CN113337855B - 填充材料及制备方法、高频信号传输用电解铜箔制备方法 - Google Patents

填充材料及制备方法、高频信号传输用电解铜箔制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113337855B
CN113337855B CN202110565990.3A CN202110565990A CN113337855B CN 113337855 B CN113337855 B CN 113337855B CN 202110565990 A CN202110565990 A CN 202110565990A CN 113337855 B CN113337855 B CN 113337855B
Authority
CN
China
Prior art keywords
additive
filling material
reaction solution
decomposition product
reaction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110565990.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113337855A (zh
Inventor
陈智栋
曹乾莹
王文昌
吴敏贤
明小强
王朋举
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Mingfeng Electronic Material Technology Co ltd
Changzhou University
Original Assignee
Jiangsu Mingfeng Electronic Material Technology Co ltd
Changzhou University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Mingfeng Electronic Material Technology Co ltd, Changzhou University filed Critical Jiangsu Mingfeng Electronic Material Technology Co ltd
Priority to CN202110565990.3A priority Critical patent/CN113337855B/zh
Publication of CN113337855A publication Critical patent/CN113337855A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113337855B publication Critical patent/CN113337855B/zh
Priority to JP2022554789A priority patent/JP7436997B2/ja
Priority to PCT/CN2022/093416 priority patent/WO2022247694A1/zh
Priority to US18/023,361 priority patent/US20230330625A1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J20/00Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
    • B01J20/22Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising organic material
    • B01J20/223Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof comprising organic material containing metals, e.g. organo-metallic compounds, coordination complexes
    • B01J20/226Coordination polymers, e.g. metal-organic frameworks [MOF], zeolitic imidazolate frameworks [ZIF]
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00Electroforming
    • C25D1/04Wires; Strips; Foils
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J20/00Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
    • B01J20/30Processes for preparing, regenerating, or reactivating
    • B01J20/3071Washing or leaching
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J20/00Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
    • B01J20/30Processes for preparing, regenerating, or reactivating
