CN113451279A - 电容器及电子装置 - Google Patents

Abstract

本揭露提供一种电容器及电子装置。电容器设置于具有突出物的基板上。电容器包括第一电极、第二电极以及绝缘层。第一电极具有第一电压。第二电极具有与第一电压不同的第二电压。第二电极比第一电极更靠近基板。绝缘层设置于第一电极与第二电极之间。突出物贯穿第二电极并延伸至绝缘层中。电子装置包括上述的电容器。本揭露实施例的电容器及电子装置可具有较佳的良率。

Description

电容器及电子装置

技术领域

本揭露涉及一种电容器及电子装置，尤其涉及一种具有较佳良率的电容器及电子装置。

背景技术

显示面板已广泛地应用于电子设备例如移动电话、电视、监视器、平板电脑、车用显示器、穿戴装置以及台式电脑中。随电子产品蓬勃发展，对于电子产品上的显示品质的要求越来越高，使得用于显示的电子装置不断朝向更大或更高解析度的显示效果改进。

发明内容

本揭露是提供一种电容器及电子装置，其具有较佳的良率。

根据本揭露的实施例，电容器设置于具有突出物的基板上。电容器包括第一电极、第二电极以及绝缘层。第一电极具有第一电压。第二电极具有与第一电压不同的第二电压。第二电极比第一电极更靠近基板。绝缘层设置于第一电极与第二电极之间。突出物贯穿第二电极并延伸至绝缘层中。

根据本揭露的实施例，电子装置包括上述的电容器。

附图说明

包含附图以便进一步理解本揭露，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本揭露的实施例，并与描述一起用于解释本揭露的原理。

图1为本揭露一实施例的电子装置的剖面示意图；

图2A至图2H为图1的电子装置的制作方法的剖面示意图；

图2I为图2H的电子装置的立体示意图；

图2J为图2H的电容器在基板的法线方向上的正投影的示意图；

图3A至图3H为本揭露另一实施例的电子装置的制作方法的剖面示意图；

图3I为图3H的电子装置的立体示意图。

附图标号说明

100、100a：电子装置；

110：基板；

110a：上表面；

110b：下表面；

111、111’：突出物；

111a、111a’：延伸部；

111b、111b’：另一部分；

111T：顶部；

120：膜层；

121：表面；

122：部分；

130：绝缘层；

140、140a：电容器；

141：第一电极；

142：第二电极；

142a：顶表面；

142b：底表面；

143：电极材料层；

1431、1431a：开口；

1431a’：边缘；

1432：凹陷处；

143a：残留电极部；

143c1：顶端；

143b：主电极部；

143b1、143d1：部分；

143b2、143d2：另一部分；

143c：第一区块；

143d：第二区块；

143G：间隙；

150：晶体管；

160、160a、160b：光致抗蚀剂层；

162：光罩；

170：第一绝缘层；

171：第二绝缘层；

172：保护层

173：平坦层；

D1：距离；

GE：栅极；

GI：栅极绝缘层；

P1、P2、P3、P4：正投影；

SD：源极；

SD’：第一接触孔；

SD1：漏极；

SD1’：第二接触孔；

SE：主动层；

T1、T2：厚度；

Y：法线方向。

具体实施方式

通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及为了附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。举例来说，膜层的材料、膜层的厚度、膜层的轮廓、晶体管的结构、电路布局等仅是示例性的，且尺寸或范围也仅是示例性的，本揭露不以此为限。

在下文说明书与权利要求中，“含有”与“包括”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。

应了解到，当元件或膜层被称为在另一个元件或膜层“上”或“连接到”另一个元件或膜层时，它可以直接在此另一元件或膜层上或直接连接到此另一元件或层，或者两者之间存在有插入的元件或膜层(非直接情况)。相反地，当元件被称为“直接”在另一个元件或膜层“上”或“直接连接到”另一个元件或膜层时，两者之间不存在有插入的元件或膜层。

