CN113109258A - 载置台的异物的检测方法以及检测装置 - Google Patents

载置台的异物的检测方法以及检测装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113109258A
CN113109258A CN202011478601.5A CN202011478601A CN113109258A CN 113109258 A CN113109258 A CN 113109258A CN 202011478601 A CN202011478601 A CN 202011478601A CN 113109258 A CN113109258 A CN 113109258A
Authority
CN
China
Prior art keywords
position information
mounting table
foreign matter
image
detecting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202011478601.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113109258B (zh
Inventor
齐木健太
石田卓也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN113109258A publication Critical patent/CN113109258A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113109258B publication Critical patent/CN113109258B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/01Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/94Investigating contamination, e.g. dust
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/0002Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004Industrial image inspection
    • G06T7/001Industrial image inspection using an image reference approach
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/70Determining position or orientation of objects or cameras
    • G06T7/73Determining position or orientation of objects or cameras using feature-based methods
    • G06T7/74Determining position or orientation of objects or cameras using feature-based methods involving reference images or patches
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67294Apparatus for monitoring, sorting or marking using identification means, e.g. labels on substrates or labels on containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/282Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
    • G01R31/2831Testing of materials or semi-finished products, e.g. semiconductor wafers or substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

一种载置台的异物的检测方法以及检测装置,提供一种能够检测能够吸附被检查物的载置台的表面的异物的技术。包括:取得能够吸附被检查物的载置台的表面的基准状态下的第一图像中包含的第一图案的第一位置信息的步骤;取得上述第一图像的摄像后的上述表面的第二图像中包含的第二图案的第二位置信息的步骤;以及将上述第一位置信息与上述第二位置信息进行比较,从而检测上述表面的异物的步骤。

Description

载置台的异物的检测方法以及检测装置
技术领域
本发明涉及载置台的异物的检测方法以及检测装置。
背景技术
专利文献1公开了一种异物检测装置,其包括:对象像素提取单元,其对于将检查对象进行摄像的摄像图像,对各像素的亮度进行检测,并基于该亮度自全像素提取对象像素;亮度差检测单元,其对上述对象像素与位于上述对象像素的周边的多个周边像素的亮度差进行检测;以及异物判定单元,其基于上述亮度差来判定异物的有无。
<现有技术文献>
<专利文献>
专利文献1:(日本)特开2011-163804号公报
发明内容
<本发明要解决的问题>
本发明提供一种对能够吸附被检查物的载置台的表面的异物进行检测的技术。
<用于解决问题的手段>
根据本发明的一个方式,提供一种载置台的异物的检测方法,包括:取得能够吸附被检查物的载置台的表面的基准状态下的第一图像中包含的第一图案的第一位置信息的步骤;取得上述第一图像的摄像后的上述表面的第二图像中包含的第二图案的第二位置信息的步骤;以及将上述第一位置信息与上述第二位置信息进行比较,从而检测上述表面的异物的步骤。
<发明的效果>
根据一个方面,能够对能够吸附被检查物的载置台的表面的异物进行检测。
附图说明
图1是示出实施方式的检查装置10的一个例子的立体图。
图2是示出本实施方式中的载置台18的一个例子的剖视图。
图3是示出通过训练功能和颗粒检测功能分别取得基准图像和检查用图像时的摄像顺序的一个例子的图。
图4是示出控制装置13取得基准数据时进行的处理的一个例子的流程图。
图5是示出控制装置13取得检查用位置信息并检测异物时进行的处理的一个例子的流程图。
具体实施方式
以下,参照附图对用于实施本发明的方式进行说明。需要说明的是,本说明书以及附图中,有时通过对实质上相同的构成付与相同的附图标记而省略重复的说明。以下,虽然使用图中的上下方向或上下关系进行说明,但其并不表示普遍的上下方向或上下关系。
[实施方式]
图1是示出实施方式的检查装置10的一个例子的立体图。图1中,为了方便说明,检查装置10的一部分被切去示出。如图1所示,检查装置10具有装载室11、探测室12、控制装置13以及显示装置14。
装载室11具有作为搬运机构的一个例子的搬运臂15。搬运臂15用于将容纳于盒体C中的作为基板的半导体晶圆(以下称为“晶圆”)W搬入探测室12。晶圆W是被检查物的一个例子。另外,搬运臂15用于将检查完成的晶圆W自探测室12向规定的搬出位置搬出。
探测室12用于检查通过搬运臂15被搬入的晶圆W的电气特性。探测室12中设有用于使载置台18在上下方向(图1的Z轴的方向)和横向方向(与图1的X轴和Y轴平行的XY平面内的方向)移动的X平台16X和Y平台16Y等。在载置台18上,载置有通过搬运臂15搬入的晶圆W,载置台18通过真空吸附等将载置的晶圆W吸附保持于载置台18的上表面。载置台18的上表面是载置台18的表面的一个例子。图1中,示出了圆盘状的载置台18的上表面的中心C。
图2是示出本实施方式中的载置台18的一个例子的剖视图。图2所示剖面是通过载置台18的上表面的中心C的剖面。如图2所示,载置台18中设有通过驱动机构(未图示)上下移动且在载置台18的上方自由突出、隐没的支杆19。支杆19用于在将晶圆W搬入载置台18时以及将晶圆W自载置台18搬出时暂时自载置台18突出而在载置台18的上方支承晶圆W。
作为一个例子,支杆19设有三根。另外,在图2中,简易示出了载置台18的真空卡盘用的吸引槽18A和加热器18B。在载置台18中设有真空卡盘,其在载置有晶圆W的状态下借助吸引槽18A吸引晶圆W并将其吸附于载置台18的上表面。真空卡盘的工作状态通过控制装置13进行控制,晶圆W的吸附/非吸附的状态能够切换。
另外,在载置台18的内部设有加热器18B。加热器18B例如为了如下目的设置:在载置台18上载置晶圆W并进行形成于晶圆W上的电子设备的工作实验来检查电气特性的情况下,将晶圆W加热至工作实验中设定的温度。需要说明的是,除了加热器18B,也可以设置用于冷却载置台18的冷却机构。
返回图1的说明。探测室12中设有对准装置20和探针卡(未图示)。对准装置20是用于将载置于载置台18上的晶圆W于规定的检查位置对准的光学桥的对准装置。对准装置20具有摄像机21、对准桥22、以及一对的线性引导件23、23。摄像机21以摄像方向朝向下方的方式搭载于对准桥22。对准桥22被能够在Y轴方向移动的一对的线性引导件23、23支承。对准桥22与未图示的移动机构相连接,移动机构使对准桥22在Y轴方向移动。对准桥22通过移动机构在Y轴方向移动,从而搭载于对准桥22的摄像机21也在Y轴方向移动。移动机构由控制装置13控制,摄像机21和对准桥22的移动量由控制装置13管理。
对载置于载置台18上的晶圆W进行对准的情况下,通过未图示的移动机构,对准桥22沿一对的线性引导件23、23自待机位置在Y轴方向移动。由于对准桥22在Y轴方向移动,因此搭载于对准桥22的摄像机21也在Y轴方向移动,从而到达在探针卡的下方预先设定对准位置。在该状态下,通过搭载于对准桥22的摄像机21与固定于载置台18一侧的摄像机(未图示)的协同工作,进行载置台18之上的晶圆W的对准。之后,通过未图示的移动机构,对准桥22返回原来的待机位置。
另外,在探测室12中,设有鼓风机15A。鼓风机15A是清洁装置的一个例子,作为一个例子,其是能够自正X方向侧向自搬运臂15接收晶圆W时的位置中的载置台18的上表面吹送氮气的装置。在图1中,将鼓风机15A简易化,仅示出用于吹出氮气的多个喷嘴的顶端。作为一个例子,鼓风机15A的多个喷嘴在Y方向排列。鼓风机15A通过控制装置13进行驱动控制,为了在期望的条件下将载置台18的上表面的异物等吹走以进行清洗,其朝向载置台18的上表面吹送氮气。
另外,探针卡具有为了进行通过对准装置20对准的晶圆W的电气特性的检查的探针。探针卡相对于探测室12的上表面借助嵌入环固定于能够开闭的顶板的中央的开口部。另外,探测室12中以能够旋转的方式配设有测试头(未图示)。
在进行载置于载置台18上的晶圆W的检查的情况下,首先,探针卡和测试器(未图示)之间通过测试头电连接。然后,来自测试器的规定的信号通过探针卡输出至载置台18之上的晶圆W,来自晶圆W的响应信号通过探针卡输出至测试器。由此,通过测试器评价晶圆W的电气特性。然后,晶圆W的电气特性的检查完成后,支杆19自载置台18突出,晶圆W在支杆19的作用下被抬起。然后,在支杆19的作用下被抬起的晶圆W由移动至载置台18的搬运臂15交接,从而通过搬运臂15被搬出至规定的搬出位置。
上述构成的检查装置10通过控制装置13统括地控制其工作。控制装置13包括由程序、存储器、以及CPU(Central Processing Unit)构成的数据处理部等。程序自控制装置13向检查装置10的各部分输送控制信号,详细来说用于实施后述各种步骤,然后将晶圆W搬出。另外,例如,存储器包括供各种参数的值写入的区域,CPU在执行程序的各个命令时读取该处理参数,根据其参数值的控制信号被输入至检查装置10的各部位。该程序(也包括与处理参数的输入操作、显示相关的程序)被存储于计算机存储介质(例如软盘、光盘、MO(光磁盘)等)的存储部中且安装于控制装置13。
例如,控制装置13用于控制检查装置10的各部分。详细举出一个例子的话,向搬运臂15发出载置于载置台18的晶圆W的搬出开始的指令且搬运臂15向载置台18移动的期间内,在晶圆W在自载置台18突出的支杆19的作用下被抬起的状态下,控制装置13使摄像机21移动至晶圆W的周缘部应当存在的规定的区域的上方。然后,控制装置13使移动后的摄像机21对摄像区域进行摄像。然后,控制装置13基于通过摄像机21摄像的图像,对在支杆19的作用下被抬起的晶圆W的位置偏差(平面的位置偏差、或者晶圆W的倾斜)进行检测。
接下来,对实施方式的“载置台的异物的检测方法”以及“载置台的异物的检测装置”进行说明。
控制装置13作为本实施方式的“载置台的异物的检测装置”起作用,对载置台18的上表面中是否存在异物进行检测。控制装置13对载置台18的上表面中是否存在异物进行检测的方法是本实施方式的“载置台的异物的检测方法”。异物例如是能够附着于载置台18的上表面的微粒子、尘埃等的颗粒等中的、俯视时的面积或尺寸为规定值以上的颗粒。
作为本实施方式的“载置台的异物的检测装置”,作为一个例子,控制装置13具有七个功能。七个功能中,作为一个例子,包括训练功能、颗粒检测功能、异物判定功能、恢复功能、操作员呼叫功能、结果确认功能、以及保存功能。
控制装置13通过训练功能对载置台18的上表面被清洁(洗净)状态下的载置台18的上表面的图像(基准图像)进行摄像。载置台18的上表面被清洁(洗净)的状态是基准状态的一个例子。然后,控制装置13取得包括基准图像中包含的图案的位置信息(基准位置信息)以及对基准图像进行摄像时的摄像条件的基准数据。控制装置13将基准数据保存于内部存储器中。基准图像是第一图像的一个例子。基准位置信息是第一位置信息的一个例子,基准图像中包含的图案是第一图案的一个例子。
基准图像的摄像在使对准装置20的摄像机21位于载置台18的正上的状态下进行。在基准图像中,由于包含载置台18的上表面的吸引槽18A、花纹、伤痕等的信息,因此基准图像中包含的图案表示吸引槽18A、花纹、伤痕等的平面形状等,基准位置信息表示吸引槽18A、花纹、伤痕等的图案的位置。作为一个例子,在载置台18的上表面的中心为原点的XY坐标中,吸引槽18A、花纹、伤痕等的图案的位置由位于吸引槽18A、花纹、伤痕等的外接矩形的对角线之上的两个顶点的坐标表示。需要说明的是,多个基准数据可以保存于控制装置13的内部存储器中。
另外,控制装置13通过颗粒检测功能和异物判定功能,在对基准图像进行摄像之后的某个时间点,对载置台18的上表面的图像(检查用图像)进行摄像,从而取得包括检查用图像中包含的图案的位置信息(检查用位置信息)和对检查用图像进行摄像时的摄像条件的检查用数据。控制装置13对保存于内部存储器中的基准数据的基准位置信息和检查用数据的检查用位置信息进行比较,从而判定载置台18的上表面的颗粒之中是否存在异物。基准位置信息与检查用位置信息的差表示颗粒,控制装置13将颗粒中的俯视时的面积或尺寸为规定值以上的颗粒检测为异物。这样,控制装置13对载置台18的上表面的异物进行检测。检查用图像是第二图像的一个例子,其在与基准图像相同的摄像条件之下在使摄像机21位于载置台18的正上的状态下进行。检查用位置信息是第二位置信息的一个例子,检查用图像中包含的图案是第二图案的一个例子。
在对基准图像进行摄像之后的某个时间点,载置台18的上表面被清洁(洗净)后经过了一段时间,从而在载置台18的上表面中可能存在清洁(洗净)时不存在的颗粒。由此,在检查用图像中,除了载置台18的上表面的吸引槽18A、花纹、伤痕等的信息之外,可能包含颗粒的信息。检查用图像中包含的图案表示吸引槽18A、花纹、伤痕、颗粒等的平面形状等,检查用位置信息表示吸引槽18A、花纹、伤痕、颗粒等的位置。作为一个例子,在以载置台18的上表面的中心为原点的XY坐标中,颗粒的图案的位置与吸引槽18A、花纹、伤痕等的图案的位置相同地由位于颗粒的外接矩形的对角线之上的两个顶点的坐标表示。
另外,某个时间点是指,例如,检查装置10的操作者(操作员)按下用于执行异物的检测的执行按钮时,或者到达由检查装置10的操作员在控制装置13中设定的时间点时等。控制装置13中设定的时间点是指,例如,检查装置10开始批量处理时、到毎个月规定的日期时刻时、或者达到控制装置13中设定的批量数时等。操作员能够在检查装置10中设定这样的进行异物的检测的时机。批量数是载置于载置台18且进行了电子设备的工作实验的晶圆W的数量。
这里,批量处理是指,自由搬运臂15自盒体C朝向载置台18开始晶圆W的搬运起,直至将晶圆W载置于载置台18的上表面,由对准装置20进行晶圆W的位置的对准,并且将探针按压于晶圆W的电子设备的端子等中而完成电气特性的检查为止的处理。
若晶圆W在载置台18的上表面中存在异物的状态下通过搬运臂15搬运至载置台18的上表面,则在晶圆W的下表面与载置台18的上表面之间夹杂异物。若晶圆W在该状态下通过真空卡盘吸附于载置台18的上表面,则由于异物成为突起物且应力集中于晶圆W与异物的接触点,从而担心晶圆W破损。
为了事先抑制这样的晶圆W的破损,控制装置13具有本实施方式的作为“载置台的异物的检测装置”的功能,利用上述七个功能执行本实施方式的通过“载置台的异物的检测方法”的处理。对于七个功能的详细内容后述。
图3是示出通过训练功能和颗粒检测功能分别取得基准图像和检查用图像时的摄像顺序的一个例子的图。在图3中,示出了载置台18的中心C,但省略了吸引槽18A、用于容纳支杆19的孔部。
在图3中,作为一个例子,将摄像机21通过一次摄像能够取得的范围表示为矩形的区域21A。在图3中,作为一个例子,示出了X方向8个、Y方向9个的72个的区域21A。作为一个例子由于区域21A中X方向的长度比Y方向的长度长,因此Y方向的区域21A的排列数比X方向的区域21A的排列数多。这样的72个区域21A俯视时覆盖比圆形的载置台18的外周略大的矩形的区域。需要说明的是,这样的区域21A的X方向和Y方向的排列数是一个例子,其可以为任意排列数。
另外,由于72个区域21A中的、位于四角的4个区域21A与载置台18不重合,因此只要在除了四角的4个区域21A的68个区域21A中进行摄像即可。作为一个例子,若自A所示区域21A朝向B所示区域21A以箭头所示摄像路径按顺序进行摄像,则能够在68个区域21A中取得图像,从而能够取得载置台18的上表面的全部区域21A的图像。A所示区域21A是相对于负X方向侧且正Y方向侧的角的区域21A在负Y方向侧相邻的区域。另外,B所示区域21A是相对于正X方向侧且正Y方向侧的角的区域21A在负Y方向侧相邻的区域。
在进行68个区域21A的各自的摄像时,只要控制装置13驱动X平台16X和Y平台16Y,使摄像机21能够摄像的区域与各区域21A一致即可。
接下来,对控制装置13的七个功能进行说明。
训练功能是进行如下处理的功能:取得包括自载置台18的上表面被清洁(洗净)的状态下的载置台18的上表面的基准图像取得的基准位置信息、以及对基准图像进行摄像时的摄像条件的基准数据(训练数据),并且保存于内部存储器中。清洁通过控制装置13驱动鼓风机15A而向载置台18的上表面吹送氮气来进行。需要说明的是,这里作为清洁装置的一个例子示出了鼓风机15A,但是代替鼓风机15A,或者除了鼓风机15A之外,也可以设置用于进行以喷射来吹送纯水的纯水洗净、或者以喷射来吹送乙醇的乙醇洗净的装置等。
另外,基准图像可以通过如图3所示分成68个区域21A,并且控制装置13通过利用摄像机21以低倍率进行摄像来取得。另外,摄像条件包括照明的种类(明视野或暗视野)、摄像日期时刻、摄像时的载置台18的温度等。检查装置10的操作员能够自明视野和暗视野选择照明的种类。作为载置台18的温度,例如可以使用加热器18B的设定温度。
需要说明的是,作为一个例子,68个区域21A由以载置台18的上表面的中心C为原点的XY坐标区分,各区域21A中含有的各像素的XY坐标由以载置台18的上表面的中心C为原点的XY坐标表示。
颗粒检测功能是进行如下处理的功能:自在对基准图像进行摄像后的某个时间点对载置台18的上表面进行摄像而得的检查用图像取得基准位置信息,将检查用位置信息与基准位置信息进行比较,从而对载置台18的上表面中的颗粒进行检测。某个时间点是指,如上所述,例如由操作员按下用于使检查装置10执行异物的检测的执行按钮时、进行电气特性的检查的批量数到达预先设定的数量时、或者到达控制装置13中设定的时间点时等。载置台18的上表面中的颗粒的检测是将检查用位置信息与基准位置信息进行比较,从两个位置信息的差来检测颗粒的处理。更具体而言,检查用位置信息中的、基准位置信息中不含有的位置信息在满足规定的条件的情况下,作为表示颗粒的位置信息被处理。如此来检测颗粒。
在取得检查用图像时,也取得摄像条件。作为一个例子,检查用图像的摄像条件包括照明的种类(明视野或暗视野)、摄像日期时刻、摄像时的载置台18的温度等。这对于基准图像的摄像条件也是同样的。
上述规定条件表示异物的最小面积或最小尺寸。异物的最小面积或最小尺寸是在后述异物判定功能中判定载置台18的上表面中是否存在异物时作为异物识别的颗粒的俯视时的最小面积或俯视中的最小尺寸。作为一个例子,颗粒的面积是颗粒的外接矩形的面积。尺寸由俯视中的颗粒的直径或颗粒的外接矩形的长边的长度规定。操作员可以选择由最小面积或最小尺寸中的任一者来判定异物。
另外,颗粒检测功能也可以在将检查用位置信息与基准位置信息的差作为颗粒进行检测时,使用取得检查用图像和基准图像时的载置台18的温度差对检查用位置信息进行补正,并将补正后的检查用位置信息与基准位置信息的差作为颗粒进行检测。检查用位置信息的补正可以使用载置台18的线膨胀系数和温度差,对以载置台18的上表面的中心为原点的X坐标和Y坐标的值进行补正。作为一个例子,由于载置台18为铝制且因加热器18B的设定温度的不同其膨胀程度不同,因此能够抑制与由于载置台18的上表面中的吸引槽18A等那样的构造物的温度膨胀导致的位置偏差响应的差作为颗粒被检测。
异物判定功能是将通过颗粒检测功能检测的颗粒中的、作为异物的最小面积以上或作为异物的最小尺寸以上的颗粒判定为异物的功能。判定异物的最小面积以上或异物的最小尺寸以上的颗粒(异物)是否存在等同于对通过颗粒检测功能检测的颗粒中含有的异物进行检测。换言之,异物判定功能是判定通过颗粒检测功能检测的颗粒是没有问题的(合格的)颗粒还是有问题的(不合格的)颗粒的功能,有问题的(不合格的)颗粒被判定为异物。
恢复功能是通过异物判定功能被判定为异物的颗粒存在于载置台18的上表面的情况下,使载置台18的上表面的异常恢复的功能,是进行控制装置13驱动鼓风机15A除去载置台18的上表面的异物使其恢复的步骤的功能。如此,恢复功能通过进行清洁载置台18的上表面的步骤,使其成为即使在载置台18的上表面载置晶圆W并用真空卡盘吸附晶圆W,也不担心晶圆W破损的状态。
另外,恢复功能具有如下功能:在进行清洁载置台18的上表面的异物的步骤之后,对被清洁的载置台18的上表面的图像(再检查用图像)进行摄像,并且对再检查用图像中含有的图案的位置信息(再检查用位置信息)和保存于内部存储器中的基准位置信息进行比较,从而判定载置台18的上表面中是否存在异物。再检查用图像是第三图像的一个例子。再检查用位置信息是第三位置信息的一个例子,再检查用图像中含有的图案是第三图案的一个例子。
需要说明的是,恢复功能中的再检查用图像的摄像、再检查用位置信息的取得、以及载置台18的上表面中的颗粒的检测,与颗粒检测功能中的检查用图像的摄像、检查用位置信息的取得、以及颗粒的检测同样地进行即可。另外,恢复功能中的、被检测的颗粒中是否含有异物的判定与异物判定功能同样地进行即可。
操作员呼叫功能是进行用于请求操作员判断与载置台18的上表面的异常对应的方法的通知功能,是通过恢复功能的清洁后检测到异物的情况下控制装置13利用的功能。
在控制装置13通过操作员呼叫功能执行的步骤中,包括报告操作员异常的步骤、以及进行用于请求操作员判断是否继续批量处理的通知的步骤。进行用于请求操作员判断是否继续批量处理的通知的步骤是进行通知用于请求操作员判断与载置台18的上表面的异常对应的方法的步骤的一个例子。
控制装置13在通过恢复后的再检查用位置信息与基准位置信息的比较检测到异物的情况下,进行通过操作员呼叫功能报告操作员异常的步骤。控制装置13作为异常的报告例如在显示装置14中显示警报(alert)。另外,除了向显示装置14的警报的显示之外、或者代替向显示装置14的显示,也可以进行通过声音等的警报的播报。
另外,控制装置13与报告操作员异常的步骤并行地执行进行用于请求操作员判断是否继续批量处理的通知的步骤。在进行用于请求操作员判断是否继续批量处理的通知的步骤中,控制装置13将表示异物的图像等在显示装置14中进行显示,同时在显示装置14中显示用于请求操作员判断是否继续批量处理的信息。
其结果,操作员对通过恢复后的再检查用位置信息与基准位置信息的比较而得的异物的图像等进行确认,从而例如可以选择继续进行批量处理,或者选择批量结束(现在的批量处理的终了)。
需要说明的是,恢复功能的步骤和操作员呼叫功能的步骤是作为在载置台18的上表面中存在异物这样异常的状态下进行应对的异常处理模式的步骤而进行的。即,在异常处理模式的步骤中,包括恢复功能的异常处理的步骤和操作员呼叫功能的异常处理的步骤。
但是,异常处理模式的步骤中的恢复功能的异常处理的步骤与操作员呼叫功能的异常处理的步骤可以为选择性的。作为异常处理模式的步骤,可以是检查装置10的操作员能够选择恢复功能的异常处理的步骤和操作员呼叫功能的异常处理的步骤中的任一者的构成。
结果确认功能是控制装置13使操作员例如能够借助显示装置14进行以下内容的确认的功能。能够确认的内容为通过X平台16X和Y平台16Y的操作的载置台18的上表面的表面状态的确认、以及异物的确认。
在通过X平台16X和Y平台16Y的操作的载置台18的上表面的表面状态的确认中,控制装置13根据操作员对操纵杆等的操作来驱动X平台16X和Y平台16Y,从而将由摄像机21摄像的载置台18的上表面的图像在显示装置14中进行显示。另外,在异物的确认中,控制装置13将通过恢复后的再检查用位置信息与基准位置信息的比较而检测到的异物的图像在显示装置14中进行显示。
作为一个例子,保存功能是控制装置13将自检查用位置信息的取得直至恢复功能的步骤、操作员呼叫功能的步骤所产生的数据保存于内部存储器中的功能。
作为一个例子,关于颗粒检测功能,通过保存功能保存的数据为通过颗粒检测功能检测到的载置台18的上表面中的颗粒的图像的数据、以及表示检查用位置信息和取得检查用图像时的摄像条件等的数据。
作为一个例子,关于异物判定功能,通过保存功能保存的数据为通过异物判定功能被判定为异物的颗粒的图像、以及取得包括被判定为异物的颗粒的图像的检查用图像时的摄像条件等的数据。需要说明的是,在图像的数据中,更具体而言,通过颗粒检测功能检测到的颗粒的图像的数据中的、通过异物判定功能被判定为异物的颗粒的图像的数据通过保存功能原封不动地保存于内部存储器中,未被判定为异物的颗粒的图像的数据通过保存功能自内部存储器被删除。
作为一个例子,关于恢复功能,通过保存功能保存的数据为由恢复功能进行的清洁等的处理相关数据、表示再检查用位置信息、基准位置信息与再检查用位置信息的比较结果的数据、表示由恢复功能检测到的异物的图像数据、以及表示再检查用图像的摄像条件等的数据等。
作为一个例子,关于操作员呼叫功能,通过保存功能保存的数据为表示警报的内容的数据、以及表示操作员的选择结果(选择继续进行批量处理或者批量结束的结果)的数据等。
作为一个例子,关于结果确认功能,通过保存功能保存的数据为表示操作员确认的内容(通过X平台16X和Y平台16Y的操作的载置台18的上表面的表面状态的确认、或异物的确认)的数据。
图4是示出控制装置13在取得基准数据时进行的处理的一个例子的流程图。
处理开始后,控制装置13操作摄像机21、X平台16X以及Y平台16Y,对作为载置台18的上表面被清洁后的状态的载置台18的上表面的图像的基准图像进行摄像(步骤S1)。步骤S1的处理是通过训练功能执行的处理,其在图3所示68个区域21A中取得图像,从而取得由68个图像构成的基准图像。另外,此时,控制装置13也取得基准图像的摄像条件。
控制装置13通过相对于基准图像进行图像处理来取得基准位置信息(步骤S2)。
控制装置13将包括基准位置信息和基准图像的摄像条件的基准数据保存于内部存储器(步骤S3)。步骤S3的处理是通过训练功能执行的处理。
由此,取得基准图像时进行的处理终了(结束)。
图5是示出控制装置13取得检查用位置信息并对异物进行检测时进行的处理的一个例子的流程图。
控制装置13自内部存储器读取包括基准位置信息和基准图像的摄像条件的基准数据(步骤S11)。步骤S11的处理是通过颗粒检测功能执行的处理。
控制装置13操作摄像机21、X平台16X以及Y平台16Y,对作为现在的载置台18的上表面的图像的检查用图像进行摄像,从而取得检查用位置信息(步骤S12)。步骤S12的处理是通过颗粒检测功能执行的处理。另外,控制装置13将包括检查用位置信息、以及取得检查用图像时的摄像条件的检查用数据保存于内部存储器中。这是通过保存功能进行的处理。
控制装置13将检查用位置信息与基准位置信息进行比较,从而对载置台18的上表面中的颗粒进行检测(步骤S13)。从检查用位置信息与基准位置信息的差来进行检测颗粒。步骤S13的处理是通过颗粒检测功能执行的处理,存在取得检查用图像和取得基准图像时的载置台18的温度差的情况下,进行考虑了载置台18的膨胀的补正即可。控制装置13将表示检查用图像与基准图像的差的颗粒的图像的数据保存于内部存储器中。这是通过保存功能进行的处理。
控制装置13判定通过步骤S13检测到的颗粒之中是否存在异物的最小面积以上或异物的最小尺寸以上的颗粒(异物)(步骤S14)。步骤S14的处理是通过异物判定功能执行的处理,是用于检测异物的处理。若控制装置13在步骤S14中判定存在异物,则将包括被判定为异物的颗粒的图像、以及取得被判定为异物的颗粒的图像的检查用图像时的摄像条件等的数据保存于内部存储器中。这是通过保存功能进行的处理。
若控制装置13判定存在异物(S14:YES),则进行使载置台18的上表面的异常恢复的处理(步骤S15)。具体而言,作为一个例子,控制装置13驱动鼓风机15A来清洁载置台18的上表面的异物而使其恢复。步骤S15的处理是通过恢复功能执行的处理。
控制装置13操作摄像机21、X平台16X以及Y平台16Y,对作为恢复处理后的现在的载置台18的上表面的图像的再检查用图像进行摄像,从而取得再检查用位置信息(步骤S16)。步骤S16的处理是通过恢复功能执行的处理。控制装置13将清洁等的处理相关数据、表示再检查用位置信息、以及再检查用图像的摄像条件等的数据等保存于内部存储器中。这是通过保存功能进行的处理。
控制装置13将再检查用位置信息与基准位置信息进行比较,从而检测载置台18的上表面中的颗粒(步骤S17)。步骤S17的处理是通过恢复功能执行的处理,对于再检查用位置信息进行与步骤S13相同的处理。控制装置13将表示基准位置信息与再检查用位置信息的比较结果的数据保存于内部存储器。这是通过保存功能进行的处理。
控制装置13判定是否存在异物的最小面积以上或异物的最小尺寸以上的颗粒(异物)(步骤S18)。步骤S18的处理是通过恢复功能执行的处理,对于由步骤S17检测到的颗粒进行与步骤S14相同的处理。若控制装置13在步骤S18中判定存在异物,则将包括被判定为异物的颗粒的图像、以及取得被判定为异物的颗粒的图像的再检查用图像时的摄像条件等的数据保存于内部存储器中。这是通过保存功能进行的处理。
若控制装置13在步骤S18中判定存在异物,则报告操作员异常,同时进行用于请求操作员判断是否继续批量处理的通知(步骤S19)。具体而言,例如,控制装置13在显示装置14中显示警报(alert),同时在显示装置14中显示用于请求操作员判断是否继续批量处理的信息。此时,可以将表示异物的图像等在显示装置14中进行显示。步骤S19的处理是通过操作员呼叫功能执行的处理。
控制装置13设定为操作员能够借助显示装置14确认现在的状况(步骤S20)。具体而言,例如,设定为操作员能够进行通过X平台16X和Y平台16Y的操作的载置台18的上表面的表面状态的确认、以及异物的确认。步骤S20的处理是通过结果确认功能执行的处理。
控制装置13在完成步骤S20后完成一系列的处理(结束)。控制装置13在经过步骤S20完成一系列的处理的情况下,可以依照操作员对于步骤S19中的通知的输入内容(例如,选择继续进行批量处理、或者批量结束的输入),进行晶圆W的电气特性的检查。
另外,若控制装置13在步骤S14或S18中判定不存在异物(S14:NO),则完成一系列的处理(结束)。在步骤S14中判定不存在异物的情况下,由于是载置台18的上表面中不存在异物的情况,因此可以使检测异物时进行的一系列的处理终了。另外,在步骤S18中判断不存在异物判定的情况下,由于是通过清洁除去了载置台18的上表面的异物的情况,因此可以使检测异物时进行的一系列的处理终了。控制装置13在经过步骤S14或S18且一系列的处理终了的情况下,可以进行晶圆W的电气特性的检查。
另外,异常处理模式的步骤中的恢复功能的异常处理的步骤与操作员呼叫功能的异常处理的步骤可以是选择性的。由此,进行恢复功能的异常处理的步骤(S15~S18),不进行操作员呼叫功能的异常处理的步骤(S19)的情况下,在步骤S18中为YES的情况下,进行步骤S20即可。在步骤S20中,操作员进行在步骤S18中检测到的存在异物的载置台18的上表面的表面状态的确认、以及异物的确认。
另外,不进行通过恢复功能的异常处理的步骤(S15~S18),而进行通过操作员呼叫功能的异常处理的步骤(S19)的情况下,对于在步骤S14中检测到异物,在步骤S19中,在显示装置14中显示警报(alert),同时显示用于请求操作员判断与异常相应的方法的信息。
由此,从在载置台18的上表面被清洁的状态下取得的载置台18的上表面的基准位置信息与清洁后在批量处理中使用的载置台18的上表面的检查用位置信息的差,来检测颗粒。并且,自检测到的颗粒之中将作为异物的最小面积以上、或作为异物的最小尺寸以上的颗粒检测为异物。因此,能够检测载置台18的上表面的异物。
因此,能够提供一种能够检测能够吸附晶圆W的载置台18的上表面的异物的、载置台的异物的检测方法以及载置台的异物的检测装置。另外,由于能够检测载置台18的上表面的异物,从而能够稳定地执行电气特性的检查,因此在高生产量下的检查成为可能。
另外,在检测异物时,由于自检测到的颗粒之中将作为异物的最小面积以上或作为异物的最小尺寸以上的颗粒检测为异物,因此能够使用图像处理自检测到的颗粒之中高效地检测异物。
另外,由于进行基于取得基准图像和检查用图像时的载置台18的温度差的补正之后检测颗粒,并且自检测到的颗粒之中检测异物,因此考虑了取得基准图像和检查用图像时的载置台18的膨胀程度,能够更准确地检测异物。
另外,在检测到异物的情况下,执行包括使载置台18的上表面恢复的步骤、或者进行用于请求操作员判断是否继续批量处理的通知的步骤的异常处理模式。由此,即使在载置台18的上表面中检测到异物,也能够根据异常的状况继续处理。特别是,只要在使其恢复的步骤中对载置台18的上表面进行清洁,就能够除去异物并继续处理。
另外,在使其恢复的步骤中,由于自检测到的颗粒之中,将作为异物的最小面积以上、或作为异物的最小尺寸以上的颗粒检测为异物,因此能够使用图像处理自检测到的颗粒之中高效地检测异物。另外,若进行基于取得基准图像和再检查用图像时的载置台18的温度差的补正之后检测颗粒,并且自检测到的颗粒之中检测异物,则考虑了取得基准图像和再检查用图像时的载置台18的膨胀程度,能够更准确地检测异物。
另外,在进行用于请求操作员判断是否继续批量处理的通知的步骤的同时,执行向操作员播报警报的步骤,由此能够更可靠地将产生异常传递给操作员。
另外,使其恢复的步骤、或者进行用于请求操作员判断是否继续批量处理的通知的步骤之后,进一步执行根据操作员的操作使载置台18的上表面的图像在显示装置14中显示的步骤。由此,操作员能够容易地确认载置台18的上表面的状况。
需要说明的是,在以上说明中,对载置台18通过真空卡盘吸附晶圆W的方式进行了说明,但也可以替代真空卡盘而使用静电卡盘。另外,在使用静电卡盘等的真空卡盘之外的卡盘的情况下,也能够获得与对于使用真空卡盘的情况进行说明的上述的效果同样的效果。
另外,在以上说明中,使用检查装置10进行了说明,但实施方式的载置台的异物的检测方法以及检测装置不限于检查装置10,也能够应用于成膜装置、蚀刻装置等。
以上,对本发明的载置台的异物的检测方法、以及检测装置的实施方式进行说明,但本发明不限于上述实施方式等。在权利要求书中记载的范围内,能够进行各种变更、修改、置换、付加、删除及其组合。这些也当然属于本发明的技术范围。

Claims (13)

1.一种载置台的异物的检测方法,包括:
取得能够吸附被检查物的载置台的表面的基准状态下的第一图像中包含的第一图案的第一位置信息的步骤;
取得上述第一图像的摄像后的上述表面的第二图像中包含的第二图案的第二位置信息的步骤;以及
将上述第一位置信息与上述第二位置信息进行比较,从而检测上述表面上的异物的步骤。
2.根据权利要求1所述的载置台的异物的检测方法,其中,
上述用于检测异物的步骤具有:
对上述第一位置信息和上述第二位置信息进行比较,从而检测上述表面上的颗粒的步骤;以及
将上述检测到的颗粒中的、面积或尺寸为阈值以上的颗粒检测为上述异物的步骤。
3.根据权利要求2所述的载置台的异物的检测方法,其中,
上述用于检测颗粒的步骤是如下步骤:基于对上述第一图像和上述第二图像进行摄像时的上述载置台的温度差对上述第一位置信息或上述第二位置信息进行补正,并且对上述第一位置信息与上述第二位置信息中的补正的位置信息和上述第一位置信息与上述第二位置信息中的未补正的位置信息进行比较,从而检测上述表面上的颗粒。
4.根据权利要求1所述的载置台的异物的检测方法,其中,
上述用于检测异物的步骤是如下步骤:基于对上述第一图像和上述第二图像进行摄像时的上述载置台的温度差对上述第一位置信息或上述第二位置信息进行补正,并且对上述第一位置信息与上述第二位置信息中的补正的位置信息和上述第一位置信息与上述第二位置信息中的未补正的位置信息进行比较,从而检测上述表面上的异物。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的载置台的异物的检测方法,其中,
还包括如下步骤:若检测到上述异物,则执行与存在上述异物的上述表面的异常对应的异常处理模式。
6.根据权利要求5所述的载置台的异物的检测方法,其中,
执行上述异常处理模式的步骤包括使上述表面的异常恢复的步骤、或者进行用于请求操作员判断与上述表面的异常对应的方法的通知的步骤。
