JP2008192630A - 電子・機械部品洗浄方法及び電子・機械部品洗浄装置 - Google Patents
電子・機械部品洗浄方法及び電子・機械部品洗浄装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008192630A JP2008192630A JP2007011841A JP2007011841A JP2008192630A JP 2008192630 A JP2008192630 A JP 2008192630A JP 2007011841 A JP2007011841 A JP 2007011841A JP 2007011841 A JP2007011841 A JP 2007011841A JP 2008192630 A JP2008192630 A JP 2008192630A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ozone
- water
- ozone water
- electronic
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】 気液混合方法によって無添加生成したオゾン水を用いて電子・機械部品を洗浄する電子・機械部品洗浄方法において、当該オゾン水が含有するオゾン気泡の粒径Rが0<R≦1000nmであることを特徴とする。オゾン気泡の粒径が上記範囲にあるためオゾン水から浮力を受けづらい。この結果、オゾン気泡の上昇が抑制され、その結果、容易に脱気しない。容易に脱気しないことにより充分な洗浄効果を得ることができる。
【選択図】 図1
Description
請求項1記載の発明に係る電子・機械部品洗浄方法(以下、適宜「請求項1の洗浄方法」という)は、気液混合方法によって無添加生成したオゾン水を用いて電子・機械部品を洗浄する洗浄方法である。電解質や有機溶剤のような添加物は添加していない。ここで、当該オゾン水が含有するオゾン気泡の粒径Rが0<R≦1000nmであることが最大の特徴である。オゾン水を用いた電子・機械部品の洗浄方法には、たとえば、電子・機械部品をオゾン水に浸漬させたり、電子・機械部品にオゾン水を散布したり、浴びせたり、する方法が挙げられる。
請求項2記載の発明に係る電子・機械部品洗浄方法(以下、適宜「請求項2の洗浄方法」という)は、気液混合方法によって無添加生成したオゾン水を用いて電子・機械部品を洗浄する洗浄方法である。電解質や有機溶剤のような添加物は添加していない。ここで、当該オゾン水が含有するオゾン気泡の粒径Rが0<R≦500nmであることが最大の特徴である。オゾン水を用いた電子・機械部品の洗浄方法には、たとえば、電子・機械部品をオゾン水に浸漬させたり、電子・機械部品にオゾン水を散布したり、浴びせたり、する方法が挙げられる。
請求項3記載の発明に係る電子・機械部品洗浄方法(以下、適宜「請求項3の洗浄方法」という)は、気液混合方法によって無添加生成したオゾン水を用いて電子・機械部品を洗浄する洗浄方法である。電解質や有機溶剤のような添加物は添加していない。ここで、当該オゾン水が含有するオゾン気泡の粒径Rが0<R≦50nmであることが最大の特徴である。オゾン水を用いた電子・機械部品の洗浄方法には、たとえば、電子・機械部品をオゾン水に浸漬させたり、電子・機械部品にオゾン水を散布したり、浴びせたり、する方法が挙げられる。
請求項4記載の発明に係る電子・機械部品洗浄方法(以下、適宜「請求項4の洗浄方法」という)は、含有オゾン気泡の粒径Rが0<R≦1000nmであるオゾン水を、添加物を含めない気液混合方法によって生成するオゾン水生成工程と、当該オゾン水生成工程において生成したオゾン水を用いて電子・機械部品を洗浄するオゾン水洗浄工程と、を含めてなるものである。
請求項5記載の発明に係る電子・機械部品洗浄方法(以下、適宜「請求項5の洗浄方法」という)は、含有オゾン気泡の粒径Rが0<R≦500nmであるオゾン水を、添加物を含めない気液混合方法によって生成するオゾン水生成工程と、当該オゾン水生成工程において生成したオゾン水を用いて電子・機械部品を洗浄するオゾン水洗浄工程と、を含めてなるものである。
請求項6記載の発明に係る電子・機械部品洗浄方法(以下、適宜「請求項6の洗浄方法」という)は、含有オゾン気泡の粒径Rが0<R≦50nmであるオゾン水を、添加物を含めない気液混合方法によって生成するオゾン水生成工程と、当該オゾン水生成工程において生成したオゾン水を用いて電子・機械部品を洗浄するオゾン水洗浄工程と、を含めてなるものである。
請求項7記載の発明に係る電子・機械部品洗浄方法(以下、適宜「請求項7の洗浄方法」という)では、請求項4乃至6いずれかの洗浄方法における好ましい態様として、前記気液混合方法に使用する原水に、純水又は超純水を使用してある。
請求項8記載の発明に係る電子・機械部品洗浄方法(以下、適宜「請求項8の洗浄方法」という)では、請求項4乃至7いずれかの洗浄方法における好ましい態様として、前記オゾン水生成工程では、小径路を有するベンチュリ管に原水を通過させ、かつ、ベンチュリ管にオゾンを供給するとともに、当該ベンチュリ管の少なくとも小径路に磁力を作用させるようにしてある。ベンチュリ管はエジェクタ(エゼクタ)と呼ばれることもある。
請求項9記載の発明に係る電子・機械部品洗浄方法(以下、適宜「請求項9の洗浄方法」という)では、請求項8の洗浄方法における好ましい態様として、前記ベンチュリ管を通過したオゾン水(原水を含む場合もある)を循環させ、オゾンを供給しながら前記ベンチュリ管を少なくとも1回再通過させるようにしてある。
請求項10記載の発明に係るオゾン水洗浄方法(以下、適宜「請求項10の洗浄方法」という)では、請求項9の洗浄方法における好ましい態様として、前記循環させたオゾン水を貯留タンクに一旦貯留することを行う。オゾン水が貯留されている貯留タンク内に原水を注入するようにしてもよい。使用等により減少したオゾン水の量を増加させるためである。原水注入によりオゾン濃度が低下することになるが、循環させることによって濃度を高めることができる。
請求項11記載の発明に係るオゾン水洗浄方法(以下、適宜「請求項11の洗浄方法」という)では、請求項10の洗浄方法における好ましい態様として、前記貯留タンクに貯留したオゾン水を、0〜15℃の範囲に保持することを行う。上記温度範囲に保持するための温度調整には、たとえば、貯留タンク内にあるオゾン水に対して直接行う方法や、一旦取り出したオゾン水を温度調整後に貯留タンクに戻す方法がある。
請求項12記載の発明に係るオゾン水洗浄方法(以下、適宜「請求項12の洗浄方法」という)では、請求項8乃至11いずれかの洗浄方法における好ましい態様として、オゾン水を溶解促進槽に一旦貯留してオゾン溶解を促進することを行う。
請求項13記載の発明に係るオゾン水洗浄方法(以下、適宜「請求項13の洗浄方法」という)では、請求項12の洗浄方法における好ましい態様として、前記溶解促進槽の頂部には、貯留してあるオゾン水から脱気したオゾンを排出する。
請求項14記載の発明に係るオゾン水洗浄方法(以下、適宜「請求項14の洗浄方法」という)は、請求項4乃至7いずれかの洗浄方法におけるオゾン水生成工程の好ましい態様として、磁界中において、原水の水圧を圧力頂点に至るまで増圧させ当該圧力頂点に至った直後に減圧させるとともに当該圧力頂点に至った原水にオゾンを供給する工程を含めてなるものである。
請求項15記載の発明に係る電子・機械部品洗浄装置(以下、適宜「請求項15の洗浄装置」という)は、電子・機械部品を洗浄するための洗浄槽と、当該洗浄槽にオゾン水を供給するためのオゾン水生成装置と、を含めて構成してある。ここで、当該オゾン水生成装置が、小径路を有するベンチュリ管と、当該ベンチュリ管の小径路を通過する被処理水にオゾンを供給するためのオゾン供給装置と、を含めて構成してあり、当該ベンチュリ管には、少なくともオゾン供給を受けた被処理水に磁力を作用させる磁石を設けてある。
請求項16記載の発明に係る電子・機械部品洗浄装置(以下、適宜「請求項16の洗浄装置」という)では、請求項15の洗浄装置の好ましい態様として、当該磁石が、一方の磁石片と他方の磁石片とを含む磁気回路によって構成してあり、当該一方の磁石片と当該他方の磁石片とを、前記ベンチュリ管を挟んで対向させてある。
請求項17記載の発明に係る電子・機械部品洗浄装置(以下、適宜「請求項17の洗浄装置」という)では、請求項15又は16の洗浄装置の好ましい態様として、前記磁石の磁力が、1000〜30000ガウスに設定してある。
請求項18記載の発明に係る電子・機械部品洗浄装置(以下、適宜「請求項18の洗浄装置」という)では、請求項15又は17の洗浄装置の好ましい態様として前記気液混合方法に使用する原水に、純水又は超純水を使用してある。
請求項19記載の発明に係る電子・機械部品洗浄装置(以下、適宜「請求項19の洗浄装置」という)では、請求項15乃至18いずれかの洗浄装置の好ましい態様として、前記ベンチュリ管を通過したオゾン水を循環させて当該ベンチュリ管を再度通過させるための循環構造を、さらに含めて構成してある。
請求項20記載の発明に係る電子・機械部品洗浄装置(以下、適宜「請求項20の洗浄装置」という)では、請求項19の洗浄装置の好ましい態様として、前記循環構造の途中には、循環させる被処理水を一旦貯留させるための貯留タンクを設けてある。オゾン水が貯留されている貯留タンク内に原水を注入するようにしてもよい。使用等により減少したオゾン水の量を増加させるためである。原水注入によりオゾン濃度が低下することになるが、循環させることによって濃度を高めることができる。
請求項21記載の発明に係る電子・機械部品洗浄装置(以下、適宜「請求項21の洗浄装置」という)では、請求項20の洗浄装置の好ましい態様として、前記貯留タンク内の被処理液を0〜15℃の範囲に保持するための温度保持構造を設けてある。上記温度範囲に保持するための温度調整には、たとえば、貯留タンク内にあるオゾン水に対して直接行う方法や、一旦取り出したオゾン水を温度調整後に貯留タンクに戻す方法がある。
図1を参照しながら、本実施形態における半導体基板洗浄方法を実施するための半導体基板洗浄装置装置(以下、適宜「洗浄装置」という)について説明する。洗浄装置1は、洗浄槽3と、オゾン水生成装置201と、から概ね構成してある。洗浄槽3は、その中で半導体基板を洗浄するための槽である。洗浄槽3の内部には、半導体基板の洗浄を補助するための洗浄機構7を配してある。オゾン水生成装置201は洗浄槽3へオゾン水を供給するための装置である。
図1を参照しながら、洗浄槽及び洗浄機構の概略について説明する。図1に2点差線で示す洗浄槽3は、略機密密閉可能に構成してあり、半導体基板Aを入れたり出したりすると、ための開閉機構(図示を省略)を設けてある。洗浄槽3内に設置した洗浄機構7は、駆動源となるモータ7mと、モータ7mによって回転する回転テーブル7tと、から概ね構成してある。回転テーブル7tは、その上に半導体基板Aを載置可能に構成してあり、半導体基板Aを下方から保持して一体回転可能となるように構成してある。半導体基板Wを回転させるのは、オゾン水Wを満遍なく行き渡らせることによって洗浄効率を高めるためである。モータ7mの回転は、洗浄槽3の外部にある回転速度制御装置7cによって制御可能に構成してある。符号11は、オゾン水供給装置201から供給されたオゾン水Wを、半導体基板Aの表面に吐出するためのノズルを示している。ノズル11は、洗浄槽3内に設置したノズル駆動装置13によって移動可能に保持され、その移動によって、半導体基板Aに対するオゾン水Wの吐出位置を変化させられるように構成してある。吐出位置を変化させるのは、位置変化によりオゾン水Wをより満遍なく行き渡らせるためである。ノズル駆動装置13の制御は、洗浄槽3の外部にある位置制御装置13cによって行う。なお、上記した洗浄槽3及び洗浄機構7は、半導体基板の洗浄用に構成してあるが、半導体基板以外の電子部品や機械部品を洗浄する場合は、その洗浄部品の形態や個数等に合わせた洗浄槽及び洗浄機構等を構成すべきであることは言うまでもない。なお、洗浄機構7には、オゾン水Wを加熱するための加熱手段(図示を省略)を設け、オゾン水Wを、たとえば、15℃以上、100℃(沸点)以下の温度まで加熱してから洗浄(処理)を行うこともできる。加熱によって洗浄効果を高めるためである。
図2を参照しながら、オゾン水生成装置について説明する。オゾン水生成装置201は、貯留タンク202と、オゾンを生成して供給するためのオゾン供給装置203と、貯留タンク202から取り出した被処理水を貯留タンク202に戻すための循環構造204と、循環構造204の途中に設けた気液混合構造205及び溶解促進槽206と、貯留タンク202に付設した温度保持構造207と、から概ね構成してある。以下の説明は、説明の都合上、貯留タンク202、温度保持構造207、オゾン供給装置203、気液混合構造205、溶解促進槽206を行った後、最後に循環構造204について行う。
図2に示すように、貯留タンク202には取水バルブ202vを介して被処理水としての原水を注入可能に構成してある。貯留タンク202は取水した原水、及び、後述する循環構造204を介して循環させた被処理水(オゾン水)を貯留するためのものである。貯留タンク202に貯留された被処理水は、温度保持構造207によって、たとえば、0〜15℃の範囲に保持されるようになっている。上記範囲に温度設定したのは、オゾン溶解を効率よく行い、かつ、溶解させたオゾンを容易に脱気させないために適当であるからである。0℃未満が上記範囲に含まれないのは、0℃未満ではオゾン水が凍結してしまうからである。温度保持構造207は、貯留タンク202から被処理水を取り出すためのポンプ211と、取り出した被処理水を冷却するための冷却機212と、から概ね構成してあり、貯留タンク202とポンプ211、ポンプ211と冷却機212、冷却機212と貯留タンク202の間は被処理水を通過させる配管213によって連結してある。上記構成によって、貯留タンク202に貯留された被処理水(原水及び/又はオゾン水)は、ポンプ211の働きによって貯留タンク202から取り出され、冷却機212に送られる。冷却機212は送られてきた被処理水を所定範囲の温度に冷却して貯留タンク202に戻す。ポンプ211は、図外にある温度計によって計測された貯留タンク202内の被処理水の温度が所定範囲を超え冷却の必要があるときにのみ作動するようになっている。貯留タンク202を設けた理由は、被処理水を一旦貯留することによって上記冷却を可能にするとともに、被処理水を安定状態に置き、これによって、被処理水に対するオゾン溶解を熟成類似の作用によって促進させるためである。なお、たとえば、寒冷地等において被処理水が凍結する恐れがある場合は、上記冷却機の代わりに、又は、上記冷却機とともにヒーター装置を用いて被処理水を加温するように構成することもできる。なお、配管213から分岐させた配管213aを介して洗浄装置1にオゾン水を供給するように構成してある。すなわち、冷却機212で所定温度に冷却されたオゾン水は、ポンプ211の働きにより配管213aを介して洗浄装置1に供給される。符号213vは、配管213aに設けたオゾン水の流量を調整するための調整バルブを示す。
図2に示すオゾン供給装置203は、オゾンを生成供給するための装置である。必要なオゾン量を供給可能なものであれば、オゾン供給装置203が作用するオゾン発生原理等に何ら制限はない。たとえば、酸素ガス中で放電を起こしてオゾンを発生させる放電方式や、超純水中の水分子を電気分解してオゾンを発生させる電解方式が、オゾン発生方式として知られている。オゾン供給装置203によって生成されたオゾンは、オゾン供給管217の途中に設けた電磁バルブ218と逆止弁219を介して気液混合構造205に供給されるようになっている。
図2乃至6を参照しながら気液混合構造205の詳細について説明する。気液混合構造205は、ベンチュリ管231と、オゾン供給パイプ239と、磁気回路243と、により概ね構成してある。ベンチュリ管231は、上流側(図3の向かって右側)から送られた被処理水を下流側(図3の向かって左側)へ通過させるためのパイプ状の外観を有している(図6参照)。ベンチュリ管231を長手方向に貫く中空部は、上流側から下流側に向かって上流側大経路232、絞り傾斜路233、小径路234、開放傾斜路235及び下流側大経路236の順に連通している。上流側大経路232は、軸線方向に対して50度前後の急角度をもって絞り方向に傾斜する絞り傾斜路233を介して小径路234に繋げられ、その後、開放傾斜路235によって同じく軸線方向に対して30度前後の緩やかな角度を持って開放される。開放傾斜路235は、上流側大経路232と同じ外径の下流側大経路236に繋がっている。他方、小径路234には、そこにオゾン供給パイプ239の開口端を臨ませてある。オゾン供給パイプ239の供給端にはオゾン供給装置203と連通するオゾン供給管217が接続してある。小径路234の中、又は、その近傍は、被処理水の圧力変化によって真空又は真空に近い状態になるため、開口端に及んだオゾンは吸引され乱流化した被処理水内に散気される。なお、符号240は、ベンチュリ管231とオゾン供給パイプ239との間を補強するためのリブを示している。
以上の構成により、上流側大経路232を通過した被処理水は、絞り傾斜路233を通過するときに圧縮されて水圧が急激に高まり、同時に通過速度も急激に上昇する。高圧・高速のピークは、小径路234に達したときである。小径路234を通過した被処理水は、開放傾斜路235の中で急激に減圧・減速し、後続する被処理水との衝突の衝撃等を受け乱流化する。その後、被処理水は下流側大経路236を抜け、気液混合構造205の外へ出る。散気されたオゾンは、被処理水の乱流に巻き込まれ大小様々な大きさの気泡となり攪拌作用を受ける。小径路234及び少なくともその下流を流れる被処理水(オゾン)には、上記攪拌作用とともに磁気回路243の働きによる磁力作用を受ける。すなわち、被処理水の水圧を圧力頂点(ピーク)に至るまで増圧させ当該圧力頂点に至った直後に減圧させるとともに当該圧力頂点に至った被処理水にオゾンを供給する、ことを磁界の中で行うことになる。攪拌作用と磁界の磁力作用が相乗効果を生み、その結果、被処理水にオゾンが溶解し高溶解度を持った高濃度オゾン水が生成される。
図2及び7を参照しながら、溶解促進槽206について説明する。溶解促進槽206は、天板253と底板254とによって上下端を密閉した円筒状の外壁255によって、その外観を構成してある。天板253の下面には、その下面から垂下する円筒状の内壁256を設けてある。内壁256に囲まれた空間が、被処理水を貯留するための貯留室258となる。内壁256の外径は外壁255の外径よりも小さく設定してあり、これによって、内壁256と外壁255との間に所定幅の壁間通路259が形成される。他方、内壁256の下端は、底板254まで届かず、底板254との間に所定幅の間隙を形成する。この間隙は、下端連通路257として機能する。すなわち、内壁256が囲む貯留室258は、下端連通路257を介して壁間通路259と連通している。他方、内壁256の天板253の近傍には複数の連通孔256h,256h,・・を貫通させてあり、貯留室258と壁間通路259とは各連通孔256hを介しても連通している。底板254の上面略中央には、細長の揚水管261を起立させてある。揚水管261の中空部下端は、底板254を貫通する入水孔254hと連通し、中空部上端は、揚水管261上端に形成した多数の小孔261h,・・を介して貯留室258と連通している。揚水管261の上端は、内壁256が有する連通孔256hの位置よりも僅か下に位置させてある。外壁255の高さ方向上から略4分の1付近には、排水孔255hを貫通させてある。つまり、壁間通路259は、排水孔255hを介して外部と連通している。
図2を参照しながら、循環構造について説明する。循環構造204は、気液混合構造205を通過した被処理水(既に原水からオゾン水になっている)を循環させて再度、気液混合構造205を通過させる機能を有している。再度、気液混合構造205を通過させるのは、既にオゾンを溶解させた被処理水に再度オゾンを注入することによって、オゾンの溶解度と濃度をさらに高めるためである。循環構造204は、ポンプ271を駆動源とし、貯留タンク202と溶解促進槽206を主要な構成要素とする。すなわち、ポンプ271は、貯留タンク202から配管270を介して取り出した被処理水を逆止弁272及び配管273を介して気液混合構造205に圧送する。圧送によって気液混合構造205を通過した被処理水は、配管274及び溶解促進槽206を抜け配管275を介して貯留タンク202に戻される。循環構造204は、上記した工程を必要に応じて繰り返して実施可能に構成してある。循環させる回数は、生成しようとするオゾン水のオゾン溶解度やオゾン濃度等を得るために自由に設定することができる。なお、符号276は、配管275の途中に設けたバルブを示している。バルブ276は、その開閉によって気液混合構造205の小径路234(図2参照)を通過させる被処理水の水圧を制御することを主目的として設けてある。
図2及び8を参照しながら、実験例について説明する。ここで、示す実験例は、背景技術の欄において説明した磁石の使用方法と本発明に係る磁石の使用方法の違いによって、オゾンの溶解度や濃度に著しい差が生じることを主として示すためのものである。本実験例では、本件発明に係る装置として図2に示すオゾン水生成装置(以下、「本件装置」という)を使用し、比較対象となる装置として図8に示すオゾン水生成装置(以下、「比較装置」という)を使用した。比較装置には、本件装置の構造と基本的に同じ構造を備えさせてあるが、磁気回路243の取付位置のみを異ならせてある。このため、図8では磁気回路を除き図2で使用する符号と同じ符号を使用し、図8に示す磁気回路には気液混合構造205の上流側にあるものに符号243aを、下流側にあるものに符号243bを、それぞれ付してある。整理すると、図2に示す本件装置は、磁気回路243と一体となった気液混合構造205を備え、図8に示す比較装置は、気液混合構造205の上流側配管に磁気回路243aを、同じく下流側配管に磁気回路243bを、それぞれ同時に又は選択的に取り付け取り外しできるように構成してある。なお、気液混合構造205として、米国マジェーインジェクター社(MAZZEI INJECTOR CORPORATION)製のモデル384を、磁気回路には7000ガウスのものを、それぞれ使用した。
表1及び2を参照しながら、濃度比較実験について説明する。表1は、オゾン水のオゾン濃度と濃度上昇時間との関係を示している。表2は、表1に示すオゾン水のオゾン濃度が生成装置の運転停止後にゼロになるまでに要する時間を示している。ゼロになるまでの時間が長ければ長いほどオゾン溶解度が高いことを示す。表1及び2において、記号「□」は本件装置を用いて生成したオゾン水(以下、「本件オゾン水」という)を、記号「×」は比較装置から磁気回路のみを取り外した気液混合構造を用いて生成したオゾン水(以下、「磁気なしオゾン水」という)を、記号「△」は比較装置において気液混合構造205と磁気回路243aとにより生成したオゾン水(以下、「上流側磁気オゾン水」という)を、記号「○」は比較装置において気液混合構造205と磁気回路243bとにより生成したオゾン水(以下、「下流側磁気オゾン水」という)を、そして、記号「◇」は比較装置において気液混合構造205と磁気回路243a及び磁気回路243bの双方とにより生成したオゾン水(以下、「両側磁気オゾン水」という)を、それぞれ示している。被処理水の温度は5℃、周囲湿度は36〜43%、周囲温度は17℃であった。
表3及び4を参照しながら、本件オゾン水が含有するオゾン気泡の粒径測定実験について説明する。表3及び4は、本件オゾン水に含まれるオゾン気泡の粒径分布を示す(左側縦軸参照)。本測定実験では、オゾン濃度とオゾン濃度保持時間との関係から4種類の本件オゾン水を測定対象とした。まず、オゾン濃度を3ppmと14ppmの2種類とし、次に、各濃度それぞれ当該濃度に達した直後のオゾン水(以下、各々「3ppm直後オゾン水」「14ppm直後オゾン水」という)と、当該濃度に達した後その濃度を15分間維持させたオゾン水(以下、各々「3ppm維持オゾン水」「14ppm維持オゾン水」という)と、に分けた。つまり、「3ppm直後オゾン水」「3ppm維持オゾン水」「14ppm直後オゾン水」「14ppm維持オゾン水」の4種類が、本測定実験に係る測定対象である。ここで、本測定実験に使用した本件オゾン水の原水には、水道水を0.05μm(50nm)の微粒子絶対濾過の逆浸透膜で濾過して得た純水を用いた。本実験で純水を得るために使用した装置は、セナー株式会社製超純水装置(型名:Model・UHP)である。水道水には50nm以上の不純物(たとえば、鉄分やマグネシウム)が含まれているため、濾過してない原水から生成したオゾン水を測定対象としても、そこに含まれる不純物を測定してしまい測定誤差が生じかねないので、濾過によって予め不純物を取り除いておくことによってオゾンの気泡粒径の正しい測定ができるようにするためである。水道水以外の原水、たとえば、井戸水や河川水についても同じことがいえる。オゾン気泡の粒径測定に使用した測定器は、動的光散乱式粒径分布測定装置(株式会社堀場製作所(HORIBA,Ltd):型式LB500))である。原水から不純物を濾過せずともオゾン気泡の粒径を正しく測定できる手段があれば、その手段を用いて測定可能であることはいうまでもない。
なお、上記4種類のオゾン水、すなわち、「3ppm直後オゾン水」「3ppm維持オゾン水」「14ppm直後オゾン水」及び「14ppm維持オゾン水」についてpH測定実験を行った。その結果は、表5及び6に線グラフで示してある(右側縦軸参照)。いずれのオゾン水についても、オゾン溶解の前後においてpH7.3前後を示した。すなわち、オゾン溶解は原水のpHにほとんど変化を与えないことがわかった。井戸水や水道水は概ね中性(pH6.5〜7.5)を示すことから、気液混合方式によって生成した本件オゾン水は、pHを調整するための添加物を添加しなくても中性を示すことがわかった。もっとも、原水がアルカリ性である場合は、オゾン溶解がオゾン水のpHを変化させないことからアルカリ性のオゾン水が生成される場合もあり得よう。
3 洗浄槽
7 洗浄機構
201 オゾン水生成装置
202 貯留タンク
203 オゾン供給装置
204 循環構造
205 気液混合構造
206 溶解促進槽
207 温度保持構造
231 ベンチュリ管
232 上流側大径路
233 絞り傾斜路
234 小径路
235 開放傾斜路
236 下流側大径路
239 オゾン供給パイプ
243 磁気回路
245 一方の磁石片
246 他方の磁石片
265 気液分離装置
267 オゾン分解装置
Claims (21)
- 気液混合方法によって無添加生成したオゾン水を用いて電子・機械部品を洗浄する電子・機械部品洗浄方法において、
当該オゾン水が含有するオゾン気泡の粒径Rが0<R≦1000nmである
ことを特徴とする電子・機械部品洗浄方法。 - 気液混合方法によって無添加生成したオゾン水を用いて電子・機械部品を洗浄する電子・機械部品洗浄方法において、
当該オゾン水が含有するオゾン気泡の粒径Rが0<R≦500nmである
ことを特徴とする電子・機械部品洗浄方法。 - 気液混合方法によって無添加生成したオゾン水を用いて電子・機械部品を洗浄する電子・機械部品洗浄方法において、
当該オゾン水が含有するオゾン気泡の粒径Rが0<R≦50nmである
ことを特徴とする電子・機械部品洗浄方法。 - 含有オゾン気泡の粒径Rが0<R≦1000nmであるオゾン水を、添加物を含めない気液混合方法によって生成するオゾン水生成工程と、
当該オゾン水生成工程において生成したオゾン水を用いて電子・機械部品を洗浄するオゾン水洗浄工程と、を含めてなる
ことを特徴とする電子・機械部品洗浄方法。 - 含有オゾン気泡の粒径Rが0<R≦500nmであるオゾン水を、添加物を含めない気液混合方法によって生成するオゾン水生成工程と、
当該オゾン水生成工程において生成したオゾン水を用いて電子・機械部品を洗浄するオゾン水洗浄工程と、を含めてなる
ことを特徴とする電子・機械部品洗浄方法。 - 含有オゾン気泡の粒径Rが0<R≦50nmであるオゾン水を、添加物を含めない気液混合方法によって生成するオゾン水生成工程と、
当該オゾン水生成工程において生成したオゾン水を用いて電子・機械部品を洗浄するオゾン水処理工程と、を含めてなる
ことを特徴とする電子・機械部品洗浄方法。 - 前記気液混合方法に使用する原水が、純水又は超純水である
ことを特徴とする請求項1乃至6いずれか記載の電子・機械部品洗浄方法。 - 前記オゾン水生成工程では、小径路を有するベンチュリ管に原水を通過させ、かつ、ベンチュリ管にオゾンを供給するとともに、当該ベンチュリ管の少なくとも小径路に磁力を作用させる
ことを特徴とする請求項4乃至7いずれか記載の電子・機械部品洗浄方法。 - 前記ベンチュリ管を通過したオゾン水を循環させ、オゾンを供給しながら前記ベンチュリ管を少なくとも1回再通過させる
ことを特徴とする請求項8記載の電子・機械部品洗浄方法。 - 前記循環させたオゾン水を貯留タンクに一旦貯留する
ことを特徴とする請求項9記載の電子・機械部品洗浄方法。 - 前記貯留タンクに貯留したオゾン水を、0〜15℃の範囲に保持する
ことを特徴とする請求項10記載の電子・機械部品洗浄方法。 - オゾン水を溶解促進槽に一旦貯留してオゾン溶解を促進する
ことを特徴とする請求項8乃至10いずれか記載の電子・機械部品洗浄方法。 - 前記溶解促進槽に貯留したオゾン水から脱気したオゾンを、当該溶解促進槽外部へ排出する
ことを特徴とする請求項12記載の電子・機械部品洗浄方法。 - 前記オゾン水生成工程では、磁界中において、原水の水圧を圧力頂点に至るまで増圧させ当該圧力頂点に至った直後に減圧させるとともに当該圧力頂点に至った原水にオゾンを供給する工程を含めてなる
ことを特徴とする請求項4乃至7いずれか記載の電子・機械部品洗浄方法。 - 電子・機械部品を洗浄するための洗浄槽と、
当該洗浄槽にオゾン水を供給するためのオゾン水生成装置と、を含めて構成してあり、
当該オゾン水生成装置が、小径路を有するベンチュリ管と、当該ベンチュリ管の小径路を通過する被処理水にオゾンを供給するためのオゾン供給装置と、を含めて構成してあり、
当該ベンチュリ管には、少なくともオゾン供給を受けた被処理水に磁力を作用させる磁石を設けてある
ことを特徴とする電子・機械部品洗浄装置。 - 前記磁石が、一方の磁石片と他方の磁石片とを含む磁気回路によって構成してあり、
当該一方の磁石片と当該他方の磁石片とを、前記ベンチュリ管を挟んで対向させてある
ことを特徴とする請求項15記載の電子・機械部品洗浄装置。 - 前記磁石の磁力が、1000〜30000ガウスに設定してある
ことを特徴とする請求項15又は16記載の電子・機械部品洗浄装置。 - 前記気液混合方法に使用する原水が、純水又は超純水である
ことを特徴とする請求項15乃至17いずれか記載の電子・機械部品洗浄装置。 - 前記ベンチュリ管を通過したオゾン水を循環させて当該ベンチュリ管を再度通過させるための循環構造を、さらに含めて構成してある
ことを特徴とする請求項15乃至18いずれか記載の電子・機械部品洗浄装置。 - 前記循環構造の途中には、循環させるオゾン水を一旦貯留させるための貯留タンクを設けてある
ことを特徴とする請求項19記載の電子・機械部品洗浄装置。 - 前記貯留タンク内のオゾン水を0〜15℃の範囲に保持するための温度保持構造を設けてある
ことを特徴とする請求項20記載の電子・機械部品洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007011841A JP2008192630A (ja) | 2006-03-20 | 2007-01-22 | 電子・機械部品洗浄方法及び電子・機械部品洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006077184 | 2006-03-20 | ||
JP2006316253 | 2006-11-22 | ||
JP2007004649 | 2007-01-12 | ||
JP2007011841A JP2008192630A (ja) | 2006-03-20 | 2007-01-22 | 電子・機械部品洗浄方法及び電子・機械部品洗浄装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008192630A true JP2008192630A (ja) | 2008-08-21 |
Family
ID=39752492
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007011841A Pending JP2008192630A (ja) | 2006-03-20 | 2007-01-22 | 電子・機械部品洗浄方法及び電子・機械部品洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008192630A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010227783A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 気体溶解装置 |
JP2011157580A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Univ Of Shiga Prefecture | オゾン微細気泡の電解合成方法 |
JP2016211015A (ja) * | 2015-04-30 | 2016-12-15 | シグマテクノロジー有限会社 | マイクロ・ナノバブルを利用した金属表面の改質方法及び金属と樹脂との接着方法 |
JPWO2016088731A1 (ja) * | 2014-12-02 | 2017-10-05 | シグマテクノロジー有限会社 | マイクロ・ナノバブルによる洗浄方法及び洗浄装置 |
WO2020153168A1 (ja) * | 2019-01-24 | 2020-07-30 | 株式会社ジェイ・イー・ティ | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN113976290A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-01-28 | 青岛阿莫斯资源科技有限公司 | 一种高纯石英砂的制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001300278A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-10-30 | Akio Tanaka | 流体混合活性化装置 |
JP2001351893A (ja) * | 2000-06-05 | 2001-12-21 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 基板処理方法 |
JP2003086560A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2004121962A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ナノバブルの利用方法及び装置 |
JP2004201823A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Ebara Corp | 洗濯・洗浄方法、洗濯装置及び洗浄装置 |
-
2007
- 2007-01-22 JP JP2007011841A patent/JP2008192630A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001300278A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-10-30 | Akio Tanaka | 流体混合活性化装置 |
JP2001351893A (ja) * | 2000-06-05 | 2001-12-21 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 基板処理方法 |
JP2003086560A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-20 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2004121962A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ナノバブルの利用方法及び装置 |
JP2004201823A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Ebara Corp | 洗濯・洗浄方法、洗濯装置及び洗浄装置 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010227783A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 気体溶解装置 |
JP2011157580A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Univ Of Shiga Prefecture | オゾン微細気泡の電解合成方法 |
JPWO2016088731A1 (ja) * | 2014-12-02 | 2017-10-05 | シグマテクノロジー有限会社 | マイクロ・ナノバブルによる洗浄方法及び洗浄装置 |
JP2016211015A (ja) * | 2015-04-30 | 2016-12-15 | シグマテクノロジー有限会社 | マイクロ・ナノバブルを利用した金属表面の改質方法及び金属と樹脂との接着方法 |
WO2020153168A1 (ja) * | 2019-01-24 | 2020-07-30 | 株式会社ジェイ・イー・ティ | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2020120011A (ja) * | 2019-01-24 | 2020-08-06 | 株式会社ジェイ・イー・ティ | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP7202632B2 (ja) | 2019-01-24 | 2023-01-12 | 株式会社ジェイ・イー・ティ | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN113976290A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-01-28 | 青岛阿莫斯资源科技有限公司 | 一种高纯石英砂的制备方法 |
CN113976290B (zh) * | 2021-11-30 | 2023-05-09 | 青岛阿莫斯资源科技有限公司 | 一种高纯石英砂的制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008153605A (ja) | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 | |
JP5681944B2 (ja) | 気体混合液生成方法および気体混合液 | |
JP2008192630A (ja) | 電子・機械部品洗浄方法及び電子・機械部品洗浄装置 | |
WO2006088207A1 (ja) | オゾン水生成装置、オゾン水生成装置に用いる気液混合構造、オゾン水生成方法及びオゾン水 | |
JP5950790B2 (ja) | 廃水処理方法およびシステム | |
US8999069B2 (en) | Method for producing cleaning water for an electronic material | |
JP2016221513A (ja) | 測定可能な、酸化性ラジカル又は、還元性ラジカルを有するウルトラファインバブル水及びウルトラファインバブル溶液。 | |
WO2009113682A1 (ja) | ガス溶解水供給システム | |
WO2009116711A2 (en) | Apparatus of generating microbubbles | |
JP2007243113A (ja) | ガス溶解洗浄水の製造方法、製造装置及び洗浄装置 | |
US20030150477A1 (en) | Substrate cleaning method, cleaning solution, cleaning apparatus and semiconductor device | |
JP2007326101A (ja) | オゾン水処理方法 | |
JP4838227B2 (ja) | 洗浄装置および洗浄方法 | |
JP2009106831A (ja) | 超純水製造装置および超純水製造方法 | |
KR20170104399A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP5079620B2 (ja) | 水処理装置 | |
KR101191562B1 (ko) | 배오존이 적은 고효율 오존 용해장치 | |
JP2011078858A (ja) | マイクロバブル生成方法及びマイクロバブル生成装置 | |
KR100904722B1 (ko) | 미세기포 발생장치 | |
JP2009028666A (ja) | ナノバブル含有磁気活水製造装置およびナノバブル含有磁気活水製造方法 | |
JP3091583B2 (ja) | 無電解めっき液への酸素供給方法及び装置 | |
JP5209357B2 (ja) | 処理液の製造装置、製造方法及び基板の処理装置、処理方法 | |
JP5364313B2 (ja) | 難分解性化合物除去装置および難分解性化合物除去方法 | |
KR101075685B1 (ko) | 포화액 생성기 및 이를 이용한 포화액 제조장치 | |
JP2009178702A (ja) | 気液混合設備 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100113 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110331 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110922 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111101 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111228 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20111228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120703 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120823 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121225 |