    • B01J20/3078Thermal treatment, e.g. calcining or pyrolizing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J20/00Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
    • B01J20/30Processes for preparing, regenerating, or reactivating
    • B01J20/3092Packing of a container, e.g. packing a cartridge or column
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J20/00Solid sorbent compositions or filter aid compositions; Sorbents for chromatography; Processes for preparing, regenerating or reactivating thereof
    • B01J20/30Processes for preparing, regenerating, or reactivating
    • B01J20/32Impregnating or coating ; Solid sorbent compositions obtained from processes involving impregnating or coating
    • B01J20/3202Impregnating or coating ; Solid sorbent compositions obtained from processes involving impregnating or coating characterised by the carrier, support or substrate used for impregnation or coating
    • B01J20/3204Inorganic carriers, supports or substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25CPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC PRODUCTION, RECOVERY OR REFINING OF METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25C1/00Electrolytic production, recovery or refining of metals by electrolysis of solutions
    • C25C1/12Electrolytic production, recovery or refining of metals by electrolysis of solutions of copper
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B3/00Line transmission systems
    • H04B3/02Details
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25CPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC PRODUCTION, RECOVERY OR REFINING OF METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25C7/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells; Servicing or operating of cells
    • C25C7/02Electrodes; Connections thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Electrolytic Production Of Metals (AREA)
  • Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
  • Compounds Of Iron (AREA)

Abstract

本发明属于添加剂分解产物技术领域,具体涉及一种填充材料及制备方法、高频信号传输用电解铜箔的制备方法。本填充材料包括:FeCl3·6H2O:3g;印迹分子:0.15‑3g;DMF:60g;BDC:1g;PC:6‑30g。本填充材料的制备方法包括:将FeCl3·6H2O和印迹分子溶于水中形成反应溶液;反应溶液中加入DMF搅拌溶解;反应溶液中加入BDC搅拌溶解;PC浸渍于反应溶液中搅拌;水热法处理反应溶液,去除添加剂分解产物分子,制备印迹有添加剂分解产物分子铸型结构的填充材料。本发明可有效对添加剂分解产物选择性吸附,达到有效去除添加剂分解产物、使铜的电沉积薄膜中不混入分解产物、实现电流在阴极和阳极上均匀分布、提高品质、制备高频信号传输用电解铜箔的效果。

Description

填充材料及制备方法、高频信号传输用电解铜箔制备方法
技术领域
本发明属于添加剂分解产物技术领域,具体涉及一种填充材料及制备方法、高频信号传输用电解铜箔制备方法。
背景技术
铜箔作为线路板中电子与信号传导通道的载体,是印制线路板(PCB)制造中最重要原料之一。随着5G的兴起,伴随着传输信号频率的增大,高频信号在传输线的铜箔表面产生的“趋肤效应”越来越显著,当传输信号为5G时,其信号在导线表面的传输厚度为0.93μm左右,也就是说信号传输仅在粗糙度的厚度范围内进行,那么必然产生严重的信号“驻波”和“反射”等,使信号造成损失,甚至形成严重或完全失真。铜箔表面越粗糙,信号损耗随之增大。因此,随着5G的技术的普及以及信号传输不断向高频发展,适用于高频PCB的表面低粗糙度的低轮廓电解铜箔被人们所关注。
为了制备低轮廓电解铜箔,需要在铜电沉积溶液中加入有添加剂(光亮剂和整平剂)。然而,伴随着铜电沉积的进行,一些添加剂会发生氧化而分解。另外,一般电沉积温度均高于50℃,在此温度下,难免会发生添加剂在经过生箔机槽体后,一部分被氧化分解,这些添加剂分解产物对于铜的电沉积不仅没有帮助,而且伴随着铜的电沉积,会夹杂进入铜的沉积层中,反而还会影响电解铜箔的品质,如会降低铜箔的延展性和抗拉强度等,必须及时除去。所以,目前现行工艺,在电解液循环过程中,会在管路中添加活性炭,以便去除添加剂分解产物。但是,活性炭对有机物的去除是没有选择性的,活性炭不仅去除了添加剂分解产物,同时也去除了添加剂,由此造成添加剂和活性炭的大量浪费。
发明内容
本发明的目的是提供一种填充材料及制备方法、高频信号传输用电解铜箔制备方法,以解决在高频信号传输用电解铜箔生产工艺中,去除铜电解液中的添加剂分解产物,提高电解铜箔的延展性和降低铜箔的粗糙度的技术问题。
为了解决上述技术问题,本发明提供了填充材料,包括以下原料:
FeCl3·6H2O:3g;
印迹分子:0.15-3g;
N’N-二甲基甲酰胺(DMF):60g;
2-氨基对苯二甲酸(BDC):1g;
多孔陶瓷(PC):6-30g。
又一方面,本发明还提供了填充材料的制备方法,包括:
步骤S01:将六水合三氯化铁(FeCl3·6H2O)和印迹分子溶于水中形成反应溶液;
步骤S02:在反应溶液中加入N’N-二甲基甲酰胺(DMF)并搅拌溶解;
步骤S03:在反应溶液中加入2-氨基对苯二甲酸(BDC)并搅拌溶解;
步骤S04:将多孔陶瓷(PC)浸渍于反应溶液中并搅拌;
步骤S05:采用水热法处理反应溶液,去除添加剂分解产物分子,制备晶体状的印迹有添加剂分解产物分子铸型结构的填充材料(MI-Fe-MOFs/PC)。
进一步,所述步骤S05包括:
步骤S05.1:将步骤S04搅拌后的反应溶液倒入聚四氟乙烯内衬瓶中,再转入反应釜中,置于鼓风干燥箱内反应;
步骤S05.2:反应结束后冷却,取出反应溶液离心,弃去上清液并收集产物;
步骤S05.3:用DMF一级洗涤产物,洗去未配位的反应前驱体;
步骤S05.4:用甲醇二级洗涤产物,洗去产物中的印迹分子-添加剂分解产物;
步骤S05.5:离心收集双重洗涤后的产物,真空干燥,得到印迹有添加剂分解产物分子铸型结构的填充材料(MI-Fe-MOFs/PC)。
进一步,所述填充材料(MI-Fe-MOFs/PC)在制备过程中BDC、FeCl3·6H2O、DMF和H2O的质量百分比浓度为:
BDC:FeCl3·6H2O:DMF:H2O=1:3:60:200。
进一步,所述印迹分子的制备方法包括:
配制含添加剂和浓硫酸的混合溶液;
在混合溶液中放置两片不参与电解反应的材料作为阳极和阴极;
将混合溶液电解;
用NaOH溶液将电解溶液中和后,经丙酮有机溶剂萃取,得到印迹分子。
进一步,所述多孔陶瓷(PC)采用氧化铝多孔陶瓷、氧化锆多孔陶瓷或氮化铝多孔陶瓷中的一种。
进一步,所述多孔陶瓷(PC)的粒径大于100μm,且小于1000μm。
第三方面,本发明还提供了高频信号传输用电解铜箔制备方法,包括:
将添加剂分解产物吸附柱与电解槽相连接;
用添加剂分解产物吸附柱过滤电解槽内的铜电解液,实现去除铜电解液中的添加剂分解产物,保留添加剂,以制备高频信号传输用电解铜箔。
进一步,所述添加剂分解产物吸附柱包括:
玻璃管,以容纳填充材料(MI-Fe-MOFs/PC);
两片网状尼龙,均设置在玻璃管内,以封堵填充材料(MI-Fe-MOFs/PC)的两端;
所述填充材料(MI-Fe-MOFs/PC)采用如前所述的方法制备。
本发明的有益效果是,本发明的填充材料及制备方法、高频信号传输用电解铜箔制备方法,通过分别制备印迹分子、填充材料和添加剂分解产物吸附柱,充分吸附处理铜电沉积溶液中添加剂已经分解的产物;即便是在强酸和大量铜离子存在的条件下,也可有效地对添加剂分解产物进行选择性吸附,达到有效地去除添加剂分解产物、使铜的电沉积薄膜中不混入这些分解产物、实现电流在阴极和阳极上的均匀分布、提高电解铜箔的品质、制备高频信号传输用电解铜箔的效果。
本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中显而易见,或者通过实施本发明而了解。
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,描述中的附图是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明的添加剂分解产物吸附柱的优选实施例的结构示意图。
图中:
玻璃管1、填充材料2、网状尼龙3。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1
本实施例的填充材料,包括以下原料:
FeCl3·6H2O:3g;印迹分子:0.15-3g;N’N-二甲基甲酰胺(DMF):60g;2-氨基对苯二甲酸(BDC):1g;多孔陶瓷(PC):6-30g。
实施例2
本实施例的填充材料的制备方法,包括:
步骤S01:将六水合三氯化铁(FeCl3·6H2O)和印迹分子溶于水中形成反应溶液;
步骤S02:在反应溶液中加入N’N-二甲基甲酰胺(DMF)并搅拌溶解;
步骤S03:在反应溶液中加入2-氨基对苯二甲酸(BDC)并搅拌溶解;
步骤S04:将多孔陶瓷(PC)浸渍于反应溶液中并搅拌;