虽然术语第一、第二、第三…可用以描述多种组成元件，但组成元件并不以此术语为限。此术语仅用于区别说明书内单一组成元件与其他组成元件。权利要求中可不使用相同术语，而依照权利要求中元件宣告的顺序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文说明书中，第一组成元件在权利要求中可能为第二组成元件。

于文中，“约”、“大约”、“实质上”、“大致上”的用语通常表示在一给定值或范围的10％内、或5％内、或3％之内、或2％之内、或1％之内、或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“实质上”、“大致上”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“实质上”、“大致上”的含义。此外，用语“范围为第一数值至第二数值”、“范围介于第一数值至第二数值之间”表示所述范围包含第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。

在本揭露一些实施例中，关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构为直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。此外，用语“耦接”包含任何直接及间接的电性连接手段。

在本揭露中，长度与宽度的测量方式可以是采用光学显微镜测量而得，厚度则可以由电子显微镜中的剖面图像测量而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。

本揭露的电子装置可包括显示装置、天线装置、感测装置、触控电子装置(touchdisplay)、曲面电子装置(curved display)或非矩形电子装置(free shape display)，但不以此为限。电子装置可为可弯折或可挠式电子装置。电子装置可例如包括发光二极管(light emitting diode，LED)、液晶(liquid crystal)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、量子点(quantum dot，QD)、其它合适的显示介质、或前述的组合，但不以此为限。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、无机发光二极管(inorganic light-emitting diode，LED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点(quantum dot，QD)发光二极管(QLED、QDLED)、或其他适合的材料或上述的任意排列组合，但不以此为限。其中，发光二极管的芯片尺寸约为300微米至10毫米，次毫米发光二极管的芯片尺寸约为100微米至300微米，且微发光二极管的芯片尺寸约为1微米至100微米，但不以此为限。此外，显示装置可例如包括拼接显示装置，但不以此为限。天线装置可例如是液晶天线，但不以此为限。天线装置可例如包括天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统、层架系统…等周边系统以支援显示装置、天线装置或拼接装置。下文将以电子装置说明本揭露内容，但本揭露不以此为限。

须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。

现将详细地参考本揭露的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。

图1为本揭露一实施例的电子装置的剖面示意图。图2A至图2H为图1的电子装置的制作方法的剖面示意图。图2I为图2H的电子装置的立体示意图。图2J为图2H的电容器在基板的法线方向上的正投影的示意图。为了附图清楚及方便说明，图2A至图2H省略示出了电子装置中的若干元件。

请参照图1，本实施例的电子装置100包括基板110、膜层120、绝缘层130、电容器140以及晶体管150。基板110具有突出物111。详细而言，突出物111位于基板110的上表面110a上。在本实施例中，基板110可包括软性基板、硬质基板、或其组合。举例来说，基板110的材料可包括聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、玻璃、其它合适的基板材料、或前述的组合，但不以此为限。在本实施例中，突出物111的材料可包括金属、其他具有导电特性的材料、或前述的组合，但不以此为限。在一些实施例中，突出物111也可以是不具有导电特性的材料。

在本实施例中，膜层120设置于基板110的上表面110a上，并曝露出突出物111的延伸部111a。即，位于基板110的上表面110a的突出物111会贯穿并穿透膜层120的表面121，以使突出物111的延伸部111a曝露于膜层120外。膜层120的表面121为远离基板110的表面。绝缘层130设置于膜层120上，并覆盖由膜层120曝露出的突出物111的延伸部111a。

如图1所示，电容器140与晶体管150可设置于具有突出物111的基板110上。电容器140可用于稳定电压差，以使电压电平稳定且不易变动。电容器140包括第一电极141、第二电极142以及部分的绝缘层130。第一电极141具有第一电压。第二电极142具有与第一电压不同的第二电压。第二电极142比第一电极141更靠近基板110。绝缘层130设置于第一电极141与第二电极142之间。突出物111可贯穿第二电极142并延伸至绝缘层130中。突出物111贯穿第二电极142，可形成突出物111和第二电极142之间的间隙143G。突出物111延伸至绝缘层130中的部分可称为延伸部111a。因此，突出物111的延伸部111a可延伸至绝缘层130中且可与第二电极142电性分离。

接着，请同时参照图1、图2A至图2H以及图2I，以下将针对本实施例的电子装置100中的电容器140的制作方法进行说明。

首先，请参照图1与图2A，形成膜层120于具有突出物111的基板110上，以使膜层120覆盖基板110的上表面110a并曝露出突出物111的延伸部111a。其中，突出物111的高度可为1微米至2微米之间，但不以此为限。突出物111的延伸部111a的轮廓可以为圆弧形或不具有锐角，但不以此为限。突出物111的另一部分111b则会贯穿膜层120并接触基板110的上表面110a。在本实施例中，膜层120可以为单层或多层结构的绝缘层，且可以包括有机材料、无机材料或前述的组合，但不以此为限。

接着，请参照图1与图2B，形成电极材料层143于膜层120的表面121上以及突出物111的延伸部111a上。电极材料层143可以包括透明导电材料或非透明导电材料，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化铟、氧化锌、氧化锡、金属材料(例如铝、钼、铜、银等)、其它合适的材料或上述组合，但不以此为限。在本实施例中，在形成电极材料层143时，由于突出物111的延伸部111a的轮廓为圆弧形或不具有锐角，因而遮蔽了膜层120的部分122并阻碍电极材料层143沉积在膜层120的部分122上，进而使得沉积后的电极材料层143为不连续的膜层且具有间隙143G。详细而言，间隙143G可将电极材料层143分为残留电极部143a和主电极部143b。残留电极部143a设置于突出物111的顶部111T，亦即，设置在延伸部111a的顶部111T。主电极部143b设置于膜层120的表面121上，将经由后续微影和蚀刻制程，而作为电容器140的第二电极142。主电极部143b经由电极材料层143的间隙143G而与突出物111的延伸部111a物理分离且电性分离。间隙143G所曝露出膜层120的部分122，可称作曝露部。

残留电极部143a可经由间隙143G而与主电极部143b彼此物理分离且电性分离。亦即，主电极部143b将经由后续微影和蚀刻制程而作为电容器140的第二电极142。残留电极部143a则与主电极部143b电性分离，而并不作为第二电极142。因此，后续形成的第二电极142具有开口1431，且突出物111设置在开口1431内。

再者，请参照图1与图2C，形成光致抗蚀剂层160于电极材料层143上，以使光致抗蚀剂层160覆盖电极材料层143的残留电极部143a、主电极部143b、膜层120的部分122，并填入电极材料层143的间隙143G内。其中，相较于覆盖在主电极部143b上的光致抗蚀剂层160的厚度，覆盖在残留电极部143a上的光致抗蚀剂层160的厚度可以较小，但不以此为限。

然后，请参照图1与图2D，在设置光罩162来遮蔽位于电极材料层143的残留电极部143a上以及主电极部143b的部分143b1上的光致抗蚀剂层160(即光致抗蚀剂层160a)之后，对光致抗蚀剂层160进行曝光制程(例如是以紫外光进行照射，但不以此为限)，以使得未被光罩162遮蔽的光致抗蚀剂层160(即光致抗蚀剂层160b)变性。

而后，请参照图1与图2E，对光致抗蚀剂层160a、160b进行显影步骤，以移除变性后的光致抗蚀剂层160b，并曝露出电极材料层143的主电极部143b的另一部分143b2。

接着，请参照图1与图2F，进行蚀刻制程，以移除由光致抗蚀剂层160a所曝露出的电极材料层143的主电极部143b的另一部分143b2。

然后，请参照图1与图2G，移除光致抗蚀剂层160a，并曝露出电极材料层143的残留电极部143a、主电极部143b的部分143b1以及间隙143G，以形成第二电极142。其中，第二电极142包括电极材料层143的主电极部143b的部分143b1。

最后，请参照图1、图2H以及图2I，先形成绝缘层130于第二电极142的顶表面142a上，以使绝缘层130覆盖膜层120与第二电极142，并使绝缘层130填入于间隙143G内。在本实施例中，绝缘层130可以为单层或多层结构，且可例如包括有机材料、无机材料(例如氮化物、氧化物，但不以此为限)或前述的组合，但不以此为限。接着，形成第一电极141于绝缘层130上，以制作完成本实施例的电容器140。如图2H所示，在电容器140中，残留电极部143a设置于突出物111的顶部111T，残留电极部143a与第二电极142为相同材料。突出物111的延伸部111a和第二电极142之间有间隙143G，绝缘层130填入间隙143G内。突出物111的延伸部111a通过电极材料层143的间隙143G而与第二电极142彼此电性分离。如此，可避免导电性的突出物111与第二电极142短路而造成电容器140失效。

依据一些实施例，残留电极部143a于基板110的法线方向Y上的正投影和开口1431于基板110的法线方向Y上的正投影可为至少部分重叠。图2J显示电容器140在基板110法线方向Y上的正投影。例如，依据一些实施例，如图2H和图2J所示，残留电极部143a于基板110的法线方向Y上的正投影为P1，第二电极142于基板110的法线方向Y上的正投影为P2，第二电极142的开口1431于基板110的法线方向Y上的正投影为P3。残留电极部143a于基板110的法线方向Y上的正投影P1，可完全在开口1431于基板110的法线方向Y上的正投影P3的范围内，而且，正投影P1的面积可小于正投影P3的面积。如此，在基板110的正投影上，可看出环状间隔投影P4，环状间隔投影P4系环绕残留电极部143a的正投影P1，且位于残留电极部143a的正投影P1和第二电极142的正投影P2之间。

依据一些实施例，欲举证产品是否具有本案揭露之电容器140时，可观察电容器140中第二电极142的图案。具体而言，例如，如图2H和图2J所示，可使用电子显微镜或X射线分析仪，由基板110的下表面110b以法线方向Y观察电容器140的位置。在残留电极部143a和第二电极142为相同材料的情况下，若观察到电容器140的第二电极142相对位置上有环状间隔，可知道此环状间隔为残留电极部143a的正投影P1和第二电极142之间的环状间隔投影P4。亦即，可知此产品具符合本揭露的电容器的特征。

此外，依据一些实施例，突出物111的延伸部111a于基板110的法线方向Y上的正投影和开口1431于基板110的法线方向Y上的正投影可为至少部分重叠。

此外，在本实施例中，第二电极142的底表面142b与基板110的上表面110a之间的距离D1可以不小于1500埃且不大于7000埃，但不以此为限。在一些实施例中，第二电极142的底表面142b与基板110的上表面110a之间的距离D1可以不小于2500埃且不大于6000埃。在一些实施例中，第二电极142的厚度T1可以为200埃至800埃，但不以此为限。在一些实施例中，膜层120的厚度T2可以为5000埃，但不以此为限。其中，距离D1例如是在第二电极142的底表面142b与基板110的上表面110a之间沿着法线方向Y进行测量到的最小距离。厚度T1例如是第二电极142沿着法线方向Y进行测量到的最小距离。厚度T2例如是膜层120沿着法线方向Y进行测量到的最小距离。

此外，请再继续参照图1，在本实施例中，晶体管150设置于基板110上。晶体管150包括主动层SE、源极SD、漏极SD1、栅极GE以及部分的栅极绝缘层GI。主动层SE可为半导体。主动层SE设置于绝缘层130上。栅极绝缘层GI设置于主动层SE以及第一电极141上，并覆盖绝缘层130。栅极GE设置于栅极绝缘层GI上，并对应于主动层SE设置。此外，在一些实施例中，电容器140的第一电极141可设置于与主动层SE为同一层。在一些实施例中，主动层SE和第一电极141可为相同材料，但不以此为限。在一些实施例中，主动层SE可设置在基板110和栅极GE之间，但不以此为限。在本实施例中，第一电极141的材料与主动层SE的材料可以包括非晶硅(amorphous silicon)、多晶硅(polysilicon)(例如低温多晶硅LTPS)、金属氧化物(例如氧化铟镓锌IGZO)、其他合适的材料或上述的组合，但不以此为限。在其他实施例中，不同的晶体管可包含不同的半导体的材料，但不以此为限。

在一些实施例中，晶体管150中的主动层SE设置在绝缘层130之上，电容器140中的第二电极142设置在绝缘层130之下。换言之，第二电极142是设置在主动层SE的位置之下，且比主动层SE更靠近基板110。在一些实施例中，晶体管150可包括遮光层(未显示)，设置在主动层SE之下且在主动层SE的对应位置处。遮光层可和第二电极142为相同层，亦即，可形成一导电层，再将此导电层图案化而形成晶体管150中的遮光层和电容器140中的第二电极142。

在本实施例中，电子装置100还可包括第一绝缘层170、第二绝缘层171、保护层172以及平坦层173。其中，第一绝缘层170设置于栅极GE上，并覆盖栅极绝缘层GI。第二绝缘层171设置于第一绝缘层170上。源极SD与漏极SD1分别设置于第二绝缘层171上。源极SD可以通过贯穿第二绝缘层171、第一绝缘层170以及栅极绝缘层GI的第一接触孔SD’而电性连接至主动层SE，且漏极SD1可以通过贯穿第二绝缘层171、第一绝缘层170以及栅极绝缘层GI的第二接触孔SD1’电性连接至主动层SE。保护层172设置于源极SD与漏极SD1上，并覆盖第二绝缘层171。平坦层173设置于保护层172上。在本实施例中，源极SD和/或漏极SD1的材料可以包括透明导电材料或非透明导电材料，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化铟、氧化锌、氧化锡、金属材料(例如铝、钼、铜、银等)、其它合适的材料或上述组合，但不以此为限。在本实施例中，第一绝缘层170、第二绝缘层171、保护层172以及平坦层173可以为单层或多层结构，且可例如包括有机材料、无机材料或前述的组合，但不以此为限。

虽然在本实施例的电子装置100中，突出物111的延伸部111a的轮廓可以为圆弧形或不具有锐角，但本揭露并不对突出物111的延伸部111a的轮廓的形状加以限制。也就是说，在一些实施例中，突出物的延伸部的轮廓也可以为尖锥形或具有锐角，如图3A-图3I所示。在一些实施例中，突出物的延伸部的轮廓也可以为多边形或不规则形(未示出)等。

虽然在本实施例的电子装置100的电容器140中，第二电极142为设置在膜层120与绝缘层130之间的导电层，第一电极141为设置在绝缘层130与栅极绝缘层GI之间且与主动层SE为同一层的导电层，但本揭露并不对电容器140中的第一电极141与第二电极142的位置加以限制。也就是说，在一些实施例中，电容器中的第一电极与第二电极也可以是位于电子装置中的其他叠层的导电层，例如金属层、半导体层或透明导电层等(未示出)，但不以此为限，只要使电容器可用于稳定电压差即可。举例来说，在作为背光模块、显示装置或拼接显示装置的次毫米发光二极管所对应的像素结构中，电容器中的第一电极可以为设置在源极/漏极与栅极之间的金属层，第二电极可以为与栅极同一层的金属层(未示出)；在可挠式液晶显示装置所对应的像素结构中，电容器中的第一电极可以为公用电极，第二电极可以为像素电极(未示出)。

