CN113866180A - 一种异物检测方法、半导体晶圆检测方法及系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种异物检测方法、半导体晶圆检测方法及系统，涉及半导体检测技术领域。本发明探针台的卡盘的异物检测方法，其包括：提供参照卡盘，参照卡盘的表面洁净；扫描参照卡盘，获取洁净参照图像；使用若干个过滤颜色不同的镜头，分别扫描目标卡盘，用以生成若干副待测图像；将待测图像与洁净参照图像进行比对，若一致则判断目标卡盘的表面洁净，若不一致则判断目标卡盘的表面不洁净。本发明改善了由于卡盘不清洁导致的晶圆损坏问题。

Description

一种异物检测方法、半导体晶圆检测方法及系统

技术领域

本发明属于半导体检测技术领域，特别是涉及一种异物检测方法、半导体晶圆检测方法及系统。

背景技术

半导体晶圆在进行电性量测操作种，通常是被放在晶圆测试机的探针台卡盘上。由于晶圆表面的微米级测试结构，卡盘上的细小异物会影响晶圆平整度，从而影响电性量测结果，严重时甚至会引起晶圆损坏。

发明内容

本发明的目的在于提供一种异物检测方法、半导体晶圆检测方法及系统，通过图像对比，对卡盘进行清洁度检验，改善了由于卡盘不清洁导致的晶圆损坏问题。

为改善上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明提供一种探针台的卡盘的异物检测方法，其包括：

提供参照卡盘，所述参照卡盘的表面洁净；

扫描所述参照卡盘，获取洁净参照图像；

使用若干个过滤颜色不同的镜头，分别扫描目标卡盘，用以生成若干副待测图像；

将所述待测图像与所述洁净参照图像进行比对，若比对结果一致则判断所述目标卡盘的表面洁净，若比对结果不一致则判断所述目标卡盘的表面不洁净。

在本发明的一个实施例中，所述扫描所述参照卡盘，获取洁净参照图像的步骤，包括：

将所述参照卡盘划分为若干个面积相同的待参照区域；

沿预设路径依次扫描所述待参照区域，得到若干个洁净参照子图像；

将若干个所述洁净参照子图像组合为所述洁净参照图像。

在本发明的一个实施例中，所述目标卡盘的扫描拍摄角度，和所述参照卡盘的扫描拍摄角度相同。

在本发明的一个实施例中，若干个所述镜头的所述过滤颜色对应的光波长分别为400nm、500nm和/或700nm。

在本发明的一个实施例中，所述使用若干个颜色不同的镜头，分别扫描目标卡盘，用以生成若干副待测图像的步骤，包括：

将所述目标卡盘划分为若干个面积相同的待扫描区域；

沿预设路径依次扫描所述待扫描区域，得到若干个待测子图像；

将若干个所述待测子图像组合为所述待测图像。

在本发明的一个实施例中，所述将所述待测图像与所述洁净参照图像进行比对的步骤，包括：

将所述待测图像和所述洁净参照图像分别转化为等尺寸待测图像和等尺寸洁净参照图像，其中，所述等尺寸待测图像和所述等尺寸洁净参照图像的尺寸相同；

将所述等尺寸待测图像和所述等尺寸洁净参照图像进行灰度转化，分为生成灰阶待测图像和灰阶洁净参照图像；

比较所述灰阶待测图像和所述灰阶洁净参照图像的图像差异。

在本发明的一个实施例中，所述将所述待测图像与所述洁净参照图像进行比对的步骤，还包括：

若所述待测图像与所述洁净参照图像比对结果不一致，则生成异物在所述待测图像上的矩阵位置坐标，并输出标记在所述待测图像上。

本发明还提供一种半导体晶圆的检测方法，包括：

提供参照卡盘，所述参照卡盘的表面洁净；

扫描所述参照卡盘，用以获取洁净参照图像；

提供目标卡盘，用于放置所述晶圆；

使用若干个过滤颜色不同的镜头，分别扫描目标卡盘，用以生成若干副待测图像；

将所述待测图像与所述洁净参照图像进行比对；

若比对结果不一致，则判断所述目标卡盘的表面不洁净，并生成异物位置坐标，用以清除；

若比对结果一致，则判断所述目标卡盘的表面洁净，并对所述晶圆进行电性量测。

在本发明的一个实施例中，若所述待测图像与所述洁净参照图像比对结果不一致，则按照所述异物位置坐标进行人为清除。

本发明还提供一种半导体晶圆的检测系统，包括：

参照卡盘，所述参照卡盘的表面洁净，

目标卡盘，用于放置所述晶圆；

图像采集单元，扫描所述参照卡盘的表面，用以获取洁净参照图像，使用若干个过滤颜色不同的镜头，分别扫描目标卡盘，用以生成若干副待测图像；

图像对比单元，将所述待测图像与所述洁净参照图像进行比对，若不一致，则判断所述目标卡盘的表面不洁净，并生成异物位置坐标，用以清除，若一致，则判断所述目标卡盘的表面洁净；

电性量测单元，在所述目标卡盘表面洁净的状态下，对所述晶圆进行电性量测。

本发明采集参照卡盘和目标卡盘的表面图像，通过对洁净参照图像和待测图像进行处理对比，实现对卡盘清洁度检验，从而改善了由于卡盘不清洁导致的晶圆损坏问题。

当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明所述一种探针台的卡盘的异物检测方法于一实施例的步骤流程示意图；

图2为图1中步骤S2于一实施例的步骤流程示意图；

图3为图2中沿预设路径依次扫描所述待参照区域，得到若干个洁净参照子图像的示意图；

图4为图1中步骤S3于一实施例的步骤流程示意图；

图5为图1中步骤S4于一实施例的步骤流程示意图；

图6为本发明所述一种半导体晶圆的检测方法于一实施例的步骤流程示意图；

图7为本发明所述一种半导体晶圆的检测系统于一实施例的步骤流程示意图。

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

1-参照卡盘；

2-目标卡盘；

3-图像采集单元；

4-图像对比单元；

5-电性量测单元。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

在本发明中，需要说明的是，如出现术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等，其所指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，如出现术语“第一”、“第二”，仅用于描述和区分目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

请参阅图1所示，本发明提供了一种探针台的卡盘的异物检测方法，用以改善由于卡盘不清洁导致的晶圆损坏问题。探针台主要应用于半导体行业、光电行业、集成电路以及封装的测试，在测试过程中，将半导体晶圆放置在探针台上。本发明的一种探针台的卡盘的异物检测方法，可以包括步骤S1提供参照卡盘1，参照卡盘1的表面符合设定的洁净程度。接下来可以步骤S2扫描参照卡盘1，获取洁净参照图像，洁净参照图像中没有异物，因此可以将洁净参照图像作为洁净度比照对象。在进行异物比对之前，还可以步骤S3使用若干个不同过滤颜色的镜头分别扫描目标卡盘2的表面，用以生成多个待测图像，如若目标卡盘2表面沾染异物，会在光学镜头上显示呈像，但是由于不同的异物对不同颜色的光线反射能力不同，因此可以使用若干个不同颜色的镜头分别扫描目标卡盘2，用以增强不同种类异物在待测图像中的对比度。对于不同颜色的镜头，可以是在镜头上进行彩色镀膜，也可以使用不同颜色的镜头滤光片，不仅如此，也可以使用不同颜色的光源，用以实现镜头每次采集不同颜色的光线。例如在使用红色镜头时候，可以使用红色的滤光片，也可以使用红色的镜头镀膜，也可以使用红色光源，使得进入图像采集单元3感光部件得光线均为红光。在进行操作中，针对若干种颜色不同得镜头，可以先让其中一个颜色的镜头按照预设路径依次拼接若干个洁净参照子图像，然后再让其中另一个颜色的镜头按照相同的预设路径依次拼接若干个洁净参照子图像，以此类推，然后分别产生不同颜色镜头呈像的待测图像，用于和洁净图像进行比对，能够更加准确地发现目标卡盘2表面上的异物。此时的待测图像中可能包括异物的影像，如果目标卡盘2的表面有异物，则待测图像中包括异物的影像，如果目标卡盘2的表面没有异物，则待测图像中不包括异物的影像。为了判断目标卡盘2是否有异物，可以步骤S4将待测图像与洁净参照图像进行比对，若比对结果一致，则可以判断目标卡盘2的表面洁净，若比对结果不一致，则判断目标卡盘2的表面不洁净。通过将待测图像与洁净参照图像进行比对，利用图像差异，判断是否存在异物以及判断异物在卡盘上的位置。在对比过程中，可以分别提取待测图像与洁净参照图像的哈希值，若哈希值存在差异则判定待测图像与洁净参照图像不一致。还可以分别提取待测图像与洁净参照图像中每个像素点的色深和色度，逐像素比对待测图像与洁净参照图像，若不一致则判定待测图像与洁净参照图像不一致。由于图像比对的方式能够方便发现异物，提高了对目标卡盘2异物的检测效率和准确度。

请参阅图1所示，需要说明的是，本方案中的步骤序号并非意味着仅此一种执行步骤方法，更不是对权利要求步骤顺序的限制，例如，可以改变实现上述探针台的卡盘的异物检测方法的步骤，首先可以步骤S3使用若干个过滤颜色不同的镜头分别扫描目标卡盘2的表面，用以生成若干个待测图像，此时的待测图像中可能包括异物的影像，如果目标卡盘2的表面有异物，则待测图像中包括异物的影像，如果目标卡盘2的表面没有异物，则待测图像中不包括异物的影像。在进行异物比对之前，还可以步骤S1提供参照卡盘1，参照卡盘1的表面符合设定的洁净程度。接下来可以步骤S2扫描参照卡盘1，获取洁净参照图像，洁净参照图像中没有异物，因此可以将洁净参照图像作为洁净度比照对象。最后，为了判断目标卡盘2是否有异物，可以步骤S4将待测图像与洁净参照图像进行比对，若比对结果一致，则可以判断目标卡盘2的表面洁净，若比对结果不一致，则判断目标卡盘2的表面不洁净。通过将待测图像与洁净参照图像进行比对，利用图像差异，判断是否存在异物以及判断异物在卡盘上的位置。由此可以看出，本方案中步骤的顺序是可以改变的，实施例中所列举的方法步骤顺序并非构成对权利要求的限制。

请参阅图2至3所示，在步骤S2中，由于图像采集单元3的拍摄画幅、像素以及呈像质量存在客观限制，因此图像采集单元3无法对参照卡盘1进行一次性清晰高质量呈像，因此需要对参照卡盘1进行多次拍摄，然后依照拍摄的次序和路径进行组合拼装。为了实现图像采集单元3对参照卡盘1的全景准确拍摄，可以步骤S21将参照卡盘1划分为若干个面积相同的待参照区域，待参照区域的面积可以根据图像采集单元3的呈像能力，同时结合参照卡盘1的面积进行划定，例如可以将待参照区域划分为参照卡盘1表面面积的整数分之一，例如为八分之一或十分之一，同时满足图像采集单元3的最佳呈像能力。为了方便后期进行图像拼接，以及方便图像采集单元3进行图像采集位移，可以步骤S22沿预设路径依次扫描待参照区域，得到若干个洁净参照子图像，不仅能够方便后期进行图像拼接，并且还方便图像采集单元3进行图像采集位移，更可以避免对参照卡盘1表面的重复拍摄。预设路径例如可以是S形路径，也可以是逐行路径，如若能够完成对参照卡盘1表面的扫描，均属于本发明的保护范围。最后步骤S23将若干个洁净参照子图像组合为洁净参照图像，若洁净参照子图像是图像采集单元3沿着S形路径依次扫描拍摄得到的，则可以按照S形路径依次拼接若干个洁净参照子图像，可以得到洁净参照图像，用以实现对参照卡盘1表面的完整、准确图像采集，便于后续的图像比对。

请参阅图1所示，在步骤S3中，为了提高步骤S4种图像对比的准确度，可以设置目标卡盘的扫描拍摄角度和参照卡盘的扫描拍摄角度相同，例如可以设置目标卡盘的扫描拍摄角度和参照卡盘的扫描拍摄角度均为俯视角度扫描拍摄。由于镜头在扫描呈像的过程中会造成不同程度的画面畸变，因此对于扫描参照卡盘呈像的洁净参照图像，以及扫描目标卡盘呈像的待测图像，可以进行图形矫正，例如可以对洁净参照图像和待测图像可以进行矩形矫正，能够得到符合事实的洁净参照图像和待测图像，便于步骤S4中准确识别出目标卡盘是否洁净。

请参阅图1所示，在步骤S3中，若干个镜头的过滤颜色对应的光波长可以是分别为400nm、500nm和/或700nm。例如，镜头的颜色可以是对应光波长为400nm的红光，此时进入镜头呈像组件的光线为异物和目标卡盘2表面反射的红光，晶圆加工中常见的异物，例如二氧化硅，容易附着在目标卡盘2的表面，对晶圆的检测和进一步加工造成不良影响，为了提高检测灵敏度，可以利用二氧化硅对700nm红光反射率最大的特点，使用对应波长为700nm的红光镜头，使得进入镜头的光线全部为700nm红光，此时等到的待测图像中的二氧化硅材质的异物相比较目标卡盘2的表面，具有较高的对比度，在与洁净参照卡盘1进行比对的过程中，能够较为容易地发现细节的二氧化硅异物，从而提高了异物检测的灵敏度和准确率。基于相同的原理，镜头的颜色可以是对应光波长为400nm的红蓝绿光，此时进入镜头呈像组件的光线为异物和目标卡盘2表面反射的蓝绿光，晶圆加工中常见的异物，例如氮化硅，容易附着在目标卡盘2的表面，对晶圆的检测和进一步加工造成不良影响，为了提高检测灵敏度，可以利用氮化硅对400nm蓝绿光反射率最大的特点，使用对应波长为400nm的蓝绿光镜头，使得进入镜头的光线全部为400nm的蓝绿光，此时等到的待测图像中的氮化硅材质的异物相比较目标卡盘2的表面，具有较高的对比度，在与洁净参照卡盘1进行比对的过程中，能够较为容易地发现细节的氮化硅异物，也能够提高了异物检测的灵敏度和准确率。对于半导体晶圆加工常见的氮化钛材质的异物，可以利用氮化钛材质对500nm可见光波段反射率最小的特点，使用对应光波长为500nm的镜头采集待测图像。此时由对应光波长为500nm的镜头采集待测图像中的氮化钛材质异物相比较背景的目标卡盘2表面反光率很低，因此异物在待测图像中也具有较高的对比度，因此也能够在与洁净参照卡盘1进行比对的过程中较为容易地发现细节的氮化钛异物，实现提高异物检测的灵敏度和准确率的技术效果。需要额外注意的是，在此仅仅是列举部分波长对应颜色的镜头与异物材质的关系，并非是构成对权利要求的限制。

请参阅图4所示，在步骤S3中，为了实现对目标卡盘2表面的高净度准确呈像，可以步骤S31将目标卡盘2划分为若干个面积相同的待扫描区域，在实施过程中，可以将待扫描区域的面积和形状划分为整数数量扫描区域能够密铺组合成一个目标卡盘2，例如可以将卡盘表面的表面划分为四个或者十六个待扫描区域。然后对全部的待扫描区域进行逐个扫描，可以步骤S32沿预设路径依次扫描待扫描区域，得到若干个待测子图像，此时得到的若干个待测子图像具有预设路径的逻辑关系，便于下一步进行准确拼装。预设路径可以是S形路径，也可以是逐行路径，还可以是隔行路径。为了得到待测图像，还需要步骤S33将若干个待测子图像组合为待测图像，由于若干个待测子图像具有预设路径的逻辑关系，因此可以将若干个待测子图像准确拼接为一张待测图像，用以实现与洁净参照图像的准确、高灵敏度比对。

请参阅图5所示，为了实现待测图像与洁净参照图像之间的准确比对，在步骤S4中，可以步骤S41将待测图像和洁净参照图像分别转化为等尺寸待测图像和等尺寸洁净参照图像，其中，等尺寸待测图像和等尺寸洁净参照图像的尺寸相同，相同尺寸的图像在进行比对的时候能够快速发现其中的区别点。图像采集单元3采集的彩色图像具有丰富的颜色细节，但这些细节无益于异物的比对，因此步骤S42将等尺寸待测图像和等尺寸洁净参照图像进行灰度转化，等尺寸待测图像和等尺寸洁净参照图像中的灰度信息已经充分包含异物的位置，实现展示和标记异物的作用。在分别为生成灰阶待测图像和灰阶洁净参照图像之后，还可以步骤S43比较灰阶待测图像和灰阶洁净参照图像的图像差异，以此实现对异物位置的标记和定位，便于工作人员对目标卡盘2上的细微异物进行准确清理，也能够避免遗漏处理部分细微异物，保护晶圆在电性量测过程中的安全性。

请参阅图1至5所示，待测图像与洁净参照图像的比对结果并不能够直观提示工作人员异物位于目标卡盘2的具体精确位置，因此在步骤S4中还可以包括若待测图像与洁净参照图像比对结果不一致，则生成异物在待测图像上的矩阵位置坐标，并输出标记在待测图像上。当待测图像与洁净参照图像比对结果不一致的时候，说明目标卡盘2的表面存在异物，为了便于工作人员对目标卡盘2上的异物进行清理，因此还可以生成异物在待测图像上的矩阵位置坐标，同时将矩阵位置坐标输出标记在待测图像上。当工作人员获取比对结果之后，可以根据异物在待测图像上的矩阵位置坐标，轻易地发现异物，便于进行清理。

请参阅图6所示，本发明还提供一种半导体晶圆的检测方法，可以包括步骤D1提供参照卡盘1，参照卡盘1的表面洁净，即参照卡盘1的表面符合设定的洁净程度。步骤D2扫描参照卡盘1，用以获取洁净参照图像，洁净参照图像中没有异物，因此可以将洁净参照图像作为洁净度比照对象。步骤D3提供目标卡盘2，用于放置晶圆，此时的待测图像中可能包括异物的影像，如果目标卡盘2的表面有异物，则待测图像中包括异物的影像，如果目标卡盘2的表面没有异物，则待测图像中不包括异物的影像。步骤D4扫描目标卡盘2的表面，用以生成待测图像，步骤D5将待测图像与洁净参照图像进行比对，若比对结果不一致，则判断目标卡盘2的表面不洁净，并生成异物位置坐标，用以清除。若比对结果一致，则判断目标卡盘2的表面洁净，并对晶圆进行电性量测。通过将待测图像与洁净参照图像进行比对，利用图像差异，判断是否存在异物以及判断异物在卡盘上的位置。由于图像比对的方式能够方便发现异物，因此在进行电性量测之前能够较为容易发现异物，有效避免了后续的电性量测过程中导致的晶圆损坏。

请参阅图6所示，若待测图像与洁净参照图像比对结果不一致，则按照异物位置坐标进行人为清除。在实施过程中，待测图像与洁净参照图像比对结果不一致，说明目标卡盘2中存在异物，为了避免后续的晶圆电性量测过程中由于异物导致的晶圆损坏，可以按照异物位置坐标进行人为清除，避免晶圆损坏。在认为对目标卡盘2上的异物进行清除时，可以参照异物的位置坐标以及待测图像，对目标卡盘2上的异物进行清理。待测图像与洁净参照比对的方式能够发现细微的异物，因此能够有效避免目标卡盘2上的异物导致的晶圆故障。

请参阅图7所示，本发明还提供一种半导体晶圆的检测系统，可以包括参照卡盘1、目标卡盘2、图像采集单元3、图像对比单元4以及电性量测单元5。其中，参照卡盘1的表面洁净，目标卡盘2用于放置晶圆。图像采集单元3，扫描参照卡盘1的表面，用以获取洁净参照图像，扫描目标卡盘2的表面，用以生成待测图像。图像对比单元4，将待测图像与洁净参照图像进行比对，若不一致，则判断目标卡盘2的表面不洁净，并生成异物位置坐标，用以清除，若一致，则判断目标卡盘2的表面洁净。电性量测单元，在目标卡盘2表面洁净的状态下，对晶圆进行电性量测。在晶圆进行电性量测的过程中，需要将晶圆放置在目标卡盘2的表面。目标卡盘2的表面可能在之前的工作过程总沾染各种异物，异物会在电性量测工序中对放待测晶圆造成损伤，因此需要在进行电性量测之前及时清理目标卡盘2表面的微小异物。为了实现待测图像与洁净参照图像进行比对，首先需要利用图像采集单元3扫描参照卡盘1的表面，用以获取洁净参照图像。还需要利用图像采集单元3扫描目标卡盘2的表面，用以生成待测图像。在获取待测图像和洁净参照图像之后，调用图像对比单元4将待测图像与洁净参照图像进行比对，若比对结果不一致，说明目标卡盘2上存在与参照卡盘1不一致的物体，即异物，因此可以判断目标卡盘2的表面不洁净，并生成异物位置坐标，用以清除。若比对结果一致，说明书目标卡盘2与参照卡盘1的表面状况相同，可以判断目标卡盘2的表面洁净，不需要对目标卡盘2表面进行清洁，可以直接使用电性量测单元5对晶圆进行电性量测。

综上所述，在使用图像采集单元对参照卡盘和目标卡盘进行图像采集之后，图像对比单元在将采集得到的洁净参照图像和待测图像进行灰度处理之后，再进行图像比对，能够准确清晰判断出目标卡盘的表面是否存在异物，如果发现异物，能够以矩阵坐标的形式在待测图像上标记出异物的坐标位置，方便工作人员进行清除。如果比对结果是目标卡盘上不存在异物，则可以使用电性量测单元对晶圆进行电性量测。由上述技术内容和实施步骤可知，本发明通过洁净参照图像和待测图像进行处理比对，实现对卡盘进行清洁度检验，实现改善由于卡盘不清洁导致晶圆损坏的技术效果。

值得说明的是，本发明所述的方法步骤的保护范围不限于本实施例列举的步骤执行顺序，凡是根据本发明的原理所做的现有技术的步骤增减、步骤替换所实现的方案都包括在本发明的保护范围内。

整篇说明书中提到“一个实施例(one embodiment)”、“实施例(an embodiment)”或“具体实施例(a specific embodiment)”意指与结合实施例描述的特定特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施例中，并且不一定在所有实施例中。因而，在整篇说明书中不同地方的短语“在一个实施例中(in one embodiment)”、“在实施例中(in anembodiment)”或“在具体实施例中(in a specific embodiment)”的各个表象不一定是指相同的实施例。此外，本发明的任何具体实施例的特定特征、结构或特性可以按任何合适的方式与一个或多个其他实施例结合。应当理解本文所述和所示的发明实施例的其他变型和修改可能是根据本文教导的，并将被视作本发明精神和范围的一部分。

还应当理解还可以以更分离或更整合的方式实施附图所示步骤或组件中的一个或多个，或者甚至因为在某些情况下不能操作而被移除或因为可以根据特定应用是有用的而被提供。

另外，除非另外明确指明，附图中的任何标志箭头应当仅被视为示例性的，而并非限制。此外，除非另外指明，本文所用的术语“或”一般意在表示“和/或”。在术语因提供分离或组合能力是不清楚的而被预见的情况下，部件或步骤的组合也将视为已被指明。

如在本文的描述和在下面整篇权利要求书中所用，除非另外指明，“一个(a)”、“一个(an)”和“该(the)”包括复数参考物。同样，如在本文的描述和在下面整篇权利要求书中所用，除非另外指明，“在…中(in)”的意思包括“在…中(in)”和“在…上(on)”。

本发明所示实施例的上述描述(包括在说明书摘要中所述的内容)并非意在详尽列举或将本发明限制到本文所公开的精确形式。尽管在本文仅为说明的目的而描述了本发明的具体实施例和本发明的实例，但是正如本领域技术人员将认识和理解的，各种等效修改是可以在本发明的精神和范围内的。如所指出的，可以按照本发明所述实施例的上述描述来对本发明进行这些修改，并且这些修改将在本发明的精神和范围内。

本文已经在总体上将系统和方法描述为有助于理解本发明的细节。此外，已经给出了各种具体细节以提供本发明实施例的总体理解。然而，相关领域的技术人员将会认识到，本发明的实施例可以在没有一个或多个具体细节的情况下进行实践，或者利用其它装置、系统、配件、方法、组件、材料、部分等进行实践。在其它情况下，并未特别示出或详细描述公知结构、材料和/或操作以避免对本发明实施例的各方面造成混淆。因而，尽管本发明在本文已参照其具体实施例进行描述，但是修改自由、各种改变和替换意在上述公开内，并且应当理解，在某些情况下，在未背离所提出发明的范围和精神的前提下，在没有对应使用其他特征的情况下将采用本发明的一些特征。因此，可以进行许多修改，以使特定环境或材料适应本发明的实质范围和精神。本发明并非意在限制到在下面权利要求书中使用的特定术语和/或作为设想用以执行本发明的最佳方式公开的具体实施例，但是本发明将包括落入所附权利要求书范围内的任何和所有实施例及等同物。因而，本发明的范围将只由所附的权利要求书进行确定。

Claims (10)

1.一种探针台的卡盘的异物检测方法，其特征在于，包括：

提供参照卡盘，所述参照卡盘的表面洁净；

扫描所述参照卡盘，获取洁净参照图像；

使用若干个过滤颜色不同的镜头，分别扫描目标卡盘，用以生成若干副待测图像；

将所述待测图像与所述洁净参照图像进行比对，若比对结果一致则判断所述目标卡盘的表面洁净，若比对结果不一致则判断所述目标卡盘的表面不洁净。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述扫描所述参照卡盘，获取洁净参照图像的步骤，包括：

将所述参照卡盘划分为若干个面积相同的待参照区域；

沿预设路径依次扫描所述待参照区域，得到若干个洁净参照子图像；

将若干个所述洁净参照子图像组合为所述洁净参照图像。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标卡盘的扫描拍摄角度，和所述参照卡盘的扫描拍摄角度相同。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，若干个所述镜头的所述过滤颜色对应的光波长分别为400nm、500nm和/或700nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使用若干个颜色不同的镜头，分别扫描目标卡盘，用以生成若干副待测图像的步骤，包括：

将所述目标卡盘划分为若干个面积相同的待扫描区域；

沿预设路径依次扫描所述待扫描区域，得到若干个待测子图像；

将若干个所述待测子图像组合为所述待测图像。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述待测图像与所述洁净参照图像进行比对的步骤，包括：

将所述待测图像和所述洁净参照图像分别转化为等尺寸待测图像和等尺寸洁净参照图像，其中，所述等尺寸待测图像和所述等尺寸洁净参照图像的尺寸相同；

将所述等尺寸待测图像和所述等尺寸洁净参照图像进行灰度转化，分别为生成灰阶待测图像和灰阶洁净参照图像；

比较所述灰阶待测图像和所述灰阶洁净参照图像的图像差异。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述待测图像与所述洁净参照图像进行比对的步骤，还包括：

若所述待测图像与所述洁净参照图像比对结果不一致，则生成异物在所述待测图像上的矩阵位置坐标，并输出标记在所述待测图像上。

8.一种半导体晶圆的检测方法，其特征在于，包括：

提供参照卡盘，所述参照卡盘的表面洁净；

扫描所述参照卡盘，用以获取洁净参照图像；

提供目标卡盘，用于放置所述晶圆；

使用若干个过滤颜色不同的镜头，分别扫描目标卡盘，用以生成若干副待测图像；

将所述待测图像与所述洁净参照图像进行比对；

若比对结果不一致，则判断所述目标卡盘的表面不洁净，并生成异物位置坐标，用以清除；

若比对结果一致，则判断所述目标卡盘的表面洁净，并对所述晶圆进行电性量测。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，若所述待测图像与所述洁净参照图像比对结果不一致，则按照所述异物位置坐标进行人为清除。

10.一种半导体晶圆的检测系统，其特征在于，包括：

参照卡盘，所述参照卡盘的表面洁净，

目标卡盘，用于放置所述晶圆；

图像采集单元，扫描所述参照卡盘的表面，用以获取洁净参照图像，使用若干个过滤颜色不同的镜头，分别扫描目标卡盘，用以生成若干副待测图像；

图像对比单元，将所述待测图像与所述洁净参照图像进行比对，若不一致，则判断所述目标卡盘的表面不洁净，并生成异物位置坐标，用以清除，若一致，则判断所述目标卡盘的表面洁净；

电性量测单元，在所述目标卡盘表面洁净的状态下，对所述晶圆进行电性量测。

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