JP2005156703A - 電子装置の静電保護回路、電気光学装置の静電保護回路及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 表示パネル部14上であって、その表示領域Pと入力端子F1〜Fmとの間に、放電用トランジスタQHで構成された静電保護回路30をデータ線X1〜Xm毎に設けた。そして、各放電用トランジスタQHのソースを基板電位Voに接続された放電線Lpに接続した。各放電用トランジスタQHのドレインを対応するデータ線に接続した。また、放電用トランジスタQHのゲートを、データ線X1〜Xmと放電線Lpとの電気的接続を制御するアナログ電圧制御信号Vssが供給される静電保護回路制御線Lcに接続した。
【選択図】 図1
Description
信号電流が放電線に流れてしまう、所謂リーク電流の電流レベルをなるべく小さくすることができる。また、供給線には電圧信号が供給されるので、その線幅を狭くすることが可能である。従って、供給線の占有面積を小さくすることができる。
これによれば、前記各放電用トランジスタをオフ状態することで前記放電線と前記供給線とを電気的に独立させることができる。この結果、前記放電線と前記供給線との間に流れるリーク電流の電流レベルをさらに小さくすることができる。この結果、前記リーク電流が放電線に供給されることで同放電線の電位が変動することはないので、信号線の電位がリーク電流によって変動することはない。
るので、静電気を短時間で放電させることができる。さらに、静電保護回路は、1個のトランジスタで構成することができるので、その占有面積が大きくなることなく且つ簡単な構成で静電保護回路を実現することができる。
これによれば、前記各放電用トランジスタをオフ状態することで前記放電線と前記供給線とを電気的に独立させることができる。この結果、前記放電線と前記供給線との間に流れるリーク電流の電流レベルをさらに小さくすることができる。この結果、前記リーク電流が放電線に供給されることで同放電線の電位が変動することはないので、信号線の電位がリーク電流によって変動することはない。この結果、電気光学素子の発光輝度をデータ線に供給される信号の信号レベルに応じて精度良く制御することができる。
これによれば、発光層が有機材料で構成された有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた、所謂、有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、静電気を短時間で確実に放電させるとともにリーク電流の発生を抑制することができる。
これによれば、本発明の電子機器は、静電気を短時間で確実に放電させるとともにリーク電流の発生を抑制することができる電子装置を備えた。従って、その電子機器の歩留まりを向上させることができるとともに、その電子素子を、例えば、データ線を介して外部から供給される制御信号に応じて精度良く駆動させることができる電子機器を提供することができる。
これによれば、本発明の電子機器は、静電気を短時間で確実に放電させるとともにリーク電流の発生を抑制することができる電気光学装置を備えた。従って、その電子機器の歩留まりを向上させることができるとともに、その電気光学素子を、例えば、データ信号に応じて精度良く駆動させることができる表示品位の優れた電子機器を提供することができる。
以下、本発明の電気光学装置を有機ELディスプレイに具体化した第1実施形態を図1〜図3に従って説明する。図1は、本実施形態に係る有機ELディスプレイの電気的構成を説明するための図である。図2は、画素の内部回路構成及び静電保護回路の回路構成図である。図3は、走査信号、発光期間制御信号及びデータ電流のタイミングチャートである。
有機ELディスプレイ10の制御回路11、走査線駆動回路12及びデータ線駆動回路13は、それぞれが独立した電子部品によって構成されていてもよい。例えば、制御回路11及び走査線駆動回路12が各々1チップの半導体集積回路装置によって構成されていてもよい。また、制御回路11及び走査線駆動回路12の全部若しくは一部がプログラマブルなICチップで構成され、その機能がICチップに書き込まれたプログラムによりソフトウェア的に実現されてもよい。即ち、有機ELディスプレイ10は、そのデータ線駆動回路13が表示パネル部14から独立して構成された電子部品であればよい。
ち第1の走査線Y1には第1の走査信号SC1が、第2の走査線Y2には第2の走査信号SC2が、…、第nの走査線Ynには第nの走査信号SCnが出力される。
画素20の内部回路構成を図2に従って説明する。本実施形態の画素20は公知の回路構成を成している。尚、全ての画素20の内部回路構成は同じであるので、第nの走査線Ynと第mのデータ線Xmとの交差部に対応する位置に配置された画素20についてのみ説明し、他の走査線とデータ線との交差部に対応する位置に配置された画素20の内部回路構成についての詳細な説明は省略する。
また、図1に示すように、前記表示パネル部14上であって、前記表示領域Pと前記各入力端子F1〜Fmとの間には、前記データ線X1〜Xm毎に静電保護回路30が設けられている。各静電保護回路30は、本実施形態においては、1個の放電用トランジスタQHで構成されている。
次に、静電保護回路30の詳細について図2に従って説明する。図2に示した静電保護回路30は、第mのデータ線Xmに対応した静電保護回路である。尚、静電保護回路30は、その構成が全て同じであるので、第mのデータ線Xmに対応した静電保護回路30についてのみ説明し、他のデータ線に対応した静電保護回路30については、その詳細な説明は省略する。
(1)本実施形態では、表示パネル部14上であって、表示領域Pと入力端子F1〜Fmとの間に、1個の放電用トランジスタQHで構成された静電保護回路30をデータ線X1
〜Xm毎に設けた。また、各放電用トランジスタQHのソースを基板電位Voに接続された放電線Lpに接続した。
(2)本実施形態では、静電気に伴う高電圧を放電する放電線Lpとアナログ電圧制御信号Vssを供給する静電保護回路制御線Lcとを独立して形成した。従って、表示パネル部14とデータ線駆動回路13とを電気的に接続しデータ線X1〜Xmを介して静電気を放電線Lpに放電させることと、前記静電保護回路制御線Lcにデータ線X1〜Xmと放電線Lpとを電気的に遮断するアナログ電圧制御信号Vssを供給することを独立して制御することができる。このようにすることで、各画素20に静電気に伴った高電圧を直接印加されないようにして画素20を静電気から保護するとともにリーク電流の電流レベルをなるべく小さくすることができるので、有機EL素子OLEDの発光輝度がリーク電流によって低下することはない。このことから、有機ELディスプレイ10の歩留まりを向上させることができる。
(3)本実施形態では、各入力端子F1〜Fmに対して静電保護回路30を各々設けたので、放電線Lpを介して互いに隣接するデータ線にも放電させることができる。この結果、放電経路が増えるので、静電気を短時間で放電させることができる。
(4)本実施形態では、静電保護回路30を1個のトランジスタで構成した。従って、その占有面積が大きくなることなく且つ簡単な構成で静電保護回路を実現することができる。
(5)本実施形態では、静電保護回路制御線Lcには、電圧信号であるアナログ電圧制御信号Vssを供給するので、その線幅を狭くすることが可能である。従って、静電保護回路制御線Lcの占有面積を小さくすることができる。
(第2実施形態)
次に、本発明を具体化した第2実施形態を図4に従って説明する。この第2実施形態の有機ELディスプレイは、上記静電保護回路30の回路構成、及び、静電保護回路制御線、放電線がそれぞれさらに1本付加したこと以外は上記第1実施形態と同じ構成を成している。従って、同じ構成部材については符号を等しくし、その詳細な説明を省略する。
4上には、各第1の放電用トランジスタQH1のソースに接続した第1の放電線Lp1と、各第2の放電用トランジスタQH2のソースに接続した第2の放電線Lp2とが設けられている。
る第1の放電用トランジスタQH1がオンになる。
次に、第1または第2実施形態で説明した電子装置または電気光学装置としての有機ELディスプレイ10,10aの電子機器の適用について図5に従って説明する。有機ELディスプレイ10は、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラ等種々の電子機器に適用できる。
ディスプレイ10,10aを用いた表示ユニット53とを備えている。この場合においても、有機ELディスプレイ10,10aを用いた表示ユニット53は前記第1または第2実施形態と同様な効果を発揮する。
○上記第1実施形態では、全ての放電用トランジスタQHの各ゲートは静電保護回路制御線Lcを介して共通して接続し、各放電用トランジスタQHのソース/ドレイン間の導電率を一律に制御するようにした。これを、放電用トランジスタQHを複数組に区分けし、その区分けした組に属する各放電用トランジスタQHの各ゲート毎に独立した静電保護回路制御線Lcに接続する。このようにすることで、前記組に属する複数の放電用トランジスタQH毎に個別にその各ソース/ドレイン間の導電率を制御することができる。例えば、表示領域Pに赤用、緑用及び青用の画素20をデータ線X1〜Xm毎に交互に備えたフルカラー表示可能な有機ELディスプレイにおいては、各色毎で複数の放電用トランジスタQHを区分けし、その区分けされた同色の画素20に接続された放電用トランジスタQH毎に静電保護回路制御線Lcに接続する。このようにすることで、複数の放電用トランジスタQHの各ソース/ドレイン間の導電率をその各色の画素20に接続された放電用トランジスタQH毎に独立して制御する。この結果、上記記載の効果に加えて、放電用トランジスタQHをその各色毎に適切に制御することができる。
○上記実施形態では、有機EL素子OLEDを備えた有機ELディスプレイに具体化して好適な効果を得たが、有機ELディスプレイ以外の例えばデジタルマイクロミラーデバイス(DMD)を用いたディスプレイ、電子放出素子を用いたディスプレイ(FED)やSED(Surface−Conduction Electron−Emitter Display)に具体化してもよい。
Claims (13)
- 複数の信号線と、前記複数の信号線の各々に接続した複数の電子素子とを備えた電子装置の静電保護回路において、
静電気に伴う電圧を放電する放電線を設けるとともに、前記複数の信号線の各々に対して放電用トランジスタを設け、各放電用トランジスタの第1の端子をそれぞれ対応する信号線に接続し、各放電用トランジスタの第2の端子を前記放電線に接続し、各放電用トランジスタの制御用端子をフローティング状態に設定することを特徴とする電子装置の静電保護回路。 - 請求項1に記載の電子装置の静電保護回路において、
前記各放電用トランジスタの制御用端子は、前記第1の端子と前記第2の端子との間の導電率を制御する電圧信号を供給するための供給線に接続されていることを特徴とする電子装置の静電保護回路。 - 請求項1または2に記載の電子装置の静電保護回路において、
前記放電線と前記供給線は、電気的に独立していることを特徴とする電子装置の静電保護回路。 - 請求項1乃至3のいずれか一つに記載の電子装置の静電保護回路において、
前記電圧信号は、その電圧レベルが可変であり、前記第1の端子と前記第2の端子との間の導電率を最小にする電圧レベルであることを特徴とする電子装置の静電保護回路。 - 請求項1乃至4のいずれか一つに記載の電子装置の静電保護回路において、
前記複数の信号線の各々に対して放電用トランジスタは、その導電型が互いに異なる2つの第1及び第2の放電用トランジスタからなり、
前記供給線は、第1の放電用トランジスタに対応した第1の供給線と第2の放電用トランジスタに対応した第2の供給線とからなることを特徴とする電子装置の静電保護回路。 - 複数の走査線と、複数のデータ線と、前記各走査線と前記各データ線との交差部に対応した位置に配置された電気光学素子を含む画素と
を備えた電気光学装置の静電保護回路において、
静電気に伴う電圧を放電する放電線を設けるとともに、前記複数のデータ線の各々に対して放電用トランジスタを設け、各放電用トランジスタの第1の端子をそれぞれ対応する信号線に接続し、各放電用トランジスタの第2の端子を前記放電線に接続し、各放電用トランジスタの制御用端子をフローティング状態に設定することを特徴とする電気光学装置の静電保護回路。 - 請求項6に記載の電気光学装置の静電保護回路において、
前記各放電用トランジスタの制御用端子は、前記第1の端子と前記第2の端子との間の導電率を制御する電圧信号を供給するための供給線に接続されていることを特徴とする電気光学装置の静電保護回路。 - 請求項6または7に記載の電気光学装置の静電保護回路において、
前記放電線と前記供給線は、電気的に独立していることを特徴とする電気光学装置の静電保護回路。 - 請求項6乃至8のいずれか一つに記載の電気光学装置の静電保護回路において、
前記電圧信号は、その電圧レベルが可変であり、前記第1の端子と前記第2の端子との間の導電率を最小にする電圧レベルであることを特徴とする電気光学装置の静電保護回路
。 - 請求項6乃至9のいずれか一つに記載の電気光学装置の静電保護回路において、
前記複数の信号線の各々に対して放電用トランジスタは、その導電型が互いに異なる2つの第1及び第2の放電用トランジスタからなり、
前記供給線は、第1の放電用トランジスタに対応した第1の供給線と第2の放電用トランジスタに対応した第2の供給線とからなることを特徴とする電気光学装置の静電保護回路。 - 請求項6乃至10のいずれか一つに記載の電気光学装置の静電保護回路において、
前記電気光学素子は、その発光層が有機材料で構成されたエレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする電気光学装置の静電保護回路。 - 請求項1乃至5のいずれか一つに記載の電子装置の静電保護回路を備えた電子機器。
- 請求項6乃至11のいずれか一つに記載の電気光学装置の静電保護回路を備えた電子機器。
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