KR20210090544A - 거치대에서의 이물질 검출 방법 및 검출 장치 - Google Patents

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Abstract

피검사체를 흡착할 수 있는 거치대의 표면에서의 이물질을 검출할 수 있는 기술로서, 피검사체를 흡착할 수 있는 거치대의 표면의 기준 상태에서의 제1 화상에 포함되는 제1 패턴의 제1 위치 정보를 취득하는 단계와, 상기 제1 화상을 촬상한 후의 상기 표면의 제2 화상에 포함되는 제2 패턴의 제2 위치 정보를 취득하는 단계와, 상기 제1 위치 정보와 상기 제2 위치 정보를 비교하여 상기 표면에서의 이물질을 검출하는 단계를 포함하는, 거치대에서의 이물질 검출 방법이 제공된다.

Description

거치대에서의 이물질 검출 방법 및 검출 장치{METHOD OF DETECTING FOREIGN OBJECT ON STAGE AND DETECTION APPARATUS}
본 개시 내용은 거치대에서의 이물질 검출 방법 및 검출 장치에 관한 것이다.
특허문헌 1은, 검사 대상을 촬상한 촬상(撮像) 화상에 대해 각 화소의 휘도를 검출하고 이 휘도에 기초하여 전 화소로부터 대상 화소를 추출하는 대상 화소 추출 수단과, 상기 대상 화소와 상기 대상 화소의 주변에 위치하는 복수 개의 주변 화소와의 휘도차를 검출하는 휘도차 검출 수단과, 상기 휘도차에 기초하여 이물질의 유무를 판정하는 이물질 판정 수단을 포함하는 이물질 검출 장치를 개시하고 있다.
일본국 공개특허공보 특개2011-163804호
본 개시 내용은, 피검사체를 흡착할 수 있는 거치대의 표면에서의 이물질을 검출할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시 내용의 일 양태에 의하면, 피검사체를 흡착할 수 있는 거치대의 표면의 기준 상태에서의 제1 화상에 포함되는 제1 패턴의 제1 위치 정보를 취득하는 단계와, 상기 제1 화상을 촬상한 후의 상기 표면의 제2 화상에 포함되는 제2 패턴의 제2 위치 정보를 취득하는 단계와, 상기 제1 위치 정보와 상기 제2 위치 정보를 비교하여 상기 표면에서의 이물질을 검출하는 단계를 포함하는, 거치대에서의 이물질 검출 방법이 제공된다.
일 측면에 의하면, 피검사체를 흡착할 수 있는 거치대의 표면에서의 이물질을 검출할 수 있다.
도 1은 실시형태의 검사 장치(10)의 일 예를 나타내는 사시도이다.
도 2는 실시형태에서의 거치대(18)의 일 예를 나타내는 단면도이다.
도 3은 트레이닝 기능 및 파티클 검출 기능에 의해 기준 화상 및 검사용 화상을 각각 취득할 때의 촬상 순서의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 4는 제어 장치(13)가 기준 데이터를 취득할 때에 행하는 처리의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
도 5는 제어 장치(13)가 검사용 위치 정보를 취득하여 이물질을 검출할 때에 행하는 처리의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
이하에서는, 도면을 참조하여, 본 개시 내용을 실시하기 위한 형태에 대해 설명한다. 한편, 본 명세서 및 도면에 있어, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는, 동일한 부호를 붙임으로써 중복되는 설명을 생략하는 경우가 있다.
<실시형태>
도 1은 실시형태의 검사 장치(10)의 일 예를 나타내는 사시도이다. 도 1에서는, 설명의 편의상, 검사 장치(10)의 일부를 도려낸 채로 나타내고 있다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 검사 장치(10)는 로더실(11), 프로버실(12), 제어 장치(13), 표시 장치(14)를 구비한다.
로더실(11)은 반송 기구의 일 예인 반송 아암(15)을 구비한다. 반송 아암(15)은 카세트(C) 내에 수납된 기판인 반도체 웨이퍼(이하, "웨이퍼"라 함, W)를 프로버실(12)로 반입한다. 웨이퍼(W)는 피검사체의 일 예이다. 또한, 반송 아암(15)은 프로버실(12)로부터 검사 완료 웨이퍼(W)를 소정의 반출 위치로 반출한다.
프로버실(12)에서는 반송 아암(15)에 의해 반입되는 웨이퍼(W)의 전기 특성을 검사한다. 프로버실(12)에는, 거치대(18)를 상하 방향(도 1의 Z축 방향) 및 횡방향(도 1의 X축 및 Y축에 평행한 XY 평면 내 방향)으로 이동시키는 X 스테이지(16X)와 Y 스테이지(16Y) 등이 구비되어 있다. 거치대(18)에는 반송 아암(15)에 의해 반입되는 웨이퍼(W)가 거치되며, 거치대(18)는 거치된 웨이퍼(W)를 진공 흡착 등에 의해 거치대(18)의 상면에 흡착 유지한다. 거치대(18)의 상면은 거치대(18) 표면의 일 예이다. 도 1에는 원반 형상의 거치대(18)의 상면의 중심(C)을 나타낸다.
도 2는 본 실시형태에서의 거치대(18)의 일 예를 나타내는 단면도이다. 도 2에 나타내는 단면은 거치대(18)의 상면의 중심(C)을 지나는 단면이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 거치대(18)에는, 구동 기구(미도시)에 의해 상하로 이동하여 거치대(18) 상방으로 자유롭게 돌출/함몰되는 핀(19)이 구비되어 있다. 핀(19)은, 웨이퍼(W)를 거치대(18)로 반입할 때 및 웨이퍼(W)를 거치대(18)로부터 반출할 때에, 일시적으로 거치대(18)로부터 돌출하여 웨이퍼(W)를 거치대(18) 상방으로 지지하기 위한 것이다.
핀(19)은 일 예로서 3개 구비되어 있다. 또한, 도 2에는, 거치대(18)의 진공 챔버용 흡인 홈(18A)과 히터(18B)를 간략화하여 나타낸다. 거치대(18)에는, 웨이퍼(W)가 거치된 상태에서 흡인 홈(18A)을 통해 웨이퍼(W)를 흡인하여 거치대(18) 상면에 흡착하는 진공 척이 구비되어 있다. 진공 척의 동작 상태는 제어 장치(13)에 의해 제어되며, 웨이퍼(W)의 흡착/비흡착 상태가 스위칭된다.
또한, 거치대(18)의 내부에는 히터(18B)가 구비되어 있다. 히터(18B)는, 예를 들어, 거치대(18)에 웨이퍼(W)를 거치하고, 웨이퍼(W)에 형성된 전자 디바이스의 동작 시험을 행하여 전기 특성을 검사하는 경우에, 웨이퍼(W)를 동작 시험에서 설정하는 온도로 가열하기 위해 구비되어 있다. 또한, 히터(18B)에 더하여, 거치대(18)를 냉각시키기 위한 냉각 기구가 추가로 구비될 수도 있다.
도 1의 설명으로 돌아가면, 프로버실(12)에는 얼라인먼트(alignment) 장치(20), 프로브 카드(미도시)가 구비되어 있다. 얼라인먼트 장치(20)는, 거치대(18)에 거치된 웨이퍼(W)를 소정의 검사 위치로 얼라인(align)하기 위한 광학 브릿지(bridge)의 얼라인먼트 장치이다. 얼라인먼트 장치(20)는 카메라(21), 얼라인먼트 브릿지(22), 한 쌍의 리니어 가이드(23,23)를 구비한다. 카메라(21)는 촬상 방향이 아랫 방향을 향하도록 얼라인먼트 브릿지(22)에 탑재되어 있다. 얼라인먼트 브릿지(22)는 Y축 방향으로 이동 가능하도록 한 쌍의 리니어 가이드(23,23)에 의해 지지되어 있다. 얼라인먼트 브릿지(22)는 이동 기구(미도시)에 접속되며, 이동 기구는 얼라인먼트 브릿지(22)를 Y축 방향으로 이동시킨다. 이동 기구에 의해 얼라인먼트 브릿지(22)가 Y축 방향으로 이동함으로써, 얼라인먼트 브릿지(22)에 탑재된 카메라(21)도 Y축 방향으로 이동한다. 이동 기구는 제어 장치(13)에 의해 제어되며, 카메라(21) 및 얼라인먼트 브릿지(22)의 이동량은 제어 장치(13)에 의해 관리된다.
거치대(18)에 거치된 웨이퍼(W)의 얼라인이 행해지는 경우에는, 이동 기구(미도시)에 의해, 얼라인먼트 브릿지(22)가 대기 위치로부터 한 쌍의 리니어 가이드(23,23)를 따라 Y축 방향으로 이동한다. 얼라인먼트 브릿지(22)가 Y축 방향으로 이동함으로써, 얼라인먼트 브릿지(22)에 탑재된 카메라(21)도 Y축 방향으로 이동하여 프로브 카드(probe card)의 아랫쪽으로 미리 설정된 얼라인 위치에 도달한다. 이 상태에서, 얼라인먼트 브릿지(22)에 탑재된 카메라(21)와, 거치대(18) 쪽에 고정된 카메라(미도시)의 협동 작업에 의해, 거치대(18) 상의 웨이퍼(W)의 얼라인이 행해진다. 그 후, 이동 기구(미도시)에 의해 얼라인먼트 브릿지(22)가 원래의 대기 위치로 되돌려진다.
또한, 프로버실(12)에는 송풍기(15A)가 구비되어 있다. 송풍기(15A)는 클리닝 장치의 일 예이며, 반송 아암(15)으로부터 웨이퍼(W)를 수취할 때의 위치에서의 거치대(18) 상면에, 일 예로서 +X축 방향 쪽에서 질소 가스를 불어낼 수 있는 장치이다. 도 1에서는, 송풍기(15A)를 간략화하여 질소 가스를 불어내는 복수 개의 노즐의 선단만을 나타낸다. 일 예로서, 송풍기(15A)의 복수 개의 노즐은 Y축 방향으로 배열되어 있다. 송풍기(15A)는, 제어 장치(13)에 의해 구동 제어가 이루어지며, 원하는 조건 하에 거치대(18) 상면의 이물질 등을 날려보내 세정하기 위해, 거치대(18) 상면을 향해 질소 가스를 불어낸다.
또한, 프로브 카드는, 얼라인먼트 장치(20)에 의해 얼라인된 웨이퍼(W)의 전기 특성을 검사하기 위한 프로브 바늘을 갖는다. 프로브 카드는, 프로버실(12) 상면에 대해 개폐 가능한 헤드 플레이트 중앙의 개구부에, 인서트 링(insert ring)을 통해 고정되어 있다. 또한, 프로버실(12)에는, 테스트 헤드(미도시)가 선회 가능하도록 설치되어 있다.
거치대(18)에 거치된 웨이퍼(W)의 검사가 행해지는 경우, 우선, 테스트 헤드를 통해 프로브 카드와 테스터(미도시)가 전기적으로 접속된다. 그러면, 테스터(tester)로부터 소정 신호가 프로브 카드를 통해 거치대(18) 상의 웨이퍼(W)로 출력되고, 웨이퍼(W)로부터의 응답 신호가 프로브 카드를 통해 테스터로 출력된다. 이로써, 웨이퍼(W)의 전기 특성이 테스터에 의해 평가된다. 그리고, 웨이퍼(W)의 전기 특성 검사가 완료된 후에, 거치대(18)로부터 핀(19)이 돌출하여, 웨이퍼(W)가 핀(19)에 의해 들어올려진다. 그렇게 핀(19)에 의해 들어올려진 웨이퍼(W)는, 거치대(18)로 이동한 반송 아암(15)으로 전달되어, 반송 아암(15)에 의해 소정의 반출 위치로 반출된다.
상기 구성의 검사 장치(10)는 제어 장치(13)에 의해 그 동작이 총괄적으로 제어된다. 제어 장치(13)는 프로그램, 메모리, CPU(Central Processing Unit)로 구성되는 데이터 처리부 등을 구비한다. 프로그램은, 제어 장치(13)로부터 검사 장치(10)의 각 부로 제어 신호를 보내는데, 상세하게는, 후술하는 여러 단계를 실시하여 웨이퍼(W)를 반출하도록 되어 있다. 또한, 예를 들어, 메모리는 여러 파라미터 값이 기록된 영역을 가지며, CPU가 프로그램의 각 명령을 실행할 때에 이들 처리 파라미터를 읽어들여 그 파라미터 값에 따른 제어 신호가 검사 장치(10)의 각 부위로 보내지게 된다. 이러한 프로그램(처리 파라미터의 입력 조작이나 표시에 관한 프로그램도 포함)은, 컴퓨터 기록 매체, 예를 들어, 플렉시블 디스크, 컴팩트 디스크, MO(광자기 디스크) 등과 같은 기억부에 저장되어 제어 장치(13)로 인스톨된다.
예를 들어, 제어 장치(13)는 검사 장치(10)의 각 부를 제어한다. 상세하게 일 예를 들면, 제어 장치(13)는, 거치대(18)에 거치된 웨이퍼(W)에 대한 반출 개시의 지령이 반송 아암(15)으로 발행되어 반송 아암(15)이 거치대(18)로 이동하는 동안에, 거치대(18)로부터 돌출하는 핀(19)에 의해 웨이퍼(W)가 들어올려진 상태에서, 웨이퍼(W)의 둘레 가장자리부가 존재하게 될 소정 영역의 윗쪽으로 카메라(21)를 이동시킨다. 그리고, 제어 장치(13)는 이동된 카메라(21)로 하여금 촬상 영역을 촬상시킨다. 그리하여, 제어 장치(13)는, 카메라(21)에 의해 촬상된 화상에 기초하여, 핀(19)에 의해 들어올려진 웨이퍼(W)의 위치 어긋남(평면적인 위치 어긋남 또는 웨이퍼(W)의 경사)을 검출한다.
이어서, 실시형태의 "거치대에서의 이물질 검출 방법" 및 "거치대에서의 이물질 검출 장치"에 대해 설명한다.
제어 장치(13)는, 본 실시형태의 "거치대에서의 이물질 검출 장치"로서 기능하여, 거치대(18) 상면에 이물질이 있는지 여부를 검출한다. 제어 장치(13)가 거치대(18) 상면에 이물질이 있는지 여부를 검출하는 방법이, 본 실시형태의 "거치대에서의 이물질 검출 방법"이다. 이물질은, 예를 들어, 거치대(18) 상면에 부착될 수 있는 미립자, 먼지 등과 같은 파티클 등의 중에서, 평면시(平面視)로 보았을 때에 면적 또는 크기가 소정값 이상인 것이다.
본 실시형태의 "거치대에서의 이물질 검출 장치"로서 제어 장치(13)는, 일 예로서, 7개의 기능을 갖는다. 7개의 기능에는, 일 예로서, 트레이닝(training) 기능, 파티클 검출 기능, 이물질 판정 기능, 복구(recovery) 기능, 오퍼레이터 호출 기능, 결과 확인 기능, 저장 기능이 포함된다.
제어 장치(13)는, 트레이닝 기능에 의해, 거치대(18) 상면이 클리닝(세정)된 상태에서의 거치대(18) 상면의 화상(기준 화상)을 촬상한다. 거치대(18) 상면이 클리닝(세정)된 상태는 기준 상태의 일 예이다. 그리고, 제어 장치(13)는, 기준 화상에 포함되는 패턴의 위치 정보(기준 위치 정보)와, 기준 화상을 촬상했을 때의 촬상 조건을 포함하는 기준 데이터를 취득한다. 제어 장치(13)는 기준 데이터를 내부 메모리에 저장한다. 기준 화상은 제1 화상의 일 예이다. 기준 위치 정보는 제1 위치 정보의 일 예이며 기준 화상에 포함되는 패턴은 제1 패턴의 일 예이다.
기준 화상의 촬상은, 얼라인먼트 장치(20)의 카메라(21)를 거치대(18) 바로 위에 위치시킨 상태에서 실시한다. 기준 화상에는, 거치대(18) 상면에 있어 흡인 홈(18A), 모양, 흠집 등과 같은 정보가 포함되므로, 기준 화상에 포함되는 패턴은 흡인 홈(18A), 모양, 흠집 등의 평면적 형상 등을 나타내며, 기준 위치 정보는 흡인 홈(18A), 모양, 흠집 등의 패턴 위치를 나타낸다. 흡인 홈(18A), 모양, 흠집 등의 패턴 위치는, 거치대(18) 상면의 중심을 원점으로 하는 XY 좌표에 있어, 일 예로서, 흡인 홈(18A), 모양, 흠집 등의 외접 직사각형 대각선 상에 있는 2개의 정점의 좌표로 나타내어진다. 한편, 복수 개의 기준 데이터가 제어 장치(13)의 내부 메모리에 저장되어 있을 수도 있다.
또한, 제어 장치(13)는, 파티클 검출 기능 및 이물질 판정 기능에 의해, 기준 화상을 촬상한 후의 어느 시점에, 거치대(18) 상면의 화상(검사용 화상)을 촬상하고, 검사용 화상에 포함되는 패턴의 위치 정보(검사용 위치 정보)와, 검사용 화상을 촬상했을 때의 촬상 조건을 포함하는 검사용 데이터를 취득한다. 제어 장치(13)는, 내부 메모리에 저장되어 있는 기준 데이터의 기준 위치 정보와, 검사용 데이터의 검사용 위치 정보를 비교하여, 거치대(18) 상면의 파티클 중에 이물질이 있는지 여부를 판정한다. 기준 위치 정보와 검사용 위치 정보의 차분은 파티클을 나타내며, 제어 장치(13)는, 파티클 중에서, 평면시로 보았을 때의 면적 또는 크기가 소정값 이상인 것을 이물질로서 검출한다. 이렇게 하여, 제어 장치(13)는 거치대(18) 상면에서의 이물질을 검출한다. 검사용 화상은 제2 화상의 일 예이며, 기준 화상과 동일한 촬상 조건 하에, 카메라(21)를 거치대(18)의 바로 위에 위치시킨 상태에서 촬상된다. 검사용 위치 정보는 제2 위치 정보의 일 예이며, 검사용 화상에 포함되는 패턴은 제2 패턴의 일 예이다.
기준 화상을 촬상한 후의 어느 시점에서는, 거치대(18)의 상면이 클리닝(세정)되고서 시간이 경과해 있으므로, 거치대(18)의 상면에는, 클리닝(세정)시에는 존재하지 않았던 파티클이 존재할 수 있다. 따라서, 검사용 화상에는, 거치대(18) 상면의 흡인 홈(18A), 모양, 흠집 등의 정보 외에도, 파티클 정보가 포함될 수 있다. 검사용 화상에 포함되는 패턴은 흡인 홈(18A), 모양, 흠집, 파티클 등의 평면적 형상 등을 나타내며, 검사용 위치 정보는 흡인 홈(18A), 모양, 흠집, 파티클 등의 위치를 나타낸다. 파티클의 패턴 위치는, 흡인 홈(18A), 모양, 흠집 등의 패턴 위치와 마찬가지로, 거치대(18)의 상면 중심을 원점으로 하는 XY 좌표에 있어, 일 예로서, 파티클의 외접 직사각형의 대각선 상에 있는 2개의 정점의 좌표에 의해 나타내어진다.
또한, 어느 시점이라 함은, 예를 들어, 검사 장치(10)의 조작자(오퍼레이터)가 이물질 검출을 실행시키기 위한 실행 버튼을 눌렀을 때 또는 검사 장치(10)의 오퍼레이터에 의해 제어 장치(13)에 설정된 시점에 도달했을 때 등이다. 제어 장치(13)에 설정된 시점이라 함은, 예를 들어, 검사 장치(10)가 로트(lot) 처리를 개시하면, 매월 소정의 일시(日時)로 되었을 때 또는 제어 장치(13)에 설정된 로트 갯수에 도달했을 때 등이다. 이와 같은 이물질 검출을 행하는 타이밍은, 오퍼레이터가 검사 장치(10)에 설정할 수 있다. 로트 갯수는, 거치대(18)에 거치되어 전자 디바이스의 동작 시험이 행해진 웨이퍼(W)의 갯수이다.
여기에서 로트 처리라 함은, 카세트(C)로부터 거치대(18)를 향해 반송 아암(15)에 의해 웨이퍼(W) 반송을 개시하고, 웨이퍼(W)를 거치대(18) 상면에 거치하고, 얼라인먼트 장치(20)에 의해 웨이퍼(W) 위치의 얼라인을 잡고, 프로브 바늘로 웨이퍼(W)의 전자 디바이스 단자 등을 가압하여 전기 특성 검사가 완료될 때까지의 처리를 말한다.
거치대(18)의 상면에 이물질이 있는 상태에서 웨이퍼(W)가 반송 아암(15)에 의해 거치대(18) 상면으로 반송되면, 이물질이 웨이퍼(W) 하면과 거치대(18) 상면 사이로 끼게 된다. 이 상태에서 웨이퍼(W)가 진공 척에 의해 거치대(18) 상면에 흡착되면, 이물질이 돌기물로 되어 웨이퍼(W)와 이물질의 접촉점에 응력이 집중되므로, 웨이퍼(W)가 파손될 우려가 있다.
이와 같은 웨이퍼(W)의 파손을 미연에 억제하기 위해, 제어 장치(13)는 본 실시형태의 "거치대에서의 이물질 검출 장치"로서 기능을 하며, 전술한 7개의 기능을 이용해서 본 실시형태의 "거치대에서의 이물질 검출 방법"에 의한 처리를 실행한다. 7개의 기능에 대해 상세하게는 후술한다.
도 3은 트레이닝 기능 및 파티클 검출 기능에 의해 기준 화상 및 검사용 화상을 각각 취득할 때의 촬상 순서의 일 예를 나타내는 도면이다. 도 3에서는, 거치대(18)의 중심(C)을 나타내나, 흡인 홈(18A)과, 핀(19)을 수납하는 구멍부는 생략되어 있다.
도 3에서는, 일 예로서, 카메라(21)가 한번의 촬상으로 취득할 수 있는 범위를 직사각 형상 영역(21A)으로 나타내었다. 도 3에서는, 일 예로서, X축 방향으로 8개, Y축 방향으로 9개로 하여 모두 72개의 영역(21A)을 나타낸다. 영역(21A)은, 일 예로서, Y축 방향 길이보다 X축 방향 길이가 길므로, Y축 방향이 X축 방향보다 영역의 배열 갯수가 많다. 이러한 72개의 영역(21A)은 평면시로 보았을 때에 원형인 거치대(18)의 외주보다 조금 큰 직사각 형상 영역을 커버한다. 한편, 이와 같은 영역의 X축 및 Y축 방향의 배열 갯수는 하나의 예이며, 몇 개이어도 상관없다.
또한, 72개의 영역(21A) 중에서 네 구석에 위치하는 4개의 영역(21A1,21A2,21A3,21A4)은, 거치대(18)와는 중복되지 않으므로, 네 구석의 4개 영역(21A1,21A2,21A3,21A4)을 제외한 68개의 영역에서 촬상하면 된다. 일 예로서, A로 나타내는 영역(21A5)에서부터 B로 나타내는 영역(21A6)을 향해, 화살표로 나타내는 촬상 경로에 따라 순서대로 촬상하면, 68개의 영역에서 화상을 취득할 수 있어서, 거치대(18) 상면의 모든 영역의 화상을 취득할 수 있다. A로 나타내는 영역(21A5)은, -X축 방향쪽이면서 +Y축 방향쪽인 모서리 영역(21A1)에 대해, -Y축 방향으로 인접하는 영역이다. 또한, B로 나타내는 영역(21A6)은, +X축 방향쪽이면서 +Y축 방향쪽인 모서리 영역(21A4)에 대해, -Y축 방향으로 인접하는 영역이다.
68개의 영역의 각각에서 촬상할 때에는, 제어 장치(13)가 X 스테이지(16X) 및 Y 스테이지(16Y)를 구동하여, 카메라(21)의 촬상 가능 영역이 각 영역에 일치하도록 하면 된다.
이어서, 제어 장치(13)의 7개의 기능에 대해 설명한다.
트레이닝 기능은, 거치대(18) 상면이 클리닝(세정)된 상태에서 거치대(18) 상면의 기준 화상으로부터 취득한 기준 위치 정보와 기준 화상을 촬상했을 때의 촬상 조건을 포함하는 기준 데이터(트레이닝 데이터)를 취득하여, 내부 메모리에 저장하는 처리를 실시하는 기능이다. 클리닝은 제어 장치(13)가 송풍기(15A)를 구동하여 거치대(18) 상면으로 질소 가스를 불어냄으로써 이루어진다. 한편, 여기에서는 클리닝 장치의 일 예로서, 송풍기(15A)를 나타내지만, 송풍기(15A) 대신에 또는 송풍기(15A)에 추가하여, 스프레이에 의해 순수(純水)를 뿜어내는 순수 세정, 또는 스프레이에 의해 에탄올을 뿜어내는 에탄올 세정을 실시하는 장치 등을 구비할 수도 있다.
또한, 기준 화상은, 도 3에 나타내는 바와 같이, 68개의 영역(21A)으로 나누고, 제어 장치(13)가 카메라(21)에 의해 저배율로 촬상함으로써 취득할 수 있다. 또한, 촬상 조건은 조명의 종류(명시야 또는 암시야), 촬상 일시, 촬상시의 거치대(18) 온도 등을 포함한다. 검사 장치(10)의 오퍼레이터는 조명의 종류를 명시야 또는 암시야로부터 선택할 수 있다. 거치대(18)의 온도로는, 예를 들어, 히터(18B)의 설정 온도를 사용할 수 있다.
한편, 68개의 영역(21A)은, 일 예로서, 거치대(18) 상면의 중심(C)을 원점으로 하는 XY 좌표에 의해 구별되어, 각 영역(21A)에 포함되는 각 화소의 XY 좌표는 거치대(18) 상면의 중심(C)을 원점으로 하는 XY 좌표에 의해 나타내어진다.
파티클 검출 기능은, 기준 화상을 촬상한 후의 어느 시점에서 거치대(18) 상면을 촬상하여 얻는 검사용 화상으로부터 기준 위치 정보를 취득하고, 검사용 위치 정보를 기준 위치 정보와 비교하여, 거치대(18) 상면에서의 파티클 검출 처리를 실시하는 기능이다. 어느 시점이라 함은, 전술한 바와 같이, 예를 들어, 오퍼레이터가 검사 장치(10)로 하여금 이물질 검출을 실행시키기 위한 실행 버튼을 눌렀을 때, 전기 특성 검사를 한 로트 수가 미리 설정한 갯수에 도달했을 때, 또는 제어 장치(13)에 설정한 시점에 도달했을 때 등이다. 거치대(18) 상면에서의 파티클 검출은, 검사용 위치 정보를 기준 위치 정보와 비교하여, 2개의 위치 정보의 차분으로부터 파티클을 검출하는 처리이다. 보다 구체적으로는, 검사용 위치 정보 중에 기준 위치 정보에 포함되지 않는 위치 정보가 소정 조건을 충족하는 경우에, 파티클을 나타내는 위치 정보로서 취급한다. 이와 같이 하여 파티클을 검출한다.
검사용 화상을 취득할 때에는 촬상 조건도 취득된다. 검사용 화상의 촬상 조건은, 일 예로서, 조명의 종류(명시야 또는 암시야), 촬상 일시, 촬상시의 거치대(18) 온도 등을 포함한다. 이것은 기준 화상의 촬상 조건에 대해서도 마찬가지이다.
전술한 소정 조건은 이물질의 최소 면적 또는 최소 크기를 나타낸다. 이물질의 최소 면적 또는 최소 크기는, 후술하는 이물질 판정 기능에 의해 거치대(18) 상면에 이물질이 있는지 여부를 판정할 때에, 이물질로서 인식하는 파티클의 평면시(平面視)의 최소 면적 또는 평면시의 최소 크기이다. 파티클의 면적은, 일 예로서, 파티클의 외접 직사각형 면적이다. 크기는 평면시에서의 파티클 직경 또는 파티클의 외접 직사각형의 장변 길이로 규정된다. 이물질을 최소 면적과 최소 크기 중 어느 것으로 판정할 것인지는, 오퍼레이터가 선택할 수 있다.
또한, 파티클 검출 기능은, 검사용 위치 정보와 기준 위치 정보의 차분을 파티클로서 검출할 때에, 검사용 화상과 기준 화상을 취득했을 때의 거치대(18) 온도차를 이용하여 검사용 위치 정보를 보정하고, 보정된 검사용 위치 정보와 기준 위치 정보의 차분을 파티클로서 검출할 수도 있다. 검사용 위치 정보의 보정은, 거치대(18)의 선팽창 계수와 온도차를 이용하여 거치대(18) 상면의 중심을 원점으로 하는 X좌표 및 Y좌표의 값을 보정함으로써 실시할 수 있다. 거치대(18)는 일 예로서 알루미늄제인데, 히터(18B)의 설정 온도 차이에 따라 팽창하는 정도가 달라서 거치대(18) 상면에 있는 흡인 홈(18A) 등과 같은 구조물의 온도 팽창에 의한 위치 어긋남에 대응하는 차분이 파티클로서 검출되는 것을 억제할 수 있다.
이물질 판정 기능은, 파티클 검출 기능에 의해 검출된 파티클 중에서, 이물질로서의 최소 면적 이상, 또는 이물질로서의 최소 크기 이상인 파티클을 이물질이라고 판정하는 기능이다. 이물질의 최소 면적 이상 또는 이물질의 최소 크기 이상인 파티클(이물질)의 유무를 판정하는 것은, 파티클 검출 기능에 의해 검출된 파티클에 포함되는 이물질을 검출하는 것과 같은 뜻이다. 이물질 판정 기능은, 바꾸어 말하면, 파티클 검출 기능에 의해 검출된 파티클이 문제 없는(합격) 파티클인지, 문제 있는(불합격) 파티클인지를 판정하는 기능이며, 문제 있는(불합격) 파티클은 이물질이라고 판정된다.
복구 기능은, 이물질 판정 기능에 의해 이물질이라고 판정된 파티클이 거치대(18) 상면에 존재하는 경우에, 거치대(18) 상면의 이상을 복구시키는 기능이며, 제어 장치(13)가 송풍기(15A)를 구동하여 거치대(18) 상면의 이물질을 제거하여 복구시키는 단계를 실시하는 기능이다. 이와 같이, 복구 기능은, 거치대(18) 상면을 클리닝하는 단계를 실시함으로써, 거치대(18) 상면에 웨이퍼(W)를 거치하여 진공 척에 의해 흡착하더라도 웨이퍼(W)가 파손될 우려가 없는 상태로 한다.
또한, 복구 기능은, 거치대(18) 상면의 이물질을 클리닝하는 단계를 실시한 후에, 클리닝된 거치대(18) 상면의 화상(재검사용 화상)을 촬상하고, 재검사용 화상에 포함되는 패턴의 위치 정보(재검사용 위치 정보)와 내부 메모리에 저장해 둔 기준 위치 정보를 비교하여, 거치대(18) 상면에 이물질이 있는지 여부를 판정하는 기능을 갖는다. 재검사용 화상은 제3 화상의 일 예이다. 재검사용 위치 정보는 제3 위치 정보의 일 예이며, 재검사용 화상에 포함되는 패턴은 제3 패턴의 일 예이다.
한편, 복구 기능에서, 재검사용 화상의 촬상, 재검사용 위치 정보의 취득, 및 거치대(18) 상면에서의 파티클 검출은, 파티클 검출 기능에서의 검사용 화상의 촬상, 검사용 위치 정보의 취득, 및 파티클 검출과 마찬가지로 실시할 수 있다. 또한, 복구 기능에 있어, 검출된 파티클에 이물질이 포함되는지 여부의 판정은, 이물질 판정 기능과 마찬가지로 실시할 수 있다.
오퍼레이터 호출 기능은, 오퍼레이터에게 거치대(18) 상면의 이상에 대응하는 방법의 판단을 구하는 통지를 하는 기능이며, 복구 기능에 의한 클리닝 후에 이물질이 검출된 경우에 제어 장치(13)가 이용하는 기능이다.
제어 장치(13)가 오퍼레이터 호출 기능에 의해 실행하는 단계에는, 오퍼레이터에 이상을 알리는 단계와, 오퍼레이터에게 로트 처리를 계속할지 여부의 판단을 구하는 통지를 하는 단계가 있다. 오퍼레이터에게 로트 처리를 계속할지 여부의 판단을 구하는 통지를 하는 단계는, 오퍼레이터에게 거치대(18) 상면의 이상에 대응하는 방법의 판단을 구하는 통지를 하는 단계의 일 예이다.
제어 장치(13)는, 복구 후의 재검사용 위치 정보와 기준 위치 정보의 비교에 의해 이물질이 검출된 경우에는, 오퍼레이터 호출 기능에 의해 오퍼레이터에게 이상을 알리는 단계를 실시한다. 제어 장치(13)는, 이상을 알리는 것으로서, 예를 들어, 표시 장치(14)에 알람(경보)을 표시한다. 또한, 표시 장치(14)에 알람을 표시함에 더해, 또는 표시 장치(14)에 표시하는 대신에, 음성 등에 의한 알람으로써 이상을 알릴 수도 있다.
또한, 제어 장치(13)는, 오퍼레이터에게 이상을 알리는 단계와 동시에, 오퍼레이터에게 로트 처리를 계속할지 여부의 판단을 구하는 통지를 하는 단계를 실행할 수 있다. 오퍼레이터에게 로트 처리를 계속할지 여부의 판단을 구하는 통지를 하는 단계에서는, 제어 장치(13)는 이물질을 나타내는 화상 등을 표시 장치(14)에 표시하고, 오퍼레이터에게 로트 처리를 계속할지 여부의 판단을 구하는 메시지를 표시 장치(14)에 표시한다.
그 결과, 오퍼레이터는 복구 후의 재검사용 위치 정보와 기준 위치 정보의 비교에 의해 얻어진 이물질의 화상 등을 확인하고, 예를 들어, 로트 처리를 계속할지 아니면 로트를 종료할지(현재의 로트 처리 종료)를 선택할 수 있다.
한편, 복구 기능에 의한 단계와, 오퍼레이터 호출 기능에 의한 단계는, 거치대(18) 상면에 이물질이 있다는 이상 상태에 대처하는 이상 처리 모드의 단계로서 이루어지는 것이다. 즉, 이상 처리 모드의 단계에서는, 복구 기능에 의한 이상 처리 단계와 오퍼레이터 호출 기능에 의한 이상 처리 단계가 포함된다.
그러나, 이상 처리 모드의 단계에 있어, 복구 기능에 의한 이상 처리 단계와, 오퍼레이터 호출 기능에 의한 이상 처리 단계는, 선택적일 수도 있다. 검사 장치(10)의 오퍼레이터가 이상 처리 모드의 단계로서, 복구 기능에 의한 이상 처리 단계와 오퍼레이터 호출 기능에 의한 이상 처리 단계 중 어느 한 쪽을 선택할 수 있는 구성일 수도 있다.
결과 확인 기능은, 제어 장치(13)가 오퍼레이터로 하여금, 예를 들어, 표시 장치(14)를 통해 다음과 같은 내용을 확인할 수 있도록 하는 기능이다. 확인 가능한 내용은, X 스테이지(16X)와 Y 스테이지(16Y)의 조작에 의한 거치대(18) 상면의 표면 상태 확인과, 이물질의 확인이다.
X 스테이지(16X)와 Y 스테이지(16Y)의 조작에 의한 거치대(18) 상면의 표면 상태 확인에서는, 제어 장치(13)는 오퍼레이터에 의한 조이스틱 등의 조작에 따라 X 스테이지(16X) 및 Y 스테이지(16Y)를 구동하고, 카메라(21)로 촬상하는 거치대(18) 상면의 화상을 표시 장치(14)에 표시시킨다. 또한, 이물질의 확인에서는, 제어 장치(13)는 복구 후의 재검사용 위치 정보와 기준 위치 정보의 비교에 의해 검출된 이물질의 화상을 표시 장치(14)에 표시시킨다.
저장 기능은, 일 예로서, 검사용 위치 정보의 취득으로부터 복구 기능에 의한 단계 및 오퍼레이터 호출 기능에 의한 단계에 이르기까지 발생한 데이터를, 제어 장치(13)가 내부 메모리에 저장하는 기능이다.
파티클 검출 기능에 관해 저장 기능에 의해 저장되는 데이터는, 일 예로서, 파티클 검출 기능에 의해 검출된 거치대(18) 상면에서의 파티클의 화상 데이터, 검사용 위치 정보, 검사용 화상을 취득할 때의 촬상 조건 등을 나타내는 데이터이다.
이물질 판정 기능에 관해 저장 기능에 의해 저장되는 데이터는, 일 예로서, 이물질 판정 기능에 의해 이물질이라고 판정된 파티클의 화상 및 이물질이라고 판정된 파티클의 화상을 포함하는 검사용 화상을 취득할 때의 촬상 조건 등의 데이터이다. 한편, 화상 데이터에 대해, 보다 구체적으로는, 파티클 검출 기능에 의해 검출된 파티클의 화상 데이터 중의, 이물질 판정 기능에 의해 이물질이라고 판정된 파티클의 화상 데이터는, 저장 기능에 의해 그대로 내부 메모리에 저장되며, 이물질이라고 판정되지 않은 파티클의 화상 데이터는, 저장 기능에 의해 내부 메모리로부터 삭제된다.
복구 기능에 관해 저장 기능에 의해 저장되는 데이터는, 일 예로서, 복구 기능에서 행한 클리닝 등의 처리에 관한 데이터, 재검사용 위치 정보, 기준 위치 정보와 재검사용 위치 정보의 비교 결과를 나타내는 데이터, 복구 기능에 의해 검출된 이물질을 나타내는 화상 데이터, 재검사용 화상의 촬상 조건 등을 나타내는 데이터 등이다.
오퍼레이터 호출 기능에 관해 저장 기능에 의해 저장되는 데이터는, 일 예로서, 알람 내용을 나타내는 데이터, 오퍼레이터의 선택 결과(로트 처리를 속행할지 또는 로트 종료로 할지를 선택한 결과)를 나타내는 데이터 등이다.
결과 확인 기능에 관해 저장 기능에 의해 저장되는 데이터는, 일 예로서, 오퍼레이터가 확인한 내용(X 스테이지(16X) 및 Y 스테이지(16Y)의 조작에 의한 거치대(18) 상면의 표면 상태 확인 또는 이물질 확인)을 나타내는 데이터이다.
도 4는 제어 장치(13)가 기준 데이터를 취득할 때에 행하는 처리의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
제어 장치(13)는, 처리가 시작되면, 카메라(21)와 X 스테이지(16X) 및 Y 스테이지(16Y)를 조작하여, 거치대(18) 상면이 클리닝된 상태에서의 거치대(18) 상면의 화상인 기준 화상을 촬상한다(단계 S1). 단계 S1의 처리는 트레이닝 기능에 의해 실행되는 처리이며, 도 3에 나타내는 68개의 영역(21A)에서 화상이 취득되어, 68개의 화상에 의해 구성되는 기준 화상이 취득된다. 또한, 이 때에 제어 장치(13)는 기준 화상의 촬상 조건도 취득한다.
제어 장치(13)는 기준 화상에 대해 화상 처리함으로써 기준 위치 정보를 취득한다(단계 S2).
제어 장치(13)는 기준 위치 정보와 기준 화상의 촬상 조건을 포함하는 기준 데이터를 내부 메모리에 저장한다(단계 S3). 단계 S3의 처리는 트레이닝 기능에 의해 실행되는 처리이다.
이상으로써, 기준 화상을 취득할 때에 행하는 처리가 종료된다.
도 5는 제어 장치(13)가 검사용 위치 정보를 취득하여 이물질을 검출할 때에 행하는 처리의 일 예를 나타내는 플로우 챠트이다.
제어 장치(13)는 내부 메모리로부터 기준 위치 정보와 기준 화상의 촬상 조건을 포함하는 기준 데이터를 읽어들인다(단계 S11). 단계 S11의 처리는 파티클 검출 기능에 의해 실행되는 처리이다.
제어 장치(13)는 카메라(21)와 X 스테이지(16X) 및 Y 스테이지(16Y)를 조작하여 현재의 거치대(18) 상면의 화상인 검사용 화상을 촬상하여, 검사용 위치 정보를 취득한다(단계 S12). 단계 S12의 처리는 파티클 검출 기능에 의해 실행되는 처리이다. 또한, 제어 장치(13)는 검사용 위치 정보 및 검사용 화상을 취득할 때의 촬상 조건을 포함하는 검사용 데이터를 내부 메모리에 저장한다. 이것은 저장 기능에 의한 처리이다.
제어 장치(13)는 검사용 위치 정보를 기준 위치 정보와 비교하여 거치대(18) 상면에서의 파티클을 검출한다(단계 S13). 파티클은 검사용 위치 정보와 기준 위치 정보의 차분으로부터 검출된다. 단계 S13의 처리는 파티클 검출 기능에 의해 실행되는 처리이며, 검사용 화상과 기준 화상이 취득됐을 때에 있어 거치대(18)의 온도 차가 있는 경우에는, 거치대(18)의 팽창을 고려한 보정을 할 수 있다. 제어 장치(13)는 검사용 화상과 기준 화상의 차분을 나타내는 파티클의 화상 데이터를 내부 메모리에 저장한다. 이것은 저장 기능에 따른 처리이다.
제어 장치(13)는, 단계 S13에 의해 검출된 파티클 중에서, 이물질의 최소 면적 이상이거나 또는 이물질의 최소 크기 이상인 파티클(이물질)이 있는지 여부를 판정한다(단계 S14). 단계 S14의 처리는 이물질 판정 기능에 의해 실행되는 처리이며, 이물질을 검출하는 처리이다. 제어 장치(13)는, 단계 S14에서 이물질이 있다고 판정하면, 이물질이라고 판정된 파티클의 화상, 이물질이라고 판정된 파티클의 화상을 포함하는 검사용 화상을 취득할 때의 촬상 조건 등의 데이터를 내부 메모리에 저장한다. 이것은 저장 기능에 의한 처리이다.
제어 장치(13)는, 이물질이 있다(S14: YES)고 판정하면, 거치대(18) 상면의 이상을 복구시키는 처리를 한다(단계 S15). 구체적으로는, 일 예로서 제어 장치(13)가 송풍기(15A)를 구동하여 거치대(18) 상면의 이물질을 클리닝하여 복구시킨다. 단계 S15의 처리는 복구 기능에 의해 실행되는 처리이다.
제어 장치(13)는, 카메라(21)와 X 스테이지(16X) 및 Y 스테이지(16Y)를 조작하여 복구 처리 후의 현재의 거치대(18) 상면의 화상인 재검사용 화상을 촬상하고, 재검사용 위치 정보를 취득한다(단계 S16). 단계 S16의 처리는 복구 기능에 의해 실행되는 처리이다. 제어 장치(13)는 클리닝 등의 처리에 관한 데이터, 재검사용 위치 정보, 재검사용 화상의 촬상 조건 등을 나타내는 데이터 등을 내부 메모리에 저장한다. 이것은 저장 기능에 의한 처리이다.
제어 장치(13)는, 재검사용 위치 정보를 기준 위치 정보와 비교하여, 거치대(18) 상면에서의 파티클을 검출한다(단계 S17). 단계 S17의 처리는 복구 기능에 의해 실행되는 처리이며, 재검사용 위치 정보에 대해 단계 S13과 마찬가지의 처리가 이루어진다. 제어 장치(13)는 기준 위치 정보와 재검사용 위치 정보의 비교 결과를 나타내는 데이터를 내부 메모리에 저장한다. 이것은 저장 기능에 의한 처리이다.
제어 장치(13)는 이물질의 최소 면적 이상이거나 또는 이물질의 최소 크기 이상인 파티클(이물질)이 있는지 여부를 판정한다(단계 S18). 단계 S18의 처리는 복구 기능에 의해 실행되는 처리이며, 단계 S17에서 검출된 파티클에 대해 단계 S14와 마찬가지의 처리가 이루어진다. 제어 장치(13)는, 단계 S18에서 이물질이 있다고 판정하면, 이물질이라고 판정된 파티클의 화상 및 이물질이라고 판정된 파티클의 화상을 포함하는 재검사용 화상을 취득할 때의 촬상 조건 등의 데이터를 내부 메모리에 저장한다. 이것은 저장 기능에 의한 처리이다.
제어 장치(13)는, 단계 S18에서 이물질이 있다고 판정하면, 오퍼레이터에게 이상을 알리고 오퍼레이터에게 로트 처리를 계속할지 여부의 판단을 구하는 통지를 한다(단계 S19). 구체적으로는, 예를 들어, 제어 장치(13)는, 표시 장치(14)에 알람(경보)을 표시하고, 오퍼레이터에게 로트 처리를 계속할지 여부의 판단을 구하는 메시지를 표시 장치(14)에 표시시킨다. 이 때, 이물질을 나타내는 화상 등을 표시 장치(14)에 표시시킬 수도 있다. 단계 S19의 처리는 오퍼레이터 호출 기능에 의해 실행되는 처리이다.
제어 장치(13)는, 표시 장치(14)를 통해, 오퍼레이터가 현재 상황을 확인할 수 있도록 한다(단계 S20). 구체적으로는, 예를 들어, X 스테이지(16X) 및 Y 스테이지(16Y)의 조작에 의한 거치대(18) 상면의 표면 상태 확인과 이물질 확인을, 오퍼레이터가 실행할 수 있게 된다. 단계 S20의 처리는 결과 확인 기능에 의해 실행되는 처리이다.
제어 장치(13)는, 단계 S20의 처리가 끝나면, 일련의 처리를 종료시킨다. 제어 장치(13)가 단계 S20을 거쳐 일련의 처리를 마친 경우에, 단계 S19에서의 통지에 대한 오퍼레이터의 입력 내용(예를 들어, 로트 처리를 속행할지 또는 로트 종료로 할 지를 선택하는 입력)에 따라 웨이퍼(W)의 전기 특성을 검사할 수 있다.
한편, 제어 장치(13)는, 단계 S14 또는 S18에서 이물질이 없다(S14: NO)고 판정하면, 일련의 처리를 종료시킨다. 단계 S14에서 이물질이 없다고 판정한 경우에는, 거치대(18) 상면에 이물질이 존재하지 않는 경우이므로, 이물질을 검출할 때에 행하는 일련의 처리를 종료시켜도 되기 때문이다. 또한, 단계 S18에서 이물질이 없다고 판정한 경우에는, 거치대(18) 상면의 이물질이 클리닝에 의해 제거된 경우이므로, 이물질을 검출할 때에 행하는 일련의 처리를 종료시켜도 되기 때문이다. 제어 장치(13)가 단계 S14 또는 S18을 거쳐 일련의 처리를 마친 경우에는, 웨이퍼(W)의 전기 특성을 검사할 수 있다.
또한, 이상 처리 모드의 단계에 있어 복구 기능에 의한 이상 처리 단계와 오퍼레이터 호출 기능에 의한 이상 처리 단계는 선택적일 수 있다. 그러므로, 복구 기능에 의한 이상 처리 단계(S15~S18)를 실시하고 오퍼레이터 호출 기능에 의한 이상 처리 단계(S19)를 실시하지 않는 경우에는, 단계 S18에서 YES인 경우에 단계 S20으로 진행하면 된다. 단계 S20에서는, 단계 S18에서 검출된 이물질이 있는 거치대(18) 상면의 표면 상태 확인과 이물질 확인을 오퍼레이터가 실시하게 된다.
또한, 복구 기능에 의한 이상 처리의 단계(S15~S18)를 실시하지 않고 오퍼레이터 호출 기능에 의한 이상 처리 단계(S19)를 실시하는 경우에는, 단계 S14에서 이물질이 검출된 것에 대해, 단계 S19에서 표시 장치(14)에 알람(경보)을 표시하고, 오퍼레이터에게 이상에 대응하는 방법의 판단을 구하는 메시지를 표시하게 된다.
이상과 같이, 거치대(18) 상면이 클리닝된 상태에서 취득한 거치대(18) 상면의 기준 위치 정보와, 클리닝 후에 로트 처리에서 사용된 거치대(18) 상면의 검사용 위치 정보의 차분으로부터, 파티클을 검출한다. 그리고, 검출된 파티클 중에서, 이물질로서의 최소 면적 이상 또는 이물질로서의 최소 크기 이상인 파티클을 이물질로서 검출한다. 그리하여, 거치대(18) 상면에서의 이물질을 검출할 수 있다.
따라서, 웨이퍼(W)를 흡착할 수 있는 거치대(18) 상면에서의 이물질을 검출할 수가 있다. 거치대에서의 이물질 검출 방법 및 거치대에서의 이물질 검출 장치를 제공할 수 있다. 또한, 거치대(18) 상면의 이물질을 검출할 수 있음으로 인해, 전기 특성 검사를 안정적으로 실행할 수 있으므로, 높은 스루풋(throughput)의 검사가 가능하게 된다.
또한, 이물질을 검출할 때에, 검출된 파티클 중에서 이물질로서의 최소 면적 이상 또는 이물질로서의 최소 크기 이상인 파티클을 이물질로서 검출하므로, 화상 처리를 이용하여 검출한 파티클 중에서 이물질을 효율적으로 검출할 수 있다.
또한, 기준 화상과 검사용 화상을 취득했을 때의 거치대(18)의 온도차에 기초하여 보정하고서 파티클을 검출하고, 검출된 파티클 중에서 이물질을 검출하므로, 기준 화상과 검사용 화상을 취득했을 때의 거치대(18)의 팽창 정도를 고려하여 이물질을 보다 정확하게 검출할 수가 있다.
또한, 이물질이 검출된 경우에는, 거치대(18) 상면을 복구시키는 단계 또는 오퍼레이터에게 로트 처리를 계속할지 여부의 판단을 구하는 통지를 하는 단계를 포함하는 이상 처리 모드를 실행한다. 따라서, 거치대(18) 상면에 이물질이 검출되더라도, 이상 상황에 따라 처리를 계속할 수가 있다. 특히, 복구시키는 단계에서 거치대(18) 상면을 클리닝하면, 이물질을 제거하고 처리를 계속할 수가 있다.
또한, 복구시키는 단계에서는, 검출된 파티클 중에서 이물질로서의 최소 면적 이상 또는 이물질로서의 최소 크기 이상인 파티클을 이물질로서 검출하므로, 화상 처리를 이용하여 검출한 파티클 중에서 이물질을 효율적으로 검출할 수 있다. 또한, 기준 화상과 재검사용 화상을 취득했을 때의 거치대(18)의 온도차에 기초하여 보정을 하고서 파티클을 검출하고, 검출된 파티클 중에서 이물질을 검출하면, 기준 화상과 재검사용 화상을 취득했을 때의 거치대(18)의 팽창 정도를 고려하여 이물질을 보다 정확하게 검출할 수가 있다.
또한, 오퍼레이터에게 로트 처리를 계속할지 여부의 판단을 구하는 통지를 하는 단계와 함께, 오퍼레이터에게 알람을 알리는 단계를 실행하므로, 이상이 발생했음을 오퍼레이터에게 보다 확실하게 전달할 수가 있다.
또한, 복구시키는 단계 또는 오퍼레이터에게 로트 처리를 계속할지 여부의 판단을 구하는 통지를 하는 단계의 후에, 오퍼레이터의 조작에 따라 거치대(18) 상면의 화상을 표시 장치(14)에 표시시키는 단계를 추가로 실행한다. 그리하여, 오퍼레이터가 거치대(18) 상면의 상황을 용이하게 확인할 수가 있다.
한편, 이상에서는, 거치대(18)가 진공 척으로 웨이퍼(W)를 흡착하는 상태에 대해 설명하였으나, 진공 척 대신에 정전 척을 사용할 수도 있다. 또한, 정전 척 등과 같이 진공 척 이외의 척을 사용하는 경우에도, 진공 척을 사용하는 경우에 대해 설명한 상기의 효과와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
또한, 이상에서는, 검사 장치(10)를 이용하여 설명하였으나, 실시형태의 거치대에서의 이물질 검출 방법 및 검출 장치는, 검사 장치(10)에 한정되지 않고, 성막 장치, 에칭 장치 등에도 적용할 수가 있다.
이상에서 본 개시 내용에 따른 거치대에서의 이물질 검출 방법 및 검출 장치의 실시형태에 대해 설명하였으나, 본 개시 내용은 상기 실시형태 등에 한정되지 않는다. 청구범위에 기재된 범주 내에서 각종의 변경, 수정, 치환, 부가, 삭제, 조합 등이 이루어질 수 있다. 이들에 대해서도 당연히 본 개시 내용의 기술적 범위에 속한다.
본원은 일본 특허청에 2020년 1월 10일에 출원된 특허출원 2020-002964호에 기초하는 우선권을 주장하는 것이며, 그 전체 내용을 참조로써 여기에 원용한다.

Claims (13)

  1. 피검사체를 흡착할 수 있는 거치대의 표면의 기준 상태에서의 제1 화상에 포함되는 제1 패턴의 제1 위치 정보를 취득하는 단계와,
    상기 제1 화상을 촬상한 후의 상기 표면의 제2 화상에 포함되는 제2 패턴의 제2 위치 정보를 취득하는 단계와,
    상기 제1 위치 정보와 상기 제2 위치 정보를 비교하여 상기 표면에서의 이물질을 검출하는 단계를 포함하는, 거치대에서의 이물질 검출 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 이물질을 검출하는 단계는,
    상기 제1 위치 정보와 상기 제2 위치 정보를 비교하여 상기 표면에서의 파티클을 검출하는 단계와,
    상기 검출된 파티클 중에 면적 또는 크기가 역치 이상인 것을 상기 이물질로서 검출하는 단계를 포함하는 것인, 거치대에서의 이물질 검출 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 파티클을 검출하는 단계는, 상기 제1 화상과 상기 제2 화상이 촬상되었을 때의 상기 거치대의 온도차에 기초하여 상기 제1 위치 정보 또는 상기 제2 위치 정보를 보정하고, 상기 제1 위치 정보와 상기 제2 위치 정보 중 보정된 위치 정보와, 상기 제1 위치 정보와 상기 제2 위치 정보 중 보정되지 않은 위치 정보를 비교하여, 상기 표면에서의 파티클을 검출하는 단계인, 거치대에서의 이물질 검출 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 이물질을 검출하는 단계는, 상기 제1 화상과 상기 제2 화상이 촬상되었을 때의 상기 거치대의 온도차에 기초하여 상기 제1 위치 정보 또는 상기 제2 위치 정보를 보정하고, 상기 제1 위치 정보와 상기 제2 위치 정보 중 보정된 위치 정보와, 상기 제1 위치 정보와 상기 제2 위치 정보 중 보정되지 않은 위치 정보를 비교하여, 상기 표면에서의 이물질을 검출하는 단계인, 거치대에서의 이물질 검출 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 이물질이 검출되면, 상기 이물질이 있는 상기 표면의 이상에 대응하는 이상 처리 모드를 실행하는 단계를 더 포함하는, 거치대에서의 이물질 검출 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 이상 처리 모드를 실행하는 단계는, 상기 표면의 이상을 복구하는 단계 또는 오퍼레이터에게 상기 표면의 이상에 대응하는 방법의 판단을 구하는 통지를 실행하는 단계를 포함하는 것인, 거치대에서의 이물질 검출 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 표면의 이상을 복구하는 단계는 상기 표면을 클리닝하는 단계를 포함하는 것인, 거치대에서의 이물질 검출 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 표면의 이상을 복구하는 단계는,
    상기 클리닝된 표면의 제3 화상에 포함되는 제3 패턴의 제3 위치 정보를 취득하는 단계와,
    상기 제1 위치 정보와 상기 제3 위치 정보를 비교하여 상기 클리닝된 표면에서의 이물질을 검출하는 단계를 더 포함하는 것인, 거치대에서의 이물질 검출 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 클리닝된 표면에서의 이물질을 검출하는 단계는, 상기 제1 화상과 상기 제3 화상이 촬상되었을 때의 상기 거치대의 온도차에 기초하여 상기 제1 위치 정보 또는 상기 제3 위치 정보를 보정하고, 상기 제1 위치 정보와 상기 제3 위치 정보 중 보정된 위치 정보와, 상기 제1 위치 정보와 상기 제3 위치 정보 중 보정되지 않은 위치 정보를 비교하여, 상기 클리닝된 표면에서의 이물질을 검출하는 단계인, 거치대에서의 이물질 검출 방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 오퍼레이터에게 상기 표면의 이상에 대응하는 방법의 판단을 구하는 통지를 실행하는 단계는, 표시 장치에 상기 판단을 구하는 메시지를 표시하는 단계를 포함하는 것인, 거치대에서의 이물질 검출 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 오퍼레이터에게 상기 표면의 이상에 대응하는 방법의 판단을 구하는 통지를 실행하는 단계는, 상기 표면의 이상을 알리는 단계를 더 포함하는 것인, 거치대에서의 이물질 검출 방법.
  12. 제6항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 표면의 이상을 복구하는 단계 또는 오퍼레이터에게 상기 표면의 이상에 대응하는 방법의 판단을 구하는 통지를 실행하는 단계의 후에, 오퍼레이터의 조작에 따라 상기 거치대의 표면의 화상을 표시 장치에 표시하는 단계를 더 포함하는, 거치대에서의 이물질 검출 방법.
  13. 피검사체를 흡착할 수 있는 거치대의 표면에서의 이물질을 검출하는, 거치대에서의 이물질 검출 장치로서,
    상기 표면의 기준 상태에서의 제1 화상에 포함되는 제1 패턴의 제1 위치 정보를 취득하는 단계와, 상기 제1 화상을 촬상한 후의 상기 표면의 제2 화상에 포함되는 제2 패턴의 제2 위치 정보를 취득하는 단계와, 상기 제1 위치 정보와 상기 제2 위치 정보를 비교하여 상기 표면에서의 이물질을 검출하는 단계를 포함하는 처리를 실행하는, 거치대에서의 이물질 검출 장치.
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