CN110085345B - 一种铝基材厚膜电路电阻浆料和铝基厚膜电阻及制备方法 - Google Patents

一种铝基材厚膜电路电阻浆料和铝基厚膜电阻及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110085345B
CN110085345B CN201910361942.5A CN201910361942A CN110085345B CN 110085345 B CN110085345 B CN 110085345B CN 201910361942 A CN201910361942 A CN 201910361942A CN 110085345 B CN110085345 B CN 110085345B
Authority
CN
China
Prior art keywords
aluminum
thick film
melting
preparation
resistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910361942.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110085345A (zh
Inventor
张念柏
苏冠贤
廖玉超
孙永涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Corehelm Electronic Material Co ltd
Original Assignee
Corehelm Electronic Material Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Corehelm Electronic Material Co ltd filed Critical Corehelm Electronic Material Co ltd
Priority to CN201910361942.5A priority Critical patent/CN110085345B/zh
Publication of CN110085345A publication Critical patent/CN110085345A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110085345B publication Critical patent/CN110085345B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C12/00Powdered glass; Bead compositions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/14Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/065Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
    • H01C17/06506Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • H01C17/06513Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/30Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for baking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/003Thick film resistors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00Ohmic-resistance heating
    • H05B3/10Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
    • H05B3/12Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Abstract

本发明涉及厚膜电阻技术领域,具体涉及一种铝基材厚膜电路电阻浆料和铝基厚膜电阻及制备方法,电阻浆料包括如下重量份的原料:低熔点玻璃粉30‑70%、二氧化钌粉10‑40%和有机载体5‑30%。该电阻浆料烧结后的厚膜电路与绝缘介质层有极佳的附着力;玻璃粉的熔点<600℃,膨胀系数大于160*10‑7/℃,可以在铝的熔点下烧结,烧结后的厚膜电阻方阻1Ω/□‑100Ω/□,能够满足大功率电热元件使用。

Description

一种铝基材厚膜电路电阻浆料和铝基厚膜电阻及制备方法
技术领域
本发明涉及厚膜电阻技术领域,具体涉及一种铝基材厚膜电路电阻浆料和铝基厚膜电阻及制备方法。
背景技术
厚膜技术是通过丝网印刷的方法把绝缘介质浆料、电阻浆料、电极浆料和包封介质浆料等材料涂制在基板上,经过高温烧结,在基板上形成粘附牢固的功能膜,目前,厚膜技术在电加热领域广泛作为大功率电热元件使用。作为大功率电热元件基板,传统的陶瓷材料已不能满足现有电发热元器件对传热和散热的要求,而且陶瓷基板的脆性大,机械加工性能差,不利于大面积印刷,切割和安装。不锈钢基材具有机械性能好,抗冲击性能的优势,越来越多的应用于厚膜大功率电热元件。但是不锈钢基材密度大,不利于轻量化产品;不锈钢厚膜电路元件烧成温度高,不利于节能减排。铝基材具有重量轻,导热性能优于不锈钢,易加工,非常适合作为一种大功率厚膜电路基板使用,可扩大大功率厚膜发热的使用领域。但金属铝的热膨胀系数大,于目前常用的电子浆料不匹配,而且铝的熔点只有660℃左右,传统的高温烧结工艺不适合铝基材。因此,研制基于铝基板的厚膜大功率电热元件,相应的电子浆料必须符合铝基材的特点。铝基厚膜电路电阻浆料,烧结后的电阻要与铝基绝缘介质层有极佳的附着力,表面平整,电阻稳定,重烧变化率,TCR等指标在规定范围内。用常规的银浆料做电阻,由于介质层是用高膨胀系数的玻璃粉,银就特别容易扩散,导致电阻烧结后,介质层的电性能急剧下降。
发明内容
为了克服现有技术中存在的缺点和不足,本发明的目的在于提供一种铝基材厚膜电路电阻浆料和铝基厚膜电阻及制备方法,该电阻浆料为非银浆料,并且可在低于铝熔点的温度下烧结。
本发明的目的通过下述技术方案实现:
一种铝基材厚膜电路电阻浆料,包括如下重量份的原料:
低熔点玻璃粉30-70%
二氧化钌粉10-40%
有机载体5-30%;
所述低熔点玻璃粉的熔点<600℃,膨胀系数大于160*10-7/℃。
本发明的电阻浆料应用于铝基厚膜电路;该电阻浆料烧结后的厚膜电路与绝缘介质层有极佳的附着力;玻璃粉的熔点<600℃,膨胀系数大于160*10-7/℃,可以在铝的熔点下烧结,烧结后的厚膜电阻方阻1Ω/□-100Ω/□,能够满足大功率使用。
其中,所述低熔点玻璃粉包括如下重量百分比的成分:
Figure GDA0002092674000000021
其中,所述低熔点玻璃粉的制备方法为:取各氧化物按照比例进行混合后在1200-1500℃的温度下保温0.3-0.7h,水淬、球磨、烘干,即得到所述低熔点玻璃粉。
其中,所述二氧化钌粉平均粒径小于3μm,比表面积30-50m2/g,纯度不小于99.9%。
其中,所述有机载体的制备原料包括松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、柠檬酸三丁酯、1,4-丁内酯、氢化蓖麻油、卵磷脂和乙基纤维素,各原料重百分比比依次为:20-40%、16-40%、20-40%、1-10%、1-10%、0-3%、0-3%和2-10%。
其中,所述有机载体的制备方法为:将各原料按照比例在60-80℃的温度下保温并搅拌混合均匀而成,有机载体的粘度调整为50-200Pa·s。
如上所述的一种铝基材厚膜电路电阻浆料的制备方法:将低熔点玻璃粉、二氧化钌粉和有机载体按配比混合置于三辊机研磨轧制,得到电阻浆料,并将浆料的粘度调整为80-200Pa.s。
一种铝基厚膜电阻,由铝基材介质层和厚膜电路电阻层复合而成,所述厚膜电路电阻层由如上所述的铝基材厚膜电路电阻浆料烧结而成。
一种铝基厚膜电阻的制备方法:将如上所述的铝基材厚膜电路电阻浆料印刷在铝基材介质层上,在空气气氛中烧结,烧结分为3个阶段:
第一阶段为:120℃-200℃保温10min-20min;
第二阶段为:400℃-470℃保温10min-20min;
第三阶段为:烧结的峰值温度为500℃-600℃,保温10min-20min,随炉冷却后即得到铝基厚膜电阻。
本发明的有益效果在于:
1、低熔点微晶玻璃粉的熔点小于600℃,膨胀系数大于160*10-7/℃,满足在铝基材的熔点下烧结并附着力良好;
2、电阻浆料导电相采用二氧化钌粉,不用银粉,防止了银在烧结过程中向介质层扩散的现象;
3、烧结后的电阻层与铝基绝缘介质层有极佳的附着力,表面平整,电阻稳定,重烧变化率,TCR等指标在规定范围内;
4、电阻浆料的制备工艺简单方便,控制方便,有利于实现规模化工业生产。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员的理解,下面结合实施例对本发明作进一步的说明,实施方式提及的内容并非对本发明的限定。
实施例1
按比例称量以下物质
ZnO、SiO2、Bi2O3、B2O3、Li2CO3、Na2CO3、K2CO3、CaO、BaO、SrO,各原料重量配比依次为20%,35%,4%,7%,5%,7%,4%,3%,7%,8%。混合均匀后在马弗炉中1000℃-1500℃下保温半小时后,拿出水淬,即得到玻璃渣,将所得玻璃渣在球磨机中球磨至粒径小于10μm,抽沥烘干即得到低熔点玻璃粉。
其中,所述二氧化钌粉平均粒径为1μm,比表面积30-50m2/g,纯度不小于99.9%。
其中,所述有机载体的制备原料包括松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、柠檬酸三丁酯、1,4-丁内酯、氢化蓖麻油、卵磷脂和乙基纤维素,各原料重百分比比依次为:20%、19%、36.5%、10%、5%、0.5%、1%和8%。
其中,所述有机载体的制备方法为:将各原料按照比例在60-80℃的温度下保温并搅拌混合均匀而成,有机载体的粘度调整为50-200Pa·s。
将低熔点玻璃粉、二氧化钌粉和有机载体按配比56%、14%和30%的比例混合,用三辊机反复轧制至细度小于10μm,得到铝基厚膜电路电阻浆料。
用丝网在金属铝基板介质层上印刷成膜,在空气气氛中烧结,烧结分为3个阶段:
第一阶段为:120℃-200℃保温15min;
第二阶段为:400℃-470℃保温15min;
第三阶段为:烧结的峰值温度为500℃-600℃,保温15min,随炉冷却后即得到铝基厚膜电阻。
铝基厚膜电阻的厚度12±2μm,方阻为25Ω/□±15%,重烧变化率<5%,TCR<300ppm,盐雾测试48H无脱落。基材烧结电阻层后,绝缘电阻和高压测试跟介质层比无明显下降。下表为具体测试数据:
Figure GDA0002092674000000051
实施例2
按比例称量以下物质
ZnO、SiO2、Bi2O3、B2O3、Li2CO3、Na2CO3、K2CO3、CaO、BaO、SrO,各原料重量配比依次为30%,50%,7.4%,12%,0.1%,0.1%,0.1%,0.1%,0.1%,0.1%。混合均匀后在马弗炉中1200-1500℃的温度下保温0.7h后,拿出水淬,即得到玻璃渣,将所得玻璃渣在球磨机中球磨至粒径小于10μm,抽沥烘干即得到低熔点玻璃粉。
其中,所述二氧化钌粉平均粒径为2μm,比表面积40m2/g,纯度不小于99.9%。
其中,所述有机载体的制备原料包括松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、柠檬酸三丁酯、1,4-丁内酯、氢化蓖麻油、卵磷脂和乙基纤维素,各原料重百分比比依次为:40%、16%、39.8%、1%、1%、0.1%、0.1%和2%。
其中,所述有机载体的制备方法为:将各原料按照比例在60-80℃的温度下保温并搅拌混合均匀而成,有机载体的粘度调整为50-200Pa·s。
将低熔点玻璃粉、二氧化钌粉和有机载体按配比60%、20%和20%的比例混合,用三辊机反复轧制至细度小于10μm,得到铝基厚膜电路电阻浆料。
用丝网在金属铝基板介质层上印刷成膜,在空气气氛中烧结,烧结分为3个阶段:
第一阶段为:120℃-200℃保温10min;
第二阶段为:400℃-470℃保温10min;
第三阶段为:烧结的峰值温度为500℃-600℃,保温20min,随炉冷却后即得到铝基厚膜电阻,并将浆料的粘度调整为80-200Pa.s。
实施例3
按比例称量以下物质
ZnO、SiO2、Bi2O3、B2O3、Li2CO3、Na2CO3、K2CO3、CaO、BaO、SrO,各原料重量配比依次为20%,36%,5%,5%,10%,10%,5%,3%,3%,3%。混合均匀后在马弗炉中1200-1500℃的温度下保温0.3h后,拿出水淬,即得到玻璃渣,将所得玻璃渣在球磨机中球磨至粒径小于10μm,抽沥烘干即得到低熔点玻璃粉。
其中,所述二氧化钌粉平均粒径为0.5μm,比表面积45m2/g,纯度不小于99.9%。
其中,所述有机载体的制备原料包括松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、柠檬酸三丁酯、1,4-丁内酯、氢化蓖麻油、卵磷脂和乙基纤维素,各原料重百分比比依次为:20%、24%、20%、10%、10%、3%、3%和10%。
其中,所述有机载体的制备方法为:将各原料按照比例在60-80℃的温度下保温并搅拌混合均匀而成,有机载体的粘度调整为50-200Pa·s。
将低熔点玻璃粉、二氧化钌粉和有机载体按配比70%、10%和20%的比例混合,用三辊机反复轧制至细度小于10μm,得到铝基厚膜电路电阻浆料。
用丝网在金属铝基板介质层上印刷成膜,在空气气氛中烧结,烧结分为3个阶段:
第一阶段为:120℃-200℃保温20min;
第二阶段为:400℃-470℃保温20min;
第三阶段为:烧结的峰值温度为500℃-600℃,保温20min,随炉冷却后即得到铝基厚膜电阻,并将浆料的粘度调整为80-200Pa.s。
实施例4
按比例称量以下物质
ZnO、SiO2、Bi2O3、B2O3、Li2CO3、Na2CO3、K2CO3、CaO、BaO、SrO,各原料重量配比依次为18%,50%,2%,10%,5%,5%,3%,2%,2%,3%。混合均匀后在马弗炉中1200-1500℃的温度下保温0.6h后,拿出水淬,即得到玻璃渣,将所得玻璃渣在球磨机中球磨至粒径小于10μm,抽沥烘干即得到低熔点玻璃粉。
其中,所述二氧化钌粉平均粒径为0.3μm,比表面积44m2/g,纯度不小于99.9%。
其中,所述有机载体的制备原料包括松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、柠檬酸三丁酯、1,4-丁内酯、氢化蓖麻油、卵磷脂和乙基纤维素,各原料重百分比比依次为:40%、20%、20%、5%、5%、2%、2%和6%。
其中,所述有机载体的制备方法为:将各原料按照比例在60-80℃的温度下保温并搅拌混合均匀而成,有机载体的粘度调整为50-200Pa·s。
将低熔点玻璃粉、二氧化钌粉和有机载体按配比40%、30%和30%的比例混合,用三辊机反复轧制至细度小于10μm,得到铝基厚膜电路电阻浆料。
用丝网在金属铝基板介质层上印刷成膜,在空气气氛中烧结,烧结分为3个阶段:
第一阶段为:120℃-200℃保温14min;
第二阶段为:400℃-470℃保温17min;
第三阶段为:烧结的峰值温度为500℃-600℃,保温16min,随炉冷却后即得到铝基厚膜电阻,并将浆料的粘度调整为80-200Pa.s。
实施例5
按比例称量以下物质
ZnO、SiO2、Bi2O3、B2O3、Li2CO3、Na2CO3、K2CO3、CaO、BaO、SrO,各原料重量配比依次为30%,37%,3%,9%,7%,3%,4%,3%,3%,1%。混合均匀后在马弗炉中1200-1500℃的温度下保温0.6h后,拿出水淬,即得到玻璃渣,将所得玻璃渣在球磨机中球磨至粒径小于10μm,抽沥烘干即得到低熔点玻璃粉。
其中,所述二氧化钌粉平均粒径为1μm,比表面积42m2/g,纯度不小于99.9%。
其中,所述有机载体的制备原料包括松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、柠檬酸三丁酯、1,4-丁内酯、氢化蓖麻油、卵磷脂和乙基纤维素,各原料重百分比比依次为:20%、25%、40%、6%、6%、3%、2%和7%。
其中,所述有机载体的制备方法为:将各原料按照比例在60-80℃的温度下保温并搅拌混合均匀而成,有机载体的粘度调整为50-200Pa·s。
将低熔点玻璃粉、二氧化钌粉和有机载体按配比50%、30%和20%的比例混合,用三辊机反复轧制至细度小于10μm,得到铝基厚膜电路电阻浆料。
用丝网在金属铝基板介质层上印刷成膜,在空气气氛中烧结,烧结分为3个阶段:
第一阶段为:120℃-200℃保温12min;
第二阶段为:400℃-470℃保温11min;
第三阶段为:烧结的峰值温度为500℃-600℃,保温13min,随炉冷却后即得到铝基厚膜电阻,并将浆料的粘度调整为80-200Pa.s。
上述实施例为本发明较佳的实现方案,除此之外,本发明还可以其它方式实现,在不脱离本发明构思的前提下任何显而易见的替换均在本发明的保护范围之内。