简言之，在本揭露实施例的电容器140及含有电容器140的电子装置100中，通过将电容器140的第二电极142设置于膜层120与绝缘层130之间(或是将电容器140的第二电极142设置为比主动层SE更靠近基板110的导电层)，并将电容器140的第一电极141设置于与主动层SE为同一层(或是将电容器140的第一电极141设置为与主动层SE同一层且与主动层SE彼此分离的导电层)，因而使得制作完成后的电容器140的第二电极142可以与延伸至绝缘层130中的突出物111的延伸部111a电性分离。由于电容器140的第二电极142可以与延伸至绝缘层130中的突出物111的延伸部111a电性分离，因而使得电容器140不会因为突出物111而短路或失效，且使得电容器140仍可以有效地运作。如此一来，可使得本揭露实施例的电容器140及含有电容器140的电子装置100具有较佳的良率。

以下将列举其他实施例以作为说明。在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。

图3A至图3H为本揭露另一实施例的电子装置的制作方法的剖面示意图。图3I为图3H的电子装置的立体示意图。请同时参照图2A-图2I与图3A-图3I，本实施例的电子装置100a大致相似于图2A-图2I的电子装置100，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例的电子装置100a不同于电子装置100之处主要在于，本实施例的突出物111’的延伸部111a’的轮廓为尖锥形或具有锐角。

请参照图3A至图3H以及图3I，以下将针对本实施例的电子装置100a中的电容器140a的制作方法进行说明。

首先，请先参照图3A，形成膜层120在具有突出物111’的基板110上，以使膜层120覆盖基板110的上表面110a并曝露出突出物111’的延伸部(上部)111a’。突出物111’的另一部分111b’(下部)可往下贯穿膜层120并嵌入于基板110内。

接着，请参照图3B，形成电极材料层143于膜层120的表面121上以及突出物111’的延伸部111a’上。在本实施例中，在形成电极材料层143时，由于突出物111’的延伸部111a’的轮廓为尖锥形或具有锐角，因而不会遮蔽膜层120的部分122且不会阻碍电极材料层143沉积在膜层120的部分122上，进而使得沉积后的电极材料层143为连续的膜层且具有凹陷处1432。详细来说，凹陷处1432对应于膜层120的部分122设置。凹陷处1432可邻接且环绕突出物111’的延伸部111a’，以将电极材料层143分为第一区块143c、凹陷处1432以及第二区块143d。第一区块143c设置于突出物111’的延伸部111a’上，第二区块143d设置于膜层120的表面121上，且第一区块143c与第二区块143d彼此连接。此外，相较于第二区块143d的厚度，第一区块143c的厚度可以较小，但不以此为限。

再者，请参照图3C，形成光致抗蚀剂层160于电极材料层143上，以使光致抗蚀剂层160覆盖电极材料层143的第一区块143c、凹陷处1432以及第二区块143d，并曝露出第一区块143c的顶端143c1(即对应于突出物111’的延伸部111a’的尖端处)。其中，相较于覆盖在第二区块143d上的光致抗蚀剂层160的厚度，覆盖在第一区块143c上的光致抗蚀剂层160的厚度可以较小，但不以此为限。

然后，请参照图3D，在设置光罩162来遮蔽位于电极材料层143的第一区块143c上、凹陷处1432上以及第二区块143d的部分143d1上的光致抗蚀剂层160(即光致抗蚀剂层160a)之后，对光致抗蚀剂层160进行曝光制程(例如是以紫外光进行照射，但不以此为限)，以使得未被光罩162遮蔽的光致抗蚀剂层160(即光致抗蚀剂层160b)变性。

而后，请参照图3E，对光致抗蚀剂层160a、160b进行显影步骤，以移除变性后的光致抗蚀剂层160b，并曝露出电极材料层143的第二区块143d的另一部分143d2。

接着，请参照图3F，进行蚀刻制程，以移除由光致抗蚀剂层160a所曝露出的电极材料层143的第二区块143d的另一部分143d2。此外，由于光致抗蚀剂层160a还曝露出第一区块143c的顶端143c1，因而使得在进行蚀刻制程时，可进一步地将第一区块143c的顶端143c1移除，并可将其余的第一区块143c与凹陷处1432以及位于第一区块143c与凹陷处1432上的部分光致抗蚀剂层160a都移除。如此，电极材料层143经蚀刻制程后，剩下第二区块143d的部分143d1，亦即，所需的第二电极142的部分。如此，第二电极142具有开口1431a，且突出物111’设置在开口1431a内。再者，蚀刻之后，间隙143G形成于突出物111’和第二电极142之间。

然后，请参照图3G，移除剩余的光致抗蚀剂层160a，并曝露出电极材料层143的第二区块143d的部分143d1，以形成第二电极142。其中，第二电极142包括电极材料层143的第二区块143d的部分143d1。

最后，请参照图3H以及图3I，先形成绝缘层130于第二电极142上，以使绝缘层130覆盖膜层120与第二电极142，并使绝缘层130填入于间隙143G内。接着，形成第一电极141于绝缘层130上，以制作完成本实施例的电容器140a。如图3H所示，在电容器140中，突出物111’的延伸部111a’和第二电极142之间有间隙143G，绝缘层130填入间隙143G内。如此，突出物111’的延伸部111a’可通过间隙143G而与第二电极142彼此电性分离。如此，可避免导电性的突出物111’与第二电极142短路而造成电容器140失效。

依据一些实施例，欲举证产品是否具有本案揭露的电容器140a时，可观察电容器140a中第二电极142的图案。具体而言，例如，如图3H所示，可使用电子显微镜或X射线分析仪，由基板110的下表面110b以法线方向Y观察电容器140a的位置。若观察到电容器140a的第二电极142相对位置上有开口的正投影，可知道此开口的正投影为第二电极142所具有的开口1431a。亦即，可知此产品具符合本揭露的电容器的特征。所观察到开口的正投影可为圆形、椭图形、或多边形，但不以此为限，也可为其他形状。

综上所述，在本揭露实施例的电容器及含有所述电容器的电子装置中，电容器设置在有突出物的基板上。突出物可贯穿第二电极而形成间隙，并延伸至绝缘层中。突出物可通过间隙而与第二电极电性分离。如此，可避免导电性的突出物与第二电极短路而造成电容器失效。如此一来，使得电容器仍可以有效地运作，可使得本揭露实施例的电容器及含有所述电容器的电子装置具有较佳的良率。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种电容器，其特征在于，所述电容器设置于具有突出物的基板上，所述电容器包括：

第一电极，具有第一电压；

第二电极，具有与所述第一电压不同的第二电压，且比所述第一电极更靠近所述基板；以及

绝缘层，设置于所述第一电极与所述第二电极之间，

其中所述突出物贯穿所述第二电极并延伸至所述绝缘层中。

2.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述突出物包括延伸部，所述延伸部延伸至所述绝缘层中，且与所述第二电极电性分离。

3.根据权利要求2所述的电容器，其特征在于，所述突出物的所述延伸部和所述第二电极之间有间隙，所述绝缘层填入所述间隙内。

4.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述电容器包括残留电极部，设置于所述突出物的顶部，所述残留电极部与所述第二电极为相同材料。

5.根据权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述电容器通过膜层设置于所述基板上。

6.根据权利要求5所述的电容器，其特征在于，所述第二电极与所述基板之间的距离不小于1500埃且不大于7000埃。

7.根据权利要求6所述的电容器，其特征在于，所述距离不小于2500埃且不大于6000埃。

8.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1所述的电容器。

9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，所述电子装置为显示装置。

10.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，所述电子装置包括所述基板和晶体管，其中所述晶体管设置于所述基板上，所述晶体管包括主动层，所述主动层和所述第一电极为相同材料。

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