JP2000150771A - 電子部品、電子部品の電極表面処理方法及びその装置 - Google Patents
電子部品、電子部品の電極表面処理方法及びその装置Info
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＣパッケージのリードの切断面を表面処理
することにより、該リードの切断面と半田との接着性を
高める。 【解決手段】 ＱＰＦタイプのＩＣパッケージ１のリー
ド２の切断面２ａに光を照射する光照射手段を設ける。
この光照射手段は、例えば、Ｑスイッチ制御のＹＡＧレ
ーザ装置３と、該ＹＡＧレーザ装置３からのレーザ光を
照射対象である各リード２先端の切断面２ａまで導く光
学系としての４本の光ファイバ４とを用いて構成するこ
とができる。また、ＩＣパッケージ１のリード２を切断
した後、該切断面にフラックス等の酸化防止剤を塗布し
ておいてもよい。
することにより、該リードの切断面と半田との接着性を
高める。 【解決手段】 ＱＰＦタイプのＩＣパッケージ１のリー
ド２の切断面２ａに光を照射する光照射手段を設ける。
この光照射手段は、例えば、Ｑスイッチ制御のＹＡＧレ
ーザ装置３と、該ＹＡＧレーザ装置３からのレーザ光を
照射対象である各リード２先端の切断面２ａまで導く光
学系としての４本の光ファイバ４とを用いて構成するこ
とができる。また、ＩＣパッケージ１のリード２を切断
した後、該切断面にフラックス等の酸化防止剤を塗布し
ておいてもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品の導電性
ペーストを接着する前の電極の表面を処理する電極表面
処理方法及びその装置、並びに電極を表面処理した電子
部品に係り、特に、表面実装型のＩＣパッケージなどの
リード端面やウェーハ上に形成された半導体素子のバン
プ電極形成面などの表面を処理する電極表面処理方法及
びその装置、並びに電極の切断面を表面処理した電子部
品に関するものである。
ペーストを接着する前の電極の表面を処理する電極表面
処理方法及びその装置、並びに電極を表面処理した電子
部品に係り、特に、表面実装型のＩＣパッケージなどの
リード端面やウェーハ上に形成された半導体素子のバン
プ電極形成面などの表面を処理する電極表面処理方法及
びその装置、並びに電極の切断面を表面処理した電子部
品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、プリント基板に搭載される表面実
装型の電子部品としてＱＦＰ（ QuadFlat Package ）タ
イプやＳＯＰ（ Small Outline Package ）タイプなど
のＩＣパーケージがある。この種の電子部品は、通常、
半田メッキされた銅合金からなるリードフレームの中央
タブにＩＣチップを装着し、ＩＣチップの電極とインナ
ーリードとを金属ワイヤで接続した後、樹脂でモールド
し、リードの不要部分を切断除去することにより製造さ
れる。そして、この電子部品のリードとプリント基板上
の半田などの導電性ペーストが印刷された電極面とが接
触するように、該電子部品をプリント基板に装着した
後、該基板をリフロー処理することにより、プリント基
板側の電極とＩＣチップ側のリードとの導電性ペースト
としての半田を介した接続が完了する。ここで、リード
の表面に半田メッキがあると半田の濡れ性はあまり悪化
せず、良好な接続状態を得ることができる。この半田を
介したプリント基板側の電極とＩＣチップ側のリードと
の接続状態の検査には、光学顕微鏡による外観検査が広
く用いられている。
装型の電子部品としてＱＦＰ（ QuadFlat Package ）タ
イプやＳＯＰ（ Small Outline Package ）タイプなど
のＩＣパーケージがある。この種の電子部品は、通常、
半田メッキされた銅合金からなるリードフレームの中央
タブにＩＣチップを装着し、ＩＣチップの電極とインナ
ーリードとを金属ワイヤで接続した後、樹脂でモールド
し、リードの不要部分を切断除去することにより製造さ
れる。そして、この電子部品のリードとプリント基板上
の半田などの導電性ペーストが印刷された電極面とが接
触するように、該電子部品をプリント基板に装着した
後、該基板をリフロー処理することにより、プリント基
板側の電極とＩＣチップ側のリードとの導電性ペースト
としての半田を介した接続が完了する。ここで、リード
の表面に半田メッキがあると半田の濡れ性はあまり悪化
せず、良好な接続状態を得ることができる。この半田を
介したプリント基板側の電極とＩＣチップ側のリードと
の接続状態の検査には、光学顕微鏡による外観検査が広
く用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記ＩＣチ
ップなどの電子部品のリードとプリント基板上の電極と
を半田を介して接続する場合、図５に示すようにリード
２の先端が切断されているため、上記半田メッキのない
金属母材（銅合金など）の表面（切断面）２ａが露出し
ている。この金属母材が露出したリード先端の切断面２
ａは酸化膜が形成されやすい。したがって、上記電子部
品をプリント基板１０に装着して上記リフロー処理を行
っても上記切断面が半田１１をはじいてしまい、プリン
ト基板１０上の電極パッド１０ａとの良好な電気的な接
続を行うことができないおそれがあった。
ップなどの電子部品のリードとプリント基板上の電極と
を半田を介して接続する場合、図５に示すようにリード
２の先端が切断されているため、上記半田メッキのない
金属母材（銅合金など）の表面（切断面）２ａが露出し
