CN111727470A - 像素电路、显示装置、驱动像素电路的方法以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

[问题]提供一种像素电路，能够防止晶体管中的漏电流降低像素电路的亮度，同时防止元件数量的增加或即使添加元件也使添加的元件数量最小化。[解决方案]提供了一种像素电路，包括：发光元件；驱动晶体管，用于将电流供应至发光元件；第一复位晶体管，用于将发光元件的阳极的电位设定为规定电位；第一写入晶体管，用于控制在驱动晶体管的栅极节点处的信号电压的写入；保持电容器，其一端连接到驱动晶体管的栅极节点，用于保持驱动晶体管的阈值电压；以及第二写入晶体管，串联连接在驱动晶体管的栅极节点与第一写入晶体管之间。

Description

像素电路、显示装置、驱动像素电路的方法以及电子设备
技术领域
本公开涉及像素电路、显示装置、像素电路的驱动方法以及电子设备。
背景技术
近年来，在显示装置领域中，将包括发光单元的像素排列成行和列(矩阵)的平面(平板)显示装置已成为主流。平面显示装置的一个示例是使用所谓的电流驱动的电光元件(诸如发光亮度根据流过发光单元的电流值而改变的有机EL元件)的有机电致发光(EL)显示装置。
在该有机EL显示装置为典型示例的平面显示装置中，在一些情况下，驱动晶体管的晶体管特性(例如，阈值电压)由于工艺变化等而逐像素变化，该驱动晶体管驱动电光元件。例如，专利文献1公开了一种显示装置的技术，该显示装置在执行对驱动晶体管的特性的校正操作时，能够缩短初始化电压到驱动晶体管的栅极节点的写入时间。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利申请公开号2015-34861
发明内容
本发明要解决的问题
在这种有机EL显示装置中，在显示静止图像时停止视频信号的输出以降低功耗的驱动方法正在变得普遍。当在显示静止图像时停止视频信号的输出时，恒定电流需要持续被供应至像素电路中的有机EL元件，并且如果驱动晶体管的工作点改变，则亮度改变。MOS、低温多晶硅(LTPS)等具有相对较大的漏电流。如果增加晶体管的数量以维持驱动晶体管的工作点，则以窄间距的像素布局变得困难，这阻碍了显示器的高清晰度。
因此，在本公开中，提出了新的且改进的像素电路、显示装置、像素电路的驱动方法以及电子设备，其可以在不增加元件数量、或者即使增加元件数量也以最小限度增加的情况下抑制由于晶体管中的泄漏引起的亮度降低。
问题的解决方案
根据本公开，本发明提供一种像素电路，包括：发光元件；驱动晶体管，其被配置为向发光元件提供电流，第一复位晶体管，其被配置为将发光元件的阳极的电位设置为预定电位；第一写入晶体管，其被配置为控制在驱动晶体管的栅极节点处的信号电压的写入；保持电容器，其一端连接到驱动晶体管的栅极节点并被配置为保持驱动晶体管的阈值电压；以及第二写入晶体管，其串联连接在驱动晶体管的栅极节点和第一写入晶体管之间。
此外，根据本公开，本发明提供一种像素电路的驱动方法，该像素电路包括：发光元件；驱动晶体管，其被配置为向发光元件提供电流；第一复位晶体管，被配置为将发光元件的阳极的电位设置为预定电位；第一写入晶体管，被配置为控制在驱动晶体管的栅极节点处的信号电压的写入；保持电容器，其一端连接到驱动晶体管的栅极节点并且被配置为保持驱动晶体管的阈值电压；以及第二写入晶体管，串联连接在驱动晶体管的栅极节点与第一写入晶体管之间，该方法包括：在发光结束后的第一时段中导通第一写入晶体管和第二写入晶体管，在第一时段之后的第二时段中校正驱动晶体管的阈值电压，在第二时段之后的第三时段中将信号电压写入至驱动晶体管，以及在第三时段之后的第四时段中关断第一写入晶体管和第二写入晶体管，并允许电流通过驱动晶体管流过发光元件，以使发光元件发光。
本发明的效果
如上所述，根据本公开，可以提供新的且改进的像素电路、显示装置、像素电路的驱动方法以及电子设备，其可以在不增加元件数量、或者即使增加了元件数量也以最小限度增加的情况下抑制由于晶体管中的泄漏引起的亮度降低。
注意，上面描述的效果不必被限制，并且伴随或代替上面描述的效果，可以展示在本描述中描述的任何效果、或者可以从本描述中掌握的另一效果。
附图说明
图1是示出根据本公开的实施例的显示装置100的配置示例的说明图。
图2是示出根据本实施例的显示装置100的更详细的配置示例的说明图。
图3是示出像素电路的示例的说明图。
图4是示出像素电路的示例的说明图。
图5是示出像素电路的示例的说明图。
图6是示出像素电路的示例的说明图。
图7是示出像素电路的示例的说明图。
图8是示出像素电路的示例的说明图。
图9是示出根据实施例的像素电路的示例的说明图。
图10是示出图9所示的像素电路如何被驱动的说明图。
图11是示出根据实施例的像素电路的示例的说明图。
图12是图11所示的像素电路如何被驱动的说明图。
图13是示出根据本实施例的像素电路的示例的说明图。
图14是图13所示的像素电路如何被驱动的说明图。
具体实施方式
下文，将参考附图详细描述本公开的优选实施例。注意，在本描述和附图中，相同的附图标记表示具有基本相同的功能配置的成分，并且将省略重叠的描述。
注意，描述将按以下顺序给出。
1.本公开的实施例
1.1.本公开的显示装置、显示装置的驱动方法以及电子设备的总体描述
1.2.配置示例和操作示例
2.总结
<1.本公开的实施例>
[1.1.本公开的显示装置、显示装置的驱动方法以及电子设备的总体描述]
根据本公开的显示装置是其中布置有像素电路的平面(平板)显示装置，该像素电路除了具有驱动发光单元的驱动晶体管之外，还具有采样晶体管和保持电容器。平面显示装置的示例包括有机EL显示装置、液晶显示装置、等离子体显示装置等。在这些显示装置当中，在有机EL显示装置中，有机EL元件用作像素的发光元件(电光元件)。在有机EL元件中，有机材料的电致发光用于利用在电场施加到有机薄膜时的发光现象。
有机EL元件用作像素的发光单元的有机EL显示装置具有以下优点。即，由于有机EL元件可以由10V或更低的施加电压驱动，所以有机EL显示装置消耗较低的功率。由于有机EL元件是自发光元件，所以有机EL显示装置具有比液晶显示装置更高的图像可见性，该液晶显示装置也是平面显示装置的示例。此外，由于有机EL显示装置不需要诸如背光的照明构件，所以可以容易地减小有机EL显示装置的重量和厚度。而且，由于有机EL元件的响应速度高达几微秒，所以有机EL显示装置在显示运动图像时不会产生余像。
有机EL元件是自发光元件，并且也是电流驱动的电光元件。电流驱动的电光元件的示例除了包括有机EL元件之外，还包括无机EL元件、LED元件、半导体激光元件等。
诸如有机EL显示装置的平面显示装置可以用作包括显示单元的各种电子设备中的每个中的显示单元(显示装置)。各种电子设备的示例除了包括电视系统之外，还包括头戴式显示器、数码相机、摄像机、游戏控制台、膝上型个人计算机、诸如电子书的便携式信息设备、诸如个人数字助理(PDA)或移动电话的移动通信设备等。
在根据本公开的显示装置、显示装置的驱动方法以及电子设备中，驱动单元可以被配置为将驱动晶体管的栅极节点设定为浮置状态，并然后将源极节点设定为浮置状态。此外，驱动单元可以被配置为使采样晶体管写入信号电压，同时该驱动晶体管的源极节点保持为浮置状态。可以采用一种配置，其中初始化电压在与信号电压的时刻不同的时刻被供应至信号线，并且该初始化电压通过由采样晶体管执行的采样从信号线写入到驱动晶体管的栅极节点。
在包括上述优选配置的根据本公开的显示装置、显示装置的驱动方法以及电子设备中，可以采用像素电路形成在诸如硅的半导体上的配置。此外，驱动晶体管可以包括P沟道晶体管。使用P沟道晶体管代替N沟道晶体管作为驱动晶体管的原因如下。
在晶体管形成在诸如硅的半导体上而不是诸如玻璃基底的绝缘体上的情况下，晶体管不具有源极/栅极/漏极这三个端子，而是具有源极/栅极/漏极/背栅极(基极)这四个端子。然后，在使用N沟道晶体管作为驱动晶体管的情况下，背栅极(基底)电压为0V，这对针对每个像素校正驱动晶体管的阈值电压的变化的操作等产生不利影响。
此外，晶体管的特性的变化在不具有轻掺杂漏极(LDD)区的P沟道晶体管中比在具有LDD区的N沟道晶体管中小，这有利于实现像素的小型化，进而有利于实现显示装置的更高清晰度。由于这种原因等，在假设在诸如硅的半导体上形成的情况下，优选使用P沟道晶体管而不是N沟道晶体管作为驱动晶体管。
在包括上述优选配置的根据本公开的显示装置、显示装置的驱动方法以及电子设备中，采样晶体管也可以包括P沟道晶体管。
可替代地，在包括上述优选配置的本公开的显示装置、显示装置的驱动方法以及电子设备中，像素电路可以包括控制发光单元的发光/不发光的发光控制晶体管。此时，发光控制晶体管也可以包括P沟道晶体管。
可替代地，在包括上述优选配置的本公开的显示装置、显示装置的驱动方法以及电子设备中，保持电容器可以连接在驱动晶体管的栅极节点与源极节点之间。此外，像素电路可以包括连接在驱动晶体管的源极节点与固定电位的节点之间的辅助电容器。
可替代地，在包括上述优选配置的本公开的显示装置、显示装置的驱动方法以及电子设备中，像素电路可以包括连接在驱动晶体管的漏极节点与发光单元的阴极节点之间的开关晶体管。此时，开关晶体管也可以包括P沟道晶体管。此外，驱动单元可以被配置为使开关晶体管在发光单元的不发光时段期间导通。
可替代地，在包括上述优选配置的根据本公开的显示装置、显示装置的驱动方法以及电子设备中，驱动单元可以被配置为在采样晶体管的初始化电压的采样时刻之前将用于驱动开关晶体管的信号设定为有效状态。然后，驱动单元可以将用于驱动发光控制晶体管的信号设定为有效状态并然后设定为非有效状态。此时，驱动单元可以被配置为在将用于驱动发光控制晶体管的信号设定为非有效状态之前，使采样晶体管完成对初始化电压的采样。
[1.2.配置示例和操作示例]
随后，将描述根据本公开的实施例的显示装置的配置示例。图1是示出根据本公开的实施例的显示装置100的配置示例的说明图。以下，将参考图1描述根据本公开的实施例的显示装置100的配置示例。
像素单元110具有这样的配置，其中像素以矩阵排列，每个像素设置有诸如有机EL元件等的自发光元件。在像素单元110中，针对以矩阵排列的像素，在水平方向上以行为单位设置扫描线，并且信号线以与扫描线正交的方式针对每列设置。
水平选择器120按顺序地传递预定的采样脉冲，并利用该采样脉冲按顺序地锁存图像数据，并因此将图像数据分配到每个信号线。此外，水平选择器120对分配到每个信号线的图像数据执行模数转换处理，并因此通过时分方式生成表示被连接到每个信号线的每个像素的发光亮度的驱动信号。水平选择器120将该驱动信号输出到相对应的信号线。
垂直扫描器130响应于水平选择器120对信号线的驱动而针对每个像素生成驱动信号，并将该驱动信号输出到扫描线SCN。结果，显示装置100使垂直扫描器130按顺序驱动排列在像素单元110中的每个像素，使每个像素以由水平选择器120设定的每个信号线的信号电平发光，并且在像素单元110上显示期望的图像。
图2是示出根据本公开的实施例的显示装置100的更详细的配置示例的说明图。以下，将参考图2描述根据本公开的实施例的显示装置100的配置示例。
在像素单元110中，显示红色的像素111R、显示绿色的像素111G以及显示蓝色的像素111B以矩阵形式排列。
然后，垂直扫描器130包括自动调零扫描器131、驱动扫描器132以及写入扫描器133。通过从各个扫描器将信号供应至像素单元110中的以矩阵排列的像素，设置在各个像素中的TFT被导通和关断。
可以设想在像素单元110中设置的每个像素的各种形式。例如，图3示出了包括三个N沟道晶体管和一个电容器的像素电路。图3所示的像素电路是包括N沟道晶体管T1、T2和T3、电容器C1、以及有机EL元件EL的像素电路。对像素电路的驱动的细节在例如日本专利申请公开号2008-225345等中描述，并且省略详细描述。晶体管T1是用于将电流供应至有机EL元件EL的驱动晶体管。晶体管T2是用于写入视频信号的写入晶体管。晶体管T3是用于使有机EL元件EL消光并复位阳极电位的复位晶体管。图3所示的像素电路是具有校正作为驱动晶体管的晶体管T1的阈值电压(Vth校正)的功能和校正迁移率变化的功能的电路。
近年来，通过在显示静止图像时停止视频信号的输出来降低功耗的驱动方法正在变得普遍，该驱动方法主要针对用于移动用途等的面板。即，在显示静止图像时执行低频驱动的驱动方法正在被采用。在这种情况下，必须持续将恒定电流供应至像素电路中的有机EL元件。即，驱动晶体管(图3所示的像素电路中的晶体管T1)的工作点在静止图像显示期间必须不得改变。氧化物TFT具有优异的泄漏特性，并与这种驱动兼容。相反，在MOS、LTPS等中，由于漏电流相对较大，并且难以维持驱动晶体管的工作点，所以在显示静止图像期间亮度会降低。
因此，为了抑制晶体管的漏电流，可以设想在图3所示的像素电路中添加与晶体管T2和T3中的每一个串联的N沟道晶体管的方法。图4是示出像素电路的配置示例的说明图。该像素电路具有N沟道晶体管T4和T5被添加到图3所示的像素电路的配置。通过如上所述地添加晶体管T4和T5，在作为驱动晶体管的晶体管T1的栅极与信号Vsig所供应至的信号线之间存在两个晶体管，并且在有机EL元件EL的阳极与供应复位电压Vss的信号线之间存在两个晶体管。
如上所述，写入晶体管和复位晶体管中的每一者包括串联连接的两个晶体管。因此，可以抑制驱动晶体管的漏电流，并且可以抑制静止图像显示期间的亮度下降。
到目前为止已描述中通过使用N沟道晶体管来配置像素电路的示例。然而，即使在通过使用P沟道晶体管来配置像素电路的情况下，也可以采用通过串联连接晶体管来抑制晶体管的漏电流的方法。
图5是示出包括五个P沟道晶体管和一个电容器的像素电路的示例的说明图。图5所示的像素电路是包括P沟道晶体管T11、T12、T13、T14及T15、电容器Cs、以及有机EL元件EL的像素电路。此外，在图5中，示出了在每个像素被驱动时工作的晶体管T16以及T17以及传输栅极TF。
对像素电路的驱动的细节例如在日本专利申请公开号2015-152775等中已描述，并且省略详细描述。晶体管T1具有连接到信号线DS的栅极、连接到有机EL元件EL的阳极的漏极、以及连接到晶体管T2的漏极的源极。视频信号Vsig经由晶体管T3供应至晶体管T2的栅极，并且晶体管T2的源极连接到电源电压VCCP。晶体管T3的栅极连接到信号线WS。晶体管T4的栅极连接到信号线AZ1。晶体管T5的栅极连接到信号线AZ2。
此外，为了加速对像素电路的驱动，提出了一种像素电路，该电路旨在通过单独地设置一用于校正的电容线并将该电容线划分到多个像素中以提高校正速度来减小电容。图6是示出包括六个P沟道晶体管和一个电容器的像素电路的示例的说明图。图6所示的像素电路包括P沟道晶体管T11至T15及T18、有机EL元件EL以及电容性元件CS。对像素电路的驱动的细节在例如日本专利申请公开号2016-38425等中已描述，并且省略详细描述。
图5和图6中所示的每个像素电路中的驱动晶体管是晶体管T12。同样在图5和图6所示的每个像素电路中，作为驱动晶体管的晶体管T12的工作点在静止图像显示期间必须不得改变。
因此，将晶体管添加到图5和图6所示的每个像素电路的方法可以被采用以抑制晶体管的漏电流并抑制静态图像显示期间的亮度下降。
