JP2002340942A

JP2002340942A - 電流検出装置の製造方法及び電流検出装置

Info

Publication number: JP2002340942A
Application number: JP2001150843A
Authority: JP
Inventors: Hiroichi Goto; 博一後藤; Akira Hasegawa; 晃長谷川
Original assignee: Sanken Electric Co Ltd
Current assignee: Sanken Electric Co Ltd
Priority date: 2001-05-21
Filing date: 2001-05-21
Publication date: 2002-11-27

Abstract

(57)【要約】【課題】安定した電流検出の可能な電流検出装置の製
造方法及び電流検出装置を提供する。【解決手段】リードフレーム１３と集磁体１５とをパ
ッケージ１４内に一体成型する際、リードフレーム１３
と集磁体１５との主接面に垂直な方向から金型に成型樹
脂を注入する。また、集磁体１５の凸部１５ａは、リー
ドフレーム１３の厚さよりも高く形成され、ホールセン
サ１２は凸部１５ａに接着材１６により接着される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ホール素子を用い
た電流検出装置の製造方法及び電流検出装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】電流検出装置として、ホールセンサを用
いるホールセンサ型の装置が知られている。ホールセン
サ型の電流検出装置は一般に、被測定電流の流れる電流
経路と、電流経路の近傍に配置されたホールセンサと、
から構成される。電流の検出は、電流経路を被測定電流
が通過したときに発生する磁界をホールセンサによって
検出することによって行われる。

【０００３】ホールセンサは内部にホール素子を備え
る。ホール素子は、半導体内の電流の流れる方向と直角
に磁界が形成された場合に、電流及び磁界と直角方向に
電流と磁場に比例する起電力を生じるというホール効果
を利用して、検出磁界を電圧に変換する。このように、
ホール素子を備えたホールセンサ型電流検出装置は、電
流経路に電流が流れたときに形成される磁界（及びその
強さ）を電圧に変換することによって電流（及びその
量）を検出する。

【０００４】上記電流検出装置のうち、ホールセンサの
近傍に磁束を集めるための集磁体を備え、ホールセンサ
の磁界の検出感度を高めたものが知られている。集磁体
を備えた電流検出装置は、リードフレームの一面にホー
ルセンサを、他の一面に、例えば、フェライト等の集磁
体をホールセンサと対向する位置に備えた構成を有す
る。この構成により、集磁体によりホールセンサの近傍
の高い磁束密度が得られる。また、反面、集磁体はホー
ルセンサ近傍の磁界を大きく変化させるため、一定した
検出感度を有する電流検出装置を得るには、集磁体を一
定の位置に配置して製造する必要がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記電流検出装置の製
造工程は、集磁体をリードフレームの一面に配置し、こ
れを一体成型する工程を含む。成型工程は、射出成型に
より行われるが、処理の容易性から、一般に、集磁体と
リードフレームとの接触面に対して水平の方向から成型
樹脂が注入され、このように水平方向から樹脂注入を行
った場合、樹脂の射出圧力により、集磁体がリードフレ
ームの設置位置からずれたり、最悪の場合、設置位置か
ら脱落して歩留まりが低下する。

【０００６】水平方向のずれは、リードフレームと集磁
体とを互いに嵌合する構造とすることにより避けること
ができる。一方、垂直方向（リードフレームの厚さ方
向）の位置ずれを回避する方法としては、集磁体のリー
ドフレームに接しない側に位置決めピンを配置して、成
型を行う方法がある。しかし、この方法では、集磁体、
例えば、フェライトコアに位置決めピンとの接触により
ヒビや割れが生じる場合がある。

【０００７】また、成型時にリードフレームと集磁体と
を予め接着する方法もあるが、これは製造コストを押し
上げる。さらに、接着材等の厚さのばらつきにより、ホ
ールセンサと集磁体との間の寸法ばらつきが生じ、ホー
ルセンサの感知する磁束密度がばらつき、電流検出精度
が低下するなどしてしまう。

【０００８】このように、従来のホールセンサと集磁体
とを備えた電流検出装置の製造方法には、製造時に集磁
体の位置ずれが起こりやすく、特性の安定した電流検出
装置が、高い歩留まりで製造されないという問題があっ
た。

【０００９】上記問題を解決するため、本発明は、特性
の安定した電流検出装置の製造方法及び電流検出装置を
提供することを目的とする。さらに、本発明は、歩留ま
りの高い電流検出装置の製造方法及び電流検出装置を提
供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の観点にかかる電流検出装置の製造方
法は、リードフレームと、前記リードフレームに流れる
電流の形成する磁束を検出し、前記リードフレームに流
れる電流を検出するホールセンサと、前記電流の発生す
る磁束を前記ホールセンサに集める集磁体と、を有する
電流検出装置の製造方法であって、金型の内に、前記リ
ードフレームと、前記集磁体とを重ねて配置する工程
と、前記リードフレームと前記集磁体との接触面に対し
てほぼ垂直な方向から、前記集磁体の前記接触面とは反
対側の面に向かって成型樹脂を前記金型内に注入する工
程と、を備える、ことを特徴とする。

【００１１】また、前記成型樹脂を前記金型内に注入す
る工程において、前記集磁体を前記リードフレームに対
して前記成型樹脂の注入圧力によって押しつけつつ、前
記成型樹脂を前記金型内に注入することが好ましい。

【００１２】上記構成においては、樹脂成型を行う際、
金型内に重ねて配置したリードフレームと集磁体との接
触面に対してほぼ垂直な方向から、集磁体に向かって金
型内に成型樹脂を注入する。従って、樹脂注入の際に、
集磁体は注入（射出）圧力によってリードフレームに押
しつけられた状態にあり、垂直方向の位置ずれは防がれ
る。これにより、集磁体の位置ずれ、飛び等による電流
検出特性の劣化を防ぐことができ、特性の安定した、歩
留まりの高い電流検出装置の製造が可能となる。

【００１３】上記構成において、例えば、前記リードフ
レームと前記集磁体とを予め固定する。すなわち、例え
ば、リードフレームと集磁体とを互いに嵌合可能な形状
とし、互いに嵌合した状態で樹脂注入を行うことによ
り、垂直方向だけでなく、水平方向の位置ずれも効果的
に防止することができる。

【００１４】上記構成において、例えば、前記集磁体
を、前記集磁体の一部が前記リードフレームの前記接触
面と反対側の面から突出するように配置し、さらに、前
記ホールセンサを前記突出した部分と接するよう配置す
る工程を備える。

【００１５】上記構成によれば、例えば、集磁体がリー
ドフレームの接触面の反対側に突出する凸部を備える構
造とし、この凸部にホールセンサを接着等により配置す
る。これにより、製品としての電流検出装置における、
ホールセンサ（ひいては、その内部のホール素子）と集
磁体との距離のずれを低減することができる。従って、
安定した検出特性を有する電流検出装置の製造が可能と
なる。

【００１６】上記目的を達成するため、本発明の第２の
観点にかかる電流検出装置は、リードフレームと、前記
リードフレームに流れる電流の形成する磁束を検出する
ホールセンサと、前記電流の形成する磁束を前記ホール
センサに集める集磁体と、を有する電流検出装置であっ
て、前記集磁体は、前記リードフレームの少なくとも一
部と重なるように配置され、前記集磁体は、前記リード
フレームの厚さよりも高く形成された凸部を有し、前記
ホールセンサは、前記リードフレームの前記集磁体の配
置された面とは反対側に、前記集磁体の凸部と接して配
置される、ことを特徴とする。

【００１７】上記構成によれば、リードフレーム及び集
磁体の製造公差があっても、集磁体の凸部がリードフレ
ームの厚さよりも高く形成され、常にホールセンサが集
磁体の凸部に接するよう配置される。これにより、製品
としての電流検出装置における、ホールセンサ（ひいて
は、その内部のホール素子）と集磁体との距離のずれを
低減することができる。従って、安定した検出特性を有
する電流検出装置の製造が可能となる。

【００１８】上記構成において、例えば、前記リードフ
レームは、点対称又は線対称の電流経路を構成する対称
な部分を有し、前記集磁体は、前記リードフレームの対
称な部分に挟まれた領域の少なくとも一部と重なるよう
に配置され、前記集磁体の凸部は、前記リードフレーム
の対称な部分の間を貫通するように配置される。

【００１９】上記構成によれば、リードフレームの点対
称又は線対称に形成された部分に挟まれるように集磁体
の凸部が配置され、これにより、リードフレームに流れ
る電流の発生する磁界は、集磁体の凸部近傍で強めら
れ、高精度かつ高感度の電流検出が可能となる。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態にかかる電流
検出装置の製造方法及び電流検出装置について、以下図
面を参照して説明する。

【００２１】図１に、本発明にかかる電流検出装置の構
成を示す。また、図２は図１に示す電流検出装置の分解
図を示し、図３は、Ａ−Ａ線矢視断面を示す。

【００２２】図１に示すように、本実施の形態にかかる
電流検出装置１１は、ホールセンサ１２と、リードフレ
ーム１３と、パッケージ１４と、から構成されている。
また、図２の分解図に示すように、電流検出装置１１
は、ホールセンサ１２と、リードフレーム１３と、集磁
体１５と、が積層された構成を備える。

【００２３】ホールセンサ１２は、その内部中央にホー
ル素子１２ａが配置されたホール素子チップである。こ
こで、ホールセンサ１２としては、ホール素子を利用し
て電流を測定するものであれば、どのようなものでもよ
い。

【００２４】リードフレーム１３は帯状に形成され、そ
の厚さは１．２ｍｍ程度である。リードフレーム１３
は、図１のＡ−Ａ線に関して対称な折り返し構造を有す
る。また、リードフレーム１３は、折り返し部分の周囲
に、その２本の手が半円を形成するＹ字形状に打ち抜か
れている。ここで、リードフレーム１３の寸法公差（部
品製造時の許容寸法ばらつき）は、０．１ｍｍであり、
以下に説明する他の構成部品に関しても同様である。

【００２５】ホールセンサ１２は、その内部のホール素
子１２ａがＹ字部分の半円の中心にくるように配置され
ている。従って、ホール素子１２ａは、リードフレーム
１３が形成する面（図１の紙面）に対して垂直方向から
見た場合に、電流経路の中心線（Ａ−Ａ線）上にあるよ
うに配置されている。

【００２６】対称に形成されたリードフレーム１３の両
端は、図示しない被測定回路の端子に、溶接又はねじ止
めなどにより接続される。被測定回路で発生する電流Ｉ
は、例えば、図１中の矢印で示すようにリードフレーム
１３を流れ、後述するようにホール素子１２ａによって
検出される。

【００２７】リードフレーム１３に被測定電流Ｉが流れ
る際、折り返し部分を境にそれぞれ逆方向に電流Ｉが流
れ、Ａ−Ａ線に関して線対称な電流経路が構成される。
このように線対称な互いに逆向きの電流経路が構成され
ることにより、リードフレーム１３の間に挟まれた領域
には、ホール素子１２ａによる検出に適した、均一性の
高い磁界が形成される。

【００２８】集磁体１５は、フェライト等の磁性体から
構成される。図４に集磁体１５の上面図（ａ）及び側面
図（ｂ）を示す。図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、
集磁体１５は、円柱状の凸部１５ａを有し、その周囲に
ほぼ半円状の溝１５ｂを備えた構造を有する。円柱状の
凸部１５ａの高さは、例えば、１．５ｍｍ程度であり、
リードフレーム１３の厚さ（１．２ｍｍ程度）よりも
０．３ｍｍほど大きい。すなわち、凸部１５ａは、リー
ドフレーム１３の厚さと、公差を含めた値よりも、高い
ように形成されている。

【００２９】また、図２を参照して、集磁体１５は、リ
ードフレーム１３のＹ字状の打ち抜き部と嵌合し、リー
ドフレーム１３の折り返し部分に形成された半円部分を
覆うように構成されている。ここで、集磁体１５の凸部
１５ａは、リードフレーム１３と嵌合した際に、上記半
円部分の内側にくるよう構成されている。

【００３０】リードフレーム１３の集磁体１５と接しな
い側の面には、ホールセンサ１２が配置されている。ホ
ールセンサ１２は、リードフレーム１３上に設置された
際に、平面的に見てその内部のホール素子１２ａが、集
磁体１５の凸部１５ａの直上にくるよう配置される。こ
のようにホール素子１２ａの近傍に集磁体１５（凸部１
５ａ）を配置することにより、集磁体１５の集磁効果か
ら、ホール素子１２ａ近傍の磁束密度が高められる。

【００３１】図３に示すように、ホールセンサ１２は、
リードフレーム１３と集磁体１５の凸部１５ａとに接着
材１６により接着されている。図５に、接着部分の拡大
図を示す。前述したように、凸部１５ａはリードフレー
ム１３の厚さよりも高いよう形成されており、図５に示
すように、凸部１５ａがリードフレーム１３の形成面か
ら突出した構成となっている。

【００３２】集磁体１５の凸部１５ａとリードフレーム
１３とが同一平面を形成する構成とした場合、寸法公差
を原因として、凸部１５ａの形成面とホールセンサ１２
の裏面との距離Δに製造ばらつきが生じる。すなわち、
公差が０．１ｍｍの場合には、リードフレーム１３の厚
さが厚くかつ集磁体１５の凸部が低く製造されていた場
合には、距離Δは少なくとも０．２ｍｍ増加することと
なり、ホールセンサ１２の感知する磁界もこれに伴って
変化する。

【００３３】例えば、接着材１６の厚さを０．５ｍｍと
してシミュレーションを行った場合、凸部１５ａとホー
ルセンサ１２の裏面との距離Δが０．５ｍｍである場合
には、ホール素子１２ａの近傍には４．３×１０^−４Ｔ
の磁界が形成される。一方、仮に、寸法公差、接着材１
６の厚さばらつき等を原因として距離Δが０．８ｍｍで
ある場合には、３．５×１０^−４Ｔの磁界が形成され、
相対比で約２０％程度の変化が生じる。

【００３４】しかし、上記のように集磁体１５の凸部１
５ａが、リードフレーム１３の形成面から、公差寄与分
を含めて確実に突出する構成とすることにより、距離Δ
のばらつきを低減することができる。すなわち、距離Δ
のばらつき要因から、少なくとも寸法公差に基づく要因
を排除することができる。このように、距離Δの製造ば
らつきを低減することにより、ホールセンサ１２の検出
する磁界強度（磁束密度）のばらつきを抑え、製品毎の
特性ばらつきを抑えることができる。

【００３５】図３に戻り、パッケージ１４は、リードフ
レーム１３及び集磁体１５を覆い、これらを一体化する
よう形成されている。パッケージ１４は、エポキシ樹脂
から構成されている。パッケージ１４は、ホールセンサ
１２を配置する部分を除いて、リードフレーム１３及び
集磁体１５を包囲するよう形成されている。リードフレ
ーム１３の一面に配置されたホールセンサ１２は、エポ
キシ樹脂等のポッティング材１７によりリードフレーム
１３及びパッケージ１４の形成する空間に固定されてい
る。

【００３６】以下、図６（ａ）〜（ｄ）を参照して、パ
ッケージ１４の形成方法について説明する。

【００３７】パッケージ１４の成型に用いる金型２０
は、図６（ａ）に示すように、上部２０ａと下部２０ｂ
とから構成されている。上部２０ａと下部２０ｂとは、
分離可能となっている。また、上部２０ａは、上部２０
ａを貫通するピンガイド穴２１を備え、押さえピン２２
が挿入可能となっている。

【００３８】下部２０ｂは、ゲート２３を備え、ゲート
２３を介して金型２０内に成型用の樹脂を注入可能とな
っている。ゲート２３は、金型上部２０ａに形成された
ピンガイド穴２１とほぼ同一の径を有する。従って、ゲ
ート２３は、ピンガイド穴２１と同一の工程で、同一の
穿孔装置等で形成することができる。

【００３９】成型工程において、まず、図６（ａ）に示
すように、成型金型２０の内部にリードフレーム１３及
び集磁体１５を配置する。リードフレーム１３と集磁体
１５とは、嵌合した状態で、金型の上部２０ａと下部２
０ｂとに挟まれて配置される。なお、リードフレーム１
３と、集磁体１５とは、集磁体１５の裏面（リードフレ
ーム１３と接しない側の面）が金型下部２０ｂのゲート
２３と対向するように配置される。なお、この状態で、
金型２０全体を予備加熱してもよい。

【００４０】次に、図６（ｂ）に示すように、金型上部
２０ａのピンガイド穴２１に押さえピン２２を挿入して
リードフレーム１３を固定する。なお、図中では、集磁
体１５を押さえるように見えるが、押さえピン２２は、
図２に示すリードフレーム１３の打ち抜き部分以外の部
分を押さえている。

【００４１】次に、図６（ｃ）に示すように、下部金型
２０ｂのゲート２３から、所定温度に加熱された液状の
成型樹脂２４を注入する。ここで、金型のゲート２３
は、図に示すように、集磁体１５の、凸部１５ａの裏面
にあたる位置に配置されている。従って、成型樹脂２４
の注入の際、成型樹脂２４は、ゲート２３を介して、嵌
合状態で配置されたリードフレーム１３及び集磁体１５
の主接面に対して垂直な方向から注入される。ここで、
主接面とは、リードフレーム１３の形成する主面に平行
な（図中の上下方向）、リードフレーム１３と集磁体１
５との接面を指す。

【００４２】続いて、図６（ｄ）に示すように、成型樹
脂２４を金型２０内に所定量注入した後、押さえピン２
２を引き抜き、樹脂硬化させる。なお、硬化の後、所定
の温度及び時間でのアニール処理を施してもよい。以上
の製造工程により、図３に示すような、リードフレーム
１３と集磁体１５とが一体化されたパッケージ１４が形
成される。

【００４３】上記製造工程における成型樹脂２４の注入
の際、リードフレーム１３は、押さえピン２２により固
定されている。また、リードフレーム１３と集磁体１５
とは、リードフレーム１３のＹ字状の打ち抜き部と集磁
体の半円状の溝とが嵌合することにより、互いの接面に
水平な方向に関しては予め固定され、樹脂の流入による
位置ずれは抑えられる。またさらに、成型樹脂２４の注
入（射出）圧力によって、集磁体１５（特に、凸部１５
ａ）は、リードフレーム１３に対して押しつけられるの
で、接面に垂直な方向に関しても、樹脂の流入による位
置ずれ、飛び等は防がれる。

【００４４】垂直方向の位置ずれは、集磁体１５の凸部
１５ａの形成面とホールセンサ１２の裏面との距離Δの
ずれを意味する。上述したように、距離Δのずれは、ホ
ールセンサ１２の感知する磁界を大きく変化させる。従
って、上記したように集磁体１５の裏面に垂直な方向か
ら樹脂注入を行うことにより、距離Δの製造ばらつきを
低減して、一定の検出感度を有する電流検出装置１１を
安定に、高い歩留まりで製造することができる。

【００４５】以上説明したように、本発明においては、
リードフレーム１３及び集磁体１５の成型において、リ
ードフレーム１３と集磁体１５との主接面に対して垂直
な方向から、樹脂の射出圧で成型金型に押しつける形で
樹脂注入を行う。また、成型時、リードフレーム１３と
集磁体１５とは互いに嵌合して固定されている。以上の
構成により、成型中の集磁体１５の位置ずれ、飛び等を
防ぐことができ、高い歩留まりでの製品製造が可能とな
る。

【００４６】また、集磁体１５はリードフレーム１３の
折り返し部分と嵌合する凸形形状を有し、この凸部１５
ａは、寸法公差も含めて、リードフレーム１３の形成面
から確実に突出するよう構成されている。これにより、
凸部１５ａの形成面と、これに接着されるホールセンサ
１２との距離Δの製造ばらつきを抑えることができ、特
性の安定した製品製造が可能となる。

【００４７】本発明は、上記実施の形態に限られず、種
々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可能
な上記実施の形態の変形態様について、説明する。

【００４８】上記実施の形態において、集磁体１５は、
フェライトから構成されるものとした。しかし、これに
限らず、鉄、ニッケル、パーマロイ等、集磁効果を有す
る磁性材料であればいかなるものを用いてもよい。ま
た、集磁効果を向上させるため、さらに、パッケージ１
４又は接着材１６或いはこれらの両方にフェライト、
鉄、ニッケル、パーマロイ等を粉末として、又は、溶融
により添加するようしてもよい。

【００４９】上記実施の形態では、リードフレーム１３
は、Ｙ字状に打ち抜かれた折り返し部分を有する線対称
な電流経路を構成するものとした。しかし、リードフレ
ーム１３の構成は、集磁体１５の位置ずれを抑制すると
ともに、対称な電流経路を形成して通電の際に一定の磁
束密度となる領域を形成可能な構成であればいかなるも
のでもよい。

【００５０】例えば、リードフレーム１３により形成さ
れる電流経路を完全な線対称に構成し、また、電流経路
をほぼ円形として、点対称に構成してもよい。さらに、
対称なリードフレーム１３間の空間をボトルネック形状
として、集磁体１５の凸部１５ａと嵌合可能な構成とし
てもよい。さらにまた、リードフレーム１３は、その全
体が線対称、点対称である必要はない。例えば、図７に
示すように、リードフレーム１３は、円弧状および角形
状をともに有して形成されていてもよい。

【００５１】さらに、集磁体１５の構造に関しても、リ
ードフレーム１３の形状に応じて、位置ずれが起こりに
くく、かつ、効果的な集磁機能が得られる構造であれば
どのようなものでもよい。例えば、集磁体１５は半円状
としたが、方形、多角形等どのような形状でもよい。ま
た、凸部１５ａは円形の主面を有するものとしたが、方
形、多角形、楕円等いかなる形状も可能である。

【００５２】上記実施の形態では、パッケージ１４を形
成する成型樹脂としてエポキシ樹脂を用いるものとし
た。しかし、成型樹脂としては、ポリエチレンテレフタ
レート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレン
サルファイド、液晶ポリマー等を用いてもよい。

【００５３】上記実施の形態では、ホール素子１２ａと
集磁体１５とを備えた電流検出装置１１を成型する際
に、構成部品同士の主接面に垂直な方向から成型樹脂を
ピンゲートから注入するものとした。しかし、これに限
らず、２以上の構成部品を備える電子部品を製造する場
合にも本発明を適用することができ、信頼性の高い成型
を行うことができることは無論である。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
特性の安定した電流検出装置の製造方法及び電流検出装
置が提供される。また、本発明によれば、歩留まりの高
い電流検出装置の製造方法及び電流検出装置が提供され
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる電流検出装置の平面図である。

【図２】本発明にかかる電流検出装置の分解図である。

【図３】本発明にかかる電流検出装置のＡ−Ａ線矢視断
面図である。

【図４】本発明にかかる電流検出装置の集磁体の構成を
示す図である。

【図５】本発明にかかる電流検出装置の部分拡大図であ
る。

【図６】本発明にかかる電流検出装置の製造工程を示す
図である。

【図７】リードフレームの変形例を示す図である。

【符号の説明】

１１電流検出装置１２ホールセンサ１２ａホール素子１３リードフレーム１４パッケージ１５集磁体１５ａ凸部１６接着材１７ポッティング材２０金型２１ピンガイド穴２２押さえピン２３ゲート２４成型樹脂

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】リードフレームと、前記リードフレームに
流れる電流の形成する磁束を検出し、前記リードフレー
ムに流れる電流を検出するホールセンサと、前記電流の
発生する磁束を前記ホールセンサに集める集磁体と、を
有する電流検出装置の製造方法であって、金型の内に、前記リードフレームと、前記集磁体とを重
ねて配置する配置工程と、前記リードフレームと前記集磁体との接触面に対してほ
ぼ垂直な方向から、前記集磁体の前記接触面とは反対側
の面に向かって成型樹脂を前記金型内に注入する工程
と、を備える、ことを特徴とする電流検出装置の製造方法。
【請求項２】前記成型樹脂を前記金型内に注入する工程
において、前記集磁体を前記リードフレームに対して前
記成型樹脂の注入圧力によって押しつけつつ、前記成型
樹脂を前記金型内に注入する、ことを特徴とする請求項
１に記載の電流検出装置の製造方法。
【請求項３】前記配置工程において、前記リードフレー
ムと前記集磁体とを予め固定する、ことを特徴とする請
求項１又は２に記載の電流検出装置の製造方法。
【請求項４】前記配置工程において、前記集磁体を、前
記集磁体の一部が前記リードフレームの前記接触面と反
対側の面から突出するように配置し、さらに、前記ホー
ルセンサを前記突出した部分と接するよう配置する工程
を備える、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか
１項に記載の電流検出装置の製造方法。
【請求項５】リードフレームと、前記リードフレームに
流れる電流の形成する磁束を検出するホールセンサと、
前記電流の形成する磁束を前記ホールセンサに集める集
磁体と、を有する電流検出装置であって、前記集磁体は、前記リードフレームの少なくとも一部と
重なるように配置され、前記集磁体は、前記リードフレ
ームの厚さよりも高く形成された凸部を有し、前記ホールセンサは、前記リードフレームの前記集磁体
の配置された面とは反対側に、前記集磁体の凸部と接し
て配置される、ことを特徴とする電流検出装置。
【請求項６】前記リードフレームは、点対称又は線対称
の電流経路を構成する対称な部分を有し、前記集磁体
は、前記リードフレームの対称な部分に挟まれた領域の
少なくとも一部と重なるように配置され、前記集磁体の
凸部は、前記リードフレームの対称な部分の間を貫通す
るように配置される、ことを特徴とする請求項５に記載
の電流検出装置。