ている。この金属母材が露出したリード先端の切断面２
ａは酸化膜が形成されやすい。したがって、上記電子部
品をプリント基板１０に装着して上記リフロー処理を行
っても上記切断面が半田１１をはじいてしまい、プリン
ト基板１０上の電極パッド１０ａとの良好な電気的な接
続を行うことができないおそれがあった。
【０００４】上記切断面における半田の濡れ性を確保す
るために、強力なフラックス（例えばＲＡタイプのフラ
ックス）を使用することが考えられる。ところが、地球
のオゾン層破壊を防止するために上記強力なフラックス
を洗浄することができるフロンを使用できない状況にな
ってきた。このような状況下で上記強力なフラックスを
使用すると、電極表面に塩素などのイオン残留物が残
り、腐食やマイグレーションなどの問題が発生しやす
い。したがって、最近では、上記フロンを用いずに容易
に洗浄することができる比較的弱いフラックス（例えば
ＲＭＡタイプのフラックス）が使用され、上記切断面に
おける半田の濡れ性を確保することが難しい。
るために、強力なフラックス（例えばＲＡタイプのフラ
ックス）を使用することが考えられる。ところが、地球
のオゾン層破壊を防止するために上記強力なフラックス
を洗浄することができるフロンを使用できない状況にな
ってきた。このような状況下で上記強力なフラックスを
使用すると、電極表面に塩素などのイオン残留物が残
り、腐食やマイグレーションなどの問題が発生しやす
い。したがって、最近では、上記フロンを用いずに容易
に洗浄することができる比較的弱いフラックス（例えば
ＲＭＡタイプのフラックス）が使用され、上記切断面に
おける半田の濡れ性を確保することが難しい。
【０００５】また、上記リード２の切断面２ａと半田１
１との接着不良があまり問題にならない場合において
も、次のような不具合が生じるおそれがある。上記電子
部品がＱＦＰタイプやＳＯＰタイプのようなＩＣパーケ
ージの場合には、ＩＣパーケージから出ている複数のリ
ード同士が接近しサイドフィレットやバックフィレット
が見にくいため、上記リードの接続状態は、図５に示す
ようにリード２の切断面２ａと半田１１との接着状態を
光学的に外観検査することによって判断される。この半
田１１をはじきやすくなっているリード切断面２ａに対
する半田１１の付着状態を観察しているため、リード２
の切断面以外の側面等において良好な接着状態が確保さ
れているにもかかわらず、そのＩＣパッケージの導電性
ペーストを介した電気的な接続が良好に行われていない
と判定してしまい、過剰に不良品が発生してしまうおそ
れがあった。
１との接着不良があまり問題にならない場合において
も、次のような不具合が生じるおそれがある。上記電子
部品がＱＦＰタイプやＳＯＰタイプのようなＩＣパーケ
ージの場合には、ＩＣパーケージから出ている複数のリ
ード同士が接近しサイドフィレットやバックフィレット
が見にくいため、上記リードの接続状態は、図５に示す
ようにリード２の切断面２ａと半田１１との接着状態を
光学的に外観検査することによって判断される。この半
田１１をはじきやすくなっているリード切断面２ａに対
する半田１１の付着状態を観察しているため、リード２
の切断面以外の側面等において良好な接着状態が確保さ
れているにもかかわらず、そのＩＣパッケージの導電性
ペーストを介した電気的な接続が良好に行われていない
と判定してしまい、過剰に不良品が発生してしまうおそ
れがあった。
【０００６】なお、上記導電性ペーストとの接着不良と
いう問題は上記ＩＣパッケージのリード先端面だけでな
く、他の電子部品においても発生し得るものである。例
えば、ウェーハ上に形成された電子部品としての半導体
素子に導電性ペーストからなるバンプ電極を一括形成す
るような場合に、該半導体素子のバンプ電極面に形成さ
れた酸化膜により、該バンプ電極面と導電性ペースとの
間の接着不良が発生し得る。
いう問題は上記ＩＣパッケージのリード先端面だけでな
く、他の電子部品においても発生し得るものである。例
えば、ウェーハ上に形成された電子部品としての半導体
素子に導電性ペーストからなるバンプ電極を一括形成す
るような場合に、該半導体素子のバンプ電極面に形成さ
れた酸化膜により、該バンプ電極面と導電性ペースとの
間の接着不良が発生し得る。
【０００７】本発明は以上の問題点に鑑みなされたもの
であり、その目的は、電子部品の電極に導電性ペースト
を接着する前に該電極を表面処理することにより、該電
極の表面と導電性ペーストとの接着性を高めることがで
きる電子部品の電極表面処理方法及びその装置、並びに
電極の切断面を表面処理した電子部品を提供することで
ある。
であり、その目的は、電子部品の電極に導電性ペースト
を接着する前に該電極を表面処理することにより、該電
極の表面と導電性ペーストとの接着性を高めることがで
きる電子部品の電極表面処理方法及びその装置、並びに
電極の切断面を表面処理した電子部品を提供することで
ある。
【０００８】上記目的を達成するために、請求項１の発
明は、電子部品の導電性ペーストを接着する前の電極の
表面に光を照射することにより該電極の表面の酸化膜を
除去することを特徴とするものである。
明は、電子部品の導電性ペーストを接着する前の電極の
表面に光を照射することにより該電極の表面の酸化膜を
除去することを特徴とするものである。
【０００９】請求項１の電子部品の電極表面処理方法で
は、電子部品の導電性ペーストを接着する前の電極の表
面に光を照射することにより、該電極の表面の酸化膜を
除去し、導電性ペーストとの接着性を高める。
は、電子部品の導電性ペーストを接着する前の電極の表
面に光を照射することにより、該電極の表面の酸化膜を
除去し、導電性ペーストとの接着性を高める。
【００１０】請求項２の発明は、電子部品の導電性ペー
ストを接着する電極の表面に光を照射する光照射手段を
設けたことを特徴とするものである。
ストを接着する電極の表面に光を照射する光照射手段を
設けたことを特徴とするものである。
【００１１】請求項２の電子部品の電極表面処理装置で
は、光照射手段で電子部品の導電性ペーストを接着する
前の電極の表面に光を照射することにより、該電極の表
面の酸化膜を除去し、導電性ペーストとの接着性を高め
る。
は、光照射手段で電子部品の導電性ペーストを接着する
前の電極の表面に光を照射することにより、該電極の表
面の酸化膜を除去し、導電性ペーストとの接着性を高め
る。
【００１２】請求項３の発明は、請求項２の電子部品の
電極表面処理装置において、上記光を照射する電極の表
面が、電子部品の側面に取り付けられたリードの先端の
切断面であることを特徴とするものである。
電極表面処理装置において、上記光を照射する電極の表
面が、電子部品の側面に取り付けられたリードの先端の
切断面であることを特徴とするものである。
【００１３】請求項３の電子部品の電極表面処理装置で
は、電子部品の側面に取り付けられたリードの先端の切
断面に光を照射することにより、該切断面の酸化膜を除
去し、導電性ペーストとの接着性を高める。
は、電子部品の側面に取り付けられたリードの先端の切
断面に光を照射することにより、該切断面の酸化膜を除
去し、導電性ペーストとの接着性を高める。
【００１４】請求項４の発明は、請求項３の電子部品の
電極表面処理装置において、上記光照射手段の上記リー
ドの切断面に光を集光する光学部品の開口数（ＮＡ）
を、該切断面に照射されずに通過した光が電子部品本体
に損傷を与えない程度まで発散するように設定したこと
を特徴とするものである。
電極表面処理装置において、上記光照射手段の上記リー
ドの切断面に光を集光する光学部品の開口数（ＮＡ）
を、該切断面に照射されずに通過した光が電子部品本体
に損傷を与えない程度まで発散するように設定したこと
を特徴とするものである。
【００１５】請求項４の電子部品の電極表面処理装置で
は、上記光照射手段の上記リードの切断面に光を集光す
る光学部品の開口数（ＮＡ）を所定の値に設定し、該切
断面に照射されずに通過した光を発散させることによ
り、電子部品本体に損傷を与えないようにする。
は、上記光照射手段の上記リードの切断面に光を集光す
る光学部品の開口数（ＮＡ）を所定の値に設定し、該切
断面に照射されずに通過した光を発散させることによ
り、電子部品本体に損傷を与えないようにする。
【００１６】請求項５の発明は、請求項３の電子部品の
電極表面処理装置において、上記光照射手段で照射され
る光が該電子部品本体に当たらないように、該光の照射
方向を設定するとともに、上記リードの切断面における
該光の照射エネルギー密度が酸化膜除去可能なレベルに
なるように、該光照射手段の該リードの切断面に光を集
光する光学部品の焦点距離を設定したことを特徴とする
ものである。
電極表面処理装置において、上記光照射手段で照射され
る光が該電子部品本体に当たらないように、該光の照射
方向を設定するとともに、上記リードの切断面における
該光の照射エネルギー密度が酸化膜除去可能なレベルに
なるように、該光照射手段の該リードの切断面に光を集
光する光学部品の焦点距離を設定したことを特徴とする
ものである。
【００１７】請求項５の電子部品の電極表面処理装置で
は、上記光照射手段で照射される光の照射方向を所定方
向に設定し、該光が電子部品本体に当たらないようにす
ることにより、該電子部品本体に損傷を与えないように
する。そして、上記リードの切断面に光を集光する光学
部品の焦点距離を所定距離に設定し、該リードの切断面
における該光の照射エネルギー密度が酸化膜除去可能な
レベルになるようにすることにより、該切断面の酸化膜
を確実に除去できるようにする。
は、上記光照射手段で照射される光の照射方向を所定方
向に設定し、該光が電子部品本体に当たらないようにす
ることにより、該電子部品本体に損傷を与えないように
する。そして、上記リードの切断面に光を集光する光学
部品の焦点距離を所定距離に設定し、該リードの切断面
における該光の照射エネルギー密度が酸化膜除去可能な
レベルになるようにすることにより、該切断面の酸化膜
を確実に除去できるようにする。
【００１８】請求項６の発明は、請求項２の電子部品の
電極表面処理装置において、上記電子部品が、ウェーハ
上に形成された半導体素子であり、上記電極の表面が、
該半導体素子のバンプ電極形成面であることを特徴とす
るものである。
電極表面処理装置において、上記電子部品が、ウェーハ
上に形成された半導体素子であり、上記電極の表面が、
該半導体素子のバンプ電極形成面であることを特徴とす
るものである。
【００１９】請求項６の電子部品の電極表面処理装置で
は、ウェーハ上に形成された半導体素子のバンプ電極形
成面に光を照射することにより、該バンプ電極形成面の
酸化膜を除去し、導電性ペーストとの接着性を高める。
は、ウェーハ上に形成された半導体素子のバンプ電極形
成面に光を照射することにより、該バンプ電極形成面の
酸化膜を除去し、導電性ペーストとの接着性を高める。
【００２０】請求項７の発明は、電子部品の電極の一部
を切断した後、該電極に導電性ペーストを接着する前
に、該電極の切断面を表面処理する電極表面処理方法で
あって、該電極の切断面を酸化防止剤で覆うことを特徴
とするものである。
