CN111936871A - 电流传感器 - Google Patents

Abstract

一种电流传感器，具备导电部件(30)、磁电转换部(25)以及屏蔽部(40)。屏蔽部包括各自的一面(41a、42a)彼此分离地对置的板状的第1屏蔽部(41)和第2屏蔽部(42)。导电部件的一部分和磁电转换部位于第1屏蔽部的一面(41a)与第2屏蔽部的一面(42a)之间。导电部件的位于第1屏蔽部与第2屏蔽部之间的部位(31)在沿着第2屏蔽部的一面的延长方向上延伸。第2屏蔽部具有在与延长方向正交的横向上排列的2个端边(42f)。在端边，形成有在延长方向上分离地排列且朝向第1屏蔽部延伸的多个延伸设置部(42c)。磁电转换部位于在延长方向上分离地排列的多个延伸设置部之间。

Description

电流传感器

相关申请的相互参照

本申请基于2018年3月20日申请的日本申请第2018－52957号，这里引用其记载内容。

技术领域

本公开涉及检测被测定电流的电流传感器。

背景技术

如专利文献1所示那样，已知通过将流过母线(bus bar)的电流所产生的磁场转换为电信号来检测电流的电流检测系统(电流传感器)。

如专利文献1所记载的那样，在电流传感器的技术领域中，存在电流(被测定电流)的检测精度下降的课题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-194472号公报

发明内容

本公开的目的在于，提供抑制了被测定电流的检测精度的降低的电流传感器。

根据本公开的一实施方式，电流传感器具备：导电部件，流动被测定电流；磁电转换部，将由于被测定电流的流动而产生的被测定磁场转换为电信号；以及屏蔽部，抑制向磁电转换部的电磁噪声的输入。屏蔽部包括各自的一面彼此分离地对置的板状的第1屏蔽部和第2屏蔽部。导电部件的一部分和磁电转换部位于第1屏蔽部的一面与第2屏蔽部的一面之间。导电部件的位于第1屏蔽部与第2屏蔽部之间的部位在沿着第2屏蔽部的一面的延长方向上延伸。第2屏蔽部具有在与延长方向正交的横向上排列的2个端边。在端边，形成有在延长方向上分离地排列且朝向第1屏蔽部延伸的多个延伸设置部。磁电转换部位于在延长方向上分离地排列的多个延伸设置部之间。

根据本公开的一实施方式，在第2屏蔽部的端边形成有朝向第1屏蔽部延伸的多个延伸设置部。因此，侵入到第2屏蔽部的电磁噪声容易经由多个延伸设置部流向第1屏蔽部。

此外，根据本公开的一实施方式，多个延伸设置部在延长方向上分离地排列。因而，侵入到第2屏蔽部的电磁噪声不易经由在延长方向上排列的多个延伸设置部之间的部位流向第1屏蔽部。因此，在第2屏蔽部中的在延长方向上排列的多个延伸设置部之间的部位，电磁噪声不易透过。

由此，第2屏蔽部中的在延长方向上排列的多个延伸设置部之间的部位不易磁饱和。结果，从第2屏蔽部中的在延长方向上排列的多个延伸设置部之间的部位泄漏电磁噪声的情况得以抑制。

进而，根据本公开的一实施方式，磁电转换部位于在延长方向上排列的多个延伸设置部之间。因而，由于第2屏蔽部中的在延长方向上排列的多个延伸设置部之间的部位的磁饱和而泄漏的电磁噪声向磁电转换部输入的情况得以抑制。结果，抑制了被测定电流的检测精度的降低。

附图说明

本公开的上述目的及其他目的、特征及优点通过参照附图的下述详细记载会更加明确。

图1是用于说明车载系统的框图。

图2是表示第1电流传感器的立体图。

图3是表示第1电流传感器的分解立体图。

图4是表示第1电流传感器的图表。

图5是表示第1电流传感器的图表。

图6是表示布线基板的图表。

图7是用于说明传感部的框图。

图8是表示导电母线的图表。

图9是表示第1屏蔽部的图表。

图10是表示第2屏蔽部的图表。

图11是表示传感器壳体的图表。

图12是用于说明基板支承销和基板粘接销的图表。

图13是沿着图12的(b)栏中示出的XIII－XIII线的剖面图。

图14是用于说明屏蔽部支承销和屏蔽部粘接销的图表。

图15是表示沿着图14的(b)栏中示出的XV－XV线的剖面图。

图16是表示2个独立传感器的立体图。

图17是表示布线壳的立体图。

图18是用于说明独立传感器向布线壳的组装的立体图。

图19是表示第2电流传感器的立体图。

图20是表示布线壳的图表。

图21是表示布线壳的图表。

图22是表示第2电流传感器的图表。

图23是表示第2电流传感器的图表。

图24是用于说明第1屏蔽部的磁饱和的图表。

图25是表示磁饱和的仿真结果的图表。

图26是用于说明第2实施方式的第2屏蔽部的图表。

图27是用于说明透过屏蔽部的磁场的示意图。

图28是表示屏蔽部的变形例的图表。

图29是表示屏蔽部的变形例的图表。

图30是表示第3实施方式的第1电流传感器的立体图。

图31是沿着图30中示出的XXXI－XXXI线的剖面图。

图32是用于说明第1电流传感器的固定形态的图表。

图33是表示第4实施方式的磁电转换部和导电母线的配置的图表。

图34是用于说明磁电转换部的输出变化的图表。

图35是用于说明第4实施方式的传感部的框图。

图36是用于表示差分电路的框图。

图37是用于说明第5实施方式的屏蔽部的屏蔽性的示意图。

图38是用于说明屏蔽部的屏蔽性的示意图。

图39是表示屏蔽部的变形例的图表。

图40是表示屏蔽部的变形例的图表。

图41是表示第2电流传感器的变形例的立体图。

图42是表示第2电流传感器的变形例的图表。

图43是表示第2电流传感器的变形例的图表。

图44是表示独立传感器向布线壳的组装状态的立体图。

图45是用于说明检测形态的类型的图表。

具体实施方式

(第1实施方式)

＜车载系统＞

首先，说明电流传感器所应用的车载系统100。该车载系统100构成混合动力(hybrid)系统。如图1所示，车载系统100具有电池200、电力转换装置300、第1马达400、第2马达500、引擎600以及动力分配机构700。

此外，车载系统100具有多个ECU。图1中，作为这些多个ECU的代表，图示了电池ECU801和MGECU802。这些多个ECU经由总线布线800彼此收发信号，对混合动力汽车进行协调控制。通过该协调控制，与电池200的SOC相应的第1马达400的再生和动力运行、第2马达500的发电以及引擎600的输出等受到控制。SOC是state of charge(荷电状态)的简称。ECU是electronic control unit(电子控制单元)的简称。

另外，ECU具有至少1个运算处理装置(CPU)和存储程序及数据的作为存储介质的至少1个存储器装置(MMR)。ECU通过具备能够由计算机读取的存储介质的微型计算机来提供。存储介质是非暂时地保存能够由计算机读取的程序的非移动型实体存储介质。存储介质能够通过半导体存储器或磁盘等来提供。以下，分别概述车载系统100的构成要素。

电池200具有多个二次电池。这些多个二次电池构成串联连接的电池堆。作为二次电池，能够采用锂离子二次电池、镍氢二次电池以及有机自由基电池(Organic RadicalBattery)等。

二次电池通过化学反应而产生电动势。二次电池具有若充电量过多或过少则促进劣化的性质。换言之，二次电池具有若SOC过充电或过放电则促进劣化的性质。

电池200的SOC相当于上述的电池堆的SOC。电池堆的SOC是多个二次电池的SOC的总和。通过上述协调控制来避免电池堆的SOC的过充电、过放电。对此，通过使多个二次电池各自的SOC均等的均等化处理，来避免多个二次电池各自的SOC的过充电、过放电。

均等化处理通过将多个二次电池分别地充放电而进行。电池200中，包含用于将多个二次电池分别地充放电的开关。此外，电池200中，包含用于检测多个二次电池各自的SOC的电压传感器、温度传感器等。电池ECU801根据这些传感器以及后述的第1电流传感器11的输出等对开关进行开闭控制。由此，多个二次电池各自的SOC均等化。

电力转换装置300进行电池200与第1马达400之间的电力转换。此外，电力转换装置300还进行电池200与第2马达500之间的电力转换。电力转换装置300将电池200的直流电转换为适合于第1马达400与第2马达500的动力运行的电压电平的交流电。电力转换装置300将通过第1马达400和第2马达500的发电而产生的交流电转换为适合于电池200的充电的电压电平的直流电。后面详述电力转换装置300。

第1马达400、第2马达500以及引擎600分别被连结到动力分配机构700。第1马达400与未图示的混合动力汽车的输出轴直接连结。第1马达400的旋转能量经由输出轴而传递给行驶轮。相反，行驶轮的旋转能量经由输出轴而传递给第1马达400。

第1马达400基于从电力转换装置300供给的交流电而进行动力运行。通过该动力运行而产生的旋转能量被动力分配机构700向引擎600、混合动力汽车的输出轴分配。由此，实现向曲轴的转动动力输出轴、行驶轮的推进力的赋予。此外，第1马达400利用从行驶轮传递的旋转能量而再生。由该再生产生的交流电被电力转换装置300转换为直流电并且被降压。该直流电被供给到电池200。此外，直流电还被供给到搭载于混合动力汽车的各种电气负载。

第2马达500利用从引擎600供给的旋转能量而发电。由该发电产生的交流电被电力转换装置300转换为直流电并且被降压。该直流电被供给到电池200及各种电气负载。

引擎600通过将燃料燃烧驱动而产生旋转能量。该旋转能量经由动力分配机构700而被向第2马达500及输出轴分配。由此，实现第2马达500的发电及向行驶轮的推进力的赋予。

动力分配机构700具有行星齿轮机构。动力分配机构700具有内齿轮(ring gear)、行星轮(planetary gear)、太阳轮(sun gear)以及行星架(planetary carrier)。

内齿轮为环状。在内齿轮的外周面和内周面，分别在周向上排列形成有多个齿。

行星轮和太阳轮分别为圆盘形状。在行星轮和太阳轮各自的圆周面，在周向上排列形成有多个齿。

行星架为环状。在行星架的将外周面和内周面连结的平坦面，连结有多个行星轮。行星架和行星轮各自的平坦面相互对置。

多个行星轮位于以行星架的旋转中心为中心的圆周上。这些多个行星轮的相邻间隔相等。在本实施方式中，3个行星轮以120°间隔排列。

在内齿轮的中心设有太阳轮。内齿轮的内周面和太阳轮的外周面相互对置。在两者之间设有3个行星轮。3个行星轮各自的齿与内齿轮和太阳轮各自的齿啮合。由此，成为内齿轮、行星轮、太阳轮以及行星架各自的旋转被相互传递的结构。

内齿轮与第1马达400的输出轴连结。行星架与引擎600的曲轴连结。太阳轮与第2马达500的输出轴连结。由此，第1马达400、引擎600以及第2马达500的转速在列线图中成为直线的关系

通过从电力转换装置300向第1马达400和第2马达500供给交流电，从而在内齿轮和太阳轮中产生转矩。通过引擎600的燃烧驱动使行星架产生转矩。这样，分别进行第1马达400的动力运行和再生、第2马达500的发电以及向行驶轮的推进力的赋予。

第1马达400、第2马达500以及引擎600各自的动作由多个ECU协调控制。例如MGECU802根据在混合动力汽车中搭载的各种传感器所检测的物理量、以及从其他ECU输入的车辆信息等，决定第1马达400和第2马达500的目标转矩。并且，MGECU802进行矢量控制，以使第1马达400和第2马达500分别生成的转矩成为目标转矩。

＜电力转换装置＞

接着，对电力转换装置300进行说明。电力转换装置300具备变换器(converter)310、第1逆变器(inverter)320以及第2逆变器330。变换器310实现将直流电的电压电平进行升降压的功能。第1逆变器320和第2逆变器330实现将直流电转换为交流电的功能。第1逆变器320和第2逆变器330实现将交流电转换为直流电的功能。

在车载系统100中，变换器310将电池200的直流电升压为适于第1马达400和第2马达500的动力运行的电压电平。第1逆变器320和第2逆变器330将该直流电转换为交流电。该交流电被向第1马达400和第2马达500供给。此外，第1逆变器320和第2逆变器330将由第1马达400和第2马达500生成的交流电转换为直流电。变换器310将该直流电降压为适于电池200的充电的电压电平。

如图1所示，变换器310经由第1电力线301和第2电力线302而与电池200电连接。变换器310经由第3电力线303和第4电力线304而与第1逆变器320以及第2逆变器330分别电连接。

第1电力线301的一端电连接于电池200的正极。第2电力线302的一端电连接于电池200的负极。并且，第1电力线301和第2电力线302各自的另一端电连接于变换器310。

第1电力线301和第2电力线302连接着第1平滑电容器305。第1平滑电容器305所具有的2个电极中的一方连接于第3电力线303，另一方连接于第4电力线304。

另外，电池200具有未图示的系统主继电器(SMR)。根据该系统主继电器的开闭，来控制电池200的电池堆与电力转换装置300的电连接。即，根据系统主继电器的开闭，来控制电池200与电力转换装置300之间的电力供给的继续和中断。

第3电力线303的一端与后述的变换器310的高侧开关311电连接。第4电力线304的一端与第2电力线302的另一端电连接。并且，第3电力线303和第4电力线304各自的另一端与第1逆变器320和第2逆变器330分别电连接。

第3电力线303和第4电力线304连接着第2平滑电容器306。第2平滑电容器306具有的2个电极中的一方连接于第3电力线303，另一方连接于第4电力线304。

第1逆变器320经由第1通电母线341～第3通电母线343而与第1马达400的第1U相定子绕组401～第1W相定子绕组403电连接。第2逆变器330经由第4通电母线344～第6通电母线346而与第2马达500的第2U相定子绕组501～第2W相定子绕组503电连接。

＜变换器＞

变换器310具有高侧开关311、低侧开关312、高侧二极管311a、低侧二极管312a以及电抗器(reactor)313。作为这些高侧开关311和低侧开关312，能够采用IGBT、功率MOSFET等。本实施方式中，作为高侧开关311及低侧开关312，采用了n沟道型的IGBT。

另外，在采用MOSFET作为高侧开关311及低侧开关312的情况下，在MOSFET中形成体(body)二极管。因此可以没有高侧二极管311a和低侧二极管312a。构成变换器310的半导体元件能够通过Si等半导体、或者SiC等宽带隙半导体来制造。

高侧二极管311a与高侧开关311反并联连接。即，高侧开关311的集电极电极连接着高侧二极管311a的阴极电极。高侧开关311的发射极电极连接着高侧二极管311a的阳极电极。

同样，低侧二极管312a与低侧开关312反并联连接。低侧开关312的集电极电极连接着低侧二极管312a的阴极电极。低侧开关312的发射极电极连接着低侧二极管312a的阳极电极。

如图1所示，高侧开关311的集电极电极电连接着第3电力线303。并且，高侧开关311的发射极电极和低侧开关312的集电极电极被连接。低侧开关312的发射极电极电连接着第2电力线302和第4电力线304。由此，从第3电力线303朝向第2电力线302，高侧开关311和低侧开关312被依次串联连接。换言之，从第3电力线303朝向第4电力线304，高侧开关311和低侧开关312被依次串联连接。

串联连接的高侧开关311与低侧开关312之间的中点和电抗器313的一端经由通电母线307电连接。并且，电抗器313的另一端与第1电力线301的另一端电连接。

由此，对于串联连接的高侧开关311与低侧开关312的中点，经由电抗器313和通电母线307供给电池200的直流电。对于高侧开关311的集电极电极，供给被第1逆变器320和第2逆变器330的至少一方转换为直流电的马达的交流电。该转换为直流电的马达的交流电经由高侧开关311、通电母线307以及电抗器313被向电池200供给。

这样，在通电母线307中流动对电池200进行输入输出的直流电。若限定流动的物理量而言，则在通电母线307中流动对电池200进行输入输出的直流电流。

变换器310的高侧开关311和低侧开关312通过MGECU802被进行开闭控制。MGECU802生成控制信号，并将其向栅极驱动器803输出。栅极驱动器803将控制信号放大并向开关的栅极电极输出。由此，MGECU802将向变换器310输入的直流电的电压电平进行升降压。

MGECU802生成脉冲信号作为控制信号。MGECU802通过调整该脉冲信号的导通占空比和频率来调整直流电的升降压电平。升降压电平根据上述的目标转矩和电池200的SOC来决定。

在将电池200的直流电升压的情况下，MGECU802使高侧开关311和低侧开关312分别交替地开闭。为此，MGECU802使向高侧开关311和低侧开关312输出的控制信号的电压电平翻转。

在向高侧开关311的栅极电极输入高电平的情况下，向低侧开关312的栅极电极输入低电平。该情况下，经由电抗器313和高侧开关311，电池200的直流电被向第1逆变器320和第2逆变器330供给。此时，通过电流的流动而在电抗器313中蓄积电能。此外，在第2平滑电容器306中蓄积电荷。第2平滑电容器306被充电。

在向高侧开关311的栅极电极输入低电平的情况下，向低侧开关312的栅极电极输入高电平。该情况下，构成经过第1平滑电容器305、电抗器313以及低侧开关312的闭环。如上述那样在电抗器313中蓄积了电能。因此电抗器313将要流动电流。该电抗器313的电能所引起的电流流过上述的闭环。

此外，该情况下，经由高侧开关311向第1逆变器320和第2逆变器330的直流电的供给中断。但是第2平滑电容器306被充电。因此，进行从第2平滑电容器306向第1逆变器320和第2逆变器330的电力供给。向第1逆变器320和第2逆变器330的电力供给继续。

之后，向高侧开关311输入高电平，向低侧开关312输入低电平。这时，在电抗器313中蓄积的电能作为直流电而与电池200的直流电一起被向第1逆变器320和第2逆变器330供给。由此，在时间上平均地升压了的电池200的直流电被向第1逆变器320和第2逆变器330供给。此外，第2平滑电容器306的充电恢复，并且其充电量增大。由此，从第2平滑电容器306向第1逆变器320和第2逆变器330供给的直流电的电压电平也上升。

在将从第1逆变器320和第2逆变器330的至少一方供给的直流电降压的情况下，MGECU802将向低侧开关312输出的控制信号固定为低电平。并且，MGECU802将向高侧开关311输出的控制信号依次切换为高电平和低电平。

在向高侧开关311的栅极电极输入高电平的情况下，经由高侧开关311和电抗器313，将第1逆变器320和第2逆变器330的至少一方的直流电向电池200供给。

在向高侧开关311的栅极电极输入低电平的情况下，第1逆变器320和第2逆变器330的至少一方的直流电不被向电池200供给。结果，在时间上平均地降压了的直流电被向电池200供给。

另外，严格地讲，若如上述那样向高侧开关311的栅极电极输入高电平，则第1平滑电容器305被充电。在电抗器313中蓄积电能。之后，若向高侧开关311的栅极电极输入低电平，则在第2平滑电容器306、电池200的输出电压和时间常数中存在差异的情况下，在第2平滑电容器306与电池200之间进行充放电。此外，未图示的二极管将第1电力线301与第2电力线302连接。该二极管的阳极电极连接于第2电力线302，阴极电极连接于第1电力线301。因此，构成经过该二极管、电抗器313以及第1平滑电容器305的闭环。电抗器313的电能所引起的电流流过该闭环。

＜逆变器＞

第1逆变器320具有第1开关321～第6开关326以及第1二极管321a～第6二极管326a。作为第1开关321～第6开关326，能够采用IGBT或功率MOSFET等。在本实施方式中，作为第1开关321～第6开关326，采用n沟道型的IGBT。在采用MOSFET作为这些开关的情况下，可以没有上述的二极管。构成第1逆变器320的半导体元件能够通过Si等半导体或SiC等宽带隙半导体来制造。

与第1开关321～第6开关326对应的第1二极管321a～第6二极管326a被反并联连接。即，若设k为1～6的自然数，则在第k开关的集电极电极连接着第k二极管的阴极电极。在第k开关的发射极电极连接着第k二极管的阳极电极。

第1开关321和第2开关322从第3电力线303朝向第4电力线304依次串联连接。第1U相支线(leg)包括第1开关321和第2开关322。在第1开关321与第2开关322之间的中点连接着第1通电母线341的一端。第1通电母线341的另一端与第1马达400的第1U相定子绕组401连接。

第3开关323和第4开关324从第3电力线303朝向第4电力线304依次串联连接。第1V相支线包括第3开关323和第4开关324。在第3开关323和第4开关324之间的中点连接着第2通电母线342的一端。第2通电母线342的另一端与第1马达400的第1V相定子绕组402连接。

第5开关325和第6开关326从第3电力线303朝向第4电力线304依次串联连接。第1W相支线包括第5开关325和第6开关326。在第5开关325与第6开关326之间的中点连接着第3通电母线343的一端。第3通电母线343的另一端与第1马达400的第1W相定子绕组403连接。

第2逆变器330成为与第1逆变器320相同的结构。第2逆变器330具有第7开关331～第12开关336以及第7二极管331a～第12二极管336a。

与第7开关331～第12开关336对应的第7二极管331a～第12二极管336a被反并联连接。若设n为7～12的自然数，则在第n开关的集电极电极连接着第n二极管的阴极电极。在第n开关的发射极电极连接着第n二极管的阳极电极。

第7开关331和第8开关332串联连接在第3电力线303和第4电力线304之间而构成第2U相支线。在第7开关331和第8开关332之间的中点连接着第4通电母线344的一端。第4通电母线344的另一端与第2马达500的第2U相定子绕组501连接。

第9开关333和第10开关334串联连接在第3电力线303和第4电力线304之间而构成第2V相支线。在第9开关333和第10开关334之间的中点连接着第5通电母线345的一端。第5通电母线345的另一端与第2马达500的第2V相定子绕组502连接。

第11开关335和第12开关336串联连接在第3电力线303和第4电力线304之间而构成第2W相支线。在第11开关335和第12开关336之间的中点连接着第6通电母线346的一端。第6通电母线346的另一端与第2马达500的第2W相定子绕组503连接。

如以上所示那样，第1逆变器320和第2逆变器330分别具有与马达的U相～W相的定子绕组分别对应的3相的支线。向分别构成这3相的支线的开关的栅极电极，输入由栅极驱动器803放大了的MGECU802的控制信号。

在使马达动力运行的情况下，根据来自MGECU802的控制信号的输出将各开关进行PWM控制。由此，由逆变器生成3相交流。在马达发电的情况下，MGECU802例如停止控制信号的输出。由此，通过马达的发电而生成的交流电通过二极管。结果，交流电被转换为直流电。

以上所示的对第1马达400进行输入输出的交流电流过将第1逆变器320和第1马达400连接的第1通电母线341～第3通电母线343。同样，对第2马达500进行输入输出的交流电流过将第2逆变器330和第2马达500连接的第4通电母线344～第6通电母线346。

若限定流过的物理量而言，则对第1马达400进行输入输出的交流电流流过第1通电母线341～第3通电母线343。对第2马达500进行输入输出的交流电流流过第4通电母线344～第6通电母线346。

＜电流传感器＞

接着，说明至此说明过的车载系统100中应用的电流传感器。

作为电流传感器，有第1电流传感器11、第2电流传感器12以及第3电流传感器13。第1电流传感器11检测流过变换器310的电流。第2电流传感器12检测流过第1马达400的电流。第3电流传感器13检测流过第2马达500的电流。

第1电流传感器11设于通电母线307。如上述那样在通电母线307中流过对电池200进行输入输出的直流电流。第1电流传感器11检测该直流电流。

第1电流传感器11所检测到的直流电流被向电池ECU801输入。电池ECU801根据第1电流传感器11所检测到的直流电流、未图示的电压传感器所检测的电池堆的电压等，来监视电池200的SOC。

第2电流传感器12设于第1通电母线341～第3通电母线343。如上述那样在第1通电母线341～第3通电母线343中流过对第1马达400进行输入输出的交流电流。第2电流传感器12检测该交流电流。

第2电流传感器12所检测到的交流电流被向MGECU802输入。MGECU802根据第2电流传感器12所检测到的交流电流、未图示的旋转角传感器所检测的第1马达400的旋转角等，对第1马达400进行矢量控制。

第3电流传感器13设于第4通电母线344～第6通电母线346。如上述那样在第4通电母线344～第6通电母线346中流过对第2马达500进行输入输出的交流电流。第3电流传感器13检测该交流电流。

第3电流传感器13所检测到的交流电流被向MGECU802输入。MGECU802根据第3电流传感器13所检测到的交流电流、未图示的旋转角传感器所检测的第2马达500的旋转角等，将第2马达500进行矢量控制。

另外，第1马达400具有的第1U相定子绕组401、第1V相定子绕组402以及第1W相定子绕组403被星形联结。同样，第2马达500具有的第2U相定子绕组501、第2V相定子绕组502以及第2W相定子绕组503被星形联结。因此，通过检测这3相的定子绕组中的2相的电流，能够检测剩余1相的电流。

还能够采用将这3相的定子绕组三角形联结的结构。该结构中，也能够通过检测2相的定子绕组的电流而检测剩余1相的电流。

第2电流传感器12设于与第1U相定子绕组401～第1W相定子绕组403连接的第1通电母线341～第3通电母线343中的2个。更具体而言，第2电流传感器12设于第1通电母线341和第2通电母线342。

因此，第2电流传感器12检测流过第1U相定子绕组401的电流和流过第1V相定子绕组402的电流。MGECU802根据这些流过第1U相定子绕组401和第1V相定子绕组402的电流，检测流过第1W相定子绕组403的电流。

同样，第3电流传感器13设于与第2U相定子绕组501～第2W相定子绕组503连接的第4通电母线344～第6通电母线346中的2个。更具体而言，第3电流传感器13设于第4通电母线344和第5通电母线345。

因此，第3电流传感器13检测流过第2U相定子绕组501的电流和流过第2V相定子绕组502的电流。MGECU802根据这些流过第2U相定子绕组501和第2V相定子绕组502的电流，检测流过第2W相定子绕组503的电流。

上述对电池200进行输入输出的直流电流以及对第1马达400和第2马达500进行输入输出的交流电流分别相当于被测定电流。并且，由这些电流的流动产生的磁场相当于被测定磁场。

＜第1电流传感器＞

如上述那样，第1电流传感器11设于通电母线307。通电母线307在电抗器313侧和高侧开关311(低侧开关312)侧被截断。第1电流传感器11以桥连该截断的通电母线307的电抗器313侧和高侧开关311侧的形态设于通电母线307。由此在第1电流传感器11中流动流过通电母线307的电流、即对电池200进行输入输出的直流电流。

另外，当然，通电母线307在电抗器313侧与高侧开关311侧被截断的结构只不过是一例。例如，在通电母线307不被截断且仅与高侧开关311侧连接的情况下，第1电流传感器11桥连电抗器313和通电母线307。

如图2～图5所示，第1电流传感器11具有布线基板20、导电母线30、屏蔽部40以及传感器壳体50。导电母线30桥连上述的通电母线307。因此，直流电流流过导电母线30。导电母线30相当于导电部件。

图4的(a)栏示出了第1电流传感器11的俯视图。图4的(b)栏示出了第1电流传感器的主视图。图4的(c)栏示出了第1电流传感器的仰视图。图5的(a)栏示出了第1电流传感器11的主视图。图5的(b)栏示出了第1电流传感器的侧视图。图5的(c)栏示出了第1电流传感器的后视图。另外，图4的(b)栏和图5的(a)栏表示同一附图。

如这些附图中明示的那样，导电母线30的一部分嵌件成型于传感器壳体50。在该传感器壳体50设有布线基板20和屏蔽部40。传感器壳体50由绝缘性的树脂材料构成。

布线基板20以与导电母线30的嵌件成型于传感器壳体50的部位对置的形态被固定于传感器壳体50。在该布线基板20中的与导电母线30对置的部位搭载有后述的磁电转换部25。通过该磁电转换部25，将流过导电母线30的直流电流产生的磁场转换为电信号。

屏蔽部40具有第1屏蔽部41和第2屏蔽部42。第1屏蔽部41和第2屏蔽部42以相互分离的形态被固定于传感器壳体50。布线基板20与导电母线30各自的相互对置的部位位于该第1屏蔽部41与第2屏蔽部42之间。

第1屏蔽部41和第2屏蔽部42由与传感器壳体50相比磁导率高的材料构成。因而，将要从第1电流传感器11的外部向内部透过的电磁噪声(外部噪声)会积极地通过第1屏蔽部41和第2屏蔽部42。由此，外部噪声向磁电转换部25的输入被抑制。

另外，在传感器壳体50中嵌件成型有图4所示的连接端子60。该连接端子60通过焊料61而与布线基板20电连接及机械连接。该连接端子60经由线束等而与电池ECU801电连接。被磁电转换部25转换后的电信号经由连接端子60和未图示的线束等而被向电池ECU801输入。

接着，分别详细说明第1电流传感器11的构成要素。以下，将处于相互正交的关系的3个方向设为x方向、y方向及z方向。x方向相当于横向。y方向相当于延长方向。

＜布线基板＞

如图6所示，布线基板20呈平板形状。布线基板20呈z方向厚度较薄的扁平形状。布线基板20通过将绝缘性的树脂层和导电性的金属层在z方向上层叠多个而构成。布线基板20的面积最大的对置面20a及其里侧的背面20b在z方向上相面对。图6的(a)栏示出了布线基板的俯视图。图6的(b)栏示出了布线基板的仰视图。

在布线基板20的对置面20a，搭载有图6的(a)栏以及图7所示的第1传感部21和第2传感部22。第1传感部21和第2传感部22分别具有ASIC23和滤波器24。ASIC23和滤波器24经由布线基板20的布线图案而电连接。该布线图案与连接端子60电连接。ASIC是applicationspecific integrated circuit(专用集成电路)的简写。另外，还能够采用在背面20b搭载了第1传感部21和第2传感部22的结构。

＜ASIC＞

ASIC23具有磁电转换部25、处理电路26、连接管脚27以及树脂部28。磁电转换部25与处理电路26电连接。连接管脚27的一端电连接于处理电路26。连接管脚27的另一端与布线基板20电连接及机械连接。连接管脚27的一端侧、处理电路26以及磁电转换部25被树脂部28覆盖。连接管脚27的另一端侧从树脂部28露出。

磁电转换部25具有根据透过自身的磁场(透过磁场)而电阻值变动的磁阻效应元件。该磁阻效应元件根据沿着对置面20a的透过磁场而电阻值变化。即，磁阻效应元件根据透过磁场的沿x方向的成分和沿y方向的成分而电阻值变化。

相反，磁阻效应元件的电阻值不根据沿z方向的透过磁场而变化。因而，即使沿z方向的外部噪声透过磁阻效应元件，磁阻效应元件的电阻值也不因此变化。

磁阻效应元件具有磁化方向固定的钉扎层、磁化方向根据透过磁场而变化的自由层、以及设于两者之间的非磁性的中间层。在中间层具有非导电性的情况下，磁阻效应元件是巨磁阻元件。在中间层具有导电性的情况下，磁阻效应元件是隧道磁阻元件。另外，磁阻效应元件可以是各向异性磁阻效应元件(AMR)。进而，磁电转换部25也可以代替磁阻效应元件而具有霍尔元件。

磁阻效应元件根据钉扎层和自由层各自的磁化方向所成的角度而电阻值变化。钉扎层的磁化方向沿着对置面20a。自由层的磁化方向根据沿着对置面20a的透过磁场而确定。磁阻效应元件的电阻值在自由层和固定层各自的磁化方向平行的情况下最小。磁阻效应元件的电阻值在自由层和固定层各自的磁化方向反平行的情况下最大。

磁电转换部25具有作为上述磁阻效应元件的第1磁阻效应元件25a和第2磁阻效应元件25b。第1磁阻效应元件25a和第2磁阻效应元件25b的钉扎层的磁化方向相差90°。因此，第1磁阻效应元件25a和第2磁阻效应元件25b的电阻值的增减反转。若第1磁阻效应元件25a和第2磁阻效应元件25b中的一方的电阻值减少，则另一方的电阻值与之等量地增大。

磁电转换部25中，第1磁阻效应元件25a和第2磁阻效应元件25b分别具有2个。从电源电位朝向基准电位将第1磁阻效应元件25a和第2磁阻效应元件25b依次串联连接而构成第1半桥电路。从电源电位朝向基准电位将第2磁阻效应元件25b和第1磁阻效应元件25a依次串联连接而构成第2半桥电路。

这样，2个半桥电路中第1磁阻效应元件25a和第2磁阻效应元件25b的排列反转。因此，2个半桥电路的中点电位成为若一方的电位下降则另一方的电位上升的结构。磁电转换部25中，这2个半桥电路组合而构成全桥电路。

磁电转换部25除了构成上述全桥电路的磁阻效应元件以外，还具有差动放大器25c、反馈线圈25d以及分流电阻25e。向差动放大器25c的反相输入端子和非反相输入端子输入2个半桥电路的中点电位。从差动放大器25c的输出端子朝向基准电位，将反馈线圈25d和分流电阻25e依次串联连接。

通过以上所示的连接结构，从差动放大器25c的输出端子，得到与构成全桥电路的第1磁阻效应元件25a和第2磁阻效应元件25b的电阻值的变动相应的输出。沿着对置面20a的磁场透过磁阻效应元件从而产生该电阻值的变化。根据流过导电母线30的电流而产生的磁场(被测定磁场)在磁阻效应元件中透过。因而，向差动放大器25c的输入端子流过与被测定磁场相应的电流。

差动放大器25c的输入端子和输出端子经由未图示的反馈电路而被连接。因此，差动放大器25c虚短路(virtual short)。因而，差动放大器25c以反相输入端子与非反相输入端子成为相同电位的方式进行动作。即，差动放大器25c以流向输入端子的电流与流向输出端子的电流成为零的方式进行动作。结果，从差动放大器25c的输出端子流动与被测定磁场相应的电流(反馈电流)。

反馈电流经由反馈线圈25d和分流电阻25e，在差动放大器25c的输出端子与基准电位之间流动。通过该反馈电流的流动，在反馈线圈25d中产生抵消磁场。该抵消磁场透过磁电转换部25。由此，透过磁电转换部25的被测定磁场被抵消。由此，磁电转换部25以透过自身的被测定磁场与抵消磁场相平衡的方式进行动作。

与产生抵消磁场的反馈电流的电流量相应的反馈电压在反馈线圈25d与分流电阻25e之间的中点生成。该反馈电压作为将被测定电流进行检测后的电信号而被向后级的处理电路26输出。

处理电路26具有调整放大器26a和阈值电源26b。在调整放大器26a的非反相输入端子，连接着反馈线圈25d与分流电阻25e之间的中点。在调整放大器26a的反相输入端子，连接着阈值电源26b。由此，从调整放大器26a输出被差动放大了的反馈电压。

构成全桥电路的第1磁阻效应元件25a和第2磁阻效应元件25b各自的电阻值具有依赖于温度的性质。因此，根据温度变化，调整放大器26a的输出变动。因此，处理电路26具有未图示的温度检测元件、存储磁阻效应元件的温度与电阻值的关系的非易失性存储器等。该非易失性存储器能够电改写。通过改写非易失性存储器中存储的值，调整放大器26a的增益、偏移被调整。由此，温度变化所引起的调整放大器26a的输出的变动被消除。

＜滤波器＞

滤波器24具有电阻24a和电容器24b。并且，如图7所示，在布线基板20中，作为布线图案而形成有电源布线20c、第1输出布线20d、第2输出布线20e以及接地布线20f。

第1传感部21的ASIC23与电源布线20c、第1输出布线20d以及接地布线20f分别连接。第1传感部21的ASIC23的调整放大器26a的输出端子连接于第1输出布线20d。

第1传感部21的滤波器24的电阻24a设于第1输出布线20d。电容器24b将第1输出布线20d和接地布线20f连接。由此，第1传感部21的滤波器24通过电阻24a和电容器24b构成低通滤波器。第1传感部21的ASIC23的输出经由该低通滤波器向电池ECU801输出。因此，高频噪声被除去后的第1传感部21的输出被向电池ECU801输入。

第2传感部22的ASIC23与电源布线20c、第2输出布线20e以及接地布线20f分别连接。第1传感部21的ASIC23的调整放大器26a的输出端子连接于第2输出布线20e。

第2传感部22的滤波器24的电阻24a设于第2输出布线20e。电容器24b将第2输出布线20e和接地布线20f连接。由此，第2传感部22的滤波器24通过电阻24a和电容器24b构成低通滤波器。第2传感部22的ASIC23的输出经由该低通滤波器向电池ECU801输出。由此，高频噪声被除去后的第2传感部22的输出被向电池ECU801输入。

如以上所示那样，本实施方式的第1传感部21和第2传感部22成为同一结构。这些第1传感部21和第2传感部22各自的磁电转换部25在y方向上排列。如后面详说的那样，透过第1传感部21和第2传感部22各自的磁电转换部25的磁场相同。

因而，从第1传感部21向电池ECU801输入的电信号与从第2传感部22向电池ECU801输入的电信号相同。电池ECU801通过比较所输入的这2个电信号，来判断是否在第1传感部21与第2传感部22的某一方中发生了异常。这样，本实施方式的第1电流传感器11具有冗余性。

另外，上述的分流电阻25e可以设置在树脂部28之中，也可以设置在其之外。在设置在树脂部28之外的情况下，分流电阻25e被搭载于布线基板20。并且，分流电阻25e被外接于ASIC23。

此外，构成全桥电路的4个电阻分别可以不是磁阻效应元件。这4个电阻中的至少1个是磁阻效应元件即可。也可以不是构成全桥电路，而是构成仅1个半桥电路。

在可以不具有上述的冗余性的情况下，第1电流传感器11还能够采用具有第1传感部21和第2传感部22中的一方的结构。

＜导电母线＞

导电母线30由铜、黄铜以及铝等导电材料构成。导电母线30能够通过例如以下列举的方法来制造。导电母线30能够通过将平板进行冲压加工而制造。导电母线30能够通过将多个平板一体地连结而制造。导电母线30能够通过焊接多个平板而制造。导电母线30能够通过向铸模中流入熔融状态的导电材料而制造。导电母线30的制造方法没有特别限定。

如图8所示，导电母线30呈z方向的厚度较薄的扁平形状。导电母线30的表面30a及其里面30b分别在z方向上相面对。图8的(a)栏表示导电母线的俯视图。图8的(b)栏表示导电母线的侧视图。

导电母线30沿y方向延伸。在图8中，如用2个虚线划分而表示的那样，导电母线30具有被传感器壳体50覆盖的覆盖部31以及从传感器壳体50露出的第1露出部32和第2露出部33。第1露出部32和第2露出部33隔着覆盖部31而在y方向上排列。第1露出部32和第2露出部33经由覆盖部31一体地连结。

如图8的(b)栏所示，覆盖部31、第1露出部32及第2露出部33各自的z方向的长度(厚度)相等。即，覆盖部31、第1露出部32以及第2露出部33各自的表面30a与里面30b之间的z方向上的离开距离相等。

在第1露出部32和第2露出部33，分别形成有用于将螺栓穿过而与通电母线307电连接及机械连接的螺栓孔30c。该螺栓孔30c将表面30a和里面30b贯通。

如上述那样，通电母线307在电抗器313侧和高侧开关311侧被截断。在该通电母线307的电抗器313侧、以及高侧开关311侧，分别形成有与螺栓孔30c对应的安装孔。

使通电母线307的电抗器313侧的安装孔和第1露出部32的螺栓孔30c在z方向上排列。使通电母线307的高侧开关311侧的安装孔和第2露出部33的螺栓孔30c在z方向上排列。该状态下，在螺栓孔30c和安装孔中穿过螺栓的轴部。并且，从螺栓的轴部的前端朝向头部将螺母紧固。通过螺栓的头部和螺母将通电母线307和导电母线30夹持。由此，使通电母线307和导电母线30接触，将两者电连接及机械连接。由此，被截断了的通电母线307的电抗器313侧和高侧开关311侧被导电母线30桥连。通电母线307和导电母线30中流过共通的电流。

如图8的(a)栏所示，在覆盖部31，形成有x方向的长度局部较短的狭窄部31a。本实施方式的狭窄部31a的x方向的长度阶段性地变短。狭窄部31a随着在y方向上从覆盖部31的第1露出部32侧朝向覆盖部31的中心点CP而x方向的长度以两个阶段变短。同样，狭窄部31a随着在y方向上从覆盖部31的第2露出部33侧朝向覆盖部31的中心点CP而x方向的长度以两个阶段变短。另外，狭窄部31a的x方向的长度也可以更多阶段地变短，也可以连续地变短。

上述的中心点CP与覆盖部31的重心相同。覆盖部31及狭窄部31a以在z方向上穿过中心点CP的中心线为对称轴AS而成为线对称的形状。

狭窄部31a相比于第1露出部32以及第2露出部33而言x方向的长度变短。因此，流过狭窄部31a的电流的密度大于流过第1露出部32和第2露出部33的电流的密度。结果，从流过狭窄部31a的电流产生的被测定磁场的强度变高。

在图8的(a)栏和(b)栏的各自中，如将第1传感部21和第2传感部22的磁电转换部25概略性地用虚线包围而表示的那样，第1传感部21和第2传感部22与狭窄部31a在z方向上分离而对置配置。因而，在第1传感部21和第2传感部22的各自中，透过由流过狭窄部31a的电流产生的强度高的被测定磁场。

如上述那样，导电母线30在y方向上延伸。因而，导电母线30中在y方向上流过电流。由于该向y方向的电流的流动，在绕y方向的周向上，产生依照安培定律的被测定磁场。被测定磁场在由x方向和z方向规定的平面中以导电母线30为中心呈环状流动。第1传感部21和第2传感部22检测被测定磁场的沿着x方向的成分。

如图8中虚线所示，第1传感部21和第2传感部22各自的磁电转换部25在y方向上排列。这2个磁电转换部25隔着对称轴AS而对称配置。2个磁电转换部25的x方向的位置和对称轴AS(中心点CP)的x方向的位置相同。因而，2个磁电转换部25隔着中心点CP在y方向上排列。

此外，2个磁电转换部25和覆盖部31的z方向上的离开距离相同。并且，如上述那样，覆盖部31以及狭窄部31a成为隔着对称轴AS而线对称的形状。由此，在2个磁电转换部25中透过x方向的成分相等的被测定磁场。

另外，本实施方式的导电母线30通过将导电性的平板进行冲压加工而制造。该冲压加工中，将平板置于冲模，使冲头向冲模接近而对平板施加张力。这样，将平板分离为导电母线30和切屑，从而制造导电母线30。

若通过上述的冲压加工制造导电母线30，则在导电母线30中形成剪断面。在导电母线30中的最初与冲头接触的面侧的剪断面中产生塌边。由此，剪断面的直角性可能受损。结果，由流过导电母线30的电流产生的被测定磁场的分布有可能偏离设计。

本实施方式的导电母线30，不是将最初与冲头接触的面而是将被冲头最后分离的面设于布线基板20侧。即，将最初与冲头接触的面作为里面30b，将被冲头最后分离的面作为表面30a。剪断面相当于表面30a与里面30b之间的侧面。因而，导电母线30的侧面中的表面30a侧的直角性不易受损。该导电母线30的表面30a与布线基板20对置。因此，透过搭载于布线基板20的第1传感部21和第2传感部22的被测定磁场的分布从设计偏离的情况得以抑制

另外，在如上述那样将导电母线30冲压加工而制造后，需要辨别在侧面中的表面30a侧和里面30b侧的某一方中是否发生了塌边。用于对其进行辨别的缺口33a作为标记而形成于导电母线30的第2露出部33。本实施方式的缺口33a呈半圆形。

＜屏蔽部＞

如上述那样，屏蔽部40具有第1屏蔽部41和第2屏蔽部42。如图9及图10所示，第1屏蔽部41和第2屏蔽部42分别呈z方向的厚度较薄的板形状。第1屏蔽部41的面积最大的一面41a及其里面41b分别在z方向上相面对。第2屏蔽部42的面积最大的一面42a及其里面42b分别在z方向上相面对。

如图2及图3所示，以一面41a和一面42a分别在z方向上对置的形态，将第1屏蔽部41和第2屏蔽部42设于传感器壳体50。第1屏蔽部41的里面41b和第2屏蔽部42的里面42b分别露出到传感器壳体50之外。这些里面41b和里面42b分别构成第1电流传感器11的最外表面的一部分。

图9的(a)栏表示第1屏蔽部的俯视图。图9的(b)栏表示第1屏蔽部的仰视图。图10的(a)栏表示第2屏蔽部的俯视图。图10的(b)栏表示第2屏蔽部的仰视图。

这些第1屏蔽部41和第2屏蔽部42能够通过将由坡莫合金等磁导率高的软磁性材料构成的多个平板进行压接而制造。或者，第1屏蔽部41和第2屏蔽部42能够通过将电磁钢进行轧制而制造。

本实施方式的第1屏蔽部41和第2屏蔽部42分别通过将由软磁性材料构成的多个平板进行压接而制造。在多个平板中分别形成有从其主面朝向里面突起的4个凸部。相应地，在多个平板中分别形成有从里面朝向主面凹陷的4个凹部。将这些多个平板分别以主面和里面对置的方式配置。并且，以在对置的2个平板中的一方的凹部中进入另一方的凸部的方式，将多个平板层叠。在该层叠状态下将多个平板压接。由此制造第1屏蔽部41和第2屏蔽部42。

另外，在通过将电磁钢进行轧制而制造第1屏蔽部41和第2屏蔽部42的情况下，将通过该轧制而使电磁钢伸展的方向例如设为x方向。由此，电磁钢的原子排列(结晶)在x方向上整齐排列。结果，x方向相比于y方向而言磁导率提高。通过这样确定电磁钢的轧制方向，能够使屏蔽部的磁导率具有各向异性。

＜第1屏蔽部＞

第1屏蔽部41的平面形状如图9所示那样呈以x方向为长边方向的矩形。并且，在本实施方式的第1屏蔽部41的四角形成有缺口41c。在图9中，为了使y方向上的第1屏蔽部41的中央与两端的边界明确，对第1屏蔽部41赋予在x方上延伸的2个虚线。以下，将第1屏蔽部41的y方向的中央表示为第1中央部41d。将第1屏蔽部41的y方向的两端表示为第1两端部41e。第1中央部41d在y方向上位于第1两端部41e具有的2个端部之间。

如通过该虚线的赋予而明示的那样，第1两端部41e相比于第1中央部41d而言x方向的长度较短。因此，第1两端部41e相比于第1中央部41d而言x方向的磁导率变低。磁场不易向第1两端部41e侵入。因而，磁场经由第1中央部41d中的与第1两端部41e直接连结且在y方向上排列的部位(并列部位)而从第1两端部41e具有的2个端部的一方朝向另一方进行透过的情况得以抑制。在第1中央部41d的并列部位，磁场不易透过。结果，第1中央部41d的并列部位不易磁饱和。

该抑制了磁饱和的第1中央部41d的并列部位、与搭载于布线基板20的第1传感部21及第2传感部22在z方向上排列。第1传感部21和第2传感部22各自的磁电转换部25位于第1中央部41d与狭窄部31a之间。

＜第2屏蔽部＞

第2屏蔽部42的平面形状如图10所示那样呈以x方向为长边方向的矩形。图10中，为了明确y方向上的第2屏蔽部42的中央与两端的边界，对第2屏蔽部42赋予了在x方向上延伸的2个虚线。以下，将第2屏蔽部42的y方向的中央表示为第2中央部42d。将第2屏蔽部42的y方向的两端表示为第2两端部42e。第2中央部42d在y方向上位于第2两端部42e具有的2个端部之间。

第2屏蔽部42具有在x方向上排列的2个端边42f。在这两个端边42f的第2中央部42d侧，分别形成有在z方向上延伸的延伸设置部42c。这2个延伸设置部42c在z方向上沿从里面42b朝向一面42a的方向延伸。延伸设置部42c呈以y方向为长边方向的长方体。延伸设置部42c在如上述那样制造第2屏蔽部42时通过在将由软磁性材料构成的多个平板压接后进行弯曲加工而形成。

如上述那样，以第1屏蔽部41的一面41a和第2屏蔽部42的一面42a相互在z方向上对置的形态，将第1屏蔽部41和第2屏蔽部42设于传感器壳体50。在设于该传感器壳体50的状态下，延伸设置部42c朝向第1屏蔽部41延伸。延伸设置部42c的端面与第1屏蔽部41的第1中央部41d的一面41a在z方向上对置。

由此，相比于第1屏蔽部41的一面41a与第2屏蔽部42的一面42a在z方向上的离开距离，第1屏蔽部41的第1中央部41d与第2屏蔽部42的延伸设置部42c在z方向上的离开距离较短。因此，侵入到第1屏蔽部41的磁场容易经由该延伸设置部42c而透过第2屏蔽部42。

如上述那样，延伸设置部42c从端边42f的第2中央部42d侧沿z方向延伸。在端边42f的第2两端部42e侧没有形成延伸设置部42c。因此，侵入到第1屏蔽部41的磁场容易经由延伸设置部42c而透过第2屏蔽部42的第2中央部42d。

该第2中央部42d与搭载于布线基板20的第1传感部21及第2传感部22在z方向上对置。第1传感部21和第2传感部22各自的磁电转换部25与狭窄部31a位于第1中央部41d与第2中央部42d之间。

此外，磁电转换部25的x方向的位置处于分别形成于2个端边42f的2个延伸设置部42c之间。因此，在沿着x方向的外部噪将要将磁电转换部25所在的第1屏蔽部41的一面41a与第2屏蔽部42的一面42a之间的区域透过的情况下，该外部噪声将要向延伸设置部42c而不是磁电转换部25侵入。侵入到延伸设置部42c的外部噪声为了在第2屏蔽部42之中透过而透过方向弯曲。结果，外部噪声将磁电转换部25透过的情况得以抑制。

＜传感器壳体＞

如图3及图11所示，在传感器壳体50中嵌件成型有导电母线30和连接端子60。并且，在传感器壳体50，设有布线基板20和屏蔽部40。导电母线30、布线基板20以及屏蔽部40在z方向上分离而排列。图11的(a)栏表示传感器壳体的俯视图。图11的(b)栏表示传感器壳体的仰视图。

如图5及图11所示，传感器壳体50具有基部51、绝缘部52、第1包围部53、第2包围部54以及连接器部55。

基部51呈以x方向为长边方向的长方体。因此基部51具有6面。基部51具有在y方向上相面对的左面51a和右面51b。基部51具有在x方向上相面对的上表面51c和下表面51d。基部51具有在z方向上相面对的上端面51e和下端面51f。

如图5的(a)栏以及图5的(c)栏所示，绝缘部52形成于基部51的左面51a和右面51b各自的一部分。这2个绝缘部52从基部51离开地在y方向上延伸。2个绝缘部52隔着基部51而在y方向上排列。分别由2个绝缘部52和基部51将导电母线30的覆盖部31覆盖。

概略而言，由2个绝缘部52将覆盖部31的第1露出部32侧和第2露出部33侧覆盖。由基部51将覆盖部31的狭窄部31a覆盖。因而，狭窄部31a在z方向上位于基部51的上端面51e与下端面51f之间。构成基部51的绝缘性的树脂材料分别位于狭窄部31a与上端面51e之间、以及狭窄部31a与下端面51f之间。

如图11的(a)栏所示，第1包围部53形成于基部51的上端面51e。第1包围部53具有在y方向上排列的左壁53a和右壁53b。第1包围部53具有在x方向上排列的上壁53c和下壁53d。

这些构成第1包围部53的壁沿着上端面51e的缘部形成。在绕z方向的周向上，左壁53a、上壁53c、右壁53b以及下壁53d被依次连结。由此，第1包围部53呈在z方向上开口的环状。由第1包围部53将上端面51e包围。布线基板20和第1屏蔽部41设于由该第1包围部53和上端面51e构成的第1容纳空间。

如图11的(b)栏所示，第2包围部54形成于基部51的下端面51f。第2包围部54具有在y方向上排列的左壁54a和右壁54b。第2包围部54具有在x方向上排列的上壁54c和下壁54d。

这些构成第2包围部54的壁形成在下端面51f中的上述基部51的与狭窄部31a在z方向上并列的部位的周围。在绕z方向的周向上，左壁54a、上壁54c、右壁54b以及下壁54d被依次连结。由此，第2包围部54呈在z方向上开口的环状。由第2包围部54将下端面51f的一部分包围。第2屏蔽部42设置于由该第2包围部54和下端面51f构成的第2容纳空间。

第2容纳空间相比于第1容纳空间而言与z方向正交的平面的大小较小。第2容纳空间与第1容纳空间的一部分在z方向上排列。该第1容纳空间中的不与第2容纳空间在z方向上排列的部位与连接器部55在z方向上排列。

如图5的(b)栏以及图11的(b)栏所示，连接器部55形成于基部51的下端面51f。连接器部55以从下端面51f中的没有被第2包围部54包围的部位(非包围部位)离开的方式在z方向上延伸。连接器部55构成下壁54d的一部分。

连接器部55具有从下端面51f沿z方向延伸的柱部55a和在绕z方向的周向上将柱部55a的前端面55b包围的包围部55c。连接端子60沿z方向延伸。连接端子60被柱部55a、以及基部51中的与柱部55a在z方向上排列的部位分别覆盖。

连接端子60的一端从前端面55b露出到柱部55a之外。从该前端面55b露出的连接端子60的一端被上述包围部55c将周围包围。由此，连接器包括包围部55c和连接端子60的一端。该连接器与线束等连接器连接。

连接端子60的另一端从上端面51e露出到基部51之外。连接端子60的另一端设于上述第1容纳空间。连接端子60与导电母线30中的被基部51覆盖的部位(狭窄部31a)在x方向上分离。在x方向上连接端子60的另一端位于下壁53d侧。狭窄部31a位于上壁53c侧。构成基部51的绝缘性的树脂材料位于连接端子60与狭窄部31a各自的与传感器壳体50嵌件成型的部位之间。

如上述那样，对电池200进行输入输出的直流电流流过导电母线30。并且，在连接端子60中，在布线基板20与电池ECU801之间，流过电流量比直流电流少的电信号。若该导电母线30与连接端子60的沿面距离较近，则担心两者导通而短路。

用于抑制这样的问题的产生的肋52a形成于绝缘部52。肋52a从绝缘部52向z方向突起。并且，肋52a沿x方向延伸。肋52a的x方向的长度比第1露出部32以及第2露出部33各自的x方向的长度长。

肋52a处于位于绝缘部52之外的导电母线30的第1露出部32以及第2露出部33、与连接端子60的从上端面51e露出到外部的另一端之间。通过该肋52a，传感器壳体50的表面的导电母线30与连接端子60的沿面距离变长。由此，导电母线30与连接端子60的短路得以抑制。

此外，肋52a位于第1露出部32以及第2露出部33与第1屏蔽部41以及第2屏蔽部42之间。由此导电母线30与屏蔽部40的短路也得以抑制。

通过肋52a使沿面距离延长，从而能够缩短绝缘部52的y方向的长度。能够将绝缘部52的y方向的长度大约缩短85％。由此，第1电流传感器11的体积的增大得以抑制。

＜布线基板对于传感器壳体的固定形态＞

如图11的(a)栏以及图12的(a)栏所示，在基部51的上端面51e，形成有在z方向上局部延伸的基板支承销56a和基板粘接销56b。这些基板支承销56a和基板粘接销56b在上端面51e形成有多个。图12的(a)栏表示传感器壳体的立体图。图12的(b)栏表示设有布线基板的传感器壳体的立体图。图12中，为了说明这些销，省略了一部分标记的添加。

多个基板支承销56a分别具有面向z方向的前端面56c。这些多个前端面56c的z方向的位置相等。同样，多个基板粘接销56b分别具有面向z方向的前端面56d。这些多个前端面56d的z方向的位置相等。

如图13所示，基板支承销56a的前端面56c与上端面51e之间的z方向的长度为L1。基板粘接销56b的前端面56d与上端面51e之间的z方向的长度为L2。如附图中明示的那样，长度L1比长度L2长。

因此，基板支承销56a的前端面56c相比于基板粘接销56b的前端面56d而言从上端面51e向z方向离开。以对置面20a与该基板支承销56a的前端面56c接触的形态，将布线基板20搭载于传感器壳体50。基板支承销56a相当于基板支承部。前端面56c相当于支承面。

在搭载于基板支承销56a的前端面56c的状态下，布线基板20的对置面20a与基板粘接销56b的前端面56d在z方向上分离。在该布线基板20与基板粘接销56b之间，设有将两者粘接固定的基板粘接剂56e。基板粘接销56b相当于基板粘接部。前端面56d相当于搭载面。

在通过基板粘接剂56e将布线基板20和传感器壳体50粘接固定时，基板粘接剂56e的温度设定得高于设置第1电流传感器11的环境温度。此时的基板粘接剂56e的温度能够设定为例如150℃左右。在该温度下基板粘接剂56e具有流动性。作为基板粘接剂56e，能够采用硅类粘接剂。

对基板粘接销56b的前端面56d涂布150℃左右的具有流动性的基板粘接剂56e。并且，以使基板支承销56a的前端面56c和基板粘接剂56e分别与布线基板20的对置面20a接触的方式，将布线基板20设置于传感器壳体50。之后，将基板粘接剂56e降温到室温而固化。

由此，在设置第1电流传感器11的环境温度下，在基板粘接剂56e中产生向自身的中心凝聚的残余应力。通过该残余应力，布线基板20和基板粘接销56b成为相互靠近的状态。布线基板20的对置面20a与基板支承销56a的前端面56c的接触状态被维持。

结果，布线基板20相对于传感器壳体50的位置偏移不再依赖于在粘接固定时具有流动性的基板粘接剂56e的形状偏差。布线基板20相对于传感器壳体50的位置偏移成为传感器壳体50的制造误差。再换言之，布线基板20相对于嵌件成型于传感器壳体50的导电母线30的位置偏移成为传感器壳体50的制造误差。

本实施方式中，3个基板支承销56a形成于上端面51e。这3个基板支承销56a中的2个在y方向上离开而排列。剩余1个基板支承销56a从在y方向上排列的2个基板支承销56a之间的中点向x方向离开。3个基板支承销56a的前端面56c成为等腰三角形的顶点。导电母线30的狭窄部31a位于在y方向上排列的2个基板支承销56a与剩余1个基板支承销56a之间。

在本实施方式中，3个基板粘接销56b形成于上端面51e。这3个基板粘接销56b中的2个在y方向上离开而排列。剩余1个基板粘接销56b从在y方向上排列的2个基板支承销56a之间的中点向x方向离开。3个基板粘接销56b的前端面56d成为等腰三角形的顶点。

多个连接端子60的另一端排列于在y方向上排列的2个基板支承销56a之间。剩余1个基板支承销56a位于在y方向上排列的2个基板粘接销56b之间的中点。因而，该剩余1个基板支承销56a与剩余1个基板粘接销56b在x方向上排列。并且，狭窄部31a的中心点CP在x方向上位于这些剩余1个基板支承销56a与剩余1个基板粘接销56b之间。

通过以上所示的结构，将3个基板支承销56a的前端面56c连结而成的等腰三角形、与将3个基板粘接销56b的前端面56d连结而成的等腰三角形在z方向上重叠。并且，狭窄部31a的中心点CP位于这2个等腰三角形的在z方向上重叠的区域。

布线基板20以与这2个等腰三角形分别在z方向上对置的形态设于传感器壳体50。该布线基板20的与2个等腰三角形对置的部位由于与基板支承销56a接触以及经由基板粘接剂56e而与基板粘接销56b连结，从而相比于不与2个等腰三角形对置的部位而言，与传感器壳体50的连接更稳定。在该布线基板20中的与传感器壳体50的连接稳定的部位，搭载有第1传感部21和第2传感部22。

在布线基板20被搭载于基板支承销56a、并经由基板粘接剂56e固定于基板粘接销56b的状态下，布线基板20的对置面20a与基部51的上端面51e在z方向上离开并对置。在完全没有制造误差等的情况下，对置面20a与上端面51e的离开距离在整个面是固定的，两者为平行的关系。

如上述那样在基部51中嵌件成型有导电母线30的狭窄部31a。在完全没有制造误差等的情况下，狭窄部31a的表面30a与基部51的上端面51e之间的离开距离也在整个面中是固定的，两者为平行的关系。

根据以上所示的平行的关系，在完全没有制造误差等的情况下，布线基板20的对置面20a与狭窄部31a的表面30a之间的离开距离也在整个面中是固定的，两者为平行的关系。

此外，如上述那样，布线基板20通过将树脂层和金属层在z方向上层叠多个而成。因此，布线基板20的z方向的厚度的制造误差变大。布线基板20的z方向的厚度的制造误差为导电母线30向传感器壳体50嵌件成型所引起的z方向的位置的制造误差、以及布线基板20相对于传感器壳体50的z方向的配置误差的2倍左右。

对此，如上述那样在布线基板20中的与导电母线30对置的对置面20a设有第1传感部21和第2传感部22。因而，第1传感部21和第2传感部22各自与导电母线30的z方向的离开距离不再依赖于布线基板20的z方向的厚度。根据布线基板20的z方向的厚度的制造误差从而第1传感部21和第2传感部22各自与导电母线30的z方向的离开距离变动的情况得以抑制。

另外，基板支承销56a与基板粘接销56b的数量不限于3个。作为基板支承销56a的数量，也能够采用4个以上。作为基板粘接销56b的数量，也能够采用1个、2个或4个以上。

此外，在基板支承销56a与基板粘接销56b各自的数量为3个以上的情况下，可以是将3个以上的基板支承销56a的前端面56c连结而成的多边形、与将3个以上的基板粘接销56b的前端面56d连结而成的多边形在z方向上重叠的结构。在该结构中，可以在布线基板20中的与2个多边形在z方向上对置的区域搭载第1传感部21和第2传感部22。由此，第1传感部21与第2传感部22各自的相对于传感器壳体50的位置偏移得以抑制。

如命名为基板支承销56a以及基板粘接销56b那样，示出了它们是沿z方向延伸的柱状的例子。但是，它们的形状不限于柱状。基板支承销56a的前端面56c相比于基板粘接销56b的前端面56d而言更远离上端面51e即可，其形状没有特别限定。

＜第1屏蔽部相对于传感器壳体的固定形态＞

如图11的(a)栏以及图14的(a)栏所示，在基部51的上端面51e，形成有沿z方向局部延伸的屏蔽部支承销57a和屏蔽部粘接销57b。这些屏蔽部支承销57a和屏蔽部粘接销57b在上端面51e形成有多个。图14的(a)栏表示设有布线基板的传感器壳体的立体图。图14的(b)栏表示设有布线基板和屏蔽部的传感器壳体的立体图。图14中为了说明这些销而省略了一部分标记的添加。

多个屏蔽部支承销57a分别具有面向z方向的前端面57c。这些多个前端面57c的z方向的位置相等。同样，多个屏蔽部粘接销57b分别具有面向z方向的前端面57d。这些多个前端面57d的z方向的位置相等。

如图15所示，相比于基板支承销56a，屏蔽部支承销57a和屏蔽部粘接销57b各自的z方向的长度较长。更具体而言，相比于基板支承销56a，屏蔽部支承销57a和屏蔽部粘接销57b各自的z方向的长度加长了布线基板20的z方向的厚度以上。因此，在如上述那样将布线基板20搭载于传感器壳体50的状态下，屏蔽部支承销57a的前端面57c和屏蔽部粘接销57b的前端面57d分别比布线基板20的背面20b从上端面51e沿z方向离开。另外，还能够采用屏蔽部粘接销57b与基板支承销56a的z方向的长度的差异比布线基板20的z方向的厚度短的结构。

如图15所示，屏蔽部支承销57a的前端面57c与上端面51e之间的z方向的长度为L3。屏蔽部粘接销57b的前端面57d与上端面51e之间的z方向的长度为L4。如附图中明示的那样，长度L3比长度L4长。

因此，屏蔽部支承销57a的前端面57c比屏蔽部粘接销57b的前端面57d从上端面51e沿z方向离开。以一面41a与该屏蔽部支承销57a的前端面57c接触的形态，将第1屏蔽部41搭载于传感器壳体50。屏蔽部支承销57a相当于屏蔽部支承部。前端面57c相当于接触面。

在被搭载于屏蔽部支承销57a的前端面57c的状态下，第1屏蔽部41的一面41a和屏蔽部粘接销57b的前端面57d在z方向上分离。在该第1屏蔽部41与屏蔽部粘接销57b之间，设有将两者粘接固定的基板粘接剂56e。屏蔽部粘接销57b相当于屏蔽部粘接部。前端面57d相当于设置面。

在通过屏蔽部粘接剂57e将第1屏蔽部41和传感器壳体50粘接固定时，屏蔽部粘接剂57e的温度设定得比设置第1电流传感器11的环境温度高。此时的屏蔽部粘接剂57e的温度也能够设定为例如150℃左右。在该温度下屏蔽部粘接剂57e具有流动性。作为屏蔽部粘接剂57e，能够采用硅类粘接剂。

对屏蔽部粘接销57b的前端面57d涂布150℃左右的具有流动性的屏蔽部粘接剂57e。并且，以第1屏蔽部41的一面41a与屏蔽部支承销57a的前端面57c和屏蔽部粘接剂57e分别接触的方式，将第1屏蔽部41设置于传感器壳体50。然后将屏蔽部粘接剂57e降温到室温进行固化。

由此，在屏蔽部粘接剂57e中，在设置第1电流传感器11的环境温度下，产生向自身的中心凝聚的残余应力。通过该残余应力，第1屏蔽部41和屏蔽部粘接销57b成为相互靠近的状态。第1屏蔽部41的一面41a与屏蔽部支承销57a的前端面57c的接触状态被维持。

结果，第1屏蔽部41相对于传感器壳体50的位置偏移不再依赖于在粘接固定时具有流动性的屏蔽部粘接剂57e的形状偏差。第1屏蔽部41相对于传感器壳体50的位置偏移成为传感器壳体50的制造误差。再换言之，第1屏蔽部41相对于被固定于传感器壳体50的布线基板20的位置偏移成为传感器壳体50的制造误差。

在本实施方式中，3个屏蔽部支承销57a形成于上端面51e。这3个屏蔽部支承销57a中的1个被与左壁53a一体地连结。剩余的2个屏蔽部支承销57a中的1个被与右壁53b一体地连结。剩余的1个屏蔽部支承销57a被与上壁53c一体地连结。由此，3个屏蔽部支承销57a的前端面57c成为三角形的顶点。

被与左壁53a一体地连结的屏蔽部支承销57a、和被与右壁53b一体地连结的屏蔽部支承销57a在y方向上排列。这2个屏蔽部支承销57a之间和被与上壁53c一体地连结的屏蔽部支承销57a在x方向上离开。布线基板20的第1传感部21和第2传感部22位于将这3个屏蔽部支承销57a的前端面57c连结而成的三角形的区域。

在本实施方式中，3个屏蔽部粘接销57b形成于上端面51e。这3个屏蔽部粘接销57b中的1个被与左壁53a一体地连结。剩余的2个屏蔽部粘接销57b中的1个被与右壁53b一体地连结。剩余的1个屏蔽部粘接销57b被与上壁53c一体地连结。由此，3个屏蔽部粘接销57b的前端面57d成为三角形的顶点。

被与左壁53a一体地连结的屏蔽部粘接销57b和被与右壁53b一体地连结的屏蔽部粘接销57b在y方向上排列。这2个屏蔽部粘接销57b之间和被与上壁53c一体地连结的屏蔽部粘接销57b在x方向上离开。第1传感部21和第2传感部22与将这3个屏蔽部粘接销57b的前端面57d连结而成的三角形区域在z方向上排列。

此外，在左壁53a和右壁53b分别排列有1个屏蔽部支承销57a和1个屏蔽部粘接销57b。在上壁53c排列有1个屏蔽部支承销57a和1个屏蔽部粘接销57b。将3个屏蔽部支承销57a的前端面57c连结而成的三角形和将3个屏蔽部粘接销57b的前端面57d连结而成的三角形在z方向上重叠。并且，这些在z方向上重叠的区域与狭窄部31a的中心点CP在z方向上排列。

第1屏蔽部41以与这2个三角形分别在z方向上对置的形态被设于传感器壳体50。该第1屏蔽部41中的与2个三角形对置的部位相比于不与2个三角形对置的部位而言，由于与屏蔽部支承销57a接触以及经由屏蔽部粘接剂57e而与屏蔽部粘接销57b连结，从而与传感器壳体50的连接更稳定。

该第1屏蔽部41的与传感器壳体50的连接稳定的部位，与布线基板20的第1传感部21和第2传感部22分别在z方向上排列。具体而言，第1屏蔽部41的第1中央部41d与第1传感部21和第2传感部22分别在z方向上排列。

在第1屏蔽部41被搭载于屏蔽部支承销57a、并经由屏蔽部粘接剂57e固定于屏蔽部粘接销57b的状态下，第1屏蔽部41的一面41a与布线基板20的背面20b在z方向上分离并对置。在完全没有制造误差等的情况下，一面41a与背面20b的离开距离在整个面中是固定的，两者为平行的关系。因而，布线基板20的对置面20a与第1屏蔽部41的一面41a的离开距离也在整个面中是固定的，两者为平行的关系。

另外，如图6以及图14的(a)栏所示，在布线基板20的端部，形成有用于使上述屏蔽部支承销57a和屏蔽部粘接销57b分别穿过到布线基板20的上方的缺口20g。并且，在布线基板20形成有用于使连接端子60的另一端穿过的多个贯通孔20h。

如图6所示，多个贯通孔20h在y方向上排列。布线基板20的形成这些多个贯通孔20h的部位、与搭载第1传感部21和第2传感部22的部位在x方向上排列。在布线基板20中的这些在x方向上排列的2个部位之间，形成有在将布线基板20向传感器壳体50设置时用于将布线基板20相对于传感器壳体50的x方向的位置进行引导的第1缺口20i。此外，在布线基板20的搭载第1传感部21和第2传感部22的部位，形成有在将布线基板20向传感器壳体50设置时用于将布线基板20相对于传感器壳体50的y方向的位置进行引导的第2缺口20j。

相应地，在传感器壳体50的左壁53a和右壁53b，分别如图11的(a)栏以及图12的(b)栏所示，形成有被向第1缺口20i插入的第1凸部53e。在左壁53a和右壁53b，分别形成有与第2缺口20j在y方向上对置配置的第2凸部53f。第1缺口20i和第1凸部53e呈相似形状而沿y方向延伸。第2缺口20j和第2凸部53f呈相似形状而沿x方向延伸。

上述屏蔽部支承销57a和屏蔽部粘接销57b的数量不限于上述例子。作为屏蔽部支承销57a的数量，能够采用4个以上。作为屏蔽部粘接销57b的数量，能够采用1个、2个或4个以上。

在屏蔽部支承销57a与屏蔽部粘接销57b各自的数量为3个以上的情况下，可以是将3个以上的屏蔽部支承销57a的前端面57c连结而成的多边形和将3个以上的屏蔽部粘接销57b的前端面57d连结而成的多边形在z方向上重叠的结构。该结构下，可以是，第1屏蔽部41的与2个多边形在z方向上对置的区域与布线基板20的第1传感部21和第2传感部22分别在z方向上排列。由此，第1屏蔽部41相对于第1传感部21和第2传感部22各自的位置偏移得以抑制。

如命名为屏蔽部支承销57a以及屏蔽部粘接销57b那样，示出了它们是沿z方向延伸的柱状的例子。但是，它们的形状不限于柱状。屏蔽部支承销57a的前端面57c比屏蔽部粘接销57b的前端面57d更远离上端面51e即可，其形状没有特别限定。

＜第2屏蔽部相对于传感器壳体的固定形态＞

如图11的(b)栏以及图15所示，在基部51的下端面51f也形成有多个屏蔽部支承销57a。

不同于第1屏蔽部41，在传感器壳体50与第2屏蔽部42之间没有设置布线基板20。因此，形成于下端面51f的屏蔽部支承销57a相比于形成于上端面51e的屏蔽部支承销57a而言z方向的长度较短。z方向上的多个基板支承销56a各自的前端的位置相等。以一面42a与该屏蔽部支承销57a的前端面57c接触的形态，将第2屏蔽部42搭载于传感器壳体50。

在被搭载于屏蔽部支承销57a的前端面57c的状态下，第2屏蔽部42的一面42a在z方向上与下端面51f分离。在该第2屏蔽部42与下端面51f之间设有屏蔽部粘接剂57e。

在通过屏蔽部粘接剂57e将第2屏蔽部42与传感器壳体50粘接固定时，该屏蔽部粘接剂57e的温度也设定得比设置第1电流传感器11的环境温度高。

向下端面51f涂布具有流动性的屏蔽部粘接剂57e。并且，以使第2屏蔽部42的一面42a与屏蔽部支承销57a的前端面57c和屏蔽部粘接剂57e分别接触的方式，将第2屏蔽部42设于传感器壳体50。然后将屏蔽部粘接剂57e降温到室温进行固化。

由此，在设于下端面51f的屏蔽部粘接剂57e中，在设置第1电流传感器11的环境温度下，也产生向自身的中心凝聚的残余应力。通过该残余应力，第2屏蔽部42与屏蔽部粘接销57b成为相互靠近的状态。第2屏蔽部42的一面42a与屏蔽部支承销57a的前端面57c的接触状态被维持。

结果，第2屏蔽部42相对于传感器壳体50的位置偏移不再依赖于在粘接固定时具有流动性的屏蔽部粘接剂57e的形状偏差。第2屏蔽部42相对于传感器壳体50的位置偏移成为传感器壳体50的制造误差。再换言之，第2屏蔽部42相对于被固定于传感器壳体50的布线基板20的位置偏移成为传感器壳体50的制造误差。

在本实施方式中，4个屏蔽部支承销57a形成于下端面51f。4个屏蔽部支承销57a的前端面57c成为四边形的顶点。将这4个屏蔽部支承销57a的前端面57c连结而成的四边形与狭窄部31a的中心点CP在z方向上排列。屏蔽部粘接剂57e被涂布于下端面51f的与该四边形对置的区域。

第2屏蔽部42以与上述的四边形在z方向上对置的形态被设于传感器壳体50。该第2屏蔽部42的与四边形对置的部位相比于不与四边形对置的部位而言，由于与屏蔽部支承销57a接触以及经由屏蔽部粘接剂57e而与下端面51f连结，从而与传感器壳体50的连接更稳定。

该第2屏蔽部42中的与传感器壳体50的连接稳定的部位与布线基板20的第1传感部21和第2传感部22分别在z方向上排列。具体而言，第2屏蔽部42的第2中央部42d与第1传感部21和第2传感部22分别在z方向上排列。

另外，形成于下端面51f的屏蔽部支承销57a的数量不限于4个。作为屏蔽部支承销57a的数量，只要是3个以上就能够适当采用。

在屏蔽部支承销57a的数量是3个以上的情况下，第2屏蔽部42中的与将这3个以上的屏蔽部支承销57a的前端面57c连结而成的多边形在z方向上对置的区域可以与第1传感部21和第2传感部22分别在z方向上排列。由此，第2屏蔽部42相对于第1传感部21和第2传感部22各自的位置偏移得以抑制。

如上述那样，在第2屏蔽部42的在x方向上排列的2个端边42f，分别形成有沿z方向延伸的延伸设置部42c。在下端面51f，形成有用于设置该延伸设置部42c的2个槽部51g。

如图11的(b)栏以及图13所示，2个槽部51g在上壁54c与下壁54d之间沿x方向排列。2个槽部51g分别从下端面51f朝向上端面51e沿z方向形成。2个槽部51g中的一方的一部分由上壁54c构成。剩余1个槽部51g的一部分由下壁54d构成。覆盖部31位于这2个槽部51g之间。因而，覆盖部31位于第2屏蔽部42的2个延伸设置部42c之间。

＜支承销和粘接销的长度＞

基部51的上端面51e能够以上述的第1凸部53e作为y方向的界限而划分为在x方向上排列的连接端子60的另一端露出的部位和将狭窄部31a覆盖的部位。该上端面51e中的连接端子60的另一端露出的部位相比于将狭窄部31a覆盖的部位而言，在z方向上更靠下端面51f侧。因而，上端面51e中的连接端子60的另一端露出的部位与布线基板20的对置面20a在z方向上的离开距离大于上端面51e中的将狭窄部31a覆盖的部位与布线基板20的对置面20a在z方向上的离开距离。这是为了确保用于将连接端子60的另一端向布线基板20的贯通孔20h插入的距离。

这样，上端面51e中的连接端子60的另一端露出的部位与将狭窄部31a覆盖的部位在z方向上的位置不同。在这2个部位分别形成有基板支承销56a。尽管这样形成的上端面51e的z方向的位置不同，但是在本实施方式中多个基板支承销56a各自的前端面56c的z方向的位置相同。因此多个基板支承销56a的z方向的长度不同。

多个基板支承销56a的z方向的长度并不一律成为图13所示的长度L1。该长度L1表示在上端面51e中的将狭窄部31a覆盖的部位形成的基板支承销56a的z方向的长度。在上端面51e中的连接端子60的另一端露出的部位形成的基板支承销56a的z方向的长度相比于长度L1而言，加长了上述被划分为2个的上端面51e的z方向的位置的相差量。

如以上所示，可以是，根据所形成的面的z方向的位置，支承销的z方向的长度不同。多个基板支承销56a各自的前端面56c的z方向的位置相同即可。这对于多个屏蔽部支承销57a也是同样的。

另外，在向传感器壳体50搭载布线基板20时，向基板粘接销56b的前端面56d涂布流动性的基板粘接剂56e。基板粘接剂56e由于该流动性而z方向的形状可变。因此多个基板粘接销56b各自的前端面56d的z方向的位置可以不同。这对于多个屏蔽部粘接销57b也是同样的。

＜第2电流传感器和第3电流传感器＞

接着，详细说明第2电流传感器12。另外，第2电流传感器12和第3电流传感器13是实质相同的结构。因此省略第3电流传感器13的说明。

此外，第2电流传感器12具有与第1电流传感器11共通的构成要素。因而，以下关于与第1电流传感器11的相同点省略说明，主要说明不同点。

如上述那样，第2电流传感器12设于第1通电母线341和第2通电母线342。为了检测这些第1通电母线341和第2通电母线342各自的电流，第2电流传感器12具备具有与第1电流传感器11相同的功能的2个独立传感器71。此外，第2电流传感器12具有容纳这2个独立传感器71的布线壳72。

通过2个独立传感器71中的一方来检测从流过第1通电母线341的交流电流产生的磁场。通过2个独立传感器71中的另一方来检测从流过第2通电母线342的交流电流产生的磁场。

图16中表示2个独立传感器71。这样，2个独立传感器71呈同一形状。该独立传感器71与第1电流传感器11的构造上的差异是导电母线30中的与通电母线的连结部位、以及将连接端子60覆盖的连接器部55的形状等。即，是导电母线30的第1露出部32和第2露出部33的形状、以及包围部55c的消失等。

独立传感器71和第1电流传感器11这样产生构造上的差异是因为两者的连接对象不同。是因为第1电流传感器11与变换器310的通电母线307连接。是因为第2电流传感器12与第1逆变器320的第1通电母线341和第2通电母线342连接。但是，独立传感器71和第1电流传感器11的内部构造相同。因而，独立传感器71实现与第1电流传感器11相同的作用效果。

多个独立传感器71容纳于图17所示的布线壳72。如图18所示，多个独立传感器能够一并容纳于布线壳72。如图19所示，通过将多个独立传感器容纳于布线壳72而构成第2电流传感器12。

另外，在该配置结构的情况下，独立传感器71各自的第1屏蔽部41和第2屏蔽部42在x方向上交替排列。独立传感器71具有的磁电转换部25的磁场的感测方向为z方向和y方向。

此外，在至此示出的图17～图19以及以下所示的附图中表示的布线壳72的各自中容纳6个独立传感器71。该布线壳72中容纳的独立传感器71的数量只不过是一例。布线壳72能够容纳至少2个独立传感器71即可。

此外，也可以在第2电流传感器12具有的布线壳72中容纳其他检测车载设备的电流的电流传感器。进一步讲，还能够采用如下结构：第2电流传感器12和第3电流传感器13具有共通的布线壳72，在该共通的布线壳72中，容纳第2电流传感器12和第3电流传感器13各自具有的独立传感器71。

＜布线壳＞

如图17所示，布线壳72具有综合壳体73、端子壳体74以及通电端子75。综合壳体73和端子壳体74由绝缘性的树脂材料构成。综合壳体73和端子壳体74被一体地连结。如图18以及图19所示，在综合壳体73中容纳多个独立传感器71。因而，综合壳体73的体积大于独立传感器71的传感器壳体50。在端子壳体74中嵌件成型有多个通电端子75。如图20～图23所示，多个通电端子75各自的一端和另一端露出到端子壳体74之外。

图20的(a)栏表示布线壳的后视图。图20的(b)栏表示布线壳的俯视图。图20的(c)栏表示布线壳的仰视图。图21的(a)栏表示布线壳的左侧视图。图21的(b)栏表示布线壳的俯视图。图21的(c)栏表示布线壳的右侧视图。另外，图20的(b)栏和图21的(b)栏中表示同一附图。

图22的(a)栏表示第2电流传感器的主视图。图22的(b)栏表示第2电流传感器的俯视图。图22的(c)栏表示第2电流传感器的仰视图。图23的(a)栏表示第2电流传感器的侧视图。图23的(b)栏表示第2电流传感器的俯视图。另外，图22的(b)栏和图23的(b)栏中表示同一附图。

如图20以及图22各自的(c)栏所示，布线壳72具有综合布线基板76。该综合布线基板76与独立传感器71的连接端子60的一端连接。综合布线基板76与通电端子75的一端连接。由此，经由综合布线基板76的布线图案，将独立传感器71和通电端子75电连接。通电端子75的另一端经由线束等而与MGECU802电连接。由此，独立传感器71的输出经由综合布线基板76、通电端子75以及线束而向MGECU802输入。综合布线基板76和通电端子75相当于输入输出布线。

如上述那样，第2电流传感器12设于第1通电母线341和第2通电母线342。这些通电母线在第1逆变器320侧和第1马达400侧被截断。通电母线具有将第1逆变器320和第2电流传感器12连接的部位、以及将第2电流传感器12和第1马达400连接的部位。

本实施方式的通电母线中的将第1逆变器320和第2电流传感器12连接的部位是由金属材料形成的导电板。通电母线中的将第2电流传感器12和第1马达400连接的部位是线材。以下，将通电母线中的将第1逆变器320和第2电流传感器12连接的部位简单表示为导电板。将通电母线中的将第2电流传感器12和第1马达400连接的部位简单表示为线材。

另外，通电母线的形态能够根据逆变器和马达各自的形状、以及它们的车载搭载形态等而适当变更。因而，通电母线的具体形态不限于上述例子。能够根据这些通电母线的形态，适当变更布线壳72、独立传感器71的导电母线30各自的形态。特别是，对于独立传感器71的导电母线30的形态，仅通过改变第1露出部32和第2露出部33各自的形状就能够对应。因此，不需要变更独立传感器71的内部形状。由此，可以不变更独立传感器71的生产线。

如图20以及图21所示，综合壳体73具有底壁77和周壁78。底壁77面向z方向。底壁77的平面形状呈以x方向为长边方向的矩形。

周壁78从底壁77的面向z方向的内底面77a在z方向上立起。周壁78具有在x方向上排列的左壁78a和右壁78b。周壁78具有在y方向上排列的上壁78c和下壁78d。在绕z方向的周向，左壁78a、上壁78c、右壁78b以及下壁78d被依次连结。因此，周壁78呈在z方向上开口的筒形状。在由底壁77和周壁78构成的容纳空间中，能够容纳多个独立传感器71。

如图18所示，独立传感器71被从z方向插入综合壳体73的容纳空间。并且，如图19所示，在容纳空间中多个独立传感器71在x方向上排列设置。

多个独立传感器71与第1电流传感器11同样地具有第1屏蔽部41和第2屏蔽部42。这些第1屏蔽部41和第2屏蔽部42分别在x方向上分离而对置。因而，在容纳空间中，多个独立传感器具有的第1屏蔽部41和第2屏蔽部42交替排列。

如图16所示，从独立传感器71的传感器壳体50，第1露出部32和第2露出部33沿y方向延伸。在综合壳体73的上壁78c形成有用于将独立传感器71的传感器壳体50容纳于容纳空间并且将第1露出部32的前端配置在容纳空间之外的缝隙78e。缝隙78e从上壁78c的前端面朝向底壁77沿z方向形成。

在独立传感器71被容纳于综合壳体73的状态下，独立传感器71的第1露出部32的前端经由缝隙78e而位于容纳空间之外。该第1露出部32的前端通过激光焊接等而与上述的导电板电连接。

此外，导电端子79嵌件成型于综合壳体73的底壁77。如图20以及图21各自的(b)栏所示，导电端子79的一部分从底壁77的内底面77a露出。

在独立传感器71容纳于综合壳体73的状态下，独立传感器71的第2露出部33与导电端子79的从内底面77a露出的部位对置配置。该第2露出部33和导电端子79通过激光焊接等电连接。

此外，综合壳体73具有用于支承多个导电端子79的端子台80。端子台80一体形成于下壁78d的底壁77侧。端子台80呈沿x方向延伸的长方体形状。多个导电端子79还嵌件成型于该端子台80。多个导电端子79的一部分从该端子台80露出。导电端子79中的从端子台80露出的部位以从端子台80离开的方式沿z方向延伸。导电端子79中的从端子台80露出的部位与下壁78d在y方向上对置。多个导电端子79中的从端子台80露出的部位在x方向上分离地排列。

该导电端子79中的从端子台80露出的部位呈y方向的厚度较薄的扁平形状。导电端子79中的从端子台80露出的部位具有在y方向上面对的通电面79a及其里面79b。在导电端子79形成有在y方向上将通电面79a和里面79b贯通的螺栓孔79c。

此外，在导电端子79的里面79b设有在y方向上开口的螺母81。该螺母81的开口和螺栓孔79c的开口在y方向上排列。

在导电端子79的通电面79a设有线材的端子。在该线材的端子也形成有在y方向上贯通的螺栓孔。使线材的端子中的螺栓孔贯通的面与导电端子79的通电面79a对置。该形态下在两者的螺栓孔中穿通未图示的螺栓的轴部。并且，将该螺栓的轴部的前端与螺母81进行紧固。从螺栓的轴部的前端朝向头部而将螺栓与螺母81进行紧固。通过螺栓的头部和螺母81将导电端子79和线材的端子进行夹持。由此，使线材的端子和导电端子79接触，将两者电连接及机械连接。由此，独立传感器71的第2露出部33和线材的端子经由导电端子79电连接。

连接端子60从独立传感器71的传感器壳体50沿z方向延伸。在综合壳体73的底壁77，形成有用于将连接端子60的一端配置在容纳空间之外的插通孔。该插通孔将底壁77的内底面77a及其相反侧的外底面77b贯通。连接端子60的一端以经由插通孔从外底面77b离开的形态突出到容纳空间之外。另外，插通孔是微小的。因此插通孔没有在附图中示出。

端子壳体74与综合壳体73在x方向上排列。端子壳体74与综合壳体73的左壁78a一体地连结。端子壳体74沿z方向延伸。端子壳体74具有在z方向上排列的上表面74a和下表面74b。

嵌件成型于该端子壳体74的多个通电端子75沿z方向延伸。通电端子75的一端从端子壳体74的下表面74b突出。通电端子75的另一端从端子壳体74的上表面74a突出。

如图20的(a)栏以及(c)栏所示，综合壳体73的底壁77的外底面77b和端子壳体74的下表面74b在x方向及y方向上连续地相连。在该连续地相连的外底面77b和下表面74b设置综合布线基板76。

综合布线基板76呈z方向的厚度较薄的扁平形状。综合布线基板76具有在z方向上面对的载置面76a和相反面76b。综合布线基板76以载置面76a与外底面77b及下表面74b分别在z方向上对置的形态而被固定于综合壳体73和端子壳体74。

如上述那样，通电端子75的一端从下表面74b突出。连接端子60的一端从外底面77b突出。相对于此，在综合布线基板76形成有供通电端子75的一端插入的第1通孔76c。在综合布线基板76形成有供连接端子60的一端插入的第2通孔76d。这些第1通孔76c和第2通孔76d分别在z方向上将综合布线基板76的载置面76a和相反面76b贯通。此外，在综合布线基板76形成有将第1通孔76c和第2通孔76d电连接的布线图案。

以将通电端子75的一端向第1通孔76c插入的方式，将综合布线基板76设置于外底面77b和下表面74b。并且，将第1通孔76c和通电端子75经由焊料等电连接。

以将连接端子60的一端向底壁77的插通孔和第2通孔76d插入的方式，将独立传感器71设置于容纳空间。并且，将第2通孔76d和连接端子60经由焊料等电连接。由此，独立传感器71的连接端子60经由第2通孔76d、综合布线基板76的布线图案以及第1通孔76c而与通电端子75电连接。

布线壳72具有用于向车辆搭载的多个凸缘82。在这些多个凸缘82分别形成有用于将第2电流传感器12向车辆进行螺栓固定的螺栓孔82a。

本实施方式的布线壳72具有3个凸缘82。3个凸缘82中的1个形成在底壁77的右壁78b侧。剩余2个凸缘82中的1个形成在端子壳体74的下壁78d侧。该凸缘82被与端子台80一体地连结。剩余1个凸缘82形成在端子壳体74中的与综合壳体73的连结部位的相反侧。

由此，3个凸缘82中的2个隔着综合壳体73和端子壳体74在x方向上排列。剩余1个凸缘82与在x方向上排列的2个凸缘82在y方向上离开。这样，3个凸缘82形成三角形的顶点。

如上述那样，连接端子60的一端从外底面77b突出，通电端子75的一端从下表面74b突出。并且，在外底面77b和下表面74b设置综合布线基板76。为了避免这些连接端子60的一端、通电端子75的一端以及综合布线基板76分别与车辆接触，3个凸缘82分别具有沿z方向延伸的腿部83。通过该腿部83，在第2电流传感器12搭载于车辆的状态下，连接端子60的一端、通电端子75的一端以及综合布线基板76在z方向上与车辆分离。

＜电流传感器的作用效果＞

接着，说明本实施方式的电流传感器的作用效果。如上述那样，第1电流传感器11与第2电流传感器12以及第3电流传感器13具有的独立传感器71具有同等的结构。因此实现同等的作用效果。因而，以下为了避免复杂，不区分第1电流传感器11和独立传感器71，将它们简单表示为电流传感器。通过以下所示的各种作用效果，抑制了被测定电流的检测精度的下降。

＜屏蔽部的磁饱和＞

如上述那样，第1屏蔽部41的第1两端部41e相比于第1中央部41d而言x方向的长度较短。因此，磁场不易向第1两端部41e侵入。磁场在第1中央部41d中的与第1两端部41e直接连结且在y方向上排列的部位(并列部位)从第1两端部41e具有的2个端部的一方朝向另一方透过的情况得以抑制。结果，抑制了第1中央部41d的并列部位的磁饱和。抑制了电磁噪声从第1中央部41d泄漏。

图24中，将第1屏蔽部41中的由于磁场的透过而容易磁饱和的区域示意性地以影线表示。图24的(a)栏是表示作为比较结构的无缺口的第1屏蔽部中产生的磁饱和的示意图。图24的(b)栏是表示本实施方式的第1屏蔽部41的磁饱和的区域的示意图。图24所示的粗实线箭头表示流过导电母线30的电流。

如该示意图所示，在无缺口的第1屏蔽部中容易均等地磁饱和。相对于此，在形成有缺口41c的第1屏蔽部41，即使在第1中央部41d的并列部位以外的区域发生了磁饱和，在并列部位磁饱和的情况也得以抑制。

图25中表示透过屏蔽部的磁场分布的仿真结果。图25的(a)栏表示沿图24所示的XXVa－XXVa线的剖面的磁场分布。图25的(b)栏表示沿图24所示的XXVb－XXVb线的剖面的磁场分布。

其中，图25的(a)栏表示第1屏蔽部41和第2屏蔽部42分别为矩形的情况的仿真结果。图25的(b)栏表示第1屏蔽部41和第2屏蔽部42分别形成有缺口41c的情况的仿真结果。并且，将磁场的强度以影线的疏密来表示。影线越疏磁场的强度越弱，影线越密磁场的强度越高。

从该仿真结果也明确可知，在无缺口41c的情况下，第1屏蔽部和第2屏蔽部各自的磁场分布相同。并且，第1屏蔽部和第2屏蔽部各自的整体的磁场的强度提高。相对于此，若形成有缺口41c，则第1屏蔽部和第2屏蔽部各自的整体的磁场的强度降低。特别是，第1中央部41d和第2中央部42d各自的并列部位的磁场分布的强度降低。因此，由于磁饱和而电磁噪声从第1中央部41d和第2中央部42d泄漏的情况得以抑制。

另外，如图25所示，第1屏蔽部41和第2屏蔽部42各自的磁场分布的强度不同。该不同起因于第1屏蔽部41和第2屏蔽部42各自的与导电母线30之间的离开距离的不同。无论哪种磁场分布，在并列部位强度都变低，在并列部位以外的区域强度都变高。

该磁饱和被抑制了的第1中央部41d的并列部位与搭载于布线基板20的第1传感部21以及第2传感部22在z方向上排列。因而，由于第1中央部41d的磁饱和而泄漏的电磁噪声被向第1传感部21和第2传感部22的磁电转换部25输入的情况得以抑制。

＜屏蔽部的位置偏移＞

第1屏蔽部41搭载于屏蔽部支承销57a，经由屏蔽部粘接剂57e固定于屏蔽部粘接销57b。第2屏蔽部42搭载于屏蔽部支承销57a，经由屏蔽部粘接剂57e固定于基部51。

由此，第1屏蔽部41和第2屏蔽部42各自的相对于传感器壳体50的位置偏移不再依赖于在粘接固定时具有流动性的屏蔽部粘接剂57e的形状偏差。第1屏蔽部41和第2屏蔽部42各自的相对于传感器壳体50的位置偏移成为传感器壳体50的制造误差。能够使第1屏蔽部41和第2屏蔽部42各自的相对于被固定于传感器壳体50的布线基板20的位置偏移的要因成为传感器壳体50的制造误差。结果，抑制了基于第1屏蔽部41及第2屏蔽部42的电磁噪声向磁电转换部25的输入抑制的降低。

在将第1屏蔽部41以及第2屏蔽部42各自向传感器壳体50粘接固定时的屏蔽部粘接剂57e的温度被设定得高于设置电流传感器的环境温度。该屏蔽部粘接剂57e被降温到室温进行固化。因此，在屏蔽部粘接剂57e中，在设置电流传感器的环境温度下，产生向自身的中心凝聚的残余应力。通过该残余应力，第1屏蔽部41与屏蔽部支承销57a的接触状态、以及第2屏蔽部42与屏蔽部支承销57a的接触状态分别被维持。

由此，第1屏蔽部41以及第2屏蔽部42各自的相对于传感器壳体50的z方向的位移被抑制。换言之，第1屏蔽部41和第2屏蔽部42各自的相对于被固定于传感器壳体50的布线基板20的z方向的位移被抑制。由此，抑制了基于第1屏蔽部41及第2屏蔽部42的电磁噪声向磁电转换部25的输入抑制的降低。

＜布线基板的位置偏移＞

布线基板20搭载于基板支承销56a，经由基板粘接剂56e固定于基板粘接销56b。

由此，布线基板20相对于传感器壳体50位置偏移不再依赖于在粘接固定时具有流动性的基板粘接剂56e的形状偏差。布线基板20相对于传感器壳体50的位置偏移成为传感器壳体50的制造误差。能够使布线基板20相对于被固定于传感器壳体50的导电母线30的位置偏移的要因成为传感器壳体50的制造误差。结果，透过搭载于布线基板20的磁电转换部25的被测定磁场的变动得以抑制。

将布线基板20向传感器壳体50粘接固定时的基板粘接剂56e的温度被设定得高于设置电流传感器的环境温度。基板粘接剂56e被降温到室温进行固化。因此，在基板粘接剂56e中，在设置电流传感器的环境温度下，产生向自身的中心凝聚的残余应力。通过该残余应力，来维持布线基板20与基板支承销56a的接触状态。

由此，抑制了布线基板20相对于传感器壳体50的z方向的位移。换言之，抑制了布线基板20相对于被固定于传感器壳体50的导电母线30的z方向的位移。由此，抑制了透过搭载于布线基板20的磁电转换部25的被测定磁场的变动。

＜布线基板的制造误差＞

在布线基板20的与导电母线30的对置面20a设有第1传感部21和第2传感部22。由此，第1传感部21和第2传感部22各自的与导电母线30在z方向上的离开距离不再依赖于布线基板20的z方向的厚度。由于布线基板20的z方向的厚度的制造误差从而这些传感部与导电母线30在z方向上的离开距离的变动得以抑制。

＜布线壳与独立传感器的分离＞

在导电母线被固定于由绝缘性的树脂材料构成的壳体的情况下，由于壳体的制造误差及蠕变(creep)等老化，导电母线相对于壳体发生位置偏移。壳体的体积越大，该位置偏移越大。

相对于此，如上述那样，第2电流传感器12和第3电流传感器13具有比电流传感器(独立传感器71)的传感器壳体50体积大的综合壳体73。在该综合壳体73中容纳电流传感器。并且，导电母线30不是被固定于该体积大的综合壳体73而是被固定于传感器壳体50。磁电转换部25检测流过该导电母线30的电流。

由此，抑制了由于上述的壳体的制造误差及蠕变等老化从而产生导电母线30与磁电转换部25的相对位置偏移。

(第2实施方式)

接着，基于图26及图27说明第2实施方式。以下所示的各实施方式的电流传感器与上述实施方式的电流传感器共通点较多。因此以下省略共通部分的说明，重点说明不同部分。此外，以下对于与上述实施方式中示出的要素相同的要素附加同一标记。

＜两端的延伸设置部＞

第1实施方式中，示出了在第2屏蔽部42的在x方向上排列的2个端边42f各自的第2中央部42d侧形成有沿z方向延伸的延伸设置部42c的例子。相对于此，在本实施方式中，如图26所示，在第2屏蔽部42的2个端边42f各自的第2两端部42e侧形成有延伸设置部42c。图26的(a)栏是用于说明屏蔽部、磁电转换部以及导电母线的配置的立体图。图26的(b)栏是用于说明屏蔽部、磁电转换部以及导电母线的配置的侧视图。

通过该结构，侵入到第2屏蔽部42的磁场容易经由在第2两端部42e侧形成的延伸设置部42c而透过第1屏蔽部41。该磁场的透过路线如图27示意性所示那样，在第1屏蔽部41成为第1两端部41e侧。同样地，磁场的透过路线成为第2屏蔽部42的第2两端部42e侧。

另外，图27所示的粗实线箭头表示流过导电母线30的电流。实线箭头表示透过第1屏蔽部41的磁场。虚线箭头表示透过第2屏蔽部42的磁场。在圆圈的中心附加点的标记表示在z方向上从第2屏蔽部42朝向第1屏蔽部41的磁场。在圆圈中附加叉号的标记表示在z方向上从第1屏蔽部41朝向第2屏蔽部42的磁场。

因而，侵入到第2屏蔽部42的电磁噪声不易经由第2中央部42d向第1屏蔽部41流动。同样，侵入到第1屏蔽部41的电磁噪声不易经由第1中央部41d向第2屏蔽部42透过。

因此，第2中央部42d和第1中央部41d分别不易磁饱和。结果，抑制了磁场由于磁饱和而从第2中央部42d和第1中央部41d分别泄漏。

此外，如图26的(b)栏中明示的那样，第1传感部21和第2传感部22各自的磁电转换部25在y方向上位于2个延伸设置部42c之间。即，磁电转换部25在z方向上位于第2中央部42d与第1中央部41d之间。因而，抑制了由于第2中央部42d和第1中央部41d各自的磁饱和而泄漏的磁场被向磁电转换部25输入。结果，抑制了被测定电流的检测精度的降低。

在本实施方式中，示出了在第2屏蔽部42的2个端边42f的第2两端部42e侧分别形成有延伸设置部42c的例子。但是，例如也能够采用如图28的(a)栏所示那样在第2屏蔽部42的2个端边42f的第2中央部42d也形成有延伸设置部42c的结构。但是，在该第2中央部42d形成的延伸设置部42c相比于在第2两端部42e形成的延伸设置部42c而言z方向的长度较短。由此，侵入到屏蔽部40的磁场相比于中央部而言容易透过端部。

此外，如图28的(b)栏所示，还能够采用在2个端边42f中的一方的第2两端部42e侧形成有延伸设置部42c、在另一方的第2两端部42e和第2中央部42d分别形成有延伸设置部42c的结构。其中，在2个端边42f中的另一方的第2两端部42e和第2中央部42d分别形成的延伸设置部42c的z方向的长度相同。由此，侵入到屏蔽部40的磁场也与中央部相比容易将端部透过。图28的(a)栏及(b)栏分别是用于说明屏蔽部、磁电转换部以及导电母线的配置的立体图。

进而，如图29的(a)栏所示，也能够采用在2个端边42f中的一方的第2两端部42e具有的2个端部的一方侧、以及另一方的第2两端部42e具有的2个端部的另一方侧分别形成有延伸设置部42c的结构。在2个端边42f中的一方形成的延伸设置部42c与在另一方形成的延伸设置部42c在y方向及x方向上分别离开。

还能够采用不仅在第2屏蔽部42而且在第1屏蔽部41形成有延伸设置部42c的结构。第1屏蔽部41具有在x方向上排列的2个对置边41f。例如，如图29的(b)栏所示，能够采用在该第1屏蔽部41的2个对置边41f的第1两端部41e侧分别形成有延伸设置部42c的结构。图29的(a)栏及(b)栏分别是用于说明屏蔽部、磁电转换部以及导电母线的配置的立体图。

能够形成于第1屏蔽部41的延伸设置部42c的形态能够采用与至此示出过的形成于第2屏蔽部42的延伸设置部42c同等的形态。形成于第1屏蔽部41的延伸设置部42c相当于延长部。

另外，本实施方式以及以下所示的实施方式的电流传感器包含与第1实施方式中记载的电流传感器同等的构成要素。因此当然能够实现同等的作用效果。

(第3实施方式)

接着，基于图30～图32说明第3实施方式。

＜应力缓和部＞

在本实施方式中，在第1电流传感器11的导电母线30形成有应力缓和部34。该应力缓和部34分别形成于导电母线30的第1露出部32和第2露出部33。

如上述那样，导电母线30具有被传感器壳体50覆盖的覆盖部31。第1露出部32和第2露出部33分别从传感器壳体50露出，并与覆盖部31一体地连结。并且，在第1露出部32和第2露出部33分别形成有用于使螺栓穿过而与通电母线307电连接及机械连接的螺栓孔30c。应力缓和部34形成在该第1露出部32以及第2露出部33各自的与覆盖部31的连结部位、与螺栓孔30c的形成部位之间。

如图31所示，应力缓和部34从导电母线30的里面30b朝向表面30a局部地弯曲。通过该弯曲，对应于被施加于导电母线30的z方向的力，应力缓和部34能够挠曲而弹性变形。另外，图31中，应力缓和部34以一次波浪的方式弯曲，但该波浪的次数以及弯曲形态不限于上述例子。

如上述那样，导电母线30与通电母线307被螺栓固定。本实施方式的通电母线307相当于图32所示的第1端子台307a和第2端子台307b。导电母线30被螺栓固定于这些第1端子台307a和第2端子台307b。由此，通电母线307桥连第1端子台307a和第2端子台307b。经由通电母线307将第1端子台307a和第2端子台307b电连接。另外，以下，如图32所示，对在导电母线30的螺栓孔30c中穿过的螺栓附加标记307c。第1端子台307a和第2端子台307b相当于外部通电部。

第1端子台307a具有面向z方向的第1载置面307d。同样，第2端子台307b具有面向z方向的第2载置面307e。在这些第1载置面307d和第2载置面307e，形成有用于将螺栓307c的轴部紧固的紧固孔307f。紧固孔307f在第1载置面307d和第2载置面307e开口。紧固孔307f沿z方向延伸。图32的(a)栏表示第1载置面和第2载置面的z方向的位置一致的情况。图32的(b)栏表示第1载置面和第2载置面的z方向的位置不一致的情况。

第1露出部32的里面30b与第1载置面307d在z方向上对置。第2露出部33的里面30b与第2载置面307e在z方向上对置。在该形态下，在第1端子台307a和第2端子台307b设置第1电流传感器11。

在如图32的(a)栏所示那样第1载置面307d和第2载置面307e的z方向的位置一致的情况下，第1露出部32的里面30b与第1载置面307d接触并且第2露出部33的里面30b与第2载置面307e接触。在该接触状态下，螺栓307c的轴部的前端从z方向插入到导电母线30的螺栓孔30c和端子台的紧固孔307f中。并且，以使螺栓307c的头部向第1载置面307d(第2载置面307e)靠近的方式，将螺栓307c紧固于端子台。通过螺栓307c的头部和端子台将第1露出部32和第2露出部33夹持。由此，第1电流传感器11与端子台机械连接及电连接。

相对于此，在如图32的(b)栏所示那样第1载置面307d与第2载置面307e的z方向的位置不一致的情况下，在第1露出部32的里面30b与第1载置面307d接触时，第2露出部33的里面30b与第2载置面307e不接触。第2载置面307e和第2露出部33的里面30b在z方向上分离，在两者之间形成间隙。

若在该分离状态下将螺栓307c的轴部穿过螺栓孔30c和紧固孔307f、使螺栓307c的头部与第2露出部33的表面30a接触，则朝向z方向的力作用于第2露出部33。

如上述那样，为了增强透过磁电转换部25的被测定磁场的强度，在覆盖部31局部地形成有x方向的长度较短的狭窄部31a。狭窄部31a由于x方向的长度短，所以刚性比其他部位低。因此，狭窄部31a容易变形。

因而，若如上述那样螺栓307c的紧固时的朝向z方向的力作用于第2露出部33，则狭窄部31a可能会因此变形。狭窄部31a在传感器壳体50内的位置可能会位移。当然，即使在覆盖部31没有形成狭窄部31a，覆盖部31在传感器壳体50内的位置也可能会位移。由此，透过磁电转换部25的被测定磁场的分布可能会变化。

对此，如上述那样，在第1露出部32和第2露出部33分别形成有应力缓和部34。因而，即使由于上述的第1载置面307d与第2载置面307e在z方向上的位置的不同从而在第2载置面307e与第2露出部33的里面30b之间存在空隙，也对应于螺栓307c的朝向z方向的力而应力缓和部34弹性变形。由此，抑制了狭窄部31a的变形。抑制了狭窄部31a在传感器壳体50内的位置的位移。结果，抑制了透过磁电转换部25的被测定磁场的分布的变化。抑制了被测定电流的检测精度的下降。

另外，应力缓和部34的表面30a与里面30b之间的长度(厚度)等于覆盖部31、第1露出部32以及第2露出部33各自的厚度。由此，不同于例如应力缓和部的厚度相比于覆盖部、露出部而言局部地较薄的结构，通过电流的通电而应力缓和部34局部发热的情况得以抑制。结果，抑制了导电母线30的寿命的降低。

(第4实施方式)

接着，基于图33～35说明第4实施方式。图33的(a)栏表示导电母线的俯视图。图33的(b)栏表示导电母线的侧视图。图34的(a)栏表示搭载第1传感部21和第2传感部22各自的磁电转换部25的布线基板20与导电母线30的位置。图34的(b)栏表示布线基板20相对于导电母线30的位移。图34的(c)栏表示透过第1传感部21和第2传感部22各自的磁电转换部25的磁场。

＜差分消除＞

第1实施方式中，示出了第1传感部21和第2传感部22各自的磁电转换部25在y方向上排列的例子。相对于此，本实施方式中，如图33中虚线所示，第1传感部21和第2传感部22各自的磁电转换部25在x方向上排列。第1传感部21的磁电转换部25相当于第1磁电转换部。第2传感部22的磁电转换部25相当于第2磁电转换部。

2个磁电转换部25隔着对称轴AS对称配置。2个磁电转换部25的y方向的位置与对称轴AS(中心点CP)的y方向的位置相同。因而，2个磁电转换部25隔着中心点CP在x方向上排列。

此外，2个磁电转换部25与覆盖部31在z方向上的离开距离相同。并且，覆盖部31以及狭窄部31a隔着对称轴AS呈线对称的形状。由此，2个磁电转换部25中，透过z方向的成分不同但是x方向的成分相同的被测定磁场。因此，从2个磁电转换部25输出的电信号的绝对值相等。

如上述那样，覆盖部31被传感器壳体50的基部51覆盖。并且，搭载2个磁电转换部25的布线基板20搭载于形成于传感器壳体50的基板支承销56a。因而，布线基板20的z方向的位移被基板支承销56a限制。

但是，布线基板20经由基板粘接剂56e固定于基板粘接销56b。基板粘接剂56e根据环境温度的变化而发生膨张或蠕变等老化。因此，布线基板20有可能相对于覆盖部31在x方向和y方向上相对位移。

布线基板20在y方向上发生了位移的情况下，由于上述的2个磁电转换部25在x方向上的对称配置，透过两者的被测定磁场的x方向的成分不变化。但是，若如图34所示那样布线基板20在x方向上位移，则透过两者的被测定磁场的x方向的成分变化。结果，从2个磁电转换部25输出的电信号的绝对值变得不相等。

图34所示的虚线表示2个磁电转换部25相对于导电母线30的配置位置。单点划线表示穿过导电母线30的中心点CP的对称轴AS。双点划线表示2个磁电转换部25相对于导电母线30位移后的位置。空白箭头表示搭载2个磁电转换部25的布线基板20由于基板粘接剂56e而相对于导电母线30的位移方向。图34的(a)栏和(b)栏所示的实线箭头表示穿过磁电转换部25的磁场。图34的(c)栏所示的实线箭头表示透过磁电转换部25的磁场的变化方向。

但是，如上述那样，2个磁电转换部25都被搭载于布线基板20。因此，即使如上述那样由于基板粘接剂56e的变形而布线基板20与覆盖部31的x方向的相对位置变化，搭载于布线基板20的2个磁电转换部25的相对距离也不变化。因而，在由于基板粘接剂56e的变形而布线基板20与覆盖部31的相对位置在x方向上变化了的情况下，2个磁电转换部25的一方向对称轴AS靠近，另一方从对称轴AS远离。该远近距离是相等的。图34的(b)栏中将该远近距离用Δ表示。

因此，如图34的(c)栏所示，透过2个磁电转换部25的一方的被测定磁场减少，透过另一方的被测定磁场增大。可以期待透过2个磁电转换部25的被测定磁场的减少量和增大量相等。图34的(b)栏中将该被测定磁场的变化量表示为ΔB。

因此，在本实施方式中，使2个磁电转换部25输出的电信号的极性翻转。这样将极性翻转通过例如图35所示那样使第1磁阻效应元件25a和第2磁阻效应元件25b的配置在2个磁电转换部25中反转而实现。或者，更简单地，通过使图7所示的差动放大器25c的反相输入端子和非反相输入端子在第1传感部21和第2传感部22中反转，从而能够使2个电信号的极性翻转。

由此，从2个磁电转换部25，输出增大量和减少量的绝对值相等并且极性不同的电信号。向电池ECU801，输入在第1电流传感器11中生成的2个电信号。向MGECU802，输入在第2电流传感器12以及第3电流传感器13中分别生成的2个电信号。

电池ECU801和MGECU802取2个电信号的差分。在无位移的情况下，若将从2个磁电转换部25输出的电信号的绝对值设为B、将基于位移的电信号的变化量的绝对值设为ΔB，则该差分处理能够表示为B+ΔB－(－(B－ΔB))＝2B。或者，能够表示为B－ΔB－(－(B+ΔB))＝2B。正相当于第1极性和第2极性的一方，负相当于第1极性和第2极性的另一方。

通过这样进行差分处理，上述的基板粘接剂56e的变形所引起的布线基板20与覆盖部31的相对位置的变化导致的电信号的减少和增大被消除。电池ECU801和MGECU802相当于差分部。

另外，例如也能够采用如图36所示那样将取2个磁电转换部25的输出的差分的差分电路29搭载于布线基板20的结构。将差分电路29的反相输入端子和非反相输入端子与第1输出布线20d和第2输出布线20e连接。该情况下，差分电路29相当于差分部。

上述的布线基板20与覆盖部31的x方向的相对位置的变化不仅由上述的基板粘接剂56e的变形引起，而且还由例如作用于车辆的外部应力及引擎600等的驱动导致的振动引起。但是，即使由此发生了布线基板20与覆盖部31的x方向的相对位置变化，也如上述那样取从2个磁电转换部25输出的2个电信号的差分。这样，布线基板20与覆盖部31的相对位置的变化导致的电信号的减少和增大被消除。由此，抑制了被测定磁场的检测精度降低。

(第5实施方式)

接着，基于图37及图38说明第5实施方式。

＜磁导率的各向异性＞

第1实施方式中，示出了通过将由软磁性材料构成的多个平板进行压接来分别制造第1屏蔽部41和第2屏蔽部42的例子。相对于此，本实施方式中，通过轧制电磁刚来分别制造第1屏蔽部41和第2屏蔽部42。

如第1实施方式中说明的那样，通过确定电磁钢的轧制方向，能够使屏蔽部的磁导率具有各向异性。本实施方式中，使第1屏蔽部41和第2屏蔽部42的轧制方向沿着z方向。由此，使第1屏蔽部41和第2屏蔽部42的磁导率具有各向异性。另外，第1屏蔽部41和第2屏蔽部42的制造方法不限于上述例子，也可以使用磁导率原本具有各向异性的材料来制造。此外，也可以使第1屏蔽部41和第2屏蔽部42的一方具有磁导率的各向异性。

如图37所示，在第2电流传感器12以及第3电流传感器13的各自中，独立传感器71在x方向上排列配置。成为独立传感器71各自的第1屏蔽部41和第2屏蔽部42在x方向上交替排列的结构。该结构下，独立传感器71具有的磁电转换部25的磁场的感测方向成为z方向和y方向。另外，该结构下，还能够采用将在x方向上排列的2个独立传感器71中的一方具有的第1屏蔽部41和另一方具有的第2屏蔽部42综合为1个的结构。

这样，在多个独立传感器71在x方向上排列的结构下，从某个独立传感器71的导电母线30发生的被测定磁场对于其他独立传感器71而言成为外部噪声。该外部噪声以导电母线30为中心，在由x方向和z方向规定的平面中形成为环状。因而，外部噪声具有沿x方向和z方向的成分。这样，成为沿x方向和z方向的外部噪声容易透过独立传感器71的环境。

图37中示出了2个独立传感器71。这2个独立传感器71中的导电母线30中，在圆圈中标记叉号的方向上流过被测定电流。从这里产生被测定磁场。对于相邻的独立传感器71而言，从该在圆圈中标记叉号的导电母线30产生的被测定磁场成为电磁噪声。图37中用箭头表示磁场。

如上述那样，第1屏蔽部41和第2屏蔽部42分别在z方向上具有各向异性。因而，外部噪声的沿z方向的成分将要向第1屏蔽部41和第2屏蔽部42分别侵入。相对于此，外部噪声的沿x方向的成分不再依赖于第1屏蔽部41和第2屏蔽部42的各向异性。因此，该沿x方向的成分将要透过磁电转换部25。

例如在图37中用虚线箭头所示的磁场将要通过磁电转换部25的情况下，该磁场的沿z方向的成分将要分别积极地通过第1屏蔽部41和第2屏蔽部42。但是该磁场的x方向的成分少量残留。因此该磁场的x方向的成分将要透过磁电转换部25。

相对于此，磁电转换部25的被测定磁场的感测方向是z方向和y方向。磁电转换部25不感测x方向的磁场。因而，即使上述的电磁噪声的x方向的成分透过了磁电转换部25，被测定磁场的检测精度因此降低的情况也被抑制。

独立传感器71的排列结构不限于上述例子。例如，如图38所示，也可以考虑独立传感器71在x方向上排列配置的结构。该结构下，独立传感器71的第1屏蔽部41彼此、第2屏蔽部42彼此以及磁电转换部25彼此在x方向上排列。独立传感器71具有的磁电转换部25的磁场的感测方向成为x方向和y方向。该结构下，还能够采用将在x方向上排列的多个独立传感器71各自具有的第1屏蔽部41综合为1个的结构。同样地，还能够采用将多个独立传感器71各自具有的第2屏蔽部42综合为1个的结构。

图38中也示出了2个独立传感器71。2个独立传感器71中的导电母线30中，在圆圈中标记叉号的方向上流过被测定电流。图38中也用箭头表示磁场。磁场具有沿x方向和z方向的成分。因此，成为沿x方向和z方向的外部噪声容易透过独立传感器71的环境。

该结构下，与y方向相比，在x方向上提高了第1屏蔽部41和第2屏蔽部42的磁导率。因而，外部噪声的沿x方向的成分将要向第1屏蔽部41和第2屏蔽部42分别侵入。相对于此，外部噪声的沿z方向的成分不再依赖于第1屏蔽部41和第2屏蔽部42的各向异性。因此该沿z方向的成分将要透过磁电转换部25。

例如，在图38中虚线箭头所示的磁场将要通过磁电转换部25的情况下，该磁场的沿x方向的成分将要积极地分别通过第1屏蔽部41和第2屏蔽部42。但是该磁场的z方向的成分少量残留。因此该磁场的z方向的成分将要透过磁电转换部25。

相对于此，磁电转换部25的被测定磁场的感测方向是x方向和y方向。磁电转换部25不感测z方向的磁场。因而即使上述的电磁噪声的z方向的成分透过了磁电转换部25，被测定磁场的检测精度因此降低的情况也被抑制。

以上，对本公开的优选实施方式进行了说明，但本公开不限于上述实施方式，在不脱离本公开的主旨的范围内，能够进行各种变形而实施。

(第一变形例)

第1实施方式中示出了在第1屏蔽部41的四角形成有缺口41c的例子。由此示出了第1屏蔽部41的第1两端部41e相比于第1中央部41d而言x方向的长度较短的例子。并且，示出了在第2屏蔽部42形成有延伸设置部42c的例子。

相对于此，如图39所示，还能够采用在第1屏蔽部41和第2屏蔽部42各自的四角形成有缺口41c的结构。由此，第2两端部42e相比于第2中央部42d而言x方向的长度较短。如图39的(b)栏所示，搭载于布线基板20的第1传感部21以及第2传感部22的磁电转换部25位于第1中央部41d与第2中央部42d之间。图39的(a)栏是用于说明屏蔽部、磁电转换部以及导电母线的配置的立体图。图39的(b)栏是用于说明屏蔽部、磁电转换部以及导电母线的配置的侧视图。

此外，也可以如图40的(a)栏所示，在第2屏蔽部42不形成延伸设置部42c以及缺口41c。还能够如图40的(b)栏所示，采用在第1屏蔽部41的四角中的2个形成有缺口41c的结构。另外在图40的(b)栏中2个缺口41c在x方向上排列。图40的(a)栏以及(b)栏分别是用于说明屏蔽部、磁电转换部以及导电母线的配置的立体图。如以上所示，第1屏蔽部41的第1两端部41e相比于第1中央部41d而言x方向的长度较短即可，缺口41c的形成位置不特别限定。

(第二变形例)

第1实施方式中示出了综合壳体73具有底壁77和周壁78、在由它们构成的容纳空间中容纳多个独立传感器71的例子。但是也可以如图41～图43所示，综合壳体73不具有周壁78。该情况下，独立传感器71相对于底壁77旋转90°而设置。由此，独立传感器71的导电母线30的表面30a和里面30b分别在z方向上面对。第1屏蔽部41的一面41a和里面41b分别在z方向上面对。同样地，第2屏蔽部42的一面42a和里面42b分别也在z方向上面对。独立传感器71的磁电转换部25的感测方向成为x方向和y方向。

由此，如图38所示，成为多个独立传感器71各自的第1屏蔽部41在x方向上排列的结构。成为多个独立传感器71各自的第2屏蔽部42在x方向上排列的结构。成为多个独立传感器71各自的磁电转换部25在x方向上排列的结构。

另外，图42的(a)栏示出了第2电流传感器的俯视图。图42的(b)栏示出了第2电流传感器的主视图。图42的(c)栏示出了第2电流传感器的仰视图。图43的(a)栏示出了第2电流传感器的侧视图。图43的(b)栏示出了第2电流传感器的主视图。图42的(b)栏和图43的(b)栏示出了同一附图。

本变形例中，在端子台80形成有与独立传感器71数量相同的沿z方向的螺栓孔。在独立传感器71的第2露出部33形成有螺栓孔30c。螺栓在该端子台80的螺栓孔和第2露出部33的螺栓孔30c、以及形成于线材的端子的螺栓孔中穿通。并且，将螺母紧固于该螺栓的前端。从螺栓的轴部的前端朝向头部将螺母紧固于螺栓。由螺栓的头部和端子台80将第2露出部33和线材的端子夹持。由此，第2露出部33和线材的端子接触，两者电连接及机械连接。

(第三变形例)

如第1实施方式所示，在第1电流传感器11的传感器壳体50形成有肋52a。同样地，如图44所示也可以在独立传感器71的传感器壳体50形成肋52a。并且，也可以在综合壳体73的底壁77形成将独立传感器71向布线壳72插入时的引导部72a。引导部72a构成具有与肋52a相似形状的中空的槽。引导部72a在z方向上开口。经由该开口，使肋52a通过引导部72a的中空。由此，独立传感器71向综合壳体73的组装变得容易。另外，在图44所示的变形例中，在底壁77形成有用于设置独立传感器71中的连接端子60的前端突出的端部的槽77c。

(第四变形例)

如图45的(a)栏示意性所示那样，各实施方式中示出了对马达的U相定子绕组和V相定子绕组设置独立传感器71的例子。示出了这些独立传感器71具有第1传感部21和第2传感部22的例子。

但是，也能够如图45的(b)栏示意性所示那样，采用对马达的U相定子绕组、V相定子绕组以及W相定子绕组分别设置有独立传感器71的结构。这些独立传感器71能够采用仅具有第1传感部21的结构。

如上述那样，能够基于流过3相的定子绕组中的2个的电流来检测剩余1个的电流。因而，能够基于设于3相的定子绕组的3个独立传感器71的第1传感部21中的2个的输出来检测剩余1个的定子绕组的电流。此外，能够通过设于该剩余1个定子绕组的独立传感器71的第1传感部21，来检测剩余1个定子绕组的电流。通过比较这2个所检测的电流，能够判断是否某一方发生了异常。

(其他变形例)

各实施方式中，示出了对于构成混合动力系统的车载系统100应用电流传感器的例子。但是，应用电流传感器的车载系统不限于上述例子。例如电流传感器也可以应用于电动汽车、燃油汽车的车载系统。电流传感器所应用的系统没有特别限定。

本公开依据实施例进行了记载，但应理解的是本公开不限于该实施例及构造。本公开还包括各种各样的变形例及均等范围内的变形。此外，各种各样的组合及形态、进而在它们中仅包含一要素、其以上或其以下的其他组合及形态也落入本公开的范畴及思想范围。

Claims (6)

1.一种电流传感器，其特征在于，

具备：

导电部件(30)，流动被测定电流；

磁电转换部(25)，将由于上述被测定电流的流动而产生的被测定磁场转换为电信号；以及

屏蔽部(40)，抑制向上述磁电转换部的电磁噪声的输入；

上述屏蔽部包括各自的一面(41a、42a)彼此分离地对置的板状的第1屏蔽部(41)和第2屏蔽部(42)；

上述导电部件的一部分和上述磁电转换部位于上述第1屏蔽部的上述一面(41a)与上述第2屏蔽部的上述一面(42a)之间；

上述导电部件的位于上述第1屏蔽部与上述第2屏蔽部之间的部位(31)在沿着上述第2屏蔽部的上述一面的延长方向上延伸；

上述第2屏蔽部具有在与上述延长方向正交的横向上排列的2个端边(42f)；

在上述端边，形成有在上述延长方向上分离地排列且朝向上述第1屏蔽部延伸的多个延伸设置部(42c)；

上述磁电转换部位于在上述延长方向上分离地排列的多个上述延伸设置部之间。

2.如权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，

上述延伸设置部形成在2个上述端边中的至少一方的上述延长方向的两端(42e)侧，在上述延长方向上分离地排列。

3.如权利要求2所述的电流传感器，其特征在于，

上述延伸设置部不仅形成在上述端边的上述两端侧而且还形成在上述两端侧之间；

上述延伸设置部的在上述端边的两端侧之间形成的部位相比于在上述端边的两端侧形成的部位而言，朝向上述第1屏蔽部的长度较短。

4.如权利要求1～3中任一项所述的电流传感器，其特征在于，

上述第1屏蔽部具有在上述横向上排列的2个对置边(41f)；

在上述对置边，形成有在上述延长方向上分离地排列且朝向上述第2屏蔽部延伸的多个延长部(42c)；

上述磁电转换部位于在上述延长方向上分离地排列的多个上述延长部之间。

5.如权利要求4所述的电流传感器，其特征在于，

上述延长部形成在2个上述对置边中的至少一方的上述延长方向的两端(41e)侧，在上述延长方向上分离地排列。

6.如权利要求5所述的电流传感器，其特征在于，

上述延长部不仅形成在上述对置边的上述两端侧而且还形成在上述两端侧之间；

上述延长部的形成在上述对置边的两端侧之间的部位相比于形成在上述对置边的两端侧的部位而言，朝向上述第2屏蔽部的长度较短。

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