CN112847862A - 一种适用于单晶小硅块的切割方法 - Google Patents

一种适用于单晶小硅块的切割方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种适用于单晶小硅块的切割方法，先将至少两个单晶小硅块拼接成单晶大硅块，再将单晶大硅块粘贴在工件板上进行切割得到硅片，其特征在于：所述单晶大硅块和所述工件板之间设置有胶带。本发明的单晶小硅块的切割方法，利用有机硅压敏胶带将拼接后的单晶小硅块之间的缝隙同工件板之间隔离开，防止粘棒胶渗入拼接后的单晶小硅块的缝隙中，切割完成后厚片与厚片之间不存在残胶粘连。本发明的单晶小硅块的切割方法，提高了厚片回收利用率，减少了硅料损失。

Description

一种适用于单晶小硅块的切割方法
技术领域
本发明涉及单晶小硅块切割领域，尤其涉及一种适用于单晶小硅块的切割方法。
背景技术
目前单晶小硅块采用并排双拼的方式拼成大硅块，再将大硅块通过粘棒胶将其粘贴在工件板上进行切割，切割时线网采用分线网的方式，因此切割后相邻两个单晶小硅块的缝隙两侧之间会产生两片厚片。由于粘棒胶会存在于硅块缝隙中，导致切割后每两片厚片之间呈粘连状态，厚片上残留胶的部分硅料只能截断后作为废硅料。
发明内容
发明目的：本发明提出一种适用于单晶小硅块的切割方法，能够减少硅料损失。
技术方案：本发明所采用的技术方案如下：
一种适用于单晶小硅块的切割方法，先将至少两个单晶小硅块拼接成单晶大硅块，再将单晶大硅块粘贴在工件板上进行切割得到硅片，所述单晶大硅块和所述工件板之间设置有胶带。
优选的，所述胶带设置在相邻两个单晶小硅块之间的拼接缝区域。
优选的，所述胶带为压敏胶带。
优选的，所述压敏胶带为有机硅压敏胶带。
优选的，所述有机硅压敏胶带的材质选自PI、PP、PET、PVDF和PE中的一种。
优选的，所述有机硅压敏胶带的宽度为2~10mm，厚度为0.03~0.1mm。
优选的，采用分线网切割方式对所述单晶大硅块进行切割，得到硅片以及位于拼接缝两侧的厚片。
优选的，在切割完成之后，还包括对硅片和厚片进行脱胶清洗，撕掉所述厚片表面残留的胶带，回收厚片。
优选的，一种适用于单晶小硅块的切割方法，包括如下步骤：
（1）获取单晶小硅块；
（2）拼接单晶小硅块：将至少两个单晶小硅块沿厚度方向拼接形成单晶大硅块，且各个单晶小硅块的长度方向与切片方向平行；
（3）设置胶带：在相邻两个单晶小硅块的宽度之间的拼接缝区域粘贴有机硅压敏胶带；
（4）粘棒切片：利用粘棒胶将单晶大硅块中粘贴有有机硅压敏胶带的一面粘贴在工件板上；采用分线网切割方式对单晶大硅块进行切割，得到硅片和位于拼接缝两侧的厚片；
（5）脱胶清洗：对硅片和厚片进行脱胶清洗，所得硅片正常使用；撕掉厚片表面残留的有机硅压敏胶带，所得厚片回收利用。
优选的，一种适用于单晶小硅块的切割方法，包括如下步骤：
（1）获取单晶小硅块；
（2）拼接单晶小硅块：先将至少两个单晶小硅块沿厚度方向拼接形成单晶大硅块，再将两个单晶大硅块进行并排双拼，且各个单晶小硅块的长度方向与切片方向平行；
（3）设置胶带：在相邻两个单晶小硅块的宽度和厚度之间的拼接缝区域粘贴有机硅压敏胶带；
（4）粘棒切片：利用粘棒胶将并排双拼的两个单晶大硅块中粘贴有有机硅压敏胶带的一面粘贴在工件板上；采用分线网切割方式对单晶大硅块进行切割，得到硅片和位于拼接缝两侧的厚片；
（5）脱胶清洗：对硅片和厚片进行脱胶清洗，所得硅片正常使用；撕掉厚片表面残留的有机硅压敏胶带，所得厚片回收利用。
有益效果：与现有技术相比，本发明具有以下优点：
本发明的单晶小硅块的切割方法，利用有机硅压敏胶带将拼接后的单晶小硅块之间的缝隙同工件板之间隔离开，防止粘棒胶渗入拼接后的单晶小硅块的缝隙中，切割完成后厚片与厚片之间不存在残胶粘连。
本发明的单晶小硅块的切割方法，提高了厚片回收利用率，减少了硅料损失。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明的技术方案作进一步的说明。
实施例1
一种单晶小硅块的切割方法，先将至少两个单晶小硅块拼接成单晶大硅块，再将单晶大硅块粘贴在工件板上进行切割得到硅片，单晶大硅块和工件板之间设置有胶带；
具体的，包括如下步骤：
（1）获取单晶小硅块：对单晶硅棒的边皮料或单晶硅棒的头尾料进行切割，获得长方体状单晶小硅块，单晶小硅块包括长度、宽度和厚度；
（2）拼接单晶小硅块：将至少两个单晶小硅块沿厚度方向拼接形成单晶大硅块，且各个单晶小硅块的长度方向与切片方向平行；
（3）设置胶带：在相邻两个单晶小硅块的宽度之间的拼接缝粘贴宽度3mm、厚度0.1mm的PI有机硅压敏胶带，并在拼接缝的边缘处预留一定的长度，对拼接缝及拼接缝边缘进行无缝保护，该胶带在切割时不会因为温度过高而融化脱落，而且切割完成后易于去除，不会在硅片表面留有残胶；
（4）粘棒切片：利用粘棒胶将单晶大硅块中粘贴有有机硅压敏胶带的一面粘贴在工件板上；采用分线网切割方式对单晶大硅块进行切割，得到硅片和位于拼接缝两侧的厚片；
（5）脱胶清洗：对硅片和厚片进行脱胶清洗，所得硅片正常使用；撕掉厚片表面残留的有机硅压敏胶带，所得厚片进行回收利用。
本实施例采用28块单晶小硅块单排拼接成单晶大硅块，切割完成后形成的单片厚片重量平均约75g。
实施例2
一种单晶小硅块的切割方法，先将至少两个单晶小硅块拼接成单晶大硅块，再将单晶大硅块粘贴在工件板上进行切割得到硅片，单晶大硅块和工件板之间设置有胶带；
具体的，包括如下步骤：
（1）获取单晶小硅块；
（2）拼接单晶小硅块：先将至少两个单晶小硅块沿厚度方向拼接形成单晶大硅块，再将两个单晶大硅块进行并排双拼，且各个单晶小硅块的长度方向与切片方向平行；
（3）设置胶带：在相邻两个单晶小硅块的宽度之间的拼接缝粘贴宽度3mm、厚度0.1mm的PET有机硅压敏胶带，在相邻两个单晶小硅块的厚度之间的拼接缝粘贴宽度5mm、厚度0.03mm的PET有机硅压敏胶带，并在拼接缝的边缘处预留一定的长度，对拼接缝及拼接缝边缘进行无缝保护，该胶带在切割时不会因为温度过高而融化脱落，而且切割完成后易于去除，不会在硅片表面留有残胶；
（4）粘棒切片：利用粘棒胶将单晶大硅块中粘贴有有机硅压敏胶带的一面粘贴在工件板上；采用分线网切割方式对单晶大硅块进行切割，得到硅片和位于拼接缝两侧的厚片；
（5）脱胶清洗：对硅片和厚片进行脱胶清洗，所得硅片正常使用；撕掉厚片表面残留的有机硅压敏胶带，所得厚片进行回收利用。
本实施例采用28块单晶小硅块单排拼接成单晶大硅块，再将两个单晶大硅块并排双拼，也就是56块单晶小硅块并排双拼，切割完成后形成的单片厚片重量平均约75g。
对比例1
采用现有工艺对单晶小硅块进行切割，先将28块单晶小硅块拼接成单晶大硅块，且各个单晶小硅块的长度方向与切片方向平行；再利用粘棒胶将单晶大硅块粘贴在工件板上，同样采用分线网切割方式进行切割，得到硅片和位于拼接缝两侧的厚片，单片厚片重量平均约75g。
由于单晶小硅块与单晶小硅块的拼接缝渗入有粘棒胶，因此导致厚片呈粘连状态，通过正常的脱胶清洗工艺去除不了厚片之间的粘棒胶，将此厚片带胶部分截断约15%并以废料处理。
对比例2
同对比例1，不同的是单晶小硅块的数量，将将28块单晶小硅块拼接成单晶大硅块，再将两个单晶大硅块进行并排双拼，也就是56块单晶小硅块并排双拼，切割完成后形成的单片厚片重量平均约75g。
统计实施例1-2和对比例1-2最终获得的有效硅料重量，具体数据见表1。
表1 实施例1-2和对比例1-2最终获得的有效硅料重量
[0001] 拼接方式 [0002] 实施例1 [0003] 实施例2 [0004] 对比例1 [0005] 对比例2
[0006] 单排拼接 [0007] 4050g [0008] / [0009] 3443g [0010] /
[0011] 并排双拼 [0012] / [0013] 8100g [0014] / [0015] 6885g
由表1可以看出，本发明的单晶小硅块的切割方法，切割完成后获得的有效硅料比例提高了约17%，提高了厚片利用率，减少了硅料损失。而且本发明操作简单，易于实现和产业化推广。

Claims (10)

1.一种适用于单晶小硅块的切割方法，先将至少两个单晶小硅块拼接成单晶大硅块，再将单晶大硅块粘贴在工件板上进行切割得到硅片，其特征在于：所述单晶大硅块和所述工件板之间设置有胶带。
2.根据权利要求1所述的一种适用于单晶小硅块的切割方法，其特征在于：所述胶带设置在相邻两个单晶小硅块之间的拼接缝区域。
3.根据权利要求1或2所述的一种适用于单晶小硅块的切割方法，其特征在于：所述胶带为压敏胶带。
4.根据权利要求3所述的一种适用于单晶小硅块的切割方法，其特征在于：所述压敏胶带为有机硅压敏胶带。
5.根据权利要求4所述的一种适用于单晶小硅块的切割方法，其特征在于：所述有机硅压敏胶带的材质选自PI、PP、PET、PVDF和PE中的一种。
6.根据权利要求3所述的一种适用于单晶小硅块的切割方法，其特征在于：所述有机硅压敏胶带的宽度为2~10mm，厚度为0.03~0.1mm。
7.根据权利要求3所述的一种适用于单晶小硅块的切割方法，其特征在于：采用分线网切割方式对所述单晶大硅块进行切割，得到硅片以及位于拼接缝两侧的厚片。
8.根据权利要求6所述的一种适用于单晶小硅块的切割方法，其特征在于：在切割完成之后，还包括对硅片和厚片进行脱胶清洗，撕掉所述厚片表面残留的胶带，回收厚片。
9.根据权利要求1所述的一种适用于单晶小硅块的切割方法，其特征在于：包括如下步骤：
（1）获取单晶小硅块；
（2）拼接单晶小硅块：将至少两个单晶小硅块沿厚度方向拼接形成单晶大硅块，且各个单晶小硅块的长度方向与切片方向平行；
（3）设置胶带：在相邻两个单晶小硅块的宽度之间的拼接缝区域粘贴有机硅压敏胶带；
（4）粘棒切片：利用粘棒胶将单晶大硅块中粘贴有有机硅压敏胶带的一面粘贴在工件板上；采用分线网切割方式对单晶大硅块进行切割，得到硅片和位于拼接缝两侧的厚片；
（5）脱胶清洗：对硅片和厚片进行脱胶清洗，所得硅片正常使用；撕掉厚片表面残留的有机硅压敏胶带，所得厚片回收利用。
10.根据权利要求1所述的一种适用于单晶小硅块的切割方法，其特征在于：包括如下步骤：
（1）获取单晶小硅块；
（2）拼接单晶小硅块：先将至少两个单晶小硅块沿厚度方向拼接形成单晶大硅块，再将两个单晶大硅块进行并排双拼，且各个单晶小硅块的长度方向与切片方向平行；
（3）设置胶带：在相邻两个单晶小硅块的宽度和厚度之间的拼接缝区域粘贴有机硅压敏胶带；
（4）粘棒切片：利用粘棒胶将并排双拼的两个单晶大硅块中粘贴有有机硅压敏胶带的一面粘贴在工件板上；采用分线网切割方式对单晶大硅块进行切割，得到硅片和位于拼接缝两侧的厚片；
（5）脱胶清洗：对硅片和厚片进行脱胶清洗，所得硅片正常使用；撕掉厚片表面残留的有机硅压敏胶带，所得厚片进回收利用。
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