图7是示出晶体管被添加到图5所示的像素电路以抑制晶体管的漏电流的像素电路的配置示例的说明图。图7所示的像素电路具有其中P沟道晶体管T21、T22及T23被添加到图5所示的像素电路的配置。通过如上所述地添加晶体管T21、T22及T23，在作为驱动晶体管的晶体管T21的栅极与信号Vsig被供应至的信号线之间存在两个晶体管，在有机EL元件EL的阳极与供应复位电压Vss的信号线之间存在两个晶体管，并且在该栅极与有机EL元件EL的阳极之间存在两个晶体管。由于每一项的晶体管的数量都增加，所以可以抑制来自晶体管的漏电流。
图8是示出像素电路的配置示例的说明图，在该像素电路中，晶体管被添加到图5所示的像素电路，以便抑制晶体管的漏电流。图8所示的像素电路具有其中P沟道晶体管T21、T22及T23被添加到图6所示的像素电路的配置。通过如上所述地添加晶体管T21、T22及T23，在作为驱动晶体管的晶体管T21的栅极与电容线之间存在两个晶体管，在有机EL元件EL的阳极与供应复位电压Vss的信号线之间存在两个晶体管，并且在有机EL元件EL的阳极与电容线之间存在两个晶体管。结果，可以抑制漏电流。
然而，图4所示的像素电路包括比图3所示的像素电路更多的两个晶体管，并且图7和图8所示的像素电路具有比图5和图6所示的像素电路的像素更多的三个像素。如上所述，如果为了维持驱动晶体管的工作点而增加像素电路中的晶体管数量，则以窄间距的像素布局变得困难，这阻碍了显示器的高清晰度。
因此，鉴于上面的情况，本案例的公开方已深入研究了在使用有机EL元件的显示装置的像素电路中，在不增加晶体管数量、或者即使增加了晶体管数量也以最小限度增加晶体管数量的情况下，能够在静止图像显示期间抑制漏电流并维持驱动晶体管的工作点的技术。结果，如下所述，本案例的公开方设计了一种在使用有机EL元件的显示装置的像素电路中，在不增加晶体管的数量、或者即使增加晶体管的数量也以最小限度增加晶体管的数量的情况下，能够在静止图像显示期间抑制漏电流并维持驱动晶体管的工作点的技术。
(四晶体管像素电路)
首先，作为本公开的实施例，将描述包括三个N沟道晶体管的像素电路的示例。图9是示出根据本公开的实施例的像素电路的示例的说明图。图9所示的像素电路包括N沟道晶体管T31、T32、T33及T34、电容器C31以及有机EL元件EL。图9所示的像素电路基于图3所示的像素电路。
晶体管T31是用于将电流供应至有机EL元件EL的驱动晶体管、晶体管T32是用于写入视频信号的写入晶体管、并且晶体管T33是用于使有机EL元件EL消光并复位阳极电位的复位晶体管。图9所示的像素电路是具有校正作为驱动晶体管的晶体管T1的阈值电压(Vth校正)的功能和校正迁移率变化的功能的电路。
图9所示的像素电路基于图3所示的像素电路；然而，与图4所示的像素电路不同之处在于，一个N沟道晶体管被添加到图3所示的像素电路中。图9所示的像素电路包括晶体管T34，并因此，在作为驱动晶体管的晶体管T31的栅极与信号Vsig、Vss以及Vofs被供应至的信号线151之间存在两个晶体管，并且在有机EL元件EL的阳极与供应复位电压Vss的信号线之间存在两个晶体管。
通过以这种方式配置像素电路，可以抑制驱动晶体管的漏电流，并且可以抑制静止图像的显示期间的亮度降低。
图10是示出图9所示的像素电路如何被驱动的说明图。将参考图10描述驱动图9所示的像素电路的示例。
发光时段持续到时间点t1，并且发光时段在时间点t1结束，而消光时段开始。在时间点t1处，信号线WS1、WS2以及AZ中的每一个从低切换到高。如果所有信号线WS1、WS2和AZ从低切换到高，则晶体管T32、T33以及T34分别导通。如果晶体管T32、T33以及T34导通，则晶体管T31的栅极电位Vg和晶体管T31的源极电位(有机EL元件EL的阳极电位)Vs开始降低，并且栅极电位Vg和源极电位Vs全部下降到信号线151的电位VSS。
在时间点t2处，消光时段结束，并且信号线AZ从高切换到低。如果信号线AZ切换到低，则晶体管T33关断，并且有机EL元件EL的阳极与信号线151断开。
随后，Vth校正时段在时间点t3处开始，并且信号线151的电位从Vss上升到Vofs。如果信号线151的电位从Vss上升到Vofs，则晶体管T31的栅极电位Vg开始上升到Vofs。此外，经由电容器C31连接到晶体管T31的栅极的晶体管T31的源极电位随着信号线151的电位的上升而逐渐上升，直到该源极电位达到通过从Vofs减去晶体管T31的阈值电压Vth而获得的值为止。
在时间点t4处，Vth校正时段结束，并且信号线WS1从高切换到低。如果信号线AZ切换到低，则晶体管T32关断，并且晶体管T31的栅极与信号线151断开。
在时间点t4之后，信号线151的电位从Vofs改变为视频信号的电位Vsig。此后，在时间点t5处，信号写入和移动校正时段开始。在时间点t5处，信号线WS1从低切换到高。如果信号线AZ切换到高，则晶体管T32导通并且晶体管T31的栅极连接到信号线151。在此时段期间，由于晶体管T31的输出电流负反馈到电容器C31，所以晶体管T31的栅极-源极电压Vgs变为反映迁移率μ的值，并且在经过一定时间之后，栅极-源极电压Vgs变为通过完全校正迁移率μ而获得的值。
因此，晶体管T31的栅极电位Vg开始上升到Vsig。此外，经由电容器C31连接到晶体管T31的栅极的晶体管T31的源极电位随着信号线151的电位的上升而上升。
随后，在时间点t6处，信号写入和移动校正时段结束，并且发光时段开始。在时间点t6处，信号线WS1和WS2切换到低。如果信号线WS1和WS2切换到低，则晶体管T32和T34关断，并且晶体管T31的栅极和有机EL元件EL的阳极都与信号线151断开。结果，可以升高晶体管T31的栅极电位。在保持电容器C31中的栅极-源极电压Vgs的值恒定的同时，晶体管T31的源极电位Vs的电位随着晶体管T31的栅极电位Vg的增加而增加。结果，消除了有机EL元件EL的反向偏置状态，并且晶体管T31允许根据栅极-源极电压Vgs的漏极电流流过有机EL元件EL。如果电流从晶体管T31流过，则有机EL元件EL发光。注意，信号线151的电位在发光时段中的任意时刻降低到Vss。
如上所述，在图9所示的像素电路中，即使设置了晶体管T34，也可以毫无问题地校正作为驱动晶体管的晶体管T31的阈值电压和迁移率的变化。然后，在图9所示的像素电路中，可以抑制驱动晶体管的漏电流，并且可以抑制静止图像显示期间的亮度下降。
(五晶体管像素电路)
随后，作为本公开的实施例，将描述包括五个P沟道晶体管的像素电路的示例。图11是示出根据本公开的实施例的像素电路的示例的说明图。图11所示的像素电路包括P沟道晶体管T41、T42、T43、T44及T45、电容器C41、以及有机EL元件EL。图11所示的像素电路基于图4所示的像素电路。此外，在图11中，示出了电容性元件Csig和P沟道晶体管T46、T47以及T48。这些晶体管T46、T47以及T48用作使传输栅极TF的输出电压移位的电平移位电路。
晶体管T41具有连接到信号线DS的栅极、连接到有机EL元件EL的阳极的漏极、以及连接到晶体管T42的漏极的源极。晶体管T42是驱动晶体管。视频信号Vsig经由晶体管T43和T44供应至晶体管T42的栅极，并且晶体管T42的源极连接到电源电压VCCP。晶体管T43和T44是写入晶体管。晶体管T43的栅极连接到信号线WS1。此外，晶体管T43的源极连接到信号线161。晶体管T44的栅极连接到信号线WS2。此外，晶体管T44的源极连接到晶体管T43的漏极。晶体管T45的栅极连接到信号线cmp。
此外，晶体管T46控制向信号线161供应电位Vss，并且其栅极连接到信号线Vg_Vss。晶体管T47控制向信号线161供应电位Vofs，并且其栅极连接到信号线Vg_Vofs。晶体管T48控制向信号线161供应电位Vrst，并且其栅极连接到信号线Vg_Vrst。注意，假设Vofs>Vss。
图11所示的像素电路基于图4所示的像素电路；然而，与图7所示的像素电路不同之处在于：图11所示的像素电路中的晶体管数量未从图4中的像素电路中的晶体管数量增加。在图11所示的像素电路中，由于设置了晶体管T43，所以在作为驱动晶体管的晶体管T42的栅极与信号线161之间、在晶体管T42的漏极与供应信号线161的信号线之间、以及在作为驱动晶体管的晶体管T42的栅极与漏极之间存在两个晶体管。
通过以这种方式配置像素电路，可以抑制驱动晶体管的漏电流，并且抑制静止图像显示期间的亮度降低。
图12是示出图11所示的像素电路如何被驱动的说明图。将参考图12描述驱动图11所示的像素电路的示例。
在发光时段期间的时间点t1处，信号线Vg_Vss和Vg_Vrst从高切换到低。如果信号线Vg_Vss和Vg_Vrst从高切换到低，则晶体管T46和T48分别被导通。此外，此时，由于信号线DS保持为低，所以晶体管T41也被导通。
此后，发光时段在时间点t2处结束，并且消光时段开始。在时间点t2处，信号线WS1和cmp从高切换到低。如果信号线WS1和cmp从高切换到低，则晶体管T43和T45导通。如果晶体管T43和T45导通，则晶体管T41和T46导通。因此，晶体管T42的漏极电位Vd和有机EL元件EL的阳极电位Vanode降低到Vss。
此后，在时间点t3处，消光时段结束，并且Vth校正准备时段开始。在时间点t3处，信号线DS从低切换到高、信号线WS2从高切换到低、信号线Vg_Vss从低切换到高、并且信号线Vg_Vofs从高切换到低。如果信号线DS从低切换到高，则晶体管T41关断，并且晶体管T42的漏极与有机EL元件EL的阳极断开。此外，如果信号线WS2从高切换到低，则晶体管T44导通。此外，如果信号线Vg_Vss从低切换到高，则晶体管T46关断。此外，如果信号线Vg_Vofs从高切换到低，则晶体管T47导通。
因此，晶体管T42的栅极电位Vg降低到Vofs，并且此外，晶体管T42的漏极电位Vd上升到Vofs。注意，由于晶体管T41关断并且晶体管T42的漏极与有机EL元件EL的阳极断开，所以有机EL元件EL的阳极电位不改变。
此后，在时间点t4处，Vth校正准备时段结束，并且Vth校正时段开始。在时间点t4处，信号线Vg_Vofs从低切换到高。如果信号线Vg_Vofs从低切换到高，则晶体管T47关断。因此，晶体管T42的栅极电位Vg和漏极电位Vd上升到通过从电源电压VCCP减去晶体管T42的阈值电压Vth而获得的电位。
此后，在时间点t5处，Vth校正时段结束。在时间点t5处，信号线cmp从低切换到高。如果信号线cmp从低切换到高，则晶体管T45关断。如果晶体管T45关断，则晶体管T42的漏极与信号线161断开。
此后，信号写入时段在时间点t6处开始。在时间点t6处，信号线Vg_Vrst从低切换到高。此外，在时间点t6处，信号线Vg_Vsig从高切换到低。如果信号线Vg_Vrst从低切换到高，则晶体管T48关断。此外，如果信号线Vg_Vsig从高切换到低，则视频信号的信号电压Vsig被供应至信号线161。
此时，晶体管T45保持关断，并且晶体管T42的漏极与信号线161断开。因此，如果向信号线161供应信号电压Vsig，则晶体管T42的栅极电位Vg降低，直到晶体管T42的栅极电位Vg与晶体管T42的漏极电位Vd之间的电位差变为视频信号的信号电压Vsig为止。因此，视频信号被写入到晶体管T42。
此后，在时间点t7处，信号写入时段结束，并且发光时段开始。在时间点t7处，信号线DS从高切换到低。此外，在时间点t7处，信号线WS1和WS2从低切换到高。此外，在时间点t7处，信号线Vg_Vsig从低切换到高。因此，晶体管T41导通，晶体管T43和T44关断，并且停止向信号线161供应视频信号。如果晶体管T41导通，则晶体管T42的漏极电位Vd变为等于有机EL元件EL的阳极电位Vanode。如果晶体管T42的漏极电位Vd降低，则晶体管T42允许电流流过有机EL元件EL。如果电流从晶体管T42流过，则有机EL元件EL发光。
如上所述，在不从图5所示的像素电路中的数量增加每像素的晶体管数量的情况下，图11所示的像素电路可以毫无疑问地校正作为驱动晶体管的晶体管T42的阈值电压。然后，在图11所示的像素电路中，在不从图5所示的像素电路中的数量增加每像素的晶体管数量的情况下，可以抑制驱动晶体管的漏电流，并且可以抑制静止图像显示期间的亮度降低。
(六晶体管像素电路)
随后，作为本公开的实施例，将描述包括六个P沟道晶体管的像素电路的示例。图13是示出根据本公开的实施例的像素电路的示例的说明图。图13所示的像素电路包括P沟道晶体管T51、T52、T53、T54、T55及T56、电容器Cs1及Cs2、以及有机EL元件EL。图13所示的像素电路基于图5所示的像素电路。此外，在图13中，示出了P沟道晶体管T57和T58。这些晶体管T57和T58用作使传输栅极TF的输出电压移位的电平移位电路。
晶体管T51具有连接到信号线DS的栅极、连接到有机EL元件EL的阳极的漏极、以及连接到晶体管T52的漏极的源极。晶体管T52为驱动晶体管。视频信号Vsig经由晶体管T53、T54以及T56供应至晶体管T52的栅极，并且晶体管T52的源极连接到电源电压VCCP。晶体管T53和T54是写入晶体管。晶体管T53的栅极连接到信号线WS1。此外，晶体管T53的源极连接到信号线171。晶体管T54的栅极连接到信号线WS2。此外，晶体管T54的源极连接到晶体管T53的漏极。晶体管T55的栅极连接到信号线cmp。晶体管T56设置在信号线171与电容线172之间，并且具有连接到信号线VG_RST的栅极。
此外，晶体管T57控制向信号线171供应电位Vss，并且具有连接到信号线Vg_Vss的栅极。晶体管T58控制向信号线171供应电位Vofs，并且具有连接到信号线Vg_Vofs的栅极。注意，假设Vofs>Vss。
图13所示的像素电路基于图6所示的像素电路；然而，与图8所示的像素电路不同之处在于：图13所示的像素电路中的晶体管数量未从图6所示的像素电路中的数量增加。在图13所示的像素电路中，由于设置了晶体管T53，所以在作为驱动晶体管的晶体管T52的栅极与电容线172之间、在晶体管T52的漏极与电容线172之间以及在晶体管T52的栅极与漏极之间存在两个晶体管。
通过以这种方式配置像素电路，可以抑制驱动晶体管的漏电流，并且抑制静止图像显示期间的亮度降低。
图14是图13所示的像素电路如何被驱动的说明图。将参考图14描述驱动图13所示的像素电路的示例。
在发光时段期间的时间点t1处，信号线Vg_Vss和Vg_RST从高切换到低。如果信号线Vg_Vss和Vg_RST从高切换到低，则晶体管T57和T56分别被导通。此外，此时，由于信号线DS保持为低，所以晶体管T51也被导通。
此后，发光时段在时间点t2处结束，并且消光时段开始。在时间点t2处，信号线WS1和cmp从高切换到低。如果信号线WS1和信号线cmp从高切换到低，则晶体管T53和T55导通。如果晶体管T53和T55导通，则晶体管T51和T56导通。因此，晶体管T52的漏极电位Vd和有机EL元件EL的阳极电位Vanode降低到Vss。
此后，在时间点t3处，消光期间结束，并且Vth校正准备时段开始。在时间点t3处，信号线DS从低切换到高、信号线WS2从高切换到低、信号线Vg_Vss从低切换到高、并且信号线Vg_Vofs从高切换到低。如果信号线DS从低切换到高，则晶体管T51关断，并且晶体管T52的漏极与有机EL元件EL的阳极断开。此外，信号线WS2从高切换到低，晶体管T54被导通。此外，如果信号线Vg_Vss从低切换到高，则晶体管T57关断。此外，如果信号线Vg_Vofs从高切换到低，则晶体管T58导通。
因此，晶体管T52的栅极电位Vg降低到Vofs，并且此外，晶体管T52的漏极电位Vd上升到Vofs。注意，由于晶体管T51关断并且晶体管T52的漏极与有机EL元件EL的阳极断开，所以有机EL元件EL的阳极电位不改变。
此后，在时间点t4处，Vth校正准备时段结束，并且Vth校正时段开始。在时间点t4处，信号线Vg_Vofs和Vg_RST从低切换到高。如果信号线Vg_Vofs从低切换到高，则晶体管T58关断。此外，如果信号线Vg_RST从低切换到高，则晶体管T56关断。因此，晶体管T52的栅极电位Vg和漏极电位Vd上升到通过从电源电压VCCP减去晶体管T52的阈值电压Vth而获得的电位。
此后，在时间点t5处，Vth校正时段结束。在时间点t5处，信号线cmp从低切换到高。如果信号线cmp从低切换到高，则晶体管T55关断。如果晶体管T55关断，则晶体管T52的漏极与电容线172断开。
此后，信号写入时段在时间点t6处开始。在时间点t6处，信号线Vg_Vsig从高切换到低。如果信号线Vg_Vsig从高切换到低，则视频信号的信号电压Vsig供应至信号线171。
此时，晶体管T55保持关断，晶体管T52的漏极与电容线172断开。因此，如果向信号线171供应信号电压Vsig，则晶体管T52的栅极电位Vg降低，直到晶体管T52的栅极电位Vg与晶体管T52的漏极电位Vd之间的电位差变为视频信号的信号电压Vsig为止。因此，视频信号被写入到晶体管T52。
此后，在时间点t7处，信号写入时段结束，并且发光时段开始。在时间点t7处，信号线DS从高切换到低。此外，在时间点t7处，信号线WS1和WS2从低切换到高。此外，在时间点t7处，信号线Vg_Vsig从低切换到高。因此，晶体管T51导通，晶体管T53和T54关断，并且停止向信号线171供应视频信号。如果晶体管T51导通，则晶体管T52的漏极电位Vd变为等于有机EL元件EL的阳极电位Vanode。如果晶体管T52的漏极电位Vd降低，则晶体管T52允许电流流过有机EL元件EL。如果电流从晶体管T52流过，则有机EL元件EL发光。
如上所述，在不从图6所示的像素电路中的数量增加每像素的晶体管数量的情况下，图13所示的像素电路可以毫无疑问地校正作为驱动晶体管的晶体管T52的阈值电压。然后，在图13所示的像素电路中，在不从图6所示的像素电路中的数量增加每像素的晶体管数量的情况下，可以抑制驱动晶体管的漏电流，并且可以抑制静止图像显示期间的亮度降低。
<2.总结>
如上所述，根据本公开的实施例，设置了使用有机EL元件的显示装置的像素电路。在像素电路中，驱动晶体管的栅极节点和有机EL元件的阳极节点经由晶体管连接，并且此外，这些晶体管设置在由多个像素共享的布线(诸如信号线)之间。
在根据本公开的实施例的像素电路中，通过以这种方式设置晶体管：两个晶体管将驱动晶体管的栅极节点和有机EL元件的阳极节点连接到各种信号线。通过以这种方式将节点与两个晶体管连接，在不增加晶体管数量、或者即使数量增加也以最小限度增加的情况下，根据本公开的实施例的像素电路可以抑制由于漏电流引起的每个节点的工作点的波动，并且抑制在低频驱动期间的亮度的劣化。
然后，还设置了包括根据本公开的实施例的像素电路的显示装置和包括这种显示装置的电子设备。这种电子设备的示例包括电视、诸如智能手机的移动电话、平板型移动终端、个人计算机、移动游戏控制台、移动音乐播放器、数字静止相机、数字摄像机、腕表型移动终端、可穿戴装置等。
虽然已参考附图详细描述了本公开的优选实施例，但是本公开的技术范围不限于这种示例。显然，本公开的领域中的技术人员可以在权利要求中描述的技术思想的范围内构思各种修改和校正，并且自然理解，这些修改和校正也属于本公开的技术范围。
此外，本说明书中描述的效果仅是说明性或示例性的，而不是限制性的。即，根据本公开的技术可以展示除上述效果之外或代替上述效果的对于本领域技术人员来说从本说明书的描述中显而易见的其它效果。
注意，以下配置也属于本公开的技术范围。
(1)
一种像素电路，包括：
发光元件，
驱动晶体管，被配置为将电流供应至发光元件，
第一复位晶体管，被配置为将发光元件的阳极的电位设定为预定电位，
第一写入晶体管，被配置成控制在驱动晶体管的栅极节点处的信号电压的写入，
保持电容器，一端连接到驱动晶体管的栅极节点，并且被配置为保持驱动晶体管的阈值电压，以及
第二写入晶体管，串联连接在驱动晶体管的栅极节点与第一写入晶体管之间。
(2)
根据(1)所述的像素电路，还包括发光控制晶体管，该发光控制晶体管被配置为控制驱动晶体管与发光元件的阳极之间的连接。
(3)
根据(2)所述的像素电路，还包括第二复位晶体管，该第二复位晶体管设置在信号电压被供应到的信号线与电容线之间，该电容线与校正驱动晶体管的阈值电压的电容器连接。
(4)
根据(1)至(3)中任一项所述的像素电路，其中，驱动晶体管、第一复位晶体管、第一写入晶体管以及第二写入晶体管全部为N沟道晶体管。
(5)
根据(1)至(3)中任一项所述的像素电路，其中，驱动晶体管、第一复位晶体管、第一写入晶体管以及第二写入晶体管全部为P沟道晶体管。
(6)
一种显示装置，包括根据(1)至(5)中任一项所述的像素电路。
(7)
一种电子设备，包括根据上述(6)所述的显示装置。
(8)
一种像素电路的驱动方法，该像素电路包括：
发光元件，
驱动晶体管，被配置为将电流供应至发光元件，
第一复位晶体管，被配置为将发光元件的阳极的电位设定为预定电位，
第一写入晶体管，被配置成控制在驱动晶体管的栅极节点处的信号电压的写入，
保持电容器，一端连接到驱动晶体管的栅极节点，并且被配置为保持驱动晶体管的阈值电压，以及
第二写入晶体管，串联连接在驱动晶体管的栅极节点与第一写入晶体管之间，该方法包括：
在发光结束后的第一时段中，导通第一写入晶体管和第二写入晶体管，
在第一时段之后的第二时段中，校正驱动晶体管的阈值电压，
在第二时段之后的第三时段中，将信号电压写入至驱动晶体管，并且
在第三时段之后的第四时段中，关断第一写入晶体管和第二写入晶体管，并允许电流通过驱动晶体管流过发光元件，以使发光元件发光。
(9)
根据(8)所述的像素电路的驱动方法，其中，在第一时段中，第二写入晶体管在第一写入晶体管导通之后导通。
(10)
根据(8)或(9)所述的像素电路的驱动方法，其中，像素电路还包括发光控制晶体管，该发光控制晶体管控制驱动晶体管与发光元件的阳极之间的连接。
(11)
根据(10)所述的像素电路的驱动方法，其中，像素电路还包括第二复位晶体管，该第二复位晶体管设置在信号电压被供应到的信号线与电容线之间，该电容线与校正驱动晶体管的阈值电压的电容器连接。
参考符号列表
100 显示装置
110 像素单元
111B 像素
111G 像素
111R 像素
120 水平选择器
130 垂直扫描器
131 自动调零扫描器
132 驱动扫描器
133 写入扫描器。

Claims (11)

1.一种像素电路，包括：
发光元件；
驱动晶体管，被配置为将电流供应至所述发光元件；
第一复位晶体管，被配置为将所述发光元件的阳极的电位设定为预定电位；
第一写入晶体管，被配置为控制在所述驱动晶体管的栅极节点处的信号电压的写入；
保持电容，一端连接到所述驱动晶体管的所述栅极节点，并且被配置为保持所述驱动晶体管的阈值电压；以及
第二写入晶体管，串联连接在所述驱动晶体管的所述栅极节点与所述第一写入晶体管之间。
2.根据权利要求1所述的像素电路，还包括发光控制晶体管，所述发光控制晶体管被配置为控制所述驱动晶体管与所述发光元件的所述阳极之间的连接。
3.根据权利要求2所述的像素电路，还包括第二复位晶体管，所述第二复位晶体管设置在所述信号电压被供应到的信号线与电容线之间，所述电容线与校正所述驱动晶体管的所述阈值电压的电容连接。
4.根据权利要求1所述的像素电路，其中，所述驱动晶体管、所述第一复位晶体管、所述第一写入晶体管以及所述第二写入晶体管全部为N沟道晶体管。
5.根据权利要求1所述的像素电路，其中，所述驱动晶体管、所述第一复位晶体管、所述第一写入晶体管以及所述第二写入晶体管全部为P沟道晶体管。
6.一种显示装置，包括根据权利要求1所述的像素电路。
7.一种电子设备，包括根据权利要求6所述的显示装置。
8.一种像素电路的驱动方法，所述像素电路包括：
发光元件，
驱动晶体管，被配置为将电流供应至所述发光元件，
第一复位晶体管，被配置为将所述发光元件的阳极的电位设定为预定电位，
第一写入晶体管，被配置为控制在所述驱动晶体管的栅极节点处的信号电压的写入，
保持电容，一端连接到所述驱动晶体管的所述栅极节点，并且被配置为保持所述驱动晶体管的阈值电压，以及
第二写入晶体管，串联连接在所述驱动晶体管的所述栅极节点与所述第一写入晶体管之间，
所述方法包括：
在发光结束后的第一时段中，导通所述第一写入晶体管和所述第二写入晶体管；
在所述第一时段之后的第二时段中，校正所述驱动晶体管的所述阈值电压；
在所述第二时段之后的第三时段中，将信号电压写入至所述驱动晶体管；并且
在所述第三时段之后的第四时段中，关断所述第一写入晶体管和所述第二写入晶体管，并允许电流通过所述驱动晶体管流过所述发光元件，以使所述发光元件发光。
9.根据权利要求8所述的像素电路的驱动方法，其中，在所述第一时段中，所述第二写入晶体管在所述第一写入晶体管导通之后导通。
10.根据权利要求8所述的像素电路的驱动方法，其中，所述像素电路还包括发光控制晶体管，所述发光控制晶体管控制所述驱动晶体管与所述发光元件的所述阳极之间的连接。
11.根据权利要求10所述的像素电路的驱动方法，其中，所述像素电路还包括第二复位晶体管，所述第二复位晶体管设置在所述信号电压所供应到的信号线与电容线之间，所述电容线与校正所述驱动晶体管的所述阈值电压的电容连接。
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