Claims (1)

1.一种铝基厚膜电阻的制备方法,其特征在于:将铝基材厚膜电路电阻浆料印刷在铝基材介质层上,在空气气氛中烧结,烧结分为3个阶段:
第一阶段为:120℃-200℃保温10min-20min;
第二阶段为:400℃-470℃保温10min-20min;
第三阶段为:烧结的峰值温度为500℃-600℃,保温10min-20min,随炉冷却后即得到铝基厚膜电阻;
所述铝基材厚膜电路电阻浆料包括如下重量份的原料:
低熔点玻璃粉 30-70%
二氧化钌粉 10-40%
有机载体 5-30%;
所述低熔点玻璃粉的熔点<600℃,膨胀系数大于160*10-7/℃;
所述低熔点玻璃粉包括如下重量百分比的成分:
ZnO 20%
SiO2 35%
Bi2O3 4%
B2O3 7%
Li2CO3 5%
Na2CO3 7%
K2CO3 4%
CaO 3%
BaO 7%
SrO 8%;
所述低熔点玻璃粉的制备方法为:取各氧化物按照比例进行混合后在1200-1500℃的温度下保温0.3-0.7h,水淬、球磨、烘干,即得到所述低熔点玻璃粉;
所述二氧化钌粉平均粒径小于3μm,比表面积30-50m2/g,纯度不小于99.9%;
所述有机载体的制备原料包括松油醇、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、柠檬酸三丁酯、1,4-丁内酯、氢化蓖麻油、卵磷脂和乙基纤维素,各原料重百分比比依次为:20-40%、16-40%、20-40%、1-10%、1-10%、0-3%、0-3%和2-10%;
所述有机载体的制备方法为:将各原料按照比例在60-80℃的温度下保温并搅拌混合均匀而成,有机载体的粘度调整为50-200Pa·s;
铝基材厚膜电路电阻浆料的制备方法:将低熔点玻璃粉、二氧化钌粉和有机载体按配比混合置于三辊机研磨轧制,得到电阻浆料,并将浆料的粘度调整为80-200Pa.s。
CN201910361942.5A 2019-04-30 2019-04-30 一种铝基材厚膜电路电阻浆料和铝基厚膜电阻及制备方法 Active CN110085345B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910361942.5A CN110085345B (zh) 2019-04-30 2019-04-30 一种铝基材厚膜电路电阻浆料和铝基厚膜电阻及制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910361942.5A CN110085345B (zh) 2019-04-30 2019-04-30 一种铝基材厚膜电路电阻浆料和铝基厚膜电阻及制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110085345A CN110085345A (zh) 2019-08-02
CN110085345B true CN110085345B (zh) 2021-02-02

Family

ID=67418288

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910361942.5A Active CN110085345B (zh) 2019-04-30 2019-04-30 一种铝基材厚膜电路电阻浆料和铝基厚膜电阻及制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110085345B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112086254B (zh) * 2020-08-12 2021-12-21 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 一种环境友好型厚膜电阻浆料
CN113053560B (zh) * 2021-06-01 2021-09-03 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 一种高性能厚膜电阻器用电阻浆料
CN113643840B (zh) * 2021-10-13 2022-03-11 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 同时适用于氧化铝陶瓷基板和隔离介质层的厚膜电阻浆料
CN116189956A (zh) * 2023-03-17 2023-05-30 杭州麦乐克科技股份有限公司 一种无铅超高阻浆料及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3637530A (en) * 1970-02-10 1972-01-25 Johnson Matthey Co Ltd Resistor composition
CN202918520U (zh) * 2012-06-28 2013-05-01 湖南利德电子浆料有限公司 一种新型的铝基板厚膜加热元件
CN106601331A (zh) * 2016-10-25 2017-04-26 东莞珂洛赫慕电子材料科技有限公司 一种具有低tcr值的高温无铅钌浆及其制备方法
CN106782942A (zh) * 2016-12-19 2017-05-31 东莞珂洛赫慕电子材料科技有限公司 一种铝基绝缘介质浆料及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3637530A (en) * 1970-02-10 1972-01-25 Johnson Matthey Co Ltd Resistor composition
CN202918520U (zh) * 2012-06-28 2013-05-01 湖南利德电子浆料有限公司 一种新型的铝基板厚膜加热元件
CN106601331A (zh) * 2016-10-25 2017-04-26 东莞珂洛赫慕电子材料科技有限公司 一种具有低tcr值的高温无铅钌浆及其制备方法
CN106782942A (zh) * 2016-12-19 2017-05-31 东莞珂洛赫慕电子材料科技有限公司 一种铝基绝缘介质浆料及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110085345A (zh) 2019-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110085345B (zh) 一种铝基材厚膜电路电阻浆料和铝基厚膜电阻及制备方法
KR100798258B1 (ko) 알루미늄 후막 조성물(들), 전극(들), 반도체 장치(들) 및이들의 제조 방법
CN102158993B (zh) 高温铝合金基稀土厚膜电路电热元件及其制备技术
CN100499940C (zh) 基于金属基板的稀土厚膜电路稀土电极浆料及其制备工艺
CN102685942A (zh) 一种ptc稀土厚膜电路智能电热元件及其制备方法
WO2008014679A1 (fr) Pâte moyenne lanthanidique pour circuit à couche épaisse lanthanidique sur substrat métallique et son procédé de production
JPH107435A (ja) ガラスセラミック配線基板およびその製造方法
CN101217067B (zh) Ptc热敏电阻器用无铅铝电极浆料及其制备方法
CN105176103A (zh) 一种用于铝基板厚膜电路绝缘介质浆料及其制备方法
CN109461514B (zh) 一种导电相复合物、厚膜电阻浆料及其制备方法
CN106128548B (zh) 一种高电热转化率的电阻浆料
CN111063477B (zh) 一种不锈钢基板厚膜电路绝缘介质浆料及其制备方法
JP2008108716A (ja) 低温焼成用導電性ペースト組成物
CN105825910A (zh) 一种大功率低温度系数厚膜加热元件电阻浆料及其制备方法
CN108682478B (zh) 一种复合氧化物微晶玻璃、绝缘介质浆料及其制备方法和应用
CN107068244A (zh) 一种应用于铝基板厚膜电路的绝缘介质浆料及其制备方法
CN106653145A (zh) 一种中高温厚膜电路导体浆料及其制备方法
CN105161159B (zh) 一种导电膏及其制成的陶瓷基板
CN104992744A (zh) 一种用于不锈钢基板的厚膜电路电阻浆料及其制备方法
CN114283961B (zh) 一种高温电阻浆料及其制备方法与应用
CN113793716B (zh) 一种低电压系数电阻浆料
CN113707359B (zh) 一种电极膏和导电厚膜及其制备方法
CN115019999A (zh) 一种耐高温铂包镍导电浆料及其制备方法
CN113782251A (zh) 一种电极膏体和电极厚膜及其制备方法
CN113345622A (zh) 一种陶瓷基材rfid专用高温烧结银浆及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant