KR101104720B1 - 외부공급전압, 온도 및 공정에 대한 보상을 갖는 오실레이터 회로 - Google Patents

외부공급전압, 온도 및 공정에 대한 보상을 갖는 오실레이터 회로 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 외부공급전압, 온도 및 공정에 대한 보상을 갖는 오실레이터 회로는, 외부공급전압(VDD) 및 온도 변화에 대해 안정된 기준전압(Vbp)을 생성하는 기준전압 발생부(310); 상기 Vbp 전압을 수신하여 제1 기준전압(PVREF), 제2 기준전압(IVREF) 및 제3 기준전압(RX_VREF)을 생성하는 온도 보상부(330); 상기 제1 기준전압(PVREF)을 수신하여 외부공급전압(VDD) 및 온도 변화에 대해 안정된 내부 공급전압(VPPI)을 생성하는 내부공급전압 발생부(320); 상기 제2 기준전압(IVREF)을 수신하여 온도변화에 대하여 증가하거나 감소하는 보상 전류(RX_IREF)를 생성하는 전류공급부(340); 상기 보상 전류(RX_IREF)의 양을 조절하여 공정 보상을 행하는 공정보상부(350); 및 발진 신호를 발생시키는 발진신호 발생부(360)를 제공한다.
본 발명에 따른 외부공급전압, 온도 및 공정에 대한 보상을 갖는 오실레이터 회로는 넓은 범위를 갖는 외부공급전압, 온도 및 공정 변화에 관계없이 안정적으로 일정한 주파수의 발진 신호를 발생시키는 장점이 있다.
온도보상, 공급전압보상, 공정보상, 오실레이터

Description

외부공급전압, 온도 및 공정에 대한 보상을 갖는 오실레이터 회로{OSCILLATOR CIRCUIT COMPENSATING FOR EXTERNAL VOLTAGE SUPPLY, TEMPERATURE AND PROCESS}
본 발명은 넓은 범위의 외부공급전압, 온도 및 반도체 공정의 변화에 대해 안정적인 일정한 주파수의 발진 신호를 발생하는 오실레이터 회로에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 집적 회로 장치 또는 칩을 위해 사용된 주변의 공급전압에 따른 주기신호의 변화를 보상하는 동시에 온도변화 및 공정변화에 대해 안정적인 일정한 발진 신호를 발생시킬 수 있는 넓은 범위의 외부공급전압, 온도 및 공정 보상 오실레이터 회로에 관한 것이다.
오실레이터는 컴퓨터, 시스템 또는 통신기기 등을 포함하는 전자장치들의 타이밍 신호를 제공하는데 널리 사용된다.
오실레이터 회로는 오실레이터가 안정된 발진신호를 출력하기 위한 3가지 요소 즉 외부공급전압, 온도 및 공정에 대한 외부적인 변화에 대하여 동시에 보상 되어야 한다.
하지만 종래의 오실레이터는 상기 3가지 요소 중 온도변화에 대해서만 보상 하도록 하여 정밀하지 못한 발진 신호를 출력할 뿐 만 아니라, 공급전압과 공정이 변화하면 온도변화에 대한 보상이 제대로 이루어지지 않는 문제가 있었다.
도 1은 종래의 일반적인 오실레이터 회로를 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 종래의 일반적인 오실레이터 회로(100)는 저항성 소자(110), 커패시터(120), 비교기(130), 출력 펄스 발생기(140) 및 리셋 회로(150)를 포함한다.
전류(I)는 저항성 소자(110)에 의하여 생성되며 전원전압 공급원(VDD)에서 커패시터(120) 방향으로 흐른다.
비교기(130)는 저항성소자(110)와 커패시터(120)를 연결하는 연결 노드(N1)의 제1 입력단, 기준전압(VREF)을 수신하는 제2 입력단 및 출력 펄스발생기(140)에 연결된 출력단을 갖는다.
출력 펄스 발생기(140)는 발진 신호를 출력하고, 커패시터(120)의 방전을 제어하기 위한 리셋(reset) 신호를 리셋회로(150)에 제공한다. 출력 펄스 발생기(140)는 커패시터(120)에 반복적으로 충전(charge) 및 방전(discharge)을 하여 오실레이터(100)가 주기적으로 발진 신호를 생성하도록 한다.
하지만, 종래의 일반적인 오실레이터 회로(100)는 하기와 같은 문제점을 갖고 있다.
즉, 공급전압(VDD)에 따라 전류(I)가 변화하고, 온도 변화에 따라 저항성소자(110)의 저항값이 변화하기 때문에 이에 의해 연쇄적으로 전류(I)가 변화하am로 인해 오실레이터 회로(100)는 공급전압(VDD) 변화와 온도 변화에 따라 출력 발진신 호 주파수가 변화하는 문제점이 있었다.
도 2는 종래의 또 다른 온도 보상을 구현하는 오실레이터 회로를 도시한 것이다.
도 2를 참조하면, 종래의 온도 보상을 구현하는 오실레이터 회로(200)는 전류 미러형 회로(210)를 구성하는 제1, 제2 트랜지스터(211, 212), 제어전압(Vg)에 의해 전류 미러형 회로(210)에 의해 출력된 제1 전류(I1)의 양을 제어하는 제3 트랜지스터(220), 제2 전류(I2)를 생성하는 저항성소자(230), 제1 전류(I1)와 제2 전류(I2)가 합산된 제3 전류(I3)를 받아들이는 커패시터(240), 비교기(250), 리셋회로(260) 및 출력펄스발생기(270)를 포함한다.
커패시터(240)는 제3 전류(I3)를 받아 들여 충전하고, 출력펄스발생기(270)는 리셋회로(260)를 활성화하여 커패시터(240)를 방전시킨다. 커패시터(240)의 반복된 충전 및 방전은 주기적으로 펄스 발진 신호를 생성하도록 한다.
하지만, 종래의 온도 보상을 구현하는 오실레이터 회로(200)는 역시 하기와 같은 문제점이 있었다.
즉 외부공급전압과 공정이 변화하지 않을 때 공급되는 제3 전류(I3)는 온도변화에 일정하지만, 외부공급전압과 공정이 변화하면 온도변화에 대한 공급전류(I3)가 변화하여 일정한 발진 신호를 출력하지 못하는 문제점이 있었다.
또한 외부공급전압과 온도변화에 무관한 전류를 공급받더라도 발진 신호를 생성하는 발진부의 외부공급전압과 온도에 대한 특성이 변화하여 출력 발진 신호의 주파수가 변화하는 문제점이 있었다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 넓은 범위를 갖는 외부공급전압, 온도 및 공정 변화에 관계없이 안정적으로 일정한 주파수의 발진 신호를 발생시키는 오실레이터 회로를 제공하는데 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 외부공급전압, 온도 및 공정에 대한 보상을 갖는 오실레이터 회로는, 외부공급전압(VDD) 및 온도 변화에 대해 안정된 기준전압(Vbp)을 생성하는 기준전압 발생부(310); 상기 기준전압(Vbp)을 수신하여 제1 기준전압(PVREF), 제2 기준전압(IVREF) 및 제3 기준전압(RX_VREF)을 생성하는 온도 보상부(330); 상기 제1 기준전압(PVREF)을 수신하여 외부공급전압(VDD) 및 온도 변화에 대해 안정된 내부공급전압(VPPI)을 생성하는 내부 공급전압 발생부(320); 상기 제2 기준전압(IVREF)을 수신하여 온도변화에 대하여 증가하거나 감소하는 보상 전류(RX_IREF)를 생성하는 전류공급부(340); 상기 보상 전류(RX_IREF)의 양을 조절하여 공정 보상을 행하는 공정보상부(350); 및 발진 신호를 발생시키는 발진신호 발생부(360)를 제공한다.
본 발명은 넓은 범위를 갖는 외부공급전압, 온도 및 공정 변화에 관계없이 안정적으로 일정한 주파수의 발진 신호를 발생시키는 장점이 있다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시 예의 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
도 3은 본 발명의 오실레이터 회로의 구성을 도시한 것이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 오실레이터 회로(300)는 기준전압 발생부(310), 내부 공급전압 발생부(320), 온도 보상부(330), 전류공급부(340), 공정보상부(350) 및 발진신호 발생부(360)를 포함한다.
도3 및 도 4를 참조하면, 기준전압 발생부(310)는 PMOS 트랜지스터(311,312)에게 외부공급전압(VDD)과 온도변화에 일정한 전류를 흐르도록 트랜지스터(311,312)의 게이트를 제어하는 연산증폭기(313)의 출력전압(Vbp)을 발생하여 온도 보상부(330)를 통해 내부 공급전압 발생부(320), 전류공급부(340) 및 발진신호 발생부(360)에게 각각 제1 기준전압(PVREF), 제2 기준전압(IVREF) 및 제3 기준전압(RX_VREF)을 공급한다.
내부 공급전압 발생부(320)는 제1 기준전압(PVREF)과 외부공급전압(VDD)을 수신하여 생성한 내부공급전압(VPPI)을 전류공급부(340), 공정보상부(350) 및 발진신호 발생부(360)에게 각각 공급한다.
내부공급전압(VPPI)은 외부공급전압(VDD)의 변화 및 온도 변화에 안정된 전압으로 외부공급전압(VDD) 보다 작은 값을 갖는다.
도3 및 도 4를 참조하면, 온도보상부(330)는 기준전압 발생부(310)의 Vbp 전압을 수신하여 내부 공급전압 발생부(320), 전류공급부(340) 및 발진신호 발생 부(360)의 온도변화에 대한 각각의 특성 변화에 맞춰 온도 변화에 대하여 증가하거나 감소하도록 보상하여 제1 기준전압(PVREF), 제2 기준전압(IVREF) 및 제3 기준전압(RX_VREF)을 생성하며, 이들 각각을 내부 공급전압 발생부(320), 전류공급부(340) 및 발진신호 발생부(360)에게 공급한다.
전류공급부(340)는 상기 내부 공급전압 발생부(320)의 내부 공급전압(VPPI)을 수신하고, 온도보상부(330)에서 온도변화에 대하여 증가하거나 감소하도록 보상된 제2 기준전압(IVREF)을 수신하여 온도에 보상된 전류(RX_IREF)를 발진신호 발생부(360)로 공급한다.
공정보상부(350)는 전류공급부(340)에서 발진신호 발생부(360)로 제공하는 공급전압과 온도변화에 보상된 보상 전류(RX_IREF)의 크기를 조절하여 제조단계 및 제조 이후의 공정변화에 대하여 원하는 일정한 발진신호를 출력하도록 보상한다.
발진신호 발생부(360)는 상기 내부 공급전압 발생부(320)의 외부공급전압(VDD) 변화 및 온도변화에 무관한 내부공급전압(VPPI)을 수신하고, 온도보상부(330)에서 온도 보상된 제3 기준전압(RX_VREF)을 수신하고, 온도변화와 공정변화에 대하여 보상된 전류공급부(340)의 보상 전류(RX_IREF)를 수신하여 넓은 범위를 갖는 외부공급전압의 변화, 온도변화 및 공정변화에 무관한 안정된 발진신호를 출력한다.
도 4는 본 발명의 기준전압 발생부, 온도 보상부 및 내부 공급전압 발생부를 구성하는 회로를 도시한 것이다.
도4 및 도 3을 참조하면, 기준전압 발생부(310)는 일반적인 밴드갭(bandgap) 레퍼런스(reference) 회로 또는 베타멀티플라이어(beta-multiplier) 레퍼런스(reference) 회로를 이용하여 공급전압변화와 온도변화에 안정된 기준전압을 생성한다.
온도보상부(330)는 기준전압 발생부(310)의 전류원인 2개의 PMOS 트랜지스터(311,312)에 외부공급전압(VDD)과 온도변화에 일정한 전류를 흐르도록 트랜지스터(311,312) 게이트를 제어하는 연산증폭기(313)의 출력전압(Vbp)을 수신하여 공급전압에 무관하고 온도변화에 증가, 감소 또는 온도변화에 무관한 제1 기준전압(PVREF), 제2 기준전압(IVREF) 및 제3 기준전압(RX_VREF)을 생성한다.
내부 공급전압 발생부(320)의 회로는 연산증폭기(321) 및 제1, 제2 저항(R1, R2)으로 구성되며, 상기 연산증폭기(321)는 제1 기준전압(PVREF)을 제1 입력 단으로 수신하고, 접지부에 연결된 제2 저항(R2)에 걸리는 전압을 제2 입력 단으로 수신한다. 제2 저항(R2)에 걸리는 전압변화를 제어하는 전압제어 전류원의 역할을 함으로서 전류 값에 대한 일정한 내부 공급전압(VPPI)를 출력한다.
내부 공급전압 발생부(330)는 온도보상부(320)에서 생성된 외부공급전압의 변화 및 온도변화에 무관한 제1 기준전압(PVREF)을 수신하여 온도변화에 대해 일정한 값을 갖는 내부 공급전압(VPPI)을 발생한다.
도 5는 본 발명의 전류 공급부 및 공정 보상부를 구성하는 회로를 도시한 것이다.
도 5 및 도 3을 참조하면, 전류 공급부(340)는 출력 변화를 검출하는 연산증폭기(341),전류 소오스의 PMOS 트랜지스터(342)로 구성되며, 상기 연산증폭기(341) 는 온도보상부(330)에서 공급하는 제2 기준 전압(IVREF)과 노드(N1)에 걸리는 전압을 입력받아 전류 소오스인 PMOS 트랜지스터(342)의 게이트 전압을 제어한다.
전류 공급부(340)와 공정 보상부(350)는 상기 노드(N1)를 통해 연결된다.
공정보상부(350)는 직렬 연결된 복수 개의 저항(R0, R1...Rn)을 구비하며, 상기 복수 개의 저항(R0, R1...Rn)에 대응한 디지털 코드값(D0, D1...Dn)의 조정을 통해 상기 복수 개의 저항에 대한 전체 저항 값(RT0)을 제어한다.
상기 제어된 전체 저항 값(RT0)을 통해 공정변화에 대하여 보상하는 보상 전류(RX_IREF)를 생성하며, 상기 보상 전류(RX_IREF)는 하기 [수학식1]처럼 표현된다.
[수학식1]
Figure 112009073827314-pat00001
여기서, a는 온도변화에 따른 제2 기준전압(IVREF)의 변화 값을 나타내며, 상기 a를 이용하여 온도변화에 대하여 증가하거나 감소하는 보상 전류(RX_IREF)를 생성할 수 있음을 알 수 있다.
도 6은 본 발명의 발진신호 발생부를 구성하는 회로를 도시한 것이다.
도 6 및 도3을 참조하면, 발진신호 발생부(360)는 외부공급전압(VDD)의 변화와 온도변화에 안정된 내부 공급전압(VPPI)을 수신하고, 전하를 축적하여 전압을 생성하는 제1, 제2 커패시터(363a, 363b), 제3 기준전압(RX_VREF)과 제1, 제2 커패시터(363a, 363b) 각각에 충전되는 전압을 비교하여 출력하는 제1, 제2 비교 기(362a, 362b), 제1, 제2 커패시터(363a, 363b)에 충전된 보상 전류(RX_IREF)를 일정하게 방전시키는 전류 소오스(365), 제1, 제2 커패시터(363a, 363b) 각각에 전하를 충전시키는 리셋 회로(361) 및 펄스를 생성하여 출력하는 출력 펄스 발생기(366)를 포함한다.
이하 본 발명의 발진신호 발생부(360)의 회로 동작을 설명한다.
제1 노드(NC1)의 회로 동작만 살펴보면, 제1(NC1)의 전압이 제3 기준전압(RX_VREF) 보다 작을 때에는 제1(362a)의 출력은 로우(low) 논리 레벨을 갖는다. 반면 제1(NC1)의 전압이 제3 기준전압(RX_VREF) 보다 높을 때에는 비교기의 출력은 하이(high) 논리 레벨을 갖는다.
제1 비교기(362a)의 출력신호는 출력 펄스 발생기(366)로 입력되며, 상기 출력 펄스 발생기(366)는 펄스 발생 출력신호 및 리셋 신호(364a, 364b)를 출력한다.
리셋(reset) 신호(364a)는 리셋 회로(361)에 제공되어 제1 커패시터(363a)를 충전시킨다. 즉, 제1 커패시터(363a)의 출력 신호가 로우(low) 논리 값으로 천이할 때, 출력펄스 발생기(366)는 리셋 신호(364a)를 생성한다. 상기 리셋(reset) 신호(364a)는 제1 커패시터(363a)를 충전(charge)시켜 제1 노드(NC1)의 전압을 높이도록 리셋 회로(361)를 턴 온(turn on) 시킨다.
반면, 제1 노드(NC1)의 전압 레벨이 리셋 회로(361)에 의해 실질적으로 증가할 때, 제1 노드(NC1)의 전압 레벨은 기준 전압(VREF) 보다 높아서 제1 비교기(362a)가 하이(high) 논리 레벨로 천이하기 때문에, 제1 비교기(362a)의 출력은 이전의 상태로 되돌아간다.
상기 동작을 구현하는 리셋 회로(361)는 회로 설계자라면 누구나 간단하게 구현할 수 있으므로 구체적인 회로에 대한 설명은 생략한다.
제2 노드(NC2)의 회로 동작은 상기 제1 노드(NC1)의 회로 동작과 동일하다.
결과적으로, 출력 펄스 발생기(366)는 제1 노드(NC1)와 제2 노드(NC2)의 회로 동작을 교대로 반복적으로 동작시켜 제1, 제2 커패시터(363a, 363b)의 반복적인 충전(charge) 및 방전(discharge)을 통해 주기적인 펄스(pulse) 신호를 생성한다.
이하, 상기 도3 내지 도6에서 설명한 내용을 요약정리 한다.
(1) 본 발명의 오실레이터 회로(300)의 외부공급전압(VDD)에 대한 보상은 내부 공급전압 발생부(320)에서 외부공급전압(VDD)의 변화와 온도변화에 무관한 내부 공급전압(VPPI)을 전류공급부(340) 및 발진신호 발생부(360)에 각각 공급함으로 구현된다.
(2) 본 발명의 오실레이터 회로(300)의 온도변화에 대한 보상은 발진신호 발생부(360)의 온도변화에 대한 특성변화에 맞춰 온도보상부(330)의 제3 기준전압(RX_VREF)과 전류 공급부(340)의 보상 전류(RX_IREF)를 온도변화에 증가하거나 감소하도록 조절하여 구현한다.
(3) 본 발명의 오실레이터 회로(300)의 공정변화에 대한 보상은 공정보상부(350)의 저항성 소자의 전체 저항값(RT0)을 프로그래머블(programmable)화 된 디지털 코드를 선택하여 전류 공급부(340)의 보상 전류(RX-IREF)의 크기를 조절하여 제조단계 및 제조이후의 공정변화에 대하여 원하는 일정한 출력 발진신호 주파수를 출력한다.
도 7은 종래의 내부 공급전압을 사용하지 않을 경우 전원전압변화 및 온도변화에 따른 발진신호 주파수의 관계를 도시한 것이다.
도 7을 참조하면, 전원전압변화 및 온도변화에 따른 출력 발진신호의 주파수의 변화를 나타내는 기울기(410)는 증가하는 것을 나타낸다. 즉 공급되는 외부공급전압이 변화하면 발진 신호 발생부의 온도에 대한 특성도 변화하여 공급전류가 온도에 무관하더라도 출력되는 발진 신호 주파수는 변화한다.
도 8은 본 발명에 따른 전원전압변화 및 온도변화에 대한 출력 발진신호 주파수의 관계를 도시한 것이다.
도 8을 참조하면, 전원전압변화 및 온도변화에 따른 출력 발진신호의 주파수의 변화를 나타내는 기울기(510)는 일정하다는 것을 알 수 있다. 즉 본 발명의 경우 외부 전원전압의 변화 및 온도 변화에도 출력되는 발진신호 주파수는 변동되지 않고 일정한 크기를 나타내는 것을 알 수 있다.
따라서 본 발명의 오실레이터 회로(300)는 넓은 범위의 외부공급전압, 온도 및 공정변화에 무관한 일정한 주파수의 발진 신호를 생성함을 확인 할 수 있다.
이상에서는 본 발명에 대한 기술사상을 첨부 도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 이라면 누구나 본 발명의 기술적 사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.
도 1은 종래의 일반적인 오실레이터 회로를 도시한 것이다.
도 2는 종래의 또 다른 온도 보상을 구현하는 오실레이터 회로를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 오실레이터 회로의 구성을 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 기준전압 발생부, 온도 보상부 및 내부 공급전압 발생부를 구성하는 회로를 도시한 것이다.
도 5는 본 발명의 전류 공급부 및 공정 보상부를 구성하는 회로를 도시한 것이다.
도 6은 본 발명의 발진 신호 발생부를 구성하는 회로를 도시한 것이다.
도 7은 종래의 내부 공급전압을 사용하지 않을 경우 전원전압변화 및 온도변화에 따른 발진 신호 주파수의 관계를 도시한 것이다.
도 8은 본 발명에 따른 전원전압변화 및 온도변화에 대한 출력 발진 신호 주파수의 관계를 도시한 것이다.

Claims (14)

  1. 외부공급전압(VDD) 및 온도 변화에 대해 안정된 기준전압(Vbp)을 생성하는 기준전압 발생부;
    상기 기준전압(Vbp)을 수신하여 각각에 대해 상기 온도 변화에 대하여 증가하거나 감소하는 보상이 된 제1 기준전압(PVREF), 제2 기준전압(IVREF) 및 제3 기준전압(RX_VREF)을 생성하는 온도 보상부;
    상기 제1 기준전압(PVREF)을 수신하여 상기 외부공급전압(VDD) 및 온도 변화에 대해 안정된 내부공급전압(VPPI)을 생성하는 내부 공급전압 발생부;
    상기 제2 기준전압(IVREF)을 수신하여 온도에 대하여 비례하거나 반비례하는 보상 전류(RX_IREF)를 생성하는 전류공급부;
    상기 보상 전류(RX_IREF)의 양을 조절하여 공정 보상을 행하는 공정보상부; 및
    발진 신호를 발생시키는 발진신호 발생부를 포함하는 것을 특징으로 하는 외부공급전압, 온도 및 공정에 대한 보상을 갖는 오실레이터 회로.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 온도 보상부는,
    상기 제1 기준전압(PVREF)을 상기 내부 공급전압 발생부에게 공급하고, 상기 제2 기준전압(IVREF)을 상기 전류공급부에게 공급하고, 상기 제3 기준전압(RX_VREF)을 상기 발진신호 발생부에게 각각 공급하는 것을 특징으로 하는 외부 공급전압, 온도 및 공정에 대한 보상을 갖는 오실레이터 회로.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 내부 공급전압 발생부는,
    상기 내부공급전압(VPPI)을 상기 전류공급부, 상기 공정보상부 및 상기 발진신호 발생부에게 각각 공급하는 것을 특징으로 하는 외부공급전압, 온도 및 공정에 대한 보상을 갖는 오실레이터 회로.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 발진신호 발생부는,
    상기 내부공급전압(VPPI), 상기 제3 기준전압(RX_VREF) 및 상기 보상 전류(RX_IREF)를 수신하여 일정한 크기의 발진신호를 발생시키는 것을 특징으로 하는 외부공급전압, 온도 및 공정에 대한 보상을 갖는 오실레이터 회로.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 전류공급부는,
    상기 내부 공급전압(VPPI)과 접지 사이에 직렬로 연결되는 PMOS 트랜지스터 및 상기 제2 기준전압(IVREF) 및 상기 PMOS 트랜지스터의 드레인(D) 단자와 접지 사이에 위치한 노드(N1) 전압을 입력 받는 연산증폭기를 구비하는 것을 특징으로 하는 외부공급전압, 온도 및 공정에 대한 보상을 갖는 오실레이터 회로.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 공정보상부는,
    상기 노드(N1)와 상기 접지 사이에 연결된 것을 특징으로 하는 외부공급전압, 온도 및 공정에 대한 보상을 갖는 오실레이터 회로.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 공정보상부는,
    복수 개의 저항을 구비하는 것을 특징으로 하는 외부공급전압, 온도 및 공정에 대한 보상을 갖는 오실레이터 회로.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 공정보상부는,
    상기 복수 개의 저항에 대응한 디지털 코드 값의 조정을 통해 상기 복수 개의 저항의 전체 저항 값(RTO)을 제어하여 상기 보상 전류(RX_IREF)를 조정하는 것을 특징으로 하는 외부공급전압, 온도 및 공정에 대한 보상을 갖는 오실레이터 회로.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 보상 전류(RX_IREF)는,
    Figure 112009073827314-pat00002
    (여기서, a는 온도변화에 따른 상기 제2 기준전압(IVREF)의 변화 값으로 정의 됨) 값을 갖는 것을 특징으로 하는 외부공급전압, 온도 및 공정에 대한 보상을 갖는 오실레이터 회로.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 발진신호 발생부는,
    상기 내부 공급전압(VPPI)을 수신하여 전하를 각각 충전하는 제1, 제2 커패시터;
    상기 제3 기준전압(RX_VREF)과 상기 제1, 제2 커패시터 각각에 충전되는 전압을 비교하여 출력하는 제1, 제2 비교기;
    상기 제1, 제2 커패시터에 충전된 상기 보상 전류(RX_IREF)를 일정하게 방전시키는 전류 소오스;
    상기 제1, 제2 커패시터 각각에 전하를 충전시키는 리셋 회로; 및
    펄스를 생성하여 출력하는 출력 펄스 발생기를 구비한 것을 특징으로 하는 외부공급전압, 온도 및 공정에 대한 보상을 갖는 오실레이터 회로.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 기준전압 발생부는,
    밴드갭(bandgap) 레퍼런스 회로 또는 베타멀티플라이어(beta-multiplier) 레퍼런스 회로를 사용하는 것을 특징으로 하는 외부공급전압, 온도 및 공정에 대한 보상을 갖는 오실레이터 회로.
  12. 제 1항 또는 제11항에 있어서, 상기 기준전압 발생부는,
    제1, 제2 PMOS 트랜지스터 및 연산증폭기를 구비하며, 상기 외부공급전압(VDD)과 온도변화에 일정한 전류가 흐르도록 상기 연산증폭기의 출력전압으로 상기 제1, 제2 PMOS 트랜지스터의 게이트를 제어하는 것을 특징으로 하는 외부공급전압, 온도 및 공정에 대한 보상을 갖는 오실레이터 회로.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 출력전압은,
    상기 기준전압(Vbp)으로 사용되는 것을 특징으로 하는 외부공급전압, 온도 및 공정에 대한 보상을 갖는 오실레이터 회로.
  14. 제 1항에 있어서, 상기 내부 공급전압 발생부는,
    연산증폭기 및 제1, 제2 저항(R1, R2)으로 구성되며,
    상기 연산증폭기는 상기 제1 기준전압(PVREF)을 제1 입력 단으로 수신하고, 접지부와 연결된 상기 제2 저항(R2)에 걸리는 전압을 제2 입력 단으로 수신하여 서로 비교한 후 상기 내부공급전압(VPPI)을 출력하는 것을 특징으로 하는 외부공급전압, 온도 및 공정에 대한 보상을 갖는 오실레이터 회로.
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