CN112435979B - 引线单元及引线框架 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了引线单元及引线框架。该引线单元包括第一引线单元；第一引线单元包括第一引线部、第一引脚部和延伸部，第一引脚部和延伸部分别设置于第一引线部的两端；第一引线部设置有至少两个弯折处。该引线单元及引线框架减小了第一引线部在单位面积上所受的压力，降低了第一引线部端部的下沉以及对母线的挤压，从而避免了母线中部凹陷变形和下沉外露。

Description

引线单元及引线框架
技术领域
本公开涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种引线单元及引线框架。
背景技术
QFN(Quad Flat No-lead Package，方形扁平无引脚封装)是一种无引脚封装，通常呈正方形或矩形，封装底部中央位置有一个大面积裸露焊盘用来导热，围绕大焊盘的封装外围四周有实现电气连结的导电焊盘。
现有QFN产品中，基于结构与电性的需求，设计者会将具有等电位或者相同信号的引线(finger)通过母线(bus bar)连接在一起。然而，在封装注塑阶段，液体的注塑材料流经母线时，会使引线上与母线连接的一端下沉，进而引起母线凹陷变形甚至外露，导致产品缺陷。
发明内容
本公开提出了引线单元及引线框架。
第一方面，本公开提出了一种引线单元，包括第一引线单元；
所述第一引线单元包括第一引线部、第一引脚部和延伸部，所述第一引脚部和所述延伸部分别设置于所述第一引线部的两端；
所述第一引线部设置有至少两个弯折处。
在一些可选的实施方式中，所述弯折处包括两个第一直线部，所述两个第一直线部的端部相互连接且成第一角度，所述第一角度大于0°且小于180°。
在一些可选的实施方式中，所述弯折处包括圆弧部和两个第二直线部，所述两个第二直线部分别与所述圆弧部的两端连接。
在一些可选的实施方式中，所述圆弧部成第二角度，所述第二角度大于0°且小于180°。
在一些可选的实施方式中，所述延伸部为第一延伸部，所述第一延伸部垂直于所述第一引脚部的长度方向。
在一些可选的实施方式中，所述延伸部为第二延伸部，所述第二延伸部与所述第一引脚部的长度方向成第三角度，所述第三角度大于0°且小于180°。
在一些可选的实施方式中，所述第三角度大于30°且小于150°。
在一些可选的实施方式中，所述延伸部为第三延伸部，所述第三延伸部垂直于所述第一引脚部的长度方向，并且与所述第一引线单元之外的其他引线单元连接。
在一些可选的实施方式中，所述引线单元还包括第二引线单元，所述第二引线单元包括第二引线部和第二引脚部，所述第二引脚部设置于所述第二引线部的一端。
在一些可选的实施方式中，所述第二引线部的长度小于所述第一引线部的长度。
在一些可选的实施方式中，所述弯折处靠近所述延伸部。
在一些可选的实施方式中，所述第一角度为90°。
在一些可选的实施方式中，所述第一引线单元一体制成。
第二方面，本公开提供了一种引线框架，包括如本公开第一方面任一实施方式描述的引线单元和支撑盘；
所述引线单元位于所述支撑盘的周围。
第三方面，本公开提供一种半导体封装结构，包括：
基板，具有第一表面和第二表面；
引线框架，设置于所述基板的第一表面，包括：支撑盘，用于承载芯片；引线单元，位于所述支撑盘的周围，用于与芯片电连接；所述引线单元包括第一引线单元，其中，所述第一引线单元包括第一引线部、第一引脚部和延伸部，所述第一引脚部和所述延伸部分别设置于所述第一引线部的两端；所述第一引线部设置有至少两个弯折处；
芯片，设置于所述支撑盘上，并且与所述引线单元电连接。
在一些可选的实施方式中，所述弯折处包括两个第一直线部，所述两个第一直线部的端部相互连接且成第一角度，所述第一角度大于0°且小于180°。
在一些可选的实施方式中，所述弯折处包括圆弧部和两个第二直线部，所述两个第二直线部分别与所述圆弧部的两端连接。
在一些可选的实施方式中，所述圆弧部成第二角度，所述第二角度大于0°且小于180°。
在一些可选的实施方式中，所述延伸部为第一延伸部，所述第一延伸部垂直于所述第一引脚部的长度方向。
在一些可选的实施方式中，所述延伸部为第二延伸部，所述延伸部为第二延伸部，所述第二延伸部与所述第一引脚部的长度方向成第三角度，所述第三角度大于0°且小于180°。
在一些可选的实施方式中，所述第三角度大于30°且小于150°。
在一些可选的实施方式中，所述延伸部为第三延伸部，所述延伸部为第三延伸部，所述第三延伸部垂直于所述第一引脚部的长度方向，并且与所述第一引线单元之外的其他引线单元连接。
在一些可选的实施方式中，所述引线单元还包括第二引线单元，所述第二引线单元包括第二引线部和第二引脚部，所述第二引脚部设置于所述第二引线部的一端。