を切断した後、該電極に導電性ペーストを接着する前
に、該電極の切断面を表面処理する電極表面処理方法で
あって、該電極の切断面を酸化防止剤で覆うことを特徴
とするものである。
【００２１】請求項７の電子部品の電極表面処理方法で
は、電子部品の電極の切断面を酸化防止剤で覆うことに
より、該電極に導電性ペーストを接着するまでの間に該
切断面における酸化膜形成を抑制する。このように切断
面における酸化膜形成を抑制することにより、該切断面
と導電性ペーストとの接着性を高める。
は、電子部品の電極の切断面を酸化防止剤で覆うことに
より、該電極に導電性ペーストを接着するまでの間に該
切断面における酸化膜形成を抑制する。このように切断
面における酸化膜形成を抑制することにより、該切断面
と導電性ペーストとの接着性を高める。
【００２２】請求項８の発明は、電極の一部が切断さ
れ、該電極に導電性ペーストを接着する前の電子部品で
あって、該電極の切断面が酸化防止剤で覆われているこ
とを特徴とするものである。
れ、該電極に導電性ペーストを接着する前の電子部品で
あって、該電極の切断面が酸化防止剤で覆われているこ
とを特徴とするものである。
【００２３】請求項８の電子部品では、電極の切断面が
酸化防止剤で覆われていることにより、該電極に導電性
ペーストを接着するまでの間に該切断面における酸化膜
形成が抑制される。このように切断面における酸化膜形
成が抑制されることにより、該切断面と導電性ペースト
との接着性が高まる。
酸化防止剤で覆われていることにより、該電極に導電性
ペーストを接着するまでの間に該切断面における酸化膜
形成が抑制される。このように切断面における酸化膜形
成が抑制されることにより、該切断面と導電性ペースト
との接着性が高まる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の実施形態について説明する。図１は本発明の実施形
態に係る電極表面処理装置の概略構成図である。この電
極表面処理装置は、ＱＰＦタイプのＩＣパッケージ１の
側面に取り付けられたリード２の先端の切断面から酸化
膜を除去するものであり、該切断面に光を照射する光照
射手段を備えている。この光照射手段は、Ｑスイッチ制
御のＹＡＧレーザ装置３と、該ＹＡＧレーザ装置３から
のレーザ光を照射対象である各リード２先端の切断面ま
で導く光学系としての４本の光ファイバ４とを用いて構
成されている。この光ファイバ４の先端部は、矢印方向
に駆動可能に保持部材５で保持されている。また、各光
ファイバ４の先端には、該ファイバで導かれてきたレー
ザ光をリード２先端の切断面に集光する結像素子として
のマイクロレンズが取り付けられている。
明の実施形態について説明する。図１は本発明の実施形
態に係る電極表面処理装置の概略構成図である。この電
極表面処理装置は、ＱＰＦタイプのＩＣパッケージ１の
側面に取り付けられたリード２の先端の切断面から酸化
膜を除去するものであり、該切断面に光を照射する光照
射手段を備えている。この光照射手段は、Ｑスイッチ制
御のＹＡＧレーザ装置３と、該ＹＡＧレーザ装置３から
のレーザ光を照射対象である各リード２先端の切断面ま
で導く光学系としての４本の光ファイバ４とを用いて構
成されている。この光ファイバ４の先端部は、矢印方向
に駆動可能に保持部材５で保持されている。また、各光
ファイバ４の先端には、該ファイバで導かれてきたレー
ザ光をリード２先端の切断面に集光する結像素子として
のマイクロレンズが取り付けられている。
【００２５】上記ＩＣパッケージ１をプリント基板１０
上に取り付けるときは、ＩＣパッケージマウンタのトレ
イ上にあるＩＣパッケージ１を図２（ａ）に示すように
吸着ノズル６で吸着する。そして、この吸着ノズル６で
吸着保持されたＩＣパッケージ１のリード２の切断面２
ａに上記光ファイバ４で導かれてきたレーザ光を照射
し、該切断面の酸化膜を除去する。このリード切断面２
ａの酸化膜が除去されたＩＣパーケージ１を、図２
（ｂ）に示すようにプリント基板１０上の所定位置に装
着し、その後、プリント基板１０に対してリフロー処理
を施すことにより、プリント基板１０上の電極パッド１
０ａとリード２とが導電性ペーストとしての半田１１を
介して接着される。
上に取り付けるときは、ＩＣパッケージマウンタのトレ
イ上にあるＩＣパッケージ１を図２（ａ）に示すように
吸着ノズル６で吸着する。そして、この吸着ノズル６で
吸着保持されたＩＣパッケージ１のリード２の切断面２
ａに上記光ファイバ４で導かれてきたレーザ光を照射
し、該切断面の酸化膜を除去する。このリード切断面２
ａの酸化膜が除去されたＩＣパーケージ１を、図２
（ｂ）に示すようにプリント基板１０上の所定位置に装
着し、その後、プリント基板１０に対してリフロー処理
を施すことにより、プリント基板１０上の電極パッド１
０ａとリード２とが導電性ペーストとしての半田１１を
介して接着される。
【００２６】以上、本実施形態によれば、ＩＣパッケー
ジ１の側面に取り付けられたリード２の先端の切断面２
ａにレーザ光を照射することにより、該切断面２ａの酸
化膜を除去しているので、該切断面２ａと半田１１との
接着性を高めることができる。従って、図３に示すよう
にリード２の切断面２ａと電極パッド１０ａとの間の半
田１１の形状が、リード側面と同様に所定のフィレット
形状となり、ＩＣパーケージ１のリード２と電極パッド
１０ａとを良好に接続することができる。
ジ１の側面に取り付けられたリード２の先端の切断面２
ａにレーザ光を照射することにより、該切断面２ａの酸
化膜を除去しているので、該切断面２ａと半田１１との
接着性を高めることができる。従って、図３に示すよう
にリード２の切断面２ａと電極パッド１０ａとの間の半
田１１の形状が、リード側面と同様に所定のフィレット
形状となり、ＩＣパーケージ１のリード２と電極パッド
１０ａとを良好に接続することができる。
【００２７】また、本実施形態によれば、リード２の切
断面２ａと電極パッド１０ａとの間における半田１１の
形状が所定のフィレット形状となるので、この切断面２
ａでの半田フィレットの形状を外観検査してリード全体
の半田付け状態を良否を判定する場合における誤判定の
判定を大幅に低減することが可能となる。すなわち、リ
ード２の半田メッキが施されている側面で良好な半田付
け状態が確保されているにもかかわらず、そのＩＣパッ
ケージの半田１１を介した電気的な接続が良好に行われ
ていないと誤判定を大幅に低減することができる。この
ように上記誤判定が少なくなると、半田付け不良の修復
作業に回される基板も少なくなるので、修復作業の効率
化を図ることもできる。
断面２ａと電極パッド１０ａとの間における半田１１の
形状が所定のフィレット形状となるので、この切断面２
ａでの半田フィレットの形状を外観検査してリード全体
の半田付け状態を良否を判定する場合における誤判定の
判定を大幅に低減することが可能となる。すなわち、リ
ード２の半田メッキが施されている側面で良好な半田付
け状態が確保されているにもかかわらず、そのＩＣパッ
ケージの半田１１を介した電気的な接続が良好に行われ
ていないと誤判定を大幅に低減することができる。この
ように上記誤判定が少なくなると、半田付け不良の修復
作業に回される基板も少なくなるので、修復作業の効率
化を図ることもできる。
【００２８】なお、上記実施形態において、上記リード
２の切断面２ａにレーザ光Ｌを集光する光学部品である
光ファイバ４先端のマイクロレンズ４ａの開口数（Ｎ
Ａ）を、図４（ａ）に示すように該切断面２ａに照射さ
れずに通過したレーザ光がＩＣパッケージ本体に損傷を
与えない程度まで発散するように大きく設定するのが好
ましい。上記マイクロレンズ４ａの開口数（ＮＡ）が小
さいと、図４（ｂ）に示すように上記切断面２ａに照射
されずに通過したエネルギー密度が高いレーザ光ＬがＩ
Ｃパッケージ本体に当たって損傷を与えるおそれがあ
る。
２の切断面２ａにレーザ光Ｌを集光する光学部品である
光ファイバ４先端のマイクロレンズ４ａの開口数（Ｎ
Ａ）を、図４（ａ）に示すように該切断面２ａに照射さ
れずに通過したレーザ光がＩＣパッケージ本体に損傷を
与えない程度まで発散するように大きく設定するのが好
ましい。上記マイクロレンズ４ａの開口数（ＮＡ）が小
さいと、図４（ｂ）に示すように上記切断面２ａに照射
されずに通過したエネルギー密度が高いレーザ光ＬがＩ
Ｃパッケージ本体に当たって損傷を与えるおそれがあ
る。
【００２９】また、上記実施形態では、上記マイクロレ
ンズ４ａの開口数（ＮＡ）を所定の値よりも大きくする
ことによりレーザ光によるＩＣパッケージ本体の損傷を
防止しているが、レーザ光を斜めから照射することによ
り該ＩＣパッケージ本体の損傷を防止するように構成し
てもよい。この構成の場合には、図５に示すように、レ
ーザ光ＬがＩＣパッケージ本体に当たらないように該レ
ーザ光Ｌの照射方向を設定する。これにより、ＩＣパッ
ケージ本体に損傷を与えないようにすることができる。
そして、ＩＣパッケージ１のリード２先端の切断面にお
ける該レーザ光Ｌの照射エネルギー密度が酸化膜除去可
能なレベルになるように、上記光ファイバ４先端のマイ
クロレンズ４ａの焦点距離を設定する。これにより、該
切断面の酸化膜を確実に除去できるようになる。
ンズ４ａの開口数（ＮＡ）を所定の値よりも大きくする
ことによりレーザ光によるＩＣパッケージ本体の損傷を
防止しているが、レーザ光を斜めから照射することによ
り該ＩＣパッケージ本体の損傷を防止するように構成し
てもよい。この構成の場合には、図５に示すように、レ
ーザ光ＬがＩＣパッケージ本体に当たらないように該レ
ーザ光Ｌの照射方向を設定する。これにより、ＩＣパッ
ケージ本体に損傷を与えないようにすることができる。
そして、ＩＣパッケージ１のリード２先端の切断面にお
ける該レーザ光Ｌの照射エネルギー密度が酸化膜除去可
能なレベルになるように、上記光ファイバ４先端のマイ
クロレンズ４ａの焦点距離を設定する。これにより、該
切断面の酸化膜を確実に除去できるようになる。
【００３０】また、上記実施形態では、上記リード２の
先端フィレットが形成される切断面２ａに光を照射する
場合について説明したが、本発明は、バックフィレット
が形成されるリード２のＩＣ本体側の背面、サイドフィ
レットが形成されるリード２の側面、基板１０の電極パ
ッド１０ａに面するリード２の底面等に光を照射し、各
面の酸化膜を除去する場合にも適用できるものである。
先端フィレットが形成される切断面２ａに光を照射する
場合について説明したが、本発明は、バックフィレット
が形成されるリード２のＩＣ本体側の背面、サイドフィ
レットが形成されるリード２の側面、基板１０の電極パ
ッド１０ａに面するリード２の底面等に光を照射し、各
面の酸化膜を除去する場合にも適用できるものである。
【００３１】また、上記実施形態では、ＩＣパッケージ
１のリード２の表面に光を照射する場合について説明し
たが、本発明は、半導体ウェーハ上に形成したＬＳＩな
どの半導体素子のバンプ電極形成面に光を照射して酸化
膜を除去する場合にも適用できるものである。この場合
は、半導体素子が形成されたウェーハ上にパルスレーザ
光を走査しながら照射し、該レーザ光がウェーハ上の各
バンプ電極形成面を通過するときにレーザ光が照射され
るようにパルスレーザを駆動制御する。上記ウェーハの
各バンプ電極形成面に対応する位置に開口を有する遮光
板を該ウェーハ上に装着し、該遮光板を通して連続発振
レーザ光を走査しながら該バンプ電極形成面に照射して
もよい。このようにバンプ電極形成面にレーザ光を照射
して酸化膜を除去した後、該バンプ電極形成面に印刷マ
スク等を用いてバンプ電極を一括形成する。
１のリード２の表面に光を照射する場合について説明し
たが、本発明は、半導体ウェーハ上に形成したＬＳＩな
どの半導体素子のバンプ電極形成面に光を照射して酸化
膜を除去する場合にも適用できるものである。この場合
は、半導体素子が形成されたウェーハ上にパルスレーザ
光を走査しながら照射し、該レーザ光がウェーハ上の各
バンプ電極形成面を通過するときにレーザ光が照射され
るようにパルスレーザを駆動制御する。上記ウェーハの
各バンプ電極形成面に対応する位置に開口を有する遮光
板を該ウェーハ上に装着し、該遮光板を通して連続発振
レーザ光を走査しながら該バンプ電極形成面に照射して
もよい。このようにバンプ電極形成面にレーザ光を照射
して酸化膜を除去した後、該バンプ電極形成面に印刷マ
スク等を用いてバンプ電極を一括形成する。
【００３２】また、本発明は、電子部品としてのプリン
ト基板上の電極パッドに光を照射して酸化膜を除去する
場合にも適用できるものである。
ト基板上の電極パッドに光を照射して酸化膜を除去する
場合にも適用できるものである。
【００３３】また、上記実施形態では、光源としてＱス
イッチ制御のＹＡＧレーザ装置を用いたが、このレーザ
に限定されることなく、本発明は、酸化膜を除去可能な
光を出射可能な他の光源を用いた場合にも適用できるも
のである。例えば連続発振のＹＡＧレーザ装置や、エキ
シマレーザ装置や、パルス化ＣＯ２インパクトレーザ、
紫外線ランプなどを用いてもよい。また、上記ＹＡＧレ
ーザ等のレーザ光源の場合、その基本波（例えばＮｂ：
ＹＡＧレーザの波長１．０６４μmの基本波）のレーザ
光を用いてもいいし、非線形光学素子等を用いて発生さ
せた高調波（例えば第２高調波、第３高調波、第４高調
波）のレーザ光を用いてもよい。また、照射光学系につ
いても光ファイバに限定されるものではなく、本発明
は、他の光学素子を組み合わせた照射光学系を用いた場
合にも適用できるものである。
イッチ制御のＹＡＧレーザ装置を用いたが、このレーザ
に限定されることなく、本発明は、酸化膜を除去可能な
光を出射可能な他の光源を用いた場合にも適用できるも
のである。例えば連続発振のＹＡＧレーザ装置や、エキ
シマレーザ装置や、パルス化ＣＯ２インパクトレーザ、
紫外線ランプなどを用いてもよい。また、上記ＹＡＧレ
ーザ等のレーザ光源の場合、その基本波（例えばＮｂ：
ＹＡＧレーザの波長１．０６４μmの基本波）のレーザ
光を用いてもいいし、非線形光学素子等を用いて発生さ
せた高調波（例えば第２高調波、第３高調波、第４高調
波）のレーザ光を用いてもよい。また、照射光学系につ
いても光ファイバに限定されるものではなく、本発明
は、他の光学素子を組み合わせた照射光学系を用いた場
合にも適用できるものである。
【００３４】また、上記実施形態におけるレーザ光照射
の代わりに、上記電子部品としてのＩＣパッケージのリ
ードの切断面を酸化防止剤で覆うような表面処理を施し
てもよい。この表面処理の場合は、図６（ａ）に示すよ
うにＩＣパッケージ１のリード２をプレス等で切断した
後、該リード２に導電性ペーストとしての半田を接着す
る前に、図６（ｂ）に示すように該リード２の切断面２
ａを酸化防止剤７で覆うような表面処理を施す。この表
面処理により、該切断面２ａにおける酸化膜の形成を防
止することができる。従って、該切断面２ａと半田との
接着性を高めることができる。なお、上記酸化防止剤７
としては、半田に含有成分の一つであるフラックスを用
いることができる。このフラックスを該切断面に塗布し
た後、自然乾燥させることにより、該切断面をコーティ
ングすることができる。そして、ＩＣパッケージを基板
等にマウントし、リフローを行うと、該切断面をコーテ
ィングしているフラックスは半田の中にとけ込むため、
該フラックスが該切断面２ａと該半田との間の接着性を
阻害することはない。
の代わりに、上記電子部品としてのＩＣパッケージのリ
ードの切断面を酸化防止剤で覆うような表面処理を施し
てもよい。この表面処理の場合は、図６（ａ）に示すよ
うにＩＣパッケージ１のリード２をプレス等で切断した
後、該リード２に導電性ペーストとしての半田を接着す
る前に、図６（ｂ）に示すように該リード２の切断面２
ａを酸化防止剤７で覆うような表面処理を施す。この表
面処理により、該切断面２ａにおける酸化膜の形成を防
止することができる。従って、該切断面２ａと半田との
接着性を高めることができる。なお、上記酸化防止剤７
としては、半田に含有成分の一つであるフラックスを用
いることができる。このフラックスを該切断面に塗布し
た後、自然乾燥させることにより、該切断面をコーティ
ングすることができる。そして、ＩＣパッケージを基板
等にマウントし、リフローを行うと、該切断面をコーテ
ィングしているフラックスは半田の中にとけ込むため、
該フラックスが該切断面２ａと該半田との間の接着性を
阻害することはない。
【００３５】
【発明の効果】請求項１乃至６の発明によれば、電子部
品の導電性ペーストを接着する電極の表面の酸化膜を除
去し、該表面と導電性ペーストとの接着性を高めること
ができるという効果がある。
品の導電性ペーストを接着する電極の表面の酸化膜を除
去し、該表面と導電性ペーストとの接着性を高めること
ができるという効果がある。
【００３６】特に、請求項３の発明によれば、電子部品
の側面に取り付けられたリードの先端の切断面の酸化膜
を除去し、該表面と導電性ペーストとの接着性を高める
ことができるという効果がある。
の側面に取り付けられたリードの先端の切断面の酸化膜
を除去し、該表面と導電性ペーストとの接着性を高める
ことができるという効果がある。
【００３７】また特に、請求項４の発明によれば、上記
リードの切断面に照射されずに通過した光による電子部
品本体の損傷を防止することができるという効果があ
る。
リードの切断面に照射されずに通過した光による電子部
品本体の損傷を防止することができるという効果があ
る。
【００３８】また特に、請求項５の発明によれば、上記
リードの切断面に照射されずに通過した光による電子部
品本体の損傷を防止することができるとともに、該リー
ドの切断面の全体にわたって酸化膜を確実に除去できる
という効果がある。
リードの切断面に照射されずに通過した光による電子部
品本体の損傷を防止することができるとともに、該リー
ドの切断面の全体にわたって酸化膜を確実に除去できる
という効果がある。
【００３９】また特に、請求項６の発明によれば、ウェ
ーハ上に形成された半導体素子のバンプ電極形成面の酸
化膜を除去し、導電性ペーストとの接着性を高めること
ができるという効果がある。
ーハ上に形成された半導体素子のバンプ電極形成面の酸
化膜を除去し、導電性ペーストとの接着性を高めること
ができるという効果がある。
【００４０】請求項７の発明によれば、電子部品の電極
の切断面における酸化膜形成を抑制し、該切断面と導電
性ペーストとの接着性を高めることができるという効果
がある。
の切断面における酸化膜形成を抑制し、該切断面と導電
性ペーストとの接着性を高めることができるという効果
がある。
【００４１】請求項８の発明によれば、電子部品の電極
の切断面における酸化膜形成が抑制され、該切断面と導
電性ペーストとの接着性を高めることができるという効
果がある。
の切断面における酸化膜形成が抑制され、該切断面と導
電性ペーストとの接着性を高めることができるという効
果がある。
【図１】本発明の実施形態に係る電極表面処理装置の概
略構成図。
略構成図。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、同電極表面処理装置にお
ける光照射処理の手順を示す説明図。
ける光照射処理の手順を示す説明図。
【図３】同電極表面処理装置で処理したリードにおける
半田付け状態を示す拡大断面図。
半田付け状態を示す拡大断面図。
【図４】（ａ）は、本実施形態におけるリード切断面へ
のレーザ光の集光状態を示す説明図。（ｂ）は、比較例
におけるリード切断面へのレーザ光の集光状態を示す説
明図。
のレーザ光の集光状態を示す説明図。（ｂ）は、比較例
におけるリード切断面へのレーザ光の集光状態を示す説
明図。
【図５】他の実施形態におけるリード切断面へのレーザ
光の集光状態を示す説明図。
光の集光状態を示す説明図。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は、更に他の実施形態におけ
るリード切断面の表面処理の説明図。
るリード切断面の表面処理の説明図。
【図７】従来例に係るリードにおける半田付け状態を示
す拡大断面図。
す拡大断面図。
１ ＩＣパッケージ（電子部品） ２ リード（電極） ２ａ リードの切断面 ３ ＹＡＧレーザ装置 ４ 光ファイバ ４ａ マイクロレンズ ５ 保持部材 ６ 吸着ノズル ７ フラックス（酸化防止剤） １０ プリント基板 １１ 半田（導電性ペースト） Ｌ レーザ光
Claims (8)
- 【請求項１】電子部品の導電性ペーストを接着する前の
電極の表面に光を照射することにより該電極の表面の酸
化膜を除去することを特徴とする電子部品の電極表面処
理方法。 - 【請求項２】電子部品の導電性ペーストを接着する電極
の表面に光を照射する光照射手段を設けたことを特徴と
する電子部品の電極表面処理装置。 - 【請求項３】請求項２の電子部品の電極表面処理装置に
おいて、 上記光を照射する電極の表面が、電子部品の側面に取り
付けられたリードの先端の切断面であることを特徴とす
る電子部品の電極表面処理装置。 - 【請求項４】請求項３の電子部品の電極表面処理装置に
おいて、 上記光照射手段の上記リードの切断面に光を集光する光
学部品の開口数（ＮＡ）を、該切断面に照射されずに通
過した光が電子部品本体に損傷を与えない程度まで発散
するように設定したことを特徴とする電子部品の電極表
面処理装置。 - 【請求項５】請求項３の電子部品の電極表面処理装置に
おいて、 上記光照射手段で照射される光が該電子部品本体に当た
らないように、該光の照射方向を設定するとともに、上
記リードの切断面における該光の照射エネルギー密度が
酸化膜除去可能なレベルになるように、該光照射手段の
該リードの切断面に光を集光する光学部品の焦点距離を
設定したことを特徴とする電子部品の電極表面処理装
置。 - 【請求項６】請求項２の電子部品の電極表面処理装置に
おいて、 上記電子部品が、ウェーハ上に形成された半導体素子で
あり、上記電極の表面が、該半導体素子のバンプ電極形
成面であることを特徴とする電子部品の電極表面処理装
置。 - 【請求項７】電子部品の電極の一部を切断した後、該電
極に導電性ペーストを接着する前に、該電極の切断面を
表面処理する電極表面処理方法であって、 該電極の切断面を酸化防止剤で覆うことを特徴とする電
子部品の電極表面処理方法。 - 【請求項８】電極の一部が切断され、該電極に導電性ペ
ーストを接着する前の電子部品であって、 該電極の切断面が酸化防止剤で覆われていることを特徴
とする電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24055899A JP2000150771A (ja) | 1998-08-31 | 1999-08-26 | 電子部品、電子部品の電極表面処理方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26094598 | 1998-08-31 | ||
| JP10-260945 | 1998-08-31 | ||
| JP24055899A JP2000150771A (ja) | 1998-08-31 | 1999-08-26 | 電子部品、電子部品の電極表面処理方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150771A true JP2000150771A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=26534781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24055899A Withdrawn JP2000150771A (ja) | 1998-08-31 | 1999-08-26 | 電子部品、電子部品の電極表面処理方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000150771A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003324166A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガラス端子とその製造方法ならびにそれを用いた気密端子 |
| JP2004510584A (ja) * | 2000-10-05 | 2004-04-08 | スネクマ・モトウール | 放電加工によって事前に機械加工された表面のろう付け法 |
| DE10301480A1 (de) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Infineon Technologies Ag | Gehäuse, insbesondere für Halbleiter-Bauelemente, Halbleiter-Bauelement-Pin, sowie Verfahren zur Herstellung von Pins |
| CN113053560A (zh) * | 2021-06-01 | 2021-06-29 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 一种高性能厚膜电阻器用电阻浆料 |
| CN114364157A (zh) * | 2021-12-23 | 2022-04-15 | 广东德赛矽镨技术有限公司 | 一种带双面焊接焊盘的pcb的贴片及封装方法 |
-
1999
- 1999-08-26 JP JP24055899A patent/JP2000150771A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004510584A (ja) * | 2000-10-05 | 2004-04-08 | スネクマ・モトウール | 放電加工によって事前に機械加工された表面のろう付け法 |
| JP2003324166A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガラス端子とその製造方法ならびにそれを用いた気密端子 |
| DE10301480A1 (de) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Infineon Technologies Ag | Gehäuse, insbesondere für Halbleiter-Bauelemente, Halbleiter-Bauelement-Pin, sowie Verfahren zur Herstellung von Pins |
| US7060534B2 (en) | 2003-01-16 | 2006-06-13 | Infineon Technologies Ag | Housing for semiconductor devices, semiconductor device pin, and method for the manufacturing of pins |
| CN113053560A (zh) * | 2021-06-01 | 2021-06-29 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 一种高性能厚膜电阻器用电阻浆料 |
| CN114364157A (zh) * | 2021-12-23 | 2022-04-15 | 广东德赛矽镨技术有限公司 | 一种带双面焊接焊盘的pcb的贴片及封装方法 |
| CN114364157B (zh) * | 2021-12-23 | 2023-11-10 | 广东德赛矽镨技术有限公司 | 一种带双面焊接焊盘的pcb的贴片及封装方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20061107 |