CN112490134B - 一种双面osp工艺的封装基板加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种双面OSP工艺的封装基板加工方法，其方法步骤如下：步骤一：开料烤板；步骤二：减薄铜；步骤三：钻孔；步骤四：孔化和整板电铜；步骤五：线路图形显露；步骤六：光学检查；步骤七：防焊；步骤八：成型；步骤九:清洗，进一步烘干板面；步骤十：电测；步骤十一：OSP处理，具体包括以下步骤：除油、DI水洗、微蚀、水洗、预浸、水洗、吸干检查、OSP抗氧化处理、吸干、水洗、吹干烘干冷却；步骤十二：废板打镭射标识；步骤十三：清洗封装基板；步骤十四：真空包装，OSP抗氧化处理有效隔绝铜面氧化及提高焊接性能，同时表面清除方便，可使露出的干净铜表面在极短的时间内与熔融焊锡结合成为牢固的焊点。

Description

一种双面OSP工艺的封装基板加工方法
技术领域
本发明涉及一种双面OSP的封装基板结构制程方法，具体为封装基板表面铜的抗氧化处理，经过抗氧化处理，可以抵抗空气中的氧化，阻止湿气的腐蚀，延长它的可焊性，在IC封装焊接的过程中，保护铜抵抗高温冲击的一种双面OSP工艺的封装基板加工方法。
背景技术
所谓“封装技术”是一种将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术，封装对于芯片来说是必须的，也是至关重要的，因为芯片必须与外界隔离，防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降，封装技术的好坏直接影响到芯片自身性能的发挥何与之连接的封装基板的设计和制造，也是至关重要。
随着电子行业的不断发展，要求也越来越多，线路板的表面工艺也越来越多了，常用的有喷锡、沉金、OSP、沉银等等，为了保护焊接点铜面具有良好的焊锡性能而进行的一种OSP表面处理，OSP就是在洁净的裸铜表面上，以化学的方法长出一层有机皮膜。这层膜具有防氧化，耐热冲击，耐湿性，用以保护铜表面于常态环境中不再继续生锈(氧化或硫化等)；也就是说此层有机膜能够抵挡空气中湿气的攻击，能够经得起高温的考验，并保持良好的活性，易被助焊剂溶解与破块，可以保持良好的上锡能力，并且不会有残留，但在后续的焊接高温中，此种保护膜又必须很容易被助焊剂所迅速清除，如此方可使露出的干净铜表面得以在极短的时间内与熔融焊锡立即结合成为牢固的焊点。
发明内容
本发明的目的在于提供一种双面OSP工艺的封装基板加工方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种双面OSP工艺的封装基板加工方法，其方法步骤如下：
步骤一：开料烤板；
选取原材料为双面覆铜箔的基板，其中铜箔厚度均为一样厚度，基材厚度根据成品板厚设计需求选择芯板厚度；烤板温度为200-220℃，烤板时间为3-4小时高温烘烤；
步骤二：减薄铜；
进一步将原材料铜箔厚度降低至薄铜，两面铜厚要一致；
步骤三：钻孔；
钻孔程式通过钻孔机在覆铜基板上钻出相应的定位孔、管位孔、过孔等，实现层与层之间电路互联的通孔；钻咀从上铜箔高速钻到下铜箔形成通孔；
步骤四：孔化和整板电铜；
对钻孔后基板的孔壁形成一层有机导电膜，使上下面铜箔导电，为后续电铜提供基础附着层；再在封装基板的孔壁及表面电镀上一层铜层，铜厚的均匀性控制在4um以内；
步骤五：线路图形显露；
步骤六：光学检查；
进一步对线路蚀刻后的封装基板进行光学扫描检测线路开短路、曝光不良、显影不净、蚀刻不净、孔偏位等问题；
步骤七：防焊；
步骤八：成型；
按照铣板程式将防焊后的封装基板大板铣成条带尺寸；
步骤九:清洗；
将铣板后的封装基板清洗表面脏污杂质及氧化，进一步烘干板面；
步骤十：电测；
电测前先用AVI检测机扫描封装基板，检测品质问题，特别是铜面，油面问题，检测外观不良，电测封装基板板内开短路；
步骤十一：OSP处理，具体包括以下步骤：除油、DI水洗、微蚀、水洗、预浸、水洗、吸干检查、OSP抗氧化处理、吸干、水洗、吹干烘干冷却；
步骤十二：废板打镭射标识；
步骤十三：清洗封装基板；
步骤十四：真空包装。
作为本发明进一步的方案：电铜后的封装基板放入烤箱高温烘烤，去除板面湿气，消除封装基板内应力，烤板温度在150℃，高温烤板1小时；线路前中粗化压膜，酸洗板面脏污，粗化上下两面铜面粗糙度，提高铜面与干膜的结合力，干膜为感光干膜，自动压膜时温度在100-135℃，贴膜时间在2-3秒；线路曝光，采用DI曝光机用工程资料自动对位曝光，在封装基板上呈现线路图形，显影去除未曝光的干膜，蚀刻去掉未曝光部分的铜，并褪掉曝光部分的干膜，使线路图形完全显露出来。
作为本发明再进一步的方案：所述步骤七的具体操作为防焊作业前通过化学酸洗、机械磨刷和喷砂相结合的方法对线路后的铜面去除板面氧化和杂质，粗化铜面，清洁板面，提高防焊油墨与铜面的结合力；喷砂压力为1.2kg/cm2，经过超粗化液药水，加大铜面粗糙度，提高铜面与油墨层的结合力，在封装基板铜面上丝印网版印油形成双面防焊层，经过曝光紫外光照射的部分油墨保留，将未经过曝光的部分油墨去除，露出铜焊盘，经过高温烘烤UV照射固化硬化油墨层。
作为本发明再进一步的方案：所述步骤十一具体步骤如下：
S1：将条带尺寸电测后的封装基板板面除油处理，采用SC-1018除油剂，浓度控制在10%，在150L的除油槽内，加入三分之二的DI水，加入15 L的 SC-1018溶液，再加DI 水至开缸液位，开启加热装置及泵浦，循环30min，其中除油温度在35℃±5℃，除油压力为2.0kg/cm2 ，除油速度控制在0.6 -1.2m/min；
S2：DI水洗板面，水洗压力为1.5kg/cm2，水洗为100%DI，其中导电率在<10uS/cm，氯离子在<5ppm，PH值大于5.0；
S3：对封装基板开窗出来的铜焊盘微蚀，采用ME-1028A及PC-7016A药水，在150L的微蚀槽内，[PC-7016A]浓度在20±5%，[ME-1028]浓度在4±2%，微蚀温度控制在27±3℃，微蚀时间为30-90秒，微蚀铜面控制在1-2um范围内，槽内铜离子控制在<15g/l；通过微蚀处理，会将铜面咬蚀掉1-2um；
S4：DI水洗板面，去除板面微蚀药水残留在板面，水洗压力为1.5kg/cm2，水洗为100%DI，其中导电率在<10uS/cm，氯离子在<5ppm，PH值大于5.0；
S5：预浸，在150L预浸槽内，加入三分之二DI水，加入8%浓度的PC1035药水，再添加DI水至标准液位，预浸温度在25±5℃，预浸时间为30-60秒，预浸 PH 在 8.5–9.5 范围之间，生产过程中PH值下降后可适当添加NH3H2O补充调整PH值；
S6：DI水洗板面，去除板面预浸药水残留在板面，水洗压力为1.5kg/cm2，水洗为100%DI，其中导电率在<10uS/cm，氯离子在<5ppm，PH值大于5.0；
S7：吸干检查，采用吸水海绵吸干水分，烘干板面，自动进行检查封装基板上下板面吸干程度，烘干程度，清洁程度；
S8：OSP抗氧化处理，在280L的缸内，加入72LRB1，缓慢加入28LRA，缓慢加入1.1LRC，加DI水至开缸液位，其中[RA]浓度为10%，RB1浓度为25.5%，RC浓度为0.4%，膜厚在0.2-0.6um，铜离子在<100ppm，抗氧化温度在36±4℃范围内，抗氧化PH值在2.95±0.15范围内，总酸度在255±35%，当酸度不足时，加入甲酸乙酸混合液调整酸度，抗氧化时间在45-90秒；通过OSP抗氧化，在两面阻焊开窗铜焊盘上形成一层护铜膜，上下两面膜厚在0.3±0.1um范围内；
S9：吸干；
采用吸水海绵将板面水分吸干；
S10：水洗、吹干烘干冷却；
经过水洗吹干烘干冷风吹板面，得到最终的双面OSP的封装基板。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
OSP抗氧化处理有效隔绝铜面氧化及提高焊接性能，同时表面清除方便，可使露出的干净铜表面在极短的时间内与熔融焊锡结合成为牢固的焊点。
附图说明
图1为双面OSP工艺的封装基板加工方法中封装基板的原材料覆铜基板；
图2为双面OSP工艺的封装基板加工方法中减薄铜后封装基板结构图；
图3为双面OSP工艺的封装基板加工方法中机械钻孔后封装基板结构图；
图4为双面OSP工艺的封装基板加工方法中整板电铜后封装基板结构图；
图5为双面OSP工艺的封装基板加工方法中线路压膜后封装基板结构图；
图6为双面OSP工艺的封装基板加工方法中线路曝光后封装基板结构图；
图7为双面OSP工艺的封装基板加工方法中线路蚀刻后封装基板结构图；
图8为双面OSP工艺的封装基板加工方法中阻焊丝印后封装基板结构图；
图9为双面OSP工艺的封装基板加工方法中阻焊曝光后封装基板结构图；
图10为双面OSP工艺的封装基板加工方法中阻焊显影后封装基板结构图；
图11为双面OSP工艺的封装基板加工方法中OSP抗氧化处理后封装基板结构图；
图12为双面OSP工艺的封装基板加工方法中塞孔后结构图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1～12，本发明实施例中，一种双面OSP工艺的封装基板加工方法，其方法步骤如下：
步骤一：开料烤板；
选取原材料为双面覆铜箔的基板，其中铜箔厚度均为一样厚度，基材厚度根据成品板厚设计需求选择芯板厚度；烤板温度为200-220℃，烤板时间为3-4小时高温烘烤；
步骤二：减薄铜；
进一步将原材料铜箔厚度降低至薄铜，两面铜厚要一致；
步骤三：钻孔；
钻孔程式通过钻孔机在覆铜基板上钻出相应的定位孔、管位孔、过孔等，实现层与层之间电路互联的通孔；钻咀从上铜箔高速钻到下铜箔形成通孔；
步骤四：孔化和整板电铜；
对钻孔后基板的孔壁形成一层有机导电膜，使上下面铜箔导电，为后续电铜提供基础附着层；再在封装基板的孔壁及表面电镀上一层铜层，铜厚的均匀性控制在4um以内；
步骤五：线路图形显露；
电铜后的封装基板放入烤箱高温烘烤，去除板面湿气，消除封装基板内应力，烤板温度在150℃，高温烤板1小时；线路前中粗化压膜，酸洗板面脏污，粗化上下两面铜面粗糙度，提高铜面与干膜的结合力，干膜为感光干膜，自动压膜时温度在100-135℃，贴膜时间在2-3秒；线路曝光，采用DI曝光机用工程资料自动对位曝光，在封装基板上呈现线路图形，显影去除未曝光的干膜，蚀刻去掉未曝光部分的铜，并褪掉曝光部分的干膜，使线路图形完全显露出来；
步骤六：光学检查；
进一步对线路蚀刻后的封装基板进行光学扫描检测线路开短路、曝光不良、显影不净、蚀刻不净、孔偏位等问题；
步骤七：防焊；
防焊作业前通过化学酸洗、机械磨刷和喷砂相结合的方法对线路后的铜面去除板面氧化和杂质，粗化铜面，清洁板面，提高防焊油墨与铜面的结合力；喷砂压力为1.2kg/cm2，经过超粗化液药水，加大铜面粗糙度，提高铜面与油墨层的结合力，在封装基板铜面上丝印网版印油形成双面防焊层，经过曝光紫外光照射的部分油墨保留，将未经过曝光的部分油墨去除，露出铜焊盘，经过高温烘烤UV照射固化硬化油墨层；
步骤八：成型；
按照铣板程式将防焊后的封装基板大板铣成条带尺寸；
步骤九:清洗；
将铣板后的封装基板清洗表面脏污杂质及氧化，进一步烘干板面；
步骤十：电测；
电测前先用AVI检测机扫描封装基板，检测品质问题，特别是铜面，油面问题，检测外观不良，电测封装基板板内开短路；
步骤十一：OSP处理，具体包括以下步骤：除油、DI水洗、微蚀、水洗、预浸、水洗、吸干检查、OSP抗氧化处理、吸干、水洗、吹干烘干冷却；
具体步骤如下：
S1：将条带尺寸电测后的封装基板板面除油处理，采用SC-1018除油剂，浓度控制在10%，在150L的除油槽内，加入三分之二的DI水，加入15 L的 SC-1018溶液，再加DI 水至开缸液位，开启加热装置及泵浦，循环30min，其中除油温度在35℃±5℃，除油压力为2.0kg/cm2 ，除油速度控制在0.6 -1.2m/min；
S2：DI水洗板面，水洗压力为1.5kg/cm2，水洗为100%DI，其中导电率在<10uS/cm，氯离子在<5ppm，PH值大于5.0；
S3：对封装基板开窗出来的铜焊盘微蚀，采用ME-1028A及PC-7016A药水，在150L的微蚀槽内，[PC-7016A]浓度在20±5%，[ME-1028]浓度在4±2%，微蚀温度控制在27±3℃，微蚀时间为30-90秒，微蚀铜面控制在1-2um范围内，槽内铜离子控制在<15g/l；通过微蚀处理，会将铜面咬蚀掉1-2um；
S4：DI水洗板面，去除板面微蚀药水残留在板面，水洗压力为1.5kg/cm2，水洗为100%DI，其中导电率在<10uS/cm，氯离子在<5ppm，PH值大于5.0；
S5：预浸，在150L预浸槽内，加入三分之二DI水，加入8%浓度的PC1035药水，再添加DI水至标准液位，预浸温度在25±5℃，预浸时间为30-60秒，预浸 PH 在 8.5–9.5 范围之间，生产过程中PH值下降后可适当添加NH3H2O补充调整PH值；
S6：DI水洗板面，去除板面预浸药水残留在板面，水洗压力为1.5kg/cm2，水洗为100%DI，其中导电率在<10uS/cm，氯离子在<5ppm，PH值大于5.0；
S7：吸干检查，采用吸水海绵吸干水分，烘干板面，自动进行检查封装基板上下板面吸干程度，烘干程度，清洁程度；
S8：OSP抗氧化处理，在280L的缸内，加入72LRB1，缓慢加入28LRA，缓慢加入1.1LRC，加DI水至开缸液位，其中[RA]浓度为10%，RB1浓度为25.5%，RC浓度为0.4%，膜厚在0.2-0.6um，铜离子在<100ppm，抗氧化温度在36±4℃范围内，抗氧化PH值在2.95±0.15范围内，总酸度在255±35%，当酸度不足时，加入甲酸乙酸混合液调整酸度，抗氧化时间在45-90秒；通过OSP抗氧化，在两面阻焊开窗铜焊盘上形成一层护铜膜，上下两面膜厚在0.3±0.1um范围内；
S9：吸干；
采用吸水海绵将板面水分吸干；
S10：水洗、吹干烘干冷却；
经过水洗吹干烘干冷风吹板面，得到最终的双面OSP的封装基板；
步骤十二：废板打镭射标识；
步骤十三：清洗封装基板；
步骤十四：真空包装。
实施例一
一种双面OSP工艺的封装基板加工方法，其方法步骤如下：
步骤一：开料烤板；
选取原材料为双面覆铜箔的基板，其中铜箔厚度均为一样厚度，基材厚度根据成品板厚设计需求选择芯板厚度；烤板温度为220℃，烤板时间为4小时高温烘烤；
步骤二：减薄铜；
进一步将原材料铜箔厚度降低至薄铜，两面铜厚要一致；
步骤三：钻孔；
钻孔程式通过钻孔机在覆铜基板上钻出相应的定位孔、管位孔、过孔等，实现层与层之间电路互联的通孔；钻咀从上铜箔高速钻到下铜箔形成通孔；
步骤四：孔化和整板电铜；
对钻孔后基板的孔壁形成一层有机导电膜，使上下面铜箔导电，为后续电铜提供基础附着层；再在封装基板的孔壁及表面电镀上一层铜层，铜厚的均匀性控制在4um以内；
步骤五：线路图形显露；
电铜后的封装基板放入烤箱高温烘烤，去除板面湿气，消除封装基板内应力，烤板温度在150℃，高温烤板1小时；线路前中粗化压膜，酸洗板面脏污，粗化上下两面铜面粗糙度，提高铜面与干膜的结合力，干膜为感光干膜，自动压膜时温度在135℃，贴膜时间在3秒；线路曝光，采用DI曝光机用工程资料自动对位曝光，在封装基板上呈现线路图形，显影去除未曝光的干膜，蚀刻去掉未曝光部分的铜，并褪掉曝光部分的干膜，使线路图形完全显露出来；
步骤六：光学检查；
进一步对线路蚀刻后的封装基板进行光学扫描检测线路开短路、曝光不良、显影不净、蚀刻不净、孔偏位等问题；
步骤七：防焊；
防焊作业前通过化学酸洗、机械磨刷和喷砂相结合的方法对线路后的铜面去除板面氧化和杂质，粗化铜面，清洁板面，提高防焊油墨与铜面的结合力；喷砂压力为1.2kg/cm2，经过超粗化液药水，加大铜面粗糙度，提高铜面与油墨层的结合力，在封装基板铜面上丝印网版印油形成双面防焊层，经过曝光紫外光照射的部分油墨保留，将未经过曝光的部分油墨去除，露出铜焊盘，经过高温烘烤UV照射固化硬化油墨层；
步骤八：成型；
按照铣板程式将防焊后的封装基板大板铣成条带尺寸；
步骤九:清洗；
将铣板后的封装基板清洗表面脏污杂质及氧化，进一步烘干板面；
步骤十：电测；
电测前先用AVI检测机扫描封装基板，检测品质问题，特别是铜面，油面问题，检测外观不良，电测封装基板板内开短路；
步骤十一：OSP处理，具体包括以下步骤：除油、DI水洗、微蚀、水洗、预浸、水洗、吸干检查、OSP抗氧化处理、吸干、水洗、吹干烘干冷却；
具体步骤如下：
S1：将条带尺寸电测后的封装基板板面除油处理，采用SC-1018除油剂，浓度控制在10%，在150L的除油槽内，加入三分之二的DI水，加入15 L的 SC-1018溶液，再加DI 水至开缸液位，开启加热装置及泵浦，循环30min，其中除油温度在35℃±5℃，除油压力为2.0kg/cm2 ，除油速度控制在0.6 -1.2m/min；
S2：DI水洗板面，水洗压力为1.5kg/cm2，水洗为100%DI，其中导电率在<10uS/cm，氯离子在<5ppm，PH值大于5.0；
S3：对封装基板开窗出来的铜焊盘微蚀，采用ME-1028A及PC-7016A药水，在150L的微蚀槽内，[PC-7016A]浓度在20±5%，[ME-1028]浓度在4±2%，微蚀温度控制在27±3℃，微蚀时间为30-90秒，微蚀铜面控制在1-2um范围内，槽内铜离子控制在<15g/l；通过微蚀处理，会将铜面咬蚀掉1-2um；