步骤S05:采用水热法处理反应溶液,去除添加剂分解产物分子,制备晶体状的印迹有添加剂分解产物分子铸型结构的填充材料(MI-Fe-MOFs/PC)。
在本实施例中,步骤S05包括:
步骤S05.1:将步骤S04搅拌后的反应溶液倒入聚四氟乙烯内衬瓶中,再转入反应釜中,置于鼓风干燥箱内反应;
步骤S05.2:反应结束后冷却,取出反应溶液离心,弃去上清液并收集产物;
步骤S05.3:用DMF一级洗涤产物,洗去未配位的反应前驱体;
步骤S05.4:用甲醇二级洗涤产物,洗去产物中的印迹分子-添加剂分解产物;
步骤S05.5:离心收集双重洗涤后的产物,真空干燥,得到印迹有添加剂分解产物分子铸型结构的填充材料(MI-Fe-MOFs/PC)。
在本实施例中,填充材料(MI-Fe-MOFs/PC)是由两部分构成,即具有添加剂分子分解产物分子铸型结构的MI-Fe-MOFs和MI-Fe-MOFs的担体陶瓷材料(PC)构成。以铁为中心离子的有机骨架Fe-MOFs的基本构成是FeCl3·6H2O、DMF、BDC和反应溶剂H2O。填充材料(MI-Fe-MOFs/PC)在制备过程中BDC、FeCl3·6H2O、DMF和H2O的质量百分比浓度为:
BDC:FeCl3·6H2O:DMF:H2O=1:3:60:200。
当向该有机骨架Fe-MOFs中加入印迹分子时,并洗脱后,即可得到具有模板分子铸型结构的MI-Fe-MOFs,一般,印迹分子的使用量是铁盐的0.1-1倍。若在制备MI-Fe-MOFs时不加入印迹分子,则该合成制备的是不具有印迹分子铸型结构的Fe-MOFs。印迹分子的使用量小于0.1倍时,由于印迹分子的浓度过低,MI-Fe-MOFs材料中印迹分子的铸型结构不多,会影响后续对添加剂分解产物的吸附能力,当印迹分子的使用量大于铁盐的1倍时,对印迹分子又是浪费,印迹分子的最佳使用量通常为铁盐使用量的0.3倍左右。
为了使电解液顺利的通过MI-Fe-MOFs所制备的吸附柱,实现去除铜箔电解液中添加剂分解产物的目的,将MI-Fe-MOFs负载与大颗粒的多孔陶瓷(PC)上,是非常有效的办法,在制备MI-Fe-MOFs合成溶液中加入PC的量通常是铁盐量的0.5-10倍,加入的PC量过少,小于铁盐量的0.5倍时,PC表面负载的MI-Fe-MOFs膜过厚,会导致对添加剂分解产物吸附效率的下降,反之若PC的加入量过多,大于铁盐加入量的10倍时,PC表面的MI-Fe-MOFs膜过薄,同样会导致对添加剂分解产物吸附能力的下降。一般PC的最佳加入量约为铁盐量的5倍。
在本实施例中,印迹分子的制备方法包括:
配制含添加剂和浓硫酸的混合溶液;在混合溶液中放置两片不参与电解反应的材料作为阳极和阴极;采用电化学方法制备印迹分子,所采用的阴、阳电极,只要不参与电解反应的材料即可,如金、铂、碳和钛电极等,其电解条件如电流密度与电解温度与制备电解铜箔时的条件相一致。将混合溶液电解;用NaOH溶液将电解溶液中和后,经丙酮有机溶剂萃取,得到印迹分子。具体的,将配制含添加剂50mL/L和100mL/L的浓硫酸的混合溶液,在该溶液中放置两片钛板,分别作阳极和阴极,在温度50℃,电流密度70A/dm2条件下,电解时间一般为6-12h。采用电化学方法制备印迹分子时的电解时间,应为将添加剂全部分解所需要时间,通常在电解铜箔制备的电流密度下一般为12h。对于制备印迹分子的电解条件而言,电流密度和温度应采用制备电解铜箔时的操作条件,以便获得相同的添加剂分解产物。电解时间是指将电解液中添加剂全部分解的时间,判断添加剂是否全部分解,可以使用液相色谱分析来确定。一般而言,电解时间为6-12h,若电解时间过短,则添加剂的分解物过少,印迹分子浓度过低,同时添加剂分子也会大量存在,影响下一步的分子印迹。反之电解时间过长,无端浪费时间。用NaOH溶液将电解溶液中和后,用丙酮有机溶剂萃取,即可得到添加剂分解产物分子,即印迹分子。
在本实施例中,多孔陶瓷(PC)采用氧化铝多孔陶瓷、氧化锆多孔陶瓷或氮化铝多孔陶瓷中的一种。当然,多孔陶瓷(PC)也可以选用其他材质,只要该多孔陶瓷(PC)具备耐酸腐蚀性能即可选择。
在本实施例中,多孔陶瓷(PC)的粒径大于100μm,且小于1000μm。若多孔陶瓷(PC)的粒径过小,制备的填充材料(MI-Fe-MOFs/PC)流通阻力过大,影响铜电解液的流通;若多孔陶瓷(PC)的粒径过大,由于铜电解液的流通过快,导致对添加剂分解产物吸附效果的下降。
在本实施例中,填充材料(MI-Fe-MOFs/PC)的具体制备方法,参见如下实施例2.1至实施例2.9、对比例1和对比例2。下面列举九个实施例的原料配比表,参见表1。
实施例2.1
填充材料(MI-Fe-MOFs/PC)的制备方法为:
分别取3g FeCl3·6H2O和0.15g的印迹分子溶于200g的水中,再加入60g N’N-二甲基甲酰胺(DMF),搅拌使其全部溶解,再向该溶液中加入1g的2-氨基对苯二甲酸(BDC)搅拌溶解后,加入多孔陶瓷(PC)15g,充分搅拌1h。
将上述混合均匀的溶液倒入500mL的聚四氟乙烯内衬瓶中,再转入500mL的不锈钢反应釜中,置于鼓风干燥箱内在120℃下反应24h。反应结束后,自然冷却到室温,取出溶液于3000rpm离心10min,弃去上清液并收集产物。先用DMF洗涤产物三次,目的是洗去未配位的反应前驱体。再使用约50mL甲醇在搅拌状态下洗涤产物共两次,每次约12h。其目的是从充分洗去填充材料中的印迹分子-添加剂分解产物。然后离心收集洗涤后的产物,并于60℃下真空干燥12h,即得到印迹有添加剂分解产物分子铸型结构的填充材料(MI-Fe-MOFs/PC)。
实施例2.2
填充材料(MI-Fe-MOFs/PC)的制备方法为:
分别取3g FeCl3·6H2O和0.2g的印迹分子溶于200g的水中,再加入60g N’N-二甲基甲酰胺(DMF),搅拌使其全部溶解,再向该溶液中加入1g的2-氨基对苯二甲酸(BDC)搅拌溶解后,加入多孔陶瓷(PC)15g,充分搅拌1h。
后续的操作步骤与实施例2.1相同,此处不再赘述。
实施例2.3
填充材料(MI-Fe-MOFs/PC)的制备方法为:
分别取3g FeCl3·6H2O和0.9g的印迹分子溶于200g的水中,再加入60g N’N-二甲基甲酰胺(DMF),搅拌使其全部溶解,再向该溶液中加入1g的2-氨基对苯二甲酸(BDC)搅拌溶解后,加入多孔陶瓷(PC)15g,充分搅拌1h。
后续的操作步骤与实施例2.1相同,此处不再赘述。
实施例2.4
填充材料(MI-Fe-MOFs/PC)的制备方法为:
分别取3g FeCl3·6H2O和2.4g的印迹分子溶于200g的水中,再加入60g N’N-二甲基甲酰胺(DMF),搅拌使其全部溶解,再向该溶液中加入1g的2-氨基对苯二甲酸(BDC)搅拌溶解后,加入多孔陶瓷(PC)15g,充分搅拌1h。
后续的操作步骤与实施例2.1相同,此处不再赘述。
实施例2.5
填充材料(MI-Fe-MOFs/PC)的制备方法为:
分别取3g FeCl3·6H2O和3g的印迹分子溶于200g的水中,再加入60g N’N-二甲基甲酰胺(DMF),搅拌使其全部溶解,再向该溶液中加入1g的2-氨基对苯二甲酸(BDC)搅拌溶解后,加入多孔陶瓷(PC)15g,充分搅拌1h。
后续的操作步骤与实施例2.1相同,此处不再赘述。
实施例2.6
填充材料(MI-Fe-MOFs/PC)的制备方法为:
分别取3g FeCl3·6H2O和0.9g的印迹分子溶于200g的水中,再加入60g N’N-二甲基甲酰胺(DMF),搅拌使其全部溶解,再向该溶液中加入1g的2-氨基对苯二甲酸(BDC)搅拌溶解后,加入多孔陶瓷(PC)1.5g,充分搅拌1h。
后续的操作步骤与实施例2.1相同,此处不再赘述。
实施例2.7
填充材料(MI-Fe-MOFs/PC)的制备方法为:
分别取3g FeCl3·6H2O和0.9g的印迹分子溶于200g的水中,再加入60g N’N-二甲基甲酰胺(DMF),搅拌使其全部溶解,再向该溶液中加入1g的2-氨基对苯二甲酸(BDC)搅拌溶解后,加入多孔陶瓷(PC)6g,充分搅拌1h。
后续的操作步骤与实施例2.1相同,此处不再赘述。
实施例2.8
填充材料(MI-Fe-MOFs/PC)的制备方法为:
分别取3g FeCl3·6H2O和0.9g的印迹分子溶于200g的水中,再加入60g N’N-二甲基甲酰胺(DMF),搅拌使其全部溶解,再向该溶液中加入1g的2-氨基对苯二甲酸(BDC)搅拌溶解后,加入多孔陶瓷(PC)24g,充分搅拌1h。
后续的操作步骤与实施例2.1相同,此处不再赘述。
实施例2.9
填充材料(MI-Fe-MOFs/PC)的制备方法为:
分别取3g FeCl3·6H2O和0.9g的印迹分子溶于200g的水中,再加入60g N’N-二甲基甲酰胺(DMF),搅拌使其全部溶解,再向该溶液中加入1g的2-氨基对苯二甲酸(BDC)搅拌溶解后,加入多孔陶瓷(PC)30g,充分搅拌1h。
后续的操作步骤与实施例2.1相同,此处不再赘述。
对比例1
填充材料(MI-Fe-MOFs/PC)的制备方法为:
分别取3g FeCl3·6H2O和0g的印迹分子溶于200g的水中,再加入60g N’N-二甲基甲酰胺(DMF),搅拌使其全部溶解,再向该溶液中加入1g的2-氨基对苯二甲酸(BDC)搅拌溶解后,加入多孔陶瓷(PC)15g,充分搅拌1h。
后续的操作步骤与实施例2.1相同,此处不再赘述。
对比例2
填充材料(MI-Fe-MOFs/PC)的制备方法为:
分别取3g FeCl3·6H2O和0.9g的印迹分子溶于200g的水中,再加入60g N’N-二甲基甲酰胺(DMF),搅拌使其全部溶解,再向该溶液中加入1g的2-氨基对苯二甲酸搅拌溶解后,加入多孔陶瓷(PC)0g,充分搅拌1h。
后续的操作步骤与实施例2.1相同,此处不再赘述。
实施例3
本实施例的高频信号传输用电解铜箔制备方法,包括:
将添加剂分解产物吸附柱与电解槽相连接;用添加剂分解产物吸附柱过滤电解槽内的铜电解液,实现去除铜电解液中的添加剂分解产物,保留添加剂,以制备高频信号传输用电解铜箔。吸附柱与电解铜箔的电解槽相连接,将电解液通过MI-Fe-MOFs/PC吸附柱且不断循环,实现铜电解液中添加剂分解产物的去除。
在本实施例中,为了简化实验,模拟了电解铜箔生产的实际环境,在该体系下,若对电解液中添加剂的分解产物能有效去除,在实际生产中的电解铜箔生产工艺下即可有效地去除添加剂的分解产物。通过蠕动泵将该铜电解溶液通过MI-Fe-MOFs/PC吸附柱,流速为100mL/min,MI-Fe-MOFs/PC吸附柱的内部体积约10mL。分别测定铜箔电解液通过MI-Fe-MOFs/PC吸附柱前后的添加剂分解产物的含量,添加剂的分解产物的测定使用液相色谱。
模拟溶液是将硫酸铜溶解于硫酸溶液中,使硫酸铜的浓度为300g/L,硫酸的浓度为100g/L。添加剂的加入量为各公司指定的加入量。由于每个公司的添加剂不同,所以添加剂的分解产物也不同。在本发明的实施例中选取了两家公司的添加剂为代表,分别表示为A和B。为了简化定量分析操作,使用液相色谱进行分析,将未经MI-Fe-MOFs/PC柱处理的铜电解液添加剂分解产物的色谱峰面积计为100。经过MI-Fe-MOFs/PC吸附柱处理后,添加剂分解产物的浓度,用峰面积的下降按比例来计算。若经过MI-Fe-MOFs/PC吸附柱处理后,在色谱分析中,未显示添加剂分解产物的出峰,则该添加剂分解产物是未检出记为0。以上具体实施例2.1至实施例2.9、对比例1和对比例2为本申请的填充材料(MI-Fe-MOFs/PC)的具体制备方法,但并不限于上述实施例和对比例中所列举反应条件及原料浓度。A和B经MI-Fe-MOFs/PC吸附柱处理前后添加剂分解产物的浓度变化,参见表2。
如图1所示,在本实施例中,添加剂分解产物吸附柱包括:
玻璃管1,以容纳填充材料2(MI-Fe-MOFs/PC);两片网状尼龙3,均设置在玻璃管1内,用以封堵填充材料2(MI-Fe-MOFs/PC)的两端;填充材料2(MI-Fe-MOFs/PC)采用如前所述的方法制备。本实施例采用负载了印迹有添加剂分解产物分子的MI-Fe-MOFs的多孔陶瓷(PC)粉体为填充材料2(MI-Fe-MOFs/PC),以填充材料2(MI-Fe-MOFs/PC)制备的吸附柱对添加剂的分解产物具有良好的选择性去除能力,且电解铜溶液的添加剂不被去除。以实现在电解铜箔生产工艺中选择性去除添加剂的分解产物,且不会去除添加剂。当然,可选的,装填容纳填充材料2(MI-Fe-MOFs/PC)的玻璃管1也可以采用不锈钢管替代。
表1本申请的实施例2.1至实施例2.9的各原料的配比表
Figure BDA0003081012720000121
Figure BDA0003081012720000131
表2在实施例2.1至实施例2.9及对比例1和对比例2中,经MI-Fe-MOFs/PC
吸附柱处理前后添加剂分解产物的浓度变化
Figure BDA0003081012720000132
从表1和表2中实施例2.1至实施例2.9可知,MI-Fe-MOFs/PC吸附柱对铜电解液中的添加剂分解产物的去除是非常有效;另外,从表2中对比例1和对比例2的结果来看,没有印迹添加剂分解产物分子的Fe-MOFs/PC吸附柱,对添加剂分解产物几乎不吸附。
综上所述,使用本发明的填充材料及制备方法、高频信号传输用电解铜箔制备方法,通过将铜电解液中的有机添加剂分解产物作为模板分子,采用六水合三氯化铁(FeCl3·6H2O)、N’N-二甲基甲酰胺(DMF)、2-氨基对苯二甲酸(BDC)和多孔陶瓷(PC)为原料,制备出印迹有添加剂分解产物分子铸型结构的Fe-MOFs材料,该材料标记为MI-Fe-MOFs。将MI-Fe-MOFs填充于玻璃管中,制备成添加剂分解产物吸附柱,用于吸附铜电解液中添加剂的分解产物。该吸附柱对铜电解液中的添加剂分解产物具有良好的去除能力,能充分吸附处理铜电沉积溶液中添加剂已经分解的产物,以使铜的电沉积薄膜中不混入这些分解产物,实现电流在阴极和阳极上的均匀分布,提高电解铜箔的品质,达到制备高频信号传输用电解铜箔的效果。
本发明提供一种电解铜箔生产工艺中选择性去除添加剂的分解产物,且不影响添加剂的方法。用负载了印迹有添加剂分解产物分子铸型结构的MI-Fe-MOFs的多孔陶瓷(PC)粉体为填充材料(MI-Fe-MOFs/PC),以填充材料(MI-Fe-MOFs/PC)制备的吸附柱对添加剂的分解产物具有良好的选择性去除能力,且电解铜溶液的添加剂不被去除;以使铜电解液中添加剂分解产物浓度的降低,有效地提高了低轮廓电解铜箔的延展性。
本申请中选用的各个器件(未说明具体结构的部件)均为通用标准件或本领域技术人员知晓的部件,其结构和原理都为本技术人员均可通过技术手册得知或通过常规实验方法获知。
在本发明实施例的描述中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本申请所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的系统、装置和方法,可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,所述单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,又例如,多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外,在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
以上述依据本发明的理想实施例为启示,通过上述的说明内容,相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容,必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

Claims (8)

1.一种晶体状印迹有电解铜箔添加剂分解产物分子铸型结构的填充材料,其特征在于包括以下原料:
六水三氯化铁:3 g;
印迹分子:0.15-3 g;
N’N-二甲基甲酰胺:60 g;
2-氨基对苯二甲酸:1 g;
多孔陶瓷:6-30 g;
所述印迹分子为电解铜箔添加剂分解产物分子。
2.一种制备权利要求1所述填充材料的制备方法,其特征在于包括以下反应步骤:
步骤S01:将六水三氯化铁和印迹分子溶于水中形成反应溶液;
步骤S02:在反应溶液中加入N’N-二甲基甲酰胺并搅拌溶解;
步骤S03:在反应溶液中加入2-氨基对苯二甲酸并搅拌溶解;
步骤S04:将多孔陶瓷浸渍于反应溶液中并搅拌;
步骤S05:采用水热法处理反应溶液,去除添加剂分解产物分子,制备晶体状的印迹有添加剂分解产物分子铸型结构的填充材料。
3.如权利要求2所述的填充材料的制备方法,其特征在于,
所述步骤S05包括:
步骤S05.1:将步骤S04搅拌后的反应溶液倒入聚四氟乙烯内衬瓶中,再转入反应釜中,置于鼓风干燥箱内反应;
步骤S05.2:反应结束后冷却,取出反应溶液离心,弃去上清液并收集产物;
步骤S05.3:用N’N-二甲基甲酰胺一级洗涤产物,洗去未配位的反应前驱体;
步骤S05.4:用甲醇二级洗涤产物,洗去产物中的印迹分子-添加剂分解产物;
步骤S05.5:离心收集双重洗涤后的产物,真空干燥,得到印迹有添加剂分解产物分子铸型结构的填充材料。
4.如权利要求2所述的填充材料的制备方法,其特征在于,
所述填充材料在制备过程中2-氨基对苯二甲酸、六水三氯化铁、N’N-二甲基甲酰胺和水的质量百分比浓度为:
2-氨基对苯二甲酸: 六水三氯化铁: N’N-二甲基甲酰胺:水=1:3:60:200。
5.如权利要求2所述的填充材料的制备方法,其特征在于,
所述印迹分子的制备方法包括:
配制含添加剂和浓硫酸的混合溶液;
在混合溶液中放置两片不参与电解反应的材料作为阳极和阴极;
将混合溶液电解;
用NaOH溶液将电解溶液中和后,经丙酮有机溶剂萃取,得到印迹分子。
6.如权利要求2所述的填充材料的制备方法,其特征在于,
所述多孔陶瓷采用氧化铝多孔陶瓷、氧化锆多孔陶瓷或氮化铝多孔陶瓷中的一种。
7.如权利要求2所述的填充材料的制备方法,其特征在于,
所述多孔陶瓷的粒径大于100 μm,且小于1000 μm。
8.一种高频信号传输用电解铜箔制备方法,其特征在于包括以下步骤:
将添加剂分解产物吸附柱与电解槽相连接;
用添加剂分解产物吸附柱过滤电解槽内的铜电解液,实现去除铜电解液中的添加剂分解产物,保留添加剂,以制备高频信号传输用电解铜箔;
所述添加剂分解产物吸附柱包括:
玻璃管,以容纳填充材料;
两片网状尼龙,均设置在玻璃管内,以封堵填充材料的两端;
所述填充材料采用如权利要求2所述的方法制备。
CN202110565990.3A 2021-05-24 2021-05-24 填充材料及制备方法、高频信号传输用电解铜箔制备方法 Active CN113337855B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110565990.3A CN113337855B (zh) 2021-05-24 2021-05-24 填充材料及制备方法、高频信号传输用电解铜箔制备方法
JP2022554789A JP7436997B2 (ja) 2021-05-24 2022-05-18 フィラー及びその生成方法、高周波信号伝送用電解銅箔の製造方法
PCT/CN2022/093416 WO2022247694A1 (zh) 2021-05-24 2022-05-18 填充材料及制备方法、高频信号传输用电解铜箔制备方法
US18/023,361 US20230330625A1 (en) 2021-05-24 2022-05-18 Filling material, method for preparing same and method for preparing electrolytic copper foil for high-frequency signal transmission

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110565990.3A CN113337855B (zh) 2021-05-24 2021-05-24 填充材料及制备方法、高频信号传输用电解铜箔制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113337855A CN113337855A (zh) 2021-09-03
CN113337855B true CN113337855B (zh) 2022-04-05

Family

ID=77471081

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110565990.3A Active CN113337855B (zh) 2021-05-24 2021-05-24 填充材料及制备方法、高频信号传输用电解铜箔制备方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230330625A1 (zh)
JP (1) JP7436997B2 (zh)
CN (1) CN113337855B (zh)
WO (1) WO2022247694A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113337855B (zh) * 2021-05-24 2022-04-05 常州大学 填充材料及制备方法、高频信号传输用电解铜箔制备方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3466987B2 (ja) * 2000-04-14 2003-11-17 三井金属鉱業株式会社 電解銅箔の製造方法
JP3794613B2 (ja) * 2000-05-18 2006-07-05 三井金属鉱業株式会社 電解銅箔の電解装置
CN100562224C (zh) * 2002-02-22 2009-11-18 株式会社藤仓 多层线路基板、多层线路基板用基材、印刷线路基板及其制造方法
US8137525B1 (en) * 2003-01-13 2012-03-20 The Regents Of The University Of California Colloidal sphere templates and sphere-templated porous materials
WO2008030179A1 (en) * 2006-09-07 2008-03-13 Sellergren Boerje Metal imprinted polymers for selective pick up of cobalt
US8968820B2 (en) * 2008-04-25 2015-03-03 Nanotek Instruments, Inc. Process for producing hybrid nano-filament electrodes for lithium batteries
CN103214689B (zh) * 2013-03-20 2014-06-11 太原理工大学 一种离子印迹聚合物薄膜的制备方法
CN104479072B (zh) * 2014-11-24 2016-11-09 常州大学 一种制备磁性分子印迹吸附剂的方法
CN105753727A (zh) * 2016-02-24 2016-07-13 常州大学怀德学院 一种由分子印迹聚吡咯电极柱选择性分离氨基酸光学异构体的方法
KR102413056B1 (ko) * 2017-07-18 2022-06-23 에스케이넥실리스 주식회사 주름이 방지되고 우수한 충방전 특성을 갖는 동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
KR102433032B1 (ko) * 2017-07-31 2022-08-16 에스케이넥실리스 주식회사 주름 발생이 방지된 동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
KR102446550B1 (ko) * 2017-10-18 2022-09-22 에스케이넥실리스 주식회사 고용량 이차전지용 동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
CN107913682A (zh) * 2017-11-08 2018-04-17 常州大学 一种制备多孔温敏分子印迹吸附剂的方法
CN108855008A (zh) * 2018-07-06 2018-11-23 常州大学 一种3D有序大孔印迹壳聚糖膜的制备及其在水中去除Cu(II)的应用
CN109402678B (zh) * 2018-12-07 2020-05-12 常州大学 电解铜箔电解液中铅离子的去除方法
CN110538677B (zh) * 2019-07-15 2021-07-20 华南理工大学 一种MOFs/MIPs催化剂及其原位生长制备方法与应用
JP6667840B1 (ja) * 2019-07-22 2020-03-18 テックス・テクノロジー株式会社 電解銅箔の製造方法
CN110479220A (zh) * 2019-08-23 2019-11-22 河南师范大学 基于负载离子液体金属有机骨架的分子印迹聚合物分离富集痕量磺胺甲恶唑污染物的方法
CN111074317B (zh) * 2019-12-30 2022-02-18 禹象铜箔(浙江)有限公司 一种铜箔的表面处理方法及铜箔材料
CN112387250B (zh) * 2020-10-21 2022-05-20 广西大学 一种类印迹mof吸附剂及其制备方法与应用
CN113354445B (zh) * 2021-05-24 2022-04-15 常州大学 填充材料及制备方法、高延展性低轮廓电解铜箔制造方法
CN113337855B (zh) * 2021-05-24 2022-04-05 常州大学 填充材料及制备方法、高频信号传输用电解铜箔制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113337855A (zh) 2021-09-03
US20230330625A1 (en) 2023-10-19
WO2022247694A1 (zh) 2022-12-01
JP7436997B2 (ja) 2024-02-22
JP2023534885A (ja) 2023-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105198048B (zh) 一种三维电极填料及其制备方法
CN113337855B (zh) 填充材料及制备方法、高频信号传输用电解铜箔制备方法
CN109402678B (zh) 电解铜箔电解液中铅离子的去除方法
CN102677062B (zh) 一种电解再生碱性蚀刻液的方法
CN113354445B (zh) 填充材料及制备方法、高延展性低轮廓电解铜箔制造方法
CN1831204A (zh) 超厚多孔金属的电镀方法及其使用装置
KR910010147B1 (ko) 전기 절연성 가요성(flexibility)필름의 금속화 방법
CN103922519A (zh) 线路板行业板面带出氰化镀金液回收处理工艺
CN201626987U (zh) 电镀设备
EP0627021A1 (de) Verfahren zur metallisierung von nichtleiteroberflächen und die verwendung von hydroximethylsulfinsäure im verfahren.
CN103194769A (zh) 一种从废弃线路板中回收高纯铜的电解装置及其方法
TW201520340A (zh) 從棕化廢液中回收銅之方法
CN106987869A (zh) 电解碱性蚀刻废液用的混合添加剂及用其制备铜粉的方法
CN116422386A (zh) 一种二甲基酮肟络合型除氧树脂的制备方法
CN112011821A (zh) 三价铁溶铜系统
CN107034364B (zh) 一种从电镀废水中吸附和回收金属镍的方法
CN111378992B (zh) 一种铜粉的制备方法
RU2355471C1 (ru) Способ получения нанокомпозита
US4048028A (en) Sorbent particulate material and manufacture thereof
CN209005590U (zh) 一种化学镀铜铜盐溶液的搅拌装置
CN108554371B (zh) 一种制备硅镁基纳米水处理剂的方法
CN105936526A (zh) 一种微电解填料及其制备方法
CN219793162U (zh) 一种高速镀铜装置
CN105983351B (zh) 一种巯基聚偏氟乙烯吸附分离功能膜、制备方法及其用途
CN112301382B (zh) 一种高延展性低轮廓电解铜箔的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant