CN102201356A - 基板载置台 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板载置台。该基板载置台不会污染腔室内，而且不在基板载置台上设置多余的孔，能够准确地测定在基板载置台上支承的晶圆的温度。该基板载置台包括：载置面(90a)，其用于载置晶圆(W)；基板抬起单元(80)，其用于利用提升销(84)将晶圆(W)自载置面(90a)抬起；光照射单元/受光单元(87)，其将提升销(84)内部作为光路，用于将由低相干光构成的测定光(88)照射到晶圆(W)，并用于分别接收来自晶圆(W)的表面和背面的反射光；光照射单元/受光单元(87)固定在基板抬起单元(80)的底板(86)上。

Description

基板载置台
技术领域
本发明涉及一种包括基板抬起单元的基板载置台。
背景技术
在以半导体晶圆(以下简称作“晶圆”)为代表的各种基板上实施等离子处理等各种处理的基板处理装置中，从谋求可靠处理的方面考虑，为了校正用于保持晶圆的静电吸盘等的温度漂移，对晶圆的温度进行监视，例如提出了一种使用利用荧光的荧光温度计来测定处理容器(腔室)内的晶圆的温度的技术(例如参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2001-358121号公报
但是，由于荧光温度计的探头是接触式，因此，低压或真空气氛下的导热性较差，并不一定能够测定准确的温度。另外，在于晶圆上涂敷荧光涂料并根据荧光的反射光测量晶圆的温度的方法中，荧光涂料会成为腔室内的污染源。并且，由于荧光的反射光各向同性地(isotropic)发出，因此，为了高效地接收反射光，在基板载置台上新设置通孔，经由该通孔使光接收纤维的顶端部接近晶圆，在这种情况下，也存在由于新设置在基板载置台上的通孔的影响导致基板载置台的温度均匀性降低这样的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种不会污染腔室内且不在基板载置台上设置特别的孔就能够准确地测定在基板载置台上支承的晶圆的温度的基板载置台。
为了达到上述目的，技术方案1所述的基板载置台的特征在于，包括：载置面，其用于载置基板；基板抬起单元，其利用提升销(lift pin)将上述基板自上述载置面抬起；光照射单元/受光单元，其将上述提升销内部作为光路而对上述基板照射由低相干光构成的测定光，并分别接收来自上述基板的表面的反射光和来自上述基板的背面的反射光。
技术方案2所述的基板载置台根据技术方案1所述的基板载置台，其特征在于，上述光照射单元/受光单元固定在上述基板抬起单元的底板上，上述测定光经由直线光路照射到上述基板。
技术方案3所述的基板载置台根据技术方案1所述的基板载置台，其特征在于，上述光照射单元/受光单元固定在上述基板抬起单元的提升臂上，上述测定光经由直线光路照射到上述基板。
技术方案4所述的基板载置台根据技术方案1所述的基板载置台，其特征在于，上述光照射单元/受光单元固定在上述基板抬起单元的底板上，上述测定光在棱镜或反射镜处反射而经由弯曲的光路照射到上述基板。
技术方案5所述的基板载置台根据技术方案1所述的基板载置台，其特征在于，上述光照射单元/受光单元固定在上述基板抬起单元的提升臂上，上述测定光在棱镜或反射镜处反射而经由弯曲的光路照射到上述基板。
技术方案6所述的基板载置台根据技术方案2～5中任一项所述的基板载置台，其特征在于，上述光照射单元/受光单元包括上述测定光的照射角调整部件。
技术方案7所述的基板载置台根据技术方案1～5中任一项所述的基板载置台，其特征在于，上述光照射单元/受光单元以光学方法与包括光接收装置的低相干光干涉温度测定系统中的上述光接收装置连接，该光接收装置由上述低相干光的光学系统构成。
技术方案8所述的基板载置台根据技术方案1～5中任一项所述的基板载置台，其特征在于，上述提升销是圆柱销。
技术方案9所述的基板载置台根据技术方案8所述的基板载置台，其特征在于，上述圆柱销能够使低相干光透过，其两端面平行且各分别被镜面研磨。
技术方案10所述的基板载置台根据技术方案9所述的基板载置台，其特征在于，上述圆柱销的顶端面中的至少照射上述测定光的部分同与上述顶端面相对的另一端面平行。
技术方案11所述的基板载置台根据技术方案1～5中任一项所述的基板载置台，其特征在于，上述提升销是空心销。
采用本发明，由于不使用荧光涂料等，因此不会污染腔室内，而且，由于将提升销内部用作低相干光的光路，因此不必设置用于测定温度的特别的孔，能够准确地测定在基板载置台上支承的晶圆的温度。
附图说明
图1是表示应用本发明的基板载置台的基板处理装置的概略构造的剖视图。
图2是表示配置在图1中的腔室内的基板抬起单元的概略构造的图，图2的(A)是该单元的图1中的向视A的俯视图，图2(B)是沿着图2(A)中的B-B的剖视图。
图3是表示本发明实施方式的基板抬起单元的概略构造的剖视图。
图4是表示低相干光干涉温度测定系统的概略构造的框图。
图5是用于说明图4中的低相干光光学系统的温度测定动作的图。
图6是表示利用图4中的PD检测出的来自温度测定对象物的反射光和来自参照镜的反射光的干涉波形的坐标图。
图7是表示本实施方式的基板抬起单元所应用的提升销的一个例子的剖视图。
图8是表示本实施方式的基板抬起单元的第1变形例的概略构造的剖视图。
图9是表示本实施方式的基板抬起单元的第2变形例的概略构造的剖视图。
图10是表示本实施方式的基板抬起单元的第3变形例的概略构造的剖视图。
图11是表示本实施方式的基板抬起单元的第4变形例的概略构造的剖视图。
具体实施方式
下面，对应用本发明实施方式的基板载置台的基板处理装置进行说明。
图1是表示应用本发明的基板载置台的基板处理装置的概略构造的剖视图。该基板处理装置用于对晶圆实施规定的等离子蚀刻处理。
在图1中，基板处理装置10具有用于收容晶圆W的腔室11，在腔室11内配置有用于载置晶圆W的圆柱状的基座12。由腔室11的内侧壁和基座12的侧表面形成侧方排气通路13。在侧方排气通路13的中途配置有排气板14。
排气板14是具有许多个通孔的板状构件，其起到将腔室11的内部分隔成上部和下部的隔板的作用。在被排气板14分隔出的腔室11内部的上部(以下称作“处理室”)15中如后所述那样产生等离子体。在腔室11内部的下部(以下称作“排气室(歧管)”)16上还连接有用于排出腔室11内的气体的排气管17。排气板14用于捕捉在处理室15中产生的等离子体或者将其反射来防止等离子体泄漏到歧管16中。
在排气管17上连接有TMP(Turbo Molecular Pump)及DP(Dry Pump)(均省略图示)，这些泵对腔室11内进行抽真空而使腔室11减压至规定压力。另外，腔室11内的压力由AP C阀(省略图示)来控制。
第1高频电源18经由第1匹配器19连接于腔室11内的基座12，而且，第2高频电源20经由第2匹配器21连接于腔室11内的基座12，第1高频电源18对基座12施加较低的频率、例如2MHz的偏置用高频电力，第2高频电源20对基座12施加较高的频率、例如60MHz的等离子体生成用高频电力。由此，基座12起到电极的作用。另外，第1匹配器19和第2匹配器21降低来自基座12的高频电力反射，使对基座12施加高频电力的效率最大。
在基座12的上部配置有在内部具有静电电极板22的静电吸盘23。静电吸盘23具有台阶，其由陶瓷构成。
在静电电极板22上连接有直流电源24，在对静电电极板22施加正的直流电压时，在晶圆W的靠静电卡盘23一侧的面(以下称作“背面”)产生负电位，在静电电极板22与晶圆W的背面之间产生电场，利用由该电场引起的库仑力或约翰逊·拉别克力将晶圆W吸附保持在静电吸盘23上。
另外，在静电卡盘23上，聚焦环25以包围被吸附保持的晶圆W的方式载置在静电卡盘23的台阶的水平部。聚焦环25例如由硅(Si)、碳化硅(SiC)构成。
在基座12的内部例如设有沿圆周方向延伸的环状的制冷剂流路26。自冷机单元(省略图示)经由制冷剂用配管27向制冷剂流路26中循环供给低温的制冷剂、例如冷却水或GALDEN(注册商标)。被制冷剂冷却后的基座12隔着静电卡盘(ESC)23将晶圆W和聚焦环25冷却。
多个传热气体供给孔28在静电卡盘23中的吸附保持有晶圆W的部分(以下称作“吸附面”)开口。传热气体供给孔28经由传热气体供给管线29连接于传热气体供给部(省略图示)，传热气体供给部将作为传热气体的He(氦)气体经由传热气体供给孔28供给到吸附面和晶圆W背面的间隙中。被供给到吸附面和晶圆W背面的间隙中的He气体将晶圆W的热量有效地传递到静电卡盘23。
在腔室11的顶部，以隔着处理室15的处理空间S而与基座12相对的方式配置有簇射头30。簇射头30具有上部电极板31、将该上部电极板31能够装卸地悬吊支承的冷却板32、及覆盖冷却板32的盖体33。上部电极板31由具有沿厚度方向贯穿的许多个气孔34的圆板状构件构成，其由作为半导电体的SiC构成。在冷却板32的内部还设有缓冲室35，在缓冲室35上连接有气体导入管36。
直流电源37与簇射头30的上部电极板31连接，对上部电极板31施加负的直流电压。此时，上部电极板31放出二次电子，防止在处理室15内部的晶圆W上电子密度降低。放出的二次电子从晶圆W上向接地电极(接地环)38流动，该接地电极38在侧方排气通路13中以包围基座12的侧面的方式设置，其由作为半导电体的碳化硅(SiC)、硅(Si)构成。
在该构造的基板处理装置10中，自处理气体导入管36供给到缓冲室35的处理气体经由上部电极板31的气孔34被导入到处理室15内部，导入的处理气体被自第2高频电源20经由基座12向处理室15内部施加的等离子体生成用高频电力激发而成为等离子体。等离子体中的离子被第1高频电源18对基座12施加的偏置用高频电力朝向晶圆W吸引，从而对晶圆W实施等离子蚀刻处理。
基板处理装置10所具有的控制部(省略图示)的CPU根据与等离子蚀刻处理相对应的程序来控制基板处理装置10的各构成构件的动作。
图2是表示图1中的基座所具有的基板抬起单元的概略构造的图，图2的(A)是该单元的图1中的向视A的俯视图，图2的(B)是沿着图2的(A)中的B-B的剖视图。
在图2的(A)及(B)中，基板抬起单元80具有圆环状的销保持架81、沿着销保持架81的圆周方向均等地配置的3个提升臂83、及插入到各提升臂83的提升销孔中的、作为圆棒状构件的3个提升销84。
利用滚珠丝杠将省略图示的电动机的旋转运动转换而产生的直线运动驱使销保持架81升降，即在图2的(B)中的上下方向移动。滚珠丝杠和电动机配置在腔室11的外侧、即大气侧。另外，滚珠丝杠和电动机所产生的直线运动被传递到用于支承销保持架81的底板86，该底板86使销保持架81升降。
提升臂83是杆状构件，在其一端与销保持架81相连结，在其另一端具有用于收容并承载提升销84的下端的提升销孔。由于该提升销孔的直径比提升销84的直径大出规定值，因此，提升销孔与提升销84的下端之间存在间隙地结合。即，实质上，提升臂83的另一端用于载置提升销84。提升臂83介于销保持架81和提升销84之间，用于使销保持架81和提升销84连动。因而，提升臂83随着销保持架81的升降而升降，并且使提升销84升降。
本实施方式的基板抬起单元用于在基板抬起单元80的提升销84上附加被载置面支承的晶圆W的温度监视功能。
图3是表示本发明实施方式的基板抬起单元的概略构造的剖视图。
在图3中，在基板抬起单元80的底板86上设有通孔86a，该通孔86a与提升销84的下端部相对，该提升销84的下端与提升臂83之间存在间隙地结合于提升臂83，在通孔86a的不同于和提升销84相对的开孔端的另一个开孔端固定有光照射单元/受光单元87，该光照射单元/受光单元87用于向作为温度测定对象物的晶圆W照射由低相干光构成的测定光，并接收反射光。
光照射·光接收单元87构成包括光接收装置的低相干光干涉温度测定系统的光接收装置的一部分，该光接收装置由低相干光光学系统构成。
下面，说明低相干光干涉温度测定系统。
图4是表示低相干光干涉温度测定系统的概略构造的框图。
在图4中，低相干光干涉温度测定系统46包括低相干光光学系统47和温度计算装置48，低相干光光学系统47用于向温度测定对象物60照射低相干光且接收该低相干光的反射光，温度计算装置48根据该低相干光光学系统47所接收的反射光来计算温度测定对象物60温度。低相干光是可干涉距离(相干长度)较短的光。
低相干光光学系统47包括作为低相干光源的SLD(Super Luminescent Diode)49、连接于该SLD49的起到2×2的分束器的作用的光纤熔接耦合器50(以下称作“耦合器”)、连接于该耦合器50的准直器51、52、连接于耦合器50的作为光接收元件的光检测器(PD：Photo Detector)53、及将各构成要件之间分别连接起来的光纤54a、54b、54c、54d。
SLD49例如以最大输出1.5mW照射中心波长为1.55μm或1.31μm、相干长度约为50μm的低相干光。耦合器50将来自SLD49的低相干光分割成两股，将该分割出的两股低相干光分别经由光纤54b、54c传送到准直器51、52。准直器51、52将被耦合器50分开的低相干光(后述的测定光64和参照光65)分别照射到温度测定对象物60和参照镜55。PD53例如由Ge光电二极管构成。
低相干光光学系统47包括配置在准直器52的前方的参照镜55、利用伺服电动机56a使参照镜55沿着来自准直器52的低相干光照射方向水平移动的参照镜驱动载物台56、用于驱动该参照镜驱动载物台56的伺服电动机56a的电动机驱动器57、及连接于PD53且用于将来自该PD53的输出信号放大的放大器58。参照镜55由具有反射面的三面直角棱镜或平面镜构成。
准直器51与温度测定对象物60的表面相对地配置，其将被耦合器50分成两股的低相干光中的一股作为测定光(后述的测定光64)朝向温度测定对象物60的表面照射，并且，其分别接收来自温度测定对象物60的表面和背面的反射光(后述的反射光66a和反射光66b)并将其传送到PD53。
准直器52朝向参照镜55照射被耦合器50分成两股的低相干光中的另一股低相干光(后述的参照光65)，并且，其接收来自参照镜55的低相干光的反射光(后述的反射光68)并将其传送到PD53。
参照镜驱动载物台56使参照镜55在图4所示的箭头A方向移动，即、使参照镜55以其反射面始终与来自准直器52的照射光垂直的方式水平移动。参照镜55能够沿箭头A的方向(来自准直器52的低相干光的照射方向)往复移动。
温度计算装置48包括用于控制整个温度计算装置48的个人计算机(以下称作“PC”)48a、用于借助电动机驱动器57控制用于使参照镜55移动的伺服电动机56a的电动机控制器61、及用于将经由低相干光光学系统47的放大器58输入的PD53的输出信号与从电动机控制器61输出到电动机驱动器57的控制信号(例如驱动脉冲)同步且进行数模转换的A/D转换器。A/D转换器也可以是在利用激光干涉仪、线性标尺准确地计测从准直器52到参照镜55的距离的情况下、与来自激光干涉仪、线性标尺的基于移动距离的控制信号同步地进行A/D变换的装置。由此，也能够高精度地测量温度测定对象物60的厚度。
图5是用于说明图4中的低相干光光学系统的温度测定动作的图。
低相干光光学系统47是利用具有将迈克耳逊干涉仪的构造作为基本构造的低相干干涉仪的光学系统，如图5所示，从SLD49照射来的低相干光被起分束器作用的耦合器50分成测定光64和参照光65，测定光64朝向温度测定对象物60照射，参照光65朝向参照镜55照射。
照射到温度测定对象物60的测定光64在温度测定对象物60的表面和背面分别反射，来自温度测定对象物60表面的反射光66a和来自温度测定对象物60背面的反射光66b以同一光路67入射到耦合器50。另外，照射到参照镜55的参照光65在反射面反射，来自该反射面的反射光68也入射到耦合器50。在此，如上所述，参照镜55沿着参照光65的照射方向水平移动，因此，低相干光光学系统47能够改变参照光65和反射光68的光路长度。
使参照镜55水平移动来改变参照光65和反射光68的光路长度，在测定光64和反射光66a的光路长度与参照光65和反射光68的光路长度一致时，反射光66a和反射光68发生干涉。另外，在测定光64和反射光66b的光路长度与参照光65和反射光68的光路长度一致时，反射光66b和反射光68发生干涉。利用PD53来检测这些干涉。PD53在检测到干涉时输出输出信号。
图6是表示利用图4中的PD检测出的来自温度测定对象物60的反射光和来自参照镜的反射光的干涉波形的坐标图，图6的(A)表示在温度测定对象物60的温度变化之前获得的干涉波形，图6的(B)表示在温度测定对象物60的温度变化之后获得的干涉波形。另外，在图6的(A)、(B)中，纵轴表示干涉强度，横轴表示参照镜55自规定基点水平移动的距离(以下简称作“参照镜移动距离”)。
图6(A)的坐标图所示，在来自参照镜55的反射光68与来自温度测定对象物60表面的反射光66a发生干涉时，例如，检测到在以干涉位置A(干涉强度的峰值位置：约425μm)为中心的宽度约80μm范围中的干涉波形69。另外，在来自参照镜55的反射光68与来自温度测定对象物60背面的反射光66b发生干涉时，例如，检测到在以干涉位置B(干涉强度的峰值位置：约3285μm)为中心的宽度约80m范围中的干涉波形70。由于干涉位置A与测定光64和反射光66a的光路长度相对应，干涉位置B与测定光64和反射光66b的光路长度相对应，因此，干涉位置A和干涉位置B之差D与反射光66a的光路长度和反射光66b的光路长度之差(以下简称作“光路长度差”)相对应。由于反射光66a的光路长度和反射光66b的光路长度之差与温度测定对象物60的光学厚度相对应，因此，干涉位置A和干涉位置B之差D与温度测定对象物60的光学厚度相对应。即，通过检测反射光68和反射光66a、及反射光68和反射光66b的干涉，能够测量温度测定对象物60的光学厚度。
在此，在温度测定对象物60中产生温度变化时，温度测定对象物60的厚度因热膨胀(压缩)而变化，并且，其折射率也改变，因此，测定光64和反射光66a的光路长度、及测定光64和反射光66b的光路长度也改变。因而，在温度测定对象物60发生了温度变化之后，由热膨胀等导致温度测定对象物60的光学厚度改变，反射光68和反射光66a的干涉位置A、及反射光68和反射光66b的干涉位置B自图6的(A)所示的各干涉位置改变。具体地讲，如图6的(B)的坐标图所示，干涉位置A和干涉位置B自图6的(A)所示的各干涉位置移动。由于干涉位置A和干涉位置B与温度测定对象物60的温度相应地移动，因此，计算出干涉位置A和干涉位置B之差D，进而计算出光路长度差，能够根据该光路长度差测定温度测定对象物60的温度。另外，作为光路长度的变化主要原因，除上述温度测定对象物60的光学厚度的变化之外，还能够列举出低相干光光学系统47的各构成要件的位置变化(伸长等)。
在低相干光干涉温度测定系统46中，在测定温度测定对象物60的温度之前，预先准备使光路长度差和温度测定对象物60的温度相关联而成的温度换算用数据库、例如将温度测定对象物60的温度和光路长度差作为各轴的表格形式的数据库或晶圆W的温度和光路长度差的回归方程式，将其存储在温度计算装置48的PC48a所包括的存储器(省略图示)等中。而且，在测定温度测定对象物60的温度时，首先，低相干光光学系统47将PD 53的输出信号、即表示图6所示的干涉位置A和干涉位置B的信号输入到温度计算装置48。其次，温度计算装置48根据输入的信号计算出光路长度差，并且，根据温度换算用数据库将光路长度差换算成温度。由此，求出温度测定对象物60的温度。
在包括图3的基板抬起单元的基板载置台90中，如下地测定被载置在基板载置面90a上的晶圆W的温度。上述该基板抬起单元具有光照射单元/受光单元87，该光照射单元/受光单元87相当于该低相干光干涉温度测定系统中的低相干光光学系统47的准直器51。
即，首先，对于与例如由硅(Si)构成的晶圆W相同种类的晶圆，制成使反射光的光路长度差和晶圆W的温度相关联而成的温度换算用数据库，并且预先将其存储在低相干光干涉温度测定系统46的温度计算装置48的存储器中。
其次，自光照射单元/受光单元87以提升销84作为光路而向晶圆W照射由低相干光构成的测定光88(参照图3)。接着，利用光照射单元/受光单元87分别接收测定光74的在晶圆W的表面反射的反射光和透射晶圆W而在背面反射的反射光。
接着，将接收到的两股反射光经由光纤传送到低相干光干涉温度测定系统46的耦合器50和PD53，根据PD53的输出信号由温度计算装置48求出光路长度差，根据该光路长度差计算出晶圆W的温度。
采用本实施方式，由于将基板抬起单元80的提升销84用作测定光和反射光的光路，因此，不必在基板载置台90上设置用于测定晶圆W温度的特别的通孔，能够防止由设置新的通孔导致基板载置台的温度均匀性降低，而且能够准确地测定晶圆W的温度。
另外，采用本实施方式，由于不必像以往技术那样使用荧光涂料等，因此，不会污染腔室内。另外，由于使提升销84不抵接于晶圆W，以非接触的方式测定晶圆W的温度，因此，不仅能够避免产生热点(hot spot)，而且也不需要温度监视用的专用晶圆，能够在工艺执行过程中测定晶圆W的温度。另外，由于是非接触测定，因此，也不会因接触热阻导致测定精度降低，能够准确地测定温度。
采用本实施方式，由于光照射单元/受光单元87和作为光路的提升销84为一体，因此，测定光和反射光不会摇动，测定精度进一步提高。
在本实施方式中，使用多个、例如3根提升销中的至少1根作为成为晶圆W温度测定用的低相干光的光路的提升销84。
在本实施方式中，作为测定光和反射光的光路的提升销84既可以是圆柱销(rod pin)，也可以是空心销。
在圆柱销的情况下，优选该圆柱销由能够使低相干光透射的材料、例如蓝宝石、石英等构成，其两端面互相平行且分别被镜面研磨。这是为了防止传送来的测定光或反射光扩散。另外，此时，与晶圆W的顶端面中的、照射有测定光的部分的至少φ1mm以内的部分与另一端面平行即可。由此，通过将照射面的照射有测定光的该部分与晶圆W平行地配置，能够使测定光与晶圆W的表面垂直地入射。
另一方面，在提升销84是空心销的情况下，由于测定光和反射光在空心部分中传送，因此，只要是起到提升销作用的材质即可，其材质没有特别的限定。空心部分的直径优选为例如φ3mm或者φ3mm以下。另外，在空心销的情况下，与圆柱销不同，其两端部并不一定必须平行。其原因在于，光在相对于提升销的入射面或出射面的光轴不变。在空心的提升销中，在放置有温度测定对象物的气氛是低于大气的减压气氛或真空气氛的情况下，在任意部位、例如在与顶端部相对的另一端部设有用于堵塞提升销的空心部的分隔壁。作为分隔壁，优选使用例如厚度0.5～1.0mm的玻璃板。另外，空心销也可以在其顶端部具有布儒斯特窗。
在本实施方式中，根据将提升销84用作光路的、由低相干光干涉温度计获得的晶圆W的温度测定结果，控制在制冷剂流路26中流通的制冷剂(chiller)温度、供给到静电卡盘23的吸附面和晶圆W背面之间的传热气体的压力等，从而控制晶圆W的温度。
图7是表示本实施方式的基板载置台所应用的提升销的一个例子的剖视图。
在图7中，图7的(A)中的提升销是圆柱销，其由使低相干光透过的材料、例如蓝宝石构成，外径呈恒定的圆柱状，其两端面互相平行且分别被实施了镜面研磨处理。采用该提升销，由于其两端面互相平行且各自被实施了镜面研磨处理，因此，能够将测定光垂直地照射到晶圆W的表面，且能够良好地接收反射光。
图7的(B)中的提升销也是圆柱销，呈由使低相干光透过的材料、例如蓝宝石构成的圆柱状。其两端面互相平行且分别被镜面研磨，但销顶端部相比于另一端部变细，成为锥形状。利用该提升销，也能够将测定光垂直地照射到晶圆W的表面，且能够良好地接收反射光。
图7的(C)中的提升销是空心销，呈空心圆筒状，其两端面互相平行。在空心销的情况下，由于光透过空心部分，因此，其材质不需要特别使低相干光透过。该提升销例如由石英、蓝宝石、陶瓷或者树脂构成。利用该提升销，也能够将测定光经由空心的光路垂直地照射到晶圆W的表面，且能够良好地接收反射光。
图7的(D)中的提升销也是空心销，呈空心圆筒状，其两端面互相平行。但销顶端部相比于另一端部变细，成为锥形状。该提升销的材质也不需要特别使低相干光透过，例如由石英、蓝宝石、陶瓷或者树脂构成。利用该提升销，也能够将测定光垂直地照射到晶圆W的表面，且能够良好地接收反射光。
图7的(E)中的提升销是圆柱销，该提升销与图7的(A)中的提升销的不同点在于与销顶端部相比另一端部的直径更粗。利用该提升销，由于其两端面互相平行且各自被实施了镜面研磨处理，因此，也能够将测定光垂直地照射到晶圆W的表面，且能够良好地接收反射光。
图7的(F)中的提升销也是圆柱销，该提升销与图7的(E)中的提升销的不同点在于销顶端部的直径变细，成为锥形状。利用该提升销，由于其两端面互相平行且各自被实施了镜面研磨处理，因此，也能够将测定光垂直地照射到晶圆W的表面，且能够良好地接收反射光。另外，由于销顶端部的倾斜角度没有限制，因此，加工公差并不严格，加工容易，能够将对于晶圆W背面的接触面积做成点，因此，在提升销的位置难以附着灰尘。
图7的(G)中的提升销是空心销，该提升销与图7的(C)中的提升销的不同点在于与销顶端部的直径相比另一端部的外径更粗。利用该提升销，也能够将测定光经由空心的光路垂直地照射到晶圆W的表面，且能够良好地接收反射光。
图7的(H)中的提升销也是空心销，该提升销与图7的(D)中的提升销的不同点在于与销顶端部的外径相比另一端部的外径更粗。利用该提升销，也能够将测定光垂直地照射到晶圆W的表面，且能够良好地接收反射光。
图7的(I)中的提升销是空心销，该提升销与图7的(C)中的提升销的不同点在于与销顶端面相对于光轴倾斜。由于该提升销是空心销，因此，光照射侧的面也可以并不一定与温度测定对象物平行。利用该提升销，也能够将测定光垂直地照射到晶圆W的表面，且能够良好地接收反射光。
图7的(J)中的提升销也是空心销，该提升销与图7的(I)中的提升销的不同点在于两端面相对于光轴倾斜。由于该提升销是空心销，因此，两端面也可以并不一定与温度测定对象物平行。利用该提升销，也能够将测定光垂直地照射到晶圆W的表面，且能够良好地接收反射光。
接着，说明本实施方式的基板抬起单元的变形例。
图8是表示本实施方式的基板抬起单元的第1变形例的概略构造的剖视图。
在图8中，该基板抬起单元的第1变形例与图3中的基板抬起单元的不同点在于，将光照射单元/受光单元87设置于提升臂83。采用该第1变形例，测定光88也能够经由直线光路照射到晶圆W(省略图示)。
采用本实施方式的第1变形例，由于光照射单元/受光单元87和提升销84的间隔狭小，因此，能够充分地降低光轴错位的可能性而准确地测定温度。
图9是表示本实施方式的基板抬起单元的第2变形例的概略构造的剖视图。
在图9中，该基板抬起单元的第2变形例与图8中的基板抬起单元的不同点在于，将光照射单元/受光单元87相对于提升销84呈直角地安装，测定光88在镜89处反射而经由弯曲的光路照射到晶圆W。
采用本实施方式的第2变形例，在提升臂83上安装光照射单元/受光单元87时的布局自由度变大。
在本实施方式的第2变形例中，即使采用棱镜替代镜89，也能获得同样的效果。
图10是表示本实施方式的基板抬起单元的第3变形例的概略构造的剖视图。
在图10中，该基板抬起单元的第3变形例与图9中的基板抬起单元的不同点在于，将光照射单元/受光单元87安装于底板86，测定光88在镜89处反射而经由弯曲的光路照射到晶圆W。
采用本实施方式的第3变形例，在底板86上安装光照射单元/受光单元87时的布局自由度变大。
在本实施方式的第3变形例中，即使采用棱镜替代镜89，也能获得同样的效果。
图11是表示本实施方式的基板抬起单元的第4变形例的概略构造的剖视图。
在图11中，该基板抬起单元的第4变形例与图3中的基板抬起单元80的不同点在于，将光照射单元/受光单元87借助支承构件121安装于底板86。在光照射单元/受光单元87的与支承构件121的固定部设有从光照射单元/受光单元87照射来的测定光的照射角度变更部件(省略图示)。照射角度变更部件例如通过将光照射单元/受光单元87安装在带有倾角(日文：ぁぉり角度)调整机构的保持架上并调整角度，从而自动或手动地改变测定光的照射角。利用该第4变形例，测定光也能够经由直线光路照射到晶圆W。
采用本实施方式的第4变形例，由于能够改变测定光的照射角度，因此，在测定光等的光轴相对于作为光路的提升销84错位的情况下，能够迅速地微调整而使其一致。
以上，使用实施方式说明了本发明，但本发明并不限定于上述实施方式。
另外，在上述各实施方式中，实施了等离子处理的基板并不限定于半导体器件用的晶圆，也可以是包含LCD(Liquid Crystal Display)的FPD(Flat Panel Display)等所采用的各种基板、光掩模、CD基板、印刷线路板等。

Claims (11)

1.一种基板载置台，其特征在于，
包括：
载置面，其用于载置基板；
基板抬起单元，其用于利用提升销将上述基板自上述载置面抬起；
光照射单元/受光单元，其将上述提升销内部作为光路而将由低相干光构成的测定光照射到上述基板，并用于分别接收来自上述基板的表面的反射光和来自上述基板的背面的反射光。
2.根据权利要求1所述的基板载置台，其特征在于，
上述光照射单元/受光单元固定在上述基板抬起单元的底板上，上述测定光经由直线光路照射到上述基板。
3.根据权利要求1所述的基板载置台，其特征在于，
上述光照射单元/受光单元固定在上述基板抬起单元的提升臂上，上述测定光经由直线光路照射到上述基板。
4.根据权利要求1所述的基板载置台，其特征在于，
上述光照射单元/受光单元固定在上述基板抬起单元的底板上，上述测定光在棱镜或反射镜处反射而经由弯曲的光路照射到上述基板。
5.根据权利要求1所述的基板载置台，其特征在于，
上述光照射单元/受光单元固定在上述基板抬起单元的提升臂上，上述测定光在棱镜或反射镜处反射而经过弯曲的光路照射到上述基板。
6.根据权利要求2～5中任一项所述的基板载置台，其特征在于，
上述光照射单元/受光单元包括上述测定光的照射角调整部件。
7.根据权利要求1～5中任一项所述的基板载置台，其特征在于，
上述光照射单元/受光单元以光学方法与包括光接收装置的低相干光干涉温度测定系统中的上述光接收装置连接，该光接收装置由上述低相干光的光学系统构成。
8.根据权利要求1～5中任一项所述的基板载置台，其特征在于，
上述提升销是圆柱销。
9.根据权利要求8所述的基板载置台，其特征在于，
上述圆柱销能够使低相干光透过，其两端面平行且分别被镜面研磨。
10.根据权利要求9所述的基板载置台，其特征在于，
上述圆柱销的顶端面中的至少照射上述测定光的部分同与上述顶端面相对的另一端面平行。
11.根据权利要求1～5中任一项所述的基板载置台，其特征在于，
上述提升销是空心销。
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