CN112299482B - 一种降低硫化铋热电材料热导率的方法 - Google Patents

一种降低硫化铋热电材料热导率的方法 Download PDF

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Abstract

一种降低硫化铋热电材料热导率的方法，涉及热电材料领域，通过掺杂少量钴的方法可以降低上述问题的影响，为降低硫化铋热电材料热导率提高了新的方法；本发明用采用放电等离子烧结技术具有在加压过程中烧结的特点，脉冲电流产生的等离子体及烧结过程中的加压有利于降低粉末的烧结温度，同时低电压、高电流的特征，能使粉末快速烧结致密，相较于热压等成型技术所需温度更低，耗时更少。

Description

一种降低硫化铋热电材料热导率的方法
技术领域
本发明涉及热电材料领域，尤其是涉及一种降低硫化铋热电材料热导率的方法。
背景技术
公知的，热电材料可实现热能与电能之间的相互转换，其结构紧凑、体积小、工作时无机械运动，有望解决环境污染和能源短缺问题，在废热回收、热电制冷、微型智能穿戴设备等方面有应用，尽管到目前为止，科研人员对此作了大量研究报道，但真正实现大规模应用的热电材料却屈指可数，这主要是受材料热电性能较差、能源转换效率低所限制，热电性能和温度相关，还和材料本身的性质有关，温度越高，材料的热导率κ越低，电导率σ越高，Seebeck系数S越大，热电优值ZT越大，热电性能就越好，最早发现的热电材料是Bi2Te3基合金及其固溶体，是目前应用最为广泛的热电材料，其ZT值在室温附近可达到1.0左右，考虑到Bi2Te3中Te元素稀缺，价格昂贵、有毒，应用受到限制，促进了科研界对价格低廉、安全环保的热电材料的研究。
硫化铋，化学式Bi2Te3，常温下为棕黑色粉末，是一种很有前途的热电材料，组成元素含量丰富，价格低廉，环保无污染，目前针对硫化铋提高热电性能可选用的方法有：对载流子浓度进行调控，优化电性能；晶体结构中引入点缺陷、位错等，增加声子散射，降低热导率；引入纳米级析出物，增大界面密度，将低热导率；微观尺寸调控，细化晶粒增加界面对声子的散射，目前在降低硫化铋热导率方面存在的问题是在材料加热过程中，晶粒会逐渐长大，使热导率上升，常规制备出的硫化铋热电材料热导率在1Wm-1K-1左右，因此不能解决上述问题。
发明内容
为了克服背景技术中的不足，本发明公开了一种降低硫化铋热电材料热导率的方法，本发明通过掺杂少量钴的方法可以降低上述问题的影响，为降低硫化铋热电材料热导率提高了新的方法。
为了实现所述发明目的，本发明采用如下技术方案：
一种降低硫化铋热电材料热导率的方法，包括采用溶液法制备出硫化铋材料，在原料中加入六水合二氯化钴，得到掺杂钴的硫化铋材料，将硫化铋材料在研钵中研磨至较细的硫化铋粉末后，借助放电等离子烧结技术将硫化铋粉末材料烧结成块体硫化铋材料，制备硫化铋粉末的操作步骤的步骤如下：
第一步，采用溶液法制备，溶液法中的溶液为甲酰胺，其他原料为无水氯化铋、硫代乙酰胺，摩尔比为2：3，反应温度为120℃～150℃，反应时间为2h～4h，反应过程中整个溶液要进行搅拌，加热过程中还要通惰性气体保护，待冷却到室温左右才能关闭保护气；
进一步，反应结束温度降低到室温之后，需要对溶液进行离心，先用去离子水洗涤，再用无水乙醇将沉淀分散开，加入水合肼搅拌，在对溶液进行离心，无水乙醇洗涤后将固体放入真空干燥箱进行干燥，干燥后得到块状材料，用研钵仔细研磨成颗粒均匀地粉末；
进一步，将上一步研磨得到的粉末进行放电等离子烧结即可。
所述离子水洗涤的次数为至少两次。
所述干燥箱内的温度为50℃～70℃，干燥的时间为10h～14h。
所述研钵为玛瑙研钵，研钵的时间为20min～40min。
所述放电等离子烧结的温度为500℃～550℃，烧结的时间为5min～20min，烧结的轴向压力为40MPa～50MPa。
所述干燥可替换为用真空泵减压干燥或者用冷冻干燥机进行干燥。
本发明所述的一种降低硫化铋热电材料热导率的方法，通过掺杂少量钴的方法可以降低上述问题的影响，为降低硫化铋热电材料热导率提高了新的方法；本发明用采用放电等离子烧结技术具有在加压过程中烧结的特点，脉冲电流产生的等离子体及烧结过程中的加压有利于降低粉末的烧结温度，同时低电压、高电流的特征，能使粉末快速烧结致密，相较于热压等成型技术所需温度更低，耗时更少。
附图说明
图1是具体实施例和空白样品不同温度下的热导率图；
图2是具体实施例和空白样品不同温度下的电阻率(电导率的倒数)图；
图3是具体实施例和空白样品不同温度下的Seebeck系数图；
图4是具体实施例和空白样品不同温度下的ZT值图。
具体实施方式
通过下面的实施例可以详细的解释本发明，公开本发明的目的旨在保护本发明范围内的一切技术改进。
实施例1，一种降低硫化铋热电材料热导率的方法，用溶液法制备硫化铋材料，反应溶剂为甲酰胺，按照摩尔量2：3加入无水氯化铋和硫代乙酰胺，加入以下表格内掺杂量的六水合二氯化钴，反应温度为120℃～150℃，反应时间为2h～4h，一边搅拌一边反应，反应结束对溶液进行离心、洗涤，再用无水乙醇将沉淀分散开，加入水合肼搅拌12h后，再对溶液进行离心，无水乙醇洗涤后将固体放入真空干燥箱60℃干燥12h，干燥后得到块状材料，用玛瑙研钵仔细研磨成颗粒均匀地粉末，研磨时间为20～40min，将粉末装入模具，进行放电等离子烧结，放电等离子烧结的温度：500℃～550℃，烧结时间5～20min，轴向压力40～50Mpa，测试是会按照沿着压力方向和垂直压力方向进行，
具体实施例参考以下表格：
Figure BDA0002694488930000041
结合附图1～4所述的降低硫化铋热电材料热导率的方法，为空白试样及上述几个实施例的热导率，可以看出在同一压力方向时，掺了钴的热导率较低，在垂直方向上，热导率显著低于常规硫化铋热导率值0.86Wm-1K-1。
实施例2，一种降低硫化铋热电材料热导率的方法，所述采用溶液法制备出硫化铋材料，在原料中加入六水合二氯化钴，得到掺杂钴含量为2％的硫化铋材料，将硫化铋材料在研钵中研磨至较细的硫化铋粉末后，借助放电等离子烧结技术将硫化铋粉末材料烧结成块体硫化铋材料，制备硫化铋粉末的操作步骤的步骤如下：
第一步，采用溶液法制备，溶液法中的溶液为甲酰胺，其他原料为无水氯化铋、硫代乙酰胺，摩尔比为2：3，反应温度为120℃～150℃，反应时间为2h～4h，反应过程中整个溶液要进行搅拌，加热过程中还要通惰性气体保护，待冷却到室温左右才能关闭保护气；
进一步，反应结束温度降低到室温之后，需要对溶液进行离心，先用去离子水洗涤，再用无水乙醇将沉淀分散开，加入水合肼搅拌，在对溶液进行离心，无水乙醇洗涤后将固体放入真空干燥箱进行干燥，干燥后得到块状材料，用研钵仔细研磨成颗粒均匀地粉末；
进一步，将上一步研磨得到的粉末进行放电等离子烧结，放电等离子烧结即SPS的温度为550℃，时间为20min，平行压力为50Mpa所得到的烧结块的热导率大幅度低于常规硫化铋热导率值0.86Wm-1K-1。
实施例3，一种降低硫化铋热电材料热导率的方法，所述采用溶液法制备出硫化铋材料，在原料中加入六水合二氯化钴，得到掺杂钴含量为5％的硫化铋材料，将硫化铋材料在研钵中研磨至较细的硫化铋粉末后，借助放电等离子烧结技术将硫化铋粉末材料烧结成块体硫化铋材料，制备硫化铋粉末的操作步骤的步骤如下：
第一步，采用溶液法制备，溶液法中的溶液为甲酰胺，其他原料为无水氯化铋、硫代乙酰胺，摩尔比为2：3，反应温度为120℃～150℃，反应时间为2h～4h，反应过程中整个溶液要进行搅拌，加热过程中还要通惰性气体保护，待冷却到室温左右才能关闭保护气；
进一步，反应结束温度降低到室温之后，需要对溶液进行离心，先用去离子水洗涤，再用无水乙醇将沉淀分散开，加入水合肼搅拌，在对溶液进行离心，无水乙醇洗涤后将固体放入真空干燥箱进行干燥，干燥后得到块状材料，用研钵仔细研磨成颗粒均匀地粉末；
进一步，将上一步研磨得到的粉末进行放电等离子烧结，放电等离子烧结即SPS的温度为550℃，时间为20min，平行压力为50Mpa所得到的烧结块的热导率大幅度低于常规硫化铋热导率值0.86Wm-1K-1。
实施例4，一种降低硫化铋热电材料热导率的方法，所述采用溶液法制备出硫化铋材料，在原料中加入六水合二氯化钴，得到掺杂钴含量为8％的硫化铋材料，将硫化铋材料在研钵中研磨至较细的硫化铋粉末后，借助放电等离子烧结技术将硫化铋粉末材料烧结成块体硫化铋材料，制备硫化铋粉末的操作步骤的步骤如下：
第一步，采用溶液法制备，溶液法中的溶液为甲酰胺，其他原料为无水氯化铋、硫代乙酰胺，摩尔比为2：3，反应温度为120℃～150℃，反应时间为2h～4h，反应过程中整个溶液要进行搅拌，加热过程中还要通惰性气体保护，待冷却到室温左右才能关闭保护气；
进一步，反应结束温度降低到室温之后，需要对溶液进行离心，先用去离子水洗涤，再用无水乙醇将沉淀分散开，加入水合肼搅拌，在对溶液进行离心，无水乙醇洗涤后将固体放入真空干燥箱进行干燥，干燥后得到块状材料，用研钵仔细研磨成颗粒均匀地粉末；
进一步，将上一步研磨得到的粉末进行放电等离子烧结，放电等离子烧结即SPS的温度为550℃，时间为20min，平行压力为50Mpa所得到的烧结块的热导率大幅度低于常规硫化铋热导率值0.86Wm-1K-1，采用钴含量为8％的硫化铋材料所烧结后的热导率效果最佳。
实施例4，一种降低硫化铋热电材料热导率的方法，所述采用溶液法制备出硫化铋材料，在原料中加入六水合二氯化钴，得到掺杂钴含量为2％的硫化铋材料，将硫化铋材料在研钵中研磨至较细的硫化铋粉末后，借助放电等离子烧结技术将硫化铋粉末材料烧结成块体硫化铋材料，制备硫化铋粉末的操作步骤的步骤如下：
第一步，采用溶液法制备，溶液法中的溶液为甲酰胺，其他原料为无水氯化铋、硫代乙酰胺，摩尔比为2：3，反应温度为120℃～150℃，反应时间为2h～4h，反应过程中整个溶液要进行搅拌，加热过程中还要通惰性气体保护，待冷却到室温左右才能关闭保护气；
进一步，反应结束温度降低到室温之后，需要对溶液进行离心，先用去离子水洗涤，再用无水乙醇将沉淀分散开，加入水合肼搅拌，在对溶液进行离心，无水乙醇洗涤后将固体放入真空干燥箱进行干燥，干燥后得到块状材料，用研钵仔细研磨成颗粒均匀地粉末；
进一步，将上一步研磨得到的粉末进行放电等离子烧结，放电等离子烧结即SPS的温度为550℃，时间为20min，垂直压力为50Mpa所得到的烧结块的热导率大幅度低于常规硫化铋热导率值0.86Wm-1K-1。
本发明未详述部分为现有技术，尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本发明，具体实现该技术方案方法和途径很多，以上所述仅是本发明的优选实施方式，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本发明做出各种变化，均为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种降低硫化铋热电材料热导率的方法，包括采用溶液法制备出硫化铋材料，在原料中加入六水合二氯化钴，得到掺杂钴的硫化铋材料，将硫化铋材料在研钵中研磨至较细的硫化铋粉末后，借助放电等离子烧结技术将硫化铋粉末材料烧结成块体硫化铋材料，制备硫化铋粉末的操作步骤的步骤如下：
第一步，采用溶液法制备，溶液法中的溶液为甲酰胺，其他原料为无水氯化铋、硫代乙酰胺，摩尔比为2：3，反应温度为120℃~150℃，反应时间为2h~4h，反应过程中整个溶液要进行搅拌，加热过程中还要通惰性气体保护，待冷却到室温才能关闭保护气；
反应结束温度降低到室温之后，需要对溶液进行离心，先用去离子水洗涤，再用无水乙醇将沉淀分散开，加入水合肼搅拌，在对溶液进行离心，无水乙醇洗涤后将固体放入真空干燥箱进行干燥，干燥后得到块状材料，用研钵仔细研磨成颗粒均匀地粉末；
将上一步研磨得到的粉末进行放电等离子烧结即可。
2.根据权利要求1所述的一种降低硫化铋热电材料热导率的方法，其特征是：所述离子水洗涤的次数为至少两次。
3.根据权利要求1所述的一种降低硫化铋热电材料热导率的方法，其特征是：所述干燥箱内的温度为50℃~70℃，干燥的时间为10h~14h。
4.根据权利要求1或1所述的一种降低硫化铋热电材料热导率的方法，其特征是：所述研钵为玛瑙研钵，研钵的时间为20 min ~40min。
5.根据权利要求1所述的一种降低硫化铋热电材料热导率的方法，其特征是：所述放电等离子烧结的温度为500℃~550℃，烧结的时间为5min~20min，烧结的轴向压力为40MPa~50MPa。
6.根据权利要求1所述的一种降低硫化铋热电材料热导率的方法，其特征是：所述干燥可替换为用真空泵减压干燥或者用冷冻干燥机进行干燥。
7.根据权利要求1所述的一种降低硫化铋热电材料热导率的方法，其特征是：所述采用溶液法制备出硫化铋材料，在原料中加入六水合二氯化钴，得到掺杂钴含量为2%的硫化铋材料，将硫化铋材料在研钵中研磨至较细的硫化铋粉末后，借助放电等离子烧结技术将硫化铋粉末材料烧结成块体硫化铋材料，制备硫化铋粉末的操作步骤的步骤如下：
第一步，采用溶液法制备，溶液法中的溶液为甲酰胺，其他原料为无水氯化铋、硫代乙酰胺，摩尔比为2：3，反应温度为120℃~150℃，反应时间为2h~4h，反应过程中整个溶液要进行搅拌，加热过程中还要通惰性气体保护，待冷却到室温才能关闭保护气；
反应结束温度降低到室温之后，需要对溶液进行离心，先用去离子水洗涤，再用无水乙醇将沉淀分散开，加入水合肼搅拌，在对溶液进行离心，无水乙醇洗涤后将固体放入真空干燥箱进行干燥，干燥后得到块状材料，用研钵仔细研磨成颗粒均匀地粉末；
将上一步研磨得到的粉末进行放电等离子烧结，放电等离子烧结即SPS的温度为550℃，时间为20min，平行压力为50Mpa所得到的烧结块的热导率大幅度低于常规硫化铋热导率值0.86 Wm-1K-1。
8.根据权利要求1所述的一种降低硫化铋热电材料热导率的方法，其特征是：所述采用溶液法制备出硫化铋材料，在原料中加入六水合二氯化钴，得到掺杂钴含量为5%的硫化铋材料，将硫化铋材料在研钵中研磨至较细的硫化铋粉末后，借助放电等离子烧结技术将硫化铋粉末材料烧结成块体硫化铋材料，制备硫化铋粉末的操作步骤的步骤如下：
第一步，采用溶液法制备，溶液法中的溶液为甲酰胺，其他原料为无水氯化铋、硫代乙酰胺，摩尔比为2：3，反应温度为120℃~150℃，反应时间为2h~4h，反应过程中整个溶液要进行搅拌，加热过程中还要通惰性气体保护，待冷却到室温才能关闭保护气；
反应结束温度降低到室温之后，需要对溶液进行离心，先用去离子水洗涤，再用无水乙醇将沉淀分散开，加入水合肼搅拌，在对溶液进行离心，无水乙醇洗涤后将固体放入真空干燥箱进行干燥，干燥后得到块状材料，用研钵仔细研磨成颗粒均匀地粉末；
将上一步研磨得到的粉末进行放电等离子烧结，放电等离子烧结即SPS的温度为550℃，时间为20min，平行压力为50Mpa所得到的烧结块的热导率大幅度低于常规硫化铋热导率值0.86 Wm-1K-1。
9.根据权利要求1所述的一种降低硫化铋热电材料热导率的方法，其特征是：所述采用溶液法制备出硫化铋材料，在原料中加入六水合二氯化钴，得到掺杂钴含量为8%的硫化铋材料，将硫化铋材料在研钵中研磨至较细的硫化铋粉末后，借助放电等离子烧结技术将硫化铋粉末材料烧结成块体硫化铋材料，制备硫化铋粉末的操作步骤的步骤如下：
第一步，采用溶液法制备，溶液法中的溶液为甲酰胺，其他原料为无水氯化铋、硫代乙酰胺，摩尔比为2：3，反应温度为120℃~150℃，反应时间为2h~4h，反应过程中整个溶液要进行搅拌，加热过程中还要通惰性气体保护，待冷却到室温才能关闭保护气；
反应结束温度降低到室温之后，需要对溶液进行离心，先用去离子水洗涤，再用无水乙醇将沉淀分散开，加入水合肼搅拌，在对溶液进行离心，无水乙醇洗涤后将固体放入真空干燥箱进行干燥，干燥后得到块状材料，用研钵仔细研磨成颗粒均匀地粉末；
将上一步研磨得到的粉末进行放电等离子烧结，放电等离子烧结即SPS的温度为550℃，时间为20min，平行压力为50Mpa所得到的烧结块的热导率大幅度低于常规硫化铋热导率值0.86 Wm-1K-1，采用钴含量为8%的硫化铋材料所烧结后的热导率效果最佳。
10.根据权利要求1所述的一种降低硫化铋热电材料热导率的方法，其特征是：所述采用溶液法制备出硫化铋材料，在原料中加入六水合二氯化钴，得到掺杂钴含量为2%的硫化铋材料，将硫化铋材料在研钵中研磨至较细的硫化铋粉末后，借助放电等离子烧结技术将硫化铋粉末材料烧结成块体硫化铋材料，制备硫化铋粉末的操作步骤的步骤如下：
第一步，采用溶液法制备，溶液法中的溶液为甲酰胺，其他原料为无水氯化铋、硫代乙酰胺，摩尔比为2：3，反应温度为120℃~150℃，反应时间为2h~4h，反应过程中整个溶液要进行搅拌，加热过程中还要通惰性气体保护，待冷却到室温才能关闭保护气；
反应结束温度降低到室温之后，需要对溶液进行离心，先用去离子水洗涤，再用无水乙醇将沉淀分散开，加入水合肼搅拌，在对溶液进行离心，无水乙醇洗涤后将固体放入真空干燥箱进行干燥，干燥后得到块状材料，用研钵仔细研磨成颗粒均匀地粉末；
将上一步研磨得到的粉末进行放电等离子烧结，放电等离子烧结即SPS的温度为550℃，时间为20min，垂直压力为50Mpa所得到的烧结块的热导率大幅度低于常规硫化铋热导率值0.86 Wm-1K-1。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115072777B (zh) * 2022-07-22 2022-12-23 山东海化集团有限公司 通过钴掺杂和溶剂协同调控制备中空硫化铋的方法及由其制备的钾离子电池负极材料

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101752495A (zh) * 2009-10-27 2010-06-23 北京科技大学 一种Bi2-xAg3xS3热电材料及其制备方法
CN102280570A (zh) * 2011-08-01 2011-12-14 北京科技大学 一种微量Cu掺杂Bi2S3基热电材料
CN102443848A (zh) * 2012-01-29 2012-05-09 北京科技大学 一种提高硫化铋多晶热电性能的方法
CN104894647A (zh) * 2015-04-01 2015-09-09 中国科学院上海高等研究院 一种低热导率硫化铋多晶热电材料及其制备方法
CN110308187A (zh) * 2019-07-09 2019-10-08 济南大学 一种基于锌和钴掺杂的多孔纳米钒酸铋/硫化铋的光电化学适配体传感器的制备方法及应用
CN110721719A (zh) * 2019-10-21 2020-01-24 徐州工程学院 一种铋、氮共掺杂碳材料的制备方法及应用

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101752495A (zh) * 2009-10-27 2010-06-23 北京科技大学 一种Bi2-xAg3xS3热电材料及其制备方法
CN102280570A (zh) * 2011-08-01 2011-12-14 北京科技大学 一种微量Cu掺杂Bi2S3基热电材料
CN102443848A (zh) * 2012-01-29 2012-05-09 北京科技大学 一种提高硫化铋多晶热电性能的方法
CN104894647A (zh) * 2015-04-01 2015-09-09 中国科学院上海高等研究院 一种低热导率硫化铋多晶热电材料及其制备方法
CN110308187A (zh) * 2019-07-09 2019-10-08 济南大学 一种基于锌和钴掺杂的多孔纳米钒酸铋/硫化铋的光电化学适配体传感器的制备方法及应用
CN110721719A (zh) * 2019-10-21 2020-01-24 徐州工程学院 一种铋、氮共掺杂碳材料的制备方法及应用

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