CN111933657A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111933657A
CN111933657A CN202010396664.XA CN202010396664A CN111933657A CN 111933657 A CN111933657 A CN 111933657A CN 202010396664 A CN202010396664 A CN 202010396664A CN 111933657 A CN111933657 A CN 111933657A
Authority
CN
China
Prior art keywords
voltage line
display device
auxiliary wiring
transistor
insulating layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010396664.XA
Other languages
English (en)
Inventor
朴埈贤
金瞳祐
李安洙
赵康文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN111933657A publication Critical patent/CN111933657A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819—Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0264—Details of driving circuits
    • G09G2310/027—Details of drivers for data electrodes, the drivers handling digital grey scale data, e.g. use of D/A converters
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/04—Display protection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

公开了一种显示装置。该显示装置包括：基底，包括显示区域和在显示区域周围的非显示区域；晶体管，位于基底上；绝缘层，位于晶体管上；电源电压线，位于绝缘层上且传输电源电压；数据线，位于绝缘层上且传输数据电压；以及辅助布线，在显示区域中位于基底与电源电压线之间。辅助布线包括与电源电压线叠置的部分和与数据线叠置的部分，并且电连接到电源电压线。

Description

显示装置
本申请要求于2019年5月13日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0055880号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
发光二极管显示装置作为显示装置已经引起广泛地关注。与液晶显示(LCD)装置不同，发光二极管显示装置具有自发光特性，消除了对光源的需要，因此发光二极管显示装置可以被制造为比LCD显示装置更薄且更轻。另外，发光二极管显示装置具有有助于高质量的许多有利特性(诸如低功耗、高亮度、高响应速度等)。
通常，发光二极管显示装置包括晶体管和发光元件。晶体管和发光元件可以连接到用于传输电源电压(诸如驱动电压或共电压)的电源电压线以接收驱动电压或共电压。根据显示装置的面积，由于电源电压线的电阻而导致供应到显示装置的电源电压的电平和所产生的电压降可能不均匀。因此，诸如亮度均匀性的显示质量可能降低，并且功耗可能增加。
应当理解的是，技术部分的该背景技术部分旨在为理解技术提供有用的背景。然而，技术部分的该背景技术也可以包括在此所公开的主题的相应有效提交日期之前不是本领域技术人员已知或理解的内容的一部分的思想、构思或认识。
发明内容
实施例提供了一种能够减小布线电阻和电压降的显示装置。
实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括：基底，包括显示区域和在显示区域周围的非显示区域；晶体管，设置在基底上；绝缘层，设置在晶体管上；电源电压线，设置在绝缘层上且传输电源电压；数据线，设置在绝缘层上且传输数据电压；以及辅助布线，在显示区域中设置在基底与电源电压线之间。辅助布线包括与电源电压线叠置的部分和与数据线叠置的部分，并且电连接到电源电压线。
辅助布线的与电源电压线叠置的部分和辅助布线的与数据线叠置的部分可以在平面图中叠置。
电源电压线可以是传输驱动电压的驱动电压线或传输共电压的共电压线。
绝缘层可以具有多个接触孔。
显示装置还可以包括设置在基底上的缓冲层，其中，缓冲层可以包括多个接触孔。
驱动电压线可以通过形成在绝缘层中的接触孔连接到晶体管的源区或漏区，并且可以通过形成在绝缘层中的另一接触孔连接到辅助布线。
显示装置还可以包括电连接到晶体管的像素电极，并且辅助布线可以包括在平面图中与像素电极叠置的部分。
辅助布线可以包括在平面图中与驱动电压线叠置的部分和与共电压线叠置的部分。
电源电压线可以是驱动电压线，驱动电压线通过形成在至少绝缘层中的接触孔连接到辅助布线。
辅助布线可以与晶体管的栅电极设置在同一层上。
显示装置还可以包括设置在绝缘层与晶体管之间的连接图案，连接图案可以电连接到电源电压线和晶体管的源区或漏区，并且辅助布线可以与连接图案设置在同一层上。
辅助布线可以设置在基底与晶体管之间。
显示装置还可以包括与晶体管的有源图案叠置的下部图案，并且辅助布线可以与下部图案设置在同一层上。
下部图案可以在晶体管的沟道区与基底之间与晶体管的沟道区叠置。
有源图案可以与下部图案的边缘偏置。
下部图案可以电连接到晶体管的源区或漏区。
电源电压线可以包括铜。
显示装置还可以包括可以覆盖电源电压线的上层的接触构件。
显示装置还可以包括设置在晶体管与辅助布线之间的缓冲层，并且缓冲层可以是包括至少两层的多层。
电源电压线可以通过形成在绝缘层和缓冲层中的接触孔连接到辅助布线。
实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括：基底，包括显示区域和在显示区域周围的非显示区域；晶体管，设置在基底上；电源电压线，设置在晶体管上且传输电源电压；数据线，设置在晶体管上且传输数据电压；绝缘层，设置在电源电压线上；辅助布线，在显示区域中设置在绝缘层上，包括与电源电压线叠置的部分和与数据线叠置的部分，并且通过形成在绝缘层中的接触孔连接到电源电压线；以及像素电极，设置在辅助布线上且电连接到晶体管。
辅助布线的与电源电压线叠置的部分和辅助布线的与数据线叠置的部分可以在平面图中叠置。
显示装置还可以包括：电容器电极，与电源电压线设置在同一层上且电连接到晶体管；以及接触构件，设置在电容器电极与像素电极之间，并且通过形成在绝缘层中的接触孔连接到电容器电极。辅助布线可以与接触构件设置在同一层上。
电源电压线可以是传输驱动电压的驱动电压线或传输共电压的共电压线。
显示装置还可以包括：第一接触构件，设置在共电压线上且通过形成在绝缘层中的接触孔连接到共电压线；以及共电极，设置在第一接触构件上且电连接到第一接触构件。辅助布线可以与第一接触构件设置在同一层上。
显示装置还可以包括第二接触构件，第二接触构件设置在第一接触构件与共电极之间且电连接到第一接触构件和共电极。
辅助布线可以包括在平面图中与像素电极叠置的部分、与驱动电压线叠置的部分以及与共电压线叠置的部分。
辅助布线可以包括在平面图中与共电压线叠置的第一部分和与驱动电压线和像素电极叠置的第二部分，并且第一部分和第二部分可以彼此分开。
实施例提供了一种制造显示装置的方法，该方法包括以下步骤：形成基底；在基底上形成第一导电层；在第一导电层上形成绝缘层；在第一导电层上形成晶体管；在晶体管上形成绝缘层；以及在绝缘层上形成第二导电层，第二导电层包括与扫描线或水平初始化电压线或水平驱动电压线或栅电极或驱动栅电极在同一工艺中形成的辅助布线。
实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括：基底，包括显示区域和在显示区域周围的非显示区域；晶体管，设置在基底上；绝缘层，设置在晶体管上；驱动电压线，设置在绝缘层上；以及辅助布线，在显示区域中设置在基底与驱动电压线之间，其中，驱动电压线中的每条通过绝缘层的接触孔中的相应一个连接到辅助布线中的相应一个。
根据实施例，能够减小布线(例如，诸如驱动电压线和共电压线的电源电压线)的电阻以及通过电源电压线传输的电源电压的电压降。可以改善显示质量，并且可以减小电源电压的裕度，从而减少功耗。也能够减少诸如数据信号的信号的延迟。
附图说明
通过参照附图详细描述发明的实施例，根据发明的实施例的附加理解将变得更加清楚，其中：
图1示出了根据实施例的显示装置的布局图；
图2示出了根据实施例的显示装置的像素的电路图；
图3示出了根据实施例的显示装置的像素区域的布局图；
图4示出了根据实施例的沿着图3的线A-A'截取的示意性剖视图；
图5示出了根据实施例的沿着图3的线B-B'截取的示意性剖视图；
图6和图7各自示出了根据实施例的沿着图3的线C-C'截取的示意性剖视图；
图8和图9各自示出了根据实施例的沿着图3的线A-A'截取的示意性剖视图；
图10示出了根据实施例的显示装置的像素区域的布局图；
图11示出了根据实施例的沿着图10的线D-D'截取的示意性剖视图；
图12示出了根据实施例的沿着图10的线E-E'截取的示意性剖视图；
图13示出了根据实施例的显示装置的像素区域的布局图；
图14示出了根据实施例的显示装置的像素区域的布局图；
图15示出了根据实施例的沿着图14的线F-F'截取的示意性剖视图；
图16示出了根据实施例的显示装置的像素区域的布局图；
图17示出了根据实施例的沿着图16的线G-G'截取的示意性剖视图；以及
图18示出了根据实施例的显示装置的像素区域的布局图。
具体实施方式
在下文中将参照附图描述发明的实施例。
尽管发明可以以各种方式修改且具有附加的实施例，但是实施例在附图中示出且将主要在说明书中进行描述。然而，发明的范围不限于附图和说明书中的实施例，并且应被解释为包括发明的精神和范围中所包括的所有改变、等同和替换。
为了描述发明的实施例，可以不提供与描述不相关的一些部件，并且在整个说明书中，同样的附图标记表示同样的元件。
在附图中，为了清楚和易于其描述，可以放大附图中示出的元件的尺寸和厚度。然而，发明不限于图示的尺寸和厚度。在附图中，为了清楚起见，可以夸大层、膜、面板、区域和其他元件的厚度。在附图中，为了更好地理解和便于描述，可以夸大一些层和区域的厚度。
此外，在说明书中，短语“在平面图中”是指当从上方观看目标部分时，短语“在剖视图中”是指当从侧面观看通过竖直地切割目标部分所截取的剖面时。
当层、膜、区域、基底或区域被称为“在”另一层、膜、区域、基底或区域“上”时，所述层、膜、区域、基底或区域可以直接在所述另一层、膜、区域、基底或区域上，或者在它们之间可以存在中间层、膜、区域、基底或区域。相反，当层、膜、区域、基底或区域被称为“直接在”另一层、膜、区域、基底或区域“上”时，在它们之间可以不存在中间层、膜、区域、基底或区域。此外，当层、膜、区域、基底或区域被称为“在”另一层、膜、区域、基底或区域“下方”时，所述层、膜、区域、基底或区域可以直接在所述另一层、膜、区域、基底或区域下方，或者在它们之间可以存在中间层、膜、区域、基底或区域。相反，当层、膜、区域、基底或区域被称为“直接在”另一层、膜、区域、基底或区域“下方”时，在它们之间可以不存在中间层、膜、区域、基底或区域。此外，“在……之上”或“在……上”可以包括定位在目标上或下方，并且不一定暗示基于重力的方向。
为了易于描述，可以在此使用“在……下方”、“在……之下”、“下”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语以描述如图中所示的一个元件或组件与另外的元件或组件之间的关系。将理解的是，空间相对术语旨在涵盖装置在使用或操作中的除图中描绘的方位以外的不同方位。例如，在附图中示出的装置被翻转的情况下，被定位为“在”另一装置“下方”或“之下”的装置可以被放置“在”所述另一装置“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括上部位置和下部位置两者。装置也可以被定位在其他方向上，因此，可以根据方位不同地解释空间相对术语。
在整个说明书中，当元件被称为“连接”到另一元件时，所述元件可以“直接连接”到所述另一元件，或“电连接”到所述另一元件，并且在它们之间插入一个或更多个中间元件。还将理解的是，当术语“包括”、“包含”和/或其变型用在本说明书中时，它们或它可以说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或附加其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的任何组合。
将理解的是，尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。为了便于对其描述和解释，这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离在此教导的情况下，当在描述中讨论“第一元件”时，它可以被命名为“第二元件”或“第三元件”，并且“第二元件”和“第三元件”可以以类似的方式命名。
如在此所使用的“大约(约)”或“近似”包括所陈述的值，并且意味着：考虑到所提及的测量和与特定量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，在如由本领域的普通技术人员所确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约(约)”可以意味着在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述值的±30％、±20％、±5％之内。
除非另有定义，否则这里所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的含义来解释它们，除非在说明书中清楚地限定。在附图中，用于指示方向的附图标号x是第一方向，y是与第一方向垂直的第二方向，z是与第一方向和第二方向垂直的第三方向。第一方向x、第二方向y和第三方向z可以分别与显示装置的水平方向、竖直方向和厚度方向对应。要注意的是，这些第一方向、第二方向和第三方向可以基本上是水平方向、竖直方向和厚度方向。
在下文中，将参照附图描述根据实施例的显示装置(作为示例的发光显示装置)。
图1示出了根据实施例的显示装置的布局图。
显示装置1可以包括显示面板10、柔性印刷电路膜20、印刷电路板(PCB)40等。
显示面板10可以包括与其上显示图像的屏幕对应的显示区域DA和非显示区域NA，用于产生和/或传输施加到显示区域DA的各种信号和电压的布线和/或电路可以设置在非显示区域NA中。非显示区域NA可以围绕显示区域DA。
像素PX可以在显示面板10的显示区域DA中以例如矩阵形式设置。可以设置用于传输数据信号的数据线171、用于传输驱动电压ELVDD的驱动电压线172、用于传输共电压ELVSS的共电压线170以及用于传输初始化电压的初始化电压线173和水平初始化电压线153。每个像素PX可以从这样各自的布线接收数据信号、驱动电压ELVDD、共电压ELVSS和初始化电压。在此，驱动电压ELVDD和共电压ELVSS是施加到对应像素PX的电源电压，并且用于传输电压的驱动电压线172和共电压线170被称为电源电压线。驱动电压ELVDD可以是具有比共电压ELVSS的电势高的电势的电压。
栅极驱动器(未示出)可以在显示面板10的非显示区域NA中设置在显示区域DA的相对侧上。像素PX可以接收由栅极驱动器产生的扫描信号并且按预定时序接收数据信号。
连接到驱动电压线172的驱动电压传输线DVL和连接到共电压线170的共电压传输线CVL可以设置在显示面板10的非显示区域NA中。驱动电压传输线DVL和共电压传输线CVL中的每条可以包括基本上在第二方向y上延伸的部分和基本上在第一方向x上延伸的部分。
如在此所使用的，术语“部分”可以包括元件的整个区域的一部分或部分区域、元件的区段或片段或者元件的预定量，或者如将由本领域普通技术人员理解和领会的任何其他定义。
柔性印刷电路膜20可以具有结合到显示面板10的第一端和结合到印刷电路板40的第二端。用于将数据电压施加到数据线171的数据驱动器30可以设置在柔性印刷电路膜20中，并且可以设置为集成电路芯片。
产生诸如驱动电压ELVDD或共电压ELVSS的电源电压的电源模块50可以设置在印刷电路板40中。电源模块50可以设置为集成电路芯片。用于控制数据驱动器30和栅极驱动器的信号控制器可以设置在印刷电路板40中。
至此已经描述了根据实施例的显示装置的构造。现在将更详细地描述根据实施例的显示装置。
图2示出了根据实施例的显示装置的像素的等效电路的示意图。
参照图2，一个像素PX可以包括晶体管T1、T2和T3、电容器Cst和发光二极管ED。
晶体管T1、T2和T3可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3。稍后将描述的源电极和漏电极用于将设置在晶体管T1、T2和T3中的每个的沟道的相对侧上的两个电极区分开，并且它们可以互换。
第一晶体管T1可以包括栅电极G1、源电极S1和漏电极D1。栅电极G1可以连接到电容器Cst的第一电极C1，源电极S1可以连接到用于接收驱动电压ELVDD的驱动电压线172，漏电极D1可以连接到发光二极管ED的阳极和电容器Cst的第二电极C2。第一晶体管T1可以根据第二晶体管T2的开关操作来接收数据电压DAT，可以将数据电压DAT存储在电容器Cst中，并且可以根据所存储的电压将驱动电流供应到发光二极管ED。
第二晶体管T2可以包括栅电极G2、源电极S2和漏电极D2。栅电极G2可以连接到用于传输第一扫描信号SC的第一扫描线，源电极S2可以连接到能够传输数据电压DAT或参考电压的数据线171，漏电极D2可以连接到栅电极G1和电容器Cst的第一电极C1。第二晶体管T2可以根据第一扫描信号SC而导通，以将参考电压或数据电压DAT传输到栅电极G1和电容器Cst的第一电极C1。
第三晶体管T3可以包括栅电极G3、源电极S3和漏电极D3。栅电极G3可以连接到用于传输第二扫描信号SS的第二扫描线，源电极S3可以连接到电容器Cst的第二电极C2、漏电极D1和阳极，漏电极D3可以连接到承载初始化电压INIT的初始化电压线173。第三晶体管T3可以响应于第二扫描信号SS而导通，以通过将初始化电压INIT传输到阳极和电容器Cst的第二电极C2来使阳极电压初始化。
电容器Cst的第一电极C1可以连接到第一晶体管T1的栅电极G1，电容器Cst的第二电极C2可以连接到源电极S3和阳极。发光二极管ED的阴极可以连接到用于传输共电压ELVSS的共电压线170。
发光二极管ED可以发射具有取决于由第一晶体管T1产生的驱动电流的亮度(灰度)的光。
针对一帧期间的操作，例如将以晶体管T1、T2和T3均为N型沟道晶体管作为示例来描述图2中示出的电路的操作的示例。
当一帧开始时，在初始化时段中供应高电平的第一扫描信号SC和高电平的第二扫描信号SS，第二晶体管T2和第三晶体管T3导通。来自数据线171的参考电压通过导通的第二晶体管T2供应到栅电极G1和电容器Cst的第一电极C1，并且初始化电压INIT通过导通的第三晶体管T3供应到漏电极D1和阳极。在初始化时段期间，漏电极D1和阳极被初始化为初始化电压INIT。参考电压与初始化电压INIT之间的电压差存储在电容器Cst中。
当感测时段内在保持高电平的第一扫描信号SC的状态下将第二扫描信号SS改变为低电平时，第二晶体管T2保持导通状态且第三晶体管T3截止。栅电极G1和电容器Cst的第一电极C1通过导通的第二晶体管T2保持参考电压，而漏电极D1和阳极通过截止的第三晶体管T3与初始化电压INIT断开。当栅电极G1的电压变成“参考电压-Vth”，同时电流从源电极S1流到漏电极D1时，第一晶体管T1截止。Vth表示第一晶体管T1的阈值电压。栅电极G1与漏电极D1之间的电压差存储在电容器Cst中，并且完成第一晶体管T1的阈值电压(Vth)的感测。第一晶体管T1的对于每个像素PX可能是不同的特性偏差可以通过产生数据信号来补偿，数据信号通过反映在感测时段内感测到的特性信息来补偿。
当在数据输入时段内供应高电平的第一扫描信号SC和低电平的第二扫描信号SS时，第二晶体管T2导通且第三晶体管T3截止。来自数据线171的数据电压DAT通过导通的第二晶体管T2供应到栅电极G1和电容器Cst的第一电极C1。漏电极D1和阳极可以通过处于截止状态的第一晶体管T1保持与感测时段的电势的几乎相同的电势。
在发光时段内通过被传输到栅电极G1的数据电压DAT导通的第一晶体管T1根据数据电压DAT产生驱动电流，并且驱动电流可以允许发光二极管ED发射光。
在下文中，将参照图3至图6描述根据实施例的显示装置的详细结构。
图3示出了根据实施例的显示装置的像素区域的布局图，图4是根据实施例的沿着图3的线A-A'截取的示意性剖视图，图5示出了根据实施例的沿着图3的线B-B'截取的示意性剖视图，图6示出了根据实施例的沿着图3的线C-C'截取的示意性剖视图。图3示出了三个相邻像素PX1、PX2和PX3的平面结构。像素PX1、PX2和PX3中的每个可以包括相应的构成元件，因此，像素PX1、PX2和PX3中的一个的构成元件的附图标记可以类似地应用到其余像素的相应构成元件。
根据实施例的显示装置1包括基底110。基底110可以由诸如玻璃或塑料的绝缘材料或者其他合适的绝缘材料制成。
包括下部图案111的第一导电层可以设置在基底110上。下部图案也可以被称为导电图案。第一导电层可以包括诸如金属或金属合金的导电材料。下部图案111的厚度可以在约几百埃至约几千埃的范围内。
可以作为绝缘层的缓冲层120可以设置在第一导电层上。如稍后所描述的，缓冲层120可以包括第一层120a和第二层120b。第一层120a和/或第二层120b可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。
包括有源图案130a、130b和130c的有源层可以设置在缓冲层120上。第一导电层可以设置在基底110与有源层之间。设置在像素PX1、PX2和PX3中的每个处的有源图案130a、130b和130c可以包括形成晶体管T1、T2和T3的各自的沟道的沟道区134a、134b和134c以及连接到沟道区134a、134b和134c的导电区。有源图案130a、130b和130c的导电区可以分别包括晶体管T1、T2和T3的源区133a、133b和133c以及漏区135a、135b和135c。
在像素PX1、PX2和PX3中的每个中，有源图案130a和有源图案130c可以彼此连接或彼此分开。图3示出了其中有源图案130a和有源图案130c彼此连接的示例。有源图案130a的漏区135a可以是有源图案130c的源区133c。
有源层可以包括例如半导体材料，诸如氧化物半导体、多晶硅和非晶硅。有源层的厚度可以比下部图案111的厚度小，并且可以是约几百埃。
作为第一绝缘层的绝缘图案144和145可以设置在有源层上。绝缘图案144可以与有源图案130a、130b和130c的沟道区134a、134b和134c叠置，并且可以设置在沟道区134a、134b和134c上。绝缘图案144可以基本上不与有源图案130a、130b和130c的导电区叠置。绝缘图案145可以与辅助布线ALa、ALb和ALc叠置。
术语“叠置”可以包括层叠、堆叠、面向或面对、在……之上延伸、覆盖或部分覆盖或者如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的术语。当元件被描述为“不”与另一元件“叠置”或“不叠置”另一元件时，这可以包括元件彼此分隔开、彼此偏置或彼此分开，或者如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其他合适的术语。
第二导电层可以设置在第一绝缘层上。第二导电层可以包括能够传输上述第一扫描信号SC的第一扫描线151、能够传输第二扫描信号SS的第二扫描线152、能够传输初始化电压INIT的水平初始化电压线153、能够传输驱动电压ELVDD的水平驱动电压线172h、驱动栅电极155、第二栅电极154b、第三栅电极154c以及辅助布线ALa、ALb和ALc。在图3中，阴影区域与可以形成辅助布线ALa、ALb和ALc的区域对应。包括在第二导电层中的构成元件可以通过使用同一工艺在同一层中形成。因此，可以降低制造成本。在图2的电路图中的栅电极G1、栅电极G2和栅电极G3可以与包括在驱动栅电极155中的第一栅电极154a、第二栅电极154b和第三栅电极154c对应。
第一扫描线151、第二扫描线152、水平初始化电压线153和水平驱动电压线172h中的每条可以基本上在第一方向x上延伸。
驱动栅电极155可以设置在第一扫描线151与第二扫描线152之间。
第二栅电极154b可以与第一扫描线151分隔开，并且可以基本上在第二方向y上延伸。第二栅电极154b可以直接连接到第一扫描线151。
第三栅电极154c可以与第二扫描线152分隔开，并且可以基本上在第二方向y上延伸。第三栅电极154c可以直接连接到第二扫描线152。
设置在像素PX1、PX2和PX3中的每个中的驱动栅电极155可以包括向上突出的突起155a以及向下突出且基本上在第二方向y上延伸的第一栅电极154a。
第一栅电极154a与有源图案130a交叉，并且与有源图案130a的沟道区134a叠置。第二栅电极154b与有源图案130b交叉，并且与有源图案130b的沟道区134b叠置。第三栅电极154c与有源图案130c交叉，并且与有源图案130c的沟道区134c叠置。
辅助布线ALa、ALb和ALc可以设置在第二导电层中没有形成除辅助布线ALa、ALb和ALc之外的构成元件(即，第一扫描线151、第二扫描线152、水平初始化电压线153、水平驱动电压线172h、驱动栅电极155、第二栅电极154b和第三栅电极154c)的区域处。辅助布线ALa、ALb和ALc可以电连接到诸如驱动电压线172a、172b和172c以及共电压线170的电源电压线，从而减小电源电压线的电阻。
辅助布线ALa、ALb和ALc中的每条可以基本上在第二方向y上延伸。辅助布线ALa、ALb和ALc中的每条可以包括与像素PX1、PX2和PX3中的像素电极191a、191b和191c叠置的部分。辅助布线ALa、ALb和ALc中的每条可以包括与驱动电压线172a、172b和172c、共电压线170和/或数据线171a、171b和171c叠置的部分。在其中所示的实施例中，辅助布线ALa与驱动电压线172a和共电压线170叠置，辅助布线ALb与驱动电压线172b和数据线171a叠置，辅助布线ALc与驱动电压线172c和数据线171b叠置。辅助布线ALa、ALb和ALc可以不与有源图案130a、130b和130c叠置。
第二绝缘层160可以设置在第二导电层上。第二绝缘层160可以覆盖晶体管T1、T2和T3。缓冲层120和/或第二绝缘层160可以包括接触孔24、26、60、61、62、63、64、65、66、67、68、69和60'。如稍后将描述的，第二绝缘层160可以由包括至少第一层160a和第二层160b的多层形成，第一层160a和/或第二层160b可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。
第三导电层可以设置在第二绝缘层160上。第三导电层可以包括数据线171a、171b和171c、驱动电压线172a、172b和172c、共电压线170、初始化电压线173、电容器电极175以及连接构件174、176、177和178。
数据线171a、171b和171c、驱动电压线172a、172b和172c、共电压线170和初始化电压线173中的每条可以基本上在第二方向y上延伸，并且可以与第一扫描线151和第二扫描线152交叉。
图3中示出的一组像素PX1、PX2和PX3可以布置在第一方向x上以基本上彼此相邻，并且可以重复地布置在第一方向x和第二方向y上。例如，共电压线170可以设置在一组像素PX1、PX2和PX3的左侧和右侧处。当三个像素PX1、PX2和PX3重复地包含在一组中时，三条数据线171a、171b和171c、三条驱动电压线172a、172b和172c以及至少一条初始化电压线173可以设置在两条共电压线170之间，所述两条共电压线170可以在第一方向x上基本上相邻。
数据线171a、171b和171c中的每条可以通过第二绝缘层160的接触孔64连接到有源图案130b的源区133b。
驱动电压线172a、172b和172c可以分别设置在像素PX1、PX2和PX3中。驱动电压线172a、172b和172c中的每条可以基本上在第二方向y上延伸。
驱动电压线172a、172b和172c可以通过第二绝缘层160的接触孔61连接到有源图案130a的源区133a。驱动电压线172a、172b和172c可以通过第二绝缘层160的接触孔60连接到水平驱动电压线172h。水平驱动电压线172h可以与驱动电压线172a、172b和172c一起传输驱动电压ELVDD。水平驱动电压线172h和驱动电压线172a、172b和172c可以在整个显示装置1中以网格形式连接。
驱动电压线172a、172b和172c可以通过第二绝缘层160的接触孔60'连接到各自的辅助布线ALa、ALb和ALc。换句话说，驱动电压线172a、172b和172c中的每条可以通过第二绝缘层160的接触孔60'中的相应一个连接到辅助布线ALa、ALb和ALc中的相应一个。例如，图5示出了通过第二绝缘层160的接触孔60'连接到辅助布线ALa的驱动电压线172a。可以减小驱动电压线172a、172b和172c的电阻，并且可以减小通过驱动电压线172a、172b和172c传输的驱动电压ELVDD的电压降。辅助布线ALa可以如所示的一样与共电压线170叠置，但是可以不与共电压线170叠置。共电压线170可以通过形成在第二绝缘层160中的接触孔连接到辅助布线ALa。
初始化电压线173可以通过第二绝缘层160的接触孔69连接到水平初始化电压线153。水平初始化电压线153可以与初始化电压线173一起传输初始化电压INIT。即使当针对每三个像素PX1、PX2和PX3设置一条初始化电压线173时，初始化电压INIT也可以通过水平初始化电压线153传输到所有三个像素PX1、PX2和PX3。三个像素PX1、PX2和PX3可以通过水平初始化电压线153同时地接收初始化电压INIT，并且可以构成一个像素组。
可以针对像素PX1、PX2和PX3设置一个电容器电极175。电容器电极175可以与相应的驱动栅电极155叠置，并且第二绝缘层160位于它们之间以形成电容器Cst。图2的电容器Cst的第一电极C1和第二电极C2可以分别与驱动栅电极155和电容器电极175对应。
电容器电极175可以包括向下延伸的突起175a。突起175a可以通过第二绝缘层160的接触孔62连接到例如如图4中示出的有源图案130a的漏区135a或有源图案130c的源区133c。电容器电极175可以例如如图4中示出的通过缓冲层120和第二绝缘层160的接触孔68连接到下部图案111。下部图案111可以电连接到漏区135a或源区133c。
连接构件174可以通过第二绝缘层160的接触孔24电连接到第二扫描线152和第三栅电极154c，以电连接第二扫描线152和第三栅电极154c。
连接构件176可以通过第二绝缘层160的接触孔26电连接到第一扫描线151和第二栅电极154b，以电连接第一扫描线151和第二栅电极154b。
连接构件177可以通过第二绝缘层160的在像素PX1、PX2和PX3中的每个中的接触孔63连接到有源图案130c的漏区135c，以通过第二绝缘层160的接触孔67连接到水平初始化电压线153。有源图案130c的漏区135c可以电连接到水平初始化电压线153。
水平初始化电压线153可以基本上在第一方向x上与三个像素PX1、PX2和PX3交叉延伸。水平初始化电压线153可以设置在两条相邻的共电压线170之间，并且可以不与两条共电压线170相交。水平初始化电压线153可以与三条相邻的数据线171a、171b和171c相交，并且可以延伸到初始化电压线173。作为另一示例，水平初始化电压线153可以与三条相邻的数据线171a，171b和171c相交，并且可以仅延伸到初始化电压线173。
连接构件178可以通过第二绝缘层160的在像素PX1、PX2和PX3中的每个中的接触孔65连接到有源图案130b的漏区135b，并且可以通过第二绝缘层160的接触孔66连接到驱动栅电极155的突起155a。连接构件178可以将有源图案130b的漏区135b与驱动栅电极155的突起155a电连接。
第一导电层、第二导电层和第三导电层中的每个可以包括诸如铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铬(Cr)或钽(Ta)的金属或者其合金。第一导电层、第二导电层和第三导电层中的每个可以具有如本领域普通技术人员所理解的单层或多层结构。
第一晶体管T1包括沟道区134a、源区133a、漏区135a和第一栅电极154a。由于第一晶体管T1的源区133a电连接到驱动电压线172a、172b和172c，因此可以向其施加驱动电压ELVDD。
例如，如图4中示出，与第一晶体管T1对应的下部图案111可以形成为在沟道区134a与基底110之间与第一晶体管T1的沟道区134a叠置，以阻挡外部光进入沟道区134a，从而减少第一晶体管T1的漏电流和特性劣化。下部图案111可以通过电容器电极175电连接到第一晶体管T1的漏区135a。
例如如图4中示出，下部图案111可以与有源图案130a完全地叠置，并且可以与第一晶体管T1的源区133a、沟道区134a和漏区135a中的全部叠置。形成有源图案130a的区域可以位于形成下部图案111的区域中。由于有源图案130a不与下部图案111的边缘相交，因此可以防止诸如在下部图案111的边缘附近的有源图案130a的断开的缺陷，如本领域的普通技术人员将理解和领会的，在下部图案111的边缘附近的有源图案130a可能比有源图案130a厚且可能形成相对大的台阶。能够改善下部图案111和有源图案130a附近的布局设置效率。
下部图案111可以通过电容器电极175电连接到像素电极191a、191b和191c，以与第一晶体管T1的沟道区134a叠置，因此可以降低电压-电流特性曲线中的饱和区的电流变化率以扩大第一晶体管T1的输出电流可以恒定的区域的范围。即使当第一晶体管T1的源极-漏极电压(Vds)会变化时，第一晶体管T1的输出电流也可以是恒定的，从而改善了输出饱和特性。可以减小根据第一晶体管T1的输出电流的像素之间的亮度偏差，从而改善图像质量。
第二晶体管T2包括沟道区134b、源区133b、漏区135b和第二栅电极154b。第二晶体管T2的源区133b可以电连接到数据线171a、171b和171c，以接收数据电压DAT或参考电压。第二晶体管T2的漏区135b可以通过驱动栅电极155电连接到第一栅电极154a。
第三晶体管T3包括沟道区134c、源区133c、漏区135c和第三栅电极154c。第三晶体管T3的漏区135c可以从水平初始化电压线153接收初始化电压INIT。
第三绝缘层181可以设置在第二绝缘层160和第三导电层上。第三绝缘层181可以包括例如如图5中示出的与电容器电极175叠置的接触孔83a和如图3中示出的与共电压线170叠置的接触孔81。
包括接触构件190a、190b、190c和190d的第四导电层可以设置在第三绝缘层181上。
接触构件190a、190b和190c可以分别设置在像素PX1、PX2和PX3中，并且可以通过接触孔83a与电容器电极175接触且电连接到电容器电极175。
如图6中示出，例如，接触构件190d可以通过接触孔81与共电压线170接触且电连接到共电压线170。
接触构件190a、190b、190c和190d可以改善第三导电层的电容器电极175与共电压线170和其他导电层之间的粘附，并且可以防止第三导电层的氧化。例如，当第三导电层的上层包含铜时，可以防止铜的氧化。第四导电层可以包含能够防止第三导电层的上层腐蚀的导电材料。例如，当第三导电层的上层包含铜时，第四导电层可以包含可以通过覆盖第三导电层的上层来防止铜腐蚀的导电材料。第四导电层可以包括诸如金属氧化物的导电材料，例如，氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)或者如本领域普通技术人员将领会和理解的其他合适的材料。
第四绝缘层182可以设置在第三绝缘层181和第四导电层上。第四绝缘层182可以设置在接触构件190a、190b、190c和190d上，并且可以具有与接触孔83a叠置的接触孔83b。例如，图5示出了设置在接触构件190a上且具有与接触孔83a叠置的接触孔83b的第四绝缘层182。
缓冲层120、第一绝缘层、第二绝缘层160、第三绝缘层181和第四绝缘层182中的至少一个可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氮氧化硅(SiON)的无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如，第四绝缘层182可以包括无机绝缘材料和/或诸如聚酰亚胺、丙烯酸类聚合物、硅氧烷类聚合物等的有机绝缘材料，并且可以具有基本上平坦的上表面。
包括像素电极191a、191b和191c的像素电极层191可以作为第五导电层设置在第四绝缘层182上。像素电极191a、191b和191c可以分别设置在相应的像素PX1、PX2和PX3中。设置在三个像素PX1、PX2和PX3处的像素电极191a、191b和191c可以在尺寸和形状上不同。像素PX1可以代表红色，像素PX2可以代表绿色，像素PX3可以代表蓝色。像素PX1、PX2和PX3不限于上述各个颜色，并且可以是红色、绿色和蓝色中的任何一种。从像素PX1、PX2和PX3中的每个发射光的区域可以基本上比像素电极191a、191b和191c的区域小。像素电极191a、191b和191c中的每个可以包括与辅助布线ALa、ALb和ALc叠置的部分。
像素电极191a、191b和191c可以通过第四绝缘层182的接触孔83b分别接触相应的接触构件190a、190b和190c，并且可以通过接触构件190a、190b和190c电连接到电容器电极175。像素电极191a、191b和191c中的每个可以电连接到第一晶体管T1的漏区135a以从第一晶体管T1接收电压。
像素电极层191可以包括透反射导电材料或反射导电材料。透反射导电材料或反射导电材料可以包括如本领域普通技术人员将理解和领会的任何这样的材料。
第五绝缘层350可以设置在第四绝缘层182上。第五绝缘层350可以具有设置在像素电极191a、191b和191c上的开口355。第五绝缘层350可以包括诸如聚丙烯酸类树脂或聚酰亚胺类树脂的有机绝缘材料。
发光层370可以设置在第五绝缘层350和像素电极层191上。发光层370可以包括设置在例如如图4中示出的第五绝缘层350的开口355中的部分。发光层370可以包括有机发射材料或无机发射材料。第五绝缘层350的至少一部分可以不被例如如图4中示出的发光层370覆盖。
例如如图6中示出，第五绝缘层350和发光层370可以包括与接触构件190d叠置的接触孔82。
共电极270可以设置在发光层370上。共电极270可以跨过像素PX1、PX2和PX3连续地形成。例如如图6中示出，共电极270可以通过接触孔82与接触构件190d接触，以电连接到共电压线170以接收共电压ELVSS。
共电极270可以包括导电透明材料。
各个像素PX1、PX2和PX3的像素电极191a、191b和191c、发光层370以及共电极270一起构成发光二极管ED。像素电极191a、191b和191c以及共电极270中的一个用作阳极，另一个用作阴极。
用于密封发光二极管ED的密封基底(未示出)可以设置在共电极270上，与像素PX1、PX2和PX3中的每个对应的滤色器(未示出)可以设置在密封基底中。
将参照图7与上述附图描述根据实施例的显示装置。
图7示出了根据实施例的沿着图3的线C-C'截取的示意性剖视图。
除了第四绝缘层182可以包括位于接触构件190d上的接触孔81a，并且像素电极层191可以包括通过接触孔81a接触接触构件190d的接触构件191d之外，图7的实施例与上述实施例的大多数相似。第五绝缘层350和发光层370可以包括与接触构件191d叠置的接触孔82a。共电极270可以通过接触孔82a与接触构件191d接触，以电连接到共电压线170以接收共电压ELVSS。
将参照图8和图9与上述附图描述根据实施例的显示装置。
图8和图9各自示出了根据实施例的沿着图3的线A-A'截取的示意性剖视图。
除了图8的实施例可以包括设置在第二导电层上的第六绝缘层122和设置在第六绝缘层122与第二绝缘层160之间的第六导电层之外，图8的实施例与上述实施例的大多数相似。
第六绝缘层122可以接触有源图案130a、130b和130c的导电区的上表面。第六绝缘层122可以包括与第二绝缘层160的接触孔61对应并与第二绝缘层160的接触孔61叠置的接触孔61a，并且可以包括接触孔62a和68a。
在图8的实施例中，可以包括设置在第六导电层中的电容器电极157而不是上述电容器电极175。电容器电极157可以通过接触孔68a连接到下部图案111，并且可以通过接触孔62a连接到有源图案130a的漏区135a。
电容器电极157可以具有与上述电容器电极175的平面形状相似的平面形状。电容器电极157可以与相应的驱动栅电极155叠置，并且第六绝缘层122位于它们之间以构成电容器Cst。
第六导电层可以包括连接图案163。连接图案163可以通过第六绝缘层122的接触孔61a与有源图案130a的源区133a接触。驱动电压线172a可以通过第二绝缘层160的接触孔61与连接图案163接触并电连接到连接图案163，以电连接到有源图案130a的源区133a。
在图8的实施例中，第六导电层可以包括可包括在上述实施例中的第二导电层中的辅助布线ALa、ALb和ALc。例如，辅助布线ALa、ALb和ALc可以设置在第六导电层中没有形成除辅助布线ALa、ALb和ALc之外的构成元件(即，电容器电极157和连接图案163)的区域处。辅助布线ALa、ALb和ALc中的至少一条可以连接到连接图案163，以与连接图案163连续地形成。作为包括在第六导电层中的构成元件的电容器电极157、连接图案163以及辅助布线ALa、ALb和ALc可以通过使用同一工艺形成在同一层中。
除了图9的实施例可以包括设置在第三导电层与第三绝缘层181之间的第七绝缘层180以及设置在第七绝缘层180与第三绝缘层181之间的第七导电层之外，图9的实施例与上述实施例的大多数相似。
第七导电层可以包括与第三导电层的数据线171a、171b和171c、驱动电压线172a、172b和172c、共电压线170、初始化电压线173等平行地延伸以与之电连接的导电图案。例如，第七导电层可以包括分别通过第七绝缘层180的接触孔电连接到驱动电压线172a和共电压线170的导电图案183和导电图案185。导电图案183和185可以传输与第三导电层的连接到其的构成元件的电压相同的电压，从而减小电压降。
当显示装置1包括第七导电层时，第三导电层可以包括可包括在上述实施例中的第三导电层中的数据线171a、171b和171c、驱动电压线172a、172b和172c、共电压线170、初始化电压线173、电容器电极175以及连接构件174、176、177和178中的一些，第七导电层可以包括其他上述元件，例如导电图案183和185。
在下文中，将主要关于与上述实施例的差异来描述根据一些实施例的显示装置。
图10示出了根据实施例的显示装置的像素区域的布局图，图11示出了根据实施例的沿着图10的线D-D'截取的示意性剖视图，图12示出了根据实施例的沿着图10的线E-E'截取的示意性剖视图。
参照图10、图11和图12，第四导电层可以包括与接触构件190a、190b、190c和190d一起的辅助布线AL。在图10中，阴影区域与可以形成辅助布线AL的区域对应。辅助布线AL可以在没有形成接触构件190a、190b、190c和190d的区域中与接触构件190a、190b、190c和190d分开设置，例如，图12示出了在没有形成接触构件190d的区域中与接触构件190d分开设置的辅助布线AL。辅助布线AL可以与接触构件190a、190b、190c和190d分开。辅助布线AL可以通过使用与接触构件190a、190b、190c和190d的工艺相同的工艺形成在同一层中。
辅助布线AL可以跨过多组像素PX1、PX2和PX3连续地形成。辅助布线AL可以针对每组像素PX1、PX2和PX3或者针对像素PX1、PX2和PX3中的每个单独地形成。辅助布线AL可以包括与数据线171a、171b和171c叠置的部分以及如图11中示出的与共电压线170叠置的部分、与驱动电压线172a、172b和172c叠置的部分。辅助布线AL可以通过第三绝缘层181的接触孔80'连接到驱动电压线172a、172b和172c。图11示出了通过第三绝缘层181的接触孔80'连接到驱动电压线172a的辅助布线AL。尽管未示出，但是辅助布线AL可以通过形成在第三绝缘层181中的接触孔连接到共电压线170。在一组像素PX1、PX2和PX3的区域中，辅助布线AL被分成至少两个部分，其中的第一部分可以电连接到驱动电压线(例如，172b和172c)，第二部分可以电连接到共电压线170。如上所述，辅助布线AL可以电连接到电源电压线(诸如驱动电压线172a、172b和172c以及共电压线170)以减小电源电压线的电阻和通过电源电压线传输的电源电压的电压降。
参照图13，辅助布线AL可以形成为不与第一扫描线151的至少一部分叠置，以减小可能在辅助布线AL与第一扫描线151之间形成的电容。出于相似的原因，辅助布线AL可以形成为不与第二扫描线152的至少一部分叠置。辅助布线AL可以具有与第一扫描线151叠置的开口OP1和/或与第二扫描线152叠置的开口OP2。
图14示出了根据实施例的显示装置的像素区域的布局图，图15示出了根据实施例的沿着图14的线F-F'截取的示意性剖视图。
参照图14和图15，与图10至图12的实施例类似，在实施例中第四导电层包括与接触构件190a、190b、190c和190d一起的辅助布线AL。在图14中，阴影部分与辅助布线AL对应。辅助布线AL可以与接触构件190a、190b和190c分开且分隔开，但是可以连接到接触构件190d且与接触构件190d连续地形成。由于接触构件190d通过接触孔81连接到共电压线170，因此辅助布线AL可以电连接到共电压线170。由于辅助布线AL可以与共电压线170一起传输共电压ELVSS，因此可以减小共电压ELVSS的电压降。
辅助布线AL可以跨过多组像素PX1、PX2和PX3连续地形成，但是辅助布线AL可以针对每组像素PX1、PX2和PX3或者针对像素PX1、PX2和PX3中的每个单独地形成。
辅助布线AL可以通过第三绝缘层181的接触孔80'连接到驱动电压线172a、172b和172c。如图15中示出，辅助布线AL可以通过形成在第三绝缘层181中的接触孔81连接到共电压线170。在一组像素PX1、PX2和PX3的区域中，辅助布线AL可以被分成至少两个部分，其中的第一部分可以电连接到共电压线170，第二部分可以电连接到驱动电压线(例如172b和172c)。
图16示出了根据实施例的显示装置的像素区域的布局图，图17示出了根据实施例的沿着图16的线G-G'截取的示意性剖视图。
参照图16和图17，显示装置1可以包括设置在基底110与缓冲层120之间的辅助布线AL。例如，第一导电层可以包括与下部图案111一起的辅助布线AL，并且辅助布线AL可以通过使用与下部图案111的工艺相同的工艺形成在同一层中。在图16中，阴影区域与可以形成辅助布线AL的区域对应。
如图17中示出，辅助布线AL可以与下部图案111分开且与下部图案111分隔开。由于下部图案111与有源图案130a叠置，所以辅助布线AL不与有源图案130a叠置。辅助布线AL可以不与有源图案130b和130c以及有源图案130a叠置以防止反向偏置效应。
驱动电压线172a、172b和172c可以通过形成在第二绝缘层160和缓冲层120中的接触孔602连接到辅助布线AL。因此，辅助布线AL可以减小用于传输驱动电压ELVDD的布线的电阻和驱动电压ELVDD的电压降。
如图17中示出，共电压线170可以通过形成在第二绝缘层160和缓冲层120中的接触孔601连接到辅助布线AL。如图18中示出，辅助布线AL可以被分成至少两个部分AL1和AL2，使得共电压线170可以通过形成在第二绝缘层160和缓冲层120中的接触孔601连接到第一部分AL1，驱动电压线172a、172b和172c可以通过形成在第二绝缘层160和缓冲层120中的接触孔602连接到第二部分AL2。在图18中，阴影区域与可以形成辅助布线AL的区域对应。
辅助布线AL可以形成为占据像素区域中的宽部分，从而在辅助布线AL与另一布线之间可能形成不期望的电容器。较厚绝缘层可以形成在辅助布线AL上以减小这样的电容器的电容。为此，缓冲层120可以由包括至少第一层120a和第二层120b的多层形成。第一层120a和/或第二层120b可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。类似地，第二绝缘层160可以由包括至少第一层160a和第二层160b的多层形成，第一层160a和/或第二层160b可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。以这种方式增加绝缘层的厚度来减小辅助布线AL与其他布线之间的电容可以等效地应用于上述其他实施例。
在以上实施例中，辅助布线AL、ALa、ALb和ALc可以连接到图1中示出的非显示区域NA中的驱动电压传输线DVL和/或共电压传输线CVL。尽管辅助布线AL、ALa、ALb和ALc被描述为电连接到诸如驱动电压线172a、172b和172c或共电压线170的电源电压线，但是辅助布线AL、ALa、ALb和ALc可以电连接到除电源电压线以外的布线。例如，辅助布线AL、ALa、ALb和ALc中的一些可以电连接到数据线171a、171b和171c，从而有助于减少数据信号DAT的延迟。
尽管已经参照发明的实施例示出和描述了发明，但是对于本领域的普通技术人员来说将清楚的是，在不脱离发明的精神和范围的情况下，可以对其进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和在所述显示区域周围的非显示区域；
晶体管，设置在所述基底上；
绝缘层，设置在所述晶体管上；
电源电压线，设置在所述绝缘层上，所述电源电压线传输电源电压；
数据线，设置在所述绝缘层上，所述数据线传输数据电压；以及
辅助布线，在所述显示区域中设置在所述基底与所述电源电压线之间，所述辅助布线包括在平面图中与所述电源电压线叠置的部分和与所述数据线叠置的部分，并且所述辅助布线电连接到所述电源电压线。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述电源电压线是传输驱动电压的驱动电压线或传输共电压的共电压线。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述驱动电压线通过形成在所述绝缘层中的接触孔连接到所述晶体管的源区或漏区，并且通过形成在所述绝缘层中的另一接触孔连接到所述辅助布线。
4.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括电连接到所述晶体管的像素电极，其中，所述辅助布线包括在所述平面图中与所述像素电极叠置的部分。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述辅助布线包括在所述平面图中与所述驱动电压线叠置的部分和与所述共电压线叠置的部分。
6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述电源电压线是所述驱动电压线，所述驱动电压线通过形成在至少所述绝缘层中的接触孔连接到所述辅助布线。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述辅助布线与所述晶体管的栅电极设置在同一层上。
8.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述绝缘层与所述晶体管之间的连接图案，其中，所述连接图案电连接到所述电源电压线和所述晶体管的源区或漏区，并且
所述辅助布线与所述连接图案设置在同一层上。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述辅助布线设置在所述基底与所述晶体管之间。
10.根据权利要求9所述的显示装置，所述显示装置还包括与所述晶体管的有源图案叠置的下部图案，
其中，所述辅助布线与所述下部图案设置在同一层上。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，
所述下部图案电连接到所述晶体管的源区或漏区。
12.根据权利要求9所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述晶体管与所述辅助布线之间的缓冲层，
其中，所述缓冲层是包括至少两层的多层。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述电源电压线通过形成在所述绝缘层和所述缓冲层中的接触孔连接到所述辅助布线。
14.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括显示区域和在所述显示区域周围的非显示区域；
晶体管，设置在所述基底上；
电源电压线，设置在所述晶体管上，所述电源电压线传输电源电压；
数据线，设置在所述晶体管上，所述数据线传输数据电压；
绝缘层，设置在所述电源电压线上；
辅助布线，在所述显示区域中设置在所述绝缘层上，所述辅助布线包括在平面图中与所述电源电压线叠置的部分和与所述数据线叠置的部分，并且所述辅助布线通过形成在所述绝缘层中的接触孔连接到所述电源电压线；以及
像素电极，设置在所述辅助布线上，所述像素电极电连接到所述晶体管。
15.根据权利要求14所述的显示装置，所述显示装置还包括：
电容器电极，与所述电源电压线设置在同一层上，所述电容器电极电连接到所述晶体管；以及
接触构件，设置在所述电容器电极与所述像素电极之间，所述接触构件通过形成在所述绝缘层中的接触孔连接到所述电容器电极，
其中，所述辅助布线与所述接触构件设置在同一层上。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其中，
所述电源电压线是传输驱动电压的驱动电压线或传输共电压的共电压线。
17.根据权利要求16所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一接触构件，设置在所述共电压线上，所述第一接触构件通过形成在所述绝缘层中的接触孔连接到所述共电压线；以及
共电极，设置在所述第一接触构件上，所述共电极电连接到所述第一接触构件，
其中，所述辅助布线与所述第一接触构件设置在同一层上。
18.根据权利要求17所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述第一接触构件与所述共电极之间的第二接触构件，所述第二接触构件电连接到所述第一接触构件和所述共电极。
19.根据权利要求16所述的显示装置，其中，
所述辅助布线包括在所述平面图中与所述驱动电压线叠置的部分和与所述共电压线叠置的部分。
20.根据权利要求16所述的显示装置，其中，
所述辅助布线包括在所述平面图中与所述共电压线叠置的第一部分和与所述驱动电压线和所述像素电极叠置的第二部分，并且
所述第一部分和所述第二部分彼此分开。
CN202010396664.XA 2019-05-13 2020-05-12 显示装置 Pending CN111933657A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190055880A KR20200131401A (ko) 2019-05-13 2019-05-13 표시 장치
KR10-2019-0055880 2019-05-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111933657A true CN111933657A (zh) 2020-11-13

Family

ID=73228723

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010396664.XA Pending CN111933657A (zh) 2019-05-13 2020-05-12 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11521541B2 (zh)
KR (1) KR20200131401A (zh)
CN (1) CN111933657A (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220150500A (ko) * 2021-05-03 2022-11-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20230017391A (ko) 2021-07-27 2023-02-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5613817B2 (zh) 1971-09-17 1981-03-31
JP5663231B2 (ja) 2009-08-07 2015-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR102315094B1 (ko) 2014-11-13 2021-10-20 엘지디스플레이 주식회사 고 개구율 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법
KR102403486B1 (ko) 2015-01-27 2022-05-27 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
JP6673731B2 (ja) 2016-03-23 2020-03-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
KR102621678B1 (ko) * 2016-09-30 2024-01-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조방법
KR102592010B1 (ko) * 2016-10-25 2023-10-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20180066948A (ko) 2016-12-09 2018-06-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20230065100A1 (en) 2023-03-02
US20200365077A1 (en) 2020-11-19
KR20200131401A (ko) 2020-11-24
US11521541B2 (en) 2022-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3331019B1 (en) Display device
KR102687709B1 (ko) 표시 장치
CN111937489B (zh) 显示装置
KR20180051739A (ko) 표시 장치
KR20200000853A (ko) 표시 장치
US10923558B2 (en) Display device and method of manufacturing display device
US20220005994A1 (en) Display device
KR20200060588A (ko) 표시 장치
US20230065100A1 (en) Display device
US12108652B2 (en) Display device having repair structure
CN111886925B (zh) 显示设备
US11955492B2 (en) Display device
CN110890386A (zh) 薄膜晶体管基板、液晶显示装置及有机电致发光显示装置
US20220068902A1 (en) Display device
CN113764464A (zh) 显示设备
US20220285332A1 (en) Display device
US20220199938A1 (en) Display panel and electroluminescent display device including the same
US11574592B2 (en) Display device
KR20200090313A (ko) 표시 장치
KR20080038538A (ko) 액정 표시 장치
WO2021005855A1 (ja) 表示装置
CN111627922A (zh) 显示装置
US20230387374A1 (en) Display device
CN110890385A (zh) 薄膜晶体管基板、液晶显示装置及有机电致发光显示装置
US20240224596A1 (en) Display Device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination