CN113330537A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够获得较高抗蚀膜去除率的基板处理装置以及基板处理方法。在壳体(12)内的转台(21)上，基板(11)的处理面(S1)与固定板(17)的上表面隔开规定间隔，并以处理面(S1)朝下的姿势被固定。基板(11)与转台(21)一体旋转。在基板(11)的旋转过程中，使混合了臭氧气体和臭氧水的气液二相流体从设置在固定板(17)的中央部的喷出部(16)向形成于处理面(S1)和上表面之间的流路流动。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及半导体晶片等基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
通常，在半导体的晶片工艺中，作为用于形成器件结构的蚀刻或离子注入等的掩模，广泛使用感光性树脂即抗蚀膜。即，将在基板的处理面上形成的抗蚀膜作为掩模进行蚀刻或离子注入等之后，从基板的处理面去除抗蚀膜。
作为去除抗蚀膜的方法，广泛采用使用硫酸和双氧水的混合液(硫酸双氧水混合液)的方法。另外，提出了使用对环境影响小的臭氧(O3)水的方法(参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开WO2010/140581号
专利文献2：日本专利特开2009-218548号公报
发明内容
发明要解决的课题
使用臭氧(O3)水的抗蚀膜的去除方法对环境的影响小，但抗蚀膜的去除率低，存在对一张基板的处理时间变长的问题。
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能够获得具有较高抗蚀膜去除率的基板处理装置和基板处理方法。
用于解决课题的技术手段
本发明的基板处理装置包括：旋转机构部，用于水平地保持基板，使所保持的所述基板围绕竖直轴旋转；固定板，固定在所述固定板的一个表面与保持在所述旋转机构部的所述基板的处理面隔开间隔相对的位置上，在所述固定板与所述处理面之间形成流路；以及喷出部，设置在与所述基板的中央部相对的位置，在所述基板通过所述旋转机构部的作用而旋转的期间，对所述流路供给臭氧气体和臭氧水，使混合臭氧气体和臭氧水而得到的气液二相流体在所述流路流动。
本发明的基板处理方法具有：旋转工序，在使保持为水平的基板的处理面与被固定的固定板的一个表面隔开间隔地相对配置，并在所述处理面与所述一个表面之间形成流路的状态下，使所述基板围绕竖直轴旋转；以及气液二相流体供给工序，在所述旋转工序的动作过程中，从与所述基板的中央部相对的位置对所述流路供给臭氧气体和臭氧水，使混合臭氧气体和臭氧水而得到的气液二相流体在所述流路流动。
发明效果
根据本发明，使基板的处理面与固定板的一个表面隔开间隔地相对，在处理面与固定板的一个表面之间形成流路，在基板的旋转中，使混合了臭氧气体和臭氧水的气液二相流体流过流路，因此能够得到较高的去除率。
附图说明
图1是表示基板处理装置的结构的剖视图。
图2是表示混合器和喷出部的结构的剖视图。
图3是表示喷出孔的排列示例的说明图。
图4是表示流路内的气液二相流体的说明图。
图5是表示流路内的气液二相流体的其他示例的说明图。
图6是表示去除抗蚀膜的步骤的流程图。
图7是表示使用了气液二相流体的抗蚀膜的去除速度和使用了臭氧水的抗蚀膜的去除速度的曲线图。
图8是表示将混合器作为静态混合器的示例的剖视图。
具体实施方式
图1中，基板处理装置10是利用臭氧气体和臭氧水的气液二相流体去除形成于基板11上的抗蚀膜(未图示)的装置。基板11例如是硅晶片等半导体基板。在该例子中，形成有各种半导体元件和电路的基板11的一个表面为成为处理对象的处理面S1，基板处理装置10用于去除形成在该处理面S1上的抗蚀膜。该示例的基板处理装置10在使处理面S1朝下的状态下进行去除抗蚀膜的处理，但也可以在使处理面S1朝上的状态下进行去除抗蚀膜的处理。
基板处理装置10包括壳体12、旋转机构部14、装载机构15、喷出部16、固定板17、供给部18、卤素灯加热器19和排出部20等。该基板处理装置10的各部分由控制部(未图示)统一控制。
壳体12是有底的圆筒状，在上部设有开口为圆形的上部开口12a。固定板17、后述的转台21等容纳在壳体12中，同时基板11也容纳在壳体12中。上部开口12a形成为直径大于基板11的形状，通过该上部开口12a，从壳体12取出基板11或将基板放入壳体12中。另外，如后所述，在该示例中，上部开口12a为将外部空气导入壳体12内的导入口。
旋转机构部14是使水平保持的基板11绕竖直轴旋转的装置，在该示例中，由转台21、驱动轴22、电动马达23、基板保持部24等构成。转台21为圆盘状，容纳在壳体12内。转台21固定于驱动轴22的上端部，绕竖直的旋转轴Z自由转动，在以其上表面保持为水平的状态下转动。转台21与驱动轴22同轴。驱动轴22在壳体12的底面12b的厚度方向(上下方向)贯通壳体12的底面12b，由设置在底面12b的开口部处的轴承25支承为可自由转动。在驱动轴22的下部固定有皮带轮26。在该皮带轮26与安装在电动马达23的旋转轴上的皮带轮23a之间挂有皮带27。由此，当电动马达23驱动时，驱动轴22与转台21一体旋转。通过增减电动马达23的速度来调节转台21的转速。
用于保持基板11的基板保持部24设置于转台21。基板保持部24由在转台21的周缘部以规定间隔沿圆周方向排列的多个保持件24a构成。各保持件24a与转台21一体旋转。另外，在图1中，仅描绘了两个保持件24a，但实际上例如设有六个保持件24a。
保持件24a例如在其前端形成有台阶部，基板11的周缘部载置在各保持件24a的各台阶部上。由此，基板11通过基板保持部24水平地支承在预定高度处。由基板保持部24支承的基板11被支承为与转台21的上表面向上隔开间隔。另外，各保持件24a分别沿基板11的径向移动，从而由各保持件24a夹持基板11。这样，基板11由基板保持部24保持，与转台21同轴固定，并与转台21一体旋转。上述基板保持部24的结构是一个示例，不限于此。例如，基板保持部24也可以由与基板11的处理面S1侧的周缘部抵接而规定了基板11和转台21之间的间隔的多个销和沿径向夹持并固定基板11的多个销构成。
在驱动轴22上，形成有在其内部沿上下方向贯通的贯通孔22a。另外，在转台21的中央部形成有与贯通孔22a连接的贯通孔21a。筒状的固定轴28穿过贯通孔21a和贯通孔22a。该固定轴28与壳体12等一起固定在外部的框架等上。因此，转台21和驱动轴22绕固定轴28旋转。
在固定轴28的上端固定有用于供给气液二相流的流体(以下称为气液二相流体)的混合器29，在该混合器29上固定有固定板17。在混合器29的上表面形成有成为喷出部16的多个喷出孔30(参照图2)。此外，混合器29通过供给管部31连接有供给部18，供给管部31由穿过固定轴28的中空部28a的供给管31a至31d(参见图2)构成。另外，也可以将固定板17直接与固定轴28固定。
包括喷出部16的混合器29和固定板17配置在由基板保持部24保持的基板11与转台21之间。如后所述，固定板17被固定在其上表面与由基板保持部24保持的基板11的处理面S1隔开间隔相对配置的位置。
由装载机构15，如上所述通过上部开口12a进行基板11的取放。装载机构15从容纳盒(未图示)取出作为处理对象的基板11，将基板11移动到由基板保持部24所支承的位置。在容纳盒中基板11以处理面S1朝上的姿势放置。因此，装载机构15在从容纳盒中取出基板11后，将基板11的上下反转，使处理面S1朝向下方。另外，装载机构15在将处理后的基板11从壳体12内取出后，将基板11的上下反转而使处理面S1朝上，然后将基板11送回到容纳盒中。
在壳体12的上方配置有卤素灯加热器19。卤素灯加热器19以向下辐射红外线的姿势设置。该卤素灯加热器19通过移动机构32，如图1所示，在配置于上部开口12a的上方以对基板11进行加热的加热位置和为了从上部开口12a取放基板11而从上部开口12a的上方后退的后退位置之间沿水平方向移动。加热位置上的卤素灯加热器19配置在与上部开口12a的周缘之间形成较小间隙的高度。另外，在图1中，为了便于图示，夸大描绘了加热位置上的卤素灯加热器19与上部开口12a的周缘之间的间隙。另外，在该示例中，使卤素灯加热器19沿水平方向移动而成为加热位置和后退位置，但为了不妨碍基板11的取放，也可以将从上部开口12a向上方离开的位置作为后退位置，利用移动机构32使卤素灯加热器19沿上下方向移动。
在通过基板处理装置10对基板11进行处理时，卤素灯加热器19通过移动机构32移动到加热位置。位于加热位置的卤素灯加热器19，通过对位于卤素灯加热器18正下方的基板11的背面S2(与处理面S1相反侧的表面)经由上部开口12a照射红外线来加热基板11。卤素灯加热器19在用气液二相流体对基板11进行处理时亮灯并照射红外线。由于卤素灯加热器19与背面S2之间没有障碍物，因此能够高效地对基板11进行加热。通过加热基板11，促进基于气液二相流体的抗蚀膜的氧化分解。
另外，在该例中，作为加热器使用了卤素灯加热器19，但也可以使用其他各种加热器。另外，在能够将卤素灯加热器19从上部开口12a向上方隔开充分间隔进行配置的情况下，也可以省略移动机构32而使卤素灯加热器19的位置固定。
导向筒34设置在壳体12中。该示例中的导向筒34是其上部呈直径向上方逐渐减小的圆锥形的筒状。导向筒34例如固定于壳体12，其轴心被调整为与转台21的旋转中心一致。另外，导向筒34的下端到达壳体12的底面12b。在导向筒34的上部开口34a内配置有转台21。开口34a的内径比转台21的外径稍大，使转台21与导向筒34之间的间隙变小。该导向筒34与壳体12之间形成排出路径。另外，通过设置该导向筒34，从而防止由转台21的旋转引起的微粒的扬起，抑制微粒向基板11的附着，另外防止处理液和其气化物向驱动轴22和轴承25等机构部流动。
排出部20由作为所述导入口的上部开口12a、形成于壳体12的底面12b的排出口37、吸引装置38等构成。作为吸引装置38，例如使用泵，经由配管39与排出口37连接。排出部20通过吸引装置38的驱动，产生使排出口37的压力比基板11与固定板17之间以及比上部开口12a小的压力差。由此，将从基板11与固定板17之间流出的各种气体、处理液及其飞沫、进而因处理而产生的微粒等异物高效地引导到排出口37并排出到壳体12的外部。在吸引装置38上设置有分离机构，将从排出口37吸引的气体和液体分离并排出。
另外，利用所述压力差，从上部开口12a向壳体12内吸入外部空气，由此形成从上部开口12a通过壳体12与导向筒34之间而朝向排出口37流动的气流(图1的箭头F)。由此，防止臭氧气体、处理液和处理液的气化物、微粒等异物经由上部开口12a向壳体12的外部漏出，并且将从基板11与固定板17之间流出的各种气体、处理液、微粒等异物有效地引导到排出口37并向壳体12的外部排出。
从利用自上而下流动的气流将自基板11与固定板17之间流出的气体、液体、微粒等引导至排出口37的观点来看，构成排出部20的导入口可以设置在比由基板保持部24保持的基板11的处理面S1高的位置。另外，从将自基板11与固定板17之间流出的气体、液体、微粒等引导至排出口37的观点出发，排出口37可以设置在比固定板17的上表面低的位置。另外，考虑到流至转台21上的臭氧水，优选在比转台的上表面低的位置设置排出口37。
因此，例如，采用了在处理过程中气密性地堵塞上部开口12a的结构的情况下，在壳体12的侧面的、比由基板保持部24保持的基板11的处理面S1高的位置设置一个或多个开口作为导入口。另外，也可以采用从贯通壳体12的管的一端的开口向壳体12内导入外部空气的结构，在该情况下，可以使管的一端的开口位于比由基板保持部24保持的基板11的处理面S1高的位置。另外，从将自基板11与固定板17之间流出的气体、液体、微粒等引导至排出口37的观点出发，例如，可以将排出口37设置在壳体12的侧面上的、比固定板17(或者转台21)的上表面低的位置。
在将基板11的处理面S1保持为朝上的姿势进行处理的情况下，固定板17配置于基板11的处理面S1的上方。在这种情况下，构成排出部20的导入口设置在比固定板17的下表面高的位置，排出口37设置在比被保持的基板11的处理面S1低的位置即可。
另外，在采用气密性地堵塞上部开口12a的结构的情况下，通过用红外线透射率较高的例如石英玻璃来堵塞上部开口12a，能够使用卤素灯加热器19等从壳体12的外侧对基板11进行加热。
图2中，混合器29形成为内部形成有中空部29a的形状(例如，圆筒形状)。如上所述，该混合器29在上表面形成有构成喷出部16的多个喷出孔30。各喷出孔30形成为在厚度方向上贯通混合器29的上表面的孔。如图3的示例所示，混合器29的上表面的各喷出孔30配置为使得气液二相流体在基板11的处理面S1上均匀流动。
固定板17是直径比基板11稍小的圆盘状，配置在保持件24a的内周侧。该固定板17的直径可以根据用于保持基板11的基板保持部24的结构等适当变更，但优选与基板11相同程度大小或大于基板11。固定板17的中央部形成有贯通孔17a。通过将混合器29嵌合并固定于该贯通孔17a中，固定板17与转台21同轴地固定于固定轴28。另外，通过这样对固定板17和混合器29进行固定，从而将喷出部16配置在与基板11的中央部相对配置的固定板17的中央部。另外，在该示例中，以混合器29的上表面与固定板17的上表面S3为相同高度的方式，对混合器29和固定板17进行固定。固定板17的上表面S3是平坦的。
在竖直方向上，固定板17的上表面S3与被各保持件24a保持的基板11的处理面S1之间隔开间隔D相对配置。由此，在上表面S3与处理面S1之间形成有使臭氧气体和臭氧水的气液二相流体流动的流路41。间隔D为流路41的高度，例如能够通过增减被各保持件24a支承的基板11的处理面S1的位置、即保持件24a的台阶部的高度来调整间隔D。间隔D例如设定为1mm左右。该间隔D优选为0.5mm～3mm的范围内，更优选为1mm～2mm的范围内。如果间隔D为0.5mm以上，则能够容易地在避免基板11与固定板17接触的情况下进行处理，如果为3mm以下，则在流路41内，能够容易地得到气液二相流体的后述所需的流动模式。另外，若为1mm以上，则能够显著降低基板11与固定板17接触的危险性，若为2mm以下，则容易以较少的臭氧水形成所需流动模式的高速流动。
供给管31a～31d的一端分别连接于混合器29的中空部29a的下部。供给管31a～31d的另一端与供给部18连接。供给部18具有臭氧气体供给部18a、臭氧水供给部18b、纯水供给部18c和化学溶液供给部18d。臭氧气体供给部18a经由供给管31a向混合器29供给臭氧气体，臭氧水供给部18b经由供给管31b向混合器29供给在纯水中溶解臭氧而得到的臭氧水。这些臭氧气体和臭氧水的供给同时进行。另外，纯水供给部18c经由供给管31c向混合器29供给纯水，化学溶液供给部18d经由供给管31d向混合器29供给化学溶液。化学溶液是用于去除处理面S1的微粒等异物的物质，例如使用双氧水和氨的混合水溶液SC1(StandardClean 1)。
也可设置添加部，其用于向来自臭氧水供给部18b的臭氧水添加添加剂。作为添加到臭氧水中的添加剂，例如可列举出有助于增加羟基(OH)自由基并进一步提高抗蚀膜的去除率的、氨(NH4OH)、过氧化氢(H2O2)和异丙醇(IPA)以及它们的组合。
混合器29将所供给的臭氧气体和臭氧水在中空部29a内混合，生成气液二相流体。在混合器29所生成的气液二相流体从各喷出孔30喷出到流路41内。另外，各喷出孔30通过将纯水提供给混合器29而使纯水喷出到流路41内，通过将化学溶液提供给混合器29而使化学溶液喷出到流路41内。从喷出部16所供给的气液二相流体、纯水、化学溶液在基板11的周向上扩散的同时向外周流动。
在基板处理装置10中，如上所述，使气液二相流体在流路41中流动，将基板11的处理面S1的各部分交替暴露在臭氧气体和臭氧水中，由此，与仅使用臭氧水的情况相比，得到较高的抗蚀膜去除率。因此，流路41中的气液二相流体作为臭氧气体(气相)和臭氧水(液相)在基板11的处理面S1上交替流动的间歇流(intermittent flow)流动。如图4所示，在由基板11的处理面S1和固定板17的上表面S3所形成的流路41中的气液二相流体的流动，至少在流路41的上部形成为臭氧气体的大气泡46与臭氧水的液体部分47交替流动的形态。作为这样的气液二相流体的流动模式，例如可以举出段塞流(slug flow)。另外，如图5所示，气液二相流体的流动也可以是在流路41的整个高度范围内扩散的大气泡48与液体部分49交替流动的间歇流。为了形成如上所述的气液二相流体，根据流路41的高度(间隔D)调整臭氧气体流量和臭氧水流量的比率及总流量。
接下来，对上述结构的作用进行说明。另外，以下说明的步骤仅为示例，并非用于限定处理的步骤。吸引装置38始终被驱动，处于对壳体12内进行吸引的状态。卤素灯加热器19通过移动机构32移动到后退位置。之后，如图6所示，通过装载机构15从盒中取出作为处理对象的基板11(步骤ST1)。基板11以处理面S1朝上的方式容纳在盒中，因此装载机构15使取出的基板11反转180°，使处理面S1朝下(步骤ST2)。
通过装载机构15，反转后的基板11通过上部开口12a移动到壳体12内的转台21上，该基板11的周缘载置于各保持件24a的台阶部上。在解除装载机构15对基板11的保持后，各保持件24a动作，成为基板11由各保持件24a保持的状态(步骤ST3)。由此，基板11以处理面S1朝下且与固定板17的上表面S3间隔开的方式固定于转台21。
基板11固定后，卤素灯加热器19通过移动机构32移动到加热位置。之后，电动马达23被驱动，转台21开始与基板11一体旋转(步骤ST4)。
在转台21开始旋转后，臭氧气体供给部18a开始供给臭氧气体，与此同时臭氧水供给部18b开始供给臭氧水(步骤ST5)。此时，臭氧水例如在供给前由臭氧水供给部18b预先加热到70℃左右。臭氧水中的臭氧浓度例如在100ppm以上且500ppm以下的范围内，供给量例如在2L(升)/分钟以上且20L/分钟以下的范围内，臭氧气体的流量例如调整为20L/分钟以下。另外，上述臭氧水中的臭氧浓度、臭氧水及臭氧气体的供给量的范围仅为示例，并不限定于这些范围。
进一步，卤素灯加热器19亮灯(步骤ST6)。通过该卤素灯加热器19的点亮，基板11从背面S2侧被加热到规定的温度。此时，基板11的温度例如在30℃～100℃的范围内。
来自臭氧气体供给部18a的臭氧气体和来自臭氧水供给部18b的臭氧水经由供给管31a、31b被提供给混合器29。由此，所供给的臭氧气体和臭氧水在混合器29的中空部29a被混合，从各喷出孔30作为气液二相流体被提供给由基板11的处理面S1和固定板17的上表面S3所形成的流路41。气液二相流体在流路41中流动，通过基板11的旋转，气液二相流体沿周向扩散的同时向基板11的外周流动。
如上所述，通过使气液二相流体在流路41中流动，从而向处理面S1的整个表面供给气液二相流体，处理面S1的各部分交替反复暴露于臭氧气体和臭氧水中。由此，抗蚀膜被氧化分解而逐渐被去除。由于在基板11的表面附近产生紊流，边界层变薄，到达基板11的臭氧量增加，因此推测去除率变高。另外，由于通过卤素灯加热器19对基板11进行加热，因此促进了基于臭氧的、抗蚀膜的氧化分解。
气液二相流体到达基板11的外周时，由于压力差的作用而被引导至排出口37并被排出。因此，作为气液二相流体的臭氧气体和臭氧水不会从上部开口12a泄漏到壳体12的外侧。另外，从处理面S1分离的微粒等与上述气液二相流体一起被运送到基板11的外侧，通过来自上部开口12a的气流从排出口37排出。
当从气液二相流体的供给开始时刻经过规定处理时间时(步骤ST7“是”)，卤素灯加热器19熄灯(步骤ST8)，同时停止臭氧气体和臭氧水的供给(步骤ST9)。规定处理时间被预先设定为能够完全去除抗蚀膜的时间。
接着，进行第一次纯水冲洗处理(步骤ST10)。纯水从纯水供给部18c经由供给管31c供给到混合器29，该纯水从各喷出孔30供给至流路41。由于基板11的旋转，纯水在处理面S1上沿周向扩散的同时向基板11的外周流动。这样，纯水被提供给处理面S1的整个表面，并进行清洗。经过规定时间后停止纯水的供给。另外，也可以省略该第一次纯水冲洗处理。
其次，为了去除微粒而进行化学处理(步骤ST11)。在化学处理中，来自化学溶液供给部18d的化学溶液经由供给管31d、混合器29和喷出孔30被供给至流路41。由此，化学溶液被供给至处理面S1，该化学溶液通过基板11的旋转，在处理面S1上沿周向扩散的同时向基板11的外周流动。这样，化学溶液被提供给处理面S1的整个表面，处理面S1上的微粒被去除。化学溶液根据其种类被加热。例如，在化学溶液为SC1的情况下，将SC1加热至40℃～80℃后进行供给，在30秒～60秒的处理时间停止化学溶液的供给。
化学处理后，进行第二次纯水冲洗处理(步骤ST12)。与第一次纯水冲洗处理相同，向流路41供给纯水，向处理面S1的整个表面供给纯水以进行清洗。经过规定时间后停止纯水的供给。
在纯水冲洗处理之后，提高转台21的转速，即基板11的转速，进行基板11的离心干燥(步骤ST13)。由此，附着在基板11的两面的纯水在离心力的作用下飞散，基板11被干燥。
另外，在化学处理、纯水冲洗处理和离心干燥中，从基板11和转台21流出的化学溶液和纯水、进而附着在壳体12的内壁上并流下的化学溶液和纯水被吸引到排出口37而排出。另外，即使产生化学溶液和纯水的细小飞沫，该飞沫也会被来自上部开口12a的气流引导至排出口37。因此，化学溶液和纯水的飞沫不会从上部开口12a漏出。
离心干燥结束后，使电动马达23停止，停止转台21和基板11的旋转(步骤ST14)。在解除保持件24a对基板11的保持后(步骤ST15)，利用装载机构15通过上部开口12a取出基板11(步骤ST16)。装载机构15将基板11反转，使处理面S1朝上(步骤ST17)，将基板11容纳在盒中(步骤ST18)。
如上所述，对一张基板11的处理结束后以同样的步骤对新的基板11进行处理。如上所述，使用气液二相流体去除抗蚀膜，由于其去除率高，因此一张基板11可在短时间内被处理。
将如上所述构成的基板处理装置10中去除抗蚀膜时的、抗蚀膜的去除速度测定结果(符号G1)示于图7。另外，在图7中，一并示出了使用臭氧水时的抗蚀膜的去除速度的测量结果(符号G2)。另外，用臭氧水去除抗蚀膜时的基板处理装置的结构与基板处理装置10相同，代替气液二相流体而仅使臭氧水在流路41中流动。根据该结果可知，通过使用气液二相流体去除抗蚀膜，能够得到较高的去除率。
在上述中，使用内部中空的混合器进行臭氧气体与臭氧水的混合，但混合器的结构不限于此。例如，图8所示的混合器51在其中空部51a设置有对经由供给管31a、31b所供给的臭氧气体和臭氧水进行混合搅拌的元件52、53，作为静态混合器发挥作用。另外，也可以从固定板的中央部直接将臭氧气体和臭氧水供给至流路，在流路内将臭氧气体和臭氧水进行混合。
在上述的示例中，在壳体内设置有一个导向筒，但也可以配置为将上部开口高度不同的多个导向筒设置成使转台的旋转中心与各轴心一致、并且使转台以能够在形成于各导向筒的上部的各开口内旋转的方式进行升降的结构。根据该结构，在最外侧的导向筒与壳体之间、以及导向筒与导向筒之间形成有气流的多个路径。由此，根据供给的气体或处理液的种类，改变转台的高度来进行处理，由此，可以改变从转台与基板之间流出的气体或处理液的流动路径，能够将它们分别排出到壳体外。另外，关于这样的结构，记载于日本特开2012-209559号公报以及日本特开2007-180268号公报中。
附图标记说明
10：基板处理装置
11：基板
12：壳体
14：旋转机构部
16：喷出部
17：固定板
18：供给部
21：转台
24：基板保持部

Claims (9)

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
旋转机构部，水平地保持基板，使所保持的所述基板围绕竖直轴旋转；
固定板，固定在所述固定板的一个表面与保持在所述旋转机构部的所述基板的处理面隔开间隔相对的位置上，在所述固定板与所述处理面之间形成流路；以及
喷出部，设置在与所述基板的中央部相对的位置，在所述基板通过所述旋转机构部的作用而旋转的期间，对所述流路供给臭氧气体和臭氧水，使混合了臭氧气体和臭氧水的气液二相流体在所述流路流动。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述喷出部使所述气液二相流体作为段塞流流动。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于：
所述固定板的所述一个表面为平坦的。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，包括：
加热器，用于使所述气液二相流体在所述流路中流动时加热所述基板。
5.如权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：
所述旋转机构部以使所述处理面朝下的方式保持所述基板。
6.一种基板处理方法，其特征在于，具有：
旋转工序，在使保持为水平的基板的处理面与被固定的固定板的一个表面隔开间隔地面对，并在所述处理面与所述一个表面之间形成流路的状态下，使所述基板围绕竖直轴旋转；以及
气液二相流体供给工序，在所述旋转工序的动作过程中，从与所述基板的中央部相对的位置向所述流路供给臭氧气体和臭氧水，使混合臭氧气体和臭氧水而得到的气液二相流体在所述流路流动。
7.如权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于：
在所述气液二相流体供给工序中，使所述气液二相流体作为段塞流流动。
8.如权利要求6或7所述的基板处理方法，其特征在于，具有：
加热工序，在所述气液二相流体供给工序的动作过程中加热所述基板。
9.如权利要求6～8中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：
在所述旋转工序的动作过程中，使保持为所述处理面朝下的所述基板旋转。
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