JP2021025785A - 電流センサおよび電流センサの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】通電による電流センサの発熱を抑制する。【解決手段】第１磁気センサと、平面視で第１磁気センサから離して配置され、一次側ワイヤを介して第１磁気センサに接続される信号処理ＩＣと、第１磁気センサおよび信号処理ＩＣの間を通る一次導体、および外部と一次導体との間で被測定電流を流す一次側端子が一体に形成されたリードフレームとを備え、一次側端子および一次導体の間には、一次側端子を一次導体に対して電流センサの第１面とは反対側にオフセットさせる一次側段差が設けられる電流センサを提供する。【選択図】図１

Description

本発明は、電流センサおよび電流センサの製造方法に関する。

従来、電流センサとして、被測定電流によって発生する磁場に応じた信号を出力する磁気センサを用いて被測定電流を検出する電流センサが知られている。たとえば、電流センサは、被測定電流を入出力するための端子、端子に接続され、被測定電流が流れる導体および導体に近接して配置される磁気センサを備える。このような電流センサにおいて、端子をパッケージ表面に露出させて、パッケージをリードレス構造とすることで、パッケージの小型化が進められている。

たとえばこのようなリードレス構造の電流センサの耐圧特性を向上させるために、電流が流れる導体のうち、端子部分以外は薄肉化され、パッケージの内部に収容されていた。その結果、導体は、大きな抵抗を有していた。これにより、電流センサに大きな電流が流れた場合に、導体から生じる発熱は大きく、電流の検出精度に問題が生じていた。

上記課題を解決するために、本発明の第１の態様においては、電流センサを提供する。電流センサは、第１磁気センサを備えてよい。電流センサは、平面視で第１磁気センサから離して配置され、一次側ワイヤを介して第１磁気センサに接続される信号処理ＩＣを備えてよい。電流センサは、第１磁気センサおよび信号処理ＩＣの間を通る一次導体、および外部と一次導体との間で被測定電流を流す一次側端子が一体に形成されたリードフレームを備えてよい。一次側端子および一次導体の間には、一次側端子を一次導体に対して電流センサの第１面とは反対側にオフセットさせる一次側段差が設けられてよい。

一次導体の厚みは、一次側端子の厚みの２／３倍以上１倍以下であってよい。

一次導体および一次側端子は、実質的に同一の厚みを有してよい。

第１磁気センサ、信号処理ＩＣ、一次側端子の一部、および一次導体は、パッケージとして封止されてよい。

第１磁気センサおよび信号処理ＩＣは、パッケージの外部に露出しなくてよい。

一次導体は、パッケージの外部に露出しなくてよい。

磁気センサはホール素子であってよい。

パッケージは、樹脂外形からリードが突出しないリードレス構造であってよい。

一次側端子は、電流センサの第１面とは反対側の面が、パッケージの面に露出してよい。

リードフレームは、二次側ワイヤを介して信号処理ＩＣに接続される二次導体、および、二次導体と一体に形成され、外部と二次導体との間で信号を伝搬させる二次側端子を有してよい。二次側端子および二次導体の間には、二次側端子を二次導体に対して電流センサの第１面とは反対側にオフセットさせる二次側段差が設けられてよい。

一次側段差および二次側段差は、高さが実質的に同一であってよい。

二次導体および二次側端子は、実質的に同一の厚みを有してよい。

信号処理ＩＣは、平面視において一次導体および二次側端子の間に配置されてよい。

一次導体は、当該電流センサの第１辺に沿って配置された第１の一次側端子および第２の一次側端子の間に被測定電流を流すように構成されてよい。第１磁気センサは、平面視で一次導体に囲まれる位置に配置されてよい。

電流センサは、平面視で一次導体および第１辺により囲まれる領域の外側に配置された第２磁気センサを備えてよい。

信号処理ＩＣは、樹脂のみによって支持されてよい。

第１磁気センサおよび信号処理ＩＣは、平面視でリードフレームと重ならない位置に配置されてよい。

本発明の第２の態様においては、電流センサの製造方法を提供する。電流センサの製造方法は、リードフレームを半貫加工または曲げ加工することによって、一次側端子および一次導体の間に一次側段差を設ける段階を備えてよい。

なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。

本実施形態に係る電流センサの内部構造の平面図および概略断面図を示す。 本実施形態に係る電流センサの製造工程のフローを示す。 電流センサの製造工程を説明するための平面図および概略断面図を示す。 電流センサの製造工程を説明するための平面図および概略断面図を示す。 電流センサの製造工程を説明するための平面図および概略断面図を示す。 電流センサの製造工程を説明するための平面図および概略断面図を示す。 電流センサの製造工程を説明するための平面図および概略断面図を示す。 電流センサの製造工程を説明するための平面図および概略断面図を示す。 複数の電流センサを構成するパッケージをダイシングする状態を示す。 本実施形態の第１変形例に係る電流センサの内部構造の平面図および概略断面図を示す。 本実施形態の第２変形例に係る電流センサの内部構造の平面図および概略断面図を示す。

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。

図１は、本実施形態に係る電流センサ１００の構造を示す。図１の（Ａ）は、電流センサ１００の内部構造の平面図を示す。図１の（Ｂ）は、（Ａ）における基準線ＡＡに関する電流センサ１００の概略断面図を示す。電流センサ１００は、導体に流れる被測定電流によって発生する磁場に応じて磁気センサから出力される信号を用いて、被測定電流を検出する。なお、図１をはじめとする概略断面図において、切断面を斜線で示す。なお、図１に示すように、電流センサ１００の底面を第１面１とし、第１面１とは反対の面（上面）を第２面２とする。また、第１面１と垂直な方向を第１方向、第１方向と直交する方向を第２方向、並びに第１方向および第２方向と直交する方向を第３方向とする。また、電流センサ１００の第１面１の第２方向に対向する辺のうちの１辺を第１辺とする。なお、上記の「上面」および「底面」等の用語は、図１に示した状態を基準として便宜上名付けたものであり、基板等に対する電流センサ１００の実装状態を示すものではない。本図の電流センサ１００は、基板側に第２面２が向かうように、基板に実装されるものであり、基板側を「底面」とみれば、第２面２が底面、第１面１が上面となる。

本図の平面図および断面図は、パッケージ８０（第１および第２封止部材８１，８２）を透過して電流センサ１００の内部構成を表している。電流センサ１００は、一次側リードフレーム１０と、第１磁気センサ３０と、一次側ワイヤ５１と、信号処理集積回路（ＩＣ）３６と、二次側ワイヤ５２と、二次側リードフレーム６０と、パッケージ８０とを備える。

一次側リードフレーム１０は、外部（不図示）に接続して、電流センサ１００により検出されるべき外部からの電流（被測定電流と呼ぶ）が流れる導電性部材である。一次側リードフレーム１０は、電流センサ１００の第１辺側に配置される。一次側リードフレーム１０は、複数の一次側端子１２と、一次側ダミー端子１３と、一次導体１４とを有する。

複数の一次側端子１２は、一次導体１４に接続され、外部（不図示）と一次導体１４との間で被測定電流を流すための導電性端子である。本実施形態において、複数の一次側端子１２は、電流センサ１００の第１辺に沿って第３方向に互いに離隔して配設される。複数の一次側端子１２は、平面視で第２方向の第１辺とは反対側の端において、一次導体１４に接続される。各一次側端子１２は、一例として、矩形状に成形される。複数の一次側端子１２は、銅または銅を含む合金等の金属であってよい。複数の一次側端子１２は、第１の一次側端子１２ａと、第２の一次側端子１２ｂとを含み、第１の一次側端子１２ａから第２の一次側端子１２ｂへ（または第２の一次側端子１２ｂから第１の一次側端子１２ａへ）と被測定電流を流すように構成される。

第１の一次側端子１２ａは、平面視で第３方向における第１辺の一方側（図中の上半分）に配設される。第２の一次側端子１２ｂは、平面視で第３方向における第１辺の他方側（図中の下半分）に配設される。

第１の一次側端子１２ａおよび第２の一次側端子１２ｂは、電流センサ１００の第１面１とは反対側の面（すなわち第２面２側の面）が、パッケージ８０の第２面２に面一に露出する。また、第１の一次側端子１２ａおよび第２の一次側端子１２ｂは、電流センサ１００の第１辺側の面が、パッケージ８０の第１辺側の面に面一に露出する。第１の一次側端子１２ａおよび第２の一次側端子１２ｂのその他の面は、パッケージ８０に覆われてよい。各一次側端子１２の第２面２側の露出した面は、電流センサ１００を例えば外部基板上に実装した際に、外部基板上に配設された配線等に半田により接合される。なお、複数の一次側端子１２は、半田による外部基板との接合を容易にするために、少なくとも第２面２側の面にメッキが施されてよい。

一次側ダミー端子１３は、第１辺において、第１の一次側端子１２ａおよび第２の一次側端子１２ｂの間に配置されてよい。一次側ダミー端子１３は、一次導体１４に接続されない。一次側ダミー端子１３は、電流センサ１００の外部との接合強度を向上するために設けられる。また、一次側ダミー端子１３は、電流センサ１００の第１辺側における外部との接合部分および第１辺と反対側における外部との接合部分を略対称にして、接合時のセルフアライメント性を向上させるために設けられる。一次側ダミー端子１３は、複数の一次側端子１２と同様に、一部をパッケージ８０に露出させ、パッケージ８０内に収容されている。一次側ダミー端子１３は、複数の一次側端子１２と同様の素材を有してよい。

一次導体１４は、被測定電流が流れる導電性部材である。一次導体１４は、電流センサ１００の第１辺に沿って配置された第１の一次側端子１２ａおよび第２の一次側端子１２ｂの間に被測定電流を流すように構成される。一次導体１４は、銅または銅を含む合金等の非磁性金属であってよい。一次導体１４は、第１の一次側端子１２ａに接続される脚部１６ａと第２の一次側端子１２ｂに接続される脚部１６ｂとを含む２つの脚部１６と、２つの脚部１６の間の曲部１８を含む。

脚部１６ａは、第１の一次側端子１２ａの配列方向（第３方向）に沿って配設される。脚部１６ａは、平面視で第２方向の第１辺側の端部において、複数の第１の一次側端子１２ａに接続される。脚部１６ｂは、第２の一次側端子１２ｂの配列方向（第３方向）に沿って配設される。脚部１６ｂは、平面視で第２方向の第１辺側の端部において、複数の第２の一次側端子１２ｂに接続される。各脚部１６は、平面視で第３方向を長手とする略矩形状を有してよい。

曲部１８は、第２方向における第１辺側の端部において各脚部１６と接続される。曲部１８は、第１磁気センサ３０および信号処理ＩＣ３６の間を通り、第１磁気センサ３０の少なくとも一部を囲うように形成される。たとえば、曲部１８は、平面視で第１磁気センサ３０の３辺に近接して、Ｕ字状に形成される。曲部１８は、第２方向の第１辺側に向かって開口してよい。なお、曲部１８は、２つの脚部１６と一体的に形成されてよい。

被測定電流は、第１の一次側端子１２ａ（または第２の一次側端子１２ｂ）から入力され、第３方向の一方側の脚部１６を介して曲部１８を流れ、第３方向の他方側の脚部１６を介して第２の一次側端子１２ｂ（または第１の一次側端子１２ａ）から出力される。

一次側端子１２および一次導体１４の間には、一次側端子１２を一次導体１４に対して電流センサ１００の第１面１とは反対側にオフセットさせる一次側段差２０が設けられる。ここで、「オフセットする」とは、元の中心線を基準に、中心線を一定距離ずらすことをいう。つまり、一次導体１４は、第２面２側の面において複数の一次側端子１２に対して第１面１側に凹む。すなわち、第１方向における一次導体１４の第２面２側の面の高さは、複数の一次側端子１２の第２面２側の面の高さより一次側段差２０の高さだけ小さい。これにより、一次導体１４がパッケージ８０表面に露出することを防ぐ。また、一次導体１４は、第１面１側の面において複数の一次側端子１２に対して第１面１側に凹む。すなわち、第１方向における一次導体１４の第１面１側の面の高さは、複数の一次側端子１２の第１面１側の面の高さより一次側段差２０の高さだけ小さい。

一次導体１４の厚みは、一次側端子１２の厚みの２／３倍以上１倍以下である。これに代えて、一次導体１４および一次側端子１２は、実質的に同一の厚みを有してよい。なお、本実施形態において、「実質的に同一」とは、製造誤差によって生じる範囲の相違を含んでもよく、誤差が±１％以内であることを示してもよい。また、一次導体１４および一次側端子１２は、互いに一体に形成されてよい。

一次導体１４は、第１方向における第２面２側の面の高さが後述する第１磁気センサ３０の第２面２側の面の高さより大きくなるように形成されてよい。一次導体１４は、第１方向における第２面２側の面の高さが第１磁気センサ３０の第２面２側の面の高さの倍になるように形成されてよい。

第１磁気センサ３０は、一次導体１４に流れる電流により発生する磁場の磁束に応じた信号を信号処理ＩＣ３６に出力するホール素子であってよい。ホール素子としては、ＩｎＡｓまたはＧａＡｓ等から構成される化合物半導体チップまたはシリコンチップであるホール素子等を採用することができる。また、第１磁気センサ３０は、これに代えて、ホール素子と増幅回路が一体化されたホールＩＣまたは磁気抵抗素子であってもよい。第１磁気センサ３０は、平面視で矩形状であってよい。

第１磁気センサ３０は、一次側ワイヤ５１を介して信号処理ＩＣ３６に接続される。第１磁気センサ３０は、曲部１８の内側に形成される空間内に曲部１８とは非接触で配置される。すなわち、第１磁気センサ３０は、平面視で一次導体１４に囲まれる位置に配置される。本図において第１磁気センサ３０は、平面視で少なくとも３辺において一次導体１４の曲部１８に囲まれる位置に配置される。これにより、第１磁気センサ３０は、一次導体１４に流れる電流によって発生する磁束をより多く捉えることが可能となり、電流検出感度が向上する。また、第１磁気センサ３０は、平面視で曲部１８の対応する辺との間隔が一定となるように配置されてよい。これにより、第１磁気センサ３０は、さらに多くの磁束を検出することができる。

第１磁気センサ３０は、第２面２側の面の四隅において、一次側ワイヤ５１にそれぞれ接続するための端子を有する。

なお、第１磁気センサ３０は、第１方向に対向する面のうち少なくとも一方の面（すなわち、第１面１側および第２面２側の面の少なくとも一方）に磁性体メッキ等により形成された磁性体を有し、磁束を集めてよい。また、第１磁気センサ３０は、第１方向に対向する面のうち少なくとも一方の面において、例えば銅またはアルミニウム等の非磁性導体を用いて静電シールドされ、パッケージ８０外から来る静電ノイズを遮蔽してよい。

一次側ワイヤ５１は、例えば銅や金のような金属等の導電体を用いて成形された線状部材である。一次側ワイヤ５１は、第１磁気センサ３０と信号処理ＩＣ３６とを電気的に接続する。一次側ワイヤ５１は、第１磁気センサ３０の複数の端子と信号処理ＩＣ３６の複数の端子とをそれぞれ接続する複数のワイヤを含む。たとえば、一次側ワイヤ５１の複数のワイヤは、第１磁気センサ３０において第２面２側の面の四隅に配置する複数の端子と、信号処理ＩＣ３６において第２面２側の面の第１辺側に配置する複数の端子とを、それぞれ接続する。一次側ワイヤ５１は、平面視で第２方向に平行に延びるワイヤを有してもよく、第１辺に対して斜めに延びるワイヤを有してもよい。

信号処理ＩＣ３６は、シリコンチップ等の、信号を処理する素子である。信号処理ＩＣ３６は、平面視で第２方向において第１磁気センサ３０と一次導体１４を挟んで、第１磁気センサ３０から離して配置され、一次側ワイヤ５１を介して第１磁気センサ３０に接続される。また、信号処理ＩＣ３６は、二次側端子６４から離して配置され、二次側ワイヤ５２を介して、二次側端子６４に接続される。信号処理ＩＣ３６は、平面視で矩形状であってよい。

信号処理ＩＣ３６は、一次側ワイヤ５１を介して第１磁気センサ３０から受け取った信号を処理して、一次導体１４に流れる電流の量を算出し、二次側ワイヤ５２を介して二次側端子６４に出力する。信号処理ＩＣ３６は、たとえば第２面２側の面の第１辺側および第１辺と反対側に、複数の端子を有する。

信号処理ＩＣ３６は、第１磁気センサ３０からの出力信号を増幅する増幅回路を有してもよい。また信号処理ＩＣ３６は、感度補正回路、出力信号のオフセットを補正するオフセット補正回路、および温度に応じて出力信号を補正する温度補正回路等の補正回路を有してもよい。なお、補正回路は、補正係数等の補正パラメータを含んでよい。

二次側ワイヤ５２は、例えば銅や金のような金属等の導電体を用いて成形された線状部材である。二次側ワイヤ５２は、信号処理ＩＣ３６と二次導体６２とを電気的に接続する。二次側ワイヤ５２は、複数のワイヤを含み、複数のワイヤは、信号処理ＩＣ３６において第２面２側の面の第１辺と反対側に配置する複数の端子と複数の二次導体６２とをそれぞれ接続する。

二次側リードフレーム６０は、信号処理ＩＣ３６と外部デバイス（不図示）との間で送受信される信号を伝搬する導電性部材である。二次側リードフレーム６０は、第１辺と反対側に配置され、電流センサ１００の第１辺と反対側を支持する。二次側リードフレーム６０は、複数の二次導体６２、および複数の二次側端子６４を有する。

複数の二次導体６２は、信号処理ＩＣ３６と二次側端子６４との間で信号を伝搬させる導電性部材である。複数の二次導体６２は、二次側ワイヤ５２の複数のワイヤを介して信号処理ＩＣ３６の複数の端子にそれぞれ接続される。複数の二次導体６２は、第３方向に一定の間隔で並んで配設される。複数の二次導体６２は、信号処理ＩＣ３６の複数の端子の位置に応じて、二次側ワイヤ５２の複数のワイヤのそれぞれの長さが略一定となるように配設されてよい。たとえば、図１において、複数の二次導体６２のうち、第３方向における両端の二次導体６２は、その他の二次導体６２よりも第１辺側に突出して配置されている。複数の二次導体６２は、平面視で略矩形状を有してよい。複数の二次導体６２は、銅または銅を含む合金等の金属であってよい。複数の二次導体６２は、信号処理ＩＣ３６から出力される電流量の算出結果を示す信号を二次側端子６４に伝搬させる。また二次導体６２は、二次側端子６４から受け取った補正パラメータを設定するための信号を信号処理ＩＣ３６に入力する。

複数の二次導体６２は、一次導体１４と実質的に同一の厚みを有する。

複数の二次側端子６４は、外部デバイス（不図示）と二次導体６２との間で信号を伝搬させる導電性部材である。複数の二次側端子６４は、電流センサ１００の第１辺と反対側の辺に沿って、第３方向に一定の間隔で並んで配設され、第１辺側の端部において、複数の二次導体６２と接続される。複数の二次側端子６４は、平面視で略矩形状を有してよい。複数の二次側端子６４は、銅または銅を含む合金等の金属であってよい。複数の二次側端子６４は、信号処理ＩＣ３６の処理結果（たとえば、電流量を示す値）を示す信号を二次導体６２から受け取って外部デバイスに出力する。複数の二次側端子６４はまた、補正パラメータ等の信号処理ＩＣ３６を設定するための信号を外部デバイスから受け取り、二次導体６２を介して信号処理ＩＣ３６へと伝搬させる。複数の二次側端子６４はまた、信号処理ＩＣ３６を駆動するための電源を二次導体６２および二次側ワイヤ５２を介して信号処理ＩＣ３６に供給してよい。

複数の二次側端子６４は、二次導体６２と一体に形成される。複数の二次側端子６４は、複数の二次導体６２と実質的に同一の厚みを有してよい。

また、複数の二次側端子６４は、複数の一次側端子１２と実質的に同じ厚みを有してよい。

各二次側端子６４は、第２面２側の面および第１辺と反対側の面が、パッケージ８０表面の第２面２および第１辺と反対側の面にそれぞれ面一に露出してよい。二次側端子６４の第２面２側の露出した面は、電流センサ１００を例えば外部基板上に実装した際に、外部基板上に配設された配線等に接合される。

