JP2021044539A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
そこで、狭い領域における光の変化を検出することができるプラズマ処理装置の開発が望まれていた。
図1は、本実施の形態に係るプラズマ処理装置1を例示するための模式断面図である。 図2は、載置モジュール3を例示するための模式斜視図である。
図1に示すように、プラズマ処理装置1には、チャンバ2、載置モジュール3、電源部4、電源部5、減圧部6、ガス供給部7、処理状態検出部8、および制御部9を設けることができる。
チャンバ2は、本体部21、天板22、および窓23を有することができる。
本体部21は、略円筒形状を呈し、一方の端部に底板21aが一体に設けられている。本体部21の他方の端部は開口している。本体部21は、例えば、アルミニウム合金などの金属から形成することができる。また、本体部21は、接地することができる。本体部21の内部には、プラズマPが発生する領域21bが設けられている。本体部21には、処理物100を搬入搬出するための搬入搬出口21cを設けることができる。搬入搬出口21cは、ゲートバルブ21c1により気密に閉鎖することができる。
電極31aは、金属などの導電性材料から形成することができる。電極31aの上面は、処理物100を載置するための載置面とすることができる。電極31aは、例えば、台座31cにネジ止めすることができる。また、電極31aには、ピックアップピン31a1(図2参照)、および温度制御部などを内蔵させることができる。ピックアップピン31a1は、複数設けることができる。
台座31cは、電極31aと、支持部32の取付部32aとの間に設けることができる。台座31cは、電極31aと、支持部32の間を絶縁するために設けることができる。台座31cは、例えば、石英などの誘電体材料から形成することができる。台座31cは、例えば、支持部32の取付部32aにネジ止めすることができる。
支持部32は、取付部32a、梁32b、およびフランジ32cを有することができる。取付部32a、梁32b、およびフランジ32cは、例えば、アルミニウム合金などから形成することができる。
電源部4は、いわゆるバイアス制御用の高周波電源とすることができる。すなわち、電源部4は、載置部31上の処理物100に引き込むイオンのエネルギーを制御するために設けることができる。
電源41は、イオンを引き込むのに適した周波数(例えば、27MHz〜1MHzの周波数)を有する高周波電力を出力することができる。
整合部42は、マッチング回路42a、ファン42b、およびブスバー42cを有することができる。
マッチング回路42aは、電源41側のインピーダンスと、プラズマP側のインピーダンスとの間で整合をとるために設けることができる。マッチング回路42aは、ブスバー(配線部材)42cを介して、電源41と電極31aとに電気的に接続することができる。すなわち、電源41は、ブスバー42cを介して、載置部31に設けられた電極31aと電気的に接続することができる。
ファン42bは、支持部32の内部に空気を送ることができる。ファン42bは、支持部32の内部に設けられたブスバー42cやマッチング回路42aを冷却するために設けることができる。
また、梁32bの内部空間は、整合部42を介して、チャンバ2(本体部21)の外部の空間と繋がっている。そのため、梁32bの内部空間の圧力は、チャンバ2の外部の空間の圧力(例えば、大気圧)と同じとすることができる。
本実施の形態においては、電源部5が、チャンバ2の外部であって、窓23の、載置部31側とは反対側の面に設けられ、チャンバ2の内部にプラズマPを発生させるプラズマ発生部となる。
電極51は、チャンバ2の外部であって、窓23の上に設けることができる。電極51は、電磁場を発生させる複数の導体部と複数の容量部(コンデンサ)とを有したものとすることができる。
電源52は、100KHz〜100MHz程度の周波数を有する高周波電力を出力することができる。この場合、電源52は、プラズマPの発生に適した周波数(例えば、13.56MHzの周波数)を有する高周波電力を出力することができる。また、電源52は、出力する高周波電力の周波数を変化させるものとすることもできる。
ただし、プラズマの発生方法は例示をしたものに限定されるわけではない。
プラズマ処理装置1は、例えば、誘導結合型プラズマ(ICP:Inductively Coupled Plasma)を用いたプラズマ処理装置や、容量結合プラズマ(CCP:Capacitively Coupled Plasma)を用いたプラズマ処理装置などであってもよい。
減圧部6は、ポンプ61、およびバルブ62を有することができる。
ポンプ61は、チャンバ2の外部に設けることができる。ポンプ61は、チャンバ2の底板21aに設けられた孔21a1に接続することができる。ポンプ61は、チャンバ2の内部にある気体を排気することができる。ポンプ61は、例えば、ターボ分子ポンプ(TMP:Turbo Molecular Pump)などとすることができる。なお、バックポンプとして、ルーツ型ドライポンプをターボ分子ポンプに接続することもできる。
弁体62aは、板状を呈し、チャンバ2の内部に設けることができる。弁体62aは、孔21a1に対向させることができる。弁体62aの平面寸法は、吸気口61aの平面寸法よりも大きくすることができる。弁体62aを中心軸2a方向から見た場合に、弁体62aはポンプ61の吸気口61aを覆うことができる。
