JP6019373B2 - 電流センサ - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1実施形態の電流センサ101を説明する斜視図である。図2は、本発明の第1実施形態の電流センサ101を説明する分解斜視図である。図3は、本発明の第1実施形態の電流センサ101を説明する図であって、図1に示すZ1方向から見た平面図である。図4は、本発明の第1実施形態の電流センサ101を説明する図であって、図4Aは、図1に示すX1方向から見た側面図であり、図4Bは、図3に示すIV−IV線における断面図である。図5は、本発明の第1実施形態の電流センサを説明する側面模式図である。
図6は、本発明の第2実施形態の電流センサ102を説明する斜視図である。図7は、本発明の第2実施形態の電流センサ102を説明する分解斜視図である。図8は、本発明の第2実施形態の電流センサ102を説明する図であって、図6に示すZ1方向から見た平面図である。図9は、本発明の第2実施形態の電流センサ102を説明する図であって、図9Aは、図6に示すX1方向から見た側面図であり、図9Bは、図8に示すIX−IX線における断面図である。図10は、本発明の第2実施形態の電流センサ102を説明する模式図であって、図9Aに示すQ部分の拡大側面図である。また、第2実施形態の電流センサ102は、第1実施形態に対し、電流路22の構成が主に異なる。なお、第1実施形態と同一構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
図11は、本発明の第1実施形態の電流センサ101の変形例を説明する模式図であって、図5と比較した変形例1の電流センサC101の側面図である。上記第1実施形態では、磁気センサパッケージ14を片面のプリント配線板(絶縁基板19)の一方面側に配設した構成にしたが、図11に示すように、両面のプリント配線板(絶縁基板C19)を用い、磁気センサパッケージC14(磁電変換素子C13)を磁電変換素子13a、13bが実装されている面と反対側の面にも配設し、しかも絶縁基板C19と電流路12が曲げられた部分との間に設けるように構成しても良い。これにより、磁気センサパッケージC14内で下方(図11に示すZ2方向)側に寄ってパッケージングされている磁電変換素子C13を、より一層、電流路12に近づけることができる。例えば図11に示す磁電変換素子13(13a、13b)より、少なくても絶縁基板C19の厚み分を近づけることができる。このことにより、電流路12に流れる被測定電流が更に微弱の場合であっても、磁電変換素子C13で検出することができ、各種の電流仕様を有した製品に対応して、感度範囲をより一層多く変えることができる。
上記第実施形態では、磁電変換素子13hが直線状の傾斜部22sの法線方向に設けるように構成にしたが、傾斜部C22sを曲面状に形成し、曲面の接線に垂直な方向に磁電変換素子C23を設けるように構成しても良い。
上記実施形態では、磁電変換素子13としてGMR素子を好適に用いたが、磁気を検知できる磁気検出素子であれば良く、MR(Magneto Resistive)素子、AMR(Anisotropic Magneto Resistive)素子、TMR(Tunnel Magneto Resistive)素子、ホール素子等であっても良い。但し、ホール素子等の場合は、GMR素子やMR素子の感度軸と異なるので、使用するホール素子の感度軸に合わせて、パッケージングに工夫が必要である。
12a、12b 腕部
12f、12f1、12f2、12f3、12f4、12f5、12f6 平坦部
22f、22f1 平坦部
12s、22s、C22s 傾斜部
13、13a、13b、13c、13d、13e、13f 磁電変換素子
13g、13h、C13、C23 磁電変換素子
19、29、C19 絶縁基板
101、102、C101 電流センサ
Claims (6)
- 被測定電流が流れる金属製の電流路と、前記電流路と対向して配設された絶縁基板と、前記絶縁基板上に配設され前記電流路に前記被測定電流が流れたときに発生する磁気を検出する磁電変換素子と、を備えた電流センサにおいて、
前記絶縁基板は、平坦であり、
前記磁電変換素子は、前記絶縁基板の一方の面に配設され、
前記電流路は、前記絶縁基板の他方の面に接触した2つの平坦な基部を有し、前記2つの基部の間の部分が前記絶縁基板から離れる方向に曲がっている
ことを特徴とする電流センサ。 - 前記電流路は、前記2つの基部の間において前記絶縁基板から離れる方向に曲がった部分が、平坦部と傾斜部との組み合わせで形成され、前記平坦部と前記傾斜部とが鈍角を成して折れ曲がっており、
前記磁電変換素子は、前記平坦部又は前記基部に対応する前記絶縁基板の位置に設けられる
ことを特徴とする請求項1に記載の電流センサ。 - 前記電流路は、前記2つの基部の間において前記絶縁基板から離れる方向に曲がった部分が、
前記2つの基部における一方の基部に対して鈍角を成して折れ曲がった第1の傾斜部と、
前記第1の傾斜部に対して鈍角を成して折れ曲がった第1の平坦部と、
前記第1の平坦部に対して鈍角を成して折れ曲がった第2の傾斜部と、
前記第2の傾斜部に対して鈍角を成して折れ曲がった第2の平坦部と、
前記第2の平坦部に対して鈍角を成して折れ曲がった第3の傾斜部と
の組み合わせで形成されており、
前記第3の傾斜部は、前記2つの基部における他方の基部に対して鈍角を成して折れ曲がり、
前記第1の平坦部と前記第2の平坦部は、前記絶縁基板の前記他方の面からの距離が異なる
ことを特徴とする請求項2に記載の電流センサ。 - 前記電流路は、一方が開放された2つの腕部を有するU字形状であり、
前記磁電変換素子は、前記腕部のそれぞれに対応したそれぞれの位置である前記絶縁基板に、それぞれ1箇所以上設けられ、
前記絶縁基板と前記電流路との距離が等しい前記絶縁基板の位置に、該磁電変換素子が設けられる
ことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の電流センサ。 - 前記磁電変換素子は、前記傾斜部の法線方向以外に設けられる
ことを特徴とする請求項2または請求項3に記載の電流センサ。 - 前記磁電変換素子は、前記傾斜部の法線方向に設けられる
ことを特徴とする請求項2に記載の電流センサ。
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