各二次側端子６４および各二次導体６２の間には、二次側端子６４を二次導体６２に対して電流センサ１００の第１面１とは反対側にオフセットさせる二次側段差７０が設けられる。つまり、二次導体６２は、第２面２側の面において二次側端子６４に対して第１面１側に下がる。すなわち、第１方向における二次導体６２の第２面２側の面の高さは、二次側端子６４の第２面２側の面の高さより二次側段差７０の高さだけ小さい。これにより、二次導体６２がパッケージ８０表面に露出することを防ぎ、一次側端子１２と二次側端子６４との間の絶縁距離（沿面距離）を大きくすることができる。したがって、電流センサ１００の耐圧特性が向上する。また、二次側段差７０により、信号処理ＩＣ３６と各二次導体６２との間のワイヤ接続スペースを確保することができ、電流センサ１００の小型化および薄型化を容易にする。なお、二次導体６２は、第１面１側の面において二次側端子６４に対して第１面１側に下がり、第１方向における二次導体６２の第１面１側の面の高さは、二次側端子６４の第１面１側の面の高さより二次側段差７０の高さだけ小さい。

二次側段差７０は、一次側段差２０と高さが実質的に同一であってよい。

パッケージ８０は、電流センサ１００が樹脂外形からリードが突出しないリードレス構造を有するように、複数の一次側端子１２および複数の二次側端子６４の一部を除く電流センサ１００の各構成部を封止して保護する。ここで、パッケージ８０は、第１磁気センサ３０および信号処理ＩＣ３６のそれぞれの外面全面を覆って、第１磁気センサ３０および信号処理ＩＣ３６を内部に収容する。それにより、第１磁気センサ３０および信号処理ＩＣ３６はそれぞれ、一次側端子１２および一次導体１４との間の絶縁性を高めることができる。なお、一次側端子１２、一次導体１４または二次側端子６４は、パッケージ８０に直接支持されて、覆われる。したがって、電流センサ１００は、高い耐圧を得ることができる。また、第１磁気センサ３０および信号処理ＩＣ３６を支持するための別途のリードフレームが不要となることで、電流センサ１００の小型化が可能となる。また、第１磁気センサ３０が別途のリードフレームを有さないため、一次導体１４によって囲まれる領域を小さくすることができ、電流センサ１００の感度を高めることができる。

なお、パッケージ８０は、例えば、エポキシなどの絶縁性の樹脂を用いてモールド成形することで、直方体状に成形されてよい。

パッケージ８０は、一次導体１４、一次側端子１２、第１磁気センサ３０、信号処理ＩＣ３６および二次側端子６４の第２面２側（すなわち、上面側）を封止する第１封止部材８１と、第１面１側（すなわち、底面側）を封止する第２封止部材８２とを有する。第１封止部材８１および第２封止部材８２により、一次導体１４は、全ての外面においてパッケージ８０の外部に露出しない。また、第１磁気センサ３０および信号処理ＩＣ３６は、全ての外面においてパッケージ８０の外部に露出しない。これによりパッケージ８０表面において、一次側端子１２と二次側端子６４との間の沿面距離を大きくすることができる。したがって、電流センサ１００の耐圧特性はさらに向上し、電流センサ１００の小型化および薄型化が容易となる。

なお、第１封止部材８１および第２封止部材８２は、同一材料が好ましいが、それぞれ異なる材料であってもよい。また、第１封止部材８１および第２封止部材８２の少なくとも一方は、無機物の材料であるフィラーを含む材料によって形成されてよい。

このように、本実施形態によれば、一次側端子１２および一次導体１４の間に、一次側段差２０が設けられる。これにより、一次導体１４は一次側端子１２と実質的に同一の厚みを有したまま第１面１側にオフセットされるため、一次導体１４が厚みを維持したまま、パッケージ８０内部に収容されることで、一次側端子１２と二次側端子６４との間の沿面距離を大きくすることができる。したがって、一次導体１４の厚みを薄くすることによる抵抗の増大を回避しつつ、電流センサ１００の耐圧特性を向上させることができる。その結果、電流センサ１００に大きな電流が流れた場合においても、発熱による電流の検出精度の低下を抑制することが可能となり、電流センサ１００の小型化および薄型化が容易となる。また、一次側段差２０により、第１磁気センサ３０と信号処理ＩＣ３６とのワイヤ接続スペースを確保することができる。これにより、電流センサ１００の小型化および薄型化がさらに容易となる。

本実施形態によれば、一次導体１４は、第２面２側の面の高さが、第１磁気センサ３０の第２面２側の面の高さより大きくなるように形成されるため、第１磁気センサ３０は、大きな垂直磁束密度（すなわち、第１方向の磁束密度）を検出することができる。したがって、電流センサ１００の検出感度が向上する。また、一次導体１４は、第２面２側の面の高さが第１磁気センサ３０の第２面２側の面の高さの倍になるように形成されるため、第１磁気センサ３０が検出することができる垂直磁束密度を最大化することができる。したがって、電流センサ１００の検出感度がさらに向上する。

本実施形態に係る電流センサ１００の製造方法について説明する。図２に、本実施形態に係る電流センサ１００の製造工程のフローを示す。

Ｓ１０２において、リードフレームに一次導体１４、複数の一次側端子１２、一次側ダミー端子１３ならびに複数の二次導体６２および複数の二次側端子６４のパターンを形成して、一次側リードフレーム１０および二次側リードフレーム６０を形成する。図３は、図２のＳ１０２によって形成された状態、すなわち、一次導体１４、複数の一次側端子１２および一次側ダミー端子１３を含む一次側リードフレーム１０並びに複数の二次導体６２および複数の二次側端子６４のパターンを含む二次側リードフレーム６０を示す。図３の（Ａ）は、平面図であり、図３の（Ｂ）は、（Ａ）における基準線ＡＡに関する概略断面図である。

本実施形態において、一次側リードフレーム１０は、第１辺側に複数の一次側端子１２および一次側ダミー端子１３を、第１辺と反対側に脚部１６および曲部１８を含む一次導体１４を有する。複数の一次側端子１２および一次側ダミー端子１３は、たとえば第１辺側の端部において互いに一体的に結合されてよい。本実施形態において、二次側リードフレーム６０は、平面視で第１辺と反対側の辺に沿って並ぶ複数の二次側端子６４と、複数の二次側端子６４にそれぞれ接続する複数の二次導体６２とを有する。複数の二次側端子６４はそれぞれ、第１辺と反対側の端部において一体的に結合されてよい。一次側リードフレーム１０および二次側リードフレーム６０は、一体的に形成され、たとえば第３方向の端部において互いに連結されてよい。

たとえばリードフレームを構成する金属板をフルエッチングすることにより、第１方向において金属板を貫通する貫通孔を金属板に形成し、リードフレームにパターンを形成する。これにより、一次側リードフレーム１０および二次側リードフレーム６０を形成する。また、金属板をプレス加工することにより、一次側リードフレーム１０および二次側リードフレーム６０を形成してもよい。

金属板の厚みは、一次側リードフレーム１０および二次側リードフレーム６０の厚みと、実質的に同一である。ここで、金属板は、たとえば０．４ｍｍ厚を有する。

なお、図３では、１つの電流センサ１００を構成する１組の一次側リードフレーム１０および二次側リードフレーム６０を示したが、これは説明のための一例であり、複数の電流センサ１００を構成する複数組の一次側リードフレーム１０および二次側リードフレーム６０が配置されてよい。このとき、複数組の一次側リードフレーム１０および二次側リードフレーム６０は、周期的に配置されるように形成されてよく、異なる電流センサ１００を構成する隣り合う一次側リードフレーム１０および二次側リードフレーム６０は、互いに連結されてよい。

Ｓ１０４において、段差加工により、Ｓ１０２において形成された一次側リードフレーム１０の一次側端子１２と一次導体１４との接続部分に一次側段差２０を形成する。図４は、図２のＳ１０４によって形成された状態、すなわち、段差加工により形成された一次側リードフレーム１０および二次側リードフレーム６０を示す。図４の（Ａ）は、平面図であり、図４の（Ｂ）は、（Ａ）における基準線ＡＡに関する概略断面図である。

たとえば、一次側リードフレーム１０を半貫加工または曲げ加工することによって、一次側端子１２および一次導体１４の間に一次側段差２０を設ける。一例として、半貫加工または曲げ加工によって、平面視で一次側リードフレーム１０の第１辺側の端部から所定の範囲の部分（すなわち、一次側端子１２）の第１面１側および第２面２側の面を、それ以外の部分（すなわち、一次導体１４）の第１面１側および第２面２側の面と比較して、第２面２に向かってそれぞれ突出させる。これにより、一次側リードフレーム１０の第１面１側および第２面２側の面に、それぞれ一次側段差２０が形成される。ここで、半貫加工を用いる場合、一次側段差２０の第１方向の高さは、たとえば０．２ｍｍ以下であることが望ましい。

また、二次側リードフレーム６０を半貫加工または曲げ加工することによって、二次側端子６４および二次導体６２の間に二次側段差７０を設ける。一例として、半貫加工または曲げ加工によって、平面視で二次側リードフレーム６０の第１辺と反対側の端部から所定の範囲の部分（すなわち、二次側端子６４）の第１面１側および第２面２側の面を、それ以外の部分（すなわち、二次導体６２）の第１面１側および第２面２側の面と比較して、第２面２に向かって突出させる。これにより、二次側リードフレーム６０の第１面１側および第２面２側の面に、それぞれ二次側段差７０が形成される。ここで、半貫加工を用いる場合、二次側段差７０の第１方向の高さは、たとえば０．２ｍｍ以下であることが望ましい。

なお、二次側リードフレーム６０の二次側端子６４のワイヤ接続面に、例えば銀を用いてメッキ膜を設けてもよい。

任意で、一次側端子１２および一次側ダミー端子１３の第１辺側の先端部分における第１面１側の面をハーフエッチングして、先端部分を薄肉化させてもよい。また、二次側端子６４の第１辺と反対側の先端部分における、第１面１側の面をハーフエッチングして、先端部分を薄肉化させてもよい。一次側端子１２の第１辺側の先端部分および二次側端子６４の第１辺と反対側の先端部分は、後述するＳ１１４におけるダイシング工程により電流センサ１００から切り離される部分である。これにより、切断される部分の一次側リードフレーム１０および二次側リードフレーム６０の厚みは小さくなるため、ダイシング工程が容易となる。

Ｓ１０６において、支持部材９０上にＳ１０４において形成された一次側リードフレーム１０および二次側リードフレーム６０と、信号処理ＩＣ３６と、第１磁気センサ３０とを配置する。Ｓ１０８において、信号処理ＩＣ３６と、第１磁気センサ３０および二次導体６２とをワイヤボンディングする。図５は、図２のＳ１０６およびＳ１０８によって形成された状態、すなわち一次側リードフレーム１０、二次側リードフレーム６０、第１磁気センサ３０および信号処理ＩＣ３６が、支持部材９０上に互いに離隔して配置され、信号処理ＩＣ３６が、第１磁気センサ３０および二次側端子６４とワイヤで接続される状態を示す。図５の（Ａ）は、平面図であり、図５の（Ｂ）は、（Ａ）における基準線ＡＡに関する概略断面図である。

たとえば、Ｓ１０６において、一次側リードフレーム１０および二次側リードフレーム６０の第１面１側の面にシート状の支持部材９０を貼りつける。一次側リードフレーム１０および二次側リードフレーム６０は、一次導体１４側の先端と二次導体６２側の先端とが対向するように支持部材９０上に配置される。そして、支持部材９０上に第１磁気センサ３０および信号処理ＩＣ３６を一次側リードフレーム１０および二次側リードフレーム６０に接触しないように設置する。第１磁気センサ３０および信号処理ＩＣ３６は、平面視で一次側リードフレーム１０および二次側リードフレーム６０と重ならない位置に配置される。これにより、第１磁気センサ３０および信号処理ＩＣ３６を支持するためのアイランドをリードフレームに別途成形する必要はなくなるため、パッケージの薄型化および小型化を実現することができる。第１磁気センサ３０は、一次側リードフレーム１０における一次導体１４の曲部１８の内側に形成される空間内に曲部１８から離隔して配置される。信号処理ＩＣ３６は、平面視において一次導体１４および二次側端子６４の間に、一次導体１４および二次側端子６４から離隔して配置される。このように信号処理ＩＣ３６を一次導体１４より第１辺と反対側において直接支持部材９０上に配置することによって、一次導体１４の第２方向の長さを最小化することができる。支持部材９０として、例えば、粘着層が形成された耐熱性の高いポリイミドテープ等を採用することができる。

たとえば、Ｓ１０８において、Ｓ１０６において形成された第１磁気センサ３０と信号処理ＩＣ３６とを一次側ワイヤ５１によりワイヤボンディングする。また、信号処理ＩＣ３６と各二次導体６２とを二次側ワイヤ５２によりワイヤボンディングする。

なお、一次側リードフレーム１０（すなわち、一次側端子１２および一次導体１４）並びに二次側リードフレーム６０（すなわち、二次側端子６４および二次導体６２）の厚みは、実質的に同一である。また一次側段差２０および二次側段差７０の第１方向における高さは、実質的に同一である。したがって、一次導体１４および二次導体６２の第１面１側の面の高さは、実質的に同一である。これにより、一次導体１４および二次導体６２が支持部材９０によって安定して支持されることができ、支持部材９０上に第１磁気センサ３０および信号処理ＩＣ３６を配置させてワイヤボンディング作業を容易にすることができる。

Ｓ１１０において、Ｓ１０８により形成された一次側リードフレーム１０、二次側リードフレーム６０、第１磁気センサ３０、並びに信号処理ＩＣ３６の第２面２側を第１封止部材８１により封止する。図６は、図２のＳ１１０によって形成された状態、すなわち一次側リードフレーム１０、二次側リードフレーム６０、第１磁気センサ３０および信号処理ＩＣ３６の第２面２側が、第１封止部材８１に覆われる状態を示す。図６の（Ａ）は、平面図であり、図６の（Ｂ）は、（Ａ）における基準線ＡＡに関する概略断面図である。

たとえば、支持部材９０上に配置された一次側リードフレーム１０、二次側リードフレーム６０、第１磁気センサ３０および信号処理ＩＣ３６を、開口を有する箱体状の型枠９２内に収容する。なお、Ｓ１０２において複数の電流センサ１００を構成する複数組の一次側リードフレーム１０および二次側リードフレーム６０を形成した場合は、１つの箱体状の型枠９２内に複数組の一次側リードフレーム１０、二次側リードフレーム６０、第１磁気センサ３０および信号処理ＩＣ３６を収容してよい。

次に板状の蓋体９３を型枠９２上に押しつけて型枠９２の内部空間を閉じ、型枠９２の貫通孔（不図示）を介して第１封止部材８１を型枠９２内に流し込む。なお、複数の一次側端子１２、一次側ダミー端子１３および複数の二次側端子６４の第２面２側の面は、第１封止部材８１が流れ込まないように、蓋体９３の型枠９２側の面に接触してよい。さらに、複数の一次側端子１２、一次側ダミー端子１３および複数の二次側端子６４の第２面２側の面への樹脂滲みを防止するために、たとえば耐熱シートで蓋体９３の型枠９２側の面を覆って、樹脂封止を行ってもよい。

Ｓ１１２において、Ｓ１１０により形成された、第２面２側が封止された一次側リードフレーム１０、二次側リードフレーム６０、第１磁気センサ３０および信号処理ＩＣ３６を含む第１封止体から支持部材９０を除去する。図７は、図２のＳ１１２によって形成された状態、すなわち第１磁気センサ３０および信号処理ＩＣ３６の第１面１側の面が、第２封止部材８２に覆われる状態を示す。図７の（Ａ）は、平面図であり、図７の（Ｂ）は、（Ａ）における基準線ＡＡに関する概略断面図である。

たとえば、第１封止部材８１により第１封止体を型枠９２から取り出し、上下を返して、第１封止体から支持部材９０を剥がす。次に、一次側リードフレーム１０、二次側リードフレーム６０、第１磁気センサ３０、および信号処理ＩＣ３６の第１面１側を第２封止部材８２により封止する。たとえば、第１封止体を上下を返したままの状態で支持部材９０上に配置し、開口を有する箱体状の型枠９４内に収容する。なお、Ｓ１１０において複数の電流センサ１００を構成する複数組の一次側リードフレーム１０、二次側リードフレーム６０、第１磁気センサ３０および信号処理ＩＣ３６の上面側を封止した場合は、１つの箱体状の型枠９４内にその封止体を収容する。

次に開口を有する箱体状の蓋体９５を、蓋体９５の開口が型枠９４の開口に対向するように型枠９４上に押しつけて、２つの開口から形成される内部空間を閉じ、蓋体９５の貫通孔（不図示）を介して第２封止部材８２を内部空間に流し込む。なお、第１封止部材８１の樹脂がガラス転移点以上となるように、型枠９４を加熱してよい。これにより、第２封止部材８２の境界部分の樹脂成分と第１封止部材８１の境界部分の樹脂成分とは、一体化して硬化する。これにより、第１磁気センサ３０、信号処理ＩＣ３６、一次側ワイヤ５１、複数の一次側端子１２および一次側ダミー端子１３の一部、並びに一次導体１４は、パッケージ８０として封止される。第１磁気センサ３０および信号処理ＩＣ３６は、外面全面が樹脂に覆われ、樹脂のみによって支持される。したがって、高い耐圧特性を有する電流センサ１００を製造することができる。なお、複数の一次側端子１２、一次側ダミー端子１３および複数の二次側端子６４の第２面２側の面は、パッケージ８０の内部に封止されず、パッケージ８０の第２面２からそれぞれ面一に露出する。

Ｓ１１４において、Ｓ１１２において形成されたパッケージ８０をダイシングする。図８は、図２のＳ１１４によって形成された状態、すなわちパッケージされた一次側リードフレーム１０、二次側リードフレーム６０、第１磁気センサ３０および信号処理ＩＣ３６が支持部材９６上に配置された状態を示す。図８の（Ａ）は、平面図であり、図８の（Ｂ）は、（Ａ）における基準線ＡＡに関する概略断面図である。

たとえば、Ｓ１１２において形成されたパッケージ８０を型枠９４から取り出し、パッケージ８０の上下を返し、支持部材９６上に配置する。切断線Ｌに沿って、パッケージ８０のうち、一次側リードフレーム１０の各一次側端子１２および一次側ダミー端子１３が互いに連結する部分並びに二次側リードフレーム６０の各二次側端子６４が互いに連結する部分を、第１および第２封止部材８１，８２の外縁とともに切断する。それにより、複数の一次側端子１２および一次側ダミー端子１３の第１辺側の面と、複数の二次側端子６４の第１辺と反対側の面は、パッケージ８０の第１辺側の面および第１辺と反対側の面からそれぞれ面一に露出する。

なお、封止工程後に、一次側リードフレーム１０および二次側リードフレーム６０においてパッケージ８０の表面に露出する部分に対し、たとえば錫等を用いて外装メッキ膜を設けてもよい。

これにより、電流センサ１００が完成する。

本実施形態に係る電流センサ１００の製造方法によれば、半貫加工または曲げ加工を用いて一次側段差２０を形成するため、段差加工後の一次導体１４の厚みは、段差加工前の一次側リードフレーム１０の厚みと実質的に同一である。したがって、段差を形成する手段としてエッチング処理を用いて一次側リードフレーム１０の厚みを部分的に薄くする場合と比較して、段差加工後に一次導体１４の厚みが薄くなることを回避すると共に、厚みばらつきの発生を抑制することができる。これにより、段差加工による一次導体１４の抵抗値上昇を回避すると共に、抵抗ばらつきの発生を抑制することができる。その結果、大電流測定に対応可能でかつ小型、薄型の電流センサ１００を実現することができる。

本実施形態に係る電流センサ１００の製造方法によれば、一次側リードフレーム１０、二次側リードフレーム６０、第１磁気センサ３０および信号処理ＩＣ３６の第２面２側を第１封止部材８１により封止した後、上下を返して、第１面１側を第２封止部材８２により封止する。これにより、第１および第２封止部材８１，８２が一体化したパッケージ８０を形成することができる。したがって、高耐圧特性を有する電流センサ１００を製造することができる。

なお、本実施形態においては、第１磁気センサ３０および信号処理ＩＣ３６がリードフレーム等によって支持されていない形態を示したが、第１磁気センサ３０および信号処理ＩＣ３６は、例えばリードフレーム上に載置されてもよい。

また、電流センサ１００は、一次側ダミー端子１３を有していなくてもよい。

図９は、複数の電流センサ１００を構成するパッケージ８０をダイシングする状態を示す。すなわち、図９は、樹脂封止された複数の電流センサ１００を構成する複数組の一次側リードフレーム１０、二次側リードフレーム６０、第１磁気センサ３０および信号処理ＩＣ３６を形成した場合のパッケージ８０の内部構造の平面図と、切断線Ｌ１，Ｌ２とを示す。本図において、１枚の金属板（全体的なリードフレーム）から複数の電流センサ１００の一次側および二次側リードフレーム１０，６０が形成される。一次側および二次側リードフレーム１０，６０は、第２方向および第３方向にそれぞれ複数組並んで配列する。隣接する一次側および二次側リードフレーム１０，６０は、互いに端部を介して連結する。

互いに連結する複数組の一次側および二次側リードフレーム１０，６０は、図２のＳ１０２〜Ｓ１０４に示す工程と同様の工程によって、１枚の金属板から形成される。パッケージ８０は、当該複数組の一次側および二次側リードフレーム１０，６０を用いて、Ｓ１０６〜Ｓ１１２に示す工程と同様の工程によって形成される。Ｓ１１４において、Ｓ１１２で形成されたパッケージ８０を型枠９４から取り出し、パッケージ８０の上下を返し、支持部材９６上に配置する。次に、切断線Ｌ１，Ｌ２に沿って、パッケージ８０を第２方向および第３方向にそれぞれ切断する。なお、一次側および二次側リードフレーム１０，６０にあらかじめアライメントマーク９８を形成してよく、アライメントマーク９８に従って、パッケージ８０を切断してよい。これにより、個々の電流センサ１００が完成する。

このように、一次側および二次側リードフレーム１０，６０を複数組配列させることで、パターン加工および段差加工を複数組単位でまとめて行うことができる。さらに本構成をとることで、複数の電流センサ１００をまとめて個片化することができる。したがって、電流センサ１００の大量生産が容易となる。

図１０は、本実施形態の第１変形例に係る電流センサ１１０の内部構造を示す。図１０の（Ａ）は、電流センサ１１０の平面図であり、図１０の（Ｂ）は、（Ａ）における基準線ＡＡに関する電流センサ１１０の概略断面図である。図１０に示す電流センサ１１０は、図１に示す電流センサ１００とほぼ同様の構成および機能を有するが、一次側リードフレーム１０に代えて、一次側リードフレーム１１と、第２磁気センサ３２と、一次側ワイヤ５３とを有する点で相違する。なお、本図における図１と同じ符号を示した構成要素は、基本的には図１〜図９に示した説明と同様であるから、説明は省略する。

一次側リードフレーム１１は、図１の一次側リードフレーム１０と同様の構成および機能を有するが、一次導体１４に代えて、一次導体１５を有する点で相違する。

一次導体１５は、図１の一次導体１４と同様の構成および機能を有するが、形状が異なり、延設部１９を有する点で相違する。

延設部１９は、第３方向において曲部１８から延設して形成される。延設部１９は、平面視で第２磁気センサ３２の少なくとも一部を囲うように形成される。たとえば、延設部１９は、平面視で第２磁気センサ３２の２辺に近接して、Ｌ字状に形成される。ただし、延設部１９は、端部において脚部１６に接続されず、脚部１６から離隔して配置される。したがって、延設部１９は、被測定電流が流れない。延設部１９は、第２磁気センサ３２と信号処理ＩＣ３６との間を通る。延設部１９は、脚部１６および曲部１８とともに第３方向に向かって一部開口してよい。第１方向における延設部１９の高さは、曲部１８の高さと実質的に同一である。なお、延設部１９は、曲部１８と一体的に形成されてよい。

第２磁気センサ３２は、第１磁気センサ３０と同様の素子であってよい。第２磁気センサ３２は、平面視で一次導体１５、一次側端子１２および第１辺により囲まれる領域の外側に配置される。第２磁気センサ３２は、延設部１９に囲まれる領域に延設部１９から離れて配置される。延設部１９に電流は流れないため、第１磁気センサ３０の出力と第２磁気センサ３２の出力との差分を取ることで、電流センサ１１０に対して外部から印加される外部磁場ノイズを除去することができる。また、電流が一次導体１５の曲部１８に流れることで発生する熱が延設部１９に伝わるため、第２磁気センサ３２は、第１磁気センサ３０と近い温度環境下に置かれることになり、信号処理ＩＣ３６で演算する温度補正処理が容易になる。

図１０において、第２磁気センサ３２は、第１方向において第１磁気センサ３０と実質的に同じ高さを有してよい。

一次側ワイヤ５３は、例えば銅や金のような金属等の導電体を用いて成形された線状部材である。一次側ワイヤ５３は、第２磁気センサ３２と信号処理ＩＣ３６とを電気的に接続する。一次側ワイヤ５３は、第２磁気センサ３２の各端子と信号処理ＩＣ３６の各端子とをそれぞれ接続する複数のワイヤを含む。たとえば、一次側ワイヤ５３の複数のワイヤは、第２磁気センサ３２において第２面２側の面の四隅に配置する複数の端子と、信号処理ＩＣ３６において第２面２側の面の第１辺側に配置する複数の端子とを、それぞれ接続する。一次側ワイヤ５３は、平面視で第２方向に平行に延びるワイヤを有してもよく、第１辺に対して斜めに延びるワイヤを有してもよい。

本実施形態の第１変形例によれば、電流センサ１１０は、延設部１９および第２磁気センサ３２を有するため、一次導体１５の周囲に生じる外部磁場等のノイズをキャンセルすることができる。

本実施形態の第１変形例によれば、一次導体１５は、延設部１９を有するため、通電時に一次導体１５に発生する熱の一部が延設部１９に伝わる。その結果、電流センサ１１０の放熱性が向上する。

図１１は、本実施形態の第２変形例に係る電流センサ２００の内部構造を示す。図１１の（Ａ）は、電流センサ２００の平面図であり、図１１の（Ｂ）は、（Ａ）における基準線ＡＡに関する電流センサ２００の概略断面図であり、図１１の（Ｃ）は、（Ａ）における基準線ＣＣに関する電流センサ２００の概略断面図である。図１１に示す電流センサ２００は、図１に示す電流センサ１００とほぼ同様の構成および機能を有するが、一次側リードフレーム１０および二次側リードフレーム６０に代えて、一次側リードフレーム４０および二次側リードフレーム６６を有する点で相違する。なお、本図における図１と同じ符号を示した構成要素は、基本的には図１〜９に示した説明と同様であるから、説明を省略する。

一次側リードフレーム４０は、図１の一次側リードフレーム１０と同様の構成および機能を有するが、複数の一次側端子１２および一次側ダミー端子１３を有さず、複数の一次側端子４２を有する点で相違する。

複数の一次側端子４２は、図１の一次側端子１２と同様の構成および機能を有するが、形状が異なる。複数の一次側端子４２は、複数の第１の一次側端子４２ａと複数の第２の一次側端子４２ｂとを有する。

複数の第１の一次側端子４２ａは、第１辺に沿って一定の間隔で並んで配設される。複数の第１の一次側端子４２ａは、平面視で矩形形状を有し、第１辺と反対側の端部において互いに連結される。複数の第１の一次側端子４２ａは、当該端部において、平面視で一次導体１４の一方の脚部１６ａの第１辺側の辺全体に一体的に接続される。なお、複数の第１の一次側端子４２ａが連結する部分は、第３方向において第２の一次側端子４２ｂと反対側に向かって延長され、パッケージ８０表面に露出してよい。

複数の第２の一次側端子４２ｂは、第１辺に沿って一定の間隔で並んで配設される。複数の第２の一次側端子４２ｂは、平面視で矩形形状を有し、第１辺と反対側の端部において互いに連結される。複数の第２の一次側端子４２ｂは、当該端部において、平面視で一次導体１４の一方の脚部１６ｂの第１辺側の辺全体に一体的に接続される。なお、複数の第２の一次側端子４２ｂが連結する部分は、第３方向において第１の一次側端子４２ａと反対側に向かって延長され、パッケージ８０表面に露出してよい。

二次側リードフレーム６６は、図１の二次側リードフレーム６０と同様の構成および機能を有するが、複数の二次導体６２に代えて、複数の二次導体６７を有する点で相違する。

複数の二次導体６７は、図１の複数の二次導体６２と同様の構成および機能を有するが、形状が異なる。

複数の二次導体６７は、第３方向に一定の間隔で並んで配設される。複数の二次導体６７は、複数の二次側端子６４にそれぞれ接続される。第３方向における両端の二次導体６７は、その他の二次導体６７よりも平面視で第１辺側に突出して形成される。これにより、二次側ワイヤ５２の複数のワイヤのそれぞれの長さを略一定とすることができる。また、第３方向における中央の２つの二次導体６７は、第１辺側の端部において互いに連結する。連結する端子を電源に割り当てることで、端子と基板との接触抵抗を下げることができるため、電源電圧の変動を抑えることができる。

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。

特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。

１ 第１面、２ 第２面、１０，１１，４０ 一次側リードフレーム、１２，４２ 一次側端子、１２ａ，４２ａ 第１の一次側端子、１２ｂ，４２ｂ 第２の一次側端子、１３ 一次側ダミー端子、１４，１５ 一次導体、１６、１６ａ、１６ｂ 脚部、１８ 曲部、１９ 延設部、２０ 一次側段差、３０ 第１磁気センサ、３２ 第２磁気センサ、３６ 信号処理ＩＣ、５１，５３ 一次側ワイヤ、５２ 二次側ワイヤ、６０，６６ 二次側リードフレーム、６２、６７ 二次導体、６４ 二次側端子、７０ 二次側段差、８０ パッケージ、８１ 第１封止部材、８２ 第２封止部材、９０、９６ 支持部材、９２，９４ 型枠、９３，９５ 蓋体、９８ アライメントマーク、１００、１１０、２００ 電流センサ

Claims (18)

1. 電流センサであって、
   第１磁気センサと、
   平面視で前記第１磁気センサから離して配置され、一次側ワイヤを介して前記第１磁気センサに接続される信号処理ＩＣと、
   前記第１磁気センサおよび前記信号処理ＩＣの間を通る一次導体、および外部と前記一次導体との間で被測定電流を流す一次側端子が一体に形成されたリードフレームと
   を備え、
   前記一次側端子および前記一次導体の間には、前記一次側端子を前記一次導体に対して前記電流センサの第１面とは反対側にオフセットさせる一次側段差が設けられる
   電流センサ。
2. 前記一次導体の厚みは、前記一次側端子の厚みの２／３倍以上１倍以下である請求項１に記載の電流センサ。
3. 前記一次導体および前記一次側端子は、実質的に同一の厚みを有する請求項１に記載の電流センサ。
4. 前記第１磁気センサ、前記信号処理ＩＣ、前記一次側端子の一部、および前記一次導体は、パッケージとして封止される請求項１から３のいずれか一項に記載の電流センサ。
5. 前記第１磁気センサおよび前記信号処理ＩＣは、前記パッケージの外部に露出しない請求項４に記載の電流センサ。
6. 前記一次導体は、前記パッケージの外部に露出しない請求項４または５に記載の電流センサ。
7. 前記磁気センサはホール素子である請求項４から６のいずれか一項に記載の電流センサ。
8. 前記パッケージは、樹脂外形からリードが突出しないリードレス構造である請求項４から７のいずれか一項に記載の電流センサ。
9. 前記一次側端子は、前記電流センサの前記第１面とは反対側の面が、前記パッケージの面に露出する請求項４から８のいずれか一項に記載の電流センサ。
10. 前記リードフレームは、二次側ワイヤを介して前記信号処理ＩＣに接続される二次導体、および、前記二次導体と一体に形成され、外部と前記二次導体との間で信号を伝搬させる二次側端子を更に有し、
    前記二次側端子および前記二次導体の間には、前記二次側端子を前記二次導体に対して前記電流センサの前記第１面とは反対側にオフセットさせる二次側段差が設けられる
    請求項１から９のいずれか一項に記載の電流センサ。
11. 前記一次側段差および前記二次側段差は、高さが実質的に同一である請求項１０に記載の電流センサ。
12. 前記二次導体および前記二次側端子は、実質的に同一の厚みを有する請求項１０または１１に記載の電流センサ。
13. 前記信号処理ＩＣは、前記平面視において前記一次導体および前記二次側端子の間に配置される請求項１０から１２のいずれか一項に記載の電流センサ。
14. 前記一次導体は、当該電流センサの第１辺に沿って配置された第１の前記一次側端子および第２の前記一次側端子の間に前記被測定電流を流すように構成され、
    前記第１磁気センサは、前記平面視で前記一次導体に囲まれる位置に配置される
    請求項１から１３のいずれか一項に記載の電流センサ。
15. 前記平面視で前記一次導体および前記第１辺により囲まれる領域の外側に配置された第２磁気センサを更に備える請求項１４に記載の電流センサ。
16. 前記信号処理ＩＣは、樹脂のみによって支持される請求項１から１５のいずれか一項に記載の電流センサ。
17. 前記第１磁気センサおよび前記信号処理ＩＣは、前記平面視で前記リードフレームと重ならない位置に配置される請求項１から１６のいずれか一項に記載の電流センサ。
18. 請求項１から１７のいずれか一項に記載の電流センサの製造方法であって、
    前記リードフレームを半貫加工または曲げ加工することによって、前記一次側端子および前記一次導体の間に前記一次側段差を設ける
    製造方法。