ガス供給部7は、ガス収納部71、ガス制御部72、および開閉弁73を有することができる。ガス収納部71、ガス制御部72、および開閉弁73は、チャンバ2の外部に設けることができる。
ガス収納部71は、ガスGを収納し、収納したガスGをチャンバ2の内部に供給することができる。ガス収納部71は、例えば、ガスGを収納した高圧ボンベなどとすることができる。ガス収納部71とガス制御部72は、配管を介して接続することができる。
処理状態検出部8は、光路変更部81および検出部82を有することができる。
例えば、光路変更部81は、窓23の内部に局所的に設けられ、チャンバ2の中心軸2aに対して傾いた面(反射面)を有することができる。
図3に例示をした光路変更部81は、窓23の、載置部31側とは反対側の面に開口する凹部とすることができる。例えば、光路変更部81である凹部の底面が平坦な面となっており、底面が反射面である面81aとなっている。面81aとチャンバ2の中心軸2aとの間の角度は、45°となるようにすることができる。凹部の外形は、例えば、円柱や、多角柱とすることができる。
なお、図3においては、窓23の厚み方向から光が入射する場合(載置部31側から光路変更部81に光が入射する場合)を例示したが、検査光が窓23の側面側(周端面側)から光路変更部81に入射する場合も、光路変更部81によって検査光の進行方向が変えられる。そして、光路変更部81から出射し、処理物100で反射した検査光も、入射光Laと同様に光路変更部81によって検査光の進行方向が変えられる。
また、面81aに凹凸があると、凹凸によって光が散乱してしまうので、面81aの平面度を高くすることが好ましい。例えば、光学研磨によって、面81aの表面粗さをRa0.02以下とすることができる。
図4(a)に示すように、深さ寸法dの小さい光路変更部81bとすることができる。深さ寸法dが小さければ、光路変更部81bとなる凹部の切削加工に用いる切削工具の長さを短くすることができる。切削工具の長さが短い分だけ、切削工具の剛性を高めることができる。このため、切削工具の振動が少なくなり、光路変更部81bとなる凹部の底面(面81ba)の平面度が向上する。深さ寸法dは、例えば、面81baが円形の場合は、その直径の0.5倍以上、1.0倍以下とすることが好ましい。なお、面81baが四角形の場合、その内接円の直径の0.5倍以上、1.0倍以下とすることが好ましい。
なお、凹部の深さを小さくし、かつ、凹部の底面の面積を大きくしてもよい。この様にすれば、底面の平面度をさらに向上させることができる。また、光学研磨が行い易くなるので、底面の平面度を所望の値とすることがさらに容易となる。
図5に例示をした光路変更部81dは、平坦な側面81daを有する多角柱状(例えば、四角柱状)を呈した凹部である。光路変更部81dの側面81daは、窓部23の上面(載置部31側とは反対側の面)に対して45°の角度で傾斜している。この様にすれば、窓部23の上面に直交する方向から側面81daに入射した入射光Laを、窓部23の上面に平行な方向に向けて反射された出射光Lbとすることができる。この場合、凹部の側面は、凹部の底面と比べて面積を大きくすることが容易であるので、光学研磨が行い易くなる。
光路変更部81が設けられていれば、チャンバ2の内部において発生した光の一部が、光路変更部81の面81aに反射して検出部82に入射する。そのため、検出部82は、受光部を有するものとすることができる。例えば、検出部82は、光路変更部81を介して受光部に入射した光の波長の変化に基づいて、処理物100の状態(例えば、プラズマ処理の終点)を検出することができる。
この場合、検出部82は、干渉光の変化に基づいて、処理物100の状態(例えば、プラズマ処理の終点)を検出することができる。
図6に示すように、窓23の側面の、検出部82または導光部83と対向する部分に平坦な面23aを設けることができる。導光部83を設ける場合には、導光部83は、窓23の側面の面23aと検出部82との間に設けることができる。この様にすれば、検出部82または導光部83と窓23との光学的な接続を容易とすることができる。
なお、面23aと光路変更部81の面81aとは、軸2aに直交する方向であって、図6における紙面の上下方向において平行となるように設けるとよい。このようにすれば、検出部82または導光部83と、光路変更部81と、の光学的な接続を容易とすることができる。
制御部9は、記憶部に格納されている制御プログラムに基づいて、プラズマ処理装置1に設けられた各要素の動作を制御することができる。例えば、制御部9は、処理状態検出部8(検出部82)からの出力に基づいて、プラズマ処理を終了させることができる。
図7(a)、(b)に示すように、光路変更部181は、窓23の内部に設けることができる。光路変更部181は、平坦な端面181aを有し、端面181aとチャンバ2の中心軸2aとの間の角度が45°となるようにすることができる。
光路変更部181は、反射率が高く、絶縁性を有する材料から形成することが好ましい。例えば、光路変更部181は、窓23の内部を加工しものや、酸化チタンを含む膜などとすることができる。絶縁性を有する光路変更部181とすれば、光路変更部181が、電源部5により形成された電磁場に影響を及ぼすのを抑制することができる。
図8に示すように、プラズマ処理装置101には、チャンバ102、載置部103、電源部4、電源部5、減圧部106、ガス供給部7、処理状態検出部8、および制御部109を設けることができる。なお、プラズマ処理装置101においても、電源部5が、チャンバ102の内部にプラズマPを発生させるプラズマ発生部となる。
チャンバ102は、本体部102aおよび窓23を有することができる。
本体部102aは、天板、底板、および略円筒形状の側部が一体化されたものとすることができる。本体部102aは、例えば、アルミニウム合金などの金属から形成することができる。また、本体部102aは、接地することができる。本体部102aの内部には、プラズマPが発生する領域102bが設けられている。本体部102aには、処理物100を搬入搬出するための搬入搬出口102cを設けることができる。搬入搬出口102cは、ゲートバルブ102dにより気密に閉鎖することができる。
プラズマ処理装置101は、例えば、誘導結合型プラズマ(ICP:Inductively Coupled Plasma)を用いたプラズマ処理装置や、容量結合プラズマ(CCP:Capacitively Coupled Plasma)を用いたプラズマ処理装置などであってもよい。
減圧部106は、チャンバ102の内部が所定の圧力となるように減圧することができる。ポンプ106aは、例えば、ターボ分子ポンプなどとすることができる。なお、バックポンプとして、ルーツ型ドライポンプをターボ分子ポンプに接続することもできる。ポンプ106aと圧力制御部106bは、配管を介して接続することができる。
本実施の形態に係るプラズマ処理装置101にも、処理状態検出部8が設けられているため、前述した効果を享受することができる。
前述の実施形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
例えば、プラズマ処理装置1、101が備える構成要素の形状、材料、配置などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
図5に例示をした光路変更部81dは、平坦な側面81daを有する多角柱状(例えば、四角柱状)を呈した凹部である。光路変更部81dの側面81daは、窓23の上面(載置部31側とは反対側の面)に対して45°の角度で傾斜している。この様にすれば、窓23の上面に直交する方向から側面81daに入射した入射光Laを、窓23の上面に平行な方向に向けて反射された出射光Lbとすることができる。この場合、凹部の側面は、凹部の底面と比べて面積を大きくすることが容易であるので、光学研磨が行い易くなる。
光路変更部181は、反射率が高く、絶縁性を有する材料から形成することが好ましい。例えば、光路変更部181は、窓23の内部を加工したものや、酸化チタンを含む膜などとすることができる。絶縁性を有する光路変更部181とすれば、光路変更部181が、電源部5により形成された電磁場に影響を及ぼすのを抑制することができる。
Claims (8)
- 大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能なチャンバと、
前記チャンバの内部にガスを供給可能なガス供給部と、
前記チャンバの内部に設けられ、処理物が載置可能な載置部と、
前記チャンバの内部を減圧可能な減圧部と、
前記チャンバに設けられ、前記載置部と対向する窓と、
前記チャンバの外部であって、前記窓の、前記載置部側とは反対側の面に設けられ、前記チャンバの内部にプラズマを発生可能なプラズマ発生部と、
前記窓の内部に局所的に設けられ、前記チャンバの中心軸に対して傾いた面を有する光路変更部と、
前記窓の側面側に設けられ、前記光路変更部の前記面と向き合う検出部と、
を備えたプラズマ処理装置。 - 前記チャンバの内部において発生した光の一部が、前記光路変更部の前記面に反射して前記検出部に入射可能な請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記検出部は、前記光路変更部の前記面を介して前記処理物の表面に光を照射し、前記処理物の表面で反射され、前記光路変更部の前記面でさらに反射された光が入射可能である請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記光路変更部の前記面は、平坦な面であり、前記面と前記チャンバの中心軸との間の角度は、45°である請求項1〜3のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。
- 前記検出部から前記面に向かう光の、前記面への入射角は45°であり、反射角は45°である請求項1〜4のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。
- 前記光路変更部は、前記窓の、前記載置部側とは反対側の面に開口する凹部である請求項1〜5のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。
- 前記窓の側面の、前記検出部と対向する部分には平坦面が設けられ、
前記平坦面と、前記検出部と、の間に設けられた導光部をさらに備えた請求項1〜6のいずれか1つに記載のプラズマ処理装置。 - 前記導光部は、複数の光ファイバを有し、
前記検出部は、複数の分光器を有し、
1つの前記光ファイバが、1つの前記分光器に接続されている請求項7記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (4)
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