CN113162605A - 一种芯片修调电路及修调方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种芯片修调电路及修调方法，修调电路包括1个修调引线端和n个修调单元，修调引线端作为芯片的修调PAD；n个修调单元共接所述修调引线端，并接收修调控制信号，根据修调控制信号执行熔断或不熔断该修调单元中修调熔丝的操作。本申请中多个修调单元共用一个修调PAD，实现了多个修调项同时修调，减少了芯片的面积。

Description

一种芯片修调电路及修调方法

技术领域

本申请属于集成电路技术领域，特别是涉及一种芯片修调电路及修调方法。

背景技术

集成电路，由于自身分布影响，生产的芯片参数都会有一定的分布，在对参数精度有要求的应用中，需要使用修调的方式减小分布的影响，提高参数精度的一致性，以达到应用要求。目前的修调手段主要有电修调等，电修调原理通过在修调熔丝两端施加电压，电流通过修调熔丝产生热量将修调熔丝烧断进而达到修调目的。传统的修调电路如图1所示，各个修调项的修调PAD相对独立，在CP测试时，将探针卡扎到修调PAD上进行修调。当修调项比较多时，修调PAD的增加将会导致芯片的面积也跟着增加，增大芯片的制作成本，同时也增加测试的成本。

发明内容

本申请的目的在于克服现有技术的一项或多项不足，提供一种芯片修调电路及修调方法。

本申请的目的是通过以下技术方案来实现的：

一种芯片修调电路，其特征在于，包括：

1个修调引线端，作为芯片的修调PAD；

n个修调单元，共接所述修调引线端，并接收修调控制信号，根据修调控制信号执行熔断或不熔断该修调单元中修调熔丝的操作。

本申请中，将所有修调单元共接一个引线端，使得整个芯片上的修调只需一个PAD即可完成，这极大的降低了PAD占用芯片面积的问题，相较于现有技术具有巨大进步。

进一步的，还包括：

修调控制单元，连接在所述n个修调单元和修调引线端之间，所述修调引线端施加修调电压时，修调控制单元导通修调单元和修调引线端；

所述修调引线端施加反向修调电压时，修调控制单元断开修调单元和修调引线端。

为了保证修调后的参数不在改变，保证修调结束后可以断开所有修调单元，防止误操作。

进一步的，所述修调控制单元包括：

保护熔丝，与所述修调引线端连接；

第一开关器件，连接在所述修调单元和所述保护熔丝之间；

第二开关器件，其一端与所述保护熔丝连接，另一端接地或电源；

所述修调引线端施加修调电压时，第一开关器件闭合，第二开关器件断开；

所述修调引线端施加反向修调电压时，第一开关器件断开，第二开关器件闭合，保护熔丝熔断，以断开所述n个修调单元和修调引线端。

仅通过施加反向修调电压就能实现修调单元的断路操作，简化了修调控制单元的结构，使得芯片的修调工作更加稳定可靠。

进一步的，所述第一开关器件、第二开关器件为单向导通器件或单向导通电路。也就是利用具有单向导通功能的电器元件作为开关器件，使得正向修调电压下，电流可流入修调单元熔断修调熔丝，反向修调电压下，电流无法流入修调单元，而是流入保护熔丝，熔断保护熔丝后，就断了修调单元，即使再通正向修调电压，也无法再次进行修调。

进一步的，所述修调单元包括：

修调开关，连接在所述修调熔丝和所述修调引线端之间，并接收修调控制信号，根据所述修调控制信号断开或闭合；

修调熔丝，用于在所述修调开关闭合时熔断。

进一步的，所述修调开关由第三PMOS管、第三NMOS管、第二电阻组成；

所述第三PMOS管的源极和漏极接在所述修调熔丝和所述第一开关器件之间，第三PMOS管的栅极与所述第三NMOS管的漏极连接，第三NMOS管的栅极接收修调控制信号，第二电阻一端接在所述第三PMOS管的源极和所述修调引线端之间，第二电阻另一端与所述第三NMOS管的漏极连接；

或，

所述第三NMOS管的源极和漏极接在所述修调熔丝和所述第一开关器件之间，第三NMOS管的栅极与所述第三PMOS管的漏极连接，第三PMOS管的栅极接收修调控制信号，第二电阻一端接在所述第三NMOS管的源极和所述修调引线端之间，第二电阻另一端与所述第三PMOS管的漏极连接；

或，所述修调开关就是一个第三PMOS管或第三NMOS管，第三PMOS管或第三NMOS管的源极和漏极接在修调熔丝和修调引线端之间。

进一步的，所述调修调控制信号经输出通道2以后输入第三PMOS管的栅极或第三NMOS管的栅极。

进一步的，所述修调单元还包括：

熔丝检测电路，用于检测所述修调熔丝是否熔断，并根据检测结果输出检测信号：若所述修调熔丝未熔断，则所述检测信号的电平为默认电平，若所述修调熔丝熔断，则所述检测信号的电平翻转。

进一步的，芯片内包括一个偏置电路，所述偏置电路包括由零号MOS管和一号MOS管组成的第一电流镜，所述一号MOS管漏极接一个二号MOS管，所述零号MOS管和一号MOS管的源极分别通过一个配置熔丝接地；配置熔丝可用于配置第一电流镜的输入输出电流大小，通过调节配置熔丝的阻值即可，其本质为电阻或可调电阻，对于一个已经确定的电路而言，配置熔丝就是电阻。

所述熔丝检测电路包括：

与二号MOS管形成第二电流镜的三号MOS管；

与一号MOS管形成第三电流镜的四号MOS管；

所述三号MOS管和四号MOS管共漏极连接，二号MOS管和三号MOS管的源极接电源端，四号MOS管的源极接与所述修调熔丝连接，用于检测修调熔丝的熔断状态，三号MOS管和四号MOS管的漏极电压作为修调检测电压V0输出。

熔丝检测电路是用于检测该修调熔丝是否被熔断，如果熔断了则输出信号发生翻转，修调结束，也就是断开该修调单元的修调电压，修调结束。

进一步的，所述修调检测电压V0的检测信号经输出通道1以后输出熔丝检测信号TRIMOUT[n:0]。

一种芯片修调方法，其特征在于，包括：

将n个修调单元的修调端连接同一个修调PAD；

给修调PAD施加修调电压；

对修调单元发送修调控制信号，修调单元根据所述修调控制信号熔断或不熔断所述修调单元中的修调熔丝。

进一步的，芯片修调方法还包括：

修调完毕后，给修调PAD施加反向修调电压，使得修调PAD与修调单元之间的保护熔丝熔断，修调单元处于断路状态。

进一步的，所述修调控制信号为C[n:1]，用于控制对应修调单元中的修调开关S[m]是否闭合；

当修调开关S[m]断开时，修调熔丝Fu[m]不做修调，熔丝检测电路[m]的输出信号TRIMOUT[n:1]保持默认值不变；

当修调开关S[m]闭合时，将会有大电流流过修调熔丝Fu[m]，修调熔丝Fu[m]被烧断，熔丝检测电路[m]的输出信号TRIMOUT[n:1]翻转，修调结束。

本申请的有益效果是：本申请的芯片修调电路可在芯片封装后进行修调，芯片内可集成多个修调单元，所述修调单元共用一个修调PAD，通过修调控制信号控制开关通断，便于控制该进行修调的修调单元，通过烧断修调熔丝方式进行电修调，可靠性高，修调控制信号还可复用于芯片内的其他电路；芯片的修调电路面积小，降低了芯片的成本，且提高了修调效率。

附图说明

图1为现有技术修调电路的电路结构示意图；

图2为芯片修调电路的顶层原理图；

图3为芯片修调电路的实施原理图；

图4为芯片修调电路的另一种实施原理图；

图5为芯片修调电路一种实施例的电路图；

图6为芯片修调电路一种实施例的电路图；

图7为芯片修调电路一种实施例的电路图；

图8为芯片修调电路一种实施例的电路图；

图9为芯片修调电路一种实施例的电路图；

图10为芯片修调电路一种实施例的电路图；

图11为施密特触发器的原理图；

图12为修调控制单元的一种实施例电路图；

图13为芯片修调方法的一种流程示意图。

具体实施方式

下面将结合实施例，对本申请的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

参阅图2所示，一种芯片修调电路，包括：

1个修调引线端TRIM，作为芯片的修调PAD；

n个修调单元，共接修调引线端TRIM，并接收修调控制信号C[n:1]，根据修调控制信号C[n:1]执行熔断或不熔断该修调单元中修调熔丝Fu[m]的操作。各修调单元与修调引线端TRIM并联，使得修调电压可以通过一个修调引线端TRIM，也就是同一个PAD给所有修调单元供电，修调单元最后在修调控制信号C[n:1]的控制下决定是否熔断各自修调单元中的修调熔丝Fu[m]，其中，m取值为1-n，即每个修调单元对应一个修调熔丝Fu[m]。

参考图2和图3所示，可选的，在一些实施例中，每个修调单元包括修调开关S[m]、修调熔丝Fu[m]和熔丝检测电路[m]。熔丝检测电路[m]用于检测修调熔丝Fu[m]是否熔断，并根据检测结果输出检测信号：若修调熔丝Fu[m]未熔断，则检测信号的电平为默认电平，若修调熔丝Fu[m]熔断，则检测信号的电平翻转。每个修调单元对应一个修调开关S[m]，n个修调单元对应n个修调开关S[m]。修调开关S[m]连接在修调熔丝Fu[m]和修调引线端TRIM之间，并接收修调控制信号C[n:1]，修调开关S[m]根据修调控制信号C[n:1]断开或闭合；当修调引线端TRIM施加正向修调电压后且修调开关S[m]闭合，则对应的修调熔丝Fu[m]熔断，从而完成修调。

可选的，芯片中还包括一个偏置电路，偏置电路包括由零号MOS管和一号MOS管组成的第一电流镜，一号MOS管漏极接一个二号MOS管，零号MOS管和一号MOS管的源极分别通过一个配置熔丝接地。这里的偏置电路属于芯片内置的电路，对于不同的芯片而言，偏置电路可能存在差异。

熔丝检测电路[m]包括：

与二号MOS管形成第二电流镜的三号MOS管；

与一号MOS管形成第三电流镜的四号MOS管；

三号MOS管和四号MOS管共漏极连接，二号MOS管和三号MOS管的源极接电源端，四号MOS管的源极接与修调熔丝连接，用于检测修调熔丝的熔断状态，三号MOS管和四号MOS管的漏极电压作为修调检测电压V0输出。修调检测电压V0的检测信号经两个反相器以后输出修调检测信号。在一些实施例中，修调检测电压V0的检测信号也可以经通过一个反相器输出。

可选的，在一些实施例中，还包括一个修调控制单元，修调控制单元连接在n个修调单元和修调引线端TRIM之间，即修调引线端TRIM经过修调控制单元与n个修调单元连接。修调引线端TRIM施加修调电压时，修调控制单元导通修调单元和修调引线端TRIM；修调引线端TRIM施加反向修调电压时，修调控制单元断开修调单元和修调引线端TRIM。

参考图3-4所示，修调控制单元包括保护熔丝F0、第一开关器件和第二开关器件，保护熔丝F0与修调引线端TRIM连接；第一开关器件，连接在修调单元和保护熔丝之间；第二开关器件，其一端与保护熔丝F0连接，另一端接地或电源。

修调引线端TRIM、保护熔丝F0、第一开关器件、修调单元形成第一回路，修调引线端TRIM、保护熔丝F0、第二开关器件形成第二回路。

修调引线端TRIM施加修调电压时，第一开关器件闭合，第二开关器件断开，也就是第一回路闭合，修调电压进入修调单元。

修调引线端TRIM施加反向修调电压时，第一开关器件断开，第二开关器件闭合，也就是第二回路闭合，保护熔丝F0将会有大电流流过，保护熔丝F0熔断，以断开n个修调单元和修调引线端TRIM。

为了保证修调单元的安全性，还包括一个第一电阻R0，第一电阻R0与修调单元并联分流，第一电阻R0一端连接在第一开关器件和修调单元之间，另一端与第二开关器件同接地或电源。

可选的，在一些实施例中，第一开关器件、第二开关器件为单向导通器件或单向导通电路，单向导通器件优选采用二极管，参考图3-4所示，第一开关器件为二极管D1，第二开关器件为二极管D0，区别在于图3和图4中相同位置的二极管极性相反，这种设计是为了适应对不同侧进行修调，也就是对电源修调和对地修调。

可选的，在一些实施例中，单向导通器件还可以通过MOS管来实现，参考图12所示，是利用NMOS管和PMOS管实现的一种修调控制单元，第一开关器件为PMOS管，第二开关器件为NMOS管，修调引线端TRIM输入高电平时，PMOS管关断，NMOS管打开，则保护熔丝F0熔断，反之，修调引线端TRIM输入低电平或接地时，PMOS管打开，NMOS管关断，此时输出修调电压VTRIM至修调单元。与图3和图4相对应的，PMOS管和NMOS管位置可以互换以使用不同极性的芯片。

除以上单向导通器件以外，还可以使用本领域已知的一些其他单向导通器件，例如公开号为CN1309165C的中国专利就公开了一种特制的单向导通器件，显而易见的，将该专利中的单向导通器件应用于本申请中无需付出任何创造性劳动。

可选的，在一些实施例中，也可以采用本领域技术人员无需付出创造性劳动即可获得的单向导通电路作为第一开关器件和第二开关器件，鉴于单向导通电路的种类繁多，本实施例中对单向导通电路不做具体举例，但应知晓的，凡是本领域技术人员无需付出创造性劳动即可获得的单向导通电路应用于本申请中均属于本申请的保护范围。

参考图3所示，是一种对电源修调的修调电路，修调引线端TRIM施加修调电压为正电压，其对应的第二开关器件接地VSS，反向修调电压即为负电压。修调引线端TRIM接正电压，二极管D0不导通，D1正向导通，n个修调单元收到修调控制信号C[n:1]，控制修调开关S[m]是否闭合。当修调开关S[m]断开时，修调熔丝Fu[m]不做修调，熔丝检测电路[m]的输出信号TRIMOUT[n:1]保持默认值不变；当开关S[m]闭合时，将会有大电流流过修调熔丝Fu[m]，修调熔丝Fu[m]被烧断，熔丝检测电路[m]的输出信号TRIMOUT[n:1]翻转。TRIM端接负电压，二极管D1不导通，D0正向导通，将会有大电流流过保护熔丝F0，将保护熔丝F0烧断。

参考图4所示，是一种对地修调的修调电路，修调引线端TRIM施加修调电压为负电压，其对应的第二开关器件接电源VDD，反向修调电压即为正电压。修调引线端TRIM接地或者负电压，二极管D0不导通，D1正向导通，n个修调单元收到修调控制信号C[n:1]，控制开关S[n:1]是否闭合。当开关S[m]断开时，修调熔丝Fu[m]不做修调，熔丝检测电路[m]的输出信号TRIMOUT[n:1]保持默认值不变；当开关S[m]闭合时，将会有大电流流过修调熔丝Fu[m]，修调熔丝Fu[m]被烧断，熔丝检测电路[m]的输出信号TRIMOUT[n:1]翻转。VDD端接地，TRIM端接正电压，二极管D1不导通，D0正向导通，将会有大电流流过保护熔丝F0，将保护熔丝F0烧断。

可选的，在一些实施例中，修调开关S[m]由第三PMOS管PM3、第三NMOS管NM3、第二电阻R1R1组成。在另一些实施例中，修调开关就是一个第三PMOS管或第三NMOS管，第三PMOS管或第三NMOS管的源极和漏极接在修调熔丝Fu[m]和修调引线端TRIM之间。以下将针对这两种情况做具体的说明。

参考图5所示，是一种对地进行修调的实施例，修调引线端TRIM接正电压作为修调电压，第三PMOS管PM3的源极和漏极接在修调熔丝Fu[m]和二极管D1之间，第三PMOS管PM3的栅极与第三NMOS管NM3的漏极连接，第三NMOS管NM3的栅极接收修调控制信号C[n:1]，第二电阻R1一端接在第三PMOS管PM3的源极和修调引线端TRIM之间，第二电阻R1另一端与第三NMOS管NM3的漏极连接。当修调控制信号C[n:1]为高电平时，NM3导通，此时PM3的栅极被拉至VSS，PM3导通，则修调电压流入修调熔丝Fu[m]，修调熔丝Fu[m]熔断。调修调控制信号经两个反相器A3和A4以后输入第三NMOS管NM3的栅极。也就是在本实施例中输出通道2是通过2个反相器来实现的，输出通道2的作用是作为一个信号传输通道，除使用2个反相器以外，也可以通过施密特触发器实现，或者传输门等本领域已知的其他技术手段实现。偏置电路由零号NMOS管NM0和一号NMOS管NM1组成的第一电流镜，一号NMOS管NM1漏极接一个二号PMOS管PM1，零号NMOS管NM0和一号NMOS管NM1的源极分别通过一个配置熔丝dummy0和dummy1接地。熔丝检测电路[m]包括与二号PMOS管PM1形成第二电流镜的三号PMOS管PM2；与一号NMOS管NM1形成第三电流镜的四号NMOS管NM2；三号PMOS管PM2和四号NMOS管NM2共漏极连接，二号PMOS管PM1和三号PMOS管PM2的源极接电源端，四号NMOS管NM2的源极接与修调熔丝Fu[m]连接，用于检测修调熔丝Fu[m]的熔断状态，三号MOS管和四号MOS管的漏极电压作为修调检测电压V0输出。修调检测电压V0的检测信号经输出通道1以后输出熔丝检测信号TRIMOUT[n:0]。更为具体的，修调检测电压V0检测信号经两个反相器以后输出修调检测信号TRIMOUT[n:1]。也就是在本实施例中输出通道1是通过2个反相器来实现的，与上述输出通道2的本质完全相同。输出通道1的作用是作为一个信号传输通道，除使用2个反相器以外，也可以通过施密特触发器实现，或者传输门等本领域已知的其他技术手段实现。

工作原理说明：PM1、PM2构成电流镜，电流镜像比例为1:1，NM0、NM1、NM2构成电流镜，电流镜像比例为1:1:X，X需设计大于1，使NM2的电流能力大于PM2的电流能力。修调熔丝Fu[m]未烧断时，VO电位被NM2下拉至低电位，TRIMOUT[n:1]输出为低电位。TRIM端接正电压，二极管D0不导通，D1正向导通，n个修调单元收到修调控制信号C[n:1]，控制PMOS开关PM3是否导通。当开关PM3不导通时，修调熔丝Fu[m]不做修调，输出信号TRIMOUT[n:1]保持低电位不变；当开关PM3导通时，将会有大电流流过修调熔丝Fu[m]，修调熔丝Fu[m]被烧断，VO电位被PM2上拉至高电位，熔丝检测电路[m]的输出信号TRIMOUT[n:1]翻转，输出高电位。TRIM端接负电压，二极管D1不导通，D0正向导通，将会有大电流流过保护熔丝F0，将保护熔丝F0烧断。

参考图6所示，可选的，在一些实施例中，反相器A1可以用施密特触发器替换，这样可以保证A2的输入信号为逻辑电平，使整个电路的稳定性得到增加，施密特触发器的电路图可参考图11所示。

参考图7所示，修调开关S[m]仅由第三PMOS管PM3组成，第三PMOS管PM3的栅极接修调控制信号C[n:1]，第三PMOS管PM3的源极和漏极接在修调熔丝Fu[m]和二极管D1之间。修调控制信号C[n:1]由高有效(即C[n:1]为高电平时进行修调熔丝Fu[m]的熔断)变为低有效(即C[n:1]为低电平时进行修调熔丝Fu[m]的熔断)。

参考图8所示，是一种对电源进行修调的实施例，修调引线端TRIM接负电压或接地作为修调电压，第三NMOS管NM3的源极和漏极接在修调熔丝Fu[m]和二极管D1之间，第三NMOS管NM3的栅极与第三PMOS管PM3的漏极连接，第三PMOS管PM3的栅极接收修调控制信号C[n:1]，第二电阻R1一端接在第三NMOS管NM3的源极和修调引线端TRIM之间，第二电阻R1另一端与第三PMOS管PM3的漏极连接。调修调控制信号经两个反相器以后输入第三PMOS管PM3的栅极。调修调控制信号经两个反相器A3和A4以后输入第三PMOS管PM3的栅极。偏置电路由零号PMOS管PM0和一号PMOS管PM1组成的第一电流镜，一号PMOS管PM1漏极接一个二号NMOS管NM1，零号PMOS管PM0和一号PMOS管PM1的源极分别通过一个配置熔丝dummy0和dummy1接地。熔丝检测电路[m]包括与二号NMOS管NM1形成第二电流镜的三号NMOS管NM2；与一号PMOS管PM1形成第三电流镜的四号PMOS管PM2；三号NMOS管NM2和四号PMOS管PM2共漏极连接，二号NMOS管NM1和三号NMOS管NM2的源极接电源端，四号PMOS管PM2的源极接与修调熔丝Fu[m]连接，用于检测修调熔丝Fu[m]的熔断状态，检测信号TRIMOUT[n:1]经由二号NMOS管NM1和三号NMOS管NM2管的源极输出。

工作原理说明：NM1、NM2构成电流镜，电流镜像比例为1:1，PM0、PM1、PM2构成电流镜，电流镜像比例为1:1:X，X需设计大于1，使PM2的电流能力大于NM2的电流能力。修调熔丝Fu[m]未烧断时，VO电位被PM2上拉至高电位，TRIMOUT[n:1]输出为高电位。TRIM端接地或者负电压，二极管D0不导通，D1正向导通，n个修调单元收到修调控制信号C[n:1]，控制NMOS开关NM3是否导通。当开关NM3不导通时，修调熔丝Fu[m]不做修调，输出信号TRIMOUT[n:1]保持高电位不变；当开关PM3导通时，将会有大电流流过修调熔丝Fu[m]，修调熔丝Fu[m]被烧断，VO电位被NM2下拉至低电位，熔丝检测电路[m]的输出信号TRIMOUT[n:1]翻转，输出低电位。VDD端接地，TRIM端接正电压，二极管D1不导通，D0正向导通，将会有大电流流过保护熔丝F0，将保护熔丝F0烧断，VTRIM电位被R0上拉至VDD。

参考图9所示，可选的，在一些实施例中，反相器A1可以用施密特触发器替换，这样可以保证A2的输入信号为逻辑电平，使整个电路的稳定性得到增加，施密特触发器的电路图可参考图11所示。

参考图10所示，修调开关S[m]仅由第三NMOS管NM3组成，第三NMOS管NM3的栅极接修调控制信号C[n:1]，第三NMOS管NM3的源极和漏极接在修调熔丝Fu[m]和二极管D1之间。修调控制信号C[n:1]由低有效(即C[n:1]为低电平时进行修调熔丝Fu[m]的熔断)变为高有效(即C[n:1]为高电平时进行修调熔丝Fu[m]的熔断)。

参考图13所示，本实施例还提供一种芯片修调方法，其特征在于，包括：

将n个修调单元的修调端连接同一个修调PAD；

给修调PAD施加修调电压；

对修调单元发送修调控制信号C[n:1]，修调单元根据修调控制信号C[n:1]熔断或不熔断修调单元中的修调熔丝Fu[m]。

进一步的，芯片修调方法还包括：

修调完毕后，给修调PAD施加反向修调电压，使得修调PAD与修调单元之间的保护熔丝熔断，修调单元处于断路状态。

进一步的，修调控制信号C[n:1]，用于控制对应修调单元中的修调开关S[m]是否闭合；

当修调开关S[m]断开时，修调熔丝Fu[m]不做修调，熔丝检测电路[m]的输出信号TRIMOUT[n:1]保持默认值不变；

当修调开关S[m]闭合时，将会有大电流流过修调熔丝Fu[m]，修调熔丝Fu[m]被烧断，熔丝检测电路[m]的输出信号TRIMOUT[n:1]翻转，修调结束。

以上所述仅是本申请的优选实施方式，应当理解本申请并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本申请的精神和范围，则都应在本申请所附权利要求的保护范围内。

Claims (13)

1.一种芯片修调电路，其特征在于，包括：

1个修调引线端，作为芯片的修调PAD；

n个修调单元，共接所述修调引线端，并接收修调控制信号，根据修调控制信号执行熔断或不熔断该修调单元中修调熔丝的操作。

2.根据权利要求1所述的一种芯片修调电路，其特征在于，还包括：

修调控制单元，连接在所述n个修调单元和修调引线端之间，所述修调引线端施加修调电压时，修调控制单元导通修调单元和修调引线端；

所述修调引线端施加反向修调电压时，修调控制单元断开修调单元和修调引线端。

3.根据权利要求2所述的一种芯片修调电路，其特征在于，所述修调控制单元包括：

保护熔丝，与所述修调引线端连接；

第一开关器件，连接在所述修调单元和所述保护熔丝之间；

第二开关器件，其一端与所述保护熔丝连接，另一端接地或电源；

所述修调引线端施加修调电压时，第一开关器件闭合，第二开关器件断开；

所述修调引线端施加反向修调电压时，第一开关器件断开，第二开关器件闭合，保护熔丝熔断，以断开所述n个修调单元和修调引线端。

4.根据权利要求3所述的一种芯片修调电路，其特征在于，所述第一开关器件、第二开关器件为单向导通器件或单向导通电路。

5.根据权利要求1-4任一项所述的一种芯片修调电路，其特征在于，所述修调单元包括：

修调开关，连接在所述修调熔丝和所述修调引线端之间，并接收修调控制信号，根据所述修调控制信号断开或闭合；

修调熔丝，用于在所述修调开关闭合时熔断。

6.根据权利要求4或5所述的一种芯片修调电路，其特征在于，所述修调开关由第三PMOS管、第三NMOS管、第二电阻组成；

所述第三PMOS管的源极和漏极接在所述修调熔丝和所述第一开关器件之间，第三PMOS管的栅极与所述第三NMOS管的漏极连接，第三NMOS管的栅极接收修调控制信号，第二电阻一端接在所述第三PMOS管的源极和所述修调引线端之间，第二电阻另一端与所述第三NMOS管的漏极连接；

或，

所述第三NMOS管的源极和漏极接在所述修调熔丝和所述第一开关器件之间，第三NMOS管的栅极与所述第三PMOS管的漏极连接，第三PMOS管的栅极接收修调控制信号，第二电阻一端接在所述第三NMOS管的源极和所述修调引线端之间，第二电阻另一端与所述第三PMOS管的漏极连接；

或，所述修调开关就是一个第三PMOS管或第三NMOS管，第三PMOS管或第三NMOS管的源极和漏极接在修调熔丝和修调引线端之间。

7.根据权利要求6所述的一种芯片修调电路，其特征在于，所述调修调控制信号经输出通道2以后输入第三PMOS管的栅极或第三NMOS管的栅极。

8.根据权利要求1-7任一项所述的一种芯片修调电路，其特征在于，所述修调单元还包括：

熔丝检测电路，用于检测所述修调熔丝是否熔断，并根据检测结果输出检测信号：若所述修调熔丝未熔断，则所述检测信号的电平为默认电平，若所述修调熔丝熔断，则所述检测信号的电平翻转。

9.根据权利要求8所述的一种芯片修调电路，其特征在于，芯片内包括一个偏置电路，所述偏置电路包括由零号MOS管和一号MOS管组成的第一电流镜，所述一号MOS管漏极接一个二号MOS管，所述零号MOS管和一号MOS管的源极分别通过一个配置熔丝接地；

所述熔丝检测电路包括：

与二号MOS管形成第二电流镜的三号MOS管；

与一号MOS管形成第三电流镜的四号MOS管；

所述三号MOS管和四号MOS管共漏极连接，二号MOS管和三号MOS管的源极接电源端，四号MOS管的源极接与所述修调熔丝连接，用于检测修调熔丝的熔断状态，三号MOS管和四号MOS管的漏极电压作为修调检测电压V0输出。

10.根据权利要求9所述的一种芯片修调电路，其特征在于，所述修调检测电压V0的检测信号经输出通道1以后输出熔丝检测信号TRIMOUT[n:0]。

11.一种芯片修调方法，其特征在于，包括：

将n个修调单元的修调端连接同一个修调PAD；

给修调PAD施加修调电压；

对修调单元发送修调控制信号，修调单元根据所述修调控制信号熔断或不熔断所述修调单元中的修调熔丝。

12.根据权利要求10所述的一种芯片修调方法，其特征在于，芯片修调方法还包括：

修调完毕后，给修调PAD施加反向修调电压，使得修调PAD与修调单元之间的保护熔丝熔断，修调单元处于断路状态。

13.根据权利要求10或11所述的一种芯片修调方法，其特征在于，所述修调控制信号为C[n:1]，用于控制对应修调单元中的修调开关S[m]是否闭合；

当修调开关S[m]断开时，修调熔丝Fu[m]不做修调，熔丝检测电路[m]的输出信号TRIMOUT[n:1]保持默认值不变；

当修调开关S[m]闭合时，将会有大电流流过修调熔丝Fu[m]，修调熔丝Fu[m]被烧断，熔丝检测电路[m]的输出信号TRIMOUT[n:1]翻转，修调结束。

Images