7.根据权利要求6所述的载置台的异物的检测方法,其中,
使上述表面的异常恢复的步骤具有清洁上述表面的步骤。
8.根据权利要求7所述的载置台的异物的检测方法,其中,
使上述表面的异常恢复的步骤还具有:
取得上述被清洁的表面的第三图像中包含的第三图案的第三位置信息的步骤;以及
对上述第一位置信息和上述第三位置信息进行比较,从而检测上述被清洁的表面上的异物的步骤。
9.根据权利要求8所述的载置台的异物的检测方法,其中,
检测上述被清洁的表面上的异物的步骤是如下步骤:基于对上述第一图像和上述第三图像进行摄像时的上述载置台的温度差对上述第一位置信息或上述第三位置信息进行补正,对上述第一位置信息与上述第三位置信息中的补正的位置信息和上述第一位置信息与上述第三位置信息中的未补正的位置信息进行比较,从而检测上述被清洁的表面上的异物。
10.根据权利要求6所述的载置台的异物的检测方法,其中,
进行用于请求上述操作员判断与上述表面的异常对应的方法的通知的步骤具有在显示装置中显示用于请求上述判断的消息的步骤。
11.根据权利要求10所述的载置台的异物的检测方法,其中,
进行用于请求上述操作员判断与上述表面的异常对应的方法的通知的步骤还具有报告上述表面的异常的步骤。
12.根据权利要求6至11中任一项所述的载置台的异物的检测方法,其中,
在使上述表面的异常恢复的步骤之后,或者在进行用于请求操作员判断与上述表面的异常对应的方法的通知的步骤之后,还包括根据操作员的操作而在显示装置中显示上述载置台的表面的图像的步骤。
13.一种载置台的异物的检测装置,其用于对能够吸附被检查物的载置台的表面上的异物进行检测,所述检测装置执行包括如下步骤的处理:
取得所述表面的基准状态下的第一图像中包含的第一图案的第一位置信息的步骤;
取得上述第一图像的摄像后的上述表面的第二图像中包含的第二图案的第二位置信息的步骤;以及
将上述第一位置信息与上述第二位置信息进行比较,从而检测上述表面上的异物的步骤。
CN202011478601.5A 2020-01-10 2020-12-15 载置台的异物的检测方法以及检测装置 Active CN113109258B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020002964A JP7353190B2 (ja) 2020-01-10 2020-01-10 載置台における異物の検出方法、及び、検出装置
JP2020-002964 2020-01-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113109258A true CN113109258A (zh) 2021-07-13
CN113109258B CN113109258B (zh) 2024-06-04

Family

ID=76709124

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011478601.5A Active CN113109258B (zh) 2020-01-10 2020-12-15 载置台的异物的检测方法以及检测装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11639947B2 (zh)
JP (1) JP7353190B2 (zh)
KR (1) KR102584069B1 (zh)
CN (1) CN113109258B (zh)
TW (1) TW202132768A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113866180A (zh) * 2021-12-06 2021-12-31 晶芯成(北京)科技有限公司 一种异物检测方法、半导体晶圆检测方法及系统

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7357549B2 (ja) * 2020-01-07 2023-10-06 東京エレクトロン株式会社 基板の位置ずれ検出方法、基板位置の異常判定方法、基板搬送制御方法、及び基板の位置ずれ検出装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1127037A (zh) * 1993-05-28 1996-07-17 公理图像处理系统有限公司 自动检查设备
JP2000124122A (ja) * 1998-10-19 2000-04-28 Canon Inc 半導体露光装置および同装置を用いるデバイス製造方法
JP2003234265A (ja) * 2002-02-06 2003-08-22 Canon Inc 露光装置
JP2010283174A (ja) * 2009-06-05 2010-12-16 Panasonic Corp 半導体製造装置
JP2011163804A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Seiko Epson Corp 異物検出装置および異物検出方法
CN102201356A (zh) * 2010-03-25 2011-09-28 东京毅力科创株式会社 基板载置台
JP2012118159A (ja) * 2010-11-30 2012-06-21 Nsk Technology Co Ltd 近接露光装置及び異物検出方法並びに基板の製造方法
TWI671521B (zh) * 2018-02-28 2019-09-11 日商日立全球先端科技股份有限公司 檢查裝置、及其檢查方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6117147A (ja) * 1984-07-04 1986-01-25 Nec Corp フオトマスクのパタ−ン検査方法
JPS6286740A (ja) * 1985-10-14 1987-04-21 Hitachi Ltd 半導体ウエハ検査方法
JP4615225B2 (ja) * 2004-01-09 2011-01-19 株式会社ディスコ 板状物に形成された電極の加工装置,板状物に形成された電極の加工方法,及び板状物に形成された電極の加工装置のチャックテーブルの平面度測定方法
US8573077B2 (en) * 2005-08-26 2013-11-05 Camtek Ltd. Wafer inspection system and a method for translating wafers
KR100863140B1 (ko) * 2007-04-25 2008-10-14 에스엔유 프리시젼 주식회사 반도체 웨이퍼의 이물 검사 및 리페어 시스템과 그 방법
JP5152567B2 (ja) 2008-01-10 2013-02-27 株式会社島津製作所 Tftアレイ検査装置
JP2018013342A (ja) * 2016-07-19 2018-01-25 株式会社ディスコ 検査方法
US11499992B2 (en) * 2018-11-27 2022-11-15 Tokyo Electron Limited Inspection system

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1127037A (zh) * 1993-05-28 1996-07-17 公理图像处理系统有限公司 自动检查设备
JP2000124122A (ja) * 1998-10-19 2000-04-28 Canon Inc 半導体露光装置および同装置を用いるデバイス製造方法
JP2003234265A (ja) * 2002-02-06 2003-08-22 Canon Inc 露光装置
JP2010283174A (ja) * 2009-06-05 2010-12-16 Panasonic Corp 半導体製造装置
JP2011163804A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Seiko Epson Corp 異物検出装置および異物検出方法
CN102201356A (zh) * 2010-03-25 2011-09-28 东京毅力科创株式会社 基板载置台
JP2012118159A (ja) * 2010-11-30 2012-06-21 Nsk Technology Co Ltd 近接露光装置及び異物検出方法並びに基板の製造方法
TWI671521B (zh) * 2018-02-28 2019-09-11 日商日立全球先端科技股份有限公司 檢查裝置、及其檢查方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113866180A (zh) * 2021-12-06 2021-12-31 晶芯成(北京)科技有限公司 一种异物检测方法、半导体晶圆检测方法及系统

Also Published As

Publication number Publication date
US11639947B2 (en) 2023-05-02
JP7353190B2 (ja) 2023-09-29
JP2021110646A (ja) 2021-08-02
US20210215742A1 (en) 2021-07-15
KR20210090544A (ko) 2021-07-20
TW202132768A (zh) 2021-09-01
CN113109258B (zh) 2024-06-04
KR102584069B1 (ko) 2023-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8195324B2 (en) Probe polishing method, program therefor, and probe apparatus
KR100284841B1 (ko) 마스크 검사장치 및 반도체 디바이스의 제조방법
JP6351992B2 (ja) 変位検出装置、基板処理装置、変位検出方法および基板処理方法
CN113109258B (zh) 载置台的异物的检测方法以及检测装置
EP1112550B1 (en) An automated wafer defect inspection system and a process of performing such inspection
TWI638426B (zh) Stripping device, stripping system, stripping method and information memory medium
JP3826849B2 (ja) 欠陥検査方法および欠陥検査装置
KR20190013464A (ko) 자동화된 검사 툴
JPH11150168A (ja) 半導体ツールおよび半導体ツールを用いて半導体ウエハを処理する方法
CN111742399B (zh) 接触精度保证方法、接触精度保证机构和检查装置
TWI759479B (zh) 基板搬出方法
JP2009503904A (ja) プローブ・カードを洗浄する方法及び装置
CN113161273B (zh) 位置偏离检测方法及装置、位置异常判定及搬送控制方法
JP6362466B2 (ja) 基板保持検査方法および基板処理装置
JP2014109436A (ja) 基板の欠陥検査方法、基板の欠陥検査装置、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JPH0794563A (ja) 半導体基板の異物除去装置
JP6002112B2 (ja) 基板の欠陥分析装置、基板処理システム、基板の欠陥分析方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2003248035A (ja) プローブエリアの設定方法及びプローブ装置
KR20130017950A (ko) 불량패턴 검사 및 제거 장치 및 그 동작 방법
KR20170058070A (ko) 검사 장치용 기판 세정 모듈 및 이를 구비하는 프로브 스테이션
JP2018160691A (ja) 基板保持検査方法および基板処理装置
KR20200065660A (ko) 프로브 카드의 탐침 세정 방법
JP2011220738A (ja) 外観検査装置および外観検査方法
JP2003031488A (ja) 現像装置および基板処理方法
KR100509826B1 (ko) 웨이퍼 패턴 검사가 가능한 현상장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant