CN111886925A - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

显示设备(2)在非显示区域(NA)的边缘盖上设置有缝隙(H)，在狭缝(H)中，在阳极(22)上连接同层的第一导电层(22M)、和阴极(25)，以使在电容电极(CE)上同层的第二金属层(CM)与狭缝(H)重叠方式设置。

Description

显示设备
技术领域
本发明涉及一种显示设备。
背景技术
在专利文献1中公开了如下构成：在OLED(有机发光二极管)的阳极(像素电极)的下侧设置有平坦化膜，并且该阳极和TFT的漏极电极经由形成在平坦化膜上的接触孔连接。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开公报“特开2010-161058号公报(2010年7月22日公开)”
发明内容
本发明所要解决的技术问题
在专利文献1的构成中，存在平坦化膜的形成需要成本的问题。
用于解决问题的方案
本发明的一方面涉及的显示设备是具有显示区域及非显示区域的显示设备，所述显示区域包括多个子像素，所述子像素形成有包含晶体管的子像素电路，所述非显示区域是在所述显示区域的周围并且在端部形成有端子部的非形成区域，所述显示设备的特征在于，在所述显示区域中形成有：第一金属层，其包括所述子像素电路所包含的下层的电极；第一无机绝缘膜，其形成在所述第一金属层的上层；第二金属层，其形成在所述第一无机绝缘膜的上层，且包括所述子像素电路所包含的电极中比所述第一金属层更上层的电极；第二无机绝缘膜，其形成在所述第二金属层的上层；第一电极，其形成在所述第二无机绝缘膜的上层，并且针对每个所述子像素呈岛状地形成在所述子像素电路所包含的电极中的所述第二金属层的更上层；有机绝缘膜，其以覆盖所述第一电极的边缘的方式形成在所述第二无机绝缘膜的上层，并且露出所述第一电极；发光层，其形成在所述第一电极的上层；以及第二电极，其与所述第一电极相对且使所述发光层夹设在之间，所述第二电极跨越所述多个子像素而形成，在所述非显示区域中，在边缘盖形成有围绕所述显示区域的外周的一部分的狭缝，在所述狭缝中，与所述第一电极同层且与所述第一电极分离的第一导电层与所述第二电极接触，形成在所述第二金属层上的第二导电层以隔着所述第二无机绝缘膜与所述狭缝重叠的方式设置，而且，设置有包括由所述第一金属层形成的布线的多条引绕布线，所述引绕布线以在所述狭缝中与所述第一导电层和所述第二导电层交叉的方式从所述非显示区域向所述显示区域延伸，并且与所述显示区域的布线电连接，所述引绕布线在所述狭缝中，隔着所述第一无机绝缘膜、所述第二导电层以及所述第二无机绝缘膜与所述第一导电层重叠。
发明效果
根据本发明的一方面，由于不需要平坦化膜，因此具有成本降低的效果。
附图说明
图1是表示第一实施方式的显示设备的制造方法的流程图。
图2是第一实施方式的显示设备的俯视图。
图3是沿图2所示的A-A'线截取的剖面图。
图4是沿图2所示的B-B'线截取的剖面图。
图5是沿图2所示的C-C'线截取的剖面图。
图6是沿图2所示的D-D'线截取的剖面图。
图7是放大并示出第一实施方式的阳极的一部分的剖面图。
图8是示出第一实施方式的TFT层和发光元件层的形成方法的流程图。
图9是放大了第一实施方式的比较例涉及的显示设备的一部分的剖面图。
图10是示出在第一实施方式的显示设备的显示区域中配置的子像素电路的构成的图。
图11是第二实施方式的显示设备的俯视图。
图12是示出第三实施方式涉及的显示设备的构成的俯视图。
图13是示出第三实施方式涉及的显示设备中的选择输出电路的构成的一个示例的图。
图14是示出第三实施方式涉及的显示设备中的选择输出电路的构成的另一示例的图。
图15是沿图2所示的E-E'线截取的剖面图。
具体实施方式
[第一实施方式]
(显示设备的概略)
以下，“同层”是指在同一过程(成膜工序)中形成的，“下层”是指在早于比较对象的层的过程中形成的，“上层”是指在晚于比较对象的层的过程中形成的。
图1是表示第一实施方式的显示设备的制造方法的流程图。图2是第一实施方式的显示设备的俯视图。图3是沿图1所示的A-A'线截取的剖面图。图4是沿图2所示的B-B'线截取的剖面图。图5是沿图2所示的C-C'线截取的剖面图。图6是沿图2所示的D-D'线截取的剖面图。
在制造柔性显示设备的情况下，如图1、图3至图6所示，首先在具有透光性的支承基板(例如，母玻璃基板)上形成树脂层12(步骤S1)。接着，形成阻挡层3(步骤S2)。接着，形成TFT层4(步骤S3)。接着，形成顶部发射型的发光元件层5(步骤S4)。接着，形成密封层6(步骤S5)。接着，在密封层6上粘贴上表面膜(步骤S6)。
接着，通过激光的照射等从树脂层12剥离支承基板(步骤S7)。接着，在树脂层12的下表面上粘贴下表面膜10(步骤S8)。接着，将包括下表面膜10、树脂层12、阻挡层3、TFT层4、发光元件层5、密封层6的层叠体分割，得到多个单片(步骤S9)。接着，将功能膜粘贴到所得到的单片上(步骤S10)。接着，将电子电路基板(例如IC芯片和FPC)安装到在比形成有多个子像素的显示区域DA靠外侧的非显示区域NA(边框区域)的端部形成的端子部TS上(步骤S11)。接着，实施边缘弯折加工(将图1的折弯部CL弯折180度的加工)，且作为显示设备2(步骤S12)。接着，进行断线检查，如果存在断线则进行修复(步骤S13)。此外，步骤S1～S13由显示设备制造装置(包括进行步骤S1～S5的各工序的成膜装置)进行。
作为树脂层12的材料，例如列举出聚酰亚胺等。树脂层12的部分也可以用两层树脂膜(例如，聚酰亚胺膜)以及夹在它们之间的无机绝缘膜来替换。
阻挡层3是防止水、氧等异物侵入TFT层4和发光元件层5的层，例如，可以由CVD法形成的氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜，或它们的层叠膜构成。
TFT层4包括：半导体膜15；比半导体膜15更上层的无机绝缘膜16(栅极绝缘膜)；比无机绝缘膜16更上层的栅极电极GE；扫描信号线GL和发光控制线EM；比栅极电极GE和扫描信号线GL更上层的无机绝缘膜(第一无机绝缘膜)18；比无机绝缘膜18更上层的电容电极CE；比电容电极CE更上层的无机绝缘膜(第二无机绝缘膜)20；比无机绝缘膜20更上层的、阳极(第一电极)22、源极电极SE、数据线DL及高电平电源线HL。
半导体膜15例如由低温多晶硅(LTPS)或氧化物半导体(例如In-Ga-Zn-O类的半导体)构成。薄膜晶体管(TFT)Tr被构成为包括半导体膜15、栅极电极GE、源极电极SE和漏极电极DE。在图2中，晶体管以顶栅结构示出，但也可以是底栅结构。
无机绝缘膜16可以由例如CVD法形成的氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜或它们的层叠膜构成。
由栅极电极(第一金属层)GE、扫描信号线GL、发光控制线EM、电容电极(第二金属层)CE、例如由包括铝、钨、钼、钽、铬、钛、铜中的至少一个的金属的单层膜或层叠膜构成。栅极电极GE、扫描信号线GL和发光控制线EM通过相同的过程，以相同的材料形成在同层上。
发光元件层5包括覆盖阳极(第一电极、anode)22的边缘的绝缘性的边缘盖(有机绝缘膜)23、比边缘盖23更上层的EL(电致发光)层24、比EL层24更上层的阴极(第二电极、cathode)25。边缘盖23例如通过在涂布了聚酰亚胺、丙烯酸等有机材料之后通过光刻进行图案化而形成。
对于每个子像素SP，在发光元件层5上形成发光元件ES(例如，OLED：有机发光二极管，QLED：量子点发光二极管)，其包括岛状的阳极22和EL层24、跨越了子像素SP的共用层即阴极25，并且控制发光元件ES的子像素电路(后述)形成在TFT层4上。
图7是放大并示出第一实施方式的阳极22的一部分的剖面图。如图7所示，阳极22从下表面膜10侧起依次层叠有ITO膜(Indium Tin Oxide)AX(下层ITO膜)、包含Ag的合金膜AY、和ITO膜AZ(上层ITO膜)，并且具有光反射性。合金膜AY夹在两层的ITO膜AX和AZ之间。
图2至图6的TFT层4中包含一层半导体层和三层金属层(第一金属层、第二金属层、与第一电极同层的金属层)。
栅极电极(第一金属层)GE是包含在子像素电路中的下层电极。电容电极(第二金属层)CE是包含在子像素电路中的电极中的、比栅极电极GE更上层的电极。栅极电极GE、扫描信号线GL和发光控制线EM在同一过程中(在同层中且由同一材料)形成。
阳极22、源极电极SE是包含在子像素电路中的电极中的、比电容电极CE更上层的电极。阳极22、源极电极SE、数据线DL、高电平电源线HL在同一过程中(在同层中且由同一材料)形成。
此外，高电平电源线HL也可以被设置为在矩阵方向上与显示区域DA交叉，并且经由设置在无机绝缘膜18、20上的接触孔而在显示区域DA外连接。在这种情况下，例如，在列方向(或行方向)上延伸的高电平电源线HL能以与阳极相同的材料且在同层上形成，并且在行方向(或列方向)上延伸的高电平电源线HL也可以形成在第二金属层(与电容电极相同的材料且为同层的金属层)上。
无机绝缘膜16、18、20可以由例如CVD法形成的、氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜或它们的层叠膜构成。平坦化膜21例如可以由可聚酰亚胺、丙烯酸等可涂布的有机材料构成。
阴极25可以由MgAg合金(超薄膜)、ITO等透光性的导电材料构成。
EL层24例如由从下层侧开始依次层叠空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层和电子注入层而构成。发光层通过蒸镀法或喷墨法在边缘盖23的开口(每个子像素SP)处形成为岛状。其他层形成为岛状或整面状(共用层)。另外，也可以构成为不形成空穴注入层、空穴输送层、电子输送层、电子注入层中的一个以上的层。
当蒸镀形成OLED的发光层时，使用FMM(精细金属掩模)。FMM是具有多个开口的薄片(例如，殷钢材料制)，并且由通过一个开口的有机物质形成岛状的发光层(对应于一个子像素SP)。
对于QLED的发光层，例如，可以通过喷墨涂布其中扩散了量子点的溶剂，来形成岛状的发光层(对应于一个子像素SP)。
在发光元件ES是OLED的情况下，通过阳极22和阴极25之间的驱动电流，空穴和电子在发光层内再次结合，并且在由此产生的激子转移到基底状态的过程中发光。由于阴极25是透光性的，阳极22是光反射性的，因此从EL层24发出的光朝向上方，并成为顶部发射。
在发光元件ES是QLED的情况下，通过阳极22和阴极25之间的驱动电流，空穴和电子在发光层内再次结合，由此产生的激子在从量子点的导带(conduction band)转移到价带(valence band)的过程中发射光(萤光)。
发光元件层5也可以形成有所述OLED、QLED以外的发光元件(无机发光二极管等)。
将显示区域DA的4个边中的、与扫描信号线GL排列的方向平行的两边(即与数据线DE的延伸方向平行的边)称为第一边DAa和第三边DAc。图3的纸面上侧是第一边DAa，下侧是第三边DAc。将显示区域DA的4个边中的、与数据线DL排列的方向平行的两边(即与扫描信号线GL的延伸方向平行的边)称为第二边DAc和第四边DAd。图3的纸面右侧是第二边DAb，左侧是第四边DAd。第二边DAb是在显示区域DA的彼此相对的两边中靠近搭载有电子电路基板的端子部TS的一边，第四边DAd是在显示区域DA的彼此相对的两边中远离端子部TS的一边。
在非显示区域NA中形成有规定有机缓冲膜27的边缘的第一框状堤Ta和第二框状堤Tb。第一框状堤Ta和第二框状堤Tb分别围绕显示区域DA一周。第一框状堤Ta作为用喷墨法涂布有机缓冲膜27时的液体阻挡件发挥功能。第二框状堤Tb包围第一框状堤Ta的外侧，且作为备用的液体阻挡件发挥功能。第一框状堤Ta和第二框状堤Tb与边缘盖23为同层，并且可以由与边缘盖23相同的工序以及相同的材料构成。第二框状堤Tb也可以形成为膜厚比第一框状堤Ta厚。
密封层6是透光性的，并且包括：覆盖阴极25的无机密封膜26、比无机密封膜26更上层的有机缓冲膜27、比有机缓冲膜27更上层的无机密封膜28。覆盖发光元件层5的密封层6防止水、氧等异物渗透到发光元件层5。
无机密封膜26和无机密封膜28均为无机绝缘膜，例如，可以由通过CVD法形成的氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜或它们的层叠膜构成。有机缓冲膜27是具有平坦化效果的透光性有机膜，并且可以由丙烯酸等可涂布的有机材料构成。有机缓冲膜27例如可以通过喷墨涂布来形成，但是也可以在非显示区域NA中设置用于阻挡液滴的堤。
下表面膜10例如是用于通过在剥离了支承基板后粘贴到树脂层12的下表面来实现灵活性优异的显示设备的PET膜。功能膜39例如具有光学补偿功能、触摸传感器功能和保护功能中的至少一个。
搭载于端子部TS上的电子电路基板沿着显示设备2的一边延伸，并且形成有生成高电平电源电压(ELVDD)的高电平电源、生成低电平电源电压(ELVSS)的低电平电源、控制数据线DL的驱动的数据驱动器等。电子电路基板被设置在端子部TS中，该端子部TS沿着非显示区域NA中的显示设备2的外形的一边延伸。端子部TS将从电子电路基板的各种电路输入的各种信号传输到连接于端子部TS的引绕布线TW。由此，连接到端子部TS的引绕布线TW向显示区域DA传输各种信号。
以上对柔性显示设备进行了说明，但在制造非柔性显示设备的情况下，一般不需要树脂层的形成、基材的更换等，因此，例如在玻璃基板上进行步骤S2～S5的层叠工序，然后转移到步骤S9。
(TFT层和发光元件层的形成方法)
图8是示出第一实施方式的TFT层和发光元件层的形成方法的流程图。如图3至图8所示，在图1的步骤S2之后形成半导体膜15(步骤S3a)。此外，在步骤S2a中，在半导体膜15是氧化物半导体膜的情况下，例如，通过还原被图案化的氧化物半导体膜的规定区域，可以形成作为导体的电容布线。
接着，形成作为栅极绝缘膜的无机绝缘膜16(步骤S3b)。
接着，通过同一工序形成栅极电极GE和扫描信号线GL(步骤S3c)。由此，形成第一金属层。
接着，形成覆盖栅极电极GE和扫描信号线GL的无机绝缘膜18(步骤S3d)。
接着，在无机绝缘膜18上形成电容电极CE(步骤S3e)。由此，形成第二金属层。
然后，形成覆盖电容电极CE的无机绝缘膜20(步骤S3f)。
接着，在无机绝缘膜20上，通过同一工序形成阳极22、源极电极SE、数据线DL、高电平电源线HL(步骤S3g)。由此，形成与阳极22同层的金属层。然后由此形成TFT层。
数据线DL是供给数据信号电压(表示灰度的电压)的数据信号线。阳极22通过形成在无机绝缘膜20上的接触孔连接到半导体膜15。由此，阳极22还兼具有作为薄膜晶体管Tr的漏极电极的功能。另外，高电平电源线HL通过形成在无机绝缘膜20上的接触孔连接到电容电极CE。
接着，以覆盖阳极的边缘的方式形成边缘盖23(步骤S4a)。此处，使用光刻法对涂布的有机绝缘膜进行图案化，形成边缘盖23。另外，通过边缘盖23的开口来规定子像素SP的发光区域。
接着，通过使用了FMM(Fine Metal Mask，精细金属掩模)的蒸镀方法，在边缘盖23的开口部形成EL层24(步骤S4b)。接着，将阴极25形成为整面状(步骤S3c)。
另外，边缘盖23覆盖源极电极SE、以及阳极22的一部分。例如，如图3至图6所示，子像素电路所需的电容形成在通过接触孔与高电平电源线连接的电容电极CE与扫描信号线GL的重叠部分上。此外，也可以构成为在连接到数据线DL的电容电极CE与扫描信号线GL的重叠部分上形成电容。
图9是放大了第一实施方式的比较例涉及的显示设备202的一部分的剖面图。
根据第一实施方式的显示设备2的结构，与图9所示的比较例的显示设备202相比，不需要配置在阳极22的下层的源极电极SE、漏极电极DE以及数据线dl，因此可以避免由通常为厚膜的源极电极SE、漏极电极de和数据线dl引起的凹凸对发光元件层带来的不利影响。另外，由于不需要通常使用昂贵材料的平坦化膜21，因此与制造工序的削减相结合，成本降低效果大。
另外，当在显示区域中设置平坦化膜21时，在作为树脂的平坦化膜的后工序中，为了执行多个光刻工序和蚀刻工序，存在在这些工序中水分积存在树脂内，且经过长时间使发光元件劣化的问题。另一方面，根据显示设备2，由于不需要平坦化膜21，因此也能够防止发光元件的劣化。
另外，如图7所示，由于阳极22中包含的ITO膜Ax与包含氧化物半导体(例如In-Ga-Zn-O类的半导体)的半导体膜15接触，因此能够实现接触电阻小，且开关特性优异的晶体管。
(子像素电路的构成)
图10是表示配置在显示区域DA中的子像素电路的结构的图。图10示出了与m列n行对应的子像素电路的构成。此外，此处说明的子像素电路的构成是一个示例，也可以采用其他构成。
如图2和图10所示，在显示区域DA中，设置有沿列方向延伸的多条数据线DL[m]和多条高电平电源线ELVDD、沿与列方向交叉的行方向延伸的多条扫描信号线GL[n-1]和GL[n]、多条发光控制线EM[n]。而且，显示区域DA中设置有初始化电源线Vini[n]。
发光控制线EM[n]被设置为与扫描信号线GL[n]一对一地对应。高电平电源线ELVDD可以被设置为与数据线DL[m]一对一对应，也可以针对多条数据线DL[m]的每一个而设置。高电平电源线ELVDD向显示区域DA中的各子像素电路供给作为共用的恒定电压的高电平电源电压(ELVDD)。
电容器C1由电容电极CE和扫描信号线GL构成(图3)，在该电容电极CE与扫描信号线GL重叠的部分处，储存子像素电路的动作所需的电容。电容电极CE与高电平电源线ELVDD连接，从而供给高电平电源电压(ELVDD)。
向发光元件ES的阴极25供给低电平电源电压(ELVSS)，该低电平电源电压为在各子像素电路中共用的恒定电压。
作为一个示例，作为恒定电压的低电平电源电压(ELVSS)为-4V左右，作为恒定电压的高电平电源电压(ELVDD)为5V左右，作为恒定电压的初始化电源电压(Vini)为-5V左右，在发光控制电压(EM)有效时(导通时)为-8V左右，非有效时(关闭时)为7V左右，扫描信号电压(scan)有效时(导通时)为-8V左右，非有效时(关闭时)为7V左右，数据信号电压(date)有效时(黑显示时)为6V左右，非有效时(白显示时)为3V左右。
此外，在图8所示的一个示例中，子像素电路具有：形成在TFT层4上的初始化晶体管T1、阈值电压补偿晶体管T2、写入控制晶体管T3、驱动晶体管T4、电源供给控制晶体管T5、发光控制晶体管T6和阳极充放电晶体管T7。写入控制晶体管T3连接到扫描信号线GL[n]和数据线DL[m]。
接着，在扫描信号线GL[n]处于有效的期间，从数据线DL[m]向子像素SP供给与显示灰度对应的电位信号，并且在发光控制线Em[n]处于有效的期间，发光元件ES以与显示灰度数据对应的亮度发光。
(非显示区域NA的具体构成)
如图2至图6所示，在非显示区域NA中设置有多条引绕布线TW，用于经由端子部TS从电子电路基板向显示区域DA供给各种电压。
引绕布线TW是包括由第一金属层形成的第一金属层的布线TWG的布线。
引绕布线TW通过将一个端部与端子部TS连接，经由端子部TS与电子电路基板的各电路连接，并朝向另一个端部向显示区域DA方向延伸，另一个端部与各种布线等连接。
例如，引绕布线TW包括第一金属层的布线TWG和第一金属层的布线TWG。第一布线TWS是与数据线DL和阳极22形成在同层上的布线，形成在无机绝缘膜20上，并且从端子部TS引出到折弯部CL紧前。而且，第一布线TWS也可以设置在比折弯部CL更靠显示区域DA侧的无机绝缘膜20上。
第一金属层的布线TWG是与栅极电极GE形成在同层的布线，且形成在无机绝缘膜16上，其一个端部经由形成在无机绝缘膜18和20上的接触孔与第一布线TWS连接，且通过折弯部CL的下层而与折弯部CL交叉，另一端部经由接触孔与各种布线连接。此外，第一金属层的布线TWG也可以设置在比折弯部CL更靠显示区域DA侧的无机绝缘膜16上。
在图4所示的示例中，表示了引绕布线TW中、一个端部经由端子部TS与数据驱动器连接，另一个端部与数据线DE连接的引绕布线TWD。引绕布线TWD将从数据驱动器供给的数据信号电压提供给数据线DE。
在图5所示的示例中，表示了引绕布线TW中、一个端部经由端子部TS与低电平电源连接，另一个端部与第一导电层22M连接的引绕布线TWL表示。如后所述，引绕布线TWL经由第一导电层22M将从低电平电源供给的低电平电源电压(ELVSS)供给到阴极25。
在图6所示的示例中，示出了引绕布线TW中的、一个端部经由端子部TS与低电平电源连接，另一个端部与第二导电层CM连接的引绕布线TWL。如后所述，引绕布线TWL将从低电平电源供给的低电平电源电压(ELVSS)提供给第二导电层CM。这样，通过向第二导电层CM供给低电平电源电压(ELVSS)，能够防止低电平电源电压(ELVSS)以外的噪声进入与第二导电层CM重叠的阴极25。在向第二导电层CM供给低电平电源电压(ELVSS)的情况下，优选第二导电层CM在阴极25的缘的更外侧与引绕布线TWL连接。由此，能够更可靠地防止低电平电源电压(ELVSS)以外的噪声进入到与第二导电层CM重叠的阴极25。
此外，例如，引绕布线TW的一个端部经由端子部TS与电子电路基板的高电平电源连接，另一个端部与高电平电源线HL连接，因此也可以具有向高电平电源线HL供给高电平电源电压(ELVDD)的引绕布线。
如图2至图6所示，在非显示区域NA中，以包围显示区域DA的外周的至少一部分的方式在边缘盖21上形成狭缝H。
狭缝是形成在边缘盖21上的槽。狭缝H例如包围显示区域DA的外周的三个边(例如第一边DAa、第三边DAc和第四边DAd)，并且其两端部之间分离。狭缝H的两端部在显示区域DA的第二边Dab与端子部TS之间的区域中相互分离。即，在显示区域DA的第二边Dab与端子部TS之间的区域中设置有狭缝H的间隙。
另外，覆盖显示区域DA的阴极25也扩展到非显示区域NA，并且在狭缝H内也形成有阴极25。另外，阴极25也形成在非显示区域NA中，其中边缘不与第一框状堤Ta重叠。
在非显示区域NA中，在狭缝H内的底面及侧面上设置有与阳极22同层且与阳极22分离的第一导电层22M。
第一导电层22M例如包围显示区域DA的外周的三个边(例如第一边DAa、第三边DAc和第四边DAd)，并且其两端部之间分离。第一导电层22M的两端部在显示区域DA的第二边Dab与端子部TS之间的区域中相互分离。即，在显示区域DA的第二边DAb与端子部TS之间的区域中设置有第一导电层22M的间隙。
第一导电层22M通过在狭缝H内与上层的阴极25重叠而电连接。而且，第一导电层22M与引绕布线TW中的、一端经由端子部TS与设置在电子电路基板上的低电平电源连接的引绕布线TWL连接(图5)。
由此，从低电平电源供给的低电平电源电压(ELVSS)通过引绕布线TWL，在狭缝H内被供给到第一导电层22M，并且从第一导电层22M被供给到阴极25。由此，能够向显示区域DA内的各子像素电路供给发光元件ES的发光所需的低电平电源电压(ELVSS)。
第一导电层22M以围绕显示区域DA的外周的三个边(例如第一边DAa、第三边DAc和第四边DAd)的方式在狭缝H内与阴极25接触。由此，能够在显示区域DA的面内均匀地供给作为恒定电压的低电平电源电压(ELVSS)。
在图3所示的示例中，当将离开显示区域DA的方向的长度设为宽度时，第一导电层22M的宽度AMW比狭缝H的宽度HW宽，且比第二导电层CM的宽度CMW窄。
此外，在显示设备2中，在非显示区域NA中的、与显示区域DA相邻的区域中设置有扫描信号控制驱动器GDR1、GDR2和发光信号控制电路EMDR1、EMDR2。扫描信号控制驱动器GDR1和发光信号控制电路EMDR1以沿显示区域DA的第一边DAa延伸的方式设置。扫描信号控制驱动器GDR2和发光信号控制电路EMDR2以沿显示区域DA的第三边DAc延伸的方式设置。
多条扫描信号线GL分别连接到扫描信号控制驱动器GDR1和GDR2。在显示设备2中，通过扫描驱动器SDR1和SDR2，从显示区域DA的两侧(第一边DAa侧和第三边DAc侧)控制设置在显示区域DA中的多条扫描信号线GL的驱动。
多条发光控制线EM分别连接到发光信号控制电路EMDR1和EMDR2。在显示设备2中，通过发光信号控制电路EMDR1和EMDR2，从显示区域DA的两侧(第一边DAa侧和第三边DAc侧)控制设置在显示区域DA中的多条发光控制线EM的驱动。
扫描信号控制驱动器GDR1和发光信号控制电路EMDR1经由狭缝H而相对地设置。扫描信号控制驱动器GDR2和发光信号控制电路EMDR2经由狭缝H而相对地设置。
如图3所示，扫描信号控制驱动器GDR1和GDR2具有多个扫描驱动晶体管GTr，该多个扫描驱动晶体管GTr是通过与TFT层4中包含的薄膜晶体管Tr相同的制造过程来制作的。发光信号控制电路EMDR1和EMDR2具有多个发光驱动器晶体管EMTr，该多个发光驱动器晶体管EMTr是通过与TFT层4中包含的薄膜晶体管Tr相同的制造过程来制作的。扫描驱动晶体管GTr和发光驱动晶体管EMTr分别包括半导体膜15、栅极电极GE、源极电极SE和漏极电极DE。另外，源极电极SE和漏极电极DE通过与阳极22相同的过程来形成。
例如，多个发光驱动器晶体管EMTr沿着狭缝H的延伸方向排列设置在狭缝H中的远离显示区域DA的侧即外侧。多个扫描驱动晶体管GTr沿着狭缝H的延伸方向排列设置在狭缝H中的靠近显示区域DA的侧即内侧。这是因为，流过扫描信号线GL的信号与流过发光控制线EM的信号相比，处于有效(导通)的时间短，并且受到与第二导电层CM的耦合影响的效果比流过发光控制线EM的信号大。即，这可以抑制因与第二导电层CM的耦合而对流过扫描信号线GL的信号带来的影响。
并且，具有与栅极电极GE同层，且与栅极电极GE分离的布线即引绕布线TWDR。例如，引绕布线TWDR是引绕布线TW中的、与用于将发光控制线EM的控制电压发送到发光驱动器晶体管EMTr的发光驱动器晶体管EMTr连接，或者，与用于将扫描信号线GL的控制电压发送到扫描驱动器晶体管GTr的扫描驱动器晶体管GTr连接的布线。
引绕布线TWDR是狭缝H的下层，且以与狭缝H和第一导电层22M交叉的方式延伸。
这样，在显示设备2上设置有由与栅极GE同层的金属层所引绕的各种各样的引绕布线TW。并且，这些引绕布线TW除了低电平电源电压(ELVSS)以外还被施加有各种电压(例如，高电平电源电压、数据信号电压等)。
此处，在显示设备2中，没有在显示设备202(图9)中设置在阳极22的下层设置的平坦化膜21。此，在显示设备2中，设置在与阳极22同层上并供给有低电平电源电压的第一导电层22M与由与栅极GE同层的金属层引绕的引绕布线TWDR之间的距离近。
尤其地，在狭缝H内，由于第一导电层22M设置在狭缝H的底面上，因此在狭缝H内，第一导电层22M与引绕布线TWDR之间的距离变近。
因此，到目前为止，并不优选设置布线以使狭缝交叉，并且有必要引绕布线以尽可能地不与狭缝交叉。
因此，如图2至图6所示，在显示设备2中，以隔着无机绝缘膜20与狭缝重叠的方式还设置有与电容电极CE同层的第二导电层CM。
即，第二导电层CM介于设置在狭缝H内的第一导电层22M与设置在狭缝H的下层的引绕布线TWDR之间。
由此，即使将引绕布线TWDR设置为至少一部分与狭缝H重叠，也能够通过第二导电层CM来屏蔽因设置在每个狭缝H内的第一导电层22M的电压(例如低电平电源电压(ELVSS))和引绕布线TWDR的电压(例如，发光控制线EM的控制电压或扫描信号线GL的控制电压等)的不同而引起的、电容负载对每个带来的影响。由此，显示设备2能以与狭缝H交叉的方式设置引绕布线TWDR。因此，根据显示设备2，引绕布线TW的设计的自由度增加，并且可以不受噪声影响地显示高质量的图像。
在图15所示的引绕布线TW包括一个端部与端子部TS连接的第一金属层的布线TWG，并且以在狭缝H中与第一导电层22m和第二导电层CM交叉的方式从非显示区域NA向显示区域DA延伸并与显示区域DA的布线电连接。接着，图15所示的引绕布线TW在狭缝H中隔着无机绝缘膜18、第二导电层CM和无机绝缘膜20与第一导电层22M重叠。这样，由于引绕布线TW包括第一金属层的布线TWG，且可以通过第二导电层CM的下层而与狭缝H交叉，因此布线设计的自由度高。
另外，在上述说明中，示出了引绕布线TWDR与供给有低电平电源电压(ELVSS)的第一导电层22M重叠的示例，但是，引绕布线TWDR例如也可以与供给有是其他恒定电压(例如，高电平电源电压(ELVDD)或初始化电源电压(Vini)等)的部件重叠。
另外，第二导电层CM也可以供给高电平电源电压(ELVDD)。在这种情况下，第二导电层CM通过设置在无机绝缘膜20上的接触孔，与在引绕布线TW中的引绕布线TWH电连接，该引绕布线TWH的一端通过端子部TS与设置在电子电路基板上的高电平电源连接。
或者，通过使显示区域DA内的高电平电源线HL从显示区域DA跨越显示区域DA的第四边DAd向非显示区域NA内延伸，与第二导电层CM重叠。接着，也可以通过设置在无机绝缘膜20上的接触孔连接第二导电层CM和延伸到非显示区域NA的高电平电源线HL，也可以向第二导电层CM供给高电平电源电压(ELVDD)。
在图15所示的示例中，高电平电源线HL以跨越显示区域DA中离端子部TS远的一侧的第四边DAd从显示区域DA与第二导电层CM重叠的方式延伸，并与第二导电层CM连接。并且，如图15所示，高电平电源线HL通过设置在无机绝缘膜20上的接触孔，与在显示区域DA中的第四边Dad与第二导电层CM之间形成的、以相同材料与阳极22在同层形成的第3导电层22M1连接。通过设置该第三导电层22M1，可以降低高电平电源线HL的电阻。第三导电层22M1与第一导电层22M电连接。
并且，例如，使施加有数据信号电压的引绕布线TW(即，与数据驱动器连接的引绕布线TW)与供给有该高电平电源电压(ELVDD)的第二导电层CM交叉。
该数据信号电压的一个示例是3V(例如发光元件为白色发光时)至6V(例如发光元件为黑色发光时)左右，高电平电源电压的一个示例为5V左右。这样，数据信号电压与高电平电源电压在电压上相对接近。因此，可以更可靠地抑制第二导电层CM和与第二导电层CM交叉的引绕布线TW之间的噪声的影响。
另外，第二导电层CM可以供给其他恒定电压(例如，高电平电源电压(ELVDD)或初始化电源电压(Vini)等)。进而，第二导电层CM也可以处于不被供给电压而电气浮动的状态。
第二导电层CM包围显示区域DA的三边。因此，在将高电平电源电压供给到第二导电层CM2的情况下，设置在显示区域DA的高电平电源线ELVDD中的、靠近第四边DAd的一侧的端部(远离端子部TS的一侧的端部)也可以从显示区域DA向非显示区域NA延伸，并且与第二导电层CM2连接。由此，能够使显示区域DA内的高电平电源线ELVDD在恒定电压下更均匀。结果，可以获得能够进行更高质量的图像显示的显示设备2。
另外，在显示区域DA中设置的多条数据线DL可以包括：两端部中靠近端子部TS的一侧的端部与连接到数据驱动器的引绕布线TW即引绕布线TWD连接的数据线DL，以及两端部中远离端子部TS的一侧的端部与连接到数据驱动器的引绕布线TW即引绕布线TWD连接的数据线DL。由此，可以从两者向设置在显示区域DA的多条数据线DL供给数据信号电压。
另外，与数据线DL的两端部中远离端子部TS一侧的端部连接的引绕布线TWD可以是在中途从与数据线DL的两端部中靠近端子部TS一侧的端部连接的引绕布线TWD分支出来的布线，也可以是与数据驱动器连接的布线。
这样，在显示设备2中，由于设置有第二导电层CM，因此引绕布线TW的设计的自由度高，并且布线可以从数据驱动器引绕至位于远离数据驱动器的区域的数据信号线DL的端部。
此外，也可以通过仅将两端部中的靠近端子部TS一侧的一端与引绕布线TWD连接，仅从一侧向数据DL输入数据信号电压。
[第二实施方式]
在显示区域形成有异形部的情况下，也可以沿着该异形部引绕布线。图11是表示第二实施方式涉及的显示设备2A的构成的俯视图。
显示设备2A在显示区域DA的第三边Dac上具有异形部2e。异形部2e具有从第三边DAc向显示区域DA的中心部方向凹陷的形状(切口形状)。并且，显示设备2的外形也沿着第三边DAc上的异形部2e形成异形形状(向中心部分方向凹陷的形状)，并且在第三边Dac与显示设备2的外形之间的狭缝H也沿着第三边DAc的异形部2e形成异形形状。
另外，第二导电层CM在狭缝H的异形形状部分处也与狭缝H的异形形状相匹配地形成异形形状。
然后，在显示区域DA中设置的多条扫描信号线GL和多条发光控制线EM中，一部分扫描信号线GL和多条发光控制线EM在显示区域DA的异形部2e中，在显示区域DA的外侧，具有与显示区域DA的异形部2e相对应地弯曲的形状。
上述一部分的扫描信号线GL和多条发光控制线EM从扫描信号控制驱动器GDR1和发光信号控制电路EMDR1、扫描信号控制驱动器GDR2和发光信号控制电路EMDR2中的一方延伸到显示区域DA内，并且在显示区域DA的异形部2e中向显示区域DA外延伸，且通过狭缝H的下层与狭缝H以及第二导电层CM交叉，并沿着狭缝H的异形形状部向显示区域DA的中心方向弯曲。然后，进一步地，上述一部分的扫描信号线GL和多条发光控制线EM通过狭缝H的下层与狭缝H和第二导电层CM交叉，并在显示区域DA的异形部2e中向显示区域DA内延伸，且向扫描信号控制驱动器GDR2以及发光信号控制回路EMDR2和扫描信号控制驱动器GDR1以及发光信号控制电路EMDR1另一方延伸。
如上所述，根据显示设备2A，由于以与狭缝H重叠的方式设置有第二导电层CM，因此可以使狭缝H与扫描信号线GL和发光控制线EM交叉。由此，在显示区域DA中的隔着异形部2e设置的区域能够防止由异形部2e供给的电压变得不均匀。由此，即使设置了异形部2e，也可以得到能够以均匀的亮度显示图像的显示设备2A。
[第三实施方式]
可以沿着显示区域的两边设置解复用器。
图12是表示第三实施方式涉及的显示设备2B的构成的俯视图。
在显示设备2B中，选择输出电路42a和42b被设置在非显示区域NA中。选择输出电路42a沿着显示区域DA的第二边DAb延伸设置。选择输出电路42b沿着显示区域DA的第四边DAd延伸设置。
此外，选择输出电路42a和42b具有相同的电路。在不区分选择输出电路42a和42b的情况下，将选择输出电路42a和42b统称为选择输出电路42。
图13是示出选择输出电路42的构成的一个示例的图。选择输出电路42具有多个解复用器421、422、423…。解复用器421、422、423…将分别设置在显示区域DA中的多条数据信号线DL捆束成一条数据信号干线di中。
在图13所示的示例中，解复用器421、422、423…针对每个RG、BR、GB等，将相邻的两条数据信号线DL捆束成一条数据信号干线di。
解复用器421具有从数据信号干线d1(di)分支的数据信号线DL1和DL2、设置在数据信号线DL1上的解复用器晶体管DMTr1、以及设置在数据信号线DL2上的解复用器晶体管DMT r2。解复用器422具有从数据信号干线d2(di)分支的数据信号线DL3和DL4、设置在数据信号线DL2上的解复用器晶体管DMTr3、以及设置在数据信号线DL4上的解复用器晶体管DMTr4。解复用器423具有从数据信号干线d3(di)分支的数据信号线DL5、DL6、设置在数据信号线DL5上的解复用器晶体管DMTr5、以及设置在数据信号线DL6上的解复用器晶体管DMTr6。其他的解复用器也是同样的。
然后，与设置在各数据信号线中的一方的数据信号线上的解复用器晶体管DMTr1、DMTr3、DMTr5...共通地连接有控制信号线ASW1。与设置在各数据信号线中的另一方数据信号线上的解复用器晶体管DMTr2、DMTr4、DMTr6...共通地连接有控制信号线ASW2。
通过来自该控制信号线ASW1和ASW2的控制信号(ASW)，来切换解复用器晶体管DMTr1、DMTr3、DMTr5…和解复用器晶体管DMTr2、DMTr4、DMTr6…的导通和断开。由此，通过切换数据信号线DL1、DL3、DL5…和数据信号线DL2、DL4、DL6…的有效状态和非有效状态，从数据信号干线di供给的数据信号电压的、向各发光元件的供给的导通和断开被切换。
或者，选择输出电路42也可以具有图14所示的多个解复用器。图14是示出第三实施方式涉及的显示设备中的选择输出电路的构成的另一示例的图。
在图14所示的示例中，解复用器421、422…针对每个RGB等，将相邻的3条数据信号线DL捆束成1条数据信号干线di。
解复用器421具有从数据信号干线d1(di)分支的数据信号线DL1、DL2、DL3、设置在数据信号线DL1上的解复用器晶体管DMTr1、设置在数据信号线DL2上的解复用器晶体管DMTr2以及设置在数据信号线DL3上的解复用器晶体管DMTr3。解复用器422具有从数据信号干线d2(di)分支的数据信号线DL4、DL5、DL6、设置在数据信号线DL4上的解复用器晶体管DMTr4、设置在数据信号线DL5上的解复用器晶体管DMTr5以及设置在数据信号线DL6上的解复用器晶体管DMTr6。其他解复用器也是同样的。
然后，与设置在各数据信号线中的连接到相同颜色(例如红色)的发光元件的数据信号线DL1、DL4…上的解复用器晶体管DMTr1、DMTr4…共通地连接有控制信号线ASW1。与设置在各数据信号线中的连接到相同颜色(例如绿色)的发光元件的数据信号线DL2、DL5…上的解复用器晶体管DMTr2、DMTr5…共通地连接有控制信号线ASW2。与设置在各数据信号线中的连接到相同颜色(例如蓝色)的发光元件的数据信号线DL3、DL6…上的解复用器晶体管DMTr3、DMTr6…共通地连接有控制信号线ASW3。
通过来自该控制信号线ASW1、ASW2、ASE3的控制信号(ASW)，解复用器晶体管DMTr1、DMTr4…、解复用器晶体管DMTr2、DMTr5…和解复用器晶体管DMTr3、与DMTr6…的导通和切断被切换。由此，通过切换数据信号线DL1、DL4…、数据信号线DL2、DL5…和数据信号线DL3、DL6…的有效状态和非有效状态，由此从数据信号干线di供给的数据信号电压的、向各发光元件供给的导通和断开被切换。
如图12所示，在显示设备2B中，作为引绕布线TW，具有用于向在选择输出电路42a中设置的数据信号干线di供给数据信号电压的第一引绕布线TWD1以及用于向在选择输出电路42b中设置的数据信号主线di供给数据信号电压的第二引绕布线TWD2。
第一引绕布线TWD1的一端与端子部TS的数据驱动器连接，另一端与设置在选择输出电路42a中的数据信号干线di电连接。
第二引绕布线TWD2与狭缝H交叉，并且与显示区域DA的数据线DL电连接。
第二引绕布线TWD2通过与第一引绕布线TWD1连接而从第一引绕布线TWD1分支，并且沿着显示区域DA的第一边DAa或第三边DAc延伸非显示区域NA，另一方的端部与设置在选择输出电路42a中的数据信号干线di电连接。
第一引绕布线TWD1和第二引绕布线TWD2由第一布线TWS和第一金属层的布线TWG引绕。
根据显示设备2B，可以通过第一金属层的布线TWG在狭缝H的下层设置第一引绕布线TWD1和第二引绕布线TWD2。因此，即使以与显示区域DA的第一边DAa相对的方式设置选择输出电路42a，进一步地，即使以与显示区域DA的第四边DAd相对的方式设置选择输出电路42b，也可以抑制噪声的影响，并且设置第一引绕布线TWD1和第二引绕布线TWD2。
〔其他显示器〕
第一至第三实施方式的显示器(显示设备)没有特别限定，只要是包括显示元件的显示面板即可。上述显示元件是根据电流控制亮度、透射率的显示元件，作为电流控制的显示元件包括具备OLED(Organic Light Emitting Diode：有机发光二极管)的有机EL(ElectroLuminescence：电致发光)显示器、具备无机发光二极管的无机EL显示器等的EL显示器，或者具备QLED(Quantum dot Light Emitting Diode：量子点发光二极管)的QLED显示器等。
〔总结〕
本发明的方式1涉及的显示设备是具有显示区域及非显示区域的显示设备，所述显示区域包括多个子像素，所述子像素形成有包含晶体管的子像素电路，所述非显示区域是在所述显示区域的周围并且在端部形成有端子部的非形成区域，所述显示设备的特征在于，在所述显示区域中形成有：第一金属层，其包括所述子像素电路所包含的下层的电极；第一无机绝缘膜，其形成在所述第一金属层的上层；第二金属层，其形成在所述第一无机绝缘膜的上层，且包括所述子像素电路所包含的电极中比所述第一金属层更上层的电极；第二无机绝缘膜，其形成在所述第二金属层的上层；第一电极，其形成在所述第二无机绝缘膜的上层，并且针对每个所述子像素呈岛状地形成在所述子像素电路所包含的电极中的所述第二金属层的更上层；有机绝缘膜，其以覆盖所述第一电极的边缘的方式形成在所述第二无机绝缘膜的上层，并且露出所述第一电极；发光层，其形成在所述第一电极的上层；以及第二电极，其与所述第一电极相对且使所述发光层夹设在之间，在所述非显示区域中，在边缘盖形成有围绕所述显示区域的外周的一部分的狭缝，在所述狭缝中，与所述第一电极同层且与所述第一电极分离的第一导电层与所述第二电极接触，形成在所述第二金属层上的第二导电层以隔着所述第二无机绝缘膜与所述狭缝重叠的方式设置，而且，设置有包括由所述第一金属层形成的布线的多条引绕布线，所述引绕布线以在所述狭缝中与所述第一导电层和所述第二导电层交叉的方式从所述非显示区域向所述显示区域延伸，并且与所述显示区域电连接，所述引绕布线在所述狭缝中，隔着所述第一无机绝缘膜、所述第二导电层以及所述第二无机绝缘膜与所述第一导电层重叠。
本发明的方式2涉及的显示设备在上述方式中，也可以，所述显示区域中设置有在列方向上延伸的多条数据线和多条高电平电源线，以及在行方向上延伸的多条扫描信号线和多条发光控制线，所述多条扫描信号线和多条发光控制线形成于所述第一金属层，所述多条数据线和多条高电平电源线与所述第一电极形成在同层上。
本发明的方式3涉及的显示设备在上述方式中，也可以，所述引绕布线与所述数据线的两端部电连接。
本发明的方式4涉及的显示设备在上述方式中，也可以，所述第二导电层被供给有低电平电源电压。
本发明的方式5涉及的显示设备在上述方式中，也可以，所述第二导电层在所述狭缝的形成位置处与所述显示区域相反的一侧，与供给有所述低电平电源电压的布线连接。
本发明的方式6涉及的显示设备在上述方式中，也可以，与所述第二导电层连接的所述引绕布线的一个端部经由端子部与低电平电源连接，另一个端部与所述第二导电层连接。
本发明的方式7涉及的显示设备在上述方式中，也可以，在所述非显示区域中，经由所述狭缝设置有控制所述多条扫描信号线的驱动的扫描信号控制驱动器和控制所述多条发光控制线的驱动的发光信号控制电路，所述扫描信号控制驱动器设置在比所述发光信号控制电路更靠近所显示区域的一侧。
本发明的方式8涉及的显示设备在上述方式中，也可以，所述引绕布线与所述狭缝交叉，并且将从所述发光信号控制电路输出的驱动信号传输到发光控制线。
本发明的方式9涉及的显示设备在上述方式中，也可以，所述第二导电层被供给有高电平电源电压。
本发明的方式10涉及的显示设备在上述方式中，也可以，所述第二导电层至少与所述显示区域中的远离所述端子部的一侧的边相对，所述高电平电源线跨越所述显示区域中的远离所述端子部的一侧的边且从所述显示区域向所述第二导电层延伸，并且与所述第二导电层连接。
本发明的方式11涉及的显示设备在上述方式中，也可以，在所述显示区域中的远离所述端子部的一侧的边与所述第二导电层之间，具备以与所述第一电极相同材料且形成在同层上的第三导电层，跨越所述显示区域中的远离所述端子部的一侧的边且从所述显示区域向所述第二导电层延伸的所述高电平电源线，通过设置在所述第二无机绝缘膜上的接触孔与所述第三导电层连接。
本发明的方式12涉及的显示设备在上述方式中，也可以，将远离所述显示区域的方向上的长度设为宽度，所述第一导电层的宽度比所述狭缝的宽度款，并且比所述第二导电层的宽度窄。
本发明的方式13涉及的显示设备在上述方式中，也可以，所述非显示区域中，沿着所述显示区域中与所述数据信号线交叉的方向延伸的边设置有选择输出电路，所述选择输出电路包含将所述显示区域中设置的多条数据信号线捆束成一条数据信号干线的多个解复用器。
本发明的方式14涉及的显示设备在上述方式中，也可以，所述选择输出电路包括：与所述显示区域中靠近所述端子部一侧的边相对配置的第一选择输出电路；以及与所述显示区域中远离所述端子部一侧的边相对配置的第二选择输出电路。
本发明的方式15涉及的显示设备在上述方式中，也可以，所述非显示区域设置有控制所述数据信号线的驱动的数据驱动器，所述引绕布线包括与所述数据驱动器电连接的第一引绕布线和第二引绕布线，所述第一引绕布线与所述第一选择输出电路所具有的解复用器的所述数据信号干线电连接，且所述第二引绕布线与所述狭缝交叉并于所述显示区域的数据信号线连接。
附图标记说明
2、2A，2B 显示设备
2e 异形部
3 阻挡层
5 发光元件层
6 密封层
10 下表面膜
12 树脂层
15 半导体膜
16 无机绝缘膜
18 无机绝缘膜(第一无机绝缘膜)
20 无机绝缘膜(第二无机绝缘膜)
22 阳极(第一电极)
22M 第一导电层
22M1 第三导电层
23 边缘盖
25 阴极(第二电极)
26、28 无机密封膜
27 有机缓冲膜
39 功能膜
42/42a/42b 选择输出电路
421、422、423 解复用器
CM 第二导电层
CE 电容电极(第二金属层)
d1～d3/di 数据信号干线
DL[m] 数据线
DRTr1 第一驱动晶体管
DRTr2 第二驱动晶体管
EM[n] 发光控制线
EMDR1/EMDR2 发光信号控制电路
GL 扫描信号线
GE 栅极电极(第一金属层)
GDR1/GDR2 扫描信号控制驱动器
H 狭缝
SE 源电极
SDR1/SDR2 扫描驱动器
SM 第三导电层
Ta 第一框状堤
Tb 第二框状堤
Vini[n] 初始化电源线

Claims (15)

1.一种显示设备，其具有显示区域及非显示区域，所述显示区域包括多个子像素，所述子像素形成有包含晶体管的子像素电路，所述非显示区域是在所述显示区域的周围并且在端部形成有端子部的非形成区域，所述显示设备的特征在于，
在所述显示区域中形成有：
第一金属层，其包括所述子像素电路所包含的下层的电极；
第一无机绝缘膜，其形成在所述第一金属层的上层；
第二金属层，其形成在所述第一无机绝缘膜的上层，且包括所述子像素电路所包含的电极中比所述第一金属层更上层的电极；
第二无机绝缘膜，其形成在所述第二金属层的上层；
第一电极，其形成在所述第二无机绝缘膜的上层，并且针对每个所述子像素呈岛状地形成在所述子像素电路所包含的电极中的所述第二金属层的更上层；
有机绝缘膜，其以覆盖所述第一电极的边缘的方式形成在所述第二无机绝缘膜的上层，并且露出所述第一电极；
发光层，其形成在所述第一电极的上层；以及
第二电极，其与所述第一电极相对且使所述发光层夹设在之间，
所述第二电极跨越所述多个子像素而形成，
在所述非显示区域中，
在边缘盖形成有围绕所述显示区域的外周的一部分的狭缝，
在所述狭缝中，与所述第一电极同层且与所述第一电极分离的第一导电层与所述第二电极接触，
形成在所述第二金属层上的第二导电层以隔着所述第二无机绝缘膜与所述狭缝重叠的方式设置，
而且，设置有包括由所述第一金属层形成的布线的多条引绕布线，
所述引绕布线以在所述狭缝中与所述第一导电层和所述第二导电层交叉的方式从所述非显示区域向所述显示区域延伸，并且与所述显示区域的布线电连接，
所述引绕布线在所述狭缝中，隔着所述第一无机绝缘膜、所述第二导电层以及所述第二无机绝缘膜与所述第一导电层重叠。
2.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，
所述显示区域中设置有在列方向上延伸的多条数据线和多条高电平电源线，以及在行方向上延伸的多条扫描信号线和多条发光控制线，
所述多条扫描信号线和多条发光控制线形成于所述第一金属层，
所述多条数据线和所述多条高电平电源线与所述第一电极形成在同层上。
3.如权利要求2所述的显示设备，其特征在于，
所述引绕布线与所述数据线的两端部电连接。
4.如权利要求3所述的显示设备，其特征在于，
所述第二导电层被供给有低电平电源电压。
5.如权利要求4所述的显示设备，其特征在于，
所述第二导电层在所述狭缝的形成位置处与所述显示区域相反的一侧，与供给所述低电平电源电压的布线连接。
6.如权利要求5所述的显示设备，其特征在于，
与所述第二导电层连接的所述引绕布线的一个端部经由所述端子部与低电平电源连接，另一个端部与所述第二导电层连接。
7.如权利要求6所述的显示设备，其特征在于，
在所述非显示区域中，经由所述狭缝设置有控制所述多条扫描信号线的驱动的扫描信号控制驱动器和控制所述多条发光控制线的驱动的发光信号控制电路，
所述扫描信号控制驱动器设置在比所述发光信号控制电路更靠近所显示区域的一侧。
8.如权利要求7所述的显示设备，其特征在于，
所述引绕布线与所述狭缝交叉，并且将从所述发光信号控制电路输出的驱动信号传输到发光控制线。
9.如权利要求4所述的显示设备，其特征在于，
所述第二导电层被供给有高电平电源电压。
10.如权利要求4或9所述的显示设备，其特征在于，
所述第二导电层至少与所述显示区域中的远离所述端子部的一侧的边相对，
所述高电平电源线跨越所述显示区域中的远离所述端子部的一侧的边且从所述显示区域向所述第二导电层延伸，并且与所述第二导电层连接。
11.如权利要求10所述的显示设备，其特征在于，
在所述显示区域中的远离所述端子部的一侧的边与所述第二导电层之间，具备以与所述第一电极相同材料且形成在同层上的第三导电层，
跨越所述显示区域中的远离所述端子部的一侧的边且从所述显示区域向所述第二导电层延伸的所述高电平电源线，通过设置在所述第二无机绝缘膜上的接触孔与所述第三导电层连接。
12.如权利要求1至11中任一项所述的显示设备，其特征在于，
将远离所述显示区域的方向上的长度设为宽度，
所述第一导电层的宽度比所述狭缝的宽度宽，并且比所述第二导电层的宽度窄。
13.如权利要求2至12中任一项所述的显示设备，其特征在于，
所述非显示区域中，沿着所述显示区域中与所述数据信号线交叉的方向延伸的边设置有选择输出电路，所述选择输出电路包含将所述显示区域中设置的多条数据信号线捆束成一条数据信号干线的多个解复用器。
14.如权利要求13所述的显示设备，其特征在于，
所述选择输出电路包括：与所述显示区域中靠近所述端子部一侧的边相对配置的第一选择输出电路；以及与所述显示区域中远离所述端子部一侧的边相对配置的第二选择输出电路。
15.如权利要求14所述的显示设备，其特征在于，
所述非显示区域设置有控制所述数据信号线的驱动的数据驱动器，
所述引绕布线包括与所述数据驱动器电连接的第一引绕布线和第二引绕布线，
所述第一引绕布线与所述第一选择输出电路所具有的解复用器的所述数据信号干线电连接，且
所述第二引绕布线与所述狭缝交叉并与所述显示区域的数据信号线连接。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210055850A (ko) * 2019-11-07 2021-05-18 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 패널
KR20210055524A (ko) * 2019-11-07 2021-05-17 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101355096A (zh) * 2007-07-23 2009-01-28 三星Sdi株式会社 有机发光显示器及其制造方法
JP2010027504A (ja) * 2008-07-23 2010-02-04 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置及び電子機器
CN101783359A (zh) * 2009-01-07 2010-07-21 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示器
CN103779385A (zh) * 2012-10-19 2014-05-07 株式会社日本显示器 显示装置
US20150008406A1 (en) * 2013-07-03 2015-01-08 Japan Display Inc. Light-emitting element display device
US20150076476A1 (en) * 2013-09-19 2015-03-19 Japan Display Inc. Organic electroluminescence display device and method of manufacturing organic electroluminescence display device
US20170133594A1 (en) * 2015-11-05 2017-05-11 Japan Display Inc. Manufacturing method of display device and display device

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4444042B2 (ja) * 2004-08-26 2010-03-31 三菱電機株式会社 表示装置
JP6296187B2 (ja) * 2012-07-31 2018-03-20 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
KR102116105B1 (ko) * 2013-07-31 2020-05-28 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치
TWI645560B (zh) * 2013-10-10 2018-12-21 日商精工愛普生股份有限公司 發光裝置及包含其之電子機器
JP6446208B2 (ja) * 2014-09-03 2018-12-26 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102477299B1 (ko) * 2015-06-12 2022-12-14 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP6535520B2 (ja) * 2015-06-24 2019-06-26 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6634290B2 (ja) * 2016-01-04 2020-01-22 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
KR102591636B1 (ko) * 2016-03-24 2023-10-20 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
KR102592956B1 (ko) * 2016-08-29 2023-10-24 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP2018063910A (ja) * 2016-10-14 2018-04-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101355096A (zh) * 2007-07-23 2009-01-28 三星Sdi株式会社 有机发光显示器及其制造方法
JP2010027504A (ja) * 2008-07-23 2010-02-04 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置及び電子機器
CN101783359A (zh) * 2009-01-07 2010-07-21 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示器
CN103779385A (zh) * 2012-10-19 2014-05-07 株式会社日本显示器 显示装置
US20150008406A1 (en) * 2013-07-03 2015-01-08 Japan Display Inc. Light-emitting element display device
US20150076476A1 (en) * 2013-09-19 2015-03-19 Japan Display Inc. Organic electroluminescence display device and method of manufacturing organic electroluminescence display device
US20170133594A1 (en) * 2015-11-05 2017-05-11 Japan Display Inc. Manufacturing method of display device and display device

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