在一些可选的实施方式中，所述第二引线部的长度小于所述第一引线部的长度。
在一些可选的实施方式中，所述弯折处靠近所述延伸部。
在一些可选的实施方式中，所述第一角度为90°。
在一些可选的实施方式中，所述第一引线单元一体制成。
为解决现有技术中QFN产品的母线凹陷变形甚至外露、导致产品缺陷的问题，本公开提供的引线单元，通过在第一引线部设置至少两个弯折处，减小了第一引线部在单位面积上所受的压力，降低了第一引线部端部的下沉以及对母线的挤压，从而避免了母线中部凹陷变形和下沉外露。进而，该引线单元及引线框架能够提高QFN产品的良品率。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本公开的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1是根据本发明实施例的引线单元的示意图；
图2是根据本发明实施例的第一引线单元的第一示意图；
图3是根据本发明实施例的第一引线单元的第二示意图；
图4是根据本发明实施例的第一引线单元的第三示意图；
图5是根据本发明实施例的第一引线单元的第四示意图；
图6-图11是根据本发明实施例的引线单元在各个制造阶段的示意图。
符号说明：
2 第一引线单元
21 第一引脚部 22 第一引线部
221 第一弯折处 221a、221b 第一直线部
222 第二弯折处 222a、222b 第二直线部
222c 圆弧部 23 延伸部
23a 第一延伸部 23b 第二延伸部
23c 第三延伸部 21′ 其他引线单元的引脚部
22′ 其他引线单元的引线部 3 第二引线单元
31 第二引脚部 32 第二引线部
5 金属片材 6 光阻
7 曝光图案 8 显影图案
9 蚀刻图案 10 去光阻后图案
θ1 第一角度 θ2 第二角度
θ3 第三角度
具体实施方式
下面结合附图和实施例对说明本公开的具体实施方式，通过本说明书记载的内容本领域技术人员可以轻易了解本公开所解决的技术问题以及所产生的技术效果。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外，为了便于描述，附图中仅示出了与有关发明相关的部分。
需要说明的是，说明书附图中所绘示的结构、比例、大小等，仅用于配合说明书所记载的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本公开可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本公开所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本公开所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本公开可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本公开可实施的范畴。
另外，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本公开。
请参见图1，图1是根据本发明实施例的引线单元的示意图。该引线单元包括第一引线单元2。其中，第一引线单元2包括第一引线部22、第一引脚部21和延伸部23。第一引脚部21和延伸部23分别设置于第一引线部22的两端。图如1所示，第一引脚部21第一引线部22的下端，延伸部23设置于第一引线部22的上端。
本实施例，第一引线部22设置有至少两个弯折处。在图2所示的例子中，弯折处的数目为2个。在其他例子中，弯折处的数目可以是3个、4个、5个等。
本实施例中，第一引线部设置有至少两个弯折处，相对于现有的不具有弯折的结构，在总压力一定的情况下，由于其面积更大，因此单位面积上承受的压力更小，发生的形变也更小。
因此，本实施例中的引线单元降低了第一引线部端部的下沉以及对母线的挤压，从而避免了母线中部凹陷变形和下沉外露。进而，该引线单元能够提高QFN产品的良品率。
在一些可选的实施方式中，弯折处包括两个第一直线部，两个第一直线部的端部相互连接且成第一角度，第一角度大于0°且小于180°。
如图2所示，该第一引线单元包括第一引脚部21、第一引线部22和第一延伸部23a。其中，第一引线部22具有第一弯折处221和第二弯折处222。
在图2中，第一弯折处221包括第一直线部221a和第一直线部221b。第一直线部221a沿水平方向延伸，第一直线部221b沿竖直方向延伸。第一直线部221a和第一直线部221b的端部相互接连且成第一角度θ1。在图2所示的例子中，第一角度θ1的大小例如是90°。在其他例子中，第一角度θ1的数值也可以是60°、120°等。
在图2中，第二弯折处222具有与第一弯折处221类似的弯折结构，这里不再赘述。
在一些可选的实施方式中，弯折处包括圆弧部和两个第二直线部，两个第二直线部分别与圆弧部的两端连接。
如图3所示，该第一引线单元包括第一引脚部21、第一引线部22和第一延伸部23a。其中，第一引线部22具有第一弯折处221和第二弯折处222。
在图3中，第二弯折处222包括圆弧部222c、第二直线部222a和第二直线部222b。第二直线部222a和第二直线部222b分别与圆弧部222c的两端连接。
在图3中，第一弯折处221具有与第二弯折处222类似的结构，这里不再赘述。
在一些可选的实施方式中，圆弧部成第二角度，第二角度大于0°且小于180°。
如图3所示，圆弧部222c成第二角度θ2，即圆弧部222c对应的圆心角为θ2。第二角度θ2大于0°且小于180°，其数值例如是45°、90°、120°等。
在一些可选的实施方式中，延伸部为第一延伸部，第一延伸部垂直于第一引脚部的长度方向。
在图2或图3所示的例子中，第一引脚部21沿竖直方向延伸，即第一引脚部21的长度方向为竖直方向。在图2或图3中，第一延伸部23a沿水平方向延伸，因此其垂直于第一引脚部21的长度方向。
在一些可选的实施方式中，延伸部为第二延伸部，第二延伸部与第一引脚部的长度方向成第三角度，第三角度大于0°且小于180°。
在图4所示的例子中，第一引脚部21沿竖直方向延伸，即第一引脚部21的长度方向为竖直方向。在图4中，第二延伸部23b与第一引脚部21的长度方向成第三角度θ3。第三角度θ3大于0°且小于180°，例如为30°、60°、120°等(以逆时针方向为正方向)。
在一些可选的实施方式中，第三角度θ3大于30°且小于150°。即，第二延伸部23b相对于水平方向的夹角大小小于60°。
在一些可选的实施方式中，延伸部为第三延伸部，第三延伸部垂直于第一引脚部的长度方向，并且与第一引线单元之外的其他引线单元连接。
在图5所示的例子中，第一引脚部21沿竖直方向延伸，即第一引脚部21的长度方向为竖直方向。在图5中，第一引线单元包括第一引脚部21、第一引线部22和第三延伸部23c。图5中还示出了第一引线单元之外的其他引线单元，该引线单元包括引脚部21′和引线部22′。
在图5所示的例子中，第三延伸部23c垂直于第一引脚部21的长度方向，并且与其他单元的引线部22′连接。通过第三延伸部23c的连接，第一引线单元和其他引线单元连接成一整体。
在一些可选的实施方式中，引线单元还包括第二引线单元，第二引线单元包括第二引线部和第二引脚部，第二引脚部设置于第二引线部的一端。
在图1所示的例子中，除了第一引线单元2外，引线单元还包括第二引线单元3。第二引线单元3包括第二引脚部31和第二引线部32。如图1所示，第一引脚部21可以设置于第二引线部32的下端。
在一些可选的实施方式中，第二引线部的长度小于第一引线部的长度。例如，在图1所示的例子中，第二引线部32的长度小于第一引线部22的长度。上述长度可以是引线部两端之间的直线距离，也可以是引线部两端之间的引线实际长度。
在一些可选的实施方式中，弯折处靠近延伸部。例如，在图1所示的第一引线单元2中，第一引线部22上的两个弯折处到延伸部23的距离相对于其到第一引脚部21的距离更小。
在一些可选的实施方式中，第一角度为90°。例如，在图2所示的例子中，第一直线部221a沿水平方向延伸，第一直线部221b沿竖直方向延伸，二者所成的第一角度θ1为90°。
在一些可选的实施方式中，第一引线单元一体制成。例如，通过曝光、显影、蚀刻等工艺，在金属片材上形成包括第一引线部、第一引脚部和延伸部的第一引线单元整体。
图6-图11是根据本发明实施例的引线单元在各个制造阶段的示意图。本实施例中的引线单元可以通过以下方式制造：
首先，提供一金属片材。如图6所示，提供一个长方形的金属片材5。
其次，在金属片材上设置光阻材料。如图7所示，在金属片材5的表面涂布光阻6。其中，光阻6可以是正光阻材料也可以是负光阻材料。
再次，使用与引线单元的图案对应的光罩进行曝光。在图7所示的例子中，如果光阻6为正光阻，则使用与引线单元图案相同的光罩进行曝光。如果光阻6为负光阻，则使用与引线单元图案互补的光罩进行曝光。曝光处理后，可以得到如图8所示的曝光图案7。
然后，使用显影剂进行显影处理。显影处理后的图案例如是图9所示的显影图案8。
接下来，进行蚀刻处理。上述蚀刻处理可以是干蚀刻，也可以是湿蚀刻。蚀刻处理后，可以得到如图10所示的蚀刻图案9。
之后，进行去光阻处理。上述去光阻处理可以采用干式去光阻法，也可以采用湿式去光阻法。去光阻处理后，可以得到如图11所示的去光阻后图案10。
在图10中，引线单元包括两个第一引线单元，以及若干个第二引线单元。
本发明的另外一个实施例提供了一种引线框架。该引线框架包括如前文所述的引线单元和支撑盘。该引线单元位于该支撑盘的周围。
本实施例中引线框架的具体细节和技术效果可以参见前文对引线单元的描述，这里不再赘述。
本发明的另外一实施例提供了一种半导体封装结构。该半导体封装结构包括：基板，具有第一表面和第二表面；引线框架，设置于基板的第一表面，包括：支撑盘，用于承载芯片；引线单元，位于支撑盘的周围，用于与芯片电连接；引线单元包括第一引线单元，其中，第一引线单元包括第一引线部、第一引脚部和延伸部，第一引脚部和延伸部分别设置于第一引线部的两端；第一引线部设置有至少两个弯折处；芯片，设置于支撑盘上，并且与引线单元电连接。
在一些可选的实施方式中，弯折处包括两个第一直线部，两个第一直线部的端部相互连接且成第一角度，第一角度大于0°且小于180°。
在一些可选的实施方式中，弯折处包括圆弧部和两个第二直线部，两个第二直线部分别与圆弧部的两端连接。
在一些可选的实施方式中，圆弧部成第二角度，第二角度大于0°且小于180°。
在一些可选的实施方式中，延伸部为第一延伸部，第一延伸部垂直于第一引脚部的长度方向。
在一些可选的实施方式中，延伸部为第二延伸部，第二延伸部与第一引脚部的长度方向成第三角度，第三角度大于0°且小于180°。
在一些可选的实施方式中，第三角度θ3大于30°且小于150°。
在一些可选的实施方式中，延伸部为第三延伸部，延伸部为第三延伸部，第三延伸部垂直于第一引脚部的长度方向，并且与第一引线单元之外的其他引线单元连接。
在一些可选的实施方式中，引线单元还包括第二引线单元，第二引线单元包括第二引线部和第二引脚部，第二引脚部设置于第二引线部的一端。
在一些可选的实施方式中，第二引线部的长度小于第一引线部的长度。
在一些可选的实施方式中，弯折处靠近延伸部。
在一些可选的实施方式中，第一角度为90°。
在一些可选的实施方式中，第一引线单元一体制成。
本实施例中的半导体封装结构，其具体细节和技术效果可以参见前文对引线单元或引线框架的描述，这里不再赘述。
尽管已参考本公开的特定实施例描述并说明本公开，但这些描述和说明并不限制本公开。所属领域的技术人员可清楚地理解，可进行各种改变，且可在实施例内替代等效元件而不脱离如由所附权利要求书限定的本公开的真实精神和范围。图示可能未必按比例绘制。归因于制造过程中的变量等等，本公开中的艺术再现与实际设备之间可能存在区别。可存在未特定说明的本公开的其它实施例。应将说明书和图式视为说明性的，而非限制性的。可作出修改，以使特定情况、材料、物质组成、方法或过程适应于本公开的目标、精神以及范围。所有此些修改都打算属于在此所附权利要求书的范围内。虽然已参考按特定次序执行的特定操作描述本文中所公开的方法，但应理解，可在不脱离本公开的教示的情况下组合、细分或重新排序这些操作以形成等效方法。因此，除非本文中特别指示，否则操作的次序和分组并不限制本公开。

Claims (9)

1.一种引线单元，包括第一引线单元；
所述第一引线单元包括第一引线部、第一引脚部和延伸部，所述第一引脚部和所述延伸部分别设置于所述第一引线部的两端；
所述第一引线部设置有至少两个呈直角的弯折处；
所述第一引线部、所述第一引脚部和所述延伸部共平面。
2.根据权利要求1所述的引线单元，其中，所述弯折处包括圆弧部和两个第二直线部，所述两个第二直线部分别与所述圆弧部的两端连接。
3.根据权利要求1所述的引线单元，其中，所述延伸部为第一延伸部，所述第一延伸部垂直于所述第一引脚部的长度方向。
4.根据权利要求1所述的引线单元，其中，所述延伸部为第二延伸部，所述第二延伸部与所述第一引脚部的长度方向成第三角度，所述第三角度大于0°且小于180°。
5.根据权利要求1所述的引线单元，其中，所述延伸部为第三延伸部，所述第三延伸部垂直于所述第一引脚部的长度方向，并且与所述第一引线单元之外的其他引线单元连接。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的引线单元，其中，所述引线单元还包括第二引线单元，所述第二引线单元包括第二引线部和第二引脚部，所述第二引脚部设置于所述第二引线部的一端。
7.根据权利要求6所述的引线单元，其中，所述第二引线部的长度小于所述第一引线部的长度。
8.根据权利要求1-5中任一项所述的引线单元，其中，所述第一引线单元一体制成。
9.一种引线框架，包括如权利要求1-8中任一项所述的引线单元和支撑盘；
所述引线单元位于所述支撑盘的周围。
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