CN112309672B - 线圈部件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够容易地形成空隙部的线圈部件。线圈部件具备坯体、以及设置于上述坯体内的线圈，上述坯体包括被层叠的多个第一磁性层以及第二磁性层，上述线圈包括被层叠的多个线圈导体层，上述线圈导体层被夹在上述第一磁性层与上述第二磁性层之间，上述第二磁性层的孔隙面积率比上述第一磁性层的孔隙面积率小，在上述第二磁性层与上述线圈导体层之间存在空隙部。

Description

线圈部件
技术领域
本发明涉及线圈部件。
背景技术
以往，作为线圈部件，存在日本特开2017-59749号公报(专利文献1)中所记载的线圈部件。线圈部件具备坯体、和设置于坯体内的线圈，线圈包括被层叠的多个线圈导体层。在坯体内设置有与线圈导体层的表面接触的应力缓和空间。在应力缓和空间中存在ZrO2的粉体。
专利文献1：日本特开2017-59749号公报
然而，若想实际制造上述现有的线圈部件，则在形成于陶瓷生片上的线圈导体层上，通过丝网印刷等施加含有ZrO2的粉体的糊剂，来形成成为应力缓和空间的粉体图案。然后，通过烧制粉体图案，从而形成应力缓和空间。这样，需要在线圈导体层上印刷ZrO2等糊剂，有可能工序变得复杂。
发明内容
因此，本公开提供一种能够容易形成空隙部的线圈部件。
为了解决上述课题，作为本公开的一个方式的线圈部件具备：
坯体；以及
线圈，设置于上述坯体内，
上述坯体包括被层叠的多个第一磁性层以及第二磁性层，
上述线圈包括被层叠的多个线圈导体层，
上述线圈导体层被夹在上述第一磁性层与上述第二磁性层之间，
上述第二磁性层的孔隙面积率比上述第一磁性层的孔隙面积率小，
在上述第二磁性层与上述线圈导体层之间存在空隙部。
在这里，孔隙面积率是指在坯体的剖面中，规定的范围内的每单位面积的孔隙(孔)的面积的比例。
根据上述方式，第二磁性层的孔隙面积率比第一磁性层的孔隙面积率小，因此对于形成孔隙的粘合剂的量来说，第二磁性层比第一磁性层少。因此，由于有助于密合力的粘合剂的量的不同，第二磁性层与线圈导体层之间的密合力比第一磁性层与线圈导体层之间的密合力小。而且，在烧制时，粘合剂消失而形成孔隙，并且线圈导体层从与密合力弱的部分亦即第二磁性层的接触部分开始收缩。其结果，在线圈导体层与第二磁性层之间形成有空隙部。因此，能够容易形成空隙部。
优选在线圈部件的一个实施方式中，上述第一磁性层的孔隙面积率与上述第二磁性层的孔隙面积率之差为2％以上。
根据上述实施方式，第一磁性层的孔隙面积率与第二磁性层的孔隙面积率之差为2％以上，因此能够可靠地使第二磁性层与线圈导体层之间的密合力比第一磁性层与线圈导体层之间的密合力小，能够进一步容易地形成空隙部。
优选在线圈部件的一个实施方式中，上述第一磁性层的孔隙面积率与上述第二磁性层的孔隙面积率之差为5％以上。
根据上述实施方式，第一磁性层的孔隙面积率与第二磁性层的孔隙面积率之差为5％以上，因此能够确实使第二磁性层与线圈导体层之间的密合力比第一磁性层与线圈导体层之间的密合力小，能够进一步容易地形成空隙部。
优选在线圈部件的一个实施方式中，上述第二磁性层的孔隙面积率为1％以上5％以下。
优选在线圈部件的一个实施方式中，上述第一磁性层的孔隙面积率为5％以上15％以下。
优选在线圈部件的一个实施方式中，
具有外部电极，上述外部电极设置于上述坯体的表面，与上述线圈电连接，
上述线圈具有引出导体层，上述引出导体层与上述线圈导体层电连接，从上述坯体的表面露出而与上述外部电极连接，
上述引出导体层设置于与上述线圈导体层不同的层。
根据上述实施方式，引出导体层设置于与线圈导体层不同的层，因此引出导体层不与空隙部接触。由此，空隙部不与坯体的外部连通，因此能够防止来自坯体的外部的镀覆液等的侵入。
优选在线圈部件的一个实施方式中，上述引出导体层夹在两层的上述第二磁性层之间。
根据上述实施方式，引出导体层被夹在两层的第二磁性层之间，因此在引出导体层的周围孔隙较少。由此，孔隙不与坯体的外部连通，因此能够防止来自坯体的外部的镀覆液等的侵入。
根据作为本公开的一个方式的线圈部件，能够容易地形成空隙部。
附图说明
图1是表示线圈部件的第一实施方式的立体图。
图2是图1的线圈部件的X-X剖视图。
图3是线圈部件的分解俯视图。
图4是线圈导体层的周围的放大剖视图。
图5是表示线圈部件的第二实施方式的线圈导体层的周围的放大剖视图。
图6是表示线圈部件的第三实施方式的分解俯视图。
图7是表示线圈部件的第三实施方式的放大剖视图。
附图标记说明
1、1B…线圈部件；10、10A、10B…坯体；11…第一磁性层；12…第二磁性层；13…第三磁性层；15…第一端面；16…第二端面；17…侧面；20…线圈；21…线圈导体层；31…第一外部电极；32…第二外部电极；51…空隙部；61…第一引出导体层；62…第二引出导体层；100…孔隙；D…距离；Z…测定区域；T…高度方向；W…宽度方向；L…长度方向。
具体实施方式
以下，通过图示的实施方式对作为本公开的一个方式的线圈部件进行详细地说明。此外，附图包括一部分示意性的附图，存在不反映实际的尺寸、比率的情况。
(第一实施方式)
图1是表示线圈部件的第一实施方式的立体图。图2是图1所示的第一实施方式的X-X剖视图，是通过W方向的中心的LT剖视图。图3是线圈部件的分解俯视图，表示从下图到上图沿着T方向的图。此外，L方向是线圈部件1的长度方向，W方向是线圈部件1的宽度方向，T方向是线圈部件1的高度方向。
如图1所示，线圈部件1具有坯体10、设置于坯体10的内部的线圈20、设置于坯体10的表面的与线圈20电连接的第一外部电极31以及第二外部电极32。
线圈部件1经由第一、第二外部电极31、32与未图示的电路基板的布线电连接。线圈部件1例如用作噪声除去滤波器，用于个人计算机、DVD播放器、数码相机、TV、手机、汽车电子等电子设备。
坯体10形成为大致长方体状。坯体10的表面具有第一端面15、位于第一端面15的相反侧的第二端面16、以及位于第一端面15与第二端面16之间的四个侧面17。第一端面15和第二端面16在L方向上对置。
如图2所示，坯体10包括多个第一磁性层11和第二磁性层12。第一磁性层11和第二磁性层12在T方向上交替层叠。第一磁性层11和第二磁性层12例如由Ni-Cu-Zn系的铁氧体材料等磁性材料构成。第一磁性层11和第二磁性层12的各自的厚度例如为5μm以上且30μm以下。此外，坯体10也可以局部地包括非磁性层。
第一外部电极31覆盖坯体10的第一端面15的整个面和坯体10的侧面17的第一端面15侧的端部。第二外部电极32覆盖坯体10的第二端面16的整个面和坯体10的侧面17的第二端面16侧的端部。第一外部电极31与线圈20的第一端电连接，第二外部电极32与线圈20的第二端电连接。
此外，第一外部电极31也可以是遍及第一端面15和一个侧面17而形成的L字形状，第二外部电极32也可以是遍及第二端面16和一个侧面17而形成的L字形状。
如图2和图3所示，线圈20沿着T方向卷绕为螺旋状。线圈20例如由Ag或者Cu等导电性材料构成。线圈20具有多个线圈导体层21和多个引出导体层61、62。
两层的第一引出导体层61、多个线圈导体层21以及两层的第二引出导体层62沿T方向依次配置，经由通孔导体依次电连接。多个线圈导体层21沿T方向依次连接，形成沿着T方向的螺旋。第一引出导体层61从坯体10的第一端面15露出而与第一外部电极31连接，第二引出导体层62从坯体10的第二端面16露出而与第二外部电极32连接。此外，第一、第二引出导体层61、62的层数没有特别限定，例如，也可以分别为1层。
线圈导体层21形成为在平面上卷绕成小于1匝的形状。引出导体层61、62形成为直线形状。线圈导体层21的厚度例如为10μm以上且40μm以下。第一、第二引出导体层61、62的厚度例如为30μm，但也可以比线圈导体层21的厚度薄。
线圈导体层21夹在第一磁性层11与第二磁性层12之间。在图3中，为了容易理解，用阴影线表示第二磁性层12。第一磁性层11位于线圈导体层21的T方向的下侧，第二磁性层12位于线圈导体层21的T方向的上侧。线圈导体层21夹在第一、第二磁性层11、12之间，因此在与线圈导体层21的延伸方向(卷绕方向)正交的剖面中，线圈导体层21的形状成为椭圆形。
第一、第二引出导体层61、62分别设置于与线圈导体层21不同的层。第一、第二引出导体层61、62分别夹在两层的第二磁性层12之间。
在坯体10内存在空隙部51。在图3中，省略了空隙部51进行描述。空隙部51位于第二磁性层12与线圈导体层21之间。空隙部51设置为与线圈导体层21的上表面接触。空隙部51沿着线圈导体层21与第二磁性层12的界面的整个面而设置，但也可以沿着该界面的一部分而局部地设置。空隙部51的厚度可以是恒定的，也可以是变动的。空隙部51的最大厚度例如为0.5μm以上且8μm以下。
通过设置空隙部51，能够抑制由线圈导体层21与磁性层11、12的热膨胀系数之差产生的、由线圈导体层21的温度变化引起的对磁性层11、12的应力。其结果，能够消除由内部应力引起的电感和阻抗特性的恶化。
图4是图2的线圈导体层21的周围的放大剖视图。图4表示沿着线圈导体层21的宽度方向的剖面，换言之，表示与线圈导体层21的延伸方向正交的剖面。
如图4所示，第二磁性层12的孔隙面积率比第一磁性层11的孔隙面积率小。在这里，孔隙面积率是指在坯体10的剖面中，规定的范围内的每单位面积的孔隙(孔)100的面积的比例。具体而言，用于孔隙面积率的测定的剖面是线圈部件1的LT面，并且，是通过线圈部件1的W方向的中心的面。
孔隙面积率如以下进行测定。对线圈部件1的LT面即通过线圈部件1的W方向的中心的剖面进行聚焦离子束加工(FIB加工)。FIB加工是将测定对象试样竖立成垂直，根据需要用树脂将试样的周围凝固来进行。另外，作为测定面的LT面的剖面能够通过用研磨机在试样的W方向上研磨至W方向的大致中央部露出的深度而获得。在这里，FIB加工使用精工电子纳米科技(株式会社)的FIB加工装置SMI3050R进行。然后，在所得到的剖面中，拍摄扫描式电子显微镜(SEM)照片。使用图像解析软件解析所得到的SEM照片从而求出孔隙面积率。图像解析软件使用旭化成工程(株式会社)制的A像君(注册商标)。
具体而言，将从线圈导体层21的端部到向坯体10的外侧离开距离D(例如50μm)的位置的区域设为测定区域Z。在该测定区域Z中，用SEM判别孔隙面积率大的第一磁性层11和孔隙面积率小的第二磁性层12。而且，在各磁性层11、12的厚度方向的中央用SEM照片拍摄20μm×20μm的区域，通过进行图像解析从而求出第一磁性层11和第二磁性层12的孔隙面积率。
根据上述线圈部件1，磁性层11、12的孔隙100例如通过烧制成为磁性层11、12的材料的粘合剂而形成。换句话说，孔隙面积率与粘合剂的量相对应地变大。而且，粘合剂有助于提高密合力，因此在线圈部件1的制造工序中的烧制坯体10(磁性层11、12)和线圈导体层21之前，若将线圈导体层21夹在第一磁性层11与第二磁性层12之间，则粘合剂的量少的(孔隙面积率小)第二磁性层12与线圈导体层21之间的密合力比粘合剂的量多的(孔隙面积率大)第一磁性层11与线圈导体层21之间的密合力小。
然后，若烧制坯体10和线圈导体层21，则粘合剂消失而形成孔隙100。此时，由于粘合剂的消失而密合力也降低，线圈导体层21从与密合力弱的部分亦即第二磁性层12的接触部分(即上表面部分)收缩。其结果，在线圈导体层21与第二磁性层12之间形成空隙部51。
因此，即使不像以往那样在线圈导体层上另外涂敷空隙形成用糊剂，也能够在第二磁性层12与线圈导体层21之间形成空隙部51，能够容易地形成空隙部51。
这样，在本申请发明中，着眼于夹着线圈导体层21的第一磁性层11和第二磁性层12的相对于线圈导体层21的密合力的偏差，发现了在线圈导体层21的密合力弱的一侧形成空隙部51。
根据上述线圈部件1，第一、第二引出导体层61、62设置于与线圈导体层21不同的层，因此第一、第二引出导体层61、62不与空隙部51接触。由此，空隙部51不与坯体10的外部连通，因此能够防止来自坯体10的外部的镀覆液等的侵入。因此，能够防止第一、第二引出导体层61、62或者线圈导体层21的迁移。
根据上述线圈部件1，第一、第二引出导体层61、62被夹在两层的第二磁性层12之间，因此在第一、第二引出导体层61、62的周围孔隙100较少。由此，孔隙100不与坯体10的外部连通，因此能够进一步防止来自外部的镀覆液等向坯体10的侵入。另外，引出导体层61、62被相同的第二磁性层12夹持，因此在引出导体层61、62的两面不产生密合力的差，因此不易在引出导体层61、62的两面产生空隙部51。
优选第一磁性层11的孔隙面积率与第二磁性层12的孔隙面积率之差为2％以上。据此，能够可靠地使第二磁性层12与线圈导体层21之间的密合力比第一磁性层11与线圈导体层21之间的密合力小，能够更容易地形成空隙部51。
优选第一磁性层11的孔隙面积率与第二磁性层12的孔隙面积率之差为5％以上。据此，能够可靠地使第二磁性层12与线圈导体层21之间的密合力比第一磁性层11与线圈导体层21之间的密合力小，能够更容易地形成空隙部51。
优选第二磁性层12的孔隙面积率为1％以上5％以下。优选第一磁性层11的孔隙面积率为5％以上15％以下。
孔隙100的大小没有特别限定，但例如为0.5μm以下，具体而言，为0.4μm以下。孔隙100的大小的下限值例如为0.05μm。孔隙100的平均粒径没有特别限定，但例如为0.1μm以上且0.3μm以下。
孔隙100的形状没有特别限定，但例如其剖面形状实质上是圆形、椭圆、多边形等。
接下来，使用图2和图3，对线圈部件1的制造方法的一个例子进行说明。
首先，准备成为第一磁性层11和第二磁性层12的生片。成为第一、第二磁性层11、12的生片例如能够将含有磁性铁氧体材料的磁性体料浆成形加工成片状，根据需要通过冲裁等加工而制作。
作为将磁性体料浆加工成片状的方法，例如，能够列举出刮板涂装法。所得到的板的厚度例如为厚度15μm以上且25μm以下。
磁性铁氧体材料的组成没有特别限定，例如，能够使用含有Fe2O3、ZnO、CuO以及NiO的材料。在磁性铁氧体材料含有Fe2O3、ZnO、CuO以及NiO的情况下，这些的含量例如处于Fe2O3为40.0mol％以上且49.5mol％以下、ZnO为5mol％以上且35mol％以下、CuO为8mol％以上且12mol％以下、以及NiO为8mol％以上且40mol％以下的范围。磁性铁氧体材料还可以包含添加剂。作为添加剂，例如能够举出Mn3O4、Co3O4、SnO2、Bi2O3、SiO2。
使用通常可进行的方法将磁性铁氧体材料以湿式进行混合粉碎之后，进行干燥。将通过干燥而得到的干燥物在700℃以上且800℃以下进行煅烧，形成原料粉末。此外，可以在原料粉末(煅烧粉末)中包含不可避免的杂质。
在原料粉末中添加水系丙烯酸粘合剂和分散剂，以湿式混合进粉碎，制作磁性体料浆。湿式的混合粉碎例如能够与部分稳定化氧化锆(PSZ)球一起放入罐磨机中进行。
作为成为第一磁性层11的生片，使用使添加的粘合剂的量比第二磁性层12多的生片。例如，针对100重量份原料粉末，将粘合剂设为35重量份以上且40重量份以下。粘合剂量相对较多，从而烧制后的孔隙面积率相对变大。粘合剂例如能够使用聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚乙烯醇树脂、丙烯酸树脂等公知的树脂材料。
作为成为第二磁性层12的生片，使用使添加的粘合剂的量比第一磁性层11少的生片。例如，针对100重量份原料粉末，将粘合剂设为25重量份以上且30重量份以下。粘合剂量相对较少，从而烧制后的孔隙面积率相对变小。
然后，在作为第一磁性层11的生片和作为第二磁性层12的生片的规定部位进行激光照射形成通孔。而且，通过对Ag糊剂进行丝网印刷，从而向通孔填充Ag糊剂形成通孔导体，并且形成线圈导体层21和引出导体层61、62。将其按照图3所示的顺序重叠，通过热压接而制作层叠体预制件。
此时，将夹持线圈导体层21的生片的一方设为第一磁性层11的生片(粘合剂相对较多)，另一方设为第二磁性层12的生片(粘合剂相对较少)。若在烧制时将粘合剂从板上除去，则线圈导体层21与板之间的密合力降低。因此，用粘合剂较少的片和较多的片夹持线圈导体层21，从而在粘合剂较少的片中先除去粘合剂，因此密合力相对降低。这样，若与线圈导体层21的密合力存在差异，则能够在线圈导体层21的密合力较低的一侧形成空隙部51。
另一方面，用第二磁性层12的生片夹持引出导体层61、62的两面。由此，在两面不会产生密合力的差异，因此不易产生空隙部51。另外，由于使用第二磁性层12的生片，因此能够使与引出导体层61、62接触的孔隙100减少。也可以用第一磁性层11的生片夹持引出导体层61、62的两面，由此，在两面不会产生密合力的差异，因此不易产生空隙部51。
然后，对所形成的层叠体预制件进行通常可进行的操作、例如分片化、烧制、外部电极的形成等，形成线圈部件1。分片化、烧制、外部电极的形成能够使用通常可进行的方法进行。例如，分片化能够通过用切割机等切断所得到的层叠体预制件而进行。根据需要，通过进行滚筒旋转而在拐角等形成弧度。烧制能够在880℃以上且920℃以下的温度下进行。外部电极31、32的形成能够如下设置：将引出导体层61、62露出的端面浸渍在将Ag糊剂拉伸为规定的厚度的层中，通过在约800℃左右的温度下烧结而形成基底电极，然后，通过电解电镀在基底电极上依次形成Ni覆膜、Sn覆膜。在这样制造的线圈部件1中，例如，第一磁性层11的孔隙面积率成为8.9％，第二磁性层12的孔隙面积率成为1.5％。
(第二实施方式)
图5是表示线圈部件的第二实施方式的放大剖视图。第二实施方式与第一实施方式(图4)的不同在于坯体的结构。在以下对该不同的结构进行说明。其他的结构是与第一实施方式相同的结构，标注与第一实施方式相同的附图标记而省略其说明。
如图5所示，在第二实施方式的线圈部件中，坯体10A除了第一磁性层11和第二磁性层12之外，还包括第三磁性层13。第三磁性层13在第一磁性层11上设置于与线圈导体层21同一层。也就是说，第三磁性层13在第一磁性层11上形成于未形成有线圈导体层21的区域。第三磁性层13的材料是与第一磁性层11或者第二磁性层12的材料相同的材料。第三磁性层13的孔隙面积率相对于第一磁性层11和第二磁性层12的孔隙面积率可以大，或者也可以小。此外，在图5中，第三磁性层13省略孔隙进行描述。
这样，将第三磁性层13设在与线圈导体层21同一层，从而能够保持线圈导体层21的厚度，能够减少线圈导体层21的直流电阻值(Rdc)。
另外，若使第三磁性层13的孔隙面积率比第一磁性层11的孔隙面积率小，则能够在线圈导体层21的侧面与第三磁性层13之间形成空隙部51。另外，若使第三磁性层13的孔隙面积率比第二磁性层12的孔隙面积率大，则能够使线圈导体层21的侧面与第三磁性层13之间的密合力增大。
(第三实施方式)
图6是表示线圈部件的第三实施方式的分解俯视图，图7是表示线圈部件的第三实施方式的放大剖视图。第三实施方式与第一实施方式(图3、图4)的不同在于坯体中的线圈导体层的位置。在以下对该不同的结构进行说明。其他的结构是与第一实施方式相同的结构，标注与第一实施方式相同的附图标记而省略其说明。
如图6和图7所示，在第三实施方式的线圈部件1B中，坯体10B沿着T方向交替地包括第二磁性层12和第一磁性层11。具体而言，沿着T方向依次配置有第一个第二磁性层12、第二个第一磁性层11、第三个第二磁性层12、第四个第一磁性层11、以及第五个第二磁性层12。另外，沿着T方向依次配置有第一个线圈导体层21、第二个线圈导体层21、第三个线圈导体层21、以及第四个线圈导体层21。
而且，在第一个第二磁性层12与第二个第一磁性层11之间配置有第一个线圈导体层21，在第二个第一磁性层11与第三个第二磁性层12之间配置有第二个线圈导体层21，在第三个第二磁性层12与第四个第一磁性层11之间配置有第三个线圈导体层21，在第四个第一磁性层11与第五个第二磁性层12之间配置有第四个线圈导体层21。
在第一个第二磁性层12与第一个线圈导体层21之间设置有空隙部51，在第三个第二磁性层12与第二个线圈导体层21之间设置有空隙部51，在第三个第二磁性层12与第三个线圈导体层21之间设置有空隙部51，在第五个第二磁性层12与第四个线圈导体层21之间设置有空隙部51。这样，空隙部51沿着T方向上下交替而设置。
若对上述线圈部件1B的制造方法进行说明，则交替使用成为第二磁性层的生片和成为第一磁性层的生片进行依次层叠，并烧制印刷有线圈导体层的生片。由此，形成空隙部，制造线圈部件1B。
在上述线圈部件1B中，除了上述第一实施方式的效果之外，还能够减少第一和第二磁性层的数量。
此外，本公开并不限定于上述的实施方式，在不脱离本公开的主旨的范围内能够进行设计变更。例如，也可以将第一～第三实施方式的各自的特征点进行各种组合。
在上述第一、第二实施方式中，在线圈导体层21的下表面配置第一磁性层11，在线圈导体层21的上表面配置第二磁性层12，但也可以在线圈导体层21的下表面配置第二磁性层12，在线圈导体层21的上表面配置第一磁性层11。此时，空隙部51形成于线圈导体层21的下表面与第二磁性层12之间。
在上述第一～第三实施方式中，引出导体层61、62被第二磁性层12夹持，但也可以被第一磁性层11夹持，由此，在引出导体层61、62的两面不会产生密合力的差异，因此在引出导体层61、62的两面不易产生空隙部51。
在上述第一～第三实施方式中，空隙部51形成于线圈导体层21与第二磁性层12之间，但也可以进而部分地形成于线圈导体层21与第一磁性层11之间。

Claims (7)

1.一种线圈部件，其中，具备：
坯体；以及
线圈，设置于所述坯体内，
所述坯体包括被层叠的多个第一磁性层以及多个第二磁性层，
所述线圈包括被层叠的多个线圈导体层，
所述线圈导体层被夹在所述第一磁性层与所述第二磁性层之间，
所述第二磁性层的孔隙面积率比所述第一磁性层的孔隙面积率小，
在所述第二磁性层与所述线圈导体层之间存在空隙部。
2.根据权利要求1所述的线圈部件，其中，
所述第一磁性层的孔隙面积率与所述第二磁性层的孔隙面积率之差为2％以上。
3.根据权利要求2所述的线圈部件，其中，
所述第一磁性层的孔隙面积率与所述第二磁性层的孔隙面积率之差为5％以上。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的线圈部件，其中，
所述第二磁性层的孔隙面积率为1％以上5％以下。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的线圈部件，其中，
所述第一磁性层的孔隙面积率为5％以上15％以下。
6.根据权利要求1～3中任一项所述的线圈部件，其中，
所述线圈部件具有外部电极，所述外部电极设置于所述坯体的表面，并与所述线圈电连接，
所述线圈具有引出导体层，所述引出导体层与所述线圈导体层电连接，并从所述坯体的表面露出而与所述外部电极连接，
所述引出导体层设置于与所述线圈导体层不同的层。
7.根据权利要求6所述的线圈部件，其中，
所述引出导体层被夹在两层的所述第二磁性层之间。
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