荡器中，上述单片IC最好和上述压电振子一起实现模块化。
若根据该结构，则通过例如用塑料等树脂把温度补偿压电振荡器的整体做成一体化的模块，易于进一步使整体实现小型化，能够大批量生产，并且能够做成易于操作的温度补偿压电振荡器。
在本发明的第十一方面的温度补偿压电振荡器中，上述单片IC最好和上述压电振子一起放置于一个管壳之中。
若根据该结构，例如，把温度补偿压电振荡器的整体放置在陶瓷等的管壳内，由此，与本发明的第十二方面的温度补偿压电振荡器一样，在能够进一步实现小型化、大批量生产化的同时，能够做成易于操作的温度补偿压电振荡器。
图1是示出有关本发明一实施形态的温度补偿压电振荡器的一个框图。
图2是示出振荡电路的结构及与其周边电路的一个连接例的一个图。
图3是示出由AT切割晶体振子构成的压电振子频率—温度特性一个例子的一个图。
图4是示出振荡电路的频率—电源电压特性的一个例子的一个图。
图5是示出数据存储电路内设定数据的一个例子的一个框图。
图6是示出函数发生电路结构的一个例子的一个框图。
图7是示出D/A转换器结构的一个例子的一个图。
图8是示出可变增益放大器的电路结构的一个例子的一个图。
图9是示出温度检测电路的输出电压—温度特性的一个例子的一个图。
图10是示出函数发生电路的输出电压—温度特性的一个例子的一个图。
图11是示出温度函数电源电压发生电路的结构的一个例子的一个图。
图12是示出温度函数电源电压发生电路的输出电压—温度特性的一个例子的一个图。
图13是示出与增益设定数据的设定变更相对应的温度补偿压电振荡器的频率—温度特性的一个例子的一个图。
图14是示出温度补偿压电振荡器温度补偿后的频率—温度特性的一个例子的一个图。
图15是示出温度补偿压电振荡器结构的一个例子的一个斜视图。
图16是示出函数发生电路又一构成的一个例子的一个框图。
图17是示出图16的函数发生电路的输出电压—温度特性的一个例子的一个图。
图18是和图1一样形式的框图，示出本发明又一实施形态。
图19是和图5一样形式的框图，示出图18的温度补偿压电振荡器。
图20是关于图18的温度补偿压电振荡器的、和图3同样内容的一个特性曲线图。
图21是关于图18的温度补偿压电振荡器的和图14同样内容的一个特性曲线图。
图22是示出以往模拟型温度补偿压电振荡器一个例子的一个图。
图23是示出图22的温度补偿压电振荡器结构一个例子的一个斜视图。
图24是示出以往数字型温度补偿压电振荡器一个例子的一个框图。
图25是示出图24的温度补偿压电振荡器的振荡电路的结构与其周边电路的连接的一个图。
图26是示出图24的温度补偿压电振荡器结构的一个例子的一个框图。发明的实施形态
以下，参照附图，说明与本发明一实施形态有关的温度补偿压电振荡器。
图1是示出本实施形态的温度补偿压电振荡器的框图，该温度补偿压电振荡器1如同图所示，具有温度检测电路2、振荡电路8、压电振子9、输出缓冲器12、可变电源电路15、数据输入/出电路(数据输入装置)10，并被构成为在温度补偿压电振荡器1制造后的调整工作时能够和f0·温度特性调整电路11连接。
压电振子9如图2所示，其两端的电极连接到振荡电路8的接点G及接点D，即，CMOS反相器33的栅板及漏极。该压电振子9一般由AT切割晶体振子构成，具有图3(a)曲线所示的频率—温度特性。该频率—温度特性用多项式近似，表示为：
Δf/f0＝A(T-25)+B(T-25)2+C(T-25)3+… (1)这里，T是周围温度，f0表示25℃(以下简称为“基准温度”)时的振荡频率(以下简称为“基准频率”)，Δf/f0表示频偏。
于是，为了使作为目标的频率—温度特性在图3(b)的框所示的-10～+60℃的温度范围内达到±2.5(ppm)以内(以下简称为“目标范围内”)，设定以下所说明的温度补偿压电振荡器1的各构成要素使之抵消由式(1)中1次系数A引起的频偏Δf/f0的变化，即，对于周围温度T频偏Δf/f0在目标范围内的右降变化。
振荡电路8如图2所示，具有CMOS反相器33、从其漏极到栅极的负反馈电阻Rf、决定CMOS反相器33输入侧即栅极侧的电抗特性的电容器Cg和决定输出侧即漏极侧的电抗特性的电容器Cd。另外，如图1及图2所示，CMOS反相器33上连接着提供电源电压(外加电源电压)VDD(T)的可变电源电路15的温度函数电源电压发生电路6，在其栅极侧的接点G上，连接着调整基准频率f0的f0调整电路7，在其漏极侧的接点D上，连接着用于强化输出的驱动能力并确保与振荡电路8的隔离的输出缓冲器12。
在该振荡电路8中，若电源电压VDD(T)变化，则CMOS反相器33内部的端子间电容等与电源有依存关系的电抗成分发生变化，由此，振荡电路8整体的电抗特性变化。其结果，振荡电路8具有图4所示的频率—电源电压特性，输出fout的频偏Δf/f0对于电源电压VDD(T)是右升即与电源电压VDD(T)成正比变化。在温度补偿压电振荡器1中，通过利用该振荡电路8的频率特性，即，使供给振荡电路8的电源电压VDD(T)正比于周围温度T增加，抵消压电振子9的频偏Δf/f0的右降变化，由此，进行温度补偿。
可变电源电路15如图1所示，具有稳压电路3、数据存储电路(数据存储装置)4、函数发生电路5、温度函数电源电压发生电路6和f0调整电路7。稳压电路3是发生函数发生电路5的基准电压Vreg的电路，由温度补偿压电振荡器1的电源电压引起的电压变动小的电压源构成。
数据存储电路4由以EEPROM为代表的非易消性半导体存储器构成，在温度补偿压电振荡器1制造后，如图1所示，经由数据输入/出电路10连接温度补偿压电振荡器1的外部的f0温度特性调整电路11。在这种状态下，在数据存储电路4中(如图5所示)，写入并存储用于变更压电振子9的频率—温度特性的偏移(offset)设定数据(加法系数)21以及增益设定数据(乘法系数)22构成的温度特性补偿数据和用于调整基准频率f0的频率设定数据23。
增益设定数据22是决定后述的控制电压Vcont(T)对于周围温度T的变化的斜率的参数(参照图10)，例如，由表示3位(000)2～(111)2的任一个二进制数据构成。另外，偏移设定数据21是用于在增益即斜率发生变化时修正控制电压Vcont(T)在基准温度下的电位偏差的数据，例如由5位的分辨率表示其偏差的二进制数据构成。而且，频率设定数据23是用于修正来自振荡电路8在基准温度下的振荡频率的应设定的基准频率f0的偏差的数据，与后述的开关元件群32-1～n的开关数n相吻合，由n位例如n＝8位的二进制数据构成。
将这些设定数据21、22及23用f0温度特性调整电路11按照各个元件的温度特性设定后，存储在数据存储电路4中，以便去修正由在温度补偿压电振荡器1中使用的压电振子9的元件分散性引起的元件间参数的差别。而且，f0温度特性调整电路11在这些数据设定后，即制造后的调整工作完成后，切断与温度补偿压电振荡器1的电连接。
f0调整电路7如图2所示，连接到振荡电路8的接点G，为修正压电振子9的基准频率f0的制造分散性，通过改变由CMOS反相器33栅极侧的电容器Cg形成的负载电容，使振荡电路8的电抗特性发生变化，由此进行振荡电路8的基准频率f0的调整。该f0调整电路7如同图所示，由n个(例如n＝8)电容器群31-1～31-n(31-8)和与其分别串联连接的开关元件群32-1～32-n(32-8)构成，这些开关元件群32-1～n的通断状态由数据存储电路4的频率设定数据23控制。即，通过根据频率设定数据23的值，改变振荡电路8的栅-地间(图中的A-B间)的电容，进行振荡电路8的基准频率f0的调整。
温度检测电路2具有利用半导体的PN结的正向电压特性的温度传感器，该电路2的构成方式是先检测出周围温度。然后把该检出温度的信息作为温度依存电压Vsens(T)来输出。该温度依存电压Vsens(T)如图9所示，对于周围温度T具有线性变化的特性。
函数发生电路5如图6所示。具有2个D/A转换器24及25、可变增益放大器20，其构成方式是根据来自稳压电路3的基准电压Vreg、来自温度检测电路2的温度依存电压Vsens(T)和图4的数据存储电路4的偏移设定数据21以及增益设定数据22，生成控制电压Vcont(T)，并向后述的温度函数电源电压发生电路6输出。
D/A转换器24及25如图7所示，为R-2R梯形电阻D/A转换器结构，把数据存储电路4的偏移设定数据21及增益设定数据22分别变换为模拟偏移设定电压V0及增益设定电压Vg，输出到可变增益放大器20。可变增益放大器20如图8(a)所示，为根据来自稳压电路3的基准电压Vreg进行工作的差动放大器的结构，用增益设定电压Vg变更作为来自温度检测电路2的温度依存电压Vsens(T)的斜率的增益，与此同时，用温度依存电压Vsens(T)和偏移设定电压V0的差分把基准温度时的电位修正为预定电位，并作为控制电压Vcont(T)向温度函数电源电压发生电路6输出。
温度依存电压Vsens(T)如前所述具有图9的线性特性，因而在函数发生电路5中，如图10所示分别具有线性特性，这样就能够根据数据存储电路4的3位增益设定数据22把基准温度时的电位相同且增益(斜率)互不相同的多个温度特性中的1个选择为控制电压Vcont(T)的温度特性。即，如同图所示，增益设定数据22的设定值为(000)2时，控制电压Vcont(T)对于温度的温度变化率极小，而随着增益设定数据22的设定值从(000)2、(001)2、…到(111)2的增大，控制电压Vcont(T)的温度变化率增加，因而通过变更数据存储电路4中存储的增益设定数据22和偏移设定数据21，能够以阶梯方式改变输出电压Vcont(T)的斜率。
温度函数电源电压发生电路6如图11所示，具有差动放大器28以及控制晶体管29、限幅电路30，用差动放大器28和控制晶体管29在预定的电压变化范围内生成正比于控制电压Vcont(T)的电源电压VDD(T)，同时，用限幅电路30使电源电压VDD(T)不会变化到预定范围之外。通过限制电源电压VDD(T)的变化范围，该限幅电路30将防止在电源电压VDD(T)上升到温度补偿压电振荡器1的电源电压附近时的振荡电路8的频率—电源电压特性的恶化。同时还防止由于降低到停振电压而引起的振荡电路8的停振。
由此，与图10的控制电压Vcont(T)的温度特性相比，电源电压VDD(T)如图12所示，具有用上限电压及下限电压限制的温度特性。另外，一般振荡电路8在高温时振荡余量减少，具有停振电压上升的倾向。但由于电源电压VDD(T)在预定变化范围内正比于控制电压Vcont(T)变化，因而，与低温时相比，高温时为高电压，由此，能够确保高温时振荡电路8的振荡余量。
温度补偿压电振荡器1制造后，作为其调整工作，如前所述，连接f0温度特性调整电路11进行图5的数据存储电路4内的偏移设定数据21、增益设定数据22及频率设定数据23的设定。这时，对于同一个压电振子9，若变更增益设定数据22的设定，则通过图12的电源电压VDD(T)的温度特性和上述图4的振荡电路8的频率特性的组合，温度补偿压电振荡器1的输出fout的频率—温度特性如图13所示，随增益设定数据22的变更而变化。即，通过变更增益设定数据22的设定能够改变温度补偿压电振荡器1的频率—温度特性。
从而，通过适宜地设定该增益设定数据22，能够吸收由压电振子9的元件分散性引起的频率—温度特性的差异，而且能够进行充分的温度补偿。例如，在压电振子9具有图14的曲线(a)(和图2相同)所示的频率—温度特性时，通过把增益设定数据22设定为(111)2，则根据周围温度T向振荡电路8供给图12的(111)2的温度特性的电源电压VDD(T)。由此，具有图4的电源电压VDD—频率特性的振荡电路8改变振荡频率以便抵消压电振子9的图14曲线(a)的频率—温度特性。其结果，作为温度补偿压电振荡器1的整体，成为同图曲线(c)所示的频率—温度特性，在同图(b)的目标范围内，即-10～+60℃内能够成为±2.5(ppm)以内的频率—温度特性。对于具有与该压电振子9不同的频率—温度特性的压电振子也能够用同样的方法进行温度补偿，这一点是不言而喻的。
另外，该温度补偿压电振荡器1的上述各构成要素中除压电振子9外，全部用容易进行IC化的元件构成，故能够把这些元件汇集起来做成温度补偿压电振荡器IC41。进而，如图15所示，还能够把该温度补偿压电振荡器IC41和压电振子9一起搭载于引线框架42上，做成塑料一体化的模块40。在这些情况下，能够进一步地使温度补偿压电振荡器1整体实现小型化，成为易于进行大批量生产的同时，能够做成易于操作的温度补偿压电振荡器1。此外，其结果，有可能谋求由于IC化而带来的可靠性的提高，以及由于大批量生产而带来的制造成本的削减等。
如以上所详述的，在温度补偿压电振荡器1中，即使压电振子9的振荡频率随周围温度变化，但由于能够使电源电压VDD(T)根据其周围温度T变化，使振荡频率跟随其电源电压VDD(T)的变化而变化，因而，能够抵消压电振子9的频率温度特性，把作为温度补偿压电振荡器1整体的振荡频率维持在预定范围内。另外，由于通过改变电源电压VDD(T)而补偿频率温度特性，故没有必要在振荡电路8上外接以往那样的可变电抗元件。从而，易于以CMOS工艺过程等构成温度补偿压电振荡器1内的各电路元件，其结果是容易实现IC化。
另外，在该温度补偿压电振荡器1中，作为存储在数据存储电路4中的设定数据，由于只要有一组与所使用的压电振子9的特性相吻合的温度特性补偿数据的增益设定数据(乘法系数)22、偏移设定数据(加法数据)和频率设定数据23即可，例如，分别为3位、5位、8位、合计为16位即可，因而与图24的以往的数字型温度补偿压电振荡器200相比，数据可变得极少，由此，能够谋求温度补偿压电振荡器IC41的芯片的小型化、低成本化。
此外，在该温度补偿压电振荡器1中，由于在温度补偿压电振荡器1制造后，能够从外部输入温度特性补偿数据等设定数据，故不更换内部的各电路元件就能够个别地调整由制造分散性而引起的电路特性的差别。由此，在能够大批量生产温度补偿压电振荡器IC41并谋求低成本化的同时，还能够容易地进行制造后的调整工作。
进而，在该温度补偿压电振荡器1中，通过限幅电路30能够把振荡电路8的电源电压限制在预定的变化范围之内。这时，通过限制为比温度补偿压电振荡器1的电源电压低的预定电压，能够做成几乎不受温度补偿压电振荡器1的电源电压变动影响的、更稳定的振荡器，另外，通过限制为高于停振电压的预定电压，能够做成不停振的稳定的温度补偿压电振荡器1。
还有，图7及图8(a)所示的D/A转换器25的构造为R-2R梯形电阻式，而作为变更增益的方法，也可以通过使图8(b)的虚线内所示的、能够数字地控制电流值的电流源群26-I1～In的通/断来代替D/A转换器25。
另外，函数发生电路5除图6中所示出的结构之外，还能够如图16所示，添加用于进行基于来自温度补偿压电振荡器1的外部的控制电压Vc的频率控制的电路，如加法器27来实现。这时，同图(a)的加法器27通过把来自外部的控制电路Vc与向可变增益放大器20传送的偏移设定电压V0进行加减运算，使控制电压Vcont(T)如图17所示那样变化。由此，能够使振荡电路8的频率—温度特性整体地上下位移。从而，若根据该结构，则用来自外部的控制电压V0能够调整振荡电路8的基准频率f0，能够省去图1及图2的f0调整电路7。此外，即使如图16(b)那样把该加法器27连接到可变增益放大器20的输出一侧，也能够得到同样的作用和效果。
还有，在本实施形态的温度补偿压电振荡器1中，把可变电源电路15构成为补偿由压电振子9的1次系数A引起的频偏Δf/f0，但也能够把由压电振子9的2次系数B和3次系数C引起的频偏Δf/f0包括在内，在更广泛的周围温度T的范围内进行高精度的补偿。
图18是示出有关本发明其它一实施形态的温度补偿压电振荡器的框图，示出上述那种温度补偿压电振荡器一例。该温度补偿压电振荡器50的可变电源电路51的结构与图1的温度补偿压电振荡器1的可变电源电路15的结构不同，其不同部分的结构为与上述图24的以往的温度补偿压电振荡器200相同的结构。
即，可变电源电路51如图18所示，具有把从温度检测电路2输入的温度依存电压Vsens(T)变换为数字值的温度数据的A/D转换器52、输出与该温度数据相对应的温度特性补偿数据的数据存储电路54、把该温度特性补偿数据变换为控制电压Vcont(T)而输出的D/A转换器53、以及和图1的可变电源电路15相同的温度函数电源电压发生电路6及f0调整电路7。
数据存储电路54中，如图19所示，存储用于变更压电振子9的频率—温度特性的温度特性补偿数据55和与上述图5的数据存储电路4的情况相同存储频率设定数据23。温度特性补偿数据55在与从A/D转换器52输入的温度数据对应的地址上，即，与温度检测电路2的检出温度对应的地址上，并列地形成对应于周围温度T的补偿数据。该补偿数据示出各地址所表示的各周围温度T时的控制电压Vcont(T)的值，该补偿数据的设定方式是根据用于温度补偿压电振荡器50中的压电振子9的，例如图20所示的频率—温度特性抵消各周围温度T时的频偏Δf/f0，使其接近于0(图中箭头方向)。这些设定数据55及23的设定时期及设定方法与温度补偿压电振荡器1的偏移设定数据21等相同。
在可变电源电路51中，根据温度检测电路2的温度依存电压Vsens(T)，从数据存储电路54读出相应的补偿数据，在D/A转换器53中把该补偿数据变换为控制电压Vcont(T)，然后，根据该控制电压Vcont(T)在温度函数电源电压发生电路6中使电源电压VDD(T)变化。由此，在温度补偿压电振荡器50中，改变振荡电路8的电抗特性，改变振荡电路8的频率—温度特性，使之抵消压电振子9的频率—温度特性。例如，对于图20的压电振子9的频率—温度特性，即-40℃～+80℃温度范围内约±18(ppm)的频偏Δf/f0，能够变为图21所示的频率—温度特性即，在同一温度范围内±0.3(ppm)。
从而，在该温度补偿压电振荡器50中，不仅对于由压电振子9的1次系数A引起的频偏Δf/f0，还能够把由2次系数B及3次系数C引起的频偏Δf/f0也包括在内，在比温度补偿压电振荡器1更广泛的周围温度T的范围内进行高精度的补偿。
另外，本发明不限于上述实施形态，还能够以其它各种形态实施。
例如，数据存储电路4及54除上述的EEPROM等的半导体存储器之外，也可以用一般的电清除型和紫外线清除型、熔断丝型等的存储器构成。还有，通过把由压电振子9的元件分散性引起的基准频率f0的偏移部分也添加进去来设定数据存储电路4的偏移设定数据21和数据存储电路54的温度补偿数据55，还能够省去频率设定数据23及f0调整电路7。另外，图2的f0调整电路7连接在CMOS反相器33的G(栅极)一侧，而即使将其连接到D(漏极)一侧也同样能够调整基准频率f0。
此外，在温度检测电路2中使用的温度传感器，只要是对于温度具有线性斜率的器件即可，例如，半导体的阈值电压和PN结的正向电压或者热敏电阻等都能够使用。另外，还能够把温度补偿压电振荡器1或温度补偿压电振荡器50的整体放置在陶瓷等的管壳中代替塑料一体化模块40，也可以获得小型化和大批量生产等同样的效果。还有，以上所说明的各频率—温度特性和各设定数据终究不过是一例，不言而喻，根据压电振子的特性和各电路元件的结构、制造工艺过程等的差异，能够适宜地设定上述数据以便能得到所希望的频率—温度特性。
除此之外，在不脱离本发明要点的范围内能够任意地变更各细节的结构。
如以上所述，本发明的温度补偿压电振荡器由于通过根据周围温度改变振荡电路的电压电压补偿频率温度特性，因而不用在振荡电路上外加以往那样的可变电抗元件等就能够补偿频率温度特性，同时还具有容易进行IC化及制造后的调整工作等效果。另外，有关由本发明的各个方面中示出的结构产生的效果已在用于解决上述的课题的方法的各项中示出。
Claims (13)
1.一种温度补偿压电振荡器，其特征在于具有：
一个具有频率温度特性的压电振子；
一个在使上述压电振子振荡的同时根据外加电源电压的变化改变振荡频率的振荡电路；
一个检测上述压电振子的周围温度的温度检测电路；
一个根据上述温度检测电路检出的温度，把使上述频率温度特性变化的上述外加电源电压供给上述振荡电路的可变电源电路。
2.权利要求1中所述的温度补偿压电振荡器，其特征在于：
上述可变电源电路具有一个对应于周围温度存储用于抵消上述频率温度特性的温度特性补偿数据的数据存储装置，并且根据从上述数据存储装置对应于上述检出温度而读出的相应的温度特性补偿数据改变上述外加电源电压。
3.权利要求1中所述的温度补偿压电振荡器，其特征在于：
上述可变电源电路具有存储温度特性补偿数据的数据存储装置，其中，温度特性补偿数据的设定方式是在上述频率温度特性用周围温度T、1次系数A、2次系数B、以及3次系数C以下式
函数f(T)＝A(T-25)+B(T-25)2+C(T-25)3进行近似时，抵消与上述1次系数A、上述2次系数B及上述3次系数C有关的频率变化中的至少1个频率变化；
上述可变电源电路根据从上述数据存储装置读出的上述温度特性补偿数据改变上述外加电源电压以抵消遵从上述函数f(T)的频率变化。
4.权利要求3中所述的温度补偿压电振荡器，其特征在于：
上述温度特性补偿数据具有由上述周边温度T、乘法系数G及加法系数H构成的一次函数V(T)＝G(T)+H中的上述乘法系数G及上述加法系数H；
上述可变电源电路在读出上述乘法系数G及上述加法系数H的同时，根据上述一次函数V(T)改变上述外加电源电压，以抵消与上述1次系数A有关的频率变化。
5.权利要求2至4的任一项中所述的温度补偿压电振荡器，其特征在于：
还具有一个对于上述数据存储装置能从该温度补偿压电振荡器的外部输入数据的数据输入装置。
6.权利要求2至5的任一项中所述的温度补偿压电振荡器，其特征在于：
上述数据存储装置还具有为修正上述压电振子在基准温度时的基准振荡频率而设定的频率设定数据；
上述可变电源电路根据从上述数据存储装置读出的频率设定数据修正上述基准振荡频率。
7.权利要求1或4中所述的温度补偿压电振荡器，其特征在于：
上述可变电源电路使上述外加电源电压随上述检出温度的上升而上升。
8.权利要求1至7的任一项中所述的温度补偿压电振荡器，其特征在于：
上述可变电源电路还具有一个限制上述外加电源电压的变化范围的限幅电路。
9.权利要求8中所述的温度补偿压电振荡器，其特征在于：
上述变化范围的上限设定为比供给到该温度补偿压电振荡器自身的电源电压低的电压。
10.权利要求8中所述的温度补偿压电振荡器，其特征在于：
上述变化范围的下限设定为比上述振荡电路的停振电压高的电压。
11.权利要求1至10的任一项中所述的温度补偿压电振荡器，其特征在于：
除去上述压电振子之外的构成部件被单片IC化。
12.权利要求11中所述的温度补偿压电振荡器，其特征在于：
上述单片IC和上述压电振子一起被模块化。
13.权利要求11中所述的温度补偿压电振荡器，其特征在于：
将上述单片IC和上述压电振子一起封装在一个管壳中。
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1136727A true CN1136727A (zh) | 1996-11-27 |
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Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN96105667A Expired - Lifetime CN1061802C (zh) | 1995-04-27 | 1996-04-26 | 温度补偿压电振荡器 |
Country Status (5)
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|---|---|
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| CN (1) | CN1061802C (zh) |
| DE (1) | DE69601246T2 (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7266869B2 (en) | 2003-07-30 | 2007-09-11 | Kyocera Corporation | Method for manufacturing a piezoelectric oscillator |
| CN100492879C (zh) * | 2002-01-21 | 2009-05-27 | 西铁城控股株式会社 | 温度补偿型振荡器 |
| CN101272142B (zh) * | 2008-05-20 | 2011-05-18 | 曹秀娟 | 频率合成器 |
| CN102291087A (zh) * | 2010-05-07 | 2011-12-21 | 精工爱普生株式会社 | 压电振荡器、gps接收装置以及电子设备 |
| CN102611389A (zh) * | 2006-07-21 | 2012-07-25 | 三菱电机株式会社 | 调制信号发生电路、发送接收模块、以及雷达装置 |
| CN106817080A (zh) * | 2015-11-30 | 2017-06-09 | 精工爱普生株式会社 | 电路装置、振荡器、电子设备、移动体及振荡器的制造方法 |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3543493B2 (ja) * | 1996-06-07 | 2004-07-14 | 株式会社デンソー | 電子回路の動作特性補正装置 |
| DE19640677A1 (de) * | 1996-10-02 | 1998-04-16 | Bosch Gmbh Robert | Schaltungsanordnung mit einem Oszillator |
| JP3262739B2 (ja) * | 1997-04-25 | 2002-03-04 | 松下電器産業株式会社 | 水晶発振器の調整装置及び調整方法 |
| EP0917764A2 (en) * | 1997-06-06 | 1999-05-26 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Oscillator frequency-drift compensation |
| KR100386931B1 (ko) * | 2000-04-15 | 2003-06-09 | 이타칩스 주식회사 | 오실레이터 회로 |
| US6483371B1 (en) * | 2000-10-02 | 2002-11-19 | Northrop Grumman Corporation | Universal temperature compensation application specific integrated circuit |
| JP3661602B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2005-06-15 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子の温度特性演算方法 |
| US7098748B2 (en) * | 2001-09-21 | 2006-08-29 | Schmidt Dominik J | Integrated CMOS high precision piezo-electrically driven clock |
| US6597083B2 (en) * | 2001-12-19 | 2003-07-22 | Caterpillar Inc. | Method and apparatus for compensating for temperature induced deformation of a piezoelectric device |
| CN100395956C (zh) * | 2003-11-12 | 2008-06-18 | 晶豪科技股份有限公司 | 可自行校准的晶体振荡器及其专用集成电路 |
| US7340366B2 (en) * | 2004-03-04 | 2008-03-04 | Atmel Corporation | Method and apparatus of temperature compensation for integrated circuit chip using on-chip sensor and computation means |
| TWI351817B (en) * | 2004-03-22 | 2011-11-01 | Integrated Device Tech | Transconductance and current modulation for resona |
| US7504901B2 (en) * | 2004-11-29 | 2009-03-17 | Fred Mirow | Supply voltage controlled voltage and temperature compensated oscillator |
| JP2006255506A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Fujitsu Ltd | 発振器 |
| US7320684B2 (en) * | 2005-09-21 | 2008-01-22 | The Procter & Gamble Company | Disposable absorbent article having deployable belt strips |
| JP2007104162A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Kawasaki Microelectronics Kk | 水晶発振器の製造方法及び水晶発振器 |
| JP4796414B2 (ja) * | 2006-03-14 | 2011-10-19 | 日本電波工業株式会社 | 水晶発振器 |
| JP4895690B2 (ja) * | 2006-06-01 | 2012-03-14 | パナソニック株式会社 | 関数生成回路 |
| JP2008085858A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-10 | Mitsumi Electric Co Ltd | 水晶発振器集積回路 |
| US7761191B1 (en) * | 2006-12-12 | 2010-07-20 | Nvidia Corporation | Management of operation of an integrated circuit |
| TW200912265A (en) * | 2007-09-12 | 2009-03-16 | Unisense Technology Co Ltd | Adjustment method and adjustment system for temperature sensing component |
| US20090195322A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Qualcomm Incorporated | Crystal oscillator frequency calibration |
| US20090302962A1 (en) * | 2008-06-10 | 2009-12-10 | Cheng-Yi Ou-Yang | Electronic apparatus compensated through monitoring non-temperature factor indicative of frequency drift occurrence of reference clock and related method thereof |
| JP2010130141A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Epson Toyocom Corp | 電圧制御型温度補償圧電発振器 |
| JP5381162B2 (ja) * | 2009-03-03 | 2014-01-08 | セイコーエプソン株式会社 | 温度補償型発振器 |
| KR101104720B1 (ko) | 2009-11-30 | 2012-01-11 | 이타칩스 주식회사 | 외부공급전압, 온도 및 공정에 대한 보상을 갖는 오실레이터 회로 |
| JP5129394B2 (ja) * | 2009-12-22 | 2013-01-30 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 発振器 |
| US9112508B2 (en) * | 2010-06-09 | 2015-08-18 | Broadcom Corporation | Adaptive powered local oscillator generator circuit and related method |
| US8253506B2 (en) * | 2010-10-05 | 2012-08-28 | Qualcomm, Incorporated | Wideband temperature compensated resonator and wideband VCO |
| US20140119403A1 (en) * | 2012-10-31 | 2014-05-01 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Apparatus and method for measuring temperature |
| JP6274397B2 (ja) * | 2013-11-07 | 2018-02-07 | セイコーエプソン株式会社 | 発振回路、発振器、電子機器、移動体及び発振器の製造方法 |
| JP2016144128A (ja) * | 2015-02-04 | 2016-08-08 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器及び移動体 |
| EP3340467B1 (en) * | 2016-12-22 | 2022-10-05 | NXP USA, Inc. | Digitally controlled oscillator with temperature compensation |
| JP7168340B2 (ja) * | 2018-04-11 | 2022-11-09 | 日立Astemo株式会社 | 熱式流量計 |
| US10833632B1 (en) * | 2018-05-03 | 2020-11-10 | Sitime Corporation | Temperature-reporting oscillator |
| EP3904853A1 (fr) * | 2020-04-30 | 2021-11-03 | The Swatch Group Research and Development Ltd | Procéde de calibration d'au moins un capteur de température électronique |
| JP2023020013A (ja) * | 2021-07-30 | 2023-02-09 | セイコーエプソン株式会社 | 回路装置、発振器及び処理システム |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5616891A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | Quartz oscillating circuit for watch |
| US4746879A (en) * | 1986-08-28 | 1988-05-24 | Ma John Y | Digitally temperature compensated voltage-controlled oscillator |
| JPS63252004A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-19 | Seiko Epson Corp | 水晶発振回路 |
| GB8826224D0 (en) * | 1988-11-09 | 1988-12-14 | Gersan Anstalt | Sensing shape of object |
| DE3929401A1 (de) * | 1989-09-05 | 1991-03-07 | Bayer Ag | Thermoplastische polyestercarbonat-polysiloxan-blockcopolymere |
| US5081431A (en) * | 1990-01-26 | 1992-01-14 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Digital temperature-compensated oscillator |
| JP2681303B2 (ja) * | 1990-03-30 | 1997-11-26 | キンセキ株式会社 | 圧電発振器 |
| US5053726A (en) * | 1990-04-10 | 1991-10-01 | Thomson Consumer Electronics, Inc. | Circuit for preventing VCXO mode jumping |
| JPH041969A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-01-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | カセットイジェクタ機構 |
| US5063359A (en) * | 1990-11-15 | 1991-11-05 | At&T Bell Laboratories | Low-jitter oscillator |
| US5075643A (en) * | 1990-12-24 | 1991-12-24 | Motorola, Inc. | Frequency modulator |
| US5097228A (en) * | 1991-02-28 | 1992-03-17 | Hewlett-Packard Company | Wideband oscillator with bias compensation |
| US5241286A (en) * | 1991-08-28 | 1993-08-31 | Fred Mirow | FET oscillator using voltage and temperature compensated amplifier |
| DE4209843A1 (de) * | 1992-03-26 | 1993-11-18 | Telefunken Microelectron | Temperaturkompensierte Oszillatoranordnung |
-
1996
- 1996-03-18 JP JP8061493A patent/JPH0918234A/ja not_active Withdrawn
- 1996-04-26 CN CN96105667A patent/CN1061802C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-26 EP EP96106646A patent/EP0740421B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-26 DE DE69601246T patent/DE69601246T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-26 US US08/638,558 patent/US5705957A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100492879C (zh) * | 2002-01-21 | 2009-05-27 | 西铁城控股株式会社 | 温度补偿型振荡器 |
| US7266869B2 (en) | 2003-07-30 | 2007-09-11 | Kyocera Corporation | Method for manufacturing a piezoelectric oscillator |
| CN102611389A (zh) * | 2006-07-21 | 2012-07-25 | 三菱电机株式会社 | 调制信号发生电路、发送接收模块、以及雷达装置 |
| CN102611389B (zh) * | 2006-07-21 | 2015-02-11 | 三菱电机株式会社 | 调制信号发生电路、发送接收模块、以及雷达装置 |
| CN101272142B (zh) * | 2008-05-20 | 2011-05-18 | 曹秀娟 | 频率合成器 |
| CN102291087A (zh) * | 2010-05-07 | 2011-12-21 | 精工爱普生株式会社 | 压电振荡器、gps接收装置以及电子设备 |
| CN102291087B (zh) * | 2010-05-07 | 2014-07-16 | 精工爱普生株式会社 | 压电振荡器、gps接收装置以及电子设备 |
| CN106817080A (zh) * | 2015-11-30 | 2017-06-09 | 精工爱普生株式会社 | 电路装置、振荡器、电子设备、移动体及振荡器的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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