CN113053560B - 一种高性能厚膜电阻器用电阻浆料 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高性能厚膜电阻器用电阻浆料,所述的电阻浆料包括如下质量百分比的成分:导电粉末20%~45%、钙硼硅玻璃粉25%~40%、纳米钇铝石榴石粉1%~3%、无机添加剂0.5%~10%、有机载体25%~35%,其中,导电粉末为二氧化钌和多孔碳化硅生成的复合材料,是将比表面积为75~95m2/g的二氧化钌和粒径为1~2μm的多孔碳化硅进行混合、造粒后,在100~150MPa等静压4~6h,在400~500℃真空热处理1~2h,破碎、球磨到1~2μm的粉体。本发明电阻浆料具有无铅环保、阻值精度高、耐功率强、静电放电好、恒温放置稳定性好等特点。
Description
技术领域
本发明属于电阻浆料技术领域,具体涉及一种高性能厚膜电阻器用电阻浆料。
背景技术
高性能厚膜电路、电阻器主要应用于航空、航天以及高功率、高精密、高尖端前沿科技产品等对厚膜电路有高可靠方面要求的领域,目前全球对高性能厚膜电路产品的需求越来越大,因此对制备高性能厚膜电路所需的电子浆料,尤其是电阻浆料产品要求更高。
高性能厚膜电路产品需电阻浆料具备阻值精度高、稳定性好、耐功率强等特点,在应用中会经受高温、高湿、高寒、震动以及高功率等条件。因此电阻浆料产品必须具备极高的耐功率特性。传统工艺制备的电阻浆料,阻值精度差,TCR范围宽,静电放电变化大,在高温、高湿、高寒、震动以及功率负荷长期加电情况下可靠性差。
发明内容
本发明的目的是提供一种高性能厚膜电阻器用电阻浆料,该电阻浆料具有静电放电变化小、稳态湿热、工作寿命好等优点,使电阻浆料性能可靠稳定。
为了达到上述目的,本发明电阻浆料包含以下质量百分比的物料:
导电粉末20%~45%、钙硼硅玻璃粉25%~40%、纳米钇铝石榴石粉1%~3%、无机添加剂0.5%~10%、有机载体25%~35%。
上述导电粉末是将二氧化钌和多孔碳化硅按质量百分比20%:80%~85%:15%混合后造粒,在100~150MPa等静压4~6h,在400~500℃真空热处理1~2h,然后破碎球磨至1~2μm的粉体。
上述导电粉末中,优选所述二氧化钌和多孔碳化硅的质量百分比40%:60%~70%:30%。
进一步优选上述二氧化钌的比表面积为75~95m2/g,所述多孔碳化的粒径为1~2μm。
上述钙硼硅玻璃粉包含Ca-Al-B-Si体系和Ca-B-Si体系,其中,Ca-Al-B-Si 体系质量分数为40%~80%,Ca-B-Si体系质量分数为20%~60%。
上述纳米钇铝石榴石粉的粒径为30~50nm。
上述无机添加剂为CuO、MnO2、Nb2O5、Sb2O3中任意两种以上的混合物,其混合比例根据所需要的阻值进行调节。
上述有机载体的质量百分比组成为:树脂8%~15%,有机添加剂1%~5%,有机溶剂80%~90%。其中,所述树脂选自松香树脂、乙基纤维素、羟基纤维素、甲基纤维素中任意一种;所述有机溶剂选自松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯等中任意一种或多种;所述有机添加剂选自卵磷脂、油酸等中任意一种或两种。
本发明的有益效果如下:
1、本发明采用二氧化钌和多孔碳化硅复合材料作为导电相,在浆料制备过程中使导电相材料更均匀的分散,提高了浆料的阻值精度和可靠性。由于二氧化钌相对银、钯等贵金属阻值更高,在电阻浆料的制备中具有更好的阻值重现性和烧结稳定性。其中二氧化钌与多孔碳化硅按照不同比例进行配比,经等静压处理后,并采用不同的真空热处理温度,保证在不同阻值段,电阻浆料具有良好的阻值稳定性、优良的静电放电、耐功率特性,并且电阻烧结后具有良好的致密性。
2、本发明通过在浆料配方中引入纳米钇铝石榴石粉,更进一步提高了电阻浆料烧成后,高温使用过程的阻值稳定性。
3、本发明电阻浆料的制备工艺简单,无铅环保,工艺适应性强;所得电阻浆料具有静电放电好、恒温放置稳定性好的特点。
附图说明
图1是电阻浆料性能测试制作的印刷网版图形。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步详细说明,但本发明的保护范围不仅限于这些实施例。
实施例1~16
导电粉末的制备:按照表1中所列质量百分含量和等静压条件、热处理条件,将比表面积为75~95m2/g的二氧化钌和粒径为1~2μm的多孔碳化硅混合后造粒,经等静压和真空热处理,破碎球磨至1~2μm,所得粉体即为导电粉末。
表1 导电粉末配比及制备工艺
玻璃粉的制备:按照CaO 44%、Al2O3 9%、B2O3 25%、SiO2 22%,以及按照CaO 44%、B2O325%、SiO2 22%、ZnO 5%、K2O 4%的质量百分比进行配料,将各种氧化物混合均匀后,将所得混合物置于1400℃熔炼炉中进行熔炼,保温时间1.5h,得到的玻璃溶液进行水淬后得到玻璃,将玻璃破碎成玻璃渣,并将玻璃渣用球磨机磨成粒度1.0~1.3μm,干燥得相应Ca-Al-B-Si体系(记为玻璃粉A)和Ca-B-Si体系(记为玻璃B)。
无机添加剂的制备:将粒度1~3μm的化学纯CuO和MnO2按质量比为1:1混合均匀作为无机添加剂。
有机载体的制备:将65g松油醇和3g大豆卵磷脂在烧杯中搅拌加热到70℃后,加入8g乙基纤维素继续搅拌完全溶解后,再加入24g丁基卡必醇醋酸酯,保温搅拌30min,得到有机载体。
电阻浆料的制备:按照表2中实施例1~16的质量百分比,将导电粉末、玻璃粉A、玻璃粉B、粒径为30~50nm的纳米钇铝石榴石粉、无机添加剂、有机载体均匀混合后,用三辊轧机充分研磨至细度小于5μm,制备成电阻浆料100g。
对比例1
按照表2中对比例1的质量百分比,直接将比表面积为75~95m2/g的二氧化钌和粒径为1~2μm的多孔碳化硅、玻璃粉A、玻璃粉B、纳米钇铝石榴石粉、无机添加剂、有机载体均匀混合后,用三辊轧机充分研磨至细度小于5μm,制备成电阻浆料100g。
对比例2
按照表2中对比例2的质量百分比,不添加纳米钇铝石榴石粉,制备成电阻浆料100g。
表2 电阻浆料配方
将上述电阻浆料按照图1的网版图形,通过丝网印刷工艺印刷在氧化铝陶瓷基板上(25.4mm长×25.4mm宽×1mm厚),经过150℃干燥10min,在850℃±5℃的带式烧结炉中进行烧结,烧结周期60min,峰值保温10min,制成测试样品,并进行下述性能测试:
方阻:按照 SJ/T11512-2015集成电路用电子浆料性能试验方法中,方法105条款电子浆料方阻测试方法进行方阻测试。测试图1中a位置电阻值。电阻浆料的方阻范围一般为1Ω/□~10MΩ/□,纯钌基电阻浆料的阻值范围在100Ω/□~10MΩ/□。
温度系数(TCR):按照 SJ/T11512-2015集成电路用电子浆料性能试验方法中,方法301 电阻浆料温度系数(TCR)试验方法,分别测试图1中a位置,电阻体25℃、125℃、-55℃下的电阻值。25℃~125℃下,每变化1℃的阻值变化率为正温度系数(HTCR),25℃~-55℃下,每变化1℃的阻值变化率为负温度系数(CTCR)。常规电阻浆料温度系数范围为-100ppm/℃~+100ppm/℃。
静电放电:指电阻体通过静电冲击后电阻值的变化率,用于确定电阻在使用中抵抗静电冲击的能力,电阻值的变化率接近于零,说明电阻浆料的性能更好。常规电阻要求阻值变化率为-2%~+2%,高性能要求为-0.5%~+0.5%。按照 SJ/T11512-2015集成电路用电子浆料性能试验方法中,方法302 电阻静电放电试验方法,分别测试图1中a位置电阻体阻值R1,并对a位置电阻进行3kV静电脉冲冲击后,再测试图1中a位置电阻体阻值R2,并算计脉冲电压前后的阻值变化率。
功率负荷:指电阻体在规定电负荷条件下,一定工作时间内电阻值的变化率,用于评定电阻的负荷寿命,电阻值的变化率接近于零,说明电阻浆料的性能更好。常规电阻要求阻值变化率-2%~+2%,高性能要求为-0.5%~+0.5%。按照 SJ/T11512-2015集成电路用电子浆料性能试验方法中,方法303电阻功率负荷试验方法,分别测试图1中a位置电阻体阻值R1,并对a位置电阻,按照测试方法要求施加功率额定电压2h后,再测试图1中a位置电阻体阻值R2,计算施加功率额定电压前后的阻值变化率。
稳态湿热:指将电阻体裸露放置在高温和湿热条件下,电阻值的变化率,用于评定电阻的耐湿热稳定性,电阻值的变化率接近于零,说明电阻浆料的性能更好。常规电阻要求阻值变化率-2%~+2%,高性能要求为-0.5%~+0.5%。按照 SJ/T11512-2015集成电路用电子浆料性能试验方法中,方法304电阻浆料稳态湿热试验方法,分别测试图1中a位置电阻体阻值R1后,将测试基片放置于温度40℃、湿度90%~95%的恒温恒湿箱中96h后,再测试图1中a位置电阻体阻值R2,并计算阻值变化率。
恒温放置:指将电阻体裸露放置在恒温、高温条件下,电阻值的变化率,用于评定电阻的恒温、高温稳定性,电阻值的变化率接近于零,说明电阻浆料的性能更好。常规电阻要求阻值变化率-3%~+3%,高性能要求为-0.5%~+0.5%。测试方法为:按照 SJ/T11512-2015集成电路用电子浆料性能试验方法中,方法304电阻浆料恒温放置试验方法,分别测试图1中a位置电阻体阻值R1后,将测试基片放置于温度125℃的烘箱中96h后,再测试图1中a位置电阻体阻值R2,并计算阻值变化率。
上述各种测试结果见表3,并将测试结果与商用R-2213含铅电阻浆料、商用0031Z含铅电阻浆料进行比较。
表3 不同电阻浆料性能对比
注:表中M代表×106,k代表×103。
由表3可见,本发明实施例1~16制备的电阻浆料与商用含铅电阻浆料产品相比,其静电放电、功率负荷、稳态湿热、恒温放置特性已超过商用电阻产品水平,达到高性能电阻浆料要求。其中,实施例1~6及实施例9~16可获得方阻范围100Ω/□~10MΩ/□电阻浆料,满足常规纯钌系电阻浆料对阻值规格的要求。
将实施例4电阻浆料与对比例1进行性能对比,采用二氧化钌与多孔碳化硅混合后等静压和热处理后的导电粉末,相对于直接以未处理的二氧化钌与多孔碳化硅作为导电粉末,所得电阻浆料的静电放电、功率负荷、稳态湿热、恒温放置稳定性方面有明显的性能提升,说明对二氧化钌与多孔碳化硅进行改性处理后,对电阻浆料的性能改善具有明显效果。另外,将实施例4与对比例2进行对比,说明电阻浆料中加入纳米钇铝石榴石粉,同样可提升电阻浆料的性能。
实施例17
导电粉末的制备:将比表面积为75~95m2/g的二氧化钌和粒径为1~2μm的多孔碳化硅按质量百分比50%:50%混合后造粒,在125MPa等静压5h,在450℃真空热处理1.5h,然后破碎球磨至1~2μm的粉体,所得粉体即为导电粉末。
玻璃粉的制备:按照CaO 44%、Al2O3 9%、B2O3 25%、SiO2 22%,以及按照CaO 44%、B2O325%、SiO2 22%、ZnO 5%、K2O 4%的质量百分比进行配料,将各种氧化物混合均匀后,将所得混合物置于1400℃熔炼炉中进行熔炼,保温时间1.5h,得到的玻璃溶液进行水淬后得到玻璃,将玻璃破碎成玻璃渣,并将玻璃渣用球磨机磨成粒度1.0~1.3μm,干燥得相应Ca-Al-B-Si体系(记为玻璃粉A)和Ca-B-Si体系(记为玻璃B)。
无机添加剂的制备:将粒度1~3μm的CuO、MnO2、Nb2O5按质量比为1:1:1混合均匀作为无机添加剂。
有机载体的制备:将60g松油醇和4g大豆卵磷脂在烧杯中搅拌加热到70℃后,加入8g松香树脂、7g羟基纤维素继续搅拌完全溶解后,再加入21g丁基卡必醇,保温搅拌30min,得到有机载体。
电阻浆料的制备:将20g导电粉末、14g玻璃粉A、21g玻璃粉B、1g粒径为30~50nm的纳米钇铝石榴石粉、10g无机添加剂、34g有机载体均匀混合后,用三辊轧机充分研磨至细度小于5μm,制备成电阻浆料100g。
实施例18
导电粉末的制备:将比表面积为75~95m2/g的二氧化钌和粒径为1~2μm的多孔碳化硅按质量百分比50%:50%混合后造粒,在125MPa等静压5h,在450℃真空热处理1.5h,然后破碎球磨至1~2μm的粉体,所得粉体即为导电粉末。
玻璃粉的制备:按照CaO 44%、Al2O3 9%、B2O3 25%、SiO2 22%,以及按照CaO 44%、B2O325%、SiO2 22%、ZnO 5%、K2O 4%的质量百分比进行配料,将各种氧化物混合均匀后,将所得混合物置于1400℃熔炼炉中进行熔炼,保温时间1.5h,得到的玻璃溶液进行水淬后得到玻璃,将玻璃破碎成玻璃渣,并将玻璃渣用球磨机磨成粒度1.0~1.3μm,干燥得相应Ca-Al-B-Si体系(记为玻璃粉A)和Ca-B-Si体系(记为玻璃B)。
无机添加剂的制备:将粒度1~3μm的CuO、MnO2、Nb2O5、Sb2O3按质量比为1:1:1:1混合均匀作为无机添加剂。
有机载体的制备:将65g松油醇和1g油酸在烧杯中搅拌加热到70℃后,加入5g松香树脂、5g甲基纤维素继续搅拌完全溶解后,再加入24g丁基卡必醇醋酸酯,保温搅拌30min,得到有机载体。
电阻浆料的制备:将45g导电粉末、20g玻璃粉A、5g玻璃粉B、3g粒径为30~50nm的纳米钇铝石榴石粉、0.5g无机添加剂、26.5g有机载体均匀混合后,用三辊轧机充分研磨至细度小于5μm,制备成电阻浆料100g。
上述实施例中的无机添加剂用于调节电阻浆料的阻值,可根据所需要的阻值大小,采用CuO、MnO2、Nb2O5、Sb2O3中任意两种以上按不同质量比混合后进行阻值调节。
Claims (8)
1.一种高性能厚膜电阻器用电阻浆料,其特征在于所述电阻浆料包含以下质量百分比的物料:
导电粉末20%~45%、钙硼硅玻璃粉25%~40%、纳米钇铝石榴石粉1%~3%、无机添加剂0.5%~10%、有机载体25%~35%;
所述导电粉末是将二氧化钌和多孔碳化硅按质量百分比20%:80%~85%:15%混合后造粒,在100~150MPa等静压4~6h,在400~500℃真空热处理1~2h,然后破碎球磨至1~2μm的粉体。
2.根据权利要求1所述的高性能厚膜电阻器用电阻浆料,其特征在于:所述二氧化钌和多孔碳化硅的质量百分比40%:60%~70%:30%。
3.根据权利要求1或2所述的高性能厚膜电阻器用电阻浆料,其特征在于:所述二氧化钌的比表面积为75~95m2/g,所述多孔碳化的粒径为1~2μm。
4.根据权利要求1所述的高性能厚膜电阻器用电阻浆料,其特征在于:所述钙硼硅玻璃粉包含Ca-Al-B-Si体系和Ca-B-Si体系,其中,Ca-Al-B-Si 体系质量分数为40%~80%,Ca-B-Si体系质量分数为20%~60%。
5.根据权利要求1所述的高性能厚膜电阻器用电阻浆料,其特征在于:所述纳米钇铝石榴石粉的粒径为30~50nm。
6.根据权利要求1所述的高性能厚膜电阻器用电阻浆料,其特征在于:所述无机添加剂为CuO、MnO2、Nb2O5、Sb2O3中任意两种以上的混合物。
7.根据权利要求1所述的高性能厚膜电阻器用电阻浆料,其特征在于:所述有机载体的质量百分比组成为:树脂8%~15%,有机添加剂1%~5%,有机溶剂80%~90%。
8.根据权利要求7所述的高性能厚膜电阻器用电阻浆料,其特征在于:所述树脂选自松香树脂、乙基纤维素、羟基纤维素、甲基纤维素中任意一种;所述有机溶剂选自松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯中任意一种或多种;所述有机添加剂选自卵磷脂、油酸中任意一种或两种。
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Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113393955B (zh) * | 2021-08-13 | 2021-11-16 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 一种ltcc共烧匹配型电阻浆料 |
CN113421692B (zh) * | 2021-08-24 | 2021-12-21 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 一种氮化铝基体用电阻浆料组合物 |
CN113643869B (zh) * | 2021-10-12 | 2022-02-25 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 一种高稳定性厚膜电阻用电阻浆料 |
CN113793715B (zh) * | 2021-11-16 | 2022-02-25 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 一种低温度系数电阻浆料 |
CN113851249B (zh) * | 2021-11-29 | 2022-03-29 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 一种低电流噪音型电阻浆料及其制备方法和应用 |
CN113851250B (zh) * | 2021-11-29 | 2022-03-29 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 一种耐过载电压型电阻浆料及其制备方法和应用 |
CN114783649B (zh) * | 2022-06-27 | 2022-09-30 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 一种高可靠高阻值片式电阻器用电阻浆料 |
CN116959776B (zh) * | 2023-08-02 | 2024-01-23 | 四川永星电子有限公司 | 一种钌基电阻浆料用复合玻璃粉粘结剂、制备方法和应用 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106673660A (zh) * | 2016-12-09 | 2017-05-17 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种液相烧结SiC非线性电阻陶瓷及其制备方法 |
TW201721659A (zh) * | 2015-12-09 | 2017-06-16 | Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd | 雷射加工用導電性糊劑、導電性片材、信號配線的製造方法及電子設備 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0644521B2 (ja) * | 1987-06-08 | 1994-06-08 | 昭和電工株式会社 | 抵抗ペ−スト |
JPH0232864A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サーマルヘッド |
JP2000150771A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-05-30 | Ricoh Microelectronics Co Ltd | 電子部品、電子部品の電極表面処理方法及びその装置 |
CN102976757B (zh) * | 2012-12-12 | 2014-05-28 | 浙江晟翔电子科技有限公司 | 一种高温电阻率可调节的复相陶瓷发热元件制备方法 |
CN103716924B (zh) * | 2013-12-26 | 2016-03-09 | 王克政 | 铝铜Cu+复合基稀土厚膜电路智能电热芯片的制备工艺 |
JP6582982B2 (ja) * | 2014-01-22 | 2019-10-02 | 東洋紡株式会社 | レーザーエッチング加工用導電性ペースト、導電性薄膜、導電性積層体 |
CN105575464B (zh) * | 2016-03-01 | 2018-06-29 | 东莞珂洛赫慕电子材料科技有限公司 | 一种有机固化电阻浆料及其制备方法 |
CN106211379A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-12-07 | 东莞珂洛赫慕电子材料科技有限公司 | 一种碳化硅‑钌电阻浆料及其制备方法 |
CN109267098B (zh) * | 2018-09-27 | 2019-10-18 | 四川大学 | 制氟阳极及其制备方法 |
CN109637695A (zh) * | 2018-12-12 | 2019-04-16 | 西安宏星电子浆料科技有限责任公司 | 一种高性能厚膜电阻浆料组合物 |
CN110085345B (zh) * | 2019-04-30 | 2021-02-02 | 东莞珂洛赫慕电子材料科技有限公司 | 一种铝基材厚膜电路电阻浆料和铝基厚膜电阻及制备方法 |
CN112201387B (zh) * | 2020-09-17 | 2021-12-21 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 一种厚膜电路用抗电池效应隔离介质浆料 |
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TW201721659A (zh) * | 2015-12-09 | 2017-06-16 | Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd | 雷射加工用導電性糊劑、導電性片材、信號配線的製造方法及電子設備 |
CN106673660A (zh) * | 2016-12-09 | 2017-05-17 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种液相烧结SiC非线性电阻陶瓷及其制备方法 |
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