CN110226094B - 电流传感器 - Google Patents

Abstract

多个单元群(140)中的每个单元群(140)包括在第2方向上排列的1个以上的测定单元(141)。都一体成形于第1对置部(111)的电流通路(150)与第1磁屏蔽(160)位于相隔第1距离的位置，在全部的单元群(140)中，全部的第1距离大致相同。电流通路(150)与一体成形于第2对置部(116)的电磁变换元件(155)位于相隔第2距离的位置，在通用的单元群(140)中包括的全部的测定单元(141)中，第2距离大致相同。按每个单元群(140)，第2距离不同，第1方向上的第1对置部(111)的厚度大致一定，第1方向上的第2对置部(116)的厚度大致一定。

Description

电流传感器

技术领域

本发明涉及电流传感器。

背景技术

以往，已知有如下电流传感器，该电磁传感器具备供电流流通的电流通路、测定在电流通路流通的电流的电磁变换元件及用夹着电流通路和电磁变换元件的磁性体制作的磁屏蔽。并且，已知有如例如专利文献1、专利文献2及专利文献3所公开那样、电流通路和磁屏蔽一体成形于壳体的电流传感器。

另外，在混合动力车、电动汽车中，在发动机室内，需要设置驱动用马达的变换器用的电流传感器、及制动用发电机的变换器用的电流传感器。在用途不同的情况下，存在测定对象的电流的大小不同的情况。以往，大电流用的电流传感器和小电流用的传感器分别准备。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016－1168号

专利文献2：日本特开2016－173306号

专利文献3：国际公开第2016/190087号

发明内容

发明解决的课题

但是，在发动机室等的有限的空间中配置测定对象的电流的大小不同的多个电流传感器时，有无法有效地活用空间的不良。另外，在考虑构成要素中包括电流通路、电磁变换元件及1个以上的磁屏蔽的测定单元时，根据测定对象的电流是大电流还是小电流，按每个测定单元，构成要素的相互的位置关系不同，因此无法简单地一体化，即使一体化，制造也是困难的。

本发明是鉴于上述情况而做出的，其目的在于，提供即使在对感应磁场进行测定的多个测定单元的构成要素的位置关系不是一定的情况下，也能够一体且容易地制造多个测定单元的电流传感器。

用于解决课题的手段

本发明为一种电流传感器，具备：包括第1对置部的树脂制的第1壳体；包括第2对置部的树脂制的第2壳体；基板，搭载于第1壳体和第2壳体中的至少一方；多个单元群，搭载于第1壳体和第2壳体，用于测定感应磁场，第1对置部与第2对置部，位于在第1方向上对置的位置，多个单元群在与第1方向交叉的第2方向上排列，多个单元群的每个单元群包括在第2方向上排列的1个以上的测定单元，1个以上的测定单元的每个测定单元包括：一体成形于第1对置部的第1磁屏蔽；一体成形于第2对置部的第2磁屏蔽；电流通路，在第1磁屏蔽与第2磁屏蔽之间一体成形于第1对置部；以及电磁变换元件，测定由电流通路中流通的电流产生的感应磁场，电磁变换元件在第1方向上在电流通路与第2磁屏蔽之间搭载于基板，通用的测定单元中包括的电流通路与第1磁屏蔽，位于在第1方向上相隔第1距离的位置，在全部的单元群中，全部的第1距离大致相同，通用的测定单元中包括的电流通路与电磁变换元件，位于在第1方向上相隔第2距离的位置，在通用的单元群中包括的全部的测定单元中，第2距离大致相同，按每个单元群，第2距离不同，第1方向上的第1对置部的厚度大致一定，第1方向上的第2对置部的厚度大致一定。

根据该构成，易于进行树脂成形。在第2距离按每个单元群而不同的构造中，第1对置部的厚度、第2对置部的厚度及第1距离，分别大致一定，所以在制造时，在型内，树脂易于流动。其结果，能够提供即使在对感应电流进行测定的多个测定单元的构成要素的位置关系并不是一定的情况下，也能够一体且容易地制造多个测定单元的电流传感器。

优选的是，在本发明的电流传感器中，通用的测定单元中包括的电磁变换元件与第2磁屏蔽，位于在第1方向上相隔第3距离的位置，在全部的测定单元中，第3距离比第2距离短，在全部的测定单元中，第3距离大致相同。

根据该构成，与其他的配置相比，能够提高测定精度。

全部的第2磁屏蔽位于大致相同的平面上，全部的电磁变换元件搭载于1枚大致平面状的基板，第1对置部包括相互一体成形的多个第1子对置部，多个第1子对置部的每个第1子对置部为大致平板状，多个第1子对置部处于相互在第1方向上偏移了的位置，多个第1子对置部分别对应于不同的1个单元群，多个单元群的每个单元群中包括的电流通路与第1磁屏蔽，位于对应的第1子对置部。

根据该构成，全部的第2磁屏蔽位于大致相同的平面上，全部的电磁变换元件搭载于1枚大致平面状的基板，所以能够容易地制造第2壳体和基板。进而，第1对置部包括相互一体成形的多个第1子对置部，多个第1子对置部的每个第1子对置部为大致平板状，多个第1子对置部处于相互在第1方向上偏移了的位置，多个第1子对置部分别对应于不同的1个单元群，多个单元群的每个单元群中包括的电流通路与第1磁屏蔽位于对应的第1子对置部，所以能够容易地制造第1壳体。

优选的是，在本发明的电流传感器中，多个单元群中的1个单元群是大电流单元群，多个单元群中的其他1个单元群，是对由比大电流单元群小的电流产生的感应磁场进行测定的小电流单元群，大电流单元群与小电流单元群相邻，全部的第1磁屏蔽包括沿着将第2方向包含在内的平面扩展的板状部，大电流单元群中包括的全部的板状部沿着大致相同的平面扩展，小电流单元群中包括的全部的板状部沿着大致相同的平面扩展，通用的测定单元中包括的电流通路与第2磁屏蔽位于在第1方向上相隔第4距离的位置，大电流单元群中的第4距离比小电流单元群中的第4距离大，通用的测定单元中包括的第1磁屏蔽与第2磁屏蔽位于在第1方向上相隔第5距离的位置，大电流单元群中的第5距离比小电流单元群中的第5距离大，大电流单元群中包括的板状部具有在第2方向上与小电流单元群较近的第1边缘部、及在第2方向上与小电流单元群较远的第2边缘部，大电流单元群中包括的全部的第1磁屏蔽中的、包括与小电流单元群最近的第1磁屏蔽在内的1个以上的第1磁屏蔽，包括从第1边缘部朝向第2对置部延伸的第1大电流突起。

根据该构成，能够防止从大电流单元群朝向小电流单元群的感应磁场的非期望的扩散。

若具体地进行说明，在第1方向上观看在大电流单元群内与小电流单元群最近的第1磁屏蔽、及在小电流单元群内与大电流单元群最近的第1磁屏蔽时，大电流单元群的第1磁屏蔽，与小电流单元群的第1磁屏蔽相比，位于与第2对置部更远离的位置。因此，在没有第1大电流突起的情况下，从大电流单元群的第1磁屏蔽中的板状部的小电流单元群侧的边缘部起，感应磁场的大半向小电流单元群的第1磁屏蔽扩散。其结果，在没有第1大电流突起的情况下，在大电流单元群内与小电流单元群最近的测定单元的灵敏度下降。在有第1大电流突起的情况下，感应磁场的大半，从大电流单元群的第1磁屏蔽中的板状部的小电流单元群侧的边缘部起，经由第1大电流突起，趋向第2对置部。其结果，能够防止从大电流单元群朝向小电流单元群的感应磁场的非期望的扩散。

优选的是，在本发明的电流传感器中，第1方向上的第1大电流突起的第2对置部侧的前端部、与小电流单元群的第1磁屏蔽中的板状部的第2对置部侧的一面，位于与第1方向正交的大致相同的平面上。

根据该构成，能够将从大电流单元群朝向小电流单元群的感应磁场的扩散、及从小电流单元群朝向大电流单元群的感应磁场的扩散保持为最小限度，能够使和大电流单元群与小电流单元群的边界相邻的测定单元中的灵敏度，与其他的测定单元中的灵敏度同等。

优选的是，在本发明的电流传感器中，大电流单元群中包括的全部的第1磁屏蔽的形状大致相同。

根据该构成，将大电流单元群中包括的测定单元间的灵敏度差予以抑制的设计变得容易。另外，使部件通用化，能够抑制制造管理成本。

优选的是，在本发明的电流传感器中，包括第1大电流突起的1个以上的第1磁屏蔽中的每个第1磁屏蔽，具有从第2边缘部朝向第2对置部延伸的第2大电流突起。

根据该构成，在制造时利用第1大电流突起和第2大电流突起这两方，易于使第1磁屏蔽的朝向对齐，能够简化制造装置的部件供给部分的构造。

优选的是，在本发明的电流传感器中，多个单元群中的1个单元群是大电流单元群，多个单元群中的其他1个单元群是小电流单元群，大电流单元群与小电流单元群相邻，全部的第1磁屏蔽包括沿着将第2方向包含在内的平面扩展的板状部，大电流单元群中包括的全部的板状部沿着大致相同的平面扩展，小电流单元群中包括的全部的板状部沿着大致相同的平面扩展，通用的测定单元中包括的电流通路与第2磁屏蔽位于在第1方向上相隔第4距离的位置，大电流单元群中的第4距离比小电流单元群中的第4距离大，通用的测定单元中包括的第1磁屏蔽与第2磁屏蔽位于在第1方向上相隔第5距离的位置，大电流单元群中的第5距离比小电流单元群中的第5距离大，小电流单元群中包括的板状部具有在第2方向上与大电流单元群较近的第1边缘部、及在第2方向上与大电流单元群较远的第2边缘部，小电流单元群中包括的全部的第1磁屏蔽中的、包括与大电流单元群最近的第1磁屏蔽在内的1个以上的第1磁屏蔽，具有从第1边缘部朝向第2对置部延伸的第1小电流突起。

根据该构成，能够防止从大电流单元群朝向小电流单元群的感应磁场的非期望的扩散。

若具体地进行说明，在第1方向上观看在大电流单元群内与小电流单元群最近的第1磁屏蔽、及在小电流单元群内与大电流单元群最近的第1磁屏蔽时，大电流单元群的第1磁屏蔽，与小电流单元群的第1磁屏蔽相比，位于与第2对置部更远离的位置。因此，在没有第1小电流突起的情况下，从大电流单元群的第1磁屏蔽中的板状部的小电流单元群侧的边缘部起，感应磁场的大半向小电流单元群扩散。其结果，在没有第1小电流突起的情况下，在大电流单元群内与小电流单元群最近的测定单元的灵敏度下降。在有第1小电流突起的情况下，从大电流单元群的第1磁屏蔽的小电流单元群侧的边缘部起，向小电流单元群的第1磁屏蔽扩散的感应磁场的大半，经由第1小电流突起，趋向第2对置部，变得易于返回大电流单元群侧。其结果，能够防止从大电流单元群朝向小电流单元群的感应磁场的非期望的扩散。

另外，在小电流单元群中作为测定对象的感应磁场也集中于第1小电流突起。但是，在小电流单元群中作为测定对象的感应磁场，无论第1小电流突起的有无，都集中于第1磁屏蔽的端部，因此小电流单元群中的灵敏度不易被第1小电流突起的有无所影响。但是，为了减小在小电流单元群中包括的测定单元间的灵敏度差，优选将第1方向上的第1小电流突起的突出量减小到第1距离程度。

在包括第1小电流突起的测定单元中，第1方向上的第1小电流突起的第2对置部侧的前端部与第1方向上的电流通路的中心相比，位于与第2对置部较远的位置，第1磁屏蔽与第1小电流突起形成钝角。

根据该构成，由设置第1小电流突起引起的小电流单元群中的灵敏度差的影响得到抑制。

优选的是，在本发明的电流传感器中，小电流单元群中包括的全部的第1磁屏蔽的形状大致相同。

根据该构成，将小电流单元群中包括的测定单元间的灵敏度差予以抑制的设计变得容易。另外，使部件通用化，能够抑制制造管理成本。

优选的是，在本发明的电流传感器中，包括第1小电流突起的1个以上的第1磁屏蔽中的每个第1磁屏蔽，具有从第2边缘部朝向第2对置部延伸的第2小电流突起。

根据该构成，在制造时利用第1小电流突起和第2小电流突起这两方，易于使第1磁屏蔽的朝向对齐，能够简化制造装置的部件供给部分的构造。

优选的是，在本发明的电流传感器中，全部的第1磁屏蔽的形状大致相同。

根据该构成，部件被通用化，能够抑制制造管理成本。

优选的是，在本发明的电流传感器中，多个单元群分别包括相同数量的测定单元，第2对置部包括大致相同形状的多个第2子对置部，基板包括大致相同形状的多个子基板，第2子对置部与子基板，对应于多个单元群的每个单元群，与相同的单元群对应的第2子对置部与子基板相互固定，各第2子对置部搭载对应的单元群中包括的全部的第2磁屏蔽，各子基板搭载对应的单元群中包括的全部的电磁变换元件。

根据该构成，在多个单元群间通用将第2子对置部与子基板组装而成的部件，使制造成本减少。

优选的是，在本发明的电流传感器中，全部的电流通路位于大致相同的平面上，全部的第1磁屏蔽位于大致相同的平面上。

根据该构成，第1对置部的形状被简化，易于进行树脂成形。

优选的是，在本发明的电流传感器中，全部的电流通路位于大致相同的平面上，全部的第1磁屏蔽位于大致相同的平面上，基板具有第1对置部侧的第1搭载面及第2对置部侧的第2搭载面，1个以上的单元群中包括的全部的电磁变换元件搭载于第1搭载面，其他的1个以上的单元群中包括的全部的电磁变换元件搭载于第2搭载面。

根据该构成，能够根据在制造时在第1搭载面和第2搭载面中的哪个搭载面搭载电磁变换元件，改变电磁变换元件与电流通路的距离，制造是容易的。

优选的是，在本发明的电流传感器中，全部的第2磁屏蔽位于大致相同的平面上。

根据该构成，全部的第2磁屏蔽位于大致相同的平面上，所以除了第1对置部以外，第2对置部也能够容易地制造。进而，能够根据在第1搭载面和第2搭载面中的哪个搭载面搭载电磁变换元件，来改变电磁变换元件与电流通路的距离，所以与在第1搭载面和第2搭载面中的某一方搭载电磁变换元件的情况下相比，能够防止在一部分的单元群中第2磁屏蔽与电磁变换元件的距离过近或者过远。其结果，容易达成各单元群所必要的灵敏度。

例如，在测定大电流的单元群中，通过将电磁变换元件向第2搭载面搭载，使电磁变换元件靠近第2磁屏蔽，从而尤为能够抑制灵敏度。另一方面，在测定小电流的单元群中，将电磁变换元件向第1搭载面搭载，从而能够使电磁变换元件远离第2磁屏蔽，能够提高灵敏度。

优选的是，在本发明的电流传感器中，多个单元群中的1个单元群是大电流单元群，多个单元群中的其他1个单元群是小电流单元群，通用的测定单元中包括的电流通路与第2磁屏蔽，位于在第1方向上相隔第4距离的位置，大电流单元群中的第4距离与小电流单元群中的第4距离不同。

根据该构成，在根据在第1搭载面和第2搭载面的哪个搭载面搭载电磁变换元件来改变电磁变换元件与电流通路的距离的情况下，通过进一步调节电磁变换元件与第2磁屏蔽的距离，能够简单地调节每个单元群的灵敏度。

优选的是，在本发明的电流传感器中，通用的测定单元中包括的电磁变换元件与第2磁屏蔽，位于在第1方向上相隔第3距离的位置，在全部的测定单元中，第3距离大致相同。

根据该构成，与其他的配置相比，能够提高测定精度。

优选的是，在本发明的电流传感器中，多个单元群中的1个单元群是大电流单元群，多个单元群中的其他1个单元群是小电流单元群，通用的测定单元中包括的第2磁屏蔽与电磁变换元件，位于在第1方向上相隔第3距离的位置，大电流单元群中的第3距离比小电流单元群中的第3距离小。

根据该构成，能够使小电流单元群中的灵敏度，比大电流单元群中的灵敏度高。

优选的是，在本发明的电流传感器中，多个单元群中的1个单元群是大电流单元群，多个单元群中的其他1个单元群是小电流单元群，通用的测定单元中包括的第2磁屏蔽与电磁变换元件，位于在第1方向上相隔第3距离的位置，大电流单元群中的第3距离比小电流单元群中的第3距离大。

根据该构成，能够使小电流单元群中的灵敏度，比大电流单元群中的灵敏度低。

发明的效果

根据本发明，即使在对感应磁场进行测定的多个测定单元的构成要素的位置关系不是一定的情况下，也能够一体且容易地制造多个测定单元。

附图说明

图1是第1实施方式的电流传感器的剖视图。

图2是第2实施方式的电流传感器的剖视图。

图3是用于说明从第2实施方式中的第3测定单元的电流通路产生的磁通的局部放大剖视图。

图4是用于说明从第2实施方式中的第4测定单元的电流通路产生的磁通的局部放大剖视图。

图5是用于说明从比较例中的第3测定单元的电流通路产生的磁通的局部放大剖视图。

图6是第3实施方式的电流传感器的剖视图。

图7是第4实施方式的电流传感器的剖视图。

图8是第4实施方式的电流传感器的局部放大剖视图。

图9是第5实施方式的电流传感器的剖视图。

图10是用于说明从第5实施方式中的第3测定单元的电流通路产生的磁通的局部放大剖视图。

图11是用于说明从第5实施方式中的第4测定单元的电流通路产生的磁通的局部放大剖视图。

图12是第6实施方式的电流传感器的剖视图。

图13是第7实施方式的电流传感器的剖视图。

图14是第7实施方式的电流传感器的局部放大剖视图。

图15是第8实施方式的电流传感器的剖视图。

图16是第9实施方式的电流传感器的剖视图。

图17是第10实施方式的电流传感器的剖视图。

图18是第11实施方式的电流传感器的剖视图。

图19是第12实施方式的电流传感器的剖视图。

图20是第13实施方式的电流传感器的剖视图。

具体实施方式

在本说明书中，规定互相正交的x方向、y方向及z方向。x方向是不将彼此朝向相反方向的x1方向和x2方向加以区别而进行表示。y方向是不将彼此朝向相反方向的y1方向和y2方向加以区别而进行表示。z方向是不将彼此朝向相反方向的z1方向和z2方向加以区别而进行表示。另外，存在将x1侧表现为左，并将x2侧表现为右的情况。存在将z1侧表现为上，并将z2侧表现为下的情况。这些方向是为了便于说明相对的位置关系而规定的，并不是限定实际的使用时的方向。关于构成要素的形状，无论有无“大致”这一记载，只要可实现本说明书中公开的实施方式的技术思想，不限定于基于所记载的表现的严密的几何学的形状。

(第1实施方式)

以下，对本发明的第1实施方式的电流传感器进行说明。图1是本实施方式的与zx平面平行的截面中的电流传感器100的剖视图。另外，y1方向是与图1所示的截面正交并朝向纸面近前的方向。y2方向是与图1所示的截面正交并贯穿纸面朝向里侧的方向。

(整体构成)

电流传感器100包括：树脂制的第1壳体110；树脂制的第2壳体115；搭载于第2壳体115的绝缘材料制的基板130；将基板130固定于第2壳体115的2个固定部件133；搭载于第1壳体110和第2壳体115并对感应磁场进行测定的大电流单元群140－1和小电流单元群140－2。

(第1壳体)

第1壳体110包括第1对置部111。第1对置部111包括相互一体成形的左第1子对置部112－1和右第1子对置部112－2(以下，存在不加以区别而称为第1子对置部112的情况)。2个第1子对置部112分别是具有与xy平面大致平行的2面并与xy平面大致平行地扩展的大致平板状。左第1子对置部112－1的x2侧端部与右第1子对置部112－2的x1侧端部相连。2个第1子对置部112处于彼此在z方向(也称为第1方向)上偏移了规定的偏移量的位置。

在2个第1子对置部112的每个第1子对置部112中，z方向的厚度，在任一位置都大致一定。即，作为第1对置部111整体，z方向上的厚度是大致一定的。在其他的例子中，第1对置部111可以包括2个以外的多个第1子对置部112。

第1壳体110还包括从第1对置部111的x1侧端部起向z1方向延伸的第1支承部113－1、及从第1对置部111的x2侧端部起向z1方向延伸的第2支承部113－2。第1壳体110随着图1所示的截面在y方向上遍及规定的长度地扩展。

(第2壳体)

第2壳体115包括第2对置部116。在本实施方式中，第2壳体115的整体为第2对置部116。在其他的例子中，第2壳体115中也可以包括其他的构成要素。第2对置部116是具有与xy平面大致平行的2面并与xy平面大致平行地扩展的大致平板状。z方向上的第2对置部116的厚度在任一位置都大致一定。

第2对置部116的x1侧端部被固定于第1支承部113－1的z1侧端部。第2对置部116的x2侧端部被固定于第2支承部113－2的z1侧端部。第1对置部111与第2对置部116，在z方向上局部地对置而存在。在第1对置部111与第2对置部116之间，存在空间。第2壳体115随着图1所示的截面在y方向上遍及规定的长度地扩展。

(基板和固定部件)

基板130在z方向上位于第1对置部111与第2对置部116之间。基板130在x方向上位于第1支承部113－1与第2支承部113－2之间。基板130通过多个固定部件133被固定于第2对置部116。基板130是与xy平面大致平行地扩展的大致平板状。基板130的z方向上的厚度大致一定。基板130具有第1对置部111侧的第1搭载面131、及第2对置部116侧的第2搭载面132。第1搭载面131与第2搭载面132，都与xy平面大致平行。

对基板130搭载感应磁场的测定所必要的各种的电路。在其他的例子中，基板130被固定于第2壳体115的其他的部分或者第1壳体110。即，基板130优选固定于第1壳体110和第2壳体115中的至少一方。基板130，随着图1所示的截面在y方向上遍及规定的长度地扩展。

(单元群)

大电流单元群140－1和小电流单元群140－2(以下，存在不加以区别而称为单元群140的情况)，在x方向(也称为第2方向)上相邻地排列。大电流单元群140－1与小电流单元群140－2相比，测定更大的电流。

在其他的例子中，电流传感器100可以包括3个以上的单元群140。在包括3个以上的单元群140的例子的电流传感器100中，相邻的单元群140中的、对相对较大的电流进行测定的单元群140对应于大电流单元群140－1，对相对较小的电流进行测定的单元群140对应于小电流单元群140－2。在其他的例子中，2个单元群140排列的方向可以是与z方向交叉的其他的方向。

2个第1子对置部112分别对应于不同的1个单元群140。即，左第1子对置部112－1对应于大电流单元群140－1。即，如后述那样，对相对较大的电流进行测定的构成要素位于左第1子对置部112－1。右第1子对置部112－2对应于小电流单元群140－2。即，如后述那样，对相对较小的电流进行测定的构成要素位于右第1子对置部112－2。

(测定单元)

大电流单元群140－1包括从x1侧向x2侧而排列的第1测定单元141－1～第3测定单元141－3。小电流单元群140－2包括从x1侧向x2侧而排列的第4测定单元141－4～第6测定单元141－6。以下，存在将第1测定单元141－1～第6测定单元141－6不加以区别而称为测定单元141的情况。

6个测定单元141分别包括：一体成形于第1对置部111的电流通路150、搭载于基板130的电磁变换元件155、及一体成形于第2对置部116的第2磁屏蔽170。进而，第1测定单元141－1～第6测定单元141－6分别依次地包括第1磁屏蔽160－1～第1磁屏蔽160－6(以下，存在不加以区别而称为第1磁屏蔽160的情况)。即，6个测定单元141分别包括一体成形于第1对置部111的第1磁屏蔽160。

在其他的例子中，多个单元群140中的每个单元群140可以包括2个以下或者4个以上的测定单元141。在本实施方式中，多个单元群140中分别包括相同数量的测定单元141，但在其他的例子中，多个单元群140中可以分别包括不同数量的测定单元141。

(电流通路)

电流通路150是金属制，在第1对置部111内一体成形。电流通路150的截面是具有与x方向平行的2边和与z方向平行的2边的大致长方形。电流通路150随着图1所示的截面在y方向上遍及规定的长度地扩展。电流通路150一直延伸到第1壳体110的外部为止，在y方向上流通从外部供给的电流。电流通路150在y方向上的规定的长度的范围内具有大致相同的形状。

2个单元群140的每个单元群140中包括的电流通路150，位于对应的第1子对置部112。

即，大电流单元群140－1中包括的3个电流通路150，位于左第1子对置部112－1内，在z方向上与左第1子对置部112－1的z1侧的面之间的距离大致一定，在z方向上与左第1子对置部112－1的z2侧的面之间的距离大致一定。大电流单元群140－1中包括的3个电流通路150，沿着与xy平面平行的大致相同的平面在x方向上等间隔地排列。

小电流单元群140－2中包括的3个电流通路150，位于右第1子对置部112－2内，在z方向上与右第1子对置部112－2的z1侧的面之间的距离大致一定，在z方向上与右第1子对置部112－2的z2侧的面之间的距离大致一定。小电流单元群140－2中包括的3个电流通路150，沿着与xy平面平行的大致相同的平面，在x方向上等间隔地排列。

6个电流通路150的x方向上的间隔大致相同。小电流单元群140－2中包括的3个电流通路150，与大电流单元群140－1中包括的3个电流通路150相比，向z1方向偏移。z方向上的电流通路150的偏移量，比z方向上的电流通路150的厚度小，并与第1子对置部112的规定的偏移量大致相同。

(电磁变换元件)

全部的电磁变换元件155被搭载于1枚大致平面状的基板130。电磁变换元件155搭载于基板130的第1搭载面131。电磁变换元件155是例如磁阻效应元件、霍尔元件。电磁变换元件155测定由在通用的测定单元141内的电流通路150中流通的电流产生的感应磁场。电磁变换元件155将x方向作为灵敏度方向。即，电磁变换元件155检测在电流通路150的周围产生的感应磁场中的、电磁变换元件155中的x方向成分。

(第1磁屏蔽)

第1磁屏蔽160用磁性体来制作，在第1对置部111内一体成形。第1磁屏蔽160的截面是具有与x方向平行的2边和与z方向平行的2边的大致长方形。第1磁屏蔽160随着图1所示的截面在y方向上遍及规定的长度地扩展。第1磁屏蔽160，作为整体，是具有与xy平面大致平行的2面、与yz平面大致平行的2面及与zx平面大致平行的2面的大致长方体。第1磁屏蔽160是沿着与z方向大致正交的平面而扩展的板状。全部的第1磁屏蔽160的形状大致相同。

2个单元群140的每个单元群140中包括的第1磁屏蔽160，位于对应的第1子对置部112。

即，大电流单元群140－1中包括的3个第1磁屏蔽160，位于左第1子对置部112－1内，与左第1子对置部112－1的z1侧的面之间的距离大致一定，与左第1子对置部112－1的z2侧的面之间的距离大致一定。大电流单元群140－1中包括的3个第1磁屏蔽160，沿着与xy平面平行的大致相同的平面而扩展，并在x方向上等间隔地排列。

小电流单元群140－2中包括的3个第1磁屏蔽160，位于右第1子对置部112－2内，与右第1子对置部112－2的z1侧的面之间的距离大致一定，与右第1子对置部112－2的z2侧的面之间的距离大致一定。小电流单元群140－2中包括的3个第1磁屏蔽160，沿着与xy平面平行的大致相同的平面而扩展，并在x方向上等间隔地排列。

6个第1磁屏蔽160的x方向上的间隔大致相同。小电流单元群140－2中包括的3个第1磁屏蔽160，与大电流单元群140－1中包括的3个第1磁屏蔽160相比向z1方向偏移。z方向上的第1磁屏蔽160的偏移量，与z方向上的第1磁屏蔽160的厚度大致相同，与第1子对置部112的规定的偏移量大致相同。第1子对置部112的规定的偏移量、第1磁屏蔽160的偏移量、电流通路150的偏移量，并不限于在本实施方式中举出的量。

(第2磁屏蔽)

第2磁屏蔽170用磁性体来制作，一体成形于第2对置部116内。第2磁屏蔽170的截面是具有与x方向平行的2边和与z方向平行的2边的大致长方形。第2磁屏蔽170随着图1所示的截面在y方向上遍及规定的长度地扩展。第2磁屏蔽170，作为整体，是具有与xy平面大致平行的2面、与yz平面大致平行的2面及与zx平面大致平行的2面的大致长方体。第2磁屏蔽170是沿着与z方向大致正交的平面而扩展的板状。全部的第2磁屏蔽170的形状大致相同。

6个第2磁屏蔽170，沿着与xy平面平行的大致相同的平面而扩展，并在x方向上等间隔地排列。第2磁屏蔽170，在z方向上位于第2对置部116的大致中央。第2磁屏蔽170具有与第1磁屏蔽160大致相同的形状。

(相互关系)

对各测定单元141的构成要素的相互关系进行说明。电流通路150位于第1磁屏蔽160与第2磁屏蔽170之间。电磁变换元件155，在电流通路150与第2磁屏蔽170之间搭载于基板130。

电流通路150、电磁变换元件155、第1磁屏蔽160及第2磁屏蔽170，在从z方向观看时位于重叠的位置。电流通路150、电磁变换元件155、第1磁屏蔽160及第2磁屏蔽170的x方向的中心大致位于与z方向平行的一直线上。第2磁屏蔽170处于将第1磁屏蔽160向z1方向平行移动后的位置。电磁变换元件155的x方向上的宽度，比电流通路150的x方向上的宽度小。第1磁屏蔽160和第2磁屏蔽170的x方向上的宽度，都比电流通路150的x方向上的宽度大。

电磁变换元件155、第1磁屏蔽160及第2磁屏蔽170的y方向的中心，大致位于与z方向平行的一直线上。第1磁屏蔽160和第2磁屏蔽170的y方向上的宽度，都比电磁变换元件155的y方向上的宽度大。电流通路150中的在y方向上直线状地延伸的区域，比电磁变换元件155的y方向的宽度长。

通用的测定单元141中包括的电流通路150与第1磁屏蔽160，在z方向上相隔第1距离而存在。在全部的单元群140中，全部的第1距离大致相同。即，大电流单元群140－1的第1距离与小电流单元群140－2的第1距离大致相同。

通用的测定单元141中包括的电流通路150与电磁变换元件155，在z方向上相隔第2距离而存在。在通用的单元群140中包括的全部的测定单元141中，第2距离大致相同。即，大电流单元群140－1内的全部的第2距离大致相同。小电流单元群140－2内的全部的第2距离大致相同。按每个单元群140，第2距离不同。具体而言，小电流单元群140－2的第2距离，比大电流单元群140－1的第2距离小。

通用的测定单元141中包括的电磁变换元件155与第2磁屏蔽170，在z方向上相隔第3距离而存在。在全部的测定单元141中，第3距离比第2距离短。在全部的测定单元141中，第3距离大致相同。

通用的测定单元141中包括的电流通路150与第2磁屏蔽170，位于在第1方向上相隔第4距离的位置。大电流单元群140－1中的第4距离，比小电流单元群140－2中的第4距离大。

通用的测定单元141中包括的第1磁屏蔽160与第2磁屏蔽170，位于在第1方向上相隔第5距离的位置。大电流单元群140－1中的第5距离，比小电流单元群140－2中的第5距离大。

全部的电磁变换元件155位于与xy平面大致平行的同一平面上。进而，小电流单元群140－2中包括的3个电流通路150，比大电流单元群140－1中包括的3个电流通路150更靠近电磁变换元件155。因此，在小电流单元群140－2中，能够高精度地测定比较小的电流。进而，与全部的电流通路150位于同一平面上的情况相比，第4测定单元141－4的电磁变换元件155，位于与第3测定单元141－3的电流通路150较远的位置。其结果，第4测定单元141－4的电磁变换元件155，不易受到来自第3测定单元141－3的电流通路150的噪声。

(总结)

根据本实施方式，具备：包括第1对置部111的树脂制的第1壳体110；包括第2对置部116的树脂制的第2壳体115；基板130，搭载于第1壳体110和第2壳体115中的至少一方；以及多个单元群140，搭载于第1壳体110和第2壳体115并对感应磁场进行测定，第1对置部111与第2对置部116，位于在第1方向上对置的位置，多个单元群140在与第1方向交叉的第2方向上排列，多个单元群140中的每个单元群140包括在第2方向上排列的1个以上的测定单元141，1个以上的测定单元141的每个测定单元141，包括：一体成形于第1对置部111的第1磁屏蔽160、一体成形于第2对置部116的第2磁屏蔽170、在第1磁屏蔽160与第2磁屏蔽170之间一体成形于第1对置部111的电流通路150、及测定由在电流通路150中流通的电流产生的感应磁场的电磁变换元件155，电磁变换元件155在第1方向上在电流通路150与第2磁屏蔽170之间搭载于基板130，通用的测定单元141中包括的电流通路150与第1磁屏蔽160位于在第1方向上相隔第1距离的位置，在全部的单元群140中，全部的第1距离大致相同，通用的测定单元141中包括的电流通路150与电磁变换元件155位于在第1方向上相隔第2距离的位置，在通用的单元群140中包括的全部的测定单元141中，第2距离大致相同，按每个单元群140，第2距离不同，第1方向上的第1对置部111的厚度大致一定，第1方向上的第2对置部116的厚度大致一定，所以易于进行树脂成形。在第2距离按每个单元群140而不同的构造中，第1对置部111的厚度、第2对置部116的厚度及第1距离分别大致一定，所以在制造时，在型内，树脂易于流动。其结果，能够提供即使在对感应磁场进行测定的多个测定单元141的构成要素的位置关系不是一定的情况下，也能够一体且容易地制造多个测定单元141的电流传感器100。

根据本实施方式，通用的测定单元141中包括的电磁变换元件155与第2磁屏蔽170，位于在第1方向上相隔第3距离的位置，在全部的测定单元141中，第3距离比第2距离短，在全部的测定单元141中，第3距离大致相同，所以与其他的配置相比，能够提高测定精度。

根据本实施方式，全部的第2磁屏蔽170位于大致相同的平面上，全部的电磁变换元件155搭载于1枚大致平面状的基板130，所以能够容易地制造第2壳体115和基板130。进而，第1对置部111包括相互一体成形的多个第1子对置部112，多个第1子对置部112的每个第1子对置部112，为大致平板状，多个第1子对置部112处于相互在第1方向上偏移了的位置，多个第1子对置部112分别对应于不同的1个单元群140，多个单元群140中的每个单元群140中包括的电流通路150与第1磁屏蔽160位于对应的第1子对置部112，所以能够容易地制造第1壳体110。

(第2实施方式)

接下来，对第2实施方式的电流传感器进行说明。图2是与zx平面平行的截面中的本实施方式的电流传感器200的剖视图。以下，以第1实施方式的电流传感器100(图1)与本实施方式的电流传感器200的不同点为中心进行说明。在图1所示的第1实施方式的电流传感器100中，各构成要素的百位以1来表示，在图2所示的本实施方式的电流传感器200中，各构成要素的百位以2来表示。只要未特别否定，仅百位不同的构成要素分别表示同样的构成要素。

第1测定单元241－1～第6测定单元241－6的各第1磁屏蔽260分别依次地包括板状部261－1～板状部261－6(以下，存在不加以区别而称为板状部261的情况)。板状部261，都与第1实施方式(图1)的第1磁屏蔽160为同一形状。即，全部的第1磁屏蔽260，包括沿着与z方向大致正交的平面而扩展的板状部261。大电流单元群240－1中包括的全部的板状部261沿着大致相同的平面扩展。小电流单元群240－2中包括的全部的板状部261沿着大致相同的平面扩展。

图3是图2所示的第3测定单元241－3和第4测定单元241－4的附近处的本实施方式的电流传感器200的局部放大剖视图。在图3中，将第1壳体210与第2壳体215省略。如图3所示那样，大电流单元群240－1中包括的第3测定单元241－3的板状部261－3，具有在x方向上与小电流单元群240－2较近的第1边缘部281、及在x方向上与小电流单元群240－2较远的第2边缘部282。

第3测定单元241－3的第1磁屏蔽260－3，包括从第1边缘部281朝向第2对置部216(图2)延伸的第1大电流突起262。第1大电流突起262在图3所示的截面中，是具有与x方向大致平行的2边及与z方向大致平行的2边的大致长方形，在y方向上，沿着板状部261的整体而延伸。

z方向上的第1大电流突起262的第2对置部216(图2)侧(即，z1侧)的第1前端部283、与小电流单元群240－2中的板状部261的第2对置部216(图2)侧(即，z1侧)的一面285，位于与z方向正交的大致相同的平面上。

在图3中，还用箭头概略地示出由本实施方式的第3测定单元241－3的电流通路250中流通的电流所产生的磁通。在第3测定单元241－3中，磁通从第2边缘部282起在x2方向上通过第1磁屏蔽260－3，并在板状部261－3的第1边缘部281通过后趋向第1大电流突起262。

如图3所示那样，从第1大电流突起262起向z1方向发出的磁通的一部分，在第3测定单元241－3的电流通路250与电磁变换元件255之间通过后，返回到第2边缘部282。从第1大电流突起262起向z1方向发出的磁通的一部分，在x1方向上通过第3测定单元241－3的电磁变换元件255后，返回到第2边缘部282。从第1大电流突起262起向z1方向发出的磁通的一部分，从第3测定单元241－3的第2磁屏蔽270的x2侧端部附近进入到第2磁屏蔽270，在x1方向上通过第2磁屏蔽270，并从第2磁屏蔽270的x1侧端部返回到第2边缘部282。

图4是与图3相同的范围中的本实施方式的电流传感器200的局部放大剖视图。图4中还用箭头概略地示出由本实施方式的第4测定单元241－4的电流通路250中流通的电流所产生的磁通。在第4测定单元241－4中，磁通从第1磁屏蔽260－4的x1侧端部起朝向x2方向、并从第1磁屏蔽260－4的x2侧端部起在x2方向上发出。

如图4所示那样，从第4测定单元241－4的第1磁屏蔽260－4的x2侧端部发出的磁通的一部分，在第4测定单元241－4的电流通路250与电磁变换元件255之间通过后，返回到第1磁屏蔽260－4的x1侧端部。从第1磁屏蔽260－4的x2侧端部发出的磁通的一部分，在x1方向上通过第4测定单元241－4的电磁变换元件255后，返回到第1磁屏蔽260－4的x1侧端部。从第1磁屏蔽260－4的x2侧端部发出的磁通的一部分，从第4测定单元241－4的第2磁屏蔽270的x2侧端部进入到第2磁屏蔽270，在x1方向上通过第2磁屏蔽270，并从第2磁屏蔽270的x1侧端部返回到第1磁屏蔽260－4的x1侧端部。

图5是与图3相同的范围中的比较例的电流传感器2000的局部放大剖视图。在图3所示的本实施方式的电流传感器200中，各构成要素的百位以2来表示，在图5所示的比较例的电流传感器2000中，各构成要素的百位以上以20来表示。只要未特别否定，仅百位以上不同的构成要素分别表示同样的构成要素。图5所示的比较例中的第3测定单元2041－3的第1磁屏蔽2060－3不包括第1大电流突起262(图3)。

图5中还用箭头概略地示出由比较例的第3测定单元2041－3的电流通路2050中流通的电流所产生的磁通。从第3测定单元2041－3中的第1磁屏蔽2060－3的x2侧端部发出的磁通，从第4测定单元2041－4中的第1磁屏蔽2060－4的z2侧的面起，进入到第4测定单元2041－4的第1磁屏蔽2060－4。进入到第4测定单元2041－4的第1磁屏蔽2060－4的磁通，从第4测定单元2041－4中的第1磁屏蔽2060－4的z1侧的一面的整体在z1方向上发出。

如图5所示那样，从第4测定单元2041－4的第1磁屏蔽2060－4发出的磁通，一部分进入到第3测定单元2041－3中的第2磁屏蔽2070的x2侧端部，其他的一部分进入到第4测定单元2041－4的第2磁屏蔽2070。进入到第4测定单元2041－4的第2磁屏蔽2070的磁通，从第4测定单元2041－4的第2磁屏蔽2070的x1侧端部起，进入到第3测定单元2041－3的第2磁屏蔽2070的x2侧端部。进入到第3测定单元2041－3的第2磁屏蔽2070的磁通，从第3测定单元2041－3的第2磁屏蔽2070的x1侧端部起在x1方向上发出，并返回到第3测定单元2041－3的第1磁屏蔽2060－3的x1侧端部。

比较例的第4测定单元2041－4的电流通路2050中流通的电流所产生的磁通，与图4所示的本实施方式的情况是同样的。

根据图5可知，在不包括第1大电流突起262(图3)的比较例中，通过第3测定单元2041－3的电流通路2050产生的磁通，扩展到第4测定单元2041－4，因此第3测定单元2041－3的电磁变换元件2055中的灵敏度下降。与此相对，根据图3可知，在包括第1大电流突起262的本实施方式中，通过第3测定单元241－3的电流通路250产生的磁通不易扩展到第4测定单元241－4，因此能够维持第3测定单元241－3的电磁变换元件255中的灵敏度。

如图4所示那样，即使第1大电流突起262存在，第4测定单元241－4中的磁场也不大幅变化。因此，无论有无第1大电流突起262，与小电流单元群240－2中的测定单元241间的灵敏度之差都被抑制得较小。

为了不妨碍图3所示的小电流单元群240－2本身的测定对象即感应磁场，第1大电流突起262的第1前端部283优选在z方向上位于与小电流单元群240－2中的板状部261的一面285相同的位置，或者位于比一面285更靠z2侧的位置。若考虑大电流单元群240－1中的灵敏度提高与小电流单元群240－2中的灵敏度维持之间的平衡，优选第1大电流突起262的第1前端部283与小电流单元群240－2中的板状部261的一面285位于与z方向正交的大致相同的平面上。

(总结)

根据本实施方式，除了不同点以外可获得与第1实施方式同样的效果。

根据本实施方式，多个单元群240中的1个是大电流单元群240－1，多个单元群240中的其他的1个是对由比大电流单元群240－1小的电流产生的感应磁场进行测定的小电流单元群240－2，大电流单元群240－1与小电流单元群240－2相邻，全部的第1磁屏蔽260包括沿着将第2方向包含在内的平面扩展的板状部261，大电流单元群240－1中包括的全部的板状部261沿着大致相同的平面扩展，小电流单元群240－2中包括的全部的板状部261沿着大致相同的平面扩展，通用的测定单元241中包括的电流通路250与第2磁屏蔽270位于在第1方向上相隔第4距离的位置，大电流单元群240－1中的第4距离比小电流单元群240－2中的第4距离大，通用的测定单元241中包括的第1磁屏蔽260与第2磁屏蔽270位于在第1方向上相隔第5距离的位置，大电流单元群240－1中的第5距离比小电流单元群240－2中的第5距离大，大电流单元群240－1中包括的板状部261，具有在第2方向上与小电流单元群240－2较近的第1边缘部281、及在第2方向上与小电流单元群240－2较远的第2边缘部282，大电流单元群240－1中包括的全部的第1磁屏蔽260中的、包括与小电流单元群240－2最近的第1磁屏蔽260的1个以上的第1磁屏蔽260，包括从第1边缘部281朝向第2对置部216延伸的第1大电流突起262，所以能够防止从大电流单元群240－1朝向小电流单元群240－2的感应磁场的非期望的扩散。

若具体地进行说明，在第1方向上观看在大电流单元群240－1内与小电流单元群240－2最近的第1磁屏蔽260、及在小电流单元群240－2内与大电流单元群240－1最近的第1磁屏蔽260时，大电流单元群240－1的第1磁屏蔽260，与小电流单元群240－2的第1磁屏蔽260相比位于从第2对置部216远离的位置。因此，在没有第1大电流突起262的情况下，从大电流单元群240－1的第1磁屏蔽260中的板状部261的小电流单元群240－2侧的边缘部起，感应磁场的大半扩散到小电流单元群240－2的第1磁屏蔽260。其结果，在没有第1大电流突起262的情况下，在大电流单元群240－1内与小电流单元群240－2最近的测定单元241的灵敏度下降。在有第1大电流突起262的情况下，感应磁场的大半，从大电流单元群240－1的第1磁屏蔽260中的板状部261的小电流单元群240－2侧的边缘部起，经由第1大电流突起262，趋向第2对置部216。其结果，能够防止从大电流单元群240－1朝向小电流单元群240－2的感应磁场的非期望的扩散。

根据本实施方式，第1方向上的第1大电流突起262的第2对置部216侧的第1前端部283、及小电流单元群240－2的第1磁屏蔽260中的板状部261的第2对置部216侧的一面285，位于与第1方向正交的大致相同的平面上，所以能够使从大电流单元群240－1朝向小电流单元群240－2的感应磁场的扩散、及从小电流单元群240－2朝向大电流单元群240－1的感应磁场的扩散保持为最小限度，能够使和大电流单元群240－1与小电流单元群240－2之间的边界相邻的测定单元241中的灵敏度，与其他的测定单元241中的灵敏度为同等。

(第3实施方式)

接下来，对第3实施方式的电流传感器进行说明。图6是与zx平面平行的截面中的本实施方式的电流传感器300的剖视图。以下，以第2实施方式的电流传感器200(图2)与本实施方式的电流传感器300的不同点为中心进行说明。在图2所示的第2实施方式的电流传感器200中，各构成要素的百位以2来表示，在图6所示的本实施方式的电流传感器300中，各构成要素的百位以3来表示。只要未特别否定，仅百位不同的构成要素分别表示同样的构成要素。

本实施方式的大电流单元群340－1中包括的全部的第1磁屏蔽360的形状大致相同。即，本实施方式的大电流单元群340－1中包括的全部的第1磁屏蔽360，与第2实施方式(图2)的第3测定单元241－3中包括的第1磁屏蔽260－3相同。如图6所示那样，第1测定单元341－1～第3测定单元341－3分别包括第1大电流突起362。

(总结)

根据本实施方式，除了不同点以外，可获得与第2实施方式同样的效果。

根据本实施方式，大电流单元群340－1中包括的全部的第1磁屏蔽360的形状大致相同，所以对大电流单元群340－1中包括的测定单元341间的灵敏度差进行抑制的设计变得容易。另外，使部件通用化，而能够抑制制造管理成本。

(第4实施方式)

接下来，对第4实施方式的电流传感器进行说明。图7是与zx平面平行的截面中的本实施方式的电流传感器400的剖视图。以下，以第3实施方式的电流传感器300(图6)与本实施方式的电流传感器400的不同点为中心进行说明。在图6所示的第3实施方式的电流传感器300中，各构成要素的百位以3来表示，在图7所示的本实施方式的电流传感器400中，各构成要素的百位以4来表示。只要未特别否定，仅百位不同的构成要素分别表示同样的构成要素。

本实施方式的大电流单元群440－1中包括的全部的第1磁屏蔽460的形状大致相同。图8是图7所示的大电流单元群440－1中包括的1个测定单元441和基板430的局部放大剖视图。

如图8所示那样，大电流单元群440－1的第1磁屏蔽460，除了与第3实施方式同样的第1大电流突起462以外，包括从第2边缘部482朝向第2对置部416(图7)延伸的第2大电流突起463。即，包括第1大电流突起462(图8)的第1磁屏蔽460(图7)分别具有第2大电流突起463(图8)。第2大电流突起463，在图8所示的截面中，是具有与x方向大致平行的2边及与z方向大致平行的2边的大致长方形，在y方向上，沿着板状部461的整体而延伸。

第1磁屏蔽460是若绕在z方向上延伸的轴旋转180度则会重叠的2次对称的形状。即，若使第1大电流突起462旋转180度，则其与第2大电流突起463重叠。z方向上的第1大电流突起462的z1侧的第1前端部483、z方向上的第2大电流突起463的z1侧的第2前端部484及图7所示的小电流单元群440－2中包括的第1磁屏蔽460的z1侧的一面485，位于与z方向正交的大致相同的平面上。

关于图7所示的大电流单元群440－1中的电流通路450与电磁变换元件455之间的距离，一般为了避免电磁变换元件455的饱和，而使其比小电流单元群440－2中的电流通路450与电磁变换元件455之间的距离大。但是，在本实施方式中，大电流单元群440－1的第1磁屏蔽460，包括第1大电流突起462和第2大电流突起463这两方，由此从第1磁屏蔽460朝向第2磁屏蔽470的磁通增加。其结果，在电磁变换元件455通过的磁通减少。

在本实施方式中，与没有第2大电流突起463的情况相比，在电磁变换元件455通过的磁通减少，所以能够使大电流单元群440－1中的电流通路450与电磁变换元件455之间的距离，接近于小电流单元群440－2中的电流通路450与电磁变换元件455之间的距离。其结果，能够减小左第1子对置部412－1与右第1子对置部412－2的偏移而提高第1壳体410的强度。

(总结)

根据本实施方式，除了不同点以外可获得与第3实施方式同样的效果。

根据本实施方式，包括第1大电流突起462的1个以上的第1磁屏蔽460，分别具有从第2边缘部482朝向第2对置部416地延伸的第2大电流突起463，所以在制造时利用第1大电流突起462和第2大电流突起463这两方，容易使第1磁屏蔽460的朝向对齐，能够简化制造装置的部件供给部分的构造。

(第5实施方式)

接下来，对第5实施方式的电流传感器进行说明。图9是与zx平面平行的截面中的本实施方式的电流传感器500的剖视图。以下，以第1实施方式的电流传感器100(图1)与本实施方式的电流传感器500的不同点为中心进行说明。在图1所示的第1实施方式的电流传感器100中，各构成要素的百位以1来表示，在图9所示的本实施方式的电流传感器500中，各构成要素的百位以5来表示。只要未特别否定，仅百位不同的构成要素分别表示同样的构成要素。

第1测定单元541－1～第6测定单元541－6的各第1磁屏蔽560分别依次地包括板状部561－1～板状部561－6(以下，存在不加以区别而称为板状部561的情况)。板状部561都是与第1实施方式的第1磁屏蔽160大致相同的形状。全部的第1磁屏蔽560包括沿着与z方向大致正交的平面而扩展的板状部561。

大电流单元群540－1中包括的全部的板状部561沿着大致相同的平面扩展。小电流单元群540－2中包括的全部的板状部561沿着大致相同的平面扩展。但是，小电流单元群540－2中包括的板状部561的x方向上的宽度，比大电流单元群540－1中包括的板状部561的x方向上的宽度稍小。

图10是图9所示的第3测定单元541－3与第4测定单元541－4的附近处的本实施方式的电流传感器500的局部放大剖视图。在图10中，将第1壳体510和第2壳体515省略。如图10所示那样，小电流单元群540－2中包括的第4测定单元541－4的板状部561－4，具有在x方向上与大电流单元群540－1较近的第1边缘部586及在x方向上与大电流单元群540－1较远的第2边缘部587。

第4测定单元541－4的第1磁屏蔽560－4，包括从第1边缘部586朝向第2对置部516(图9)延伸的第1小电流突起564。第1小电流突起564，在图10所示的截面中，在z1方向与x1方向之间的方向上延伸。在图10所示的截面中，第1磁屏蔽560－4与第1小电流突起564形成钝角。在第4测定单元541－4中，第1磁屏蔽560－4整体的x方向的宽度与第2磁屏蔽570的x方向的宽度大致相同。第1小电流突起564，在y方向上沿着板状部561的整体而延伸。

在包括第1小电流突起564的第4测定单元541－4中，z方向上的第1小电流突起564的第2对置部516(图9)侧(即，z1侧)的第1前端部588，与z方向上的电流通路550的中心相比，处于与第2对置部516(图9)更远的位置(即，z2侧)。

图10中还用箭头概略地示出由本实施方式的第3测定单元541－3的电流通路550中流通的电流所产生的磁通。从第3测定单元541－3的第1磁屏蔽560－3的x1侧端部进入的磁通，从第1磁屏蔽560－3的x2侧端部起在x2方向发出，并从z2侧的面进入到第4测定单元541－4的第1磁屏蔽560－4。进入到第4测定单元541－4的第1磁屏蔽560－4的磁通，从第1小电流突起564起在z1方向上发出。

如图10所示那样，从第1小电流突起564发出的磁通的一部分，在第3测定单元541－3中在电流通路550与电磁变换元件555之间通过后，返回到第3测定单元541－3的第1磁屏蔽560－3的x1侧端部。从第1小电流突起564发出的磁通的一部分，在第3测定单元541－3中在x1方向上通过电磁变换元件555，并返回到第1磁屏蔽560－3的x1侧端部。从第1小电流突起564发出的磁通的一部分在第3测定单元541－3中，从第2磁屏蔽570的x2侧端部附近进入第2磁屏蔽570，在x1方向上通过第2磁屏蔽570后，从第2磁屏蔽570的x1侧端部返回到第1磁屏蔽560－3的x1侧端部。

图11是与图10相同的范围中的本实施方式的电流传感器500的局部放大图。图11中还用箭头概略地示出由本实施方式的第4测定单元541－4的电流通路550中流通的电流所产生的磁通。在第4测定单元541－4中，磁通从第1磁屏蔽560－4的x1侧端部朝向x2方向，并从第1磁屏蔽560－4的x2侧端部起在x2方向上发出。

如图11所示那样，从第1磁屏蔽560－4发出的磁通的一部分，在电流通路550与电磁变换元件555之间通过后，返回到第1小电流突起564。从第1磁屏蔽560－4发出的磁通的一部分，在x1方向上通过电磁变换元件555，并返回到第1小电流突起564。从第1磁屏蔽560－4发出的磁通的一部分，从第2磁屏蔽570的x2侧端部进入到第2磁屏蔽570，在x1方向上通过第2磁屏蔽570，并从第2磁屏蔽570的x1侧端部返回到第1小电流突起564。

如参照图5在第2实施方式中说明那样，在不包括第1小电流突起564(图10)的比较例中，通过第3测定单元2041－3的电流通路2050产生的磁通，扩展到第4测定单元2041－4，因此第3测定单元2041－3的电磁变换元件2055中的灵敏度下降。与此相对，根据图10可知，在包括第1小电流突起564的本实施方式中，通过第3测定单元541－3的电流通路550产生的磁通，不易扩展到第4测定单元541－4中，因此能够维持第3测定单元541－3的电磁变换元件555中的灵敏度。

如图11所示那样，即使第1小电流突起564存在，第4测定单元541－4中的磁场也不大幅变化。因此，无论有无第1小电流突起564，与小电流单元群540－2中的测定单元541间的灵敏度之间的差都被抑制得较小。

(总结)

根据本实施方式，除了不同点以外可获得与第1实施方式同样的效果。

根据本实施方式，多个单元群540中的1个是大电流单元群540－1，多个单元群540中的其他的1个是小电流单元群540－2，大电流单元群540－1与小电流单元群540－2相邻，全部的第1磁屏蔽160，包括沿着将第2方向包含在内的平面扩展的板状部561，大电流单元群540－1中包括的全部的板状部561沿着大致相同的平面扩展，小电流单元群540－2中包括的全部的板状部561沿着大致相同的平面扩展，通用的测定单元541中包括的电流通路550与第2磁屏蔽570位于在第1方向上相隔第4距离的位置，大电流单元群540－1中的第4距离，比小电流单元群540－2中的第4距离大，通用的测定单元541中包括的第1磁屏蔽560与第2磁屏蔽570位于在第1方向上相隔第5距离的位置，大电流单元群540－1中的第5距离，比小电流单元群540－2中的第5距离大，小电流单元群540－2中包括的板状部561具有在第2方向上与大电流单元群540－1较近的第1边缘部586、及在第2方向上与大电流单元群540－1较远的第2边缘部587，小电流单元群540－2中包括的全部的第1磁屏蔽560中的、包括与大电流单元群540－1最近的第1磁屏蔽560的1个以上的第1磁屏蔽560，具有从第1边缘部586朝向第2对置部516延伸的第1小电流突起564，所以能够防止从大电流单元群540－1朝向小电流单元群540－2的感应磁场的非期望的扩散。

若具体地进行说明，当在第1方向上观看在大电流单元群540－1内与小电流单元群540－2最近的第1磁屏蔽560、及在小电流单元群540－2内与大电流单元群540－1最近的第1磁屏蔽560时，大电流单元群540－1的第1磁屏蔽560，与小电流单元群540－2的第1磁屏蔽560相比，位于与第2对置部516较远的位置。因此，在没有第1小电流突起564的情况下，从大电流单元群540－1的第1磁屏蔽560中的板状部561的小电流单元群540－2侧的边缘部起，感应磁场的大半扩散到小电流单元群540－2。其结果，在没有第1小电流突起564的情况下，在大电流单元群540－1内与小电流单元群540－2最近的测定单元541的灵敏度下降。在有第1小电流突起564的情况下，从大电流单元群540－1的第1磁屏蔽560的小电流单元群540－2侧的边缘部起，扩散到小电流单元群540－2的第1磁屏蔽560的感应磁场的大半，容易经由第1小电流突起564、趋向第2对置部516、并返回到大电流单元群540－1侧。其结果，能够防止从大电流单元群540－1朝向小电流单元群540－2的感应磁场的非期望的扩散。

另外，在小电流单元群540－2中作为测定对象的感应磁场也集中于第1小电流突起564。但是，在小电流单元群540－2中作为测定对象的感应磁场，无论有无第1小电流突起564，都集中于第1磁屏蔽560的端部，因此小电流单元群540－2中的灵敏度，不易受到有无第1小电流突起564的影响。但是，为了减小小电流单元群540－2中包括的测定单元541间的灵敏度差，优选减小第1方向上的第1小电流突起564的突出量。第1小电流突起564的突出量优选为电流通路550与第1磁屏蔽560之间的距离。

根据本实施方式，在包括第1小电流突起564的测定单元541中，第1方向上的第1小电流突起564的第2对置部516侧的第1前端部588，与第1方向上的电流通路550的中心相比，处于与第2对置部516较远的位置，第1磁屏蔽560与第1小电流突起564形成钝角，所以由设置第1小电流突起564而引起的小电流单元群540－2中的灵敏度差的影响得以抑制。

(第6实施方式)

接下来，对第6实施方式的电流传感器进行说明。图12是与zx平面平行的截面中的本实施方式的电流传感器600的剖视图。以下，以第5实施方式的电流传感器500(图9)与本实施方式的电流传感器600的不同点为中心进行说明。在图9所示的第5实施方式的电流传感器500中，各构成要素的百位以5来表示，在图12所示的本实施方式的电流传感器600中，各构成要素的百位以6来表示。只要未特别否定，仅百位不同的构成要素分别表示同样的构成要素。

本实施方式的小电流单元群640－2中包括的全部的第1磁屏蔽660的形状大致相同。即，本实施方式的小电流单元群640－2中包括的全部的第1磁屏蔽660，与第5实施方式(图9)的第4测定单元541－4中包括的第1磁屏蔽560－4相同。如图12所示那样，小电流单元群640－2中包括的全部的第1磁屏蔽660，包括与第5实施方式(图9)的第1小电流突起564相同的第1小电流突起664。

(总结)

根据本实施方式，除了不同点以外可获得与第6实施方式同样的效果。

根据本实施方式，小电流单元群640－2中包括的全部的第1磁屏蔽660的形状大致相同，所以对小电流单元群640－2中包括的测定单元641间的灵敏度差进行抑制的设计变得容易。另外，使部件通用化，能够抑制制造管理成本。

(第7实施方式)

接下来，对第7实施方式的电流传感器进行说明。图13是与zx平面平行的截面中的本实施方式的电流传感器700的剖视图。以下，以第5实施方式的电流传感器500(图9)与本实施方式的电流传感器700的不同点为中心进行说明。在图9所示的第5实施方式的电流传感器500中，各构成要素的百位以5来表示，在图13所示的本实施方式的电流传感器700中，各构成要素的百位以7来表示。只要未特别否定，仅百位不同的构成要素分别表示同样的构成要素。

图14是图13所示的第3测定单元741－3、第4测定单元741－4及基板730的局部放大剖视图。如图14所示那样，第4测定单元741－4的第1磁屏蔽760－4，包括与第5实施方式同样的板状部761－4、及与第5实施方式同样的第1小电流突起764，进而包括从第2边缘部787朝向第2对置部716(图13)延伸的第2小电流突起765。

第4测定单元741－4中的板状部761－4的x方向的宽度，比第5实施方式的板状部561－4(图11)稍窄。在第4测定单元741－4中，第1磁屏蔽760－4是若将与z方向平行的轴作为中心旋转180度则重叠的2次对称的形状。即，若使第1小电流突起764旋转180度则与第2小电流突起765重叠。第2小电流突起765的z1侧的第2前端部789与第1小电流突起764的z1侧的第1前端部788，位于与xy平面平行的同一平面上。

如图13所示那样，小电流单元群740－2中包括的全部的第1磁屏蔽760的形状大致相同。

本实施方式的第3测定单元741－3的第1磁屏蔽760－3包括：与xy平面大致平行地扩展的板状部761－3、从处于板状部761－3的x2侧的第1边缘部781延伸的第1大电流突起762、及从处于板状部761－3的x1侧的第2边缘部782延伸的第2大电流突起763。

第3测定单元741－3的第1磁屏蔽760－3，是使第4测定单元741－4的第1磁屏蔽760－4以与z方向平行的轴作为中心而旋转180度后的形状。即，第3测定单元741－3的板状部761－3、第1大电流突起762及第2大电流突起763的形状，分别对应于第4测定单元741－4的板状部761－4、第1小电流突起764及第2小电流突起765的形状。

本实施方式中的第3测定单元741－3的第1大电流突起762，与第2实施方式(图2)的第1大电流突起262同样地发挥功能。如图13所示那样，大电流单元群740－1中包括的全部的第1磁屏蔽760的形状大致相同。

(总结)

根据本实施方式，除了不同点以外可获得与第1实施方式同样的效果。

根据本实施方式，包括第1小电流突起764的1个以上的第1磁屏蔽760的每个第1磁屏蔽760，具有从第2边缘部787朝向第2对置部716延伸的第2小电流突起765，所以在制造时利用第1小电流突起764和第2小电流突起765这两方，容易使第1磁屏蔽760的朝向对齐，能够简化制造装置的部件供给部分的构造。

根据本实施方式，全部的第1磁屏蔽760的形状大致相同，所以部件被通用化，能够抑制制造管理成本。

(第8实施方式)

接下来，对第8实施方式的电流传感器进行说明。图15是与zx平面平行的截面中的本实施方式的电流传感器800的剖视图。以下，以第1实施方式的电流传感器100(图1)与本实施方式的电流传感器800的不同点为中心进行说明。在图1所示的第1实施方式的电流传感器100中，各构成要素的百位以1来表示，在图15所示的本实施方式的电流传感器800中，各构成要素的百位以8来表示。只要未特别否定，仅百位不同的构成要素分别表示同样的构成要素。

(第1壳体)

本实施方式的左第1子对置部812－1和右第1子对置部812－2，与第1实施方式不同，未在z方向上偏移。第1壳体810包括从左第1子对置部812－1与右第1子对置部812－2之间向z1方向延伸的第3支承部813－3。

(第2壳体)

本实施方式的第2对置部816，与第1实施方式不同，被分为左第2子对置部817－1和右第2子对置部817－2(以下，存在不加以区别而称为第2子对置部817的情况)。在其他的例子中，第2对置部816也可以包括3个以上的多个第2子对置部817。

左第2子对置部817－1位于右第2子对置部817－2的x1侧。左第2子对置部817－1通过第1支承部813－1和第3支承部813－3被固定于第1壳体810。右第2子对置部817－2通过第2支承部813－2和第3支承部813－3被固定于第1壳体810。

2个第2子对置部817，为大致相同形状，都具有与xy平面大致平行的2面，且都为与xy平面大致平行地扩展的大致平板状。z方向上的第2子对置部817的厚度，在x方向的任一位置都大致一定。在z方向上，右第2子对置部817－2，与左第2子对置部817－1相比，位于向z2方向偏移的位置。在z方向上，在左第2子对置部817－1与左第1子对置部812－1之间存在空间。在z方向上，在右第2子对置部817－2与右第1子对置部812－2之间存在空间。

(基板和固定部件)

本实施方式的基板830，与第1实施方式不同，包括第1子基板834－1和第2子基板834－2(以下，存在不加以区别而称为子基板834的情况)。在其他的例子中，基板830也可以包括3个以上的多个子基板834。

第1子基板834－1，在z方向上位于左第1子对置部812－1与左第2子对置部817－1之间。通过多个固定部件833，第1子基板834－1和左第2子对置部817－1被相互固定。第1子基板834－1是绝缘材料制，且为与xy平面大致平行地扩展的大致平板状。第1子基板834－1具有左第1子对置部812－1侧的左第1搭载面831－1、及左第2子对置部817－1侧的左第2搭载面832－1。左第1搭载面831－1和左第2搭载面832－1，都与xy平面大致平行。

第2子基板834－2，在z方向上位于右第1子对置部812－2与右第2子对置部817－2之间。通过多个固定部件833，第2子基板834－2与右第2子对置部817－2被相互固定。第2子基板834－2是绝缘材料制，且为与xy平面大致平行地扩展的大致平板状。第2子基板834－2具有右第1子对置部812－2侧的右第1搭载面831－2、及右第2子对置部817－2侧的右第2搭载面832－2。右第1搭载面831－2和右第2搭载面832－2，都与xy平面大致平行。

(单元群)

多个单元群840的每个单元群840，与第1子对置部812和第2子对置部817和子基板834相对应。即，大电流单元群840－1，与左第1子对置部812－1和左第2子对置部817－1和第1子基板834－1对应。小电流单元群840－2，与右第1子对置部812－2和右第2子对置部817－2和第2子基板834－2对应。

大电流单元群840－1中包括的全部的第2磁屏蔽870，搭载于对应的左第2子对置部817－1，在与xy平面大致平行的平面上排列。小电流单元群840－2中包括的全部的第2磁屏蔽870，搭载于对应的右第2子对置部817－2，在与xy平面大致平行的平面上排列。小电流单元群840－2中包括的3个第2磁屏蔽870，与大电流单元群840－1中包括的3个第2磁屏蔽870相比，向z2侧偏移。

大电流单元群840－1中包括的全部的电磁变换元件855，搭载于对应的第1子基板834－1的左第1搭载面831－1，沿着与xy平面大致平行的平面而扩展。小电流单元群840－2中包括的全部的电磁变换元件855，搭载于对应的第2子基板834－2的右第1搭载面831－2，沿着与xy平面大致平行的平面而扩展。

全部的电流通路850位于与xy平面大致平行的大致相同的平面上。全部的第1磁屏蔽860位于与xy平面大致平行的大致相同的平面上。

作为整体，本实施方式的电流传感器800采用将第1实施方式(图1)的小电流单元群840－2相对于大电流单元群840－1稍微向z2方向偏离的构成。

在本实施方式中，仅仅调节相对于第1子对置部812而言的第2子对置部817的装配位置，就能够变更构成要素间的距离，并能够变更各单元群840中的测定对象的额定电流。能够将第2子对置部817与子基板834的组合，在将不同的额定电流作为对象的多个单元群840间通用。

(总结)

根据本实施方式，与第1实施方式同样地，易于进行树脂成形。在按每个单元群840而第2距离不同的构造中，第1对置部811的厚度、第2对置部816的厚度及第1距离分别大致一定，所以在制造时，在型内，树脂易于流动。其结果，能够提供即使在对感应磁场进行测定的多个测定单元841的构成要素的位置关系不是一定的情况下，也能够一体且容易地制造多个测定单元841的电流传感器800。

根据本实施方式，通用的测定单元841中包括的电磁变换元件855与第2磁屏蔽870位于在第1方向上相隔第3距离的位置，在全部的测定单元841中，第3距离比第2距离短，在全部的测定单元841中，第3距离大致相同，所以与其他的配置相比，能够提高测定精度。

根据本实施方式，多个单元群840分别包括相同数量的测定单元841，第2对置部816包括大致相同形状的多个第2子对置部817，基板830包括大致相同形状的多个子基板834，多个单元群840的每个单元群840，与第2子对置部817及子基板834对应，与相同的单元群840对应的第2子对置部817及子基板834，被相互固定，各第2子对置部817，搭载对应的单元群840中包括的全部的第2磁屏蔽870，各子基板834搭载对应的单元群840中包括的全部的电磁变换元件855，所以能够使将第2子对置部817和子基板834组合而成的部件在多个单元群840间通用化，使制造成本减少。

根据本实施方式，全部的电流通路850位于大致相同的平面上，全部的第1磁屏蔽860位于大致相同的平面上，所以第1对置部811的形状被简化，易于进行树脂成形。

(第9实施方式)

接下来，对第9实施方式的电流传感器进行说明。图16是与zx平面平行的截面中的本实施方式的电流传感器900的剖视图。以下，以第8实施方式的电流传感器800(图15)与本实施方式的电流传感器900的不同点为中心进行说明。在图15所示的第8实施方式的电流传感器800中，各构成要素的百位以8来表示，在图16所示的本实施方式的电流传感器900中，各构成要素的百位以9来表示。只要未特别否定，仅百位不同的构成要素分别表示同样的构成要素。另外，与在第8实施方式的说明中参照的同样地，在本实施方式中也参照第1实施方式。

本实施方式的右第1子对置部912－2，相对于左第1子对置部912－1以与第1实施方式相同程度地向z1方向偏移。进而，小电流单元群940－2中包括的3个电流通路950，相对于大电流单元群940－1中包括的3个电流通路950，以与第1实施方式相同程度地向z1方向偏移。小电流单元群940－2中包括的3个第1磁屏蔽960，相对于大电流单元群940－1中包括的3个第1磁屏蔽960，以与第1实施方式相同程度地向z1方向偏移。

小电流单元群940－2中包括的3个第2磁屏蔽970，相对于大电流单元群940－1中包括的3个第2磁屏蔽970，向z2方向偏移。小电流单元群940－2中包括的3个电磁变换元件955，相对于大电流单元群940－1中包括的3个电磁变换元件955，向z2方向偏移。

(总结)

根据本实施方式，除了右第1子对置部912－2相对于左第1子对置部912－1向z1方向偏移的点以外，可获得与第8实施方式同样的效果。

(第10实施方式)

接下来，对第10实施方式的电流传感器进行说明。图17是与zx平面平行的截面中的本实施方式的电流传感器1000的剖视图。以下，以第1实施方式的电流传感器100(图1)与本实施方式的电流传感器1000的不同点为中心进行说明。在图1所示的第1实施方式的电流传感器100中，各构成要素的百位以1来表示，在图17所示的本实施方式的电流传感器1000中，各构成要素的百位以上以10来表示。只要未特别否定，仅百位不同的构成要素分别表示同样的构成要素。

本实施方式的左第1子对置部1012－1和右第1子对置部1012－2，与第1实施方式不同，未向z方向偏移。全部的电流通路1050位于与xy平面大致平行的大致相同的平面上。全部的第1磁屏蔽1060位于与xy平面大致平行的大致相同的平面上。全部的第2磁屏蔽1070位于与xy平面大致平行的大致相同的平面上。

大电流单元群1040－1中包括的全部的电磁变换元件1055，搭载于基板1030的第2搭载面1032，并沿着与xy平面大致平行的平面而存在。小电流单元群1040－2中包括的全部的电磁变换元件1055，搭载于基板1030的第1搭载面1031，并沿着与xy平面大致平行的平面而存在。

在包括3个以上的单元群1040的其他的例子中，1个以上的单元群1040中包括的全部的电磁变换元件1055可以搭载于第1搭载面1031。在包括3个以上的单元群1040的相同的其他的例子中，其他的1个以上的单元群1040中包括的全部的电磁变换元件1055也可以搭载于第2搭载面1032。

与第1实施方式同样地，将通用的测定单元1041中包括的第2磁屏蔽1070与电磁变换元件1055之间的z方向上的距离称为第3距离。大电流单元群1040－1中的第3距离，比小电流单元群1040－2中的第3距离小。

(总结)

根据本实施方式，与第1实施方式同样地，易于进行树脂成形。在按每个单元群1040而第2距离不同的构造中，第1对置部1011的厚度、第2对置部1016的厚度及第1距离分别大致一定，所以在制造时，在型内，树脂易于流动。其结果，能够提供即使在对感应磁场进行测定的多个测定单元1041的构成要素的位置关系并不是一定的情况下，也能够一体且容易地制造多个测定单元1041的电流传感器1000。

根据本实施方式，全部的电流通路1050位于大致相同的平面上，全部的第1磁屏蔽1060位于大致相同的平面上，基板1030具有第1对置部1011侧的第1搭载面1031及第2对置部1016侧的第2搭载面1032，1个以上的单元群1040中包括的全部的电磁变换元件1055搭载于第1搭载面1031，其他的1个以上的单元群1040中包括的全部的电磁变换元件1055搭载于第2搭载面1032，所以根据在制造时向第1搭载面1031和第2搭载面1032中的哪一个搭载电磁变换元件1055，能够改变电磁变换元件1055与电流通路1050之间的距离，制造是容易的。

例如，在测定大电流的单元群1040中，通过将电磁变换元件1055搭载于第2搭载面1032，使电磁变换元件1055接近第2磁屏蔽1070，从而尤为能够抑制灵敏度。另一方面，在测定小电流的单元群1040中，通过将电磁变换元件1055搭载于第1搭载面1031，使电磁变换元件1055远离第2磁屏蔽1070，能够提高灵敏度。

根据本实施方式，多个单元群1040中的1个是大电流单元群1040－1，多个单元群1040中的其他的1个是小电流单元群1040－2，通用的测定单元1041中包括的第2磁屏蔽1070和电磁变换元件1055位于在第1方向上相隔第3距离的位置，大电流单元群1040－1中的第3距离，比小电流单元群1040－2中的第3距离小，所以能够使小电流单元群1040－2中的灵敏度比大电流单元群1040－1中的灵敏度高。

(第11实施方式)

接下来，对第11实施方式的电流传感器进行说明。图18是与zx平面平行的截面中的本实施方式的电流传感器1100的剖视图。以下，以第10实施方式的电流传感器1000(图17)与本实施方式的电流传感器1100的不同点为中心进行说明。在图17所示的第10实施方式的电流传感器1000中，各构成要素的百位以上以10来表示，在图18所示的本实施方式的电流传感器1100中，各构成要素的百位以上以11来表示。只要未特别否定，仅百位以上不同的构成要素分别表示同样的构成要素。

第1壳体1110包括从左第1子对置部1112－1与右第1子对置部1112－2之间起向z1方向延伸的第3支承部1113－3。第3支承部1113－3局部地贯通基板1130。

本实施方式的第2对置部1116，与第1实施方式不同，被分为左第2子对置部1117－1和右第2子对置部1117－2(以下，存在不加以区别而称为第2子对置部1117的情况)。在其他的例子中，第2对置部1116可以包括3个以上的多个第2子对置部1117。

左第2子对置部1117－1位于右第2子对置部1117－2的x1侧。左第2子对置部1117－1，通过第1支承部1113－1和第3支承部1113－3被固定于第1壳体1110。右第2子对置部1117－2，通过第2支承部1113－2和第3支承部1113－3被固定于第1壳体1110。

2个第2子对置部1117，为大致相同形状，且都具有与xy平面大致平行的2面，且都为与xy平面大致平行地扩展的大致平板状。z方向上的第2子对置部1117的厚度，在x方向的任一位置都大致一定。在z方向上，右第2子对置部1117－2，与左第2子对置部1117－1相比，处于向z2方向偏移的位置。在z方向上，在左第2子对置部1117－1与左第1子对置部1112－1之间存在空间。在z方向上，在右第2子对置部1117－2与右第1子对置部1112－2之间存在空间。

大电流单元群1140－1中包括的全部的第2磁屏蔽1170，搭载于左第2子对置部1117－1，在与xy平面大致平行的平面上排列。小电流单元群1140－2中包括的全部的第2磁屏蔽1170，搭载于右第2子对置部1117－2，在与xy平面大致平行的平面上排列。小电流单元群1140－2中包括的3个第2磁屏蔽1170，与大电流单元群1140－1中包括的3个第2磁屏蔽1170相比，向z1侧偏移。

与第1实施方式同样地，将通用的测定单元1141中包括的第2磁屏蔽1170与电磁变换元件1155之间的z方向上的距离称为第3距离。大电流单元群1140－1中的第3距离，比小电流单元群1140－2中的第3距离小。

与第1实施方式同样地，将通用的测定单元1141中包括的电流通路1150与第2磁屏蔽1170之间的z方向上的距离称为第4距离。大电流单元群1140－1中的第4距离，与小电流单元群1140－2中的第4距离不同，比小电流单元群1140－2中的第4距离小。

(总结)

根据本实施方式，与第1实施方式同样地，易于进行树脂成形。在按每个单元群1140而第2距离不同的构造中，第1对置部1111的厚度、第2对置部1116的厚度及第1距离分别大致一定，所以在制造时，在型内，树脂易于流动。其结果，能够提供即使在对感应磁场进行测定的多个测定单元1141的构成要素的位置关系并不是一定的情况下，也能够一体且容易地制造多个测定单元1141的电流传感器1100。

根据本实施方式，全部的电流通路1150位于大致相同的平面上，全部的第1磁屏蔽1160位于大致相同的平面上，基板1130具有第1对置部1111侧的第1搭载面1131及第2对置部1116侧的第2搭载面1132，1个以上的单元群1140中包括的全部的电磁变换元件1155搭载于第1搭载面1131，其他的1个以上的单元群1140中包括的全部的电磁变换元件1155搭载于第2搭载面1132，所以根据在制造时对第1搭载面1131和第2搭载面1132中的哪一个搭载电磁变换元件1155，能够改变电磁变换元件1155与电流通路1150之间的距离，制造是容易的。

根据本实施方式，多个单元群1140中的1个是大电流单元群1140－1，多个单元群1140中的其他的1个是小电流单元群1140－2，通用的测定单元1141中包括的电流通路1150与第2磁屏蔽1170位于在第1方向上相隔第4距离的位置，大电流单元群1140－1中的第4距离与小电流单元群1140－2中的第4距离不同，所以在根据对第1搭载面1131和第2搭载面1132中的哪一个搭载电磁变换元件1155来改变电磁变换元件1155与电流通路1150之间的距离的情况下，进一步调整电磁变换元件1155与第2磁屏蔽1170之间的距离，由此能够简单地调节每个单元群1140的灵敏度。

根据本实施方式，多个单元群1140中的1个是大电流单元群1140－1，多个单元群1140中的其他的1个是小电流单元群1140－2，通用的测定单元1141中包括的第2磁屏蔽1170和电磁变换元件1155位于在第1方向上相隔第3距离的位置，大电流单元群1140－1中的第3距离比小电流单元群1140－2中的第3距离小，所以能够使小电流单元群1140－2中的灵敏度比大电流单元群1140－1中的灵敏度高。

(第12实施方式)

接下来，对第12实施方式的电流传感器进行说明。图19是与zx平面平行的截面中的本实施方式的电流传感器1200的剖视图。以下，以第11实施方式的电流传感器1100(图18)与本实施方式的电流传感器1200的不同点为中心进行说明。在图18所示的第11实施方式的电流传感器1100中，各构成要素的百位以上以11来表示，在图19所示的本实施方式的电流传感器1200中，各构成要素的百位以上以12来表示。只要未特别否定，仅百位以上不同的构成要素分别表示同样的构成要素。

在z方向上，右第2子对置部1217－2，与左第2子对置部1217－1相比，处于向z2方向偏移了的位置。小电流单元群1240－2中包括的3个第2磁屏蔽1270，与大电流单元群1240－1中包括的3个第2磁屏蔽1270相比，向z2侧偏移。

与第1实施方式同样地，将通用的测定单元1241中包括的电流通路1250与电磁变换元件1255之间的、z方向上的距离称为第2距离。另外，与第1实施方式同样地，将通用的测定单元1241中包括的电磁变换元件1255与第2磁屏蔽1270之间的、z方向上的距离称为第3距离。在全部的测定单元1241中，第3距离比第2距离短。在全部的测定单元1241中，第3距离大致相同。

与第1实施方式同样地，将通用的测定单元1241中包括的电流通路1250与第2磁屏蔽1270之间的、z方向上的距离称为第4距离。大电流单元群1240－1中的第4距离与小电流单元群1240－2中的第4距离不同，且比小电流单元群1240－2中的第4距离大。

(总结)

根据本实施方式，与第1实施方式同样地、易于进行树脂成形。按每个单元群1240而第2距离不同的构造中，第1对置部1211的厚度、第2对置部1216的厚度及第1距离分别大致一定，所以在制造时，在型内，树脂易于流动。其结果，能够提供即使在对感应磁场进行测定的多个测定单元1241的构成要素的位置关系并不是一定的情况下，也能够一体且容易地制造多个测定单元1241的电流传感器1200。

根据本实施方式，通用的测定单元1241中包括的电磁变换元件1255和第2磁屏蔽1270位于在第1方向上相隔第3距离的位置，在全部的测定单元1241中，第3距离比第2距离短，在全部的测定单元1241中，第3距离大致相同，所以与其他的配置相比，能够提高测定精度。

根据本实施方式，全部的电流通路1250位于大致相同的平面上，全部的第1磁屏蔽1260位于大致相同的平面上，基板1230具有第1对置部1211侧的第1搭载面1231和第2对置部1216侧的第2搭载面1232，1个以上的单元群1240中包括的全部的电磁变换元件1255搭载于第1搭载面1231，其他的1个以上的单元群1240中包括的全部的电磁变换元件1255搭载于第2搭载面1232，所以根据在制造时对第1搭载面1231和第2搭载面1232中的哪一个搭载电磁变换元件1255，能够改变电磁变换元件1255与电流通路1250之间的距离，制造是容易的。

根据本实施方式，多个单元群1240中的1个是大电流单元群1240－1，多个单元群1240中的其他的1个是小电流单元群1240－2，通用的测定单元1241中包括的电流通路1250和第2磁屏蔽1270位于在第1方向上相隔第4距离的位置，大电流单元群1240－1中的第4距离与小电流单元群1240－2中的第4距离不同，所以根据对第1搭载面1231和第2搭载面1232中的哪一个搭载电磁变换元件1255来改变电磁变换元件1255与电流通路1250之间的距离的情况下，进一步调节电磁变换元件1255与第2磁屏蔽1270之间的距离，由此能够简单地调节每个单元群1240的灵敏度。

根据本实施方式，通用的测定单元1241中包括的电磁变换元件1255和第2磁屏蔽1270位于在第1方向上相隔第3距离的位置，在全部的测定单元1241中，第3距离大致相同，所以与其他的配置相比，能够提高测定精度。

(第13实施方式)

接下来，对第13实施方式的电流传感器进行说明。图20是与zx平面平行的截面中的本实施方式的电流传感器1300的剖视图。以下，以第10实施方式的电流传感器1000(图17)与本实施方式的电流传感器1300的不同点为中心进行说明。在图17所示的第10实施方式的电流传感器1000中，各构成要素的百位以上以10来表示，在图20所示的本实施方式的电流传感器1300中，各构成要素的百位以上以13来表示。只要未特别否定，仅百位不同的构成要素分别表示同样的构成要素。

大电流单元群1340－1中包括的全部的电磁变换元件1355，搭载于基板1330的第1搭载面1331，并沿着与xy平面大致平行的平面而存在。小电流单元群1340－2中包括的全部的电磁变换元件1355，搭载于基板1330的第2搭载面1332，并沿着与xy平面大致平行的平面而存在。

与第1实施方式同样地，将通用的测定单元1341中包括的第2磁屏蔽1370与电磁变换元件1355之间的、z方向上的距离称为第3距离。大电流单元群1340－1中的第3距离，比小电流单元群1340－2中的第3距离大。

(总结)

根据本实施方式，与第1实施方式同样地、易于进行树脂成形。在按每个单元群1340而第2距离不同的构造中，第1对置部1311的厚度、第2对置部1316的厚度及第1距离分别大致一定，所以在制造时，在型内，树脂易于流动。其结果，能够提供即使在对感应磁场进行测定的多个测定单元1341的构成要素的位置关系并不是一定的情况下，也能够一体且容易地制造多个测定单元1341的电流传感器1300。

根据本实施方式，多个单元群1340中的1个是大电流单元群1340－1，多个单元群1340中的其他的1个是小电流单元群1340－2，通用的测定单元1341中包括的第2磁屏蔽1370和电磁变换元件1355位于在第1方向上相隔第3距离的位置，大电流单元群1340－1中的第3距离，比小电流单元群1340－2中的第3距离大，所以能够使小电流单元群1340－2中的灵敏度比大电流单元群1340－1中的灵敏度低。

本发明不限定于上述的实施方式。即，本领域技术人员，在本发明的技术的范围或者其等同的范围内，关于上述的实施方式的构成要素，可以进行各种各样的变更、组合、子组合以及替代。

工业实用性

本发明能够应用于对感应磁场进行测定的多个测定单元的构成要素的位置关系并不是一定的各种的电流传感器。

符号说明

100…电流传感器(200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300)

110…第1壳体(210、310、410、510、610、710、810、910、1010、1110、1210、1310)

111…第1对置部(211、311、411、511、611、711、811、911、1011、1111、1211、1311)

112…第1子对置部(212、312、412、512、612、712、812、912、1012、1112、1212、1312)

115…第2壳体(215、315、415、515、615、715、815、915、1015、1115、1215、1315)

116…第2对置部(216、316、416、516、616、716、816、916、1016、1116、1216、1316)

130…基板(230、330、430、530、630、730、830、930、1030、1130、1230、1330)

131…第1搭载面(231、331、431、531、631、731、831、931、1031、1131、1231、1331)

132…第2搭载面(232、332、432、532、632、732、832、932、1032、1132、1232、1332)

140…单元群(240、340、440、540、640、740、840、940、1040、1140、1240、1340)

140－1…大电流单元群(240－1、340－1、440－1、540－1、640－1、740－1、840－1、940－1、1040－1、1140－1、1240－1、1340－1)

140－2…小电流单元群(240－2、340－2、440－2、540－2、640－2、740－2、840－2、940－2、1040－2、1140－2、1240－2、1340－2)

141…测定单元(241、341、441、541、641、741、841、941、1041、1141、1241、1341)

150…电流通路(250、350、450、550、650、750、850、950、1050、1150、1250、1350)

155…电磁变换元件(255、355、455、555、655、755、855、955、1055、1155、1255、1355)

160…第1磁屏蔽(260、360、460、560、660、760、860、960、1060、1160、1260、1360)

170…第2磁屏蔽(270、370、470、570、670、770、870、970、1070、1170、1270、1370)

261…板状部(361、461、561、661、761)

262…第1大电流突起(362、462、762)

281…第1边缘部(381、481、781)

282…第2边缘部(381、481、781)

283…第1前端部(383、483、783)

285…一面(385、485)

463…第2大电流突起(763)

484…第2前端部(784)

564…第1小电流突起(664，764)

586…第1边缘部(686、786)

587…第2边缘部(687、787)

588…第1前端部(688、788)

765…第2小电流突起

787…第2边缘部

789…第2前端部

817…第2子对置部(917、1117、1217)

834…子基板(934)

Claims (20)

1.一种电流传感器，其特征在于，具备：

包括第1对置部的树脂制的第1壳体；

包括第2对置部的树脂制的第2壳体；

基板，搭载于上述第1壳体与上述第2壳体中的至少一方；以及

多个单元群，搭载于上述第1壳体及上述第2壳体，用于测定感应磁场，

上述第1对置部与上述第2对置部，位于在第1方向上对置的位置，

上述多个单元群在与上述第1方向交叉的第2方向上排列，

上述多个单元群的每个单元群包括在上述第2方向上排列的1个以上的测定单元，

上述1个以上的测定单元的每个测定单元包括：

一体成形于上述第1对置部的第1磁屏蔽；

一体成形于上述第2对置部的第2磁屏蔽；

电流通路，在上述第1磁屏蔽与上述第2磁屏蔽之间一体成形于上述第1对置部；以及

电磁变换元件，测定由上述电流通路中流通的电流产生的感应磁场，

上述电磁变换元件，在上述第1方向上在上述电流通路与上述第2磁屏蔽之间搭载于上述基板，

通用的上述测定单元中包括的上述电流通路与上述第1磁屏蔽，位于在第1方向上相隔第1距离的位置，

在全部的上述单元群中，全部的上述第1距离大致相同，

通用的上述测定单元中包括的上述电流通路与上述电磁变换元件，位于在上述第1方向上相隔第2距离的位置，

在通用的上述单元群中包括的全部的上述测定单元中，上述第2距离大致相同，

按每个上述单元群，上述第2距离不同，

上述第1方向上的上述第1对置部的厚度大致一定，

上述第1方向上的上述第2对置部的厚度大致一定。

2.根据权利要求1所述的电流传感器，其中，

通用的上述测定单元中包括的上述电磁变换元件与上述第2磁屏蔽，位于在上述第1方向上相隔第3距离的位置，

在全部的上述测定单元中，上述第3距离比上述第2距离短，

在全部的上述测定单元中，上述第3距离大致相同。

3.根据权利要求2所述的电流传感器，其中，

全部的上述第2磁屏蔽位于大致相同的平面上，

全部的上述电磁变换元件，搭载于1枚大致平面状的基板，

上述第1对置部包括相互一体成形的多个第1子对置部，

上述多个第1子对置部的每个第1子对置部，为大致平板状，

上述多个第1子对置部处于在上述第1方向上相互错开的位置，

上述多个第1子对置部分别对应于不同的1个上述单元群，

上述多个单元群的每个单元群中包括的上述电流通路与上述第1磁屏蔽，位于对应的上述第1子对置部。

4.根据权利要求3所述的电流传感器，其中，

上述多个单元群中的1个单元群是大电流单元群，

上述多个单元群中的其他1个单元群，是对由比上述大电流单元群小的电流产生的感应磁场进行测定的小电流单元群，

上述大电流单元群与上述小电流单元群相邻，

全部的上述第1磁屏蔽包括沿着将上述第2方向包含在内的平面扩展的板状部，

上述大电流单元群中包括的全部的上述板状部沿着大致相同的平面扩展，

上述小电流单元群中包括的全部的上述板状部沿着大致相同的平面扩展，

通用的上述测定单元中包括的上述电流通路与上述第2磁屏蔽，位于在上述第1方向上相隔第4距离的位置，

上述大电流单元群中的上述第4距离，比上述小电流单元群中的上述第4距离大，

通用的上述测定单元中包括的上述第1磁屏蔽与上述第2磁屏蔽，位于在上述第1方向上相隔第5距离的位置，

上述大电流单元群中的上述第5距离，比上述小电流单元群中的上述第5距离大，

上述大电流单元群中包括的上述板状部，具有在上述第2方向上与上述小电流单元群较近的第1边缘部、及在上述第2方向上与上述小电流单元群较远的第2边缘部，

上述大电流单元群中包括的全部的上述第1磁屏蔽中的、包括与小电流单元群最近的上述第1磁屏蔽在内的1个以上的上述第1磁屏蔽，包括从上述第1边缘部朝向上述第2对置部延伸的第1大电流突起。

5.根据权利要求4所述的电流传感器，其中，

上述第1方向上的上述第1大电流突起的上述第2对置部侧的前端部、与小电流单元群的上述第1磁屏蔽中的上述板状部的上述第2对置部侧的一面，位于与上述第1方向正交的大致相同的平面上。

6.根据权利要求5所述的电流传感器，其中，

上述大电流单元群中包括的全部的上述第1磁屏蔽的形状大致相同。

7.根据权利要求6所述的电流传感器，其中，

包括上述第1大电流突起的1个以上的上述第1磁屏蔽中的每个第1磁屏蔽，具有从第2边缘部朝向第2对置部延伸的第2大电流突起。

8.根据权利要求3至7中任一项所述的电流传感器，其中，

上述多个单元群中的1个单元群是大电流单元群，

上述多个单元群中的其他1个单元群是小电流单元群，

上述大电流单元群与小电流单元群相邻，

全部的上述第1磁屏蔽包括沿着将上述第2方向包含在内的平面扩展的板状部，

上述大电流单元群中包括的全部的上述板状部沿着大致相同的平面扩展，

上述小电流单元群中包括的全部的上述板状部沿着大致相同的平面扩展，

通用的上述测定单元中包括的上述电流通路与上述第2磁屏蔽，位于在上述第1方向上相隔第4距离的位置，

上述大电流单元群中的上述第4距离，比上述小电流单元群中的上述第4距离大，

通用的上述测定单元中包括的上述第1磁屏蔽与上述第2磁屏蔽，位于在上述第1方向上相隔第5距离的位置，

上述大电流单元群中的上述第5距离，比上述小电流单元群中的上述第5距离大，

上述小电流单元群中包括的上述板状部，具有在上述第2方向上与上述大电流单元群较近的第1边缘部、及在上述第2方向上与上述大电流单元群较远的第2边缘部，

上述小电流单元群中包括的全部的上述第1磁屏蔽中的、包括与大电流单元群最近的上述第1磁屏蔽在内的1个以上的上述第1磁屏蔽，具有从上述第1边缘部朝向上述第2对置部延伸的第1小电流突起。

9.根据权利要求8所述的电流传感器，其中，

在包括上述第1小电流突起的上述测定单元中，上述第1方向上的上述第1小电流突起的上述第2对置部侧的前端部，与上述第1方向上的上述电流通路的中心相比，位于与上述第2对置部较远的位置，

上述第1磁屏蔽与上述第1小电流突起形成钝角。

10.根据权利要求8所述的电流传感器，其中，

上述小电流单元群中包括的全部的上述第1磁屏蔽的形状大致相同。

11.根据权利要求8所述的电流传感器，其中，

包括上述第1小电流突起的1个以上的上述第1磁屏蔽中的每个第1磁屏蔽，具有从第2边缘部朝向第2对置部延伸的第2小电流突起。

12.根据权利要求3所述的电流传感器，其中，

全部的上述第1磁屏蔽的形状大致相同。

13.根据权利要求2所述的电流传感器，其中，

上述多个单元群分别包括相同数量的上述测定单元，

上述第2对置部，包括大致相同形状的多个第2子对置部，

上述基板，包括大致相同形状的多个子基板，

上述第2子对置部与上述子基板，和上述多个单元群的每个单元群相对应，

和相同的上述单元群对应的上述第2子对置部与上述子基板相互固定，

各上述第2子对置部，搭载对应的上述单元群中包括的全部的上述第2磁屏蔽，

各上述子基板，搭载对应的上述单元群中包括的全部的上述电磁变换元件。

14.根据权利要求13所述的电流传感器，其中，

全部的上述电流通路位于大致相同的平面上，

全部的上述第1磁屏蔽位于大致相同的平面上。

15.根据权利要求1所述的电流传感器，其中，

全部的上述电流通路位于大致相同的平面上，

全部的上述第1磁屏蔽位于大致相同的平面上，

上述基板具有上述第1对置部侧的第1搭载面及上述第2对置部侧的第2搭载面，

上述多个单元群中的1个以上的单元群中包括的全部的上述电磁变换元件搭载于上述第1搭载面，

上述多个单元群中的其他的1个以上的单元群中包括的全部的上述电磁变换元件搭载于上述第2搭载面。

16.根据权利要求15所述的电流传感器，其中，

全部的上述第2磁屏蔽位于大致相同的平面上。

17.根据权利要求15所述的电流传感器，其中，

上述多个单元群中的1个单元群是大电流单元群，

上述多个单元群中的其他1个单元群是小电流单元群，

通用的上述测定单元中包括的上述电流通路与上述第2磁屏蔽，位于在上述第1方向上相隔第4距离的位置，

上述大电流单元群中的上述第4距离，与上述小电流单元群中的上述第4距离不同。

18.根据权利要求17所述的电流传感器，其中，

通用的上述测定单元中包括的上述电磁变换元件与上述第2磁屏蔽，位于在上述第1方向上相隔第3距离的位置，

在全部的上述测定单元中，上述第3距离大致相同。

19.根据权利要求15所述的电流传感器，其中，

上述多个单元群中的1个单元群是大电流单元群，

上述多个单元群中的其他1个单元群是小电流单元群，

通用的上述测定单元中包括的上述第2磁屏蔽与上述电磁变换元件，位于在上述第1方向上相隔第3距离的位置，

上述大电流单元群中的上述第3距离，比上述小电流单元群中的上述第3距离小。

20.根据权利要求15所述的电流传感器，其中，

上述多个单元群中的1个单元群是大电流单元群，

上述多个单元群中的其他1个单元群是小电流单元群，

通用的上述测定单元中包括的上述第2磁屏蔽与上述电磁变换元件，位于在上述第1方向上相隔第3距离的位置，

上述大电流单元群中的上述第3距离，比上述小电流单元群中的上述第3距离大。

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