CN113053914A - 显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种显示面板及显示装置，通过在先制作第一过孔和第二过孔，在后制作第三过孔和第四过孔，使得进行氢氟酸清洗制程之前，第一过孔、第二过孔已经被对应的第一漏极、第一源极覆盖，使得第一氧化物晶体管的第一漏极区、第一源极区免受氢氟酸清洗制程影响，进而使得第一氧化物晶体管的氧化物沟道免受影响。

Description

显示面板及显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
如图1所示，在传统技术方案中的LTPO(Low Temperature PolycrystallineOxide，低温多晶氧化物)显示面板，其一般至少包括一个氧化物薄膜晶体管M2和一个多晶硅薄膜晶体管M1，该氧化物薄膜晶体管M2包括氧化物有源层，氧化物有源层包括第二漏极区M2D和第二源极区M2S，该多晶硅薄膜晶体管M1包括多晶硅有源层，多晶硅有源层包括第一漏极区M1D、第一源极区M1S以及多晶硅沟道。该显示面板中通常还设置有一金属层，该金属层中对应设置有第一漏极Y2、第一源极Y1、第二漏极Y4以及第二源极Y3，第一漏极区M1D通过第一过孔H2与第一漏极Y2连接，第一源极区M1S通过第二过孔H1与第一源极Y1连接，第二漏极区M2D通过第三过孔H4与第二漏极Y4连接，第二源极区M2S通过第四过孔H3与第二源极Y3连接。
其中，第一过孔H2、第二过孔H1、第三过孔H4以及第四过孔H3通常是同时一次制作完成的，之后为了在制程中改善多晶硅沟道与上述金属层之间的搭接阻抗，常常采用氢氟酸(HFC)对第一过孔H2和/或第二过孔H1进行清洗，以去除原生氧化层结构，但是氧化物薄膜晶体管M1的氧化物沟道、第二漏极区M2D以及第二源极区M2S中的至少一个对氢氟酸的耐清洗能力较弱，容易影响到氧化物薄膜晶体管M2的器件特性。
发明内容
本申请提供一种显示面板及显示装置，解决了在显示面板制作过程中，由于氢氟酸清洗制程容易影响到氧化物晶体管的器件特性的问题。
第一方面，本申请提供一种显示面板，其包括第一氧化物晶体管、第一导电层、第一多晶硅晶体管以及第二导电层；第一氧化物晶体管包括第一氧化物有源层，第一氧化物有源层包括第一漏极区和第一源极区；第一导电层包括第一漏极和第一源极，第一漏极通过第一过孔与第一漏极区连接，第一源极区源极引线通过第二过孔与第一源极区连接；第一多晶硅晶体管包括位于第一多晶硅有源层，第一多晶硅有源层包括第二漏极区和第二源极区；第二导电层包括第二漏极和第二源极，第二漏极通过第三过孔与第二漏极区连接，第二源极通过第四过孔与第二源极区连接；其中，第二导电层位于第一多晶硅有源层的一侧；第一导电层位于第一多晶硅有源层与第二导电层之间；且第一氧化物有源层位于第一多晶硅有源层与第一导电层之间。
基于第一方面，在第一方面的第一种实施方式中，第一氧化物晶体管的第一栅极位于第一漏极与第一源极之间，且第一氧化物晶体管的第一栅极位于第一导电层。
基于第一方面的第一种实施方式，在第一方面的第二种实施方式中，显示面板还包括位于第一多晶硅有源层与第一氧化物有源层之间的第三导电层；第三导电层包括第一多晶硅晶体管的第二栅极、第一氧化物晶体管的第三栅极以及与第三栅极相连的第三栅极走线。
基于第一方面的第二种实施方式，在第一方面的第三种实施方式中，在显示面板的非显示区中，第一导电层还包括与第一栅极连接的第一栅极走线；第一栅极走线通过第五过孔与第三栅极走线连接；其中，第五过孔位于非显示区。
基于第一方面的第二种实施方式，在第一方面的第四种实施方式中，第三导电层包括第一电容极板；第一电容极板与第一氧化物晶体管的第一漏极/第一源极中的一个和第一多晶硅晶体管的第二栅极电性连接。
基于第一方面的第四种实施方式，在第一方面的第五种实施方式中，显示面板还包括与第一氧化物有源层同层设置的第二电容极板；第二电容极板的正投影与第一电容极板的正投影至少部分重叠。
基于第一方面的第五种实施方式，在第一方面的第六种实施方式中，显示面板还包括第四导电层；第四导电层包括第三电容极板；第三电容极板与第一多晶硅晶体管的第二漏极/第二源极中的一个电性连接。
基于第一方面的第六种实施方式，在第一方面的第七种实施方式中，显示面板还包括与第一多晶硅有源层同层设置的第四电容极板；第四电容极板与第三电容极板电性连接。
基于第一方面的第七种实施方式，在第一方面的第八种实施方式中，显示面板包括多个阵列分布的子像素电路；其中，至少一个子像素电路包括第一氧化物晶体管和第一多晶硅晶体管。
基于第一方面的第八种实施方式，在第一方面的第九种实施方式中，子像素电路还包括第一电容；第一电容的第一端与第一多晶硅晶体管的第二栅极和第一氧化物晶体管的第一漏极/第一源极中的一个连接；其中，第一电容包括第一电容极板、第二电容极板、第三电容极板以及第四电容极板中的至少一个。
第二方面，本申请提供一种显示装置，其包括上述任一实施方式的显示面板。
本申请提供的显示面板及显示装置，通过在先制作第一过孔和第二过孔，在后制作第三过孔和第四过孔，使得进行氢氟酸清洗制程之前，第一过孔、第二过孔已经被对应的第一漏极、第一源极覆盖，使得第一氧化物晶体管的第一漏极区、第一源极区免受氢氟酸清洗制程影响，进而使得第一氧化物晶体管的氧化物沟道也可以免受影响。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为传统技术方案中显示面板的的结构示意图。
图2为本申请实施例提供的显示面板的第一种结构示意图。
图3为本申请实施例提供的子像素电路的结构示意图。
图4为本申请实施例提供的显示面板的第二种结构示意图。
图5为图1与图4中对应部分的结构对比示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
如图2所示，本实施例提供了一种显示面板，该显示面板至少包括第一氧化物晶体管T3、第一导电层130、第一多晶硅晶体管T5以及第二导电层150；第一氧化物晶体管T3包括第一氧化物有源层110，第一氧化物有源层110包括第一漏极区T3D、第一源极区T3S以及第一氧化物沟道T3A，其中，第一漏极区T3D、第一源极区T3S分别位于第一氧化物沟道T3A的相对两侧。第一导电层设130包括第一漏极T3DY和第一源极T3SY，第一漏极T3DY通过第一过孔K4与第一漏极区T3D连接，第一源极区源极引线T3SY通过第二过孔K3与第一源极区T3S连接。第一多晶硅晶体管T5包括第一多晶硅有源层70，第一多晶硅有源层70包括第二漏极区T5D、第二源极区T5S以及第一多晶硅沟道T5A。第二导电层150包括第二漏极T5DY和第二源极T5SY，第二漏极T5DY通过第三过孔K1与第二漏极区T5D连接，第二源极T5SY通过第四过孔K2与第二源极区T5S连接。其中，第二导电层150位于第一多晶硅有源层70的一侧；第一导电层130位于第一多晶硅有源层70与第二导电层150之间；且第一氧化物有源层110位于第一多晶硅有源层70与第一导电层130之间。
可以理解的是，在本实施例中，该显示面板通过在先制作第一过孔K4和第二过孔K3，在后制作第三过孔K1和第四过孔K2，使得进行氢氟酸清洗制程之前，第一过孔K4、第二过孔K3已经被对应的第一漏极T3DY、第一源极T3SY覆盖，使得第一氧化物晶体管T3的第一漏极区T3D、第一源极区T3S免受氢氟酸清洗制程影响，进而使得第一氧化物晶体管T3的第一氧化物沟道T3A也可以免受影响。
如图2所示，在其中一个实施例中，第一氧化物晶体管T3的第一栅极T3G2位于第一漏极T3DY与第一源极T3SY之间，且第一氧化物晶体管T3的第一栅极T3G2位于第一导电层130。其中，第一漏极T3DY、第一源极T3SY位于第一导电层130，且第一栅极T3G2位于第一漏极T3DY、第一源极T3SY之间。
如图2所示，在其中一个实施例中，显示面板还包括位于第一多晶硅有源层70与第一氧化物有源层110之间的第三导电层90；第三导电层90包括第一多晶硅晶体管T5的第二栅极T5G、第一氧化物晶体管T3的第三栅极T3G1以及与第三栅极T3G1相连的第三栅极走线(未示出)。
需要进行说明的是，第一氧化物晶体管T3为双栅极薄膜晶体管，具有第一栅极T3G2和第三栅极T3G1，与第三栅极T3G1相连的第三栅极走线(未示出)与第一栅极T3G2在该显示面板的厚度方向上的正投影至少存在部分重叠。其中，显示面板还包括与第一氧化物有源层110同层设置的金属走线111，该金属走线111与第三栅极走线(未示出)和/或第一栅极T3G2在该显示面板的厚度方向上的正投影至少存在部分重叠。
如图2所示，在其中一个实施例中，显示面板包括显示区AA和位于显示区AA外围的非显示区NA，在非显示区NA中，第一导电层130还包括与第一栅极T3G2连接的第一栅极走线(未示出)；第一栅极走线通过第五过孔(未示出)与第三栅极走线连接；其中，第一栅极走线、第五过孔以及第三栅极走线中的至少一个位于非显示区NA。需要进行说明的是，该第五过孔位于非显示区NA，且远离显示区AA。其中，该非显示区NA可以但不限于为位于显示面板的侧边框区中的焊盘区。
可以理解的是，通过在非显示区NA中，第一氧化物晶体管T3的第一栅极T3G2与第三栅极T3G1电性连接，可以减少在显示区AA中对应的连接走线和开设搭接孔的数量，有利于提高显示面板的像素密度(PPI，Pixels Per Inch)。
如图2所示，在其中一个实施例中，显示面板还包括第一绝缘层120；第一绝缘层120位于第一氧化物有源层110与第一导电层130之间。
如图2所示，在其中一个实施例中，显示面板还包括第二绝缘层140；第二绝缘层140位于第一导电层130与第二导电层150之间。
如图2所示，在其中一个实施例中，显示面板还包括第三绝缘层100；第三绝缘层100位于第一氧化物有源层110与第一多晶硅有源层70之间。
如图2所示，在其中一个实施例中，显示面板还包括第四绝缘层80；第四绝缘层80位于第三导电层90与第一多晶硅有源层70之间。
如图2所示，在其中一个实施例中，显示面板还包括依次叠层设置的第一基板层10、阻隔层20、第二基板层30、第一缓冲层40、遮光层50以及第二缓冲层60。其中，第一多晶硅有源层70设置于第二缓冲层60的一侧，且远离第一基板层10。遮光层50在第一基板层10上的正投影，与第一多晶硅沟道T5A在第一基板层10上的正投影至少部分覆盖；进一步地，遮光层50在第一基板层10上的正投影覆盖第一多晶硅沟道T5A在第一基板层10上的正投影。进一步地，遮光层50在第一基板层10上的正投影面积大于或者等于第一多晶硅沟道T5A在第一基板层10上的正投影面积，且遮光层50与第一多晶硅沟道T5A对应设置。其中，阻隔层20可以为无机层。
其中，第一基板层10与第二基板层30的材料相同，且均为聚酰亚胺。
如图2所示，在其中一个实施例中，显示面板还包括第五绝缘层160，第五绝缘层160位于第二导电层150的一侧，且远离第一导电层130。其中，第五绝缘层160的材料可以但不限于采用氧化硅，也可以采用氮化硅。
如图2所示，在其中一个实施例中，显示面板还包括第四导电层170，第四导电层170位于第五绝缘层160的一侧，且远离第一导电层130。
如图2所示，在其中一个实施例中，显示面板还包括平坦层180，平坦层180位于第四导电层170的一侧，且远离第一导电层130。
如图4所示，在其中一个实施例中，显示面板还包括位于阳极层190中的至少一个阳极191。该阳极层190位于平坦层180的一侧，且远离第一导电层130。
如图2所示，在其中一个实施例中，显示面板还包括像素定义层200，像素定义层200位于阳极层190的一侧，且远离第一导电层130。其中，像素定义层200至少具有一开口，该开口内设置有发光功能层210。
如图2所示，在其中一个实施例中，显示面板还包括至少两个立柱220，该两个立柱220位于像素定义层200的一侧，且远离第一导电层130。该两个立柱220位于上述开口的相对两侧。
如图3所示，在其中一个实施例中，显示面板包括多个阵列分布的子像素电路；其中，至少一个子像素电路包括第一氧化物晶体管T3和第一多晶硅晶体管T5；第一氧化物晶体管T3的第一栅极T3G2与第一氧化物晶体管T3的第三栅极T3G1连接，用于同时接入第一扫描信号scan1；第一氧化物晶体管T3的漏极/源极中的一个与第一多晶硅晶体管T5的漏极/源极中的一个连接；第一氧化物晶体管T3的漏极/源极中的另一个与第一多晶硅晶体管T5的第二栅极T5G连接。
可以理解的是，在该子像素电路中，第一多晶硅晶体管T5作为驱动晶体管，第一氧化物晶体管T3可以降低驱动晶体管的栅极漏电流。
如图3所示，在其中一个实施例中，子像素电路还包括第一发光控制晶体管T1；第一发光控制晶体管T1的漏极/源极中的一个用于接入第一电源信号VDD；第一发光控制晶体管T1的漏极/源极中的另一个与第一多晶硅晶体管T5的漏极/源极中的一个和第一氧化物晶体管T3的漏极/源极中的一个连接；第一发光控制晶体管T1的栅极用于接入第一发光控制信号EM1。
如图3所示，在其中一个实施例中，子像素电路还包括第二发光控制晶体管T8；第二发光控制晶体管T8的漏极/源极中的一个与第一多晶硅晶体管T5的漏极/源极中的另一个连接；第二发光控制晶体管T8的栅极用于接入第二发光控制信号EM2。
如图3所示，在其中一个实施例中，子像素电路还包括发光器件D1；发光器件D1的阳极与第二发光控制晶体管T8的漏极/源极中的另一个连接；发光器件D1的阴极与第二电源信号VSS连接。其中，发光器件D1可以但不限于为OLED，也可以是MINI-LED，还可以是MICRO-LED。
如图3所示，在其中一个实施例中，子像素电路还包括初始化晶体管T4；初始化晶体管T4的漏极/源极中的一个用于接入初始化信号VI；初始化晶体管T4的漏极/源极中的另一个与发光器件D1的阳极连接；初始化晶体管T4的栅极与第一扫描信号scan1连接。
如图3所示，在其中一个实施例中，子像素电路还包括写入晶体管T9；写入晶体管T9的漏极/源极中的一个用于接入数据信号data；写入晶体管T9的漏极/源极中的另一个与第二发光控制晶体管T8的漏极/源极中的一个连接。
如图3所示，在其中一个实施例中，子像素电路还包括第一电容C1；第一电容C1的第一端与写入晶体管T9的栅极连接，写入晶体管T9的栅极用于接入第二扫描信号scan2；第一电容C1的第二端与第一多晶硅晶体管T5的第二栅极和第一氧化物晶体管T3的漏极/源极中的另一个连接。
如图3所示，在其中一个实施例中，子像素电路还包括第二电容C2；第二电容C2的第一端与第一电容C1的第二端连接；第二电容C2的第二端与发光器件D1的阳极连接。
如图3所示，在其中一个实施例中，第一多晶硅晶体管T5还包括第四栅极；第一多晶硅晶体管T5的第四栅极与第一多晶硅晶体管T5的漏极/源极中的另一个连接。
如图3所示，在其中一个实施例中，第一多晶硅晶体管T5可以但不限于为低温多晶硅薄膜晶体管。第一氧化物晶体管T3可以但不限于为金属氧化物薄膜晶体管。
如图3所示，在其中一个实施例中，第一电源信号VDD的电位高于第二电源信号VSS的电位。
如图3所示，在其中一个实施例中，第一氧化物晶体管T3、第一多晶硅晶体管T5、第一发光控制晶体管T1、第二发光控制晶体管T8、初始化晶体管T4以及写入晶体管T9的沟道类型相同。具体地，第一氧化物晶体管T3、第一多晶硅晶体管T5、第一发光控制晶体管T1、第二发光控制晶体管T8、初始化晶体管T4以及写入晶体管T9可以但不限于均为N沟道型薄膜晶体管，也可以是P沟道型薄膜晶体管。
在其中一个实施例中，第一电容C1的电容量大于第二电容C2的电容量。
如图4所示，在其中一个实施例中，第三导电层90还包括第一电容极板C11，该第一电容极板C11位于第一多晶硅晶体管T5的第二栅极T5G与第一氧化物晶体管T3的第三栅极T3G1之间；该第一电容极板C11通过第十过孔K10与第一源极T3SY连接。显示面板还包括与第一氧化物有源层110同层设置的第二电容极板C12，该第二电容极板C12依次通过第八过孔K8、第九过孔K9走线至第二导电层150。第四导电层170包括第三电容极板C13，该第三电容极板C13通过第五过孔K5与第二漏极T5DY连接；同时，该第三电容极板C13依次通过第七过孔K7、第六过孔K6连接至与第一多晶硅有源层70同层设置的金属走线C14。
阳极191通过第十二过孔K12与第三电容极板C13连接。
如图4所示，在其中一个实施例中，第二导电层150还包括第三漏极区T3DY1；第三漏极区T3DY1通过第十一过孔K11与第一漏极T3DY连接。
需要进行说明的是，第一电容极板C11、第二电容极板C12、第三电容极板C13以及金属走线C14共同构成了如图3中所示的第一电容C1。
如图1、图4以及图5所示，与图1中的结构相比，在图4所示的实施例中，由于未在第二导电层150进行过多的走线，例如，减少了图1中作为一电容极板的C14’，因此，导致第一电容C1的电容量减小。基于此，在本实施例中，减小了图4中所述的第一电容极板C11的面积；第二电容极板C12包括一体成型的第二电容子极板和第二补偿子极板，其中，第二电容子极板的面积与图1中C12’的面积相同或者相似；第二电容极板C13包括一体成型的第三电容子极板和第三补偿子极板，其中，第三电容子极板的面积与图1中C13’的面积相同或者相似。
综上所述，图1中的C11’、C12’以及C13’与图4中的第一电容极板C11、第二电容极板C12、第三电容极板C13相比的话，第一电容极板C11相比于图1中的C11’，受限于空间布局，减小了第一电容极板C11的面积；同时，第二电容极板C12相比于图1中的C12’，增加了第二电容极板C12的面积；而且第三电容极板C13相比于图1中的C13’，增加了第三电容极板C13的面积。各电容极板的变化情况可详见图5所示。可以理解的是，本实施例由于上述结构的改变，对应地，为了保持第一电容C1的电容量，对构成第一电容C1的各电容极板根据布置空间进行了对应的调整，该调整过程复杂，显然已经超出了本领域所属技术人员的正常可预见范围，在不付出创造性劳动的前提下，以及没有经过无数次的实验是不可能得到具有合适电容量的第一电容C1。
需要进行说明的是，第一电容C1是由构成其的各电容极板等效出来的，并非物理学意义上简单的两个电容极板就可以调节出来的。
在其中一个实施例中，本申请提供一种显示面板的制备方法，其包括以下步骤：制作第一多晶硅有源层，第一多晶硅有源层包括第一多晶硅晶体管的第二漏极区和第二源极区。在第一多晶硅有源层的一侧，制作第一氧化物有源层，第一氧化物有源层包括第一氧化物晶体管的第一漏极区和第一源极区。在第一氧化物有源层且远离第一多晶硅有源层的一侧，制作第一绝缘层。制作第一过孔和第二过孔。在第一绝缘层且远离第一多晶硅有源层的一侧，制作第一导电层，第一导电层包括第一漏极和第一源极，第一漏极通过第一过孔与第一漏极区连接，第一源极通过第二过孔与第一源极区连接。在第一导电层且远离第一多晶硅有源层的一侧，制作第二绝缘层。制作第三过孔和第四过孔，第三过孔与第二漏极区连接，第三过孔与第二源极区连接。
可以理解的是，该制备方法通过在先制作第一过孔和第二过孔，在后制作第三过孔和第四过孔，使得进行氢氟酸清洗制程之前，第一过孔、第二过孔已经被对应的第一漏极、第一源极覆盖，使得第一氧化物晶体管的第一漏极区、第一源极区免受氢氟酸清洗制程影响，进而使得第一氧化物晶体管的氧化物沟道也可以免受影响。
在其中一个实施例中，本申请提供一种显示装置，其包括上述实施例中任一种的显示面板。
可以理解的是，该显示装置通过在先制作第一过孔和第二过孔，在后制作第三过孔和第四过孔，使得进行氢氟酸清洗制程之前，第一过孔、第二过孔已经被对应的第一漏极、第一源极覆盖，使得第一氧化物晶体管的第一漏极区、第一源极区免受氢氟酸清洗制程影响，进而使得第一氧化物晶体管的氧化物沟道也可以免受影响。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的显示面板及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (11)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
一第一氧化物晶体管，所述第一氧化物晶体管包括第一氧化物有源层，所述第一氧化物有源层包括第一漏极区和第一源极区；
一第一导电层，所述第一导电层包括第一漏极和第一源极，所述第一漏极通过第一过孔与所述第一漏极区连接，所述第一源极区源极引线通过第二过孔与所述第一源极区连接；
一第一多晶硅晶体管，所述第一多晶硅晶体管包括第一多晶硅有源层，所述第一多晶硅有源层包括第二漏极区和第二源极区；以及
一第二导电层，所述第二导电层包括第二漏极和第二源极，所述第二漏极通过第三过孔与所述第二漏极区连接，所述第二源极通过第四过孔与所述第二源极区连接；
其中，所述第二导电层位于所述第一多晶硅有源层的一侧；所述第一导电层位于所述第一多晶硅有源层与所述第二导电层之间；且所述第一氧化物有源层位于所述第一多晶硅有源层与所述第一导电层之间。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一氧化物晶体管的第一栅极位于所述第一漏极与所述第一源极之间，且所述第一氧化物晶体管的第一栅极位于所述第一导电层。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述第一多晶硅有源层与所述第一氧化物有源层之间的第三导电层；所述第三导电层包括所述第一多晶硅晶体管的第二栅极、所述第一氧化物晶体管的第三栅极以及与所述第三栅极相连的第三栅极走线。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，在所述显示面板的非显示区中，所述第一导电层还包括与所述第一栅极连接的第一栅极走线；所述第一栅极走线通过第五过孔与所述第三栅极走线连接；其中，所述第五过孔位于所述非显示区。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第三导电层包括第一电容极板；所述第一电容极板与所述第一氧化物晶体管的第一漏极/第一源极中的一个和所述第一多晶硅晶体管的第二栅极电性连接。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括与所述第一氧化物有源层同层设置的第二电容极板；所述第二电容极板的正投影与所述第一电容极板的正投影至少部分重叠。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第四导电层；所述第四导电层包括第三电容极板；所述第三电容极板与所述第一多晶硅晶体管的第二漏极/第二源极中的一个电性连接。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括与所述第一多晶硅有源层同层设置的第四电容极板；所述第四电容极板与所述第三电容极板电性连接。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括多个阵列分布的子像素电路；其中，至少一个所述子像素电路包括所述第一氧化物晶体管和所述第一多晶硅晶体管。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述子像素电路还包括第一电容；所述第一电容的第一端与所述第一多晶硅晶体管的第二栅极和所述第一氧化物晶体管的第一漏极/第一源极中的一个连接；
其中，所述第一电容包括所述第一电容极板、所述第二电容极板、所述第三电容极板以及所述第四电容极板中的至少一个。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至10任一项所述的显示面板。
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