CN102543780B

CN102543780B - 封装基板加工方法

Info

Publication number: CN102543780B
Application number: CN201110432940.4A
Authority: CN
Inventors: 范铮; 刘良军; 杨智勤
Original assignee: Shennan Circuit Co Ltd
Current assignee: Shennan Circuit Co Ltd
Priority date: 2011-12-21
Filing date: 2011-12-21
Publication date: 2014-10-08
Anticipated expiration: 2031-12-21
Also published as: CN102543780A

Abstract

本发明实施例公开了封装基板加工方法。一种封装基板加工方法包括：在封装基板的第二表面和已形成线路的第一表面上覆盖保护层，封装基板的第一表面和第二表面之间具有至少一个导通孔；通过曝光显影露出第一表面上需电镀表面金属电镀物的区域；在第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域镀表面金属电镀物；在第一表面覆盖保护层；去除第二表面的剩余保护层；在第二表面覆盖保护层；在第二表面上形成线路；去除已形成线路的第二表面的剩余保护层；在第二表面覆盖保护层且露出第二表面需形成OSP的区域；在已形成线路的第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP。本发明实施例方案有利于避免或尽量减少基板电镀过程中使用电镀引线。

Description

封装基板加工方法

技术领域

本发明涉及电路板加工技术领域，具体涉及封装基板加工方法。

背景技术

在封装产业里，一般将芯片本身的制作称为零级封装，将芯片封装到封装基板(或称基板、载板)上称为一级封装，将一级封装后的芯片封装到印刷电路板上称为二级封装。

在一级封装中的基板和芯片的电气导通通常通过引线键合(wire bonding)方式实现，wire bonding是通过加热、加压和超声的方式，将导体线分别焊接在芯片和基板上，实现芯片和基板电性能的导通；加工中wire bonding在基板表面的电接触垫(或称I/O接点)的涂敷方式是电镀镍金，在这些电接触垫上镀上镍金层，以确保与芯片电连接的稳定性；在基板的另外一面与印刷电路板的电性能导通通常是采用焊接的方式。

实践发现，现有基板电镀镍金的过程中，一般需要在基板上布置很多电镀引线以供电镀时电流导通。这些电镀引线占据了基板的布线空间，相对降低了线路的密度，还容易在构装高频芯片时对其造成噪声的干扰。

发明内容

本发明实施例提供封装基板加工方法，以期避免或尽量减少基板电镀镍金的过程中使用电镀引线。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供以下技术方案：

一方面，本发明实施例提供一种封装基板加工方法，包括：

在封装基板的第二表面和已形成线路的第一表面上覆盖保护层，其中，所述封装基板的第一表面和第二表面之间具有至少一个导通孔；通过曝光显影露出第一表面上需要电镀表面金属电镀物的区域；在第一表面露出的需要电镀表面金属电镀物的区域上镀上表面金属电镀物；在已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；去除第二表面上的剩余保护层；在第二表面覆盖保护层；在覆盖保护层的第二表面上形成线路；去除已形成线路的第二表面的剩余保护层；在已形成线路的第二表面覆盖保护层；通过曝光显影露出已形成线路的第二表面上需形成有机保焊膜OSP的区域；在已形成线路的第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP。

另一方面，本发明实施例还提供另一种封装基板加工方法，包括：

在封装基板的第二表面和已形成线路的第一表面上覆盖保护层，其中，所述封装基板的第一表面和第二表面之间具有至少一个导通孔；通过曝光显影露出第一表面上需要电镀表面金属电镀物的区域；在第一表面露出的需要电镀表面金属电镀物的区域上镀上表面金属电镀物；在已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；去除第二表面上的剩余保护层；在第二表面覆盖保护层；通过曝光显影露出第二表面上需形成有机保焊膜OSP的区域；在第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP；去除已加工出OSP的第二表面上的剩余保护层；在已加工出OSP的第二表面覆盖保护层；在覆盖保护层的已加工出OSP的第二表面上形成线路。

在封装基板的第二表面和已形成线路的第一表面上覆盖保护层，其中，所述封装基板的第一表面和第二表面之间具有至少一个导通孔；通过曝光显影露出第二表面上需形成有机保焊膜OSP的区域；在第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP；在已加工出OSP的第二表面覆盖保护层；去除已形成线路的第一表面上的剩余保护层；在已形成线路的第一表面覆盖保护层；通过曝光显影露出已形成线路的第一表面上需电镀表面金属电镀物的区域；在已形成线路的第一表面露出的需要电镀表面金属电镀物的区域上镀上表面金属电镀物；在已形成线路的且已上镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；去除已加工出OSP的第二表面覆盖保护层；在已加工出OSP的第二表面覆盖保护层；在覆盖保护层的已加工出OSP的第二表面形成线路。

在封装基板的第一表面和第二表面上覆盖保护层；通过曝光显影露出第一表面需要电镀表面金属电镀物的区域；在第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域镀上表面金属电镀物；在已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；去除第二表面上的剩余保护层；在第二表面覆盖保护层；通过曝光显影露出第二表面需要形成有机保焊膜OSP的区域；在第二表面需形成OSP的区域加工出OSP；去除第二表面上的剩余保护层；在第二表面上覆盖保护层；在第二表面上形成线路；在已形成线路的第二表面覆盖保护层；去除已镀上表面金属电镀物的第一表面上的剩余保护层；在已镀上表面金属电镀物的第一表面上覆盖保护层；在已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路。

在封装基板的第一表面和第二表面上覆盖保护层；通过曝光显影露出第一表面需要电镀表面金属电镀物的区域；在第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域镀上表面金属电镀物；在已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；去除第二表面上的剩余保护层；在第二表面覆盖保护层；通过曝光显影露出第二表面需要形成有机保焊膜OSP的区域；在第二表面需形成OSP的区域加工出OSP；在已加工出OSP的第二表面覆盖保护层；去除已镀上表面金属电镀物的第一表面上的剩余保护层；在已镀上表面金属电镀物的第一表面上覆盖保护层；在已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路；在已形成线路且已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；去除已加工出OSP的第二表面上的剩余保护层；在已加工出OSP的第二表面上覆盖保护层；在已加工出OSP的第二表面上形成线路。

在封装基板的第一表面和第二表面上覆盖保护层；通过曝光显影露出第一表面需要电镀表面金属电镀物的区域；在第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域镀上表面金属电镀物；去除已镀上表面金属电镀物的第一表面上的剩余保护层；在已镀上表面金属电镀物的第一表面上覆盖保护层；在已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路；在已形成线路且已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；去除第二表面上的剩余保护层；在第二表面覆盖保护层；通过曝光显影露出第二表面需要形成有机保焊膜OSP的区域；在第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP；去除已加工出OSP的第二表面上的剩余保护层；在已加工出OSP的第二表面上覆盖保护层；在第二表面上形成线路。

在封装基板的第一表面和第二表面上覆盖保护层；通过曝光显影露出第一表面需要电镀表面金属电镀物的区域；在第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域镀上表面金属电镀物；去除已镀上表面金属电镀物的第一表面上的剩余保护层；在已镀上表面金属电镀物的第一表面上覆盖保护层；在已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路；在已形成线路且已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；去除第二表面上的剩余保护层；在第二表面覆盖保护层；在覆盖保护层的第二表面上形成线路；去除已形成线路的第二表面上的剩余保护层；在已形成线路的第二表面上的覆盖保护层；通过曝光显影露出已形成线路的第二表面需要形成有机保焊膜OSP的区域；在已形成线路的第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP。

在封装基板的第一表面和第二表面上覆盖保护层；通过曝光显影露出第一表面需要电镀表面金属电镀物的区域；在第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域镀上表面金属电镀物；在已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；去除第二表面上的剩余保护层；在第二表面覆盖保护层；在覆盖保护层的第二表面上形成线路；在已形成线路的第二表面上的覆盖保护层；去除已镀上表面金属电镀物的第一表面的剩余保护层；在已镀上表面金属电镀物的第一表面的覆盖保护层；在覆盖保护层的已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路；在已形成线路且已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；去除已形成线路的第二表面上的剩余保护层；在已形成线路的第二表面覆盖保护层；通过曝光显影露出已形成线路的第二表面需要形成有机保焊膜OSP的区域；在已形成线路的第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP。

在封装基板的第一表面和第二表面上覆盖保护层；通过曝光显影露出第一表面需要电镀表面金属电镀物的区域；在第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域镀上表面金属电镀物；在已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；去除第二表面上的剩余保护层；在第二表面覆盖保护层；在覆盖保护层的第二表面上形成线路；在已形成线路的第二表面上的覆盖保护层；通过曝光显影露出已形成线路的第二表面需要形成有机保焊膜OSP的区域；在已形成线路的第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP；在已形成线路且加工出OSP的第二表面覆盖保护层；去除已镀上表面金属电镀物的第一表面的剩余保护层；在已镀上表面金属电镀物的第一表面的覆盖保护层；在覆盖保护层的已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路。

在封装基板的第一表面和已形成线路的第二表面上覆盖保护层；通过曝光显影露出第一表面上需电镀表面金属电镀物的区域；在第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域电镀表面金属电镀物；去除已电镀表面金属电镀物的第一表面上的剩余保护层；在已电镀表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；在覆盖保护层的已电镀表面金属电镀物的第一表面上形成线路；在已形成线路且已电镀表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；去除已形成线路的第二表面上的剩余保护层；在已形成线路的第二表面上覆盖保护层；通过曝光显影露出第二表面上需形成有机保焊膜OSP的区域；在已形成线路的第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP。

由上可见，本发明实施例的一种加工封装基板过程中，在封装基板的第一表面和第二表面分别进行区域电镀和区域加工OSP，如此，则有利于减少表面金属电镀物(如镍金、镍钯金等)的用量，降低封装基板加工成本，且加工出的封装基板能够适应更多中场景需要，并且封装基板的第一表面和第二表面之间具有至少一个导通孔，利用导通孔实现电镀的电流导通，进而可无需使用额外的电镀引线来实现区域电镀，避免了在封装基板区域电镀的过程中使用电镀引线，有利于拓展封装基板的有效布线空间，减少噪声干扰。

本发明实施例的另一种加工封装基板过程中，在封装基板的第一表面和第二表面分别进行区域电镀和区域加工OSP，如此，则有利于减少表面金属电镀物(如镍金、镍钯金等)的用量，降低封装基板加工成本，且加工出的封装基板能够适应更多中场景需要，并且，封装基板的第一表面需电镀表面金属电镀物的区域之外的其它金属表层，可对第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域电镀进行导流，进而可无需使用额外的电镀引线来实现区域电镀，避免了在封装基板区域电镀的过程中使用电镀引线，有利于拓展封装基板的有效布线空间，并有利于减少噪声干扰。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种封装基板加工方法的流程示意图；

图2-a是本发明实施例提供的具有导通孔的封装基板；

图2-b是本发明实施例提供的两面覆盖干膜的封装基板；

图2-c是本发明实施例提供的一表面形成线路的封装基板；

图2-d是本发明实施例提供的形成线路的表面覆盖干膜的封装基板；

图2-e是本发明实施例提供的一表面部分线路上镀镍金的封装基板；

图2-f是本发明实施例提供的另一表面定义出线路的封装基板；

图2-g是本发明实施例提供的另一表面形成线路的封装基板；

图2-h是本发明实施例提供的形成线路的两表面覆盖油墨的封装基板。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围

以下分别进行详细说明。

本发明封装基板加工方法的一个实施例，可包括：

在封装基板的第二表面和已形成线路的第一表面上覆盖保护层，其中，该封装基板的第一表面和第二表面之间具有至少一个导通孔；通过曝光显影露出第一表面上需要电镀表面金属电镀物的区域；在第一表面露出的需要电镀表面金属电镀物的区域上镀上表面金属电镀物；去除第二表面上的剩余保护层；在第二表面和已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；在覆盖保护层的第二表面上形成线路；去除已形成线路的第二表面的剩余保护层；在已形成线路的第二表面覆盖保护层；通过曝光显影露出已形成线路的第二表面上需形成有机保焊膜(OSP，Organic Solderability Preservatives)的区域；在已形成线路的第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP。

本实施例下面提供的封装基板加工方法中，先在封装基板已形成线路的第一表面进行电镀加工，而后再在该封装基板的第二表面形成线路然后再在第二表面加工出OSP。

参见图1，本发明实施例提供的一种封装基板加工方法可包括：

101、在封装基板的第二表面和已形成线路的第一表面上覆盖保护层；

其中，封装基板的第一表面(封装基板的第一表面的表层例如可为铜层或其它金属层)和第二表面(封装基板第二表面的表层例如可为铜层或其它金属层)之间具有至少一个导通孔，其中，该导通孔可将封装基板的第一表面和第二表面的金属表层导通。

需要说明的是，本发明的各个实施例中所提及的保护层的材质例如可以是油墨或干膜或其它有机聚合物保护膜，其中，保护层可以起到如抗电镀抗蚀刻等等作用。

102、通过曝光显影露出第一表面上需电镀表面金属电镀物的区域；

例如可对覆盖保护层的封装基板第一表面和第二表面进行曝光显影，以露出封装基板第一表面上需要电镀表面金属电镀物的区域(其它区域被曝光的保护层覆盖保护)，其中，第一表面上需要电镀表面金属电镀物的区域例如包括第一表面上已形成的部分线路。其中，第二表面全部曝光，第一表面除需电镀表面金属电镀物的区域外的其它区域曝光。

103、在封装基板的第一表面露出的需要电镀表面金属电镀物的区域上镀上表面金属电镀物；

需要说明的是，本发明的各个实施例中提及的表面金属电镀物例如可以是镍金、镍钯金、金、银或锡、或能够防止线路被氧化和/或保证线路良好电气连通结合性能的其它金属或合金。

其中，在电镀时，第一表面和第二表面间的导通孔将第一表面露出的需要电镀表面金属电镀物的区域与第二表面的金属表层导通，进而利用第二表面的金属表层，对第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域电镀进行导流，这样就无需使用电镀引线来实现电镀导流。

104、在已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

其中，例如可先去除已镀上表面金属电镀物的第一表面的剩余保护层，而后再在已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；或者，也可在封装基板第一表面露出的需要电镀表面金属电镀物的区域镀上表面金属电镀物后，直接在已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层。

105、去除封装基板第二表面上的剩余保护层；

106、在封装基板第二表面覆盖保护层；

107、在覆盖保护层的第二表面上形成线路；

其中，例如可通过曝光显影时刻等工序，在覆盖保护层的第二表面上形成需要的线路。其中，在覆盖保护层的第二表面上形成线路的加工工艺例如可为减成法或半加成法或加成法等。

可以理解的是，本发明的各个实施例中形成线路的加工工艺例如可以选择减成法、半加成法或加成法等等。

可以理解的是，步骤104例如可以在步骤103之后步骤107之前的任意时刻执行。

108、去除已形成线路的第二表面的剩余保护层；

109、在已形成线路的第二表面覆盖保护层；

110、通过曝光显影露出已形成线路的第二表面上需形成有机保焊膜OSP的区域；

111、在已形成线路的第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP。

其中、OSP是以化学方法长出一层有机皮膜，这层膜具有防氧化、耐热冲击及耐湿性等特点，可用以保护线路表面在常态环境中不再继续生锈(氧化或硫化等)。

请参见图2-a～图2-h，为便于理解，下面通过一应用例对本实施例一种加工流程进行举例介绍。

如图2-a所示，封装基板上具有第一表面201(表层为金属层)和第一表面202(表层为金属层)；另外，在该封装基板上还具有多个导通孔203，导通孔203可以连接第一表面201的金属表层和第一表面202的金属表层，导通孔203起导通作用。

如图2-b所示，在第一表面201的金属表层和第二表面202的金属表层上覆盖干膜204，并通过曝光显影在第一表面201的金属表层上定义出线路。

如图2-c所示，通过酸性蚀刻或者碱性蚀刻在第一表面201的金属表层上加工形成线路205。

如图2-d所示，在第二表面202的金属表层和已形成线路的第一表面201上覆盖干膜206，并露出第一表面201需要电镀镍金的区域207。

如图2-e所示，在已形成线路的第一表面201上需要电镀镍金的区域207电镀镍金208。

如图2-f所示，已形成线路且已镀镍金的第一表面201覆盖干膜209，并定义出第二表面202的金属表层上的线路。如图2-g所示，第二表面202上形成线路210。

如图2-h所示，在第一表面201和第二表面202覆盖油墨211，油墨211保护封装第一表面201和第二表面202上已经形成的线路，并露出已电镀区域和需要形成OSP的区域，最后在需要形成OSP的区域加工出OSP处理。

可以理解，图2-a～图2-h所示加工流程仅为举例，在实际应用中还可根据需要进行灵活调整。

由上可见，本实施例在加工封装基板过程中，在封装基板的第一表面和第二表面分别进行区域电镀和区域加工OSP，如此，则有利于减少表面金属电镀物(如镍金、镍钯金)的用量，降低封装基板加工成本，且加工出的封装基板能够适应更多中场景需要，并且，封装基板的第一表面和第二表面之间具有至少一个导通孔，利用导通孔实现电镀的电流导通，进而可无需使用额外的电镀引线来实现区域电镀，避免了在封装基板区域电镀的过程中使用电镀引线，有利于拓展封装基板的有效布线空间，减少噪声干扰。

本发明封装基板加工方法的另一个实施例。本实施例下面提供封装基板加工方法中，先在封装基板已形成线路的第一表面进行电镀加工，而后再在该封装基板的第二表面加工出OSP之后再在第二表面形成线路。

本发明实施例提供的一种封装基板加工方法可包括：

步骤301、在封装基板的第二表面和已形成线路的第一表面覆盖保护层；

步骤302、通过曝光显影露出第一表面上需要电镀表面金属电镀物的区域；

例如可对覆盖保护层的封装基板第一表面和第二表面进行曝光显影，以露出封装基板第一表面上需要电镀表面金属电镀物的区域(其它区域被曝光后的保护层覆盖保护)，其中，第一表面上需要电镀表面金属电镀物的区域例如包括第一表面上已形成的部分线路。

步骤303、在封装基板第一表面露出的需要电镀表面金属电镀物的区域上镀上表面金属电镀物；

其中，在电镀时，第一表面和第二表面间的导通孔将第一表面露出的需要电镀表面金属电镀物的区域与第二表面的金属表层导通，进而利用第二表面的金属表层对第一表面露出的需要电镀表面金属电镀物的区域进行电镀，这样就无需使用电镀引线来实现电镀。

步骤304、在封装基板已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

步骤305、去除封装基板第二表面上的剩余保护层；

步骤306、在封装基板第二表面覆盖保护层；

步骤307、通过曝光显影露出第二表面上需形成有机保焊膜OSP的区域；

可以理解的是，步骤304例如可以在步骤303之后步骤307之前的任意时刻执行。

步骤308、在封装基板第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP；

步骤309、去除已加工出OSP的第二表面上的剩余保护层；

步骤310、在已加工出OSP的第二表面覆盖保护层；

步骤311、在覆盖保护层的已加工出OSP的第二表面上形成线路。

本发明封装基板加工方法的另一个实施例。本实施例下面提供封装基板加工方法中，先在封装基板的第二表面加工出OSP，而后在已形成线路的第一表面进行电镀加工，然后再在该封装基板的第二表面形成线路。

本发明实施例提供的另一种封装基板加工方法可包括：

步骤401、在封装基板的第二表面和已形成线路的第一表面覆盖保护层；

其中，封装基板的第一表面和第二表面之间具有至少一个导通孔；

步骤402、通过曝光显影露出第二表面上需形成OSP的区域；

例如可对覆盖保护层的封装基板第一表面和第二表面进行曝光显影，以露出封装基板第二表面上需形成OSP的区域(其它区域被曝光的保护层覆盖保护)，其中，第一表面的保护层全部曝光，第二表面除需形成OSP的区域外的其它区域曝光。

步骤403、在第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP；

步骤404、在已加工出OSP的第二表面覆盖保护层；

其中，例如可先去除已加工出OSP的第二表面的剩余保护层，而后再在已加工出OSP的第二表面覆盖保护层；或者，也可以在封装基板在第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP后，直接在已加工出OSP的第二表面覆盖保护层。

步骤405、去除已形成线路的第一表面上的剩余保护层；

步骤406、在已形成线路的第一表面覆盖保护层；

步骤407、通过曝光显影露出已形成线路的第一表面上需电镀表面金属电镀物的区域；

可以理解的是，步骤404例如可以在步骤403之后步骤407之前的任意时刻执行。

步骤408、在已形成线路的第一表面露出的需要电镀表面金属电镀物的区域上镀上表面金属电镀物；

其中，在电镀时，第一表面和第二表面间的导通孔将已形成线路的第一表面露出的需要电镀表面金属电镀物的区域与第二表面的金属表层导通，进而利用第二表面的金属表层对已形成线路的第一表面露出的需要电镀表面金属电镀物的电镀区域导流，这样就无需使用电镀引线来实现电镀导流。

步骤409、在已形成线路的且已上镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

其中，例如可先去除已形成线路的且已上镀上表面金属电镀物的第一表面的剩余保护层，而后再在已形成线路的且已上镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；或者，也可在已形成线路的且已上镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层后，直接在该在已形成线路的且已上镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层。

步骤410、去除已加工出OSP的第二表面覆盖保护层；

步骤411、在已加工出OSP的第二表面覆盖保护层；

步骤412、在覆盖保护层的已加工出OSP的第二表面形成线路。

可以理解的是，步骤409例如可以在步骤408之后步骤412之前的任意时刻执行。

本发明封装基板加工方法的一个实施例。本实施例下面提供的封装基板加工方法中，先在封装基板第一表面电镀而后在第二表面加工出OSP，然后在第二表面形成线路，之后再在第一表面形成线路。

本发明实施例提供的另一种封装基板加工方法可包括：

步骤501、在封装基板的第一表面和第二表面上覆盖保护层；

步骤502、通过曝光显影露出第一表面需要电镀表面金属电镀物的区域；

例如可对覆盖保护层的封装基板第一表面和第二表面进行曝光显影，以露出封装基板第一表面上需要电镀表面金属电镀物的区域(其它区域被曝光的保护层覆盖保护)，其中，第二表面全部曝光，第一表面除需电镀表面金属电镀物的区域外的其它区域曝光。

步骤503、在封装基板第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域镀上表面金属电镀物；

其中，在电镀时，封装基板的第一表面需电镀表面金属电镀物的区域之外的其它金属表层，可对第一表面露出的需要电镀表面金属电镀物的区域电镀进行导流，这样就无需使用电镀引线来实现电镀导流。

步骤504、在已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

其中，例如可先去除已镀上表面金属电镀物的第一表面的剩余保护层，而后再在已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；或者，也可在第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域镀上表面金属电镀物后，直接在该已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层。

步骤505、去除封装基板第二表面上的剩余保护层；

步骤506、在封装基板第二表面覆盖保护层；

步骤507、通过曝光显影露出第二表面需要形成有机保焊膜OSP的区域；

可以理解的是，步骤504例如可以在步骤503之后步骤507之前的任意时刻执行。

步骤508、在封装基板第二表面需形成OSP的区域加工出OSP；

步骤509、去除封装基板已加工出OSP的第二表面上的剩余保护层；

步骤510、在封装基板已加工出OSP的第二表面上覆盖保护层；

步骤511、在封装基板已加工出OSP的第二表面上形成线路；

步骤512、在封装基板已形成线路且已加工出OSP的第二表面覆盖保护层；

其中，例如可以先去除已形成线路且已加工出OSP的第二表面的剩余保护层，而后再在已形成线路且已加工出OSP的第二表面覆盖保护层；或者也可在已加工出OSP的第二表面上形成线路后，直接在该已形成线路且已加工出OSP的第二表面覆盖保护层。

步骤513、去除已镀上表面金属电镀物的第一表面上的剩余保护层；

步骤514、在已镀上表面金属电镀物的第一表面上覆盖保护层；

步骤515、在覆盖保护层的已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路。

可以理解的是，步骤512例如可以在步骤511之后步骤515之前的任意时刻执行。

由上可见，本实施例在加工封装基板过程中，在封装基板的第一表面和第二表面分别进行区域电镀和区域加工OSP，如此，则有利于减少表面金属电镀物(如镍金、镍钯金)的用量，降低封装基板加工成本，且加工出的封装基板能够适应更多中场景需要，并且，封装基板的第一表面需电镀表面金属电镀物的区域之外的其它金属表层，可对第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域电镀进行导流，进而可无需使用额外的电镀引线来实现区域电镀，避免了在封装基板区域电镀的过程中使用电镀引线，有利于拓展封装基板的有效布线空间，并有利于减少噪声干扰。

本发明封装基板加工方法的另一个实施例。本实施例下面提供封装基板加工方法中，先在封装基板第一表面电镀而后在第二表面加工出OSP，然后在第一表面形成线路，之后再在第二表面形成线路。

本发明实施例提供的另一种封装基板加工方法可包括：

步骤601、在封装基板的第一表面和第二表面上覆盖保护层；

步骤602、通过曝光显影露出第一表面需要电镀表面金属电镀物的区域；

步骤603、在封装基板第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域镀上表面金属电镀物；

步骤604、在已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

步骤605、去除第二表面上的剩余保护层；

步骤606、在第二表面覆盖保护层；

步骤607、通过曝光显影露出第二表面需要形成OSP的区域；

可以理解的是，步骤604例如可以在步骤603之后步骤607之前的任意时刻执行。

步骤608、在第二表面需形成OSP的区域加工出OSP；

步骤609、在已加工出OSP的第二表面覆盖保护层；

步骤610、去除已镀上表面金属电镀物的第一表面上的剩余保护层；

步骤611、在已镀上表面金属电镀物的第一表面上覆盖保护层；

步骤612、在已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路。

步骤613、在已形成线路且已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

其中，例如可以先去除已形成线路且已镀上表面金属电镀物的第一表面的剩余保护层，而后再在已形成线路且已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；或者也可在已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路后，直接在已形成线路且已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层。

步骤614、去除已加工出OSP的第二表面上的剩余保护层；

步骤615、在已加工出OSP的第二表面上覆盖保护层；

步骤616、在已加工出OSP的第二表面上形成线路。

可以理解的是，步骤613例如可以在步骤612之后步骤616之前的任意时刻执行。

本发明封装基板加工方法的另一个实施例。本实施例所提供的一种封装基板加工方法中，先在封装基板第一表面电镀而后在第一表面形成线路，然后在第二表面加工出OSP，之后再在第二表面形成线路。

本发明实施例提供的另一种封装基板加工方法可包括：

步骤701、在封装基板的第一表面和第二表面上覆盖保护层；

步骤702、通过曝光显影露出第一表面需要电镀表面金属电镀物的区域；

步骤703、在封装基板第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域镀上表面金属电镀物；

步骤704、去除已镀上表面金属电镀物的第一表面上的剩余保护层；

步骤705、在已镀上表面金属电镀物的第一表面上覆盖保护层；

步骤706、在已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路；

步骤707、在已形成线路且已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

其中，例如可先去除已形成线路且已镀上表面金属电镀物的第一表面的剩余保护层，而后再在该已形成线路且已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；或者，也可在已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路后，直接在该已形成线路且已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层。

步骤708、去除第二表面上的剩余保护层；

步骤709、在第二表面覆盖保护层；

步骤710、通过曝光显影露出第二表面需要形成有机保焊膜OSP的区域；

可以理解的是，步骤707例如可以在步骤706之后步骤710之前的任意时刻执行。

步骤711、在第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP；

步骤712、去除已加工出OSP的第二表面上的剩余保护层；

步骤713、在已加工出OSP的第二表面上覆盖保护层；

步骤714、在第二表面上形成线路。

本发明封装基板加工方法的另一个实施例。本实施例下面提供封装基板加工方法中，先在封装基板第一表面电镀而后在第一表面形成线路，而后在第二表面形成线路，之后再在第二表面加工出OSP。

本发明实施例提供的另一种封装基板加工方法可包括：

步骤801、在封装基板的第一表面和第二表面上覆盖保护层；

步骤802、通过曝光显影露出第一表面需要电镀表面金属电镀物的区域；

步骤803、在封装基板第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域镀上表面金属电镀物；

步骤804、去除已镀上表面金属电镀物的第一表面上的剩余保护层；

步骤805、在已镀上表面金属电镀物的第一表面上覆盖保护层；

步骤806、在已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路；

步骤807、在已形成线路且已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

步骤808、去除第二表面上的剩余保护层；

步骤809、在第二表面覆盖保护层；

步骤810、在覆盖保护层的第二表面上形成线路；

可以理解的是，步骤807例如可以在步骤806之后步骤810之前的任意时刻执行。

步骤811、去除已形成线路的第二表面上的剩余保护层；

步骤812、在已形成线路的第二表面上的覆盖保护层；

步骤813、通过曝光显影露出已形成线路的第二表面需要形成有机保焊膜OSP的区域；

步骤814、在已形成线路的第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP。

本发明封装基板加工方法的另一个实施例。本实施例下面提供的封装基板加工方法中，先在封装基板第一表面电镀而后在第二表面形成线路，然后在第一表面形成线路，之后再在第二表面加工出OSP。

本发明实施例提供的另一种封装基板加工方法可包括：

步骤901、在封装基板的第一表面和第二表面上覆盖保护层；

步骤902、通过曝光显影露出第一表面需要电镀表面金属电镀物的区域；

步骤903、在封装基板第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域镀上表面金属电镀物；

步骤904、在封装基板已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

步骤905、去除封装基板第二表面上的剩余保护层；

步骤906、在封装基板第二表面覆盖保护层；

步骤907、在封装基板覆盖保护层的第二表面上形成线路；

可以理解的是，步骤904例如可以在步骤903之后步骤907之前的任意时刻执行。

步骤908、在封装基板已形成线路的第二表面上的覆盖保护层；

其中，例如可先去除已形成线路的第二表面上的剩余保护层，而后再在已形成线路的第二表面覆盖保护层；或者，也可在覆盖保护层的第二表面上形成线路后，直接在该已形成线路的第二表面上的覆盖保护层。

步骤909、去除已镀上表面金属电镀物的第一表面的剩余保护层；

步骤910、在已镀上表面金属电镀物的第一表面的覆盖保护层；

步骤911、在覆盖保护层的已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路；

可以理解的是，步骤908例如可以在步骤907之后步骤911之前的任意时刻执行。

步骤912、在已形成线路且已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

步骤913、去除已形成线路的第二表面上的剩余保护层；

步骤914、在已形成线路的第二表面覆盖保护层；

步骤915、通过曝光显影露出已形成线路的第二表面需要形成有机保焊膜OSP的区域；

例如可对覆盖保护层的封装基板第一表面和第二表面进行曝光显影，以露出已形成线路的第二表面需要形成有机保焊膜OSP的区域(其它区域被曝光的保护层覆盖保护)，其中，第一表面覆盖的保护层可全部曝光，第二表面除需要形成有机保焊膜OSP的区域外的其它区域曝光。

可以理解的是，步骤912例如可以在步骤911之后步骤915之前的任意时刻执行。

步骤916、在已形成线路的第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP。

本发明封装基板加工方法的另一个实施例。本实施例下面提供的封装基板加工方法中，先在封装基板第一表面电镀而后在第二表面形成线路，然后在第二表面加工出OSP，之后再在第一表面形成线路。

本发明实施例提供的另一种封装基板加工方法可包括：

步骤1001、在封装基板的第一表面和第二表面上覆盖保护层；

步骤1002、通过曝光显影露出第一表面需要电镀表面金属电镀物的区域；

例如可对覆盖保护层的封装基板第一表面和第二表面进行曝光显影，以露出封装基板第一表面上需要电镀表面金属电镀物的区域(其它区域被曝光的保护层覆盖保护)，其中，第二表面的保护层被全部曝光，第一表面除需电镀表面金属电镀物的区域外的其它区域曝光。

步骤1003、在封装基板第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域镀上表面金属电镀物；

步骤1004、在封装基板已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

其中，例如可先去除已镀上表面金属电镀物的第一表面的剩余保护层，而后再在该已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；或者，也可在第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域镀上表面金属电镀物后，直接在该已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层。

步骤1005、去除封装基板第二表面上的剩余保护层；

步骤1006、在封装基板第二表面覆盖保护层；

步骤1007、在封装基板覆盖保护层的第二表面上形成线路；

可以理解的是，步骤1004例如可以在步骤1003之后步骤1007之前的任意时刻执行。

步骤1008、在封装基板已形成线路的第二表面上的覆盖保护层；

步骤1009、通过曝光显影露出已形成线路的第二表面需要形成有机保焊膜OSP的区域；

步骤1010、在已形成线路的第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP；

步骤1011、在已形成线路且加工出OSP的第二表面覆盖保护层；

其中，例如可先去除已形成线路且已加工出OSP的第二表面上的剩余保护层，而后再在已形成线路且已加工出OSP的第二表面覆盖保护层；或者也可在已形成线路的第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP后，直接在该已形成线路且已加工出OSP的第二表面上的覆盖保护层。

步骤1012、去除已镀上表面金属电镀物的第一表面的剩余保护层；

步骤1013、在已镀上表面金属电镀物的第一表面的覆盖保护层；

步骤1014、在覆盖保护层的已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路。

可以理解的是，步骤1011例如可以在步骤1010之后步骤1014之前的任意时刻执行。

本发明封装基板加工方法的另一个实施例。本实施例下面提供的封装基板加工方法中，先在封装基板第二表面形成线路而后在第二表面加工出OSP，然后在第一表面电镀，之后再在第一表面形成线路。

本发明实施例提供的另一种封装基板加工方法可包括：

步骤1101、在封装基板的第一表面和已形成线路的第二表面覆盖保护层；

步骤1102、通过曝光显影露出第二表面上需形成有机保焊膜OSP的区域；

例如可对覆盖保护层的封装基板第一表面和第二表面进行曝光显影，以露出第二表面需要形成有机保焊膜OSP的区域(其它区域被曝光的保护层覆盖保护)，其中，第一表面覆盖的保护层可全部曝光，第二表面除需要形成有机保焊膜OSP的区域外的其它区域曝光。

步骤1103、在已形成线路的第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP；

步骤1104、在已形成线路且加工出OSP的第二表面覆盖保护层；

其中，例如可先去除已形成线路且已加工出OSP的第二表面的剩余保护层，而后再在该已形成线路且已加工出OSP的第二表面的覆盖保护层；或者也可在已形成线路的第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP后，直接在该已形成线路且已加工出OSP的第二表面的覆盖保护层。

步骤1105、去除封装基板第一表面上的剩余保护层；

步骤1106、在封装基板第一表面覆盖保护层；

步骤1107、通过曝光显影露出第一表面上需电镀表面金属电镀物的区域；

例如可对覆盖保护层的封装基板第一表面和第二表面进行曝光显影，以露出封装基板第一表面上需要电镀表面金属电镀物的区域(其它区域被曝光的保护层覆盖保护)，其中，第二表面覆盖的保护层可全部曝光，第一表面除需电镀表面金属电镀物的区域外的其它区域曝光。

可以理解的是，步骤1104例如可以在步骤1103之后步骤1107之前的任意时刻执行。

步骤1108、在封装基板第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域电镀表面金属电镀物；

步骤1109、去除封装基板已电镀表面金属电镀物的第一表面上的剩余保护层；

步骤1110、在封装基板已电镀表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

步骤1111、在覆盖保护层的已电镀表面金属电镀物的第一表面上形成线路。

本发明封装基板加工方法的另一个实施例。本实施例下面提供的封装基板加工方法中，先在封装基板第二表面形成线路而后在第一表面电镀，然后在第二表面加工出OSP，之后再在第一表面形成线路。

本发明实施例提供的另一种封装基板加工方法可包括：

步骤1201、在封装基板的第一表面和已形成线路的第二表面上覆盖保护层；

步骤1202、通过曝光显影露出第一表面上需电镀表面金属电镀物的区域；

步骤1203、在封装基板第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域电镀表面金属电镀物；

步骤1204、在封装基板已电镀表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

步骤1205、去除封装基板已形成线路的第二表面上的剩余保护层；

步骤1206、在封装基板已形成线路的第二表面上覆盖保护层；

步骤1207、通过曝光显影露出第二表面上需形成有机保焊膜OSP的区域；

可以理解的是，步骤1204例如可以在步骤1203之后步骤1207之前的任意时刻执行。

步骤1208、在已形成线路的第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP；

步骤1209、在已形成线路且加工出OSP的第二表面覆盖保护层；

步骤1210、去除已电镀表面金属电镀物的第一表面上的剩余保护层；

步骤1211、在已电镀表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

步骤1212、在覆盖保护层的已电镀表面金属电镀物的第一表面上形成线路。

可以理解的是，步骤1209例如可以在步骤1208之后步骤1212之前的任意时刻执行。

本发明封装基板加工方法的另一个实施例。本实施例下面提供的封装基板加工方法中，先在封装基板第二表面形成线路而后在第一表面电镀，然后在第一表面形成线路，之后再在第二表面加工出OSP。

本发明实施例提供的另一种封装基板加工方法可包括：

步骤1301、在封装基板的第一表面和已形成线路的第二表面上覆盖保护层；

步骤1302、通过曝光显影露出第一表面上需电镀表面金属电镀物的区域；

步骤1303、在封装基板第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域电镀表面金属电镀物；

步骤1304、去除已电镀表面金属电镀物的第一表面上的剩余保护层；

步骤1305、在已电镀表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

步骤1306、在覆盖保护层的已电镀表面金属电镀物的第一表面上形成线路；

步骤1307、在已形成线路且已电镀表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

其中，例如可先去除已形成线路且已镀上表面金属电镀物的第一表面的剩余保护层，而后再在已形成线路且已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；或者，也可在已电镀表面金属电镀物的第一表面上形成线路后，直接在该已形成线路且已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层。

步骤1308、去除已形成线路的第二表面上的剩余保护层；

步骤1309、在已形成线路的第二表面上覆盖保护层；

步骤1310、通过曝光显影露出第二表面上需形成有机保焊膜OSP的区域；

可以理解的是，步骤1307例如可以在步骤1306之后步骤1310之前的任意时刻执行。

步骤1311、在已形成线路的第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP。

本发明封装基板加工方法的另一个实施例。本实施例下面提供的封装基板加工方法中，先在封装基板第二表面加工出OSP而后在第一表面电镀，然后在第一表面形成线路，之后再在第二表面形成线路。

本发明实施例提供的另一种封装基板加工方法可包括：

步骤1401、在封装基板的第一表面和第二表面上覆盖保护层；

步骤1402、通过曝光显影露出第二表面需要形成有机保焊膜OSP的区域；

例如可对覆盖保护层的封装基板第一表面和第二表面进行曝光显影，以露出封装基板露出第二表面需要形成有机保焊膜OSP的区域(其它区域被曝光的保护层覆盖保护)，其中，第一表面的保护层被全部曝光，第二表面除需要形成OSP的区域外的其它区域被曝光。

步骤1403、在封装基板第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP；

步骤1404、在封装基板加工出OSP的第二表面覆盖保护层；

其中，例如可先去除已加工出OSP的第二表面的剩余保护层，而后再在该已加工出OSP的第二表面的覆盖保护层；或者也可在第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP后，直接在该已加工出OSP的第二表面的覆盖保护层。

步骤1405、去除封装基板第一表面上的剩余保护层；

步骤1406、在封装基板第一表面覆盖保护层；

步骤1407、通过曝光显影露出第一表面需要电镀表面金属电镀物的区域；

可以理解的是，步骤1404例如可以在步骤1403之后步骤1407之前的任意时刻执行。

步骤1408、在封装基板第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域镀上表面金属电镀物；

步骤1409、去除已镀上表面金属电镀物的第一表面上的剩余保护层；

步骤1410、在已镀上表面金属电镀物的第一表面上覆盖保护层；

步骤1411、在已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路；

步骤1412、在已形成线路且已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

步骤1413、去除已加工出OSP的第二表面上的剩余保护层；

步骤1414、在已加工出OSP的第二表面上覆盖保护层；

步骤1415、在覆盖保护层的已加工出OSP的第二表面上形成线路。

可以理解的是，步骤1412例如可以在步骤1411之后步骤1415之前的任意时刻执行。

本发明封装基板加工方法的另一个实施例。本实施例下面提供的封装基板加工方法中，先在封装基板第二表面加工出OSP而后在第一表面电镀，然后在第二表面形成线路，之后再在第一表面形成线路。

本发明实施例提供的另一种封装基板加工方法可包括：

步骤1501、在封装基板的第一表面和第二表面上覆盖保护层；

步骤1502、通过曝光显影露出第二表面需要形成有机保焊膜OSP的区域；

步骤1503、在封装基板第二表面需形成OSP的区域加工出OSP；

步骤1504、在封装基板已加工出OSP的第二表面覆盖保护层；

步骤1505、去除封装基板第一表面上的剩余保护层；

步骤1506、在封装基板第一表面上覆盖保护层；

步骤1507、通过曝光显影露出第一表面需要电镀表面金属电镀物的区域；

可以理解的是，步骤1504例如可以在步骤1503之后步骤1507之前的任意时刻执行。

步骤1508、在封装基板第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域镀上表面金属电镀物；

步骤1509、在封装基板已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

步骤1510、去除封装基板已加工出OSP的第二表面上的剩余保护层；

步骤1511、在封装基板已加工出OSP的第二表面覆盖保护层；

步骤1512、在封装基板覆盖保护层的已加工出OSP的第二表面上形成线路；

可以理解的是，步骤1509例如可以在步骤1508之后步骤1512之前的任意时刻执行。

步骤1513、在封装基板已形成线路且已加工出OSP的第二表面覆盖保护层；

其中，例如可先去除已形成线路且已加工出OSP的第二表面的剩余保护层，而后再在该已形成线路且已加工出OSP的第二表面的覆盖保护层；或者也可在已加工出OSP的第二表面上形成线路后，直接在该已形成线路且已加工出OSP的第二表面的覆盖保护层。

步骤1514、去除已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖的剩余保护层；

步骤1515、在封装基板已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

步骤1516、在封装基板已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路。

可以理解的是，步骤1513例如可以在步骤1512之后步骤1516之前的任意时刻执行。

本发明封装基板加工方法的另一实施例。本实施例下面提供的封装基板加工方法中，先在封装基板第二表面加工出OSP而后在第二表面形成线路，然后在第一表面电镀，之后再在第一表面形成线路。

本发明实施例提供的另一种封装基板加工方法可包括：

步骤1601、在封装基板的第一表面和第二表面上覆盖保护层；

步骤1602、通过曝光显影露出第二表面需形成有机保焊膜OSP的区域；

步骤1603、在封装基板第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP；

步骤1604、去除封装基板已加工出OSP的第二表面上的剩余保护层；

步骤1605、在封装基板已加工出OSP的第二表面上覆盖保护层；

步骤1606、在封装基板覆盖保护层的已加工出OSP的第二表面上形成线路；

步骤1607、在封装基板已形成线路且已加工出OSP的第二表面覆盖保护层；

步骤1608、去除封装基板第一表面上的剩余保护层；

步骤1609、在封装基板第一表面覆盖保护层；

步骤1610、通过曝光显影露出第一表面需要电镀表面金属电镀物的区域；

可以理解的是，步骤1607例如可以在步骤1606之后步骤1610之前的任意时刻执行。

步骤1611、在封装基板第一表面露出的需要电镀表面金属电镀物的区域镀上表面金属电镀物；

步骤1612、去除已镀上表面金属电镀物的第一表面上的剩余保护层；

步骤1613、在已镀上表面金属电镀物的第一表面上覆盖保护层；

步骤1614、在覆盖保护层的已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路。

本发明封装基板加工方法的另一个实施例。其中，本实施例下面提供的封装基板加工方法中，先在封装基板第二表面加工出OSP，而后在第一表面形成线路，然后在第一表面电镀，之后再在第二表面形成线路。

本发明实施例提供的另一种封装基板加工方法可包括：

步骤1701、在封装基板的第一表面和第二表面上覆盖保护层；

步骤1702、通过曝光显影露出第二表面需要形成OSP的区域；

步骤1703、在封装基板第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP；

步骤1704、在封装基板加工出OSP的第二表面覆盖保护层；

其中，例如可先去除已加工出OSP的第二表面的剩余保护层，而后再在该已加工出OSP的第二表面的覆盖保护层；或者也可在在第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP后，直接在该已加工出OSP的第二表面的覆盖保护层。

步骤1705、去除封装基板第一表面上的剩余保护层；

步骤1706、在封装基板第一表面覆盖保护层；

步骤1707、在封装基板覆盖保护层的第一表面上形成线路；

可以理解的是，步骤1704例如可以在步骤1703之后步骤1707之前的任意时刻执行。

步骤1708、去除封装基板已形成线路的第一表面上的剩余保护层；

步骤1709、在封装基板已形成线路的第一表面覆盖保护层；

步骤1710、通过曝光显影露出已形成线路的第一表面需要电镀表面金属电镀物的区域；

步骤1711、在已形成线路的第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域镀上表面金属电镀物；

其中，在电镀时，第一表面和第二表面间的导通孔将第一表面露出的需要电镀表面金属电镀物的区域与第二表面的金属表层导通，进而利用第二表面的金属表层，对已形成线路的第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域电镀进行导流，这样就无需使用电镀引线来实现电镀导流。

步骤1712、在已形成线路且已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

步骤1713、去除封装基板已加工出OSP的第二表面上的剩余保护层；

其中，例如可先去除已形成线路且已镀上表面金属电镀物的第一表面的剩余保护层，而后再在该已形成线路且已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；或者也可在已形成线路的第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域镀上表面金属电镀物之后，直接在该已形成线路且已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层。

步骤1714、在封装基板已加工出OSP的第二表面上覆盖保护层；

步骤1715、在覆盖保护层的已加工出OSP的第二表面上形成线路。

在实际应用中，在封装基板第一表面电镀的工序先于在第一表面形成线路工序的加工流程中，具体也可以在第一表面电镀工序中，先在封装基板第一表面的部分区域形成线路(该部分区域形成的线路需电镀表面金属电镀物)，然后在该部分区域形成的线路上电镀表面金属电镀物；而在之后的第一表面形成线路工序中再形成第一表面的其他区域的线路，其它加工工序可参照上述实施例的描述，此处不再赘述。

类似的，在封装基板第二表面加工OSP的工序先于在第二表面形成线路工序的加工流程中，具体也可以在第二表面加工OSP工序中，先在封装基板第一表面的部分区域形成线路(该部分区域形成的线路需形成OSP)，然后在该部分区域形成的线路上加工形成OSP；而在之后的第二表面形成线路工序中再形成第二表面的其他区域的线路，其它加工工序可参照上述实施例的描述，此处不再赘述。

需要说明的是，对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定是本发明所必须的。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

综上，本发明实施例的一种加工封装基板过程中，在封装基板的第一表面和第二表面分别进行区域电镀和区域加工OSP，如此，则有利于减少表面金属电镀物(如镍金、镍钯金等)的用量，降低封装基板加工成本，且加工出的封装基板能够适应更多中场景需要，并且封装基板的第一表面和第二表面之间具有至少一个导通孔，利用导通孔实现电镀的电流导通，进而可无需使用额外的电镀引线来实现区域电镀，避免了在封装基板区域电镀的过程中使用电镀引线，有利于拓展封装基板的有效布线空间，减少噪声干扰。

以上对本发明实施例所提供的封装基板加工方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims

1.一种封装基板加工方法，其特征在于，包括：

在封装基板的第二表面和已形成线路的第一表面上覆盖保护层，其中，所述封装基板的第一表面和第二表面之间具有至少一个导通孔；

通过曝光显影露出第一表面上需要电镀表面金属电镀物的区域；

利用所述导通孔和第二表面的金属表层导流，在第一表面露出的需要电镀表面金属电镀物的区域上镀上表面金属电镀物；

在已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

去除第二表面上的剩余保护层；

在第二表面覆盖保护层；

在覆盖保护层的第二表面上形成线路；

去除已形成线路的第二表面的剩余保护层；

在已形成线路的第二表面覆盖保护层；

通过曝光显影露出已形成线路的第二表面上需形成有机保焊膜OSP的区域；

在已形成线路的第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP。

2.一种封装基板加工方法，其特征在于，包括：

在封装基板的第一表面和第二表面上覆盖保护层；

通过曝光显影露出第一表面需要电镀表面金属电镀物的区域；

利用第一表面需电镀表面金属电镀物的区域之外的其它金属表层导流，在第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域镀上表面金属电镀物；

在已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

去除第二表面上的剩余保护层；

在第二表面覆盖保护层；

通过曝光显影露出第二表面需要形成有机保焊膜OSP的区域；

在第二表面需形成OSP的区域加工出OSP；

在已加工出OSP的第二表面覆盖保护层；

去除已镀上表面金属电镀物的第一表面上的剩余保护层；

在已镀上表面金属电镀物的第一表面上覆盖保护层；

在已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路；

在已形成线路且已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

去除已加工出OSP的第二表面上的剩余保护层；

在已加工出OSP的第二表面上覆盖保护层；

在已加工出OSP的第二表面上形成线路。

3.一种封装基板加工方法，其特征在于，包括：

在封装基板的第一表面和第二表面上覆盖保护层；

去除已镀上表面金属电镀物的第一表面上的剩余保护层；

在已镀上表面金属电镀物的第一表面上覆盖保护层；

在已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路；

去除第二表面上的剩余保护层；

在第二表面覆盖保护层；

在覆盖保护层的第二表面上形成线路；

去除已形成线路的第二表面上的剩余保护层；

在已形成线路的第二表面上覆盖保护层；

通过曝光显影露出已形成线路的第二表面需要形成有机保焊膜OSP的区域；

在已形成线路的第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP。

4.一种封装基板加工方法，其特征在于，包括：

在封装基板的第一表面和第二表面上覆盖保护层；

在已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

去除第二表面上的剩余保护层；

在第二表面覆盖保护层；

在覆盖保护层的第二表面上形成线路；

在已形成线路的第二表面上覆盖保护层；

去除已镀上表面金属电镀物的第一表面的剩余保护层；

在已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

在覆盖保护层的已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路；

去除已形成线路的第二表面上的剩余保护层；

在已形成线路的第二表面覆盖保护层；

在已形成线路的第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP。

5.一种封装基板加工方法，其特征在于，包括：

在封装基板的第一表面和第二表面上覆盖保护层；

在已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

去除第二表面上的剩余保护层；

在第二表面覆盖保护层；

在覆盖保护层的第二表面上形成线路；

在已形成线路的第二表面上覆盖保护层；

在已形成线路的第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP；

在已形成线路且加工出OSP的第二表面覆盖保护层；

去除已镀上表面金属电镀物的第一表面的剩余保护层；

在已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

在覆盖保护层的已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路。

6.一种封装基板加工方法，其特征在于，包括：

在封装基板的第一表面和已形成线路的第二表面上覆盖保护层；

通过曝光显影露出第一表面上需电镀表面金属电镀物的区域；

利用第一表面需电镀表面金属电镀物的区域之外的其它金属表层导流，在第一表面露出的需电镀表面金属电镀物的区域电镀表面金属电镀物；

去除已电镀表面金属电镀物的第一表面上的剩余保护层；

在已电镀表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

在覆盖保护层的已电镀表面金属电镀物的第一表面上形成线路；

在已形成线路且已电镀表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

去除已形成线路的第二表面上的剩余保护层；

在已形成线路的第二表面上覆盖保护层；

通过曝光显影露出第二表面上需形成有机保焊膜OSP的区域；

在已形成线路的第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP。

7.一种封装基板加工方法，其特征在于，包括：

在已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

去除第二表面上的剩余保护层；

在第二表面覆盖保护层；

通过曝光显影露出第二表面上需形成有机保焊膜OSP的区域；

在第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP；

去除已加工出OSP的第二表面上的剩余保护层；

在已加工出OSP的第二表面覆盖保护层；

在覆盖保护层的已加工出OSP的第二表面上形成线路。

8.一种封装基板加工方法，其特征在于，包括：

通过曝光显影露出第二表面上需形成有机保焊膜OSP的区域；

在第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP；

在已加工出OSP的第二表面覆盖保护层；

去除已形成线路的第一表面上的剩余保护层；

在已形成线路的第一表面覆盖保护层；

通过曝光显影露出已形成线路的第一表面上需电镀表面金属电镀物的区域；

利用所述导通孔和第二表面的金属表层导流，在已形成线路的第一表面露出的需要电镀表面金属电镀物的区域上镀上表面金属电镀物；

在已形成线路的且已上镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

去除已加工出OSP的第二表面覆盖保护层；

在已加工出OSP的第二表面覆盖保护层；

在覆盖保护层的已加工出OSP的第二表面形成线路。

9.一种封装基板加工方法，其特征在于，包括：

在封装基板的第一表面和第二表面上覆盖保护层；

在已镀上表面金属电镀物的第一表面覆盖保护层；

去除第二表面上的剩余保护层；

在第二表面覆盖保护层；

通过曝光显影露出第二表面需要形成有机保焊膜OSP的区域；

在第二表面需形成OSP的区域加工出OSP；

去除第二表面上的剩余保护层；

在第二表面上覆盖保护层；

在第二表面上形成线路；

在已形成线路的第二表面覆盖保护层；

去除已镀上表面金属电镀物的第一表面上的剩余保护层；

在已镀上表面金属电镀物的第一表面上覆盖保护层；

在已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路。

10.一种封装基板加工方法，其特征在于，包括：

在封装基板的第一表面和第二表面上覆盖保护层；

去除已镀上表面金属电镀物的第一表面上的剩余保护层；

在已镀上表面金属电镀物的第一表面上覆盖保护层；

在已镀上表面金属电镀物的第一表面上形成线路；

去除第二表面上的剩余保护层；

在第二表面覆盖保护层；

通过曝光显影露出第二表面需要形成有机保焊膜OSP的区域；

在第二表面露出的需形成OSP的区域加工出OSP；

去除已加工出OSP的第二表面上的剩余保护层；

在已加工出OSP的第二表面上覆盖保护层；

在第二表面上形成线路。