CN113644064A - 半导体结构及其形成方法、存储器及其形成方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，一种存储器及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有牺牲层和位于所述牺牲层上的有源层；对所述有源层和所述牺牲层进行图形化，形成凹槽，所述凹槽将所述有源层和所述牺牲层分割为若干有源区；在所述凹槽内形成包围所述有源区的第一隔离层；对所述有源区内的有源层进行图形化，形成若干分立的有源图形，所述有源图形至少有一侧壁或端部与所述第一隔离层连接；沿相邻所述有源图形之间的开口去除所述牺牲层，形成位于所述有源图形底部与所述半导体衬底之间的间隙；在所述间隙内形成位线。上述方法能够减小晶体管的平面尺寸，提高存储器的存储密度。

Description

半导体结构及其形成方法、存储器及其形成方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器及其形成方法。
背景技术
现有的存储器通常包括数据存储单元以及控制所述数据存储单元的控制晶体管。晶体管的集成度制约了存储器的存储密度。对于平面晶体管，现有技术通过缩小晶体管的沟道尺寸来减小晶体管的尺寸，从而提高存储器的存储密度。
但是随着晶体管沟道尺寸的减小，窄沟道效应以及短沟道效应所导致晶体管性能下降，使得存储器的性能受到影响，制约了晶体管尺寸以及存储器存储密度的进一步提高。
如何在不降低晶体管性能的前提下，减小晶体管的平面尺寸，提高存储器的存储密度是目前亟待解决的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种半导体结构及其形成方法、存储器及其形成方法，进一步提高存储器的存储密度。
为了解决上述问题，本发明提供了一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有牺牲层和位于所述牺牲层上的有源层；对所述有源层和所述牺牲层进行图形化，形成凹槽，所述凹槽将所述有源层和所述牺牲层分割为若干有源区；在所述凹槽内填充以形成包围所述有源区的第一隔离层；对所述有源区内的有源层进行图形化，形成若干分立的有源图形，所述有源图形至少有一侧壁或端部与所述第一隔离层连接；沿相邻所述有源图形之间的开口去除所述牺牲层，形成位于所述有源图形底部与所述衬底之间的间隙；在所述间隙内形成位线。
可选的，在形成所述位线后，形成填充满相邻有源图形之间的隔离介质层。
可选的，所述有源图形为平行排列且沿第一方向延伸的有源线，所述有源线的至少一个端部侧壁与所述第一隔离层连接；还包括：在位线形成之后，对所述有源线进行图形化，形成若干沿第一方向和第二方向阵列排布的有源柱。
可选的，还包括：形成位于所述有源柱底部向上依次设置的第一掺杂区、沟道区、第二掺杂区，以及形成环绕所述沟道区的栅极结构。
可选的，所述第一掺杂区、沟道区、第二掺杂区的形成方法包括：采用原位掺杂工艺，在采用外延生长工艺形成所述有源层的过程中，对所述有源层进行掺杂，依次形成第一掺杂层、沟道掺杂层以及第二掺杂层；在图形化所述有源层形成所述有源柱后，所述第一掺杂层、沟道掺杂层以及第二掺杂层被分别被图形化为自有源柱底部向上依次设置的所述第一掺杂区、所述沟道区以及所述第二掺杂区。
可选的，所述第一掺杂区的形成方法包括：对所述有源图形的底部区域进行离子注入；所述第二掺杂区的形成方法包括：对所述有源图形的顶部区域进行离子注入。
可选的，所述位线的形成方法进一步包括：形成填充满所述间隙以及所述开口的导电材料层；对所述导电材料层进行图形化，仅保留位于所述有源图形底部的沿第一方向延伸的部分导电材料层作为位线。
可选的，还包括：刻蚀所述第一隔离层或所述有源线的端部，形成通孔；在所述通孔内填充导电材料，形成位线连接线，所述位线连接线的底部与所述位线连接。
可选的，所述通孔位于有源区边缘。
可选的，所述位线连接线与所述位线在同一工艺步骤中形成。
可选的，所述第一掺杂区的形成方法包括：在形成所述有源线或有源柱之后，在相邻有源线或有源柱之间的衬底表面形成具有掺杂元素的过渡层；通过扩散处理，将过渡层内的至少部分掺杂元素扩散进入有源线或有源柱内，形成所述第一掺杂区。
可选的，所述栅极结构的形成方法包括：回刻蚀所述第一隔离层和所述隔离介质层，暴露出所述第一掺杂区之上的有源柱；在回刻蚀后的第一隔离层和隔离介质层表面以及暴露的有源柱表面依次形成栅介质层以及栅电极层；对所述栅介质层和所述栅极层进行图形化，形成环绕所述有源柱的沟道区的栅极结构，并暴露出所述有源柱的顶部区域。
可选的，位于第二方向排列的同一列上的有源柱表面的栅极结构相连。
可选的，还包括：形成覆盖所述栅极结构、第二掺杂区的第二隔离层，所述第二隔离层暴露出所述第二掺杂区的顶部表面。
本发明的技术方案还提供一种半导体结构，包括：采用上述任一项所述的方法形成。
本发明的技术方案还提供一种存储器，包括：上述半导体结构；位于所述半导体结构上方的存储单元，所述存储单元连接至所述有源图形的顶部。
可选的，所述存储单元包括电容存储单元、磁性存储单元、铁电存储单元、相变存储单元或者电阻存储单元。
本发明的技术方案还提供一种存储器的形成方法，包括：在所述半导体结构上方形成存储单元，所述存储单元连接至所述有源图形的顶部。
本发明的技术方案还提供一种存储器，包括所述存储单元包括电容存储单元、磁性存储单元、铁电存储单元、相变存储单元或者电阻存储单元。
本发明的半导体结构的形成方法，在衬底上形成牺牲层以及位于牺牲层上的有源层，利用位线替代牺牲层的位置，从而形成埋入式的位线，从而便于后续形成竖直型的晶体管，通过位线将竖直型的晶体管底部的源/漏极引出。并且，在对有源层进行图形化形成有源线之前，通过第一隔离层将有源层分割为多个有源区，再将各有源区内的有源层图形化为有源图形，各有源图形至少一侧与第一隔离层连接，从而使得去除有源图形下方的牺牲层后，所述有源图形能够保持悬空。
进一步的，竖直型的晶体管占据的版图尺寸较小，且沟道宽度由有源层的厚度来决定，可以在不减小沟道宽度等情况下，减小晶体管的面积，从而提高半导体结构的集成度。
本发明的存储器包括具有竖直型晶体管阵列的半导体结构，在晶体管尺寸较小的情况下，能够提高存储器的存储密度。
附图说明
图1至图14C为本发明一具体实施方式的半导体形成过程的结构示意图；
图15为本发明一具体实施方式的存储器的结构示意图；
图16为本发明一具体实施方式的存储器的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的半导体结构及其形成方法、存储器及其形成方法的具体实施方式做详细说明。
请参考图1至图14C，为本发明一具体实施方式的半导体形成过程的结构示意图。
请参考图1，提供衬底110，所述衬底110表面形成有牺牲层120和位于所述牺牲层120表面的有源层130。
所述衬底110可以为单晶硅、锗、SiC等，各种半导体材料，可以为单层结构也可以为复合结构，例如包括半导体基底以及形成于半导体基底表面的介质层等，在此不作限定。
可以通过沉积工艺在所述衬底110上依次形成所述牺牲层120和所述有源层130。所述有源层130采用半导体材料，例如Si、Ge、SiC或SiGe等，可以是其中的一种或多种半导体材料。所述牺牲层120的材料与所述衬底110、有源层130的材料不同，使得后续在去除所述牺牲层120的过程中，减少对所述衬底110、有源层130的影响。
该具体实施方式中，所述衬底110为硅衬底，所述牺牲层120为SiGe层，所述有源层为硅层。采用外延生长工艺，在所述衬底110表面外延形成所述牺牲层120之后，再通过外延工艺，在所述牺牲层120表面形成有源层130。
实际上，所述牺牲层120只要与所述衬底110以及有源层130采用不同的材料，在去除牺牲层120的过程中，牺牲层120与所述衬底110以及有源层130之间有较高的刻蚀选择比即可。
在一些具体实施方式中，所述衬底110、牺牲层120以及有源层130可以为SOI衬底，其中SOI衬底中的埋氧层作为牺牲层120。
在其他具体实施方式中，可以通过对体硅衬底进行离子注入，在所述体硅衬底内部形成掺杂层作为所述牺牲层120。例如对体硅进行Ge注入，通过控制Ge的注入深度，在体硅内部形成SiGe层作为牺牲层120，掺杂层下方的硅层为衬底110，掺杂层上方的硅层作为有源层。在其他具体实施方式中，也可以通过注入其他元素形成所述掺杂层，例如C、O、N等，使得所述掺杂层的刻蚀速率与其上方及下方的材料层均不同，从而形成所述牺牲层120。较佳的，所述牺牲层120的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅等。
所述有源层130用于形成竖直晶体管，所述牺牲层120用于后续被替代形成位线。根据待形成的竖直晶体管的尺寸以及位线的尺寸，合理设置所述牺牲层120和所述有源层130的厚度。在一个具体实施方式中，所述牺牲层120的厚度可以为35nm～50nm。
请参考图2A和图2B，对所述有源层130和所述牺牲层120进行图形化，形成凹槽，所述凹槽将所述有源层130(请参考图1)和所述牺牲层120(请参考图1)分割为若干有源区130a；在所述凹槽内形成包围所述有源区130a的第一隔离层200。
刻蚀所述有源层130以及牺牲层120至所述半导体成110表面，形成所述凹槽，将所述有源层130分割为若干有源区130a；然后再在所述凹槽内填充介质材料，并进行平坦化处理，形成所述第一隔离层200，实现各有源区130a之间的横向的电学隔离。
图2A中示出了被所述第一隔离层200包围的一个有源区130a的结构示意图。图2B示出了多个有源区130a以及第一隔离层200的俯视示意图。
所述有源区130a的尺寸可以根据需要进行设计，在一些具体实施方式中，若所述有源区130a内用于形成存储器的控制晶体管，所述有源区130a可以对应于一个存储块。
请参考图3A至图3C，对所述有源区130a内的有源层进行图形化，形成若干分立的有源图形，所述有源图形至少有一侧壁或端部与所述第一隔离层200连接。图3B为沿图3A中A-A’线的剖面示意图；图3C为沿图3A中B-B’线的剖面示意图。
该具体实施方式中，对所述有源区130a内的有源层进行图形化，形成若干平行排列且沿第一方向(y方向)延伸的长条状的有源线131，相邻有源线131之间具有开口301。所述有源线131的端部均与所述第一隔离层200连接，且位于所述有源区130a边缘的有源线131的侧壁也与所述第一隔离层200连接。
该具体实施方式中，仅对所述有源层进行图形化。在其他具体实施方式中，也可以进一步刻蚀所述牺牲层120，去除所述开口301底部的牺牲层120。
该具体实施方式中，形成所述有源线131的方法包括：在所述有源层130表面形成图形化掩膜层(图中未示出)，所述图形化掩膜层内具有沿第一方向延伸的开口图形；以所述图形化掩膜层为掩膜，刻蚀所述有源层130成长条状的有源线131以及开口301。
在其他具体实施方式中，也可以通过对所述有源区内的有源层进行图形化形成有源柱，所述有源柱至少有一侧侧壁与所述第一隔离层200相连，例如形成2行或2列排布的有源柱，每个有源柱均有一侧壁与第一隔离层200连接，从而使得后续去除所述有源柱底部的牺牲层120之后，所述有源柱能够保持悬空状态。
请参考图4，在相邻有源线131之间的衬底110表面形成具有掺杂元素的过渡层310。图4为在图3B视图基础上，形成过渡层310后的示意图。
可以通过在衬底110表面沉积过渡层材料后，进行回刻蚀，形成一定厚度的过渡层310。所述过渡层310的厚度可以根据待形成的晶体管的源/漏区的尺寸要求调整。
所述过渡层310的材料与所述有源线131的材料不同，可以为利于杂质扩散的材料，例如多晶硅，还可以为其他材料例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等介质材料。
形成具有掺杂元素的所述过渡层310的形成方法包括：在所述半导体成110表面形成一定厚度未被掺杂的过渡层310之后，通过离子注入，对所述过渡层310进行掺杂。此时，在所述有源线131顶部覆盖有图形化掩膜层，通过控制所述离子注入的能量，使得所述离子注入仅能对所述过渡层310进行掺杂。根据待形成的晶体管的类型，向所述过渡层310内注入N型或P型离子，或者具有N型或P型离子的原子团簇。所述过渡层310内的掺杂元素可以以离子、原子、化合物分子或者团簇形式存在。
在其他具体实施方式中，也可以在形成所述过渡层310的过程中，通过原位掺杂工艺，通过在沉积工艺气体中加入具有掺杂元素的掺杂气体，直接形成具有掺杂元素的过渡层310。
请参考图5A和图5B，通过扩散处理，将具有掺杂原子的过渡层310内的至少部分掺杂元素扩散进入有源线131内，形成所述第一掺杂区1311。
所述扩散处理可以为热退火工艺，根据掺杂原子的扩散效率，选择合适参数的退火工艺，使得所述过渡层310内的掺杂元素扩散进入所述有源线131内，形成与所述过渡层310厚度相当的第一掺杂区1311。
可以通过调整所述过渡层310内的掺杂元素的浓度，扩散处理时间、温度等参数，调整扩散处理后形成的第一掺杂区1311内的掺杂浓度。
在形成所述第一掺杂区1311的过程中，所述牺牲层210也会在一定程度上被掺杂。
在其他具体实施方式中，也可以在去除有源线131顶部的图形化掩膜层之后，直接通过对所述有源线131进行掺杂离子注入，形成所述第一掺杂区1311，具体的，通过控制离子注入过程的注入离子的能量，调整注入深度，在所述有源线131的底部形成所述第一掺杂区1311。
在其他具体实施方式中，也可以在后续其他步骤中，例如后续对有源线进行图形化，进一步形成有源柱后或其他步骤中，通过离子注入方式在有源线或有源柱底部形成第一掺杂区。
在其他具体实施方式中，还可以采用原位掺杂工艺，在通过外延工艺沉积形成所述有源层的过程中，对所述有源层进行掺杂，形成位于有源层底部的第一掺杂层；在对有源层进行图形化后，形成位于有源线底部的第一掺杂区。
请参考图6A和图6B，沿所述开口501去除所述牺牲层120，在所述有源线131底部与所述衬底110之间形成间隙600。
采用湿法刻蚀工艺去除所述牺牲层120，本领域技术人员可以根据所述牺牲层120的材料选择合适的刻蚀溶液，使得所述湿法刻蚀过程中，所述牺牲层120和所述有源线131、第一隔离层500有较高的刻蚀选择比，以在去除所述牺牲层120的过程中，减少对所述有源线131和所述第一隔离层500的影响。
在去除所述牺牲层120之后，所述有源线131由所述第一隔离层500支撑，悬空于所述衬底110上方，与衬底110之间形成间隙600。
请参考图7A至图7B，在所述间隙600内填充导电材料，形成沿第一方向延伸的位线701。
可以通过化学气相沉积或物理气相沉积工艺在所述间隙600内沉积导电材料，例如多晶硅或者Cu、Ag或Al等金属材料。
所述导电材料填充满所述间隙600，形成位于所述有源线131底部的位线701；所述导电材料还填充满所述开口301，并覆盖所述第一隔离层200以及有源线131顶部，后续通过回刻蚀或者平坦化处理，去除所述第一隔离层200顶部以及有源线131顶部的导电材料以及通过刻蚀处理去除所述开口301的导电材料，避免相邻有源线131底部的位线701之间相互连接。
请参考图8A至图8C，在所述衬底110表面形成填充满各有源线131之间间距的隔离介质层500，并进行平坦化；在所述有源线131端部形成暴露出所述衬底110表面的通孔801。图8B为沿图8A中割线A-A’的剖面示意图；图8C为沿图8A中割线B-B’的剖面示意图。
所述隔离介质层500的材料为介电材料，用于在各有源线131之间提供电学隔离。该具体实施方式中，所述隔离介质层500的材料为氧化硅。该具体实施方式中，形成所述隔离介质层500的方法为化学气相沉积工艺，在所述衬底110表面形成填充满相邻有源线131之间的间距以及覆盖所述有源线131顶部的隔离材料层之后，对隔离材料层进行平坦化，形成所述隔离介质层500。该具体实施方式中，所述隔离介质层500的顶部与所述有源线131的顶部齐平；在其他具体实施方式中，所述有源线131顶部还保留有用于对由于对有源层进行图形化形成有源线的图形化掩膜层，所述第一隔离层500与所述图形化掩膜层齐平；在其他具体实施方式中，在形成所述第一隔离层500之前，所述图形化掩膜层已被去除，所述第一隔离层500还覆盖所述有源线131的顶部，在后续工艺中，可以对所述有源线131顶部进行保护。
所述隔离介质层500可以提供平坦表面，以形成用于刻蚀有源线131形成通孔的掩膜层。在其他具体实施方式中，也可以不形成所述隔离介质层500，在刻蚀有源线131的过程中，通过掩膜层的材料，例如底部抗反射层等将所述开口301填满，以形成平坦表面。
该具体实施方式中，通过刻蚀位于所述有源线131的端部的第一隔离层200形成所述通孔801，所述通孔801底部侧壁暴露出所述位线701。在其他具体实施方式中，也可以在所述有源线131的其他位置处形成所述通孔801。
请参考图9A至图9C，通过在所述通孔801内填充导电材料，并进行平坦化，形成所述位线连接线702。
所述位线连接线702的底部与所述位线701连接，用于将埋入所述有源线131下方的位线701引出，便于向所述位线701施加控制信号。所述位线701位于所述有源线131下方，与所述有源线131底部的第一掺杂区1311之间形成电连接，沿所述有源线131的延伸方向延伸。
在其他具体实施方式中，所述位线连接线702和所述位线701可以在一个步骤中形成，具体的，可以在形成所述开口301的同时，在所述有源线131的端部也形成通孔801，在位线701的形成过程中，导电材料填充开口301及通孔801之后，在所述端部的通孔801上形成掩膜层，利用所述掩膜层阻止在刻蚀去除所述开口301中的导电材料时对所述有源线131端部的通孔801中导电材料的去除，利用所述有源线131端部通孔801中保留的导电材料形成位线连接线702。
请参考图10A至图10C，对所述有源线131进行图形化，形成若干分立的有源柱132。
通过选择性刻蚀工艺，对所述有源线131进行图形化，形成有源柱132。所述有源柱132沿第一方向(y方向)和第二方向(x方向)阵列排布。该具体实施方式中，仅对所述有源线131进行图形化，在其他具体实施方式中，还可以同时对所述隔离介质层500也进行图形化。该具体实施方式中，所述第一方向和第二方向之间成90°；在其他具体实施方式中，所述第一方向和所述第二方向之间的夹角可以为60°～120°。
在其他具体实施方式中，可以在形成所述有源柱132之后，对所述有源柱进行离子注入形成沟道区以及位于所述沟道区上方的第二掺杂区。
该具体实施方式中，在形成所述有源柱132之后，仅通过离子注入，在所述有源柱132底部的第一掺杂区1311上方，形成沟道区，通过离子注入调整沟道区内的掺杂浓度，以调整形成的晶体管的阈值电压，所述沟道区内可以为P型或N型掺杂，根据阈值电压的要求，选择合适的掺杂类型以及掺杂浓度。在其他具体实施方式中，也可以不用对沟道区进行掺杂。
在其他具体实施方式中，在前述形成有源层130(请参考图1)的过程中，也可以通过原位掺杂，在所述有源层130内形成有掺杂沟道层，在对有源层130进行图形化形成有源柱132后，所述掺杂沟道层被图形化为沟道区。
本发明的具体实施方式中，还可以通过离子注入，在所述沟道区上方形成第二掺杂区；或者在形成有源层130的过程中，通过原位掺杂在对应位置处形成第二掺杂层，从而在对所述有源层130进行图形化形成有源柱132后，所述第二掺杂层被图形化为第二掺杂区。
在其他具体方式中，也可以在前述步骤中不对有源线进行掺杂形成第一掺杂区1311，而是在这一步骤形成有源柱132之后，通过掺杂过渡层的扩散处理或离子注入等方式形成有源柱132底部的第一掺杂区。
请参考图11A至图11C，回刻蚀所述第一隔离层200和隔离介质层500，暴露出部分高度的有源柱132。
在刻蚀所述第一隔离层200和隔离介质层500之前，还包括在相邻的有源柱132之间的开口内填充隔离介质材料，同时对所述第一隔离层200、隔离介质层500以及所述隔离介质材料进行回刻蚀，分别形成回刻蚀后的第一隔离层200a、隔离介质层500a以及隔离介质层501，高度与所述第一掺杂区1311相当。该具体实施方式中，回刻蚀后的第一隔离层200a、隔离介质层500a、501的表面与所述第一掺杂区1311的顶部齐平。在其他具体实施方式中，所述第一隔离层200a、隔离介质层500a、501的表面可以略低于或略高于所述第一掺杂区1311的顶部边界，暴露出所述有源柱132位于所述第一掺杂区1311上方的区域。
在对所述第一隔离层200进行回刻蚀的过程中，可以通过掩膜覆盖所述位线连接线702以及相邻位线连接线702之间的部分第一隔离层200，使其不被刻蚀，避免对所述位线连接线702造成损伤。
在其他具体实施方式中，也可以对各位置处的第一隔离层200均进行回刻蚀。
请参考图12A至图12C，在回刻蚀后的第一隔离层200a、隔离介质层500a、501表面以及暴露的有源柱132表面依次形成栅介质层以及栅电极层；对所述栅介质层和所述栅电极层进行图形化，形成环绕所述有源柱的沟道区的栅极结构1000，并暴露出所述有源柱132的顶部区域。所述栅极结构1000包括栅电极以及栅介质层，其中图12A中仅示出了栅电极，省略了栅电极层。
在沉积所述栅介质层以及栅电极层之前，还包括在沿第一方向排列的有源柱132之间的间隙内填充隔离材料，并回刻蚀至第一掺杂区1311高度，覆盖所述第一掺杂区1311。
所述栅介质层可以为氧化硅、氧化铪、氧化铝等栅介质材料；所述栅电极层的材料可以为多晶硅、钨、铜或铝等导电材料。可以通过沉积工艺，依次形成覆盖所述图11A结构表面的栅介质层以及栅电极层；然后通过刻蚀工艺，随所述栅介质层和栅电极层进行图形化，形成所述栅极结构1000。所述栅极结构1000环绕有源柱132的沟道区。
该具体实施方式中，沿第二方向(x方向)排列的同一直线上的有源柱132表面的栅极结构1000的栅电极相连，构成字线。
在其他具体实施方式中，各个有源柱132表面的栅极结构1000之间也可以是相互独立的。
为了使得各栅极结构1000之间进行电学隔离，在形成所述栅极结构1000之后，还包括在相邻栅极结构1000之间填充隔离介质层1001。
请参考图13，形成所述栅极结构1000之后，对所述有源柱132的顶部区域进行离子注入，形成所述第二掺杂区1321。
所述第二掺杂区1321的掺杂类型与所述第一掺杂区1311的掺杂类型一致，所述第二掺杂区1321和所述第一掺杂区1311分别作为竖直型晶体管的源极或漏极。在其他具体实施方式中，所述第二掺杂区1321还可以在前述的步骤中，采用合适的原位掺杂、扩散或者注入方式形成，在此不再赘述。
请参考图14A至图14C，形成覆盖所述栅极结构1000、第二掺杂区1321的第二隔离层1200，所述第二隔离层1200暴露出所述位线连接线702和所述第二掺杂区1321的顶部表面。
所述第二隔离层1200的材料可以为氧化硅、氮氧化硅等绝缘介质材料，所述第二隔离层1200与所述第一隔离层200、200a以及隔离介质层500a、501、1001形成各竖直型晶体管之间的隔离层，并且为在所述竖直型晶体管上方形成其他半导体结构或材料层提供平坦表面。
上述形成方法在衬底上形成竖直型晶体管，且在所述竖直型晶体管底部的第一掺杂区下方与衬底之间形成埋入式的位线，从而可以减少晶体管的面积，并同时解决了如何对竖直晶体管的施加位线信号的问题。
本发明的具体实施方式还提供一种半导体结构。
请参考图14A至图14C，为本发明一具体实施方式的半导体结构的结构示意图。
所述半导体结构包括：衬底110；位于所述衬底110上的竖直型晶体管；与所述竖直型晶体管底部连接，且位于所述竖直型晶体管底部与所述衬底110之间的位线701。该具体方式中，所述半导体结构如图14A至14C所示。
在本发明的其他具体实施方式中，所述半导体结构可以采用上述具体实施方式中的方法形成，也可以采用其他方法。所有具有竖直晶体管，以及位于竖直晶体管底部的埋入式位线的半导体结构，均可以作为本申请所要求保护的半导体结构。
该具体实施方式中，所述竖直型晶体管包括自衬底110表面向上的方向上依次设置的第一掺杂区1311、沟道区1322、第二掺杂区1321以及环绕所述沟道区1322设置的栅极结构1000。
所述半导体结构上形成有多个所述竖直型晶体管，沿第一方向(y方向)和第二方向(x方向)阵列分布，沿第一方向排列的同一直线上的竖直型晶体管底部的第一掺杂区1311连接至同一位线701；沿第二方向排列的同一直线上的竖直型晶体管的栅极结构1000相连接。
所述半导体结构还包括：位于所述衬底110上形成于各竖直型晶体管之间的隔离层，所述隔离层包括位于不同直线上的位线701、第一掺杂区1311之间的隔离介质层500a，以及位于同一直线上的相邻第一掺杂区1311之间的隔离介质层501、相邻栅极结构1000之间的隔离介质层1001，以及位于所述隔离介质层1001表面，相邻第二掺杂区1321之间的第二隔离层1200、位于竖直晶体管外围的第一隔离层200a。
所述半导体结构还包括：贯穿所述隔离层的通孔，所述通孔内形成有位线连接线702，所述位线连接线702底部连接至所述位线701。该具体实施方式中，所述位线连接线702位于晶体管阵列的一侧边缘，沿y方向排列的每一行晶体管的一侧，均形成有一位线连接线702与该行晶体管下方的位线701连接，相邻位线连接线702之间具有第一隔离层200。
在一些具体实施方式中，所述竖直晶体管的第一掺杂区1311、沟道区1322、第二掺杂区1321位于同一有源柱内，所述有源柱为一体结构，通过掺杂形成了所述第一掺杂区1311、沟道区1322、第二掺杂区1321。在其他具体实施方式中，所述竖直晶体管的沟道区1322和第二掺杂区1321形成于所述第一掺杂区1311表面的外延半导体柱内，所述沟道区1322和第二掺杂区1321所在的半导体层和所述外延半导体柱非一体结构，而是分开形成的。
所述第一掺杂区1311和/或所述第二掺杂区1321内的掺杂离子通过扩散或离子注入方式形成。
本发明的具体实施方式还提供一种存储器及其形成方法。
首先提供一半导体结构，所述半导体结构包括：衬底；位于所述衬底上的竖直型晶体管；与所述竖直型晶体管底部连，且位于所述竖直型晶体管底部与所述衬底之间的位线。该具体方式中，所述半导体结构如图14A至14C所示。所述半导体结构可以采用上述具体实施方式中的方法形成，也可以采用其他方法。所有具有竖直晶体管，以及位于竖直晶体管底部的埋入式位线的半导体结构，均可以作为本申请所要求保护的半导体结构。
请参考图15，在所述竖直型晶体管上方形成存储单元1300，所述存储单元1300连接至所述竖直型晶体管的第二掺杂区1321。
在一个具体实施方式中，所述存储器为DRAM存储器，所述存储单元1300为金属电容器，包括上电极、下电极以及位于上、下电极之间的电容介质层。所述电容器的结构可以为平面电容器、柱形电容器等，本领域技术人员可以根据需求，选择合适结构的电容器作为存储单元。图15中，所述存储单元1300仅为示例，并不代表电容器的实际结构。该具体实施方式中，每个晶体管的第二掺杂区1321连接至一个存储单元，构成1T1C的存储结构。所述存储单元可以包括一个电容器，或两个以上并联的电容器。
在其他具体实施方式中，为了降低所述第二掺杂区1321与所述存储单元1300之间的连接电阻，还可以在所述第二掺杂区1321表面形成金属接触层，然后再在所述金属接触层表面形成所述存储单元。
所述存储单元1300形成与介质层(图中未示出)内，还可以在所述介质层内形成连接所述位线连接线702以及栅极结构1000的互连结构，用于将所述位线以及字线连接至外部电路。
在本发明的其他具体实施方式中，所述存储单元还可以为磁性存储单元、铁电存储单元、相变存储单元或电阻存储单元。
请参考图16，为本发明一具体实施方式的存储器的结构示意图。
所述存储器为FeRAM存储器，在图14A所示的半导体结构的竖直型晶体管的第二掺杂区1321上方形成铁电存储单元1400。
所述铁电存储单元包括与所述的第二掺杂区1321连接的下电极、位于所述下电极上方的上电极、以及位于所述上、下电极之间的铁电材料层所构成的铁电电容。所述铁电材料层的材料可以为PZT(锆钛酸铅)或SBT(钛酸钡锶)。图16中的铁电存储单元1400仅为示意，并不代表实际的铁电存储单元的结构。本领域技术人员，应当能够根据需要结合，形成相应结构的铁电存储单元1400，在此不作限制。
对于铁电存储单元1400，还需要在所述铁电存储单元1400上方，形成与上电极连接的板线1401。该具体实施方式中，沿第二方向(x方向)上排列的位于同一之下上的铁电存储单元连接至同一根板线1401，通过所述板线1401和下方的竖直晶体管，可以实现对所述铁电存储单元1400的双向加压，从而利用铁电材料层的性质进行数据存储。
在其他具体实施方式中，还可以在所述竖直晶体管的第二掺杂区1321上形成磁性存储单元，所述磁性存储单元包括磁性隧道结，所述磁性隧道结包括固定层、自由层以及位于所述固定层和自由层之间的介质层。所述固定层连接至所述第二掺杂区1321。
在其他具体实施方式中，还可以形成其他结构或类型的存储单元，例如电容存储单元、磁性存储单元、铁电存储单元、相变存储单元或者电阻存储单元以形成对应的存储器。
上述存储器及其形成方法，采用竖直型晶体管作为与存储单元连接的控制晶体管，以及与所述控制晶体管连接的埋入型的位线，可以提高存储器的存储密度。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (19)

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有牺牲层和位于所述牺牲层上的有源层；
对所述有源层和所述牺牲层进行图形化，形成凹槽，所述凹槽将所述有源层和所述牺牲层分割为若干有源区；
在所述凹槽内填充以形成包围所述有源区的第一隔离层；
对所述有源区内的有源层进行图形化，形成若干分立的有源图形，所述有源图形至少有一侧壁或端部与所述第一隔离层连接；
沿相邻所述有源图形之间的开口去除所述牺牲层，形成位于所述有源图形底部与所述衬底之间的间隙；
在所述间隙内形成位线。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述位线后，形成填充满相邻有源图形之间的隔离介质层。
3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述有源图形为平行排列且沿第一方向延伸的有源线，所述有源线的至少一个端部侧壁与所述第一隔离层连接；还包括：在所述位线形成之后，对所述有源线进行图形化，形成若干沿第一方向和第二方向阵列排布的有源柱。
4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成位于所述有源柱底部向上依次设置的第一掺杂区、沟道区、第二掺杂区，以及形成环绕所述沟道区的栅极结构。
5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂区、沟道区、第二掺杂区的形成方法包括：采用原位掺杂工艺，在采用外延生长工艺形成所述有源层的过程中，对所述有源层进行掺杂，依次形成第一掺杂层、沟道掺杂层以及第二掺杂层；在图形化所述有源层形成所述有源柱后，所述第一掺杂层、沟道掺杂层以及第二掺杂层被分别被图形化为自有源柱底部向上依次设置的所述第一掺杂区、所述沟道区以及所述第二掺杂区。
6.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂区的形成方法包括：对所述有源图形的底部区域进行离子注入；所述第二掺杂区的形成方法包括：对所述有源图形的顶部区域进行离子注入。
7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述位线的形成方法进一步包括：形成填充满所述间隙以及所述开口的导电材料层；对所述导电材料层进行图形化，仅保留位于所述有源图形底部的沿第一方向延伸的部分导电材料层作为位线。
8.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：刻蚀所述第一隔离层或所述有源线的端部，形成通孔；在所述通孔内填充导电材料，形成位线连接线，所述位线连接线的底部与所述位线连接。
9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述通孔位于有源区边缘。
10.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述位线连接线与所述位线在同一工艺步骤中形成。
11.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂区的形成方法包括：在形成所述有源线或有源柱之后，在相邻有源线或有源柱之间的衬底表面形成具有掺杂元素的过渡层；通过扩散处理，将过渡层内的至少部分掺杂元素扩散进入有源线或有源柱内，形成所述第一掺杂区。
12.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构的形成方法包括：回刻蚀所述第一隔离层和所述隔离介质层，暴露出所述第一掺杂区之上的有源柱；在回刻蚀后的第一隔离层和隔离介质层表面以及暴露的有源柱表面依次形成栅介质层以及栅电极层；对所述栅介质层和所述栅极层进行图形化，形成环绕所述有源柱的沟道区的栅极结构，并暴露出所述有源柱的顶部区域。
13.根据权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，位于第二方向排列的同一列上的有源柱表面的栅极结构相连。
14.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成覆盖所述栅极结构、第二掺杂区的第二隔离层，所述第二隔离层暴露出所述第二掺杂区的顶部表面。
15.一种半导体结构，其特征在于，包括：采用权利要求1至14中任一项所述的方法形成。
16.一种存储器，其特征在于，包括：
如权利要求15所述的半导体结构；
位于所述半导体结构上方的存储单元，所述存储单元连接至所述有源图形的顶部。
17.根据权利要求16所述的存储器，其特征在于，所述存储单元包括电容存储单元、磁性存储单元、铁电存储单元、相变存储单元或者电阻存储单元。
18.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：
提供如权利要求15所述的半导体结构；
在所述半导体结构上方形成存储单元，所述存储单元连接至所述有源图形的顶部。
19.根据权利要求18所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述存储单元包括电容存储单元、磁性存储单元、铁电存储单元、相变存储单元或者电阻存储单元。
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