S4：DI水洗板面，去除板面微蚀药水残留在板面，水洗压力为1.5kg/cm2，水洗为100%DI，其中导电率在<10uS/cm，氯离子在<5ppm，PH值大于5.0；
S5：预浸，在150L预浸槽内，加入三分之二DI水，加入8%浓度的PC1035药水，再添加DI水至标准液位，预浸温度在25±5℃，预浸时间为30-60秒，预浸 PH 在 8.5–9.5 范围之间，生产过程中PH值下降后可适当添加NH3H2O补充调整PH值；
S6：DI水洗板面，去除板面预浸药水残留在板面，水洗压力为1.5kg/cm2，水洗为100%DI，其中导电率在<10uS/cm，氯离子在<5ppm，PH值大于5.0；
S7：吸干检查，采用吸水海绵吸干水分，烘干板面，自动进行检查封装基板上下板面吸干程度，烘干程度，清洁程度；
S8：OSP抗氧化处理，在280L的缸内，加入72LRB1，缓慢加入28LRA，缓慢加入1.1LRC，加DI水至开缸液位，其中[RA]浓度为10%，RB1浓度为25.5%，RC浓度为0.4%，膜厚在0.2-0.6um，铜离子在<100ppm，抗氧化温度在36±4℃范围内，抗氧化PH值在2.95±0.15范围内，总酸度在255±35%，当酸度不足时，加入甲酸乙酸混合液调整酸度，抗氧化时间在45-90秒；通过OSP抗氧化，在两面阻焊开窗铜焊盘上形成一层护铜膜，上下两面膜厚在0.3±0.1um范围内；
S9：吸干；
采用吸水海绵将板面水分吸干；
S10：水洗、吹干烘干冷却；
经过水洗吹干烘干冷风吹板面，得到最终的双面OSP的封装基板；
步骤十二：废板打镭射标识；
步骤十三：清洗封装基板；
步骤十四：真空包装。
实施例二
一种双面OSP工艺的封装基板加工方法，其方法步骤如下：
步骤一：开料烤板；
选取原材料为双面覆铜箔的基板，其中铜箔厚度均为一样厚度，基材厚度根据成品板厚设计需求选择芯板厚度；烤板温度为200℃，烤板时间为3小时高温烘烤；
步骤二：减薄铜；
进一步将原材料铜箔厚度降低至薄铜，两面铜厚要一致；
步骤三：钻孔；
钻孔程式通过钻孔机在覆铜基板上钻出相应的定位孔、管位孔、过孔等，实现层与层之间电路互联的通孔；钻咀从上铜箔高速钻到下铜箔形成通孔；
步骤四：孔化和整板电铜；
对钻孔后基板的孔壁形成一层有机导电膜，使上下面铜箔导电，为后续电铜提供基础附着层；再在封装基板的孔壁及表面电镀上一层铜层，铜厚的均匀性控制在4um以内；
步骤五：线路图形显露；
电铜后的封装基板放入烤箱高温烘烤，去除板面湿气，消除封装基板内应力，烤板温度在150℃，高温烤板1小时；线路前中粗化压膜，酸洗板面脏污，粗化上下两面铜面粗糙度，提高铜面与干膜的结合力，干膜为感光干膜，自动压膜时温度在100℃，贴膜时间在2秒；线路曝光，采用DI曝光机用工程资料自动对位曝光，在封装基板上呈现线路图形，显影去除未曝光的干膜，蚀刻去掉未曝光部分的铜，并褪掉曝光部分的干膜，使线路图形完全显露出来；
步骤六：光学检查；
进一步对线路蚀刻后的封装基板进行光学扫描检测线路开短路、曝光不良、显影不净、蚀刻不净、孔偏位等问题；
步骤七：防焊；
防焊作业前通过化学酸洗、机械磨刷和喷砂相结合的方法对线路后的铜面去除板面氧化和杂质，粗化铜面，清洁板面，提高防焊油墨与铜面的结合力；喷砂压力为1.2kg/cm2，经过超粗化液药水，加大铜面粗糙度，提高铜面与油墨层的结合力，在封装基板铜面上丝印网版印油形成双面防焊层，经过曝光紫外光照射的部分油墨保留，将未经过曝光的部分油墨去除，露出铜焊盘，经过高温烘烤UV照射固化硬化油墨层；
步骤八：成型；
按照铣板程式将防焊后的封装基板大板铣成条带尺寸；
步骤九:清洗；
将铣板后的封装基板清洗表面脏污杂质及氧化，进一步烘干板面；
步骤十：电测；
电测前先用AVI检测机扫描封装基板，检测品质问题，特别是铜面，油面问题，检测外观不良，电测封装基板板内开短路；
步骤十一：OSP处理，具体包括以下步骤：除油、DI水洗、微蚀、水洗、预浸、水洗、吸干检查、OSP抗氧化处理、吸干、水洗、吹干烘干冷却；
具体步骤如下：
S1：将条带尺寸电测后的封装基板板面除油处理，采用SC-1018除油剂，浓度控制在10%，在150L的除油槽内，加入三分之二的DI水，加入15 L的 SC-1018溶液，再加DI 水至开缸液位，开启加热装置及泵浦，循环30min，其中除油温度在35℃±5℃，除油压力为2.0kg/cm2 ，除油速度控制在0.6 -1.2m/min；
S2：DI水洗板面，水洗压力为1.5kg/cm2，水洗为100%DI，其中导电率在<10uS/cm，氯离子在<5ppm，PH值大于5.0；
S3：对封装基板开窗出来的铜焊盘微蚀，采用ME-1028A及PC-7016A药水，在150L的微蚀槽内，[PC-7016A]浓度在20±5%，[ME-1028]浓度在4±2%，微蚀温度控制在27±3℃，微蚀时间为30-90秒，微蚀铜面控制在1-2um范围内，槽内铜离子控制在<15g/l；通过微蚀处理，会将铜面咬蚀掉1-2um；
S4：DI水洗板面，去除板面微蚀药水残留在板面，水洗压力为1.5kg/cm2，水洗为100%DI，其中导电率在<10uS/cm，氯离子在<5ppm，PH值大于5.0；
S5：预浸，在150L预浸槽内，加入三分之二DI水，加入8%浓度的PC1035药水，再添加DI水至标准液位，预浸温度在25±5℃，预浸时间为30-60秒，预浸 PH 在 8.5–9.5 范围之间，生产过程中PH值下降后可适当添加NH3H2O补充调整PH值；
S6：DI水洗板面，去除板面预浸药水残留在板面，水洗压力为1.5kg/cm2，水洗为100%DI，其中导电率在<10uS/cm，氯离子在<5ppm，PH值大于5.0；
S7：吸干检查，采用吸水海绵吸干水分，烘干板面，自动进行检查封装基板上下板面吸干程度，烘干程度，清洁程度；
S8：OSP抗氧化处理，在280L的缸内，加入72LRB1，缓慢加入28LRA，缓慢加入1.1LRC，加DI水至开缸液位，其中[RA]浓度为10%，RB1浓度为25.5%，RC浓度为0.4%，膜厚在0.2-0.6um，铜离子在<100ppm，抗氧化温度在36±4℃范围内，抗氧化PH值在2.95±0.15范围内，总酸度在255±35%，当酸度不足时，加入甲酸乙酸混合液调整酸度，抗氧化时间在45-90秒；通过OSP抗氧化，在两面阻焊开窗铜焊盘上形成一层护铜膜，上下两面膜厚在0.3±0.1um范围内；
S9：吸干；
采用吸水海绵将板面水分吸干；
S10：水洗、吹干烘干冷却；
经过水洗吹干烘干冷风吹板面，得到最终的双面OSP的封装基板；
步骤十二：废板打镭射标识；
步骤十三：清洗封装基板；
步骤十四：真空包装。
实施例三
一种双面OSP工艺的封装基板加工方法，其方法步骤如下：
步骤一：开料烤板；
选取原材料为双面覆铜箔的基板，其中铜箔厚度均为一样厚度，基材厚度根据成品板厚设计需求选择芯板厚度；烤板温度为210℃，烤板时间为3.5小时高温烘烤；
步骤二：减薄铜；
进一步将原材料铜箔厚度降低至薄铜，两面铜厚要一致；
步骤三：钻孔；
钻孔程式通过钻孔机在覆铜基板上钻出相应的定位孔、管位孔、过孔等，实现层与层之间电路互联的通孔；钻咀从上铜箔高速钻到下铜箔形成通孔；
步骤四：孔化和整板电铜；
对钻孔后基板的孔壁形成一层有机导电膜，使上下面铜箔导电，为后续电铜提供基础附着层；再在封装基板的孔壁及表面电镀上一层铜层，铜厚的均匀性控制在4um以内；
步骤五：线路图形显露；
电铜后的封装基板放入烤箱高温烘烤，去除板面湿气，消除封装基板内应力，烤板温度在150℃，高温烤板1小时；线路前中粗化压膜，酸洗板面脏污，粗化上下两面铜面粗糙度，提高铜面与干膜的结合力，干膜为感光干膜，自动压膜时温度在115℃，贴膜时间在2.5秒；线路曝光，采用DI曝光机用工程资料自动对位曝光，在封装基板上呈现线路图形，显影去除未曝光的干膜，蚀刻去掉未曝光部分的铜，并褪掉曝光部分的干膜，使线路图形完全显露出来；
步骤六：光学检查；
进一步对线路蚀刻后的封装基板进行光学扫描检测线路开短路、曝光不良、显影不净、蚀刻不净、孔偏位等问题；
步骤七：防焊；
防焊作业前通过化学酸洗、机械磨刷和喷砂相结合的方法对线路后的铜面去除板面氧化和杂质，粗化铜面，清洁板面，提高防焊油墨与铜面的结合力；喷砂压力为1.2kg/cm2，经过超粗化液药水，加大铜面粗糙度，提高铜面与油墨层的结合力，在封装基板铜面上丝印网版印油形成双面防焊层，经过曝光紫外光照射的部分油墨保留，将未经过曝光的部分油墨去除，露出铜焊盘，经过高温烘烤UV照射固化硬化油墨层；
步骤八：成型；
按照铣板程式将防焊后的封装基板大板铣成条带尺寸；
步骤九:清洗；
将铣板后的封装基板清洗表面脏污杂质及氧化，进一步烘干板面；
步骤十：电测；
电测前先用AVI检测机扫描封装基板，检测品质问题，特别是铜面，油面问题，检测外观不良，电测封装基板板内开短路；
步骤十一：OSP处理，具体包括以下步骤：除油、DI水洗、微蚀、水洗、预浸、水洗、吸干检查、OSP抗氧化处理、吸干、水洗、吹干烘干冷却；
具体步骤如下：
S1：将条带尺寸电测后的封装基板板面除油处理，采用SC-1018除油剂，浓度控制在10%，在150L的除油槽内，加入三分之二的DI水，加入15 L的 SC-1018溶液，再加DI 水至开缸液位，开启加热装置及泵浦，循环30min，其中除油温度在35℃±5℃，除油压力为2.0kg/cm2 ，除油速度控制在0.6 -1.2m/min；
S2：DI水洗板面，水洗压力为1.5kg/cm2，水洗为100%DI，其中导电率在<10uS/cm，氯离子在<5ppm，PH值大于5.0；
S3：对封装基板开窗出来的铜焊盘微蚀，采用ME-1028A及PC-7016A药水，在150L的微蚀槽内，[PC-7016A]浓度在20±5%，[ME-1028]浓度在4±2%，微蚀温度控制在27±3℃，微蚀时间为30-90秒，微蚀铜面控制在1-2um范围内，槽内铜离子控制在<15g/l；通过微蚀处理，会将铜面咬蚀掉1-2um；
S4：DI水洗板面，去除板面微蚀药水残留在板面，水洗压力为1.5kg/cm2，水洗为100%DI，其中导电率在<10uS/cm，氯离子在<5ppm，PH值大于5.0；
S5：预浸，在150L预浸槽内，加入三分之二DI水，加入8%浓度的PC1035药水，再添加DI水至标准液位，预浸温度在25±5℃，预浸时间为30-60秒，预浸 PH 在 8.5–9.5 范围之间，生产过程中PH值下降后可适当添加NH3H2O补充调整PH值；
S6：DI水洗板面，去除板面预浸药水残留在板面，水洗压力为1.5kg/cm2，水洗为100%DI，其中导电率在<10uS/cm，氯离子在<5ppm，PH值大于5.0；
S7：吸干检查，采用吸水海绵吸干水分，烘干板面，自动进行检查封装基板上下板面吸干程度，烘干程度，清洁程度；
S8：OSP抗氧化处理，在280L的缸内，加入72LRB1，缓慢加入28LRA，缓慢加入1.1LRC，加DI水至开缸液位，其中[RA]浓度为10%，RB1浓度为25.5%，RC浓度为0.4%，膜厚在0.2-0.6um，铜离子在<100ppm，抗氧化温度在36±4℃范围内，抗氧化PH值在2.95±0.15范围内，总酸度在255±35%，当酸度不足时，加入甲酸乙酸混合液调整酸度，抗氧化时间在45-90秒；通过OSP抗氧化，在两面阻焊开窗铜焊盘上形成一层护铜膜，上下两面膜厚在0.3±0.1um范围内；
S9：吸干；
采用吸水海绵将板面水分吸干；
S10：水洗、吹干烘干冷却；
经过水洗吹干烘干冷风吹板面，得到最终的双面OSP的封装基板；
步骤十二：废板打镭射标识；
步骤十三：清洗封装基板；
步骤十四：真空包装。
尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种双面OSP工艺的封装基板加工方法，其特征在于：其方法步骤如下：
步骤一：开料烤板；
选取原材料为双面覆铜箔的基板，其中铜箔厚度均为一样厚度，基材厚度根据成品板厚设计需求选择芯板厚度；烤板温度为200-220℃，烤板时间为3-4小时高温烘烤；
步骤二：减薄铜；
进一步将原材料铜箔厚度降低至薄铜，两面铜厚要一致；
步骤三：钻孔；
钻孔程式通过钻孔机在覆铜基板上钻出相应的定位孔、管位孔、过孔，实现层与层之间电路互联的通孔；钻咀从上铜箔高速钻到下铜箔形成通孔；
步骤四：孔化和整板电铜；
对钻孔后基板的孔壁形成一层有机导电膜，使上下面铜箔导电，为后续电铜提供基础附着层；再在封装基板的孔壁及表面电镀上一层铜层，铜厚的均匀性控制在4um以内；
步骤五：线路图形显露；
步骤六：光学检查；
进一步对线路蚀刻后的封装基板进行光学扫描检测线路开短路、曝光不良、显影不净、蚀刻不净、孔偏位的问题；
步骤七：防焊；
步骤八：成型；
按照铣板程式将防焊后的封装基板大板铣成条带尺寸；
步骤九:清洗；
将铣板后的封装基板清洗表面脏污杂质及氧化，进一步烘干板面；
步骤十：电测；
电测前先用AVI检测机扫描封装基板，检测品质问题，铜面、油面问题，检测外观不良，电测封装基板板内开短路；
步骤十一：OSP处理，具体包括以下步骤：除油、DI水洗、微蚀、水洗、预浸、水洗、吸干检查、OSP抗氧化处理、吸干、水洗、吹干烘干冷却；
步骤十二：废板打镭射标识；
步骤十三：清洗封装基板；
步骤十四：真空包装。
2.根据权利要求1所述的双面OSP工艺的封装基板加工方法，其特征在于：电铜后的封装基板放入烤箱高温烘烤，去除板面湿气，消除封装基板内应力，烤板温度在150℃，高温烤板1小时；线路前中粗化压膜，酸洗板面脏污，粗化上下两面铜面粗糙度，提高铜面与干膜的结合力，干膜为感光干膜，自动压膜时温度在100-135℃，贴膜时间在2-3秒；线路曝光，采用DI曝光机用工程资料自动对位曝光，在封装基板上呈现线路图形，显影去除未曝光的干膜，蚀刻去掉未曝光部分的铜，并褪掉曝光部分的干膜，使线路图形完全显露出来。
3.根据权利要求1所述的双面OSP工艺的封装基板加工方法，其特征在于：所述步骤七的具体操作为防焊作业前通过化学酸洗、机械磨刷和喷砂相结合的方法对线路后的铜面去除板面氧化和杂质，粗化铜面，清洁板面，提高防焊油墨与铜面的结合力；喷砂压力为1.2kg/cm2，经过超粗化液药水，加大铜面粗糙度，提高铜面与油墨层的结合力，在封装基板铜面上丝印网版印油形成双面防焊层，经过曝光紫外光照射的部分油墨保留，将未经过曝光的部分油墨去除，露出铜焊盘，经过高温烘烤UV照射固化硬化油墨层。
4.根据权利要求1所述的双面OSP工艺的封装基板加工方法，其特征在于：所述步骤十一具体步骤如下：
S1：将条带尺寸电测后的封装基板板面除油处理，采用SC-1018除油剂，浓度控制在10%，在150L的除油槽内，加入三分之二的DI水，加入15 L的 SC-1018溶液，再加DI 水至开缸液位，开启加热装置及泵浦，循环30min，其中除油温度在35℃±5℃，除油压力为2.0kg/cm2 ，除油速度控制在0.6 -1.2m/min；
S2：DI水洗板面，水洗压力为1.5kg/cm2，水洗为100%DI，其中导电率在<10uS/cm，氯离子在<5ppm，PH值大于5.0；
S3：对封装基板开窗出来的铜焊盘微蚀，采用ME-1028A及PC-7016A药水，在150L的微蚀槽内，PC-7016A浓度在20±5%，ME-1028浓度在4±2%，微蚀温度控制在27±3℃，微蚀时间为30-90秒，微蚀铜面控制在1-2um范围内，槽内铜离子控制在<15g/l；通过微蚀处理，会将铜面咬蚀掉1-2um；
S4：DI水洗板面，去除板面微蚀药水残留在板面，水洗压力为1.5kg/cm2，水洗为100%DI，其中导电率在<10uS/cm，氯离子在<5ppm，PH值大于5.0；
S5：预浸；
S6：DI水洗板面，去除板面预浸药水残留在板面，水洗压力为1.5kg/cm2，水洗为100%DI，其中导电率在<10uS/cm，氯离子在<5ppm，PH值大于5.0；
S7：吸干检查，采用吸水海绵吸干水分，烘干板面，自动进行检查封装基板上下板面吸干程度，烘干程度，清洁程度；
S8：OSP抗氧化处理；
S9：吸干；
采用吸水海绵将板面水分吸干；
S10：水洗、吹干烘干冷却；
经过水洗吹干烘干冷风吹板面，得到最终的双面OSP的封装基板。
5.根据权利要求4所述的双面OSP工艺的封装基板加工方法，其特征在于：所述S5具体步骤如下：在150L预浸槽内，加入三分之二DI水，加入8%浓度的PC1035药水，再添加DI水至标准液位，预浸温度在25±5℃，预浸时间为30-60秒，预浸 PH 在 8.5–9.5 范围之间，生产过程中PH值下降后可适当添加NH3H2O补充调整PH值。
6.根据权利要求4所述的双面OSP工艺的封装基板加工方法，其特征在于：所述S8具体步骤如下：在280L的缸内，加入72LRB1，缓慢加入28LRA，缓慢加入1.1L RC，加DI水至开缸液位，其中RA浓度为10%，RB1浓度为25.5%，RC浓度为0.4%，膜厚在0.2-0.6um，铜离子在<100ppm，抗氧化温度在36±4℃范围内，抗氧化PH值在2.95±0.15范围内，总酸度在255±35%，当酸度不足时，加入甲酸乙酸混合液调整酸度，抗氧化时间在45-90秒；通过OSP抗氧化，在两面阻焊开窗铜焊盘上形成一层护铜膜，上下两面膜厚在0.3±0.1um范围内。
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