CN112289591B - 一种酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料及其制备工艺 - Google Patents

一种酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料及其制备工艺 Download PDF

Info

Publication number
CN112289591B
CN112289591B CN202011149172.7A CN202011149172A CN112289591B CN 112289591 B CN112289591 B CN 112289591B CN 202011149172 A CN202011149172 A CN 202011149172A CN 112289591 B CN112289591 B CN 112289591B
Authority
CN
China
Prior art keywords
vinasse
porous carbon
cobalt
nickel hydroxide
electrode material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011149172.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112289591A (zh
Inventor
彭洪亮
胡芳
杨永健
杨松涛
么蕾
徐芬
孙立贤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guilin University of Electronic Technology
Original Assignee
Guilin University of Electronic Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guilin University of Electronic Technology filed Critical Guilin University of Electronic Technology
Priority to CN202011149172.7A priority Critical patent/CN112289591B/zh
Publication of CN112289591A publication Critical patent/CN112289591A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112289591B publication Critical patent/CN112289591B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22Electrodes
    • H01G11/26Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22Electrodes
    • H01G11/30Electrodes characterised by their material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22Electrodes
    • H01G11/30Electrodes characterised by their material
    • H01G11/32Carbon-based
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22Electrodes
    • H01G11/30Electrodes characterised by their material
    • H01G11/32Carbon-based
    • H01G11/44Raw materials therefor, e.g. resins or coal
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/84Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof
    • H01G11/86Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof specially adapted for electrodes
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/13Energy storage using capacitors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)

Abstract

本发明提供一种酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料及其制备工艺。该材料是以酒糟多孔碳作为基底,钴、镍元素以Co‑Ni‑LDH形式负载在酒糟多孔碳的表面得到的酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料。其工艺是:首先将酒糟碳化得酒糟多孔碳,再与六水合硝酸钴、六水合硝酸镍、尿素以及聚乙烯吡咯烷酮进行水热反应,最后经过抽滤、洗涤,干燥,即可得产品。制备的复合材料稳定性好、复合程度高,兼具较高的比容量、倍率性能,同时基底碳材料来源为酒糟,原料来源广泛且价格便宜,使酒糟“变废为宝”。

Description

一种酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料及其制备工艺
技术领域
本发明涉及一种酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物复合电极材料及其制备工艺,属于超级电容器材料技术领域。
背景技术
随着社会和科技的快速发展,新能源汽车和各种电子智能产品的广泛普及,人们对能源储存器件的需求的不断激增,解决储能/转换及其对境的影响已成为近年来最热门的话题。在这方面,需要新的和可持续的能源储存/转换技术,以满足迅速增长的全球能源需求。超级电容器应运而生,它具有功率密度大、循环寿命周期长、快速充放电、维护成本低等优点,被认为是一种具有广阔前景的能量转换装置。然而,能量密度低是超级电容器制约发展的短板,提高超级电容器能量密度的主要途径之一是提高电极材料的比电容。
以石墨烯为代表的碳材料,它独特的二维结构使其具有超高的理论比表面积、优异的导电性和稳定性。如Tiruneh等人《Enhanced electrochemical performance oflamellar structured CoNi(OH)2/reduced graphene oxide(rGO)via hydrothermalsynthesis[J].RSC Advance,2016》制备的石墨烯/钴镍双金属氢氧化物复合材料,在2mV/s时比电容达到了617F/g,具有较高的比电容。此类技术主要是通过加入石墨烯来与金属混合后形成复合材料来提高其导电性和稳定性。但是该方法存在以下技术问题:(1)石墨烯本身极易团聚不容易分散成均匀溶液;(2)石墨烯价格昂贵,且制备石墨烯工艺复杂且会产生对环境有害的物质。
在过渡金属化合物这类超级电容器中,钴镍双金属氢氧化物因其本身拥有较好的电化学活性和具有较高的理论比容量而成为能源储存领域的有理竞争者,如中国专利201910315240.3公开了一种钴镍双金属氢氧化物纳米片的制备方法及其应用,制备的纯钴镍双金属氢氧化物材料,在1A/g电流密度下,比电容达到了1190F/g,性能较好。此类技术主要是通过在水热条件下引入适宜的沉淀剂来缓解钴镍氢氧化物分散不均匀易团聚的问题。但是该方法依然存在以下技术问题:(1)纯金属化合物电极材料本身就具有较差的导电性;(2)纯金属化合物电极材料稳定性较差,在大电流充放电以及循环过程中容易引起本身结构塌陷,造成材料间团聚,导致材料的性能迅速下降。
因此,基于上述原因,设计一种廉价多孔碳材料,并用过渡金属化合物材料与多孔碳材料进行复合,解决纯金属化合物电极材料导电性差、稳定性较差的问题,兼具较高的电容性能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于超级电容器的一种酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料及其制备工艺。
一种酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料是通过制备碳化后的酒糟多孔碳作为基底材料,在与六水合硝酸钴、六水合硝酸镍、尿素以及聚乙烯吡咯烷酮进行水热反应后得到钴镍双金属氢氧化物,钴、镍元素以Co-Ni-LDH形式负载在酒糟多孔碳的表面,最终得到酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料,其具体制备方法包括如下步骤:
(1)酒糟多孔碳的制备:将酒糟经烘干、研磨破碎后,再进行预碳化得到碳前驱体,预碳化温度为300-600℃,预碳化时间为0.5-4h,然后将碳前驱体和碱性无机物按质量比为1:(4-5)混合再研磨,将研磨粉末进行煅烧,煅烧温度为600-1000℃,煅烧时间为0.5-4h,再经洗涤、过滤、烘干、研磨,即可得到由酒糟制备的酒糟多孔碳;
(2)酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料:将步骤(1)所得酒糟多孔碳与六水合硝酸钴、六水合硝酸镍、尿素以及聚乙烯吡咯烷酮以质量比为0.3:(1-4):(4-8):5:1加入烧杯中,再加入适量的去离子水,室温超声搅拌至完全溶解均匀,然后转移到反应釜中进行水热反应,水热反应温度为90-120℃,水热反应时间10-20h,最后经过抽滤、洗涤,然后于80℃下真空干燥,即可得到酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料。
优先地,在步骤(1)中,所述预碳化温度为500℃,所述预碳化时间2h。
优先地,在步骤(1)中,所述碳前驱体和碱性无机物按质量比1:4混合。
优先地,在步骤(1)中,所述煅烧温度为700℃,煅烧时间为2h。
优先地,在步骤(1)中,所述碱性无机物为KOH或NaOH或者KOH、NaOH两者混合物。
优先地,在步骤(2)中,所述的酒糟多孔碳与六水合硝酸钴、六水合硝酸镍、尿素以及聚乙烯吡咯烷酮的质量比为0.3:4:8:5:1。
优先地,在步骤(2)中,所述水热反应温度为100℃,水热反应时间为12h。
本发明所制备的酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料及其工艺具有以下优点:
(1)将酒糟碳化活化后得到的是蜂窝状多孔碳,极易分散不会形成团聚,制备的复合材料稳定性好;
(2)酒糟多孔碳是蜂窝状多孔碳,可以让金属盐有较多可结合的位点,形成较高复合程度;
(3)用过渡金属化合物材料与多孔碳材料进行复合,制备的电极材料兼具较高的比容量、倍率性能以及较好的导电性;
(4)采用基底碳材料来源为酒糟,原料来源广泛且价格便宜,因为我国是酿酒大国,每年产生上万吨的酒糟,它的处理已经成为酿酒企业亟待解决的现实问题,将其衍生的碳材料作为超级电容器材料不仅解决了环境问题,还实现了“变废为宝”。
附图说明
图1为实施例1中酒糟多孔碳的SEM的图;
图2为实施例1中酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物复合材料SEM图;
图3为实施例1中酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物复合材料SEM-mapping图;
图4为实施例1中酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物复合材料XRD图;
图5为实施例1中酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物复合材料在20m Vs-1时的CV测试图;
图6为实施例1中酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物复合材料在1Ag-1时的GCD测试图;
图7为实施例2中酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物复合材料在20mVs-1时的CV测试图;
图8为实施例2中酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物复合材料在1A g-1时的GCD测试图;
图9为实施例3中酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物复合材料在20mVs-1时的CV测试图;
图10为实施例3中酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物复合材料在1Ag-1时的GCD测试图;
图11为对比例1中,不添加酒糟多孔碳基底材料的钴镍氢氧化物复合材料在20mVs-1时的CV测试图;
图12为对比例1中,不添加酒糟多孔碳基底材料的钴镍氢氧化物复合材料在20mVs-1时的GCD测试图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述,对本发明不构成任何限制。
实施例1
材料产品制备:
(1)酒糟多孔碳的制备:将酒糟经烘干、研磨破碎后,再进行预碳化得到碳前驱体,预碳化温度为500℃,预碳化时间2h,然后将碳前驱体和KOH粉末按质量比为1:4混合再研磨,将研磨粉末进行煅烧,煅烧温度为700℃,煅烧时间为2h,再经洗涤、过滤、烘干、研磨,即可得到由酒糟制备的酒糟多孔碳。
(2)酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料:首先称取所制备的酒糟多孔碳0.03g放入烧杯中,再称取六水合硝酸钴0.4g,六水合硝酸镍0.8g,尿素0.5g,聚乙烯吡咯烷酮0.1g,分别加入烧杯,然后倒入50ml去离子水,室温超声搅拌至完全溶解混合均匀,再转移到反应釜中,在100℃条件下进行水热反应12h,最后经过抽滤、洗涤,然后于80℃下真空干燥,即可得到酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物复合电极材料。
材料产品测试分析:
(1)酒糟多孔碳SEM分析:将制备的酒糟多孔碳,取适量进行SEM表征,SEM结果如图1所示,从图1中可以明显看出酒糟多孔碳呈现蜂窝状,这种结构有利于钴镍双金属氢氧化物生长,增加复合材料的稳定性。
(2)酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物复合材料SEM分析:将制备的酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物复合材料,取适量进行SEM表征,SEM结果如图2所示,图中我们可以明显的看出原本的酒糟多孔碳材料的表面生长了钴镍氢氧化物。
(3)酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物复合材料SEM-mapping分析:将制备的酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物复合材料,取适量进行SEM-mapping表征,结果如图3所示,SEM-mapping图也进一步证实了复合材料的表面成功的附着了C、Co、Ni、O元素。
(4)酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物复合材料XRD分析:将制备的酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物复合材料,取适量进行XRD测试,分析结果如图4所示,通过XRD图进行分析,(012)、(015)、(110)等晶面都是钴镍双金属氢氧化物所对应的晶面,材料复合了钴镍双金属氢氧化物。
(5)酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物复合材料电化学性能:将制备的酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物复合材料,称取0.008g,再称取乙炔黑0.001g和聚四氟乙烯微粉0.001g,置于小玛瑙碾钵中,加入0.5mL乙醇进行研磨;以5kPa的压力将研磨后的样品与1mm厚的泡沫镍集流体压制,在空气中、室温下干燥,裁切成2cm×2cm,制得超级电容器电极,进行电化学性能测试,图5为材料的CV测试图,在20mVs-1时出现明显氧化还原峰,说明酒糟多孔碳负载的钴镍双金属氢氧化物复合材料具有较好的倍率性能。图6为材料的GCD测试图,GCD测试图也可以看出,其具有较长的放电时间,在1A g-1下放电时间为675s,比电容为1350F/g。说明了酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物复合材料具有较高的电容性能。
实施例2
不同钴镍质量比条件下酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物复合材料的电化学性能对比分析(酒糟多孔碳与六水合硝酸钴、六水合硝酸镍、尿素以及聚乙烯吡咯烷酮的质量比为0.3:4:4:5:1)
具体步骤中未特别说明的步骤与实施例1的制备方法相同,不同之处在于,具体酒糟多孔碳称取的质量为0.03g,六水合硝酸钴称取的质量为0.4g,六水合硝酸镍称取的质量为0.4g,尿素0.5g,聚乙烯吡咯烷酮0.1g,对实施例2制备的复合材料进行电化学测试,测试方法与实施例1相同,测试结果如图7,图8所示,在20mV s-1下依然有明显的氧化还原峰,证明了其良好的倍率性能,但是在1A g-1下其比电容仅为580F/g,通过结合实施例1的结果分析可知:金属镍的减少对复合材料的电化学性能的影响较大,在实施例1的基础上,减少金属镍的复合量其电化学性能变差。
实施例3
不同钴镍质量比条件下酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物复合材料的电化学性能对比分析(酒糟多孔碳与六水合硝酸钴、六水合硝酸镍、尿素以及聚乙烯吡咯烷酮的质量比为0.3:4:12:5:1)
具体步骤中未特别说明的步骤与实施例1的制备方法相同,不同之处在于,具体酒糟多孔碳称取的质量为0.03g,六水合硝酸钴称取的质量为0.4g,六水合硝酸镍称取的质量为1.2g,尿素0.5g,聚乙烯吡咯烷酮0.1g,对实施例3制备的复合材料进行电化学测试,测试方法与实施例1相同,测试结果如图9、图10所示,从图中可以看出依然有明显的氧化还原峰,在1A g-1下其比电容为932F/g,由此看出,过多的金属镍对比电容的提升反而起到逆作用,在实施例1的基础上,增加金属镍的复合量其电化学性也会变差。
结合实施例1、实施例2和实施例3分析可知,金属镍的减少对复合材料的电化学性能的影响较大,过多或者过少的金属镍添加复合将降低材料的比电容,只有适当的配比下才能达到最佳的性能,其中实施例中的匹配条件下,其电化学性能最优。
对比例1
不添加酒糟多孔碳基底材料的钴镍氢氧化物复合材料的电化学性能对比分析
具体步骤中未特别说明的步骤与实施例1的制备方法相同,不同之处在于:材料制备中不添加酒糟多孔碳基底材料,具体六水合硝酸钴称取的质量为0.4g,六水合硝酸镍称取的质量为0.8g,尿素0.5g,聚乙烯吡咯烷酮0.1g,测试方法与实施例1相同,测试结果如图11、12所示,在有明显的氧化还原峰下,在1A g-1下的对比例1制备得到的复合材料比电容达1062F/g,结合实施1进行分析,可知,添加酒糟多孔碳基底的复合材料的性能优于没有添加酒糟多孔碳基底材料的性能。添加酒糟多孔碳基底后,其复合材料的比电容提升率达到27.1%。

Claims (1)

1.一种酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料,其特征在于,以酒糟多孔碳作为基底,钴、镍元素以Co-Ni-LDH形式负载在酒糟多孔碳的表面,最终得到酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料,该材料的制备工艺包括如下步骤:
(1)酒糟多孔碳的制备:将酒糟经烘干、研磨破碎后,再进行预碳化得到碳前驱体,预碳化温度为500℃,预碳化时间为2h,然后将碳前驱体和碱性无机物按质量比为1:4混合再研磨,所述碱性无机物为KOH或NaOH或者KOH、NaOH两者混合物,将研磨粉末进行煅烧,煅烧温度为700℃,煅烧时间为2h,再经洗涤、过滤、烘干、研磨,即可得到由酒糟制备的酒糟多孔碳;
(2)酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料:将步骤(1)所得酒糟多孔碳与六水合硝酸钴、六水合硝酸镍、尿素以及聚乙烯吡咯烷酮以质量比为0.3:4:8:5:1加入烧杯中,再加入适量的去离子水,室温超声搅拌至完全溶解均匀,然后转移到反应釜中进行水热反应,水热反应温度为100℃,水热反应时间为12h,最后经过抽滤、洗涤,然后于80℃下真空干燥,即可得到酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料。
CN202011149172.7A 2020-10-23 2020-10-23 一种酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料及其制备工艺 Active CN112289591B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011149172.7A CN112289591B (zh) 2020-10-23 2020-10-23 一种酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料及其制备工艺

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011149172.7A CN112289591B (zh) 2020-10-23 2020-10-23 一种酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料及其制备工艺

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112289591A CN112289591A (zh) 2021-01-29
CN112289591B true CN112289591B (zh) 2022-05-17

Family

ID=74425015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011149172.7A Active CN112289591B (zh) 2020-10-23 2020-10-23 一种酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料及其制备工艺

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112289591B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113800515B (zh) * 2021-10-29 2022-12-20 哈尔滨工业大学 掺氮活性炭及多元氢氧化物/生物质多孔碳纳米复合电极材料的制备方法
CN114774134B (zh) * 2022-05-31 2023-04-25 中南大学 一种重金属污染土壤修复剂及其制备方法和应用
CN115881442B (zh) * 2022-12-20 2024-07-23 福州大学 蔗糖基多孔碳复合镍铁层状双氢氧化物电极材料及其制备

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008120610A (ja) * 2006-11-09 2008-05-29 Sumitomo Chemical Co Ltd 活性炭およびその製造方法
CN104760948A (zh) * 2015-04-22 2015-07-08 燕山大学 一种超级电容器用高性能多孔碳电极材料的制备方法
KR101683391B1 (ko) * 2015-08-17 2016-12-08 영남대학교 산학협력단 고성능 슈퍼커패시터 전극소재용 3차원 니켈폼/그래핀/니켈코발트산화물 복합체 및 이의 제조방법
CN108690223A (zh) * 2018-04-26 2018-10-23 浙江理工大学 一种层状双金属氢氧化物/纤维素多孔复合材料及其制备方法
CN109786121A (zh) * 2019-02-08 2019-05-21 桂林理工大学 一种以棉花碳纤维为基底原位生长钴镍氢氧化物的方法及应用
CN109755030A (zh) * 2019-02-08 2019-05-14 桂林理工大学 一种葡萄糖基碳球/钴镍氢氧化物复合材料的制备方法及其应用
CN111017925A (zh) * 2020-01-06 2020-04-17 桂林电子科技大学 一种新型高储能性能多孔碳材料的制备及其应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN112289591A (zh) 2021-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112289591B (zh) 一种酒糟多孔碳/钴镍氢氧化物电极材料及其制备工艺
CN111017927A (zh) 一种基于秸秆水热炭化的氮掺杂多孔炭制备及应用方法
CN110556548B (zh) 一种具有氧还原活性氮硫共掺杂的类花菜结构碳材料、氧还原电极及制备方法、燃料电池
CN108101043B (zh) 一种煤衍生人造石墨材料的制备方法及用途
CN110817838B (zh) 一种氮硫共掺杂的多孔碳材料及其制备方法和应用
CN113517143B (zh) 一种复合电极材料及其制备方法与用途
CN112086642B (zh) 一种石墨化碳包覆的高比表面积多孔碳球及其制备方法和应用
CN112194132B (zh) 一种基于毛竹水热炭化的铁修饰炭微球/炭纳米片复合多孔炭的制备方法及其应用
CN113707893A (zh) 一种利用废旧磷酸铁锂电池正极材料制备的碳基电催化剂及其制备方法和应用
CN115064667A (zh) 一种基于低结晶纤维素含量的生物质硬碳及其制备方法和应用
CN114408919B (zh) 一种基于椰壳材料的高温热冲击碳化和koh活化的多孔碳材料、制备方法及应用
CN110491684B (zh) 针状花钴镍双金属氢氧化物复合材料及其制备方法和应用
CN110534346B (zh) 富含氧缺陷的尖晶石型金属氧化物/石墨烯复合电极材料
CN103578772B (zh) 电容器电极用活性材料及其制备方法
CN111359636A (zh) 一种Mo-S/NF析氢材料及其制备方法与应用
CN101872651A (zh) 原位自生长纳米碳复合材料的制备方法
CN114843118B (zh) 具有多级孔电极复合材料go-c@m(oh)2及制备方法和应用
CN111701595B (zh) 一种Mo-La/NF析氢材料及其制备方法和应用
CN113735180B (zh) 一种利用ldh基前驱体得到钴铁硫化物制备钠离子电池负极材料的方法
CN115360363A (zh) 一种利用壳聚糖制备的多孔碳纳米片限域过渡金属电催化剂及方法
CN111223675B (zh) 一种多孔纳米NiFe2O4及其制备方法和应用
CN110415991B (zh) 一种基于珊瑚状钴镍氧化物/氧化石墨烯复合材料及其制备方法和应用
CN114804073A (zh) 一种生物质碳纳米管及其制备方法和应用
CN110808174B (zh) 一种超级电容器用Ni3Se4纳米线的制备方法
CN109273275B (zh) 三氧化二钒负载纳米镍、制备方法及其制备的电极材料和超级电容器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant