CN109461514B - 一种导电相复合物、厚膜电阻浆料及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种导电相复合物、厚膜电阻浆料及其制备方法,属于厚膜电路技术领域。本发明厚膜电阻浆料,包括质量百分比为25‑80%、4.3‑57%和9.8‑46.2%的Ag2SnO3‑NiSb2O4导电相复合物、微晶玻璃粘结剂和有机载体,其中导电相复合物中Ag2SnO3与NiSb2O4的质量百分比为50‑85%和15‑50%,该导电复合物具有良好的导电性能且生产成本和使用成本较低。厚膜电阻浆料的制备方法简单,条件易控,适合规模化生产。
Description
技术领域
本发明涉及一种导电相复合物、厚膜电阻浆料及其制备方法,属于厚膜电路技术领域。
背景技术
随着经济的快速发展和人民生活水平的提高,家用电器以及石油、化工、冶金、汽车、国防工业等对电热产品的需求迅速增加,电热元件的市场越来越大。厚膜技术是指把浆料通过丝网印刷或者喷涂的方式在基板上制成所需图形,再经过烧结制成厚膜元件或者集成电路。厚膜电热元件是指采用丝网印刷或者喷涂的技术,在基板上将发热材料制成厚膜,进行通电发热的发热元件。
传统的厚膜电热元件的基板主要是陶瓷基板和不锈钢基板。陶瓷基板的热阻大,传热效率低,不适合大功率急热式厚膜电热元件的要求。不锈钢基板具有机械性能好、抗冲击性能强的优势,但其升温速率慢、密度大导致电热元件笨重等缺点,限制了厚膜电热元件的进一步应用。而金属铝基板具有重量轻、导热性能好,易于加工等优点,非常适合作为新型大功率电热厚膜电路的基板使用。
生产厚膜电热元件的关键材料是电阻浆料,电阻浆料里的功能相即导电相,多以贵金属银、钯、钌为主,这些贵金属价格昂贵,导致电阻浆料成本居高不下,随着贵金属价格的日益升高以及贵金属浆料本身在应用中的一些缺陷被发现,研发贱金属浆料已经成为市场的迫切要求。
在贵金属浆料中以银导体浆料的使用最为广泛,银的价格在贵金属中属于较为便宜的金属,银的导电性在所有金属中最低,银的氧化速度慢,形成的氧化物也能导电。除银金属以外,其他的一些贱金属如铜、镓、铟、锑等的复合物和氧化物由于具有较好的导电性能,也开始被开发应用于制备电阻浆料。使用贱金属复合物和氧化物为功能相主要成分的电阻浆料与目前市场上广泛使用的贵金属电阻浆料相比有着绝对的价格优势,大大降低了该类产品生产成本和使用成本,具有广阔的市场前景。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术中存在的上述问题,提供了一种由价格较低的贱金属组成的导电相复合物、以该导电相复合物为主要成分的厚膜电阻浆料及其制备方法。
本发明的上述目的可以通过下列技术方案来实现:一种导电相复合物,该导电相复合物的组成为Ag2SnO3-NiSb2O4。
本发明以Ag2SnO3-NiSb2O4复合物作为导电相,一方面复合物中的银、锡、镍、锑作为贱金属与现有技术中采用的贵金属相比具有绝对的价格优势;另一方面Ag2SnO3的电阻较小,而NiSb2O4的电阻较大,二者复合使用具有良好的导电性能,满足铝基板复合厚膜电阻浆料对导电相的要求。
作为优选,Ag2SnO3与NiSb2O4的质量百分比为50-85%和15-50%。
本发明的第二个目的在于提供一种厚膜电阻浆料,包括质量百分比为25-80%、4.3-57%和9.8-46.2%的Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物、微晶玻璃粘结剂和有机载体。
作为优选,所述Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物的制备方法包括以下步骤:
S1:称取质量百分比为60%的Ag2O粉末和40%的SnO2粉末,充分混合均匀,于氧气气氛中加热至600-1200℃,保温2-4小时,停止加热,继续通入氧气,随炉冷却至室温,得到Ag2SnO3固体;
S2:称取质量百分比为24%的Ni(OH)2粉末和76%Sb2O3粉末,充分混合均匀,于氮气气氛中加热至500-1000℃,保温24-120小时,停止加热,继续通入氮气,随炉冷却至室温,得到NiSb2O4固体;
S3:按质量百分比50-85%和15-50%分别称取制备的Ag2SnO3固体和NiSb2O4固体,用球磨机将混合物球磨至平均粒径不超过1.5微米,得到Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物粉末。
作为优选,所述微晶玻璃粘结剂为由质量百分比为11-53%、1.8-26.5%、2-33%、10-54%、1.8-23%、6-41%、0.6-16%的SiO2、Al2O3、B2O3、BaO、K2O、Bi2O3、ZrO2的微晶玻璃粉体组成。
进一步优选,所述微晶玻璃粘结剂的制备方法为:按质量百分比11-53%、1.8-26.5%、2-33%、10-54%、1.8-23%、6-41%、0.6-16%分别称取SiO2、Al2O3、B2O3、BaO、K2O、Bi2O3、ZrO2,充分混合,置于电炉中,于空气气氛下加热至1000-1400℃,保温2-8小时,停止加热,水淬,用球磨机将固体球磨到平均粒径不超过3微米,得到微晶玻璃粘结剂粉末。
作为优选,所述有机载体由质量百分比为56-92%、0.9-21%、0.8-9%、1.8-12.8%、1.8-12.8%、0.4-5%的松油醇、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素、司班85、1,4-丁内酯、氢化蓖麻油组成。
本发明的另一个目的在于提供一种上述厚膜电阻浆料的制备方法,按质量百分比25-80%、4.3-57%和9.8-46.2%分别称取Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物、微晶玻璃粘结剂和有机载体,先将Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物与微晶玻璃粘结剂充分混合,再与有机载体充分搅拌混合均匀,然后用三辊轧机反复进行轧制,得到用于铝基板的厚膜电阻浆料。
作为优选,所述厚膜电阻浆料的粘度范围为100-300Pa.s。该粘度范围内的电阻浆料更有利于丝网印刷成均匀的铝基板电路。
与现有技术相比,本发明具有如下优点:
1.本发明以Ag2SnO3-NiSb2O4作为复合厚膜电阻浆料的导电相,其不仅具有良好的导电性能,且与现有技术中采用钯、钌等贵金属相比还大大降低了电阻浆料的生产成本和使用成本。
2.本发明电阻浆料的制备方法简单,条件易控,适合规模化生产。
具体实施方式
以下是本发明的具体实施例,并说明对本发明的技术方案作进一步的描述,但本发明并不限于这些实施例。
实施例1
一种复合厚膜电阻浆料,包括质量百分比55%、30%和15%的Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物、微晶玻璃粘结剂和有机载体;
导电相复合物中Ag2SnO3与NiSb2O4的质量百分比为65%和35%;
微晶玻璃粘结剂由质量百分比为20%、8%、12%、24%、7%、20%、9%的SiO2、Al2O3、B2O3、BaO、K2O、Bi2O3、ZrO2微晶玻璃粉体组成;
有机载体由质量百分比为75%、8%、3%、6%、5%、3%的松油醇、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素、司班85、1,4-丁内酯、氢化蓖麻油组成。
实施例2
与实施例1的区别仅在于,复合厚膜电阻浆料包括质量百分比为25%、28.8%和46.2%的Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物、微晶玻璃粘结剂和有机载体;
实施例3
与实施例1的区别仅在于,复合厚膜电阻浆料包括质量百分比为80%、4.3%和15.7%的Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物、微晶玻璃粘结剂和有机载体;
实施例4
与实施例1的区别仅在于,导电相复合物中Ag2SnO3与NiSb2O4的质量百分比为50%和50%;
实施例5
与实施例1的区别仅在于,导电相复合物中Ag2SnO3与NiSb2O4的质量百分比为85%和15%;
实施例6
与实施例1的区别仅在于,导电相复合物中Ag2SnO3与NiSb2O4的质量百分比为45%和55%;
实施例7
与实施例1的区别仅在于,导电相复合物中Ag2SnO3与NiSb2O4的质量百分比为90%和10%;
实施例8
与实施例1的区别仅在于,微晶玻璃粘结剂由质量百分比为11%、26.5%、2%、10%、23%、11.5%、16%的SiO2、Al2O3、B2O3、BaO、K2O、Bi2O3、ZrO2微晶玻璃粉体组成;
实施例9
与实施例1的区别仅在于,微晶玻璃粘结剂由质量百分比为53%、1.8%、6.8%、30%、1.8%、6%、0.6%的SiO2、Al2O3、B2O3、BaO、K2O、Bi2O3、ZrO2微晶玻璃粉体组成;
实施例10
与实施例1的区别仅在于,有机载体由质量百分比为56%、21%、3.4%、12.8%、1.8%、5%的松油醇、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素、司班85、1,4-丁内酯、氢化蓖麻油组成。
实施例11
与实施例1的区别仅在于,有机载体由质量百分比为92%、0.9%、0.8%、1.8%、4.1%、0.4%的松油醇、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素、司班85、1,4-丁内酯、氢化蓖麻油组成。
实施例12
与实施例1的区别仅在于,Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物的制备方法包括以下步骤:
S1:称取质量百分比为60%的Ag2O粉末和40%的SnO2粉末,充分混合均匀,于氧气气氛中加热至600℃,保温2小时,停止加热,继续通入氧气,随炉冷却至室温,得到Ag2SnO3固体;
S2:称取质量百分比为24%的Ni(OH)2粉末和76%Sb2O3粉末,充分混合均匀,于氮气气氛中加热至500℃,保温24小时,停止加热,继续通入氮气,随炉冷却至室温,得到NiSb2O4固体;
S3:按质量比例分别称取制备的Ag2SnO3固体和NiSb2O4固体,用球磨机将混合物球磨至平均粒径不超过1.5微米,得到Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物粉末。
实施例13
与实施例1的区别仅在于,Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物的制备方法包括以下步骤:
S1:称取质量百分比为60%的Ag2O粉末和40%的SnO2粉末,充分混合均匀,于氧气气氛中加热至900℃,保温3小时,停止加热,继续通入氧气,随炉冷却至室温,得到Ag2SnO3固体;
S2:称取质量百分比为24%的Ni(OH)2粉末和76%Sb2O3粉末,充分混合均匀,于氮气气氛中加热至750℃,保温70小时,停止加热,继续通入氮气,随炉冷却至室温,得到NiSb2O4固体;
S3:按比例分别称取制备的Ag2SnO3固体和NiSb2O4固体,用球磨机将混合物球磨至平均粒径不超过1.5微米,得到Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物粉末。
实施例14
本实施例与实施例1的区别仅在于,Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物的制备方法包括以下步骤:
S1:称取质量百分比为60%的Ag2O粉末和40%的SnO2粉末,充分混合均匀,于氧气气氛中加热至1200℃,保温4小时,停止加热,继续通入氧气,随炉冷却至室温,得到Ag2SnO3固体;
S2:称取质量百分比为24%的Ni(OH)2粉末和76%Sb2O3粉末,充分混合均匀,于氮气气氛中加热至1000℃,保温120小时,停止加热,继续通入氮气,随炉冷却至室温,得到NiSb2O4固体;
S3:按比例百分比分别称取制备的Ag2SnO3固体和NiSb2O4固体,用球磨机将混合物球磨至平均粒径不超过1.5微米,得到Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物粉末。
实施例15
与实施例1的区别仅在于,微晶玻璃粘结剂的制备方法为:按比例分别称取SiO2、Al2O3、B2O3、BaO、K2O、Bi2O3、ZrO2,充分混合,置于电炉中,于空气气氛下加热至1000℃,保温2小时,停止加热,水淬,用球磨机将固体球磨到平均粒径不超过3微米,得到微晶玻璃粘结剂粉末。
实施例16
与实施例1的区别仅在于,微晶玻璃粘结剂的制备方法为:按比例分别称取SiO2、Al2O3、B2O3、BaO、K2O、Bi2O3、ZrO2,充分混合,置于电炉中,于空气气氛下加热至1200℃,保温5小时,停止加热,水淬,用球磨机将固体球磨到平均粒径不超过3微米,得到微晶玻璃粘结剂粉末。
实施例17
与实施例1的区别仅在于,微晶玻璃粘结剂的制备方法为:按比例分别称取SiO2、Al2O3、B2O3、BaO、K2O、Bi2O3、ZrO2,充分混合,置于电炉中,于空气气氛下加热至1400℃,保温8小时,停止加热,水淬,用球磨机将固体球磨到平均粒径不超过3微米,得到微晶玻璃粘结剂粉末。
实施例18
与实施例1的区别仅在于,复合厚膜电阻浆料的制备方法为:按比例分别称取Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物、微晶玻璃粘结剂和有机载体,先将Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物与微晶玻璃粘结剂充分混合,再与有机载体充分搅拌混合均匀,然后用三辊轧机反复进行轧制,得到用于铝基板的粘度为100Pa.s厚膜电阻浆料。
实施例19
与实施例1的区别仅在于,与实施例1的区别仅在于,复合厚膜电阻浆料的制备方法为:按比例分别称取Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物、微晶玻璃粘结剂和有机载体,先将Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物与微晶玻璃粘结剂充分混合,再与有机载体充分搅拌混合均匀,然后用三辊轧机反复进行轧制,得到用于铝基板的粘度为200Pa.s厚膜电阻浆料。
实施例20
与实施例1的区别仅在于,与实施例1的区别仅在于,复合厚膜电阻浆料的制备方法为:按比例分别称取Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物、微晶玻璃粘结剂和有机载体,先将Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物与微晶玻璃粘结剂充分混合,再与有机载体充分搅拌混合均匀,然后用三辊轧机反复进行轧制,得到用于铝基板的粘度为300Pa.s厚膜电阻浆料。
对比例1
现有技术中用于不锈钢基板的贵金属厚膜电阻浆料。
将实施例1-20与对比例1的厚膜电阻浆料进行性能测试,测试结果如表1所示。
表1:实施例1-20与对比例1的厚膜电阻浆料的性能测试结果
综上所述,本发明导电相Ag2SnO3-NiSb2O4与其他浆料组分协同作用使得浆料具有良好的导电相能,且方阻较小,同时与现有技术中采用贵金属作为导电相相比,成本大大降低,具有广阔的应用前景。
本处实施例对本发明要求保护的技术范围中点值未穷尽之处以及在实施例技术方案中对单个或者多个技术特征的同等替换所形成的新的技术方案,同样都在本发明要求保护的范围内,并且本发明方案所有涉及的参数间如未特别说明,则相互之间不存在不可替换的唯一性组合。
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种修改或补充或采用类似的方式替代,但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
尽管对本发明已作出了详细的说明并引证了一些具体实施例,但是对本领域熟练技术人员来说,只要不离开本发明的精神和范围可作各种变化或修正是显然的。
Claims (5)
1.一种基于铝基板的厚膜电阻浆料,其特征在于,包括质量百分比为25-80%、4.3-57%和9.8-46.2%的Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物、微晶玻璃粘结剂和有机载体;所述导电相复合物Ag2SnO3-NiSb2O4中Ag2SnO3与NiSb2O4的质量百分比为50-85%和15-50%;
所述Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物的制备方法包括以下步骤:S1:称取质量百分比为60%的Ag2O粉末和40%的SnO2粉末,充分混合均匀,于氧气气氛中加热至600-1200℃,保温2-4小时,停止加热,继续通入氧气,随炉冷却至室温,得到Ag2SnO3固体;S2:称取质量百分比为24%的Ni(OH)2粉末和76%Sb2O3粉末,充分混合均匀,于氮气气氛中加热至500-1000℃,保温24-120小时,停止加热,继续通入氮气,随炉冷却至室温,得到NiSb2O4固体;S3:按质量百分比50-85%和15-50%分别称取制备的Ag2SnO3固体和NiSb2O4固体,用球磨机将混合物球磨至平均粒径不超过1.5微米,得到Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物粉末;
所述的厚膜电阻浆料的制备方法,其特征在于,按质量百分比25-80%、4.3-57%和9.8-46.2%分别称取Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物、微晶玻璃粘结剂和有机载体,先将Ag2SnO3-NiSb2O4导电相复合物与微晶玻璃粘结剂充分混合,再与有机载体充分搅拌混合均匀,然后用三辊轧机反复进行轧制,得到用于铝基板的厚膜电阻浆料。
2.根据权利要求1所述的厚膜电阻浆料,其特征在于,所述微晶玻璃粘结剂由质量百分比为11-53%、1.8-26.5%、2-33%、10-54%、1.8-23%、6-41%、0.6-16%的SiO2、Al2O3、B2O3、BaO、K2O、Bi2O3、ZrO2微晶玻璃粉体组成。
3.根据权利要求1或2所述的厚膜电阻浆料,其特征在于,所述微晶玻璃粘结剂的制备方法为:按质量百分比11-53%、1.8-26.5%、2-33%、10-54%、1.8-23%、6-41%、0.6-16%分别称取SiO2、Al2O3、B2O3、BaO、K2O、Bi2O3、ZrO2,充分混合,置于电炉中,于空气气氛下加热至1000-1400℃,保温2-8小时,停止加热,水淬,用球磨机将固体球磨到平均粒径不超过3微米,得到微晶玻璃粘结剂粉末。
4.根据权利要求1所述的厚膜电阻浆料,其特征在于,所述有机载体由质量百分比为56-92%、0.9-21%、0.8-9%、1.8-12.8%、1.8-12.8%、0.4-5%的松油醇、柠檬酸三丁酯、乙基纤维素、司班85、1,4-丁内酯、氢化蓖麻油组成。
5.根据权利要求1所述的厚膜电阻浆料,其特征在于,所述厚膜电阻浆料的粘度范围为100-300Pa.s。
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