WO2019163402A1 - 画素回路、表示装置、画素回路の駆動方法および電子機器 - Google Patents

画素回路、表示装置、画素回路の駆動方法および電子機器 Download PDF

Info

Publication number
WO2019163402A1
WO2019163402A1 PCT/JP2019/002540 JP2019002540W WO2019163402A1 WO 2019163402 A1 WO2019163402 A1 WO 2019163402A1 JP 2019002540 W JP2019002540 W JP 2019002540W WO 2019163402 A1 WO2019163402 A1 WO 2019163402A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
transistor
pixel circuit
driving
signal line
light emitting
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/002540
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
直史 豊村
Original Assignee
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 filed Critical ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Priority to US16/969,720 priority Critical patent/US11222587B2/en
Priority to JP2020501609A priority patent/JP7118130B2/ja
Priority to CN201980013276.4A priority patent/CN111727470B/zh
Priority to CN202211079681.6A priority patent/CN115472129A/zh
Publication of WO2019163402A1 publication Critical patent/WO2019163402A1/ja
Priority to JP2022123378A priority patent/JP7216242B2/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819—Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0833—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a linear amplifier or follower
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • G09G2300/0866—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes by means of changes in the pixel supply voltage
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0248—Precharge or discharge of column electrodes before or after applying exact column voltages
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0209—Crosstalk reduction, i.e. to reduce direct or indirect influences of signals directed to a certain pixel of the displayed image on other pixels of said image, inclusive of influences affecting pixels in different frames or fields or sub-images which constitute a same image, e.g. left and right images of a stereoscopic display
    • G09G2320/0214—Crosstalk reduction, i.e. to reduce direct or indirect influences of signals directed to a certain pixel of the displayed image on other pixels of said image, inclusive of influences affecting pixels in different frames or fields or sub-images which constitute a same image, e.g. left and right images of a stereoscopic display with crosstalk due to leakage current of pixel switch in active matrix panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0238—Improving the black level
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0252—Improving the response speed
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
    • G09G2330/021—Power management, e.g. power saving

Definitions

  • the present disclosure relates to a pixel circuit, a display device, a driving method of the pixel circuit, and an electronic device.
  • flat (flat panel) display devices in which pixels including light-emitting portions are arranged in a matrix (matrix shape) have become mainstream.
  • a so-called current-driven electro-optical element for example, an organic electroluminescence (EL) element, in which light emission luminance changes according to a current value flowing through a light-emitting portion, is used.
  • EL organic electroluminescence
  • Patent Document 1 discloses a display device technique that can shorten the write time of the initialization voltage for the gate node of the drive transistor in performing the correction operation of the characteristics of the drive transistor.
  • a driving method is becoming common in which the output of a video signal is stopped and the power consumption is reduced during still image display.
  • the pixel circuit needs to continue to supply a constant current to the organic EL element, and the luminance changes when the operating point of the driving transistor changes.
  • MOS and LTPS Low Temperature Polycrystalline Silicon
  • MOS and LTPS Low Temperature Polycrystalline Silicon
  • a new and improved pixel circuit, display device which can suppress a decrease in luminance due to transistor leakage, while minimizing an increase without increasing the number of elements.
  • a pixel circuit driving method and an electronic apparatus are proposed.
  • a light emitting element a driving transistor that supplies current to the light emitting element, a first reset transistor that sets a potential of an anode of the light emitting element to a predetermined potential, and a gate node of the driving transistor
  • a first writing transistor that controls writing of a signal voltage; one end connected to a gate node of the driving transistor; a holding capacitor that holds a threshold voltage of the driving transistor; a gate node of the driving transistor; and the first writing A pixel circuit is provided comprising a second writing transistor connected in series with the transistor.
  • the light emitting element the driving transistor that supplies current to the light emitting element
  • the first reset transistor that sets the potential of the anode of the light emitting element to a predetermined potential
  • the gate node of the driving transistor A first write transistor that controls writing of the signal voltage of the first transistor, a storage capacitor that has one end connected to the gate node of the drive transistor, holds a threshold voltage of the drive transistor, a gate node of the drive transistor, and the first And a second writing transistor connected in series with the writing transistor.
  • the first writing transistor and the second writing transistor are turned on in a first period after light emission ends.
  • a threshold value of the driving transistor in a second period after the first period In the third period after the second period, the signal voltage is written to the driving transistor, and in the fourth period after the third period, the first write transistor and the second write transistor are turned off.
  • a driving method of the pixel circuit in which a current is supplied to the light emitting element through the driving transistor to cause the light emitting element to emit light.
  • the number of elements is not increased, and even if it is increased, a decrease in luminance due to transistor leakage can be suppressed while minimizing the increase.
  • An improved pixel circuit, display device, pixel circuit driving method, and electronic device can be provided.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram illustrating a configuration example of a display device 100 according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram illustrating a more detailed configuration example of the display device 100 according to the embodiment.
  • FIG. It is explanatory drawing which shows an example of a pixel circuit. It is explanatory drawing which shows an example of a pixel circuit. It is explanatory drawing which shows an example of a pixel circuit. It is explanatory drawing which shows an example of a pixel circuit. It is explanatory drawing which shows an example of a pixel circuit. It is explanatory drawing which shows an example of a pixel circuit. It is explanatory drawing which shows an example of a pixel circuit.
  • 4 is an explanatory diagram illustrating an example of a pixel circuit according to the embodiment.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing how the pixel circuit shown in FIG. 9 is driven.
  • 4 is an explanatory diagram illustrating an example of a pixel circuit according to the embodiment.
  • FIG. It is explanatory drawing which shows the mode of the drive of the pixel circuit shown in FIG. 4 is an explanatory diagram illustrating an example of a pixel circuit according to the embodiment.
  • the display device of the present disclosure is a flat type display device in which a pixel transistor having a sampling transistor and a storage capacitor is arranged in addition to a driving transistor for driving a light emitting unit.
  • the flat display device include an organic EL display device, a liquid crystal display device, and a plasma display device.
  • the organic EL display device uses an organic EL element using a phenomenon in which light is emitted when an electric field is applied to an organic thin film using electroluminescence of an organic material as a light emitting element (electro-optical element) of a pixel. ing.
  • An organic EL display device using an organic EL element as a light emitting portion of a pixel has the following features. That is, since the organic EL element can be driven with an applied voltage of 10 V or less, the organic EL display device has low power consumption. Since the organic EL element is a self-luminous element, the organic EL display device has higher image visibility than a liquid crystal display device that is the same flat display device, and an illumination member such as a backlight. Therefore, it is easy to reduce the weight and thickness. Furthermore, since the response speed of the organic EL element is as high as several microseconds, the organic EL display device does not generate an afterimage when displaying a moving image.
  • the organic EL element is a self-luminous element and a current-driven electro-optical element.
  • Examples of current-driven electro-optical elements include inorganic EL elements, LED elements, and semiconductor laser elements in addition to organic EL elements.
  • a flat display device such as an organic EL display device can be used as a display unit (display device) in various electronic devices including a display unit.
  • Various electronic devices include television systems, head mounted displays, digital cameras, video cameras, game consoles, notebook personal computers, portable information devices such as electronic books, PDAs (Personal Digital Assistants), and mobile phones.
  • a mobile communication device etc. can be illustrated.
  • the driving unit may be configured such that after the gate node of the driving transistor is in a floating state, the source node is in a floating state.
  • the driving unit can be configured to perform signal voltage writing by the sampling transistor while the source node of the driving transistor is in a floating state.
  • the initialization voltage can be supplied to the signal line at a timing different from that of the signal voltage and written to the gate node of the driving transistor by sampling by the sampling transistor from the signal line.
  • the pixel circuit can be formed on a semiconductor such as silicon.
  • the drive transistor can be configured by a P-channel transistor. The reason why the P-channel transistor is used as the driving transistor instead of the N-channel transistor is as follows.
  • the transistor When a transistor is formed on a semiconductor such as silicon instead of an insulator such as a glass substrate, the transistor is not a three-terminal source / gate / drain, but a source / gate / drain / back gate (base). 4 terminals.
  • the back gate (substrate) voltage becomes 0 V, which adversely affects the operation of correcting the variation in the threshold voltage of the driving transistor for each pixel.
  • the variation in transistor characteristics is smaller in the P-channel transistor without the LDD region than in the N-channel transistor having the LDD (Lightly Doped Drain) region, and the pixel size is reduced. This is advantageous for achieving high definition.
  • a P-channel transistor as a driving transistor instead of an N-channel transistor.
  • the sampling transistor can also be configured by a P-channel transistor.
  • the pixel circuit includes a light emission control transistor that controls light emission / non-light emission of the light emitting unit. It can be. At this time, the light emission control transistor can also be configured by a P-channel transistor.
  • the storage capacitor is connected between the gate node and the source node of the driving transistor. It can be. Further, the pixel circuit can have a configuration in which an auxiliary capacitor is connected between the source node of the driving transistor and the node of the fixed potential.
  • the pixel circuit is connected between the drain node of the driving transistor and the cathode node of the light emitting unit.
  • the switching transistor can be configured as described above.
  • the switching transistor can also be configured by a P-channel transistor.
  • a drive part it can be set as the structure which makes a switching transistor a conduction
  • the driving unit samples the signal for driving the switching transistor, and samples the initialization voltage by the sampling transistor. Activate before timing. Then, the signal for driving the light emission control transistor can be set in an inactive state after being set in an active state. At this time, the driving unit can be configured to complete the sampling of the initialization voltage by the sampling transistor before the signal for driving the light emission control transistor is made inactive.
  • FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating a configuration example of the display device 100 according to the embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating a configuration example of the display device 100 according to the embodiment of the present disclosure.
  • a configuration example of the display device 100 according to the embodiment of the present disclosure will be described with reference to FIG.
  • the pixel unit 110 has a configuration in which pixels each provided with an organic EL element and other self-luminous elements are arranged in a matrix.
  • scanning lines are provided in the horizontal direction in units of lines with respect to pixels arranged in a matrix, and signal lines are provided for each column so as to be orthogonal to the scanning lines.
  • the horizontal selector 120 distributes the image data to each signal line by sequentially transferring a predetermined sampling pulse and sequentially latching the image data by the sampling pulse. Further, the horizontal selector 120 performs analog-digital conversion processing on the image data distributed to each signal line, thereby generating a drive signal indicating the light emission luminance of each pixel connected to each signal line by time division. The horizontal selector 120 outputs this drive signal to the corresponding signal line.
  • the vertical scanner 130 generates a driving signal for each pixel in response to the driving of the signal line by the horizontal selector 120 and outputs it to the scanning line SCN.
  • the display device 100 sequentially drives each pixel arranged in the pixel unit 110 by the vertical scanner 130, and causes each pixel to emit light at the signal level of each signal line set by the horizontal selector 120. This is displayed on the section 110.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram illustrating a more detailed configuration example of the display device 100 according to the embodiment of the present disclosure.
  • a configuration example of the display device 100 according to the embodiment of the present disclosure will be described with reference to FIG.
  • pixels 111R that display red, pixels 111G that display green, and pixels 111B that display blue are arranged in a matrix.
  • the vertical scanner 130 includes an auto zero scanner 131, a driving scanner 132, and a writing scanner 133. By supplying signals from the respective scanners to the pixels arranged in a matrix in the pixel portion 110, the TFTs provided in the respective pixels are turned on and off.
  • Each pixel provided in the pixel unit 110 can have various forms.
  • a pixel circuit including three N-channel transistors and one capacitor is shown in FIG.
  • the pixel circuit shown in FIG. 3 is a pixel circuit including N-channel transistors T1, T2, and T3, a capacitor C1, and an organic EL element EL.
  • the details of driving the pixel circuit are described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-225345, and the detailed description is omitted, but the transistor T1 is a driver for supplying current to the organic EL element EL.
  • the transistor T2 is a writing transistor for writing video signals, and the transistor T3 is a reset transistor for extinguishing the organic EL element EL and resetting the anode potential.
  • the pixel circuit shown in FIG. 3 is a circuit having a function of correcting threshold voltage correction (Vth correction) and mobility variation of the transistor T1 that is a driving transistor.
  • Vth correction correcting threshold voltage correction
  • a driving method for reducing power consumption by stopping output of a video signal when displaying a still image mainly on a panel for mobile use is becoming popular. That is, a driving method for performing low-frequency driving during still image display is being adopted.
  • the pixel circuit needs to keep supplying a constant current to the organic EL element. That is, the operating point of the driving transistor (the transistor T1 in the pixel circuit shown in FIG. 3) must not change during still image display.
  • the oxide TFT has excellent leak characteristics and is compatible with this driving.
  • MOS, LTPS, and the like have a relatively large leakage current, and it is difficult to maintain the operating point of the driving transistor, and the luminance is reduced during the display of a still image.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram showing a configuration example of the pixel circuit, and is a pixel circuit having a configuration in which N-channel transistors T4 and T5 are added to the pixel circuit shown in FIG.
  • the transistors T4 and T5 By adding the transistors T4 and T5 in this way, the anode of the organic EL element EL and the reset voltage Vss are supplied between the gate of the transistor T1, which is a driving transistor, and the signal line to which the signal Vsig is supplied.
  • the number of transistors between the signal lines is two.
  • the leakage current of the drive transistor can be suppressed, and a decrease in luminance during display of a still image can be suppressed.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram illustrating an example of a pixel circuit including five P-channel transistors and one capacitor.
  • the pixel circuit shown in FIG. 5 is a pixel circuit including P-channel transistors T11, T12, T13, T14, and T15, a capacitor Cs, and an organic EL element EL.
  • FIG. 5 also shows transistors T16 and T17 and a transfer gate TF that operate when each pixel is driven.
  • the details of driving the pixel circuit are described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2015-152775, and the detailed description is omitted, but the gate of the transistor T1 is connected to the signal line DS and the drain is organic.
  • the EL element EL is connected to the anode, and the source is connected to the drain of the transistor T2.
  • the video signal Vsig is supplied to the gate of the transistor T2 via the transistor T3, and the source is connected to the power supply voltage VCCP.
  • the gate of the transistor T3 is connected to the signal line WS.
  • the gate of the transistor T4 is connected to the signal line AZ1.
  • the gate of the transistor T5 is connected to the signal line AZ2.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram illustrating an example of a pixel circuit including six P-channel transistors and one capacitor.
  • the pixel circuit shown in FIG. 6 includes P-channel transistors T11 to T15 and T18, an organic EL element EL, and a capacitor element Cs. Details of driving the pixel circuit are described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2016-38425, and a detailed description thereof is omitted.
  • the driving transistor in the pixel circuit shown in FIGS. 5 and 6 is the transistor T12. Also in the pixel circuit shown in FIGS. 5 and 6, the operating point of the transistor T12 that is the driving transistor must not change during still image display. .
  • FIG. 7 is an explanatory diagram illustrating a configuration example of a pixel circuit in which leakage current of the transistor is suppressed by adding a transistor to the pixel circuit illustrated in FIG.
  • the pixel circuit shown in FIG. 7 has a configuration in which P-channel transistors T21, T22, and T23 are added to the pixel circuit shown in FIG.
  • the anode of the organic EL element EL and the reset voltage Vss are set between the gate of the transistor T21 that is the driving transistor and the signal line to which the signal Vsig is supplied.
  • the number of transistors between the gate and the anode of the organic EL element EL is two. By increasing the number of transistors, leakage current from the transistors can be suppressed.
  • FIG. 8 is an explanatory diagram illustrating a configuration example of a pixel circuit in which leakage current of the transistor is suppressed by adding a transistor to the pixel circuit illustrated in FIG.
  • the pixel circuit shown in FIG. 8 has a configuration in which P-channel transistors T21, T22, and T23 are added to the pixel circuit shown in FIG.
  • P-channel transistors T21, T22, and T23 are added to the pixel circuit shown in FIG.
  • the pixel circuit shown in FIG. 4 has two pixels compared to the pixel circuit shown in FIG. 3, and the pixel circuits shown in FIGS. 7 and 8 have three pixels compared to the pixel circuits shown in FIGS.
  • the number of transistors increases.
  • the number of transistors in the pixel circuit is increased in order to maintain the operating point of the drive transistor, pixel layout at a narrow pitch becomes difficult, and high definition of the display is hindered.
  • the present disclosure does not increase the number of transistors in a pixel circuit of a display device using an organic EL element, and suppresses the leakage current while minimizing the increase.
  • the present disclosure as will be described below, in the pixel circuit of the display device using the organic EL element, without increasing the number of transistors, and even if increased, while minimizing the increase, The inventors have devised a technique that can suppress the leakage current and maintain the operating point of the driving transistor during still image display.
  • FIG. 9 is an explanatory diagram illustrating an example of the pixel circuit according to the embodiment of the present disclosure.
  • the pixel circuit shown in FIG. 9 includes N-channel transistors T31, T32, T33, and T34, a capacitor C31, and an organic EL element EL.
  • the pixel circuit shown in FIG. 9 is based on the pixel circuit shown in FIG.
  • the transistor T31 is a driving transistor for supplying current to the organic EL element EL
  • the transistor T32 is a writing transistor for writing a video signal
  • the transistor T33 is extinction of the organic EL element EL and resetting of the anode potential. This is a reset transistor.
  • the pixel circuit shown in FIG. 9 is a circuit having a function of correcting threshold voltage correction (Vth correction) and mobility variation of the transistor T1 which is a driving transistor.
  • the pixel circuit shown in FIG. 9 is based on the pixel circuit shown in FIG. 3, but unlike the pixel circuit shown in FIG. 4, an N-channel transistor is provided from the pixel circuit shown in FIG. 3. Only one is added.
  • the pixel circuit shown in FIG. 9 is provided with the transistor T34, so that the organic EL is provided between the gate of the transistor T31 that is a driving transistor and the signal line 151 to which the signals Vsig, Vss, and Vofs are supplied.
  • the number of transistors between the anode of the element EL and the signal line supplying the reset voltage Vss is two.
  • the pixel circuit By configuring the pixel circuit in this way, it is possible to suppress the leakage current of the driving transistor and to suppress the luminance reduction during the display of the still image.
  • FIG. 10 is an explanatory diagram showing how the pixel circuit shown in FIG. 9 is driven. An example of driving the pixel circuit shown in FIG. 9 will be described with reference to FIG.
  • the light emission period continues until time t1, the light emission period ends at time t1, and the extinction period starts.
  • the signal lines WS1, WS2, and AZ all change from low to high.
  • the transistors T32, T33, and T34 are turned on, respectively.
  • the gate potential Vg of the transistor T31 and the source potential of the transistor T31 (the anode potential of the organic EL element EL) Vs start to decrease, and all of them reach the potential VSS of the signal line 151. descend.
  • the extinction period ends and the signal line AZ changes from high to low.
  • the transistor T33 is turned off, and the anode of the organic EL element EL is disconnected from the signal line 151.
  • the Vth correction period starts at time t3, and the potential of the signal line 151 rises from Vss to Vofs.
  • the gate potential Vg of the transistor T31 starts to rise to Vofs.
  • the source potential of the transistor T31 connected to the gate of the transistor T31 via the capacitor C31 reaches a value obtained by subtracting the threshold voltage Vth of the transistor T31 from Vofs as the potential of the signal line 151 increases. Rise gradually.
  • the Vth correction period ends, and the signal line WS1 changes from high to low.
  • the transistor T32 is turned off, and the gate of the transistor T31 is disconnected from the signal line 151.
  • the potential of the signal line 151 changes from Vofs to the potential Vsig of the video signal, and then at time t5, a signal writing and movement correction period starts.
  • the signal line WS1 changes from low to high.
  • the transistor T32 is turned on, and the gate of the transistor T31 is connected to the signal line 151.
  • the gate-source voltage Vgs of the transistor T31 becomes a value reflecting the mobility ⁇ , and the mobility ⁇ is completely corrected after a predetermined time has elapsed.
  • the gate / source voltage Vgs is obtained.
  • the gate potential Vg of the transistor T31 starts to rise to Vsig. Further, the source potential of the transistor T31 connected to the gate of the transistor T31 via the capacitor C31 increases as the potential of the signal line 151 increases.
  • the signal writing and movement correction period ends, and the light emission period starts.
  • the signal lines WS1 and WS2 become low.
  • the transistors T32 and T34 are turned off, and the gate of the transistor T31 and the anode of the organic EL element EL are disconnected from the signal line 151.
  • the gate potential of the transistor T31 can be increased, and the source potential of the transistor T31 is interlocked with the increase of the gate potential Vg of the transistor T31 while keeping the value of the gate / source voltage Vgs held in the capacitor C31 constant.
  • the potential of Vs also rises.
  • the reverse bias state of the organic EL element EL is eliminated, and the transistor T31 causes a drain current corresponding to the gate / source voltage Vgs to flow through the organic EL element EL.
  • the organic EL element EL emits light. Note that the potential of the signal line 151 is decreased to Vss at an arbitrary timing in the light emission period.
  • the pixel circuit shown in FIG. 9 can correct the threshold voltage of the transistor T31 that is the driving transistor and the mobility variation without any problem even if the transistor T34 is provided.
  • the pixel circuit shown in FIG. 9 can suppress the leakage current of the driving transistor and suppress a decrease in luminance during the display of a still image.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram illustrating an example of a pixel circuit according to an embodiment of the present disclosure.
  • the pixel circuit shown in FIG. 11 includes P-channel transistors T41, T42, T43, T44, and T45, a capacitor C41, and an organic EL element EL.
  • the pixel circuit shown in FIG. 11 is based on the pixel circuit shown in FIG. Further, FIG. 11 shows a capacitive element Csig and P-channel transistors T46, T47, and T48. These transistors T46, T47, and T48 function as a level shift circuit that shifts the output voltage of the transfer gate TF.
  • the transistor T41 has a gate connected to the signal line DS, a drain connected to the anode of the organic EL element EL, and a source connected to the drain of the transistor T42.
  • the transistor T42 is a driving transistor.
  • the video signal Vsig is supplied to the gate of the transistor T42 via the transistors T43 and T44, and the source is connected to the power supply voltage VCCP.
  • Transistors T43 and T44 are write transistors.
  • the gate of the transistor T43 is connected to the signal line WS1.
  • the source of the transistor T43 is connected to the signal line 161.
  • the gate of the transistor T44 is connected to the signal line WS2.
  • the source of the transistor T44 is connected to the drain of the transistor T43.
  • the gate of the transistor T45 is connected to the signal line cmp.
  • the transistor T46 controls the supply of the potential Vss to the signal line 161, and the gate is connected to the signal line Vg_Vss.
  • the transistor T47 controls the supply of the potential Vofs to the signal line 161, and the gate is connected to the signal line Vg_Vofs.
  • the transistor T48 controls the supply of the potential Vrst to the signal line 161, and the gate is connected to the signal line Vg_Vrst. It is assumed that Vofs> Vss.
  • the pixel circuit shown in FIG. 11 is based on the pixel circuit shown in FIG. 4, but unlike the pixel circuit shown in FIG. 7, the number of transistors is increased from the pixel circuit shown in FIG. Not.
  • the transistor T43 is connected between the gate of the transistor T42 which is a driving transistor and the signal line 161, between the drain of the transistor T42 and the signal line which supplies the signal line 161, and the driving transistor.
  • the number of transistors between the gate and drain of the transistor T42 is two.
  • the pixel circuit By configuring the pixel circuit in this way, it is possible to suppress the leakage current of the driving transistor and to suppress the luminance reduction during the display of the still image.
  • FIG. 12 is an explanatory diagram showing how the pixel circuit shown in FIG. 11 is driven. An example of driving the pixel circuit shown in FIG. 11 will be described with reference to FIG.
  • the signal line Vg_Vss and the signal line Vg_Vrst change from high to low.
  • the transistors T46 and T48 are turned on, respectively.
  • the transistor T41 is also on.
  • the light emission period ends and the extinction time starts.
  • the signal line WS1 and the signal line cmp change from high to low.
  • the transistors T43 and T45 are turned on.
  • the transistors T41 and T46 are turned on, so that the drain potential Vd of the transistor T42 and the anode potential Vanode of the organic EL element EL are lowered to Vss.
  • the extinction period ends and the Vth correction preparation period starts.
  • the signal line DS changes from low to high
  • the signal line WS2 changes from high to low
  • the signal line Vg_Vss changes from low to high
  • the signal line Vg_Vofs changes from high to low.
  • the signal line DS changes from low to high
  • the transistor T41 is turned off, and the drain of the transistor T42 and the anode of the organic EL element EL are disconnected.
  • the signal line WS2 is changed from high to low, so that the transistor T44 is turned on.
  • the signal line Vg_Vss goes from low to high, so that the transistor T46 is turned off.
  • the signal line Vg_Vofs changes from high to low to turn on the transistor T47.
  • the gate potential Vg of the transistor T42 decreases to Vofs
  • the drain potential Vd of the transistor T42 increases to Vofs. Since the transistor T41 is turned off and the drain of the transistor T42 and the anode of the organic EL element EL are disconnected, the anode potential of the organic EL element EL does not change.
  • the Vth correction preparation period ends and the Vth correction period starts.
  • the signal line Vg_Vofs changes from low to high.
  • the transistor T47 is turned off.
  • the gate potential Vg and the drain potential Vd of the transistor T42 rise to a potential obtained by subtracting the threshold voltage Vth of the transistor T42 from the power supply voltage VCCP.
  • the Vth correction period ends at time t5.
  • the signal line cmp changes from low to high.
  • the transistor T45 is turned off.
  • the drain of the transistor T42 is disconnected from the signal line 161.
  • the signal writing period starts at time t6.
  • the signal line Vg_Vrst changes from low to high.
  • the signal line Vg_Vsig goes from high to low.
  • the transistor T48 is turned off. Further, the signal voltage Vsig of the video signal is supplied to the signal line 161 by changing the signal line Vg_Vsig from high to low.
  • the transistor T45 is continuously turned off, and the drain of the transistor T42 is disconnected from the signal line 161. Therefore, when the signal voltage Vsig is supplied to the signal line 161, the gate potential Vg of the transistor T42 decreases until the potential difference between the gate potential Vg of the transistor T42 and the drain potential Vd of the transistor T42 becomes the signal voltage Vsig of the video signal. To do. Thereby, a video signal is written in the transistor T42.
  • the signal writing period ends and the light emission period starts.
  • the signal line DS changes from high to low.
  • the signal lines WS1 and WS2 change from low to high.
  • the signal line Vg_Vsig goes from low to high. Accordingly, the transistor T41 is turned on, the transistors T43 and T44 are turned off, and the supply of the video signal to the signal line 161 is stopped.
  • the drain potential Vd of the transistor T42 and the anode potential Vanode of the organic EL element EL become equal.
  • the drain potential Vd of the transistor T42 decreases, the transistor T42 causes a current to flow through the organic EL element EL. When an electric current flows from the transistor T42, the organic EL element EL emits light.
  • the pixel circuit shown in FIG. 11 can correct the threshold voltage of the transistor T42 as a driving transistor without any problem without increasing the number of transistors per pixel from the pixel circuit shown in FIG. I can do it.
  • the pixel circuit shown in FIG. 11 suppresses the leakage current of the driving transistor without increasing the number of transistors per pixel from the pixel circuit shown in FIG. I can do it.
  • FIG. 13 is an explanatory diagram illustrating an example of a pixel circuit according to an embodiment of the present disclosure.
  • the pixel circuit shown in FIG. 13 includes P-channel transistors T51, T52, T53, T54, T55, and T56, capacitors Cs1 and Cs2, and an organic EL element EL.
  • the pixel circuit shown in FIG. 13 is based on the pixel circuit shown in FIG. FIG. 13 shows P-channel transistors T57 and T58. These transistors T57 and T58 function as a level shift circuit that shifts the output voltage of the transfer gate TF.
  • the transistor T51 has a gate connected to the signal line DS, a drain connected to the anode of the organic EL element EL, and a source connected to the drain of the transistor T52.
  • the transistor T52 is a driving transistor.
  • the video signal Vsig is supplied to the gate of the transistor T52 via the transistors T53, T54, and T56, and the source is connected to the power supply voltage VCCP.
  • Transistors T53 and T54 are write transistors.
  • the gate of the transistor T53 is connected to the signal line WS1.
  • the source of the transistor T53 is connected to the signal line 171.
  • the gate of the transistor T54 is connected to the signal line WS2.
  • the source of the transistor T54 is connected to the drain of the transistor T53.
  • the gate of the transistor T55 is connected to the signal line cmp.
  • the transistor T56 is provided between the signal line 171 and the capacitor line 172, and has a gate connected to the signal line Vg_RST.
  • the transistor T57 controls the supply of the potential Vss to the signal line 171, and the gate is connected to the signal line Vg_Vss.
  • the transistor T58 controls the supply of the potential Vofs to the signal line 171 and has a gate connected to the signal line Vg_Vofs. It is assumed that Vofs> Vss.
  • the pixel circuit shown in FIG. 13 is based on the pixel circuit shown in FIG. 6, but unlike the pixel circuit shown in FIG. 8, the number of transistors is increased from the pixel circuit shown in FIG. Not.
  • the transistor T53 is connected between the gate of the transistor T52 which is a driving transistor and the capacitor line 172, between the drain of the transistor T52 and the capacitor line 172, and between the gate and drain of the transistor T52.
  • the number of transistors in between is two.
  • the pixel circuit By configuring the pixel circuit in this way, it is possible to suppress the leakage current of the driving transistor and to suppress the luminance reduction during the display of the still image.
  • FIG. 14 is an explanatory diagram showing how the pixel circuit shown in FIG. 13 is driven. An example of driving the pixel circuit shown in FIG. 13 will be described with reference to FIG.
  • the signal line Vg_Vss and the signal line Vg_RST change from high to low.
  • the transistors T57 and T56 are turned on, respectively.
  • the transistor T51 is also on.
  • the light emission period ends and the extinction time starts.
  • the signal line WS1 and the signal line cmp change from high to low.
  • the transistors T53 and T55 are turned on.
  • the transistors T51 and T56 are turned on, so that the drain potential Vd of the transistor T52 and the anode potential Vanode of the organic EL element EL are lowered to Vss.
  • the extinction period ends and the Vth correction preparation period starts.
  • the signal line DS changes from low to high
  • the signal line WS2 changes from high to low
  • the signal line Vg_Vss changes from low to high
  • the signal line Vg_Vofs changes from high to low.
  • the signal line DS changes from low to high
  • the transistor T51 is turned off, and the drain of the transistor T52 and the anode of the organic EL element EL are disconnected.
  • the signal line WS2 is changed from high to low, so that the transistor T54 is turned on.
  • the signal line Vg_Vss goes from low to high, so that the transistor T57 is turned off.
  • the signal line Vg_Vofs is changed from high to low, so that the transistor T58 is turned on.
  • the gate potential Vg of the transistor T52 decreases to Vofs, and the drain potential Vd of the transistor T52 increases to Vofs. Since the transistor T51 is turned off and the drain of the transistor T52 and the anode of the organic EL element EL are disconnected, the anode potential of the organic EL element EL does not change.
  • the Vth correction preparation period ends and the Vth correction period starts.
  • the signal lines Vg_Vofs and Vg_RST change from low to high.
  • the transistor T58 is turned off.
  • the signal line Vg_RST is changed from low to high, so that the transistor T56 is turned off.
  • the gate potential Vg and the drain potential Vd of the transistor T52 rise to a potential obtained by subtracting the threshold voltage Vth of the transistor T52 from the power supply voltage VCCP.
  • the Vth correction period ends at time t5.
  • the signal line cmp changes from low to high.
  • the transistor T55 is turned off.
  • the drain of the transistor T52 is disconnected from the capacitor line 172.
  • the signal writing period starts at time t6.
  • the signal line Vg_Vsig changes from high to low.
  • the signal voltage Vsig of the video signal is supplied to the signal line 171.
  • the transistor T55 is continuously turned off, and the drain of the transistor T52 is disconnected from the capacitor line 172. Therefore, when the signal voltage Vsig is supplied to the signal line 171, the gate potential Vg of the transistor T52 is lowered until the potential difference between the gate potential Vg of the transistor T52 and the drain potential Vd of the transistor T52 becomes the signal voltage Vsig of the video signal. To do. Thereby, a video signal is written in the transistor T52.
  • the signal writing period ends and the light emission period starts.
  • the signal line DS changes from high to low.
  • the signal lines WS1 and WS2 change from low to high.
  • the signal line Vg_Vsig goes from low to high. Accordingly, the transistor T51 is turned on, the transistors T53 and T54 are turned off, and the supply of the video signal to the signal line 171 is stopped.
  • the transistor T51 is turned on, the drain potential Vd of the transistor T52 and the anode potential Vanode of the organic EL element EL become equal.
  • the drain potential Vd of the transistor T52 decreases, the transistor T52 causes a current to flow through the organic EL element EL. When an electric current flows from the transistor T52, the organic EL element EL emits light.
  • the pixel circuit shown in FIG. 13 can correct the threshold voltage of the transistor T52, which is a driving transistor, without any problem without increasing the number of transistors per pixel from the pixel circuit shown in FIG. I can do it.
  • the pixel circuit shown in FIG. 13 suppresses the leakage current of the driving transistor without increasing the number of transistors per pixel from the pixel circuit shown in FIG. I can do it.
  • the gate node of the driving transistor and the anode node of the organic EL element are connected via the transistor.
  • a pixel circuit in which a transistor is provided between a wiring shared by a plurality of pixels such as a signal line is provided.
  • the gate node of the driving transistor and the anode node of the organic EL element to the various signal lines are connected by two transistors.
  • the pixel circuit according to the embodiment of the present disclosure does not increase the number of transistors. The fluctuation of the operating point of each node due to the leakage current can be suppressed, and the luminance deterioration at the time of low frequency driving can be suppressed.
  • Such electronic devices include mobile phones such as TVs and smart phones, tablet portable terminals, personal computers, portable game consoles, portable music players, digital still cameras, digital video cameras, wristwatch portable terminals, and wearable devices. and so on.
  • a light emitting element A driving transistor for supplying a current to the light emitting element; A first reset transistor that sets a potential of an anode of the light emitting element to a predetermined potential; A first writing transistor for controlling writing of a signal voltage at a gate node of the driving transistor; One end of which is connected to the gate node of the driving transistor, and holds a threshold voltage of the driving transistor; A second write transistor connected in series between the gate node of the drive transistor and the first write transistor; A pixel circuit.
  • the pixel circuit according to (1) further including a light emission control transistor that controls connection between the drive transistor and an anode of the light emitting element.
  • the pixel circuit according to (2) further including a second reset transistor provided between a signal line to which the signal voltage is supplied and a capacitor line to which a capacitor for correcting a threshold voltage of the drive transistor is connected. .
  • a display device comprising the pixel circuit according to any one of (1) to (5).
  • (7) An electronic apparatus comprising the display device according to (6).
  • a light emitting element A driving transistor for supplying a current to the light emitting element; A first reset transistor that sets a potential of an anode of the light emitting element to a predetermined potential; A first writing transistor for controlling writing of a signal voltage at a gate node of the driving transistor; One end of which is connected to the gate node of the driving transistor, and holds a threshold voltage of the driving transistor; A second write transistor connected in series between the gate node of the drive transistor and the first write transistor; In a pixel circuit comprising: In the first period after the light emission ends, the first writing transistor and the second writing transistor are turned on, Correcting a threshold voltage of the driving transistor in a second period after the first period; In a third period after the second period, a signal voltage is written to the driving transistor, Driving a pixel circuit in a fourth period after the third period, the first writing transistor and the second writing transistor are turned off, and a current is supplied to the light emitting element through the driving transistor to cause the light emitting element to emit light.
  • display device 110 pixel unit 111B: pixel 111G: pixel 111R: pixel 120: horizontal selector 130: vertical scanner 131: auto-zero scanner 132: driving scanner 133: writing scanner

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

【課題】素子数を増加させず、また増加させたとしても増加を最小限に抑えつつ、トランジスタのリークによる輝度低下の抑制が可能なことが可能な画素回路を提供する。 【解決手段】発光素子と、前記発光素子へ電流を供給する駆動トランジスタと、前記発光素子のアノードの電位を所定の電位に設定する第１リセットトランジスタと、前記駆動トランジスタのゲートノードでの信号電圧の書き込みを制御する第１書込みトランジスタと、一端が前記駆動トランジスタのゲートノードに接続され、前記駆動トランジスタの閾値電圧を保持する保持容量と、前記駆動トランジスタのゲートノードと、前記第１書込みトランジスタとの間に直列に接続される第２書込みトランジスタと、を備える、画素回路が提供される。

Description

画素回路、表示装置、画素回路の駆動方法および電子機器
　本開示は、画素回路、表示装置、画素回路の駆動方法および電子機器に関する。
　近年、表示装置の分野では、発光部を含む画素が行列状（マトリクス状）に配置されて成る平面型（フラットパネル型）の表示装置が主流となっている。平面型の表示装置の一つとして、発光部に流れる電流値に応じて発光輝度が変化する、所謂、電流駆動型の電気光学素子、例えば、有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）素子を用いる有機ＥＬ表示装置がある。
　この有機ＥＬ表示装置に代表される平面型の表示装置にあっては、電気光学素子を駆動する駆動トランジスタのトランジスタ特性（例えば、閾値電圧）が、プロセスの変動などによって画素毎にばらつく場合がある。その駆動トランジスタの特性の補正動作を行うに当たって、駆動トランジスタのゲートノードに対する初期化電圧の書込み時間の短縮化を可能にした表示装置の技術が、例えば特許文献１に開示されている。
特開２０１５－３４８６１号公報
　このような有機ＥＬ表示装置においては、静止画表示時に映像信号の出力を止めて低消費電力化する駆動方法が一般的になりつつある。静止画表示時に映像信号の出力を止める際に、画素回路では有機ＥＬ素子に一定の電流を供給し続ける必要があり、駆動トランジスタの動作点が変わると輝度が変化してしまう。ＭＯＳやＬＴＰＳ（Low　Temperature　Polycrystalline　Silicon、低温ポリシリコン）などはリーク電流が比較的大きく、駆動トランジスタの動作点を保持するためにトランジスタの数を増やしてしまうと、狭ピッチでの画素レイアウトが困難になり、ディスプレイの高精細化の妨げになってしまう。
　そこで、本開示では、素子数を増加させず、また増加させたとしても増加を最小限に抑えつつ、トランジスタのリークによる輝度低下の抑制が可能な、新規かつ改良された画素回路、表示装置、画素回路の駆動方法および電子機器を提案する。
　本開示によれば、発光素子と、前記発光素子へ電流を供給する駆動トランジスタと、前記発光素子のアノードの電位を所定の電位に設定する第１リセットトランジスタと、前記駆動トランジスタのゲートノードでの信号電圧の書き込みを制御する第１書込みトランジスタと、一端が前記駆動トランジスタのゲートノードに接続され、前記駆動トランジスタの閾値電圧を保持する保持容量と、前記駆動トランジスタのゲートノードと、前記第１書込みトランジスタとの間に直列に接続される第２書込みトランジスタと、を備える、画素回路が提供される。
　また本開示によれば、発光素子と、前記発光素子へ電流を供給する駆動トランジスタと、前記発光素子のアノードの電位を所定の電位に設定する第１リセットトランジスタと、前記駆動トランジスタのゲートノードでの信号電圧の書き込みを制御する第１書込みトランジスタと、一端が前記駆動トランジスタのゲートノードに接続され、前記駆動トランジスタの閾値電圧を保持する保持容量と、前記駆動トランジスタのゲートノードと、前記第１書込みトランジスタとの間に直列に接続される第２書込みトランジスタと、を備える、画素回路において、発光が終了した後の第１期間において、前記第１書込みトランジスタ及び前記第２書込みトランジスタをオンにして、前記第１期間の後の第２期間において、前記駆動トランジスタの閾値電圧を補正し、前記第２期間の後の第３期間において、前記駆動トランジスタに信号電圧を書込み、前記第３期間の後の第４期間において、前記第１書込みトランジスタ及び第２書込みトランジスタをオフにして、前記駆動トランジスタを通じて前記発光素子に電流を流して前記発光素子を発光させる、画素回路の駆動方法が提供される。
　以上説明したように本開示によれば、素子数を増加させず、また増加させたとしても増加を最小限に抑えつつ、トランジスタのリークによる輝度低下の抑制が可能なことが可能な、新規かつ改良された画素回路、表示装置、画素回路の駆動方法および電子機器を提供することが出来る。
　なお、上記の効果は必ずしも限定的なものではなく、上記の効果とともに、または上記の効果に代えて、本明細書に示されたいずれかの効果、または本明細書から把握され得る他の効果が奏されてもよい。
本開示の実施の形態に係る表示装置１００の構成例を示す説明図である。 同実施の形態に係る表示装置１００のより詳細な構成例を示す説明図である。 画素回路の一例を示す説明図である。 画素回路の一例を示す説明図である。 画素回路の一例を示す説明図である。 画素回路の一例を示す説明図である。 画素回路の一例を示す説明図である。 画素回路の一例を示す説明図である。 同実施の形態に係る画素回路の例を示す説明図である。 図９に示した画素回路の駆動の様子を示す説明図である。 同実施の形態に係る画素回路の例を示す説明図である。 図１１に示した画素回路の駆動の様子を示す説明図である。 同実施の形態に係る画素回路の例を示す説明図である。 図１３に示した画素回路の駆動の様子を示す説明図である。
　以下に添付図面を参照しながら、本開示の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
　なお、説明は以下の順序で行うものとする。
　１．本開示の実施の形態
　　１．１．本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器、全般に関する説明
　　１．２．構成例及び動作例
　２．まとめ
　＜１．本開示の実施の形態＞
　［１．１．本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器、全般に関する説明］
　本開示の表示装置は、発光部を駆動する駆動トランジスタの他に、サンプリングトランジスタ及び保持容量を有する画素回路が配置されて成る平面型（フラットパネル型）の表示装置である。平面型の表示装置としては、有機ＥＬ表示装置、液晶表示装置、プラズマ表示装置などを例示することができる。これらの表示装置のうち、有機ＥＬ表示装置は、有機材料のエレクトロルミネッセンスを利用し、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を用いた有機ＥＬ素子を画素の発光素子（電気光学素子）として用いている。
　画素の発光部として有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置は次のような特長を持っている。すなわち、有機ＥＬ素子が１０Ｖ以下の印加電圧で駆動できるために、有機ＥＬ表示装置は低消費電力である。有機ＥＬ素子が自発光型の素子であるために、有機ＥＬ表示装置は、同じ平面型の表示装置である液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高く、しかも、バックライト等の照明部材を必要としないために軽量化及び薄型化が容易である。更に、有機ＥＬ素子の応答速度が数マイクロ秒程度と非常に高速であるために、有機ＥＬ表示装置は動画表示時の残像が発生しない。
　有機ＥＬ素子は、自発光型の素子であるとともに、電流駆動型の電気光学素子である。電流駆動型の電気光学素子としては、有機ＥＬ素子の他に、無機ＥＬ素子、ＬＥＤ素子、半導体レーザー素子などを例示することができる。
　有機ＥＬ表示装置等の平面型の表示装置は、表示部を備える各種の電子機器において、その表示部（表示装置）として用いることができる。各種の電子機器としては、テレビジョンシステムの他、ヘッドマウントディスプレイ、デジタルカメラ、ビデオカメラ、ゲーム機、ノート型パーソナルコンピュータ、電子書籍等の携帯情報機器、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ　Ｄｉｇｉｔａｌ　Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）や携帯電話機等の携帯通信機器などを例示することができる。
　本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、駆動部について、駆動トランジスタのゲートノードをフローティング状態にした後ソースノードをフローティング状態にする構成とすることができる。また、駆動部について、駆動トランジスタのソースノードをフローティング状態にしたままサンプリングトランジスタによる信号電圧の書込みを行う構成とすることができる。初期化電圧については、信号電圧と異なるタイミングで信号線に供給され、信号線からサンプリングトランジスタによるサンプリングによって駆動トランジスタのゲートノードに書き込まれる構成とすることができる。
　上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、画素回路について、シリコンのような半導体上に形成する構成とすることができる。また、駆動トランジスタについて、Ｐチャネル型のトランジスタから成る構成とすることができる。駆動トランジスタとして、Ｎチャネル型のトランジスタではなく、Ｐチャネル型のトランジスタを用いるのは次の理由による。
　トランジスタをガラス基板のような絶縁体上ではなく、シリコンのような半導体上に形成する場合、トランジスタは、ソース／ゲート／ドレインの３端子ではなく、ソース／ゲート／ドレイン／バックゲート（ベース）の４端子となる。そして、駆動トランジスタとしてＮチャネル型のトランジスタを用いた場合、バックゲート（基板）電圧が０Ｖとなり、駆動トランジスタの閾値電圧の画素毎のばらつきを補正する動作などに悪影響を及ぼすことになる。
　また、トランジスタの特性ばらつきは、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ　Ｄｏｐｅｄ　Ｄｒａｉｎ）領域を持つＮチャネル型のトランジスタに比べて、ＬＤＤ領域を持たないＰチャネル型のトランジスタの方が小さく、画素の微細化、ひいては、表示装置の高精細化を図る上で有利である。このような理由などから、シリコンのような半導体上への形成を想定した場合、駆動トランジスタとして、Ｎチャネル型のトランジスタではなく、Ｐチャネル型のトランジスタを用いるのが好ましい。
　上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、サンプリングトランジスタについても、Ｐチャネル型のトランジスタから成る構成とすることができる。
　あるいは又、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、画素回路について、発光部の発光／非発光を制御する発光制御トランジスタを有する構成とすることができる。このとき、発光制御トランジスタについても、Ｐチャネル型のトランジスタから成る構成とすることができる。
　あるいは又、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、保持容量について、駆動トランジスタのゲートノードとソースノードとの間に接続された構成とすることができる。また、画素回路について、駆動トランジスタのソースノードと固定電位のノードとの間に接続された補助容量を有する構成とすることができる。
　あるいは又、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、画素回路について、駆動トランジスタのドレインノードと発光部のカソードノードとの間に接続されたスイッチングトランジスタを有する構成とすることができる。このとき、スイッチングトランジスタについても、Ｐチャネル型のトランジスタから成る構成とすることができる。また、駆動部について、発光部の非発光期間にスイッチングトランジスタを導通状態にする構成とすることができる。
　あるいは又、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、駆動部は、スイッチングトランジスタを駆動する信号を、サンプリングトランジスタによる初期化電圧のサンプリングタイミングよりも前にアクティブ状態にする。そして、発光制御トランジスタを駆動する信号をアクティブ状態にした後に非アクティブ状態にする構成とすることができる。このとき、駆動部について、発光制御トランジスタを駆動する信号を非アクティブ状態にする前に、サンプリングトランジスタによる初期化電圧のサンプリングを完了する構成とすることができる。
　［１．２．構成例および動作例］
　続いて、本開示の実施の形態に係る表示装置の構成例を説明する。図１は、本開示の実施の形態に係る表示装置１００の構成例を示す説明図である。以下、図１を用いて本開示の実施の形態に係る表示装置１００の構成例を説明する。
　画素部１１０は、有機ＥＬ素子その他の自発光素子がそれぞれ設けられた画素がマトリクス状に配置された構成を有する。画素部１１０は、マトリックス状に配置した画素に対して、走査線がライン単位で水平方向に設けられ、また走査線と直交するように信号線が列毎に設けられる。
　水平セレクタ１２０は、所定のサンプリングパルスを順次転送し、このサンプリングパルスで画像データを順次ラッチすることにより、この画像データを各信号線に振り分ける。また水平セレクタ１２０は、各信号線に振り分けた画像データをそれぞれアナログディジタル変換処理し、これにより各信号線に接続された各画素の発光輝度を時分割により示す駆動信号を生成する。水平セレクタ１２０は、この駆動信号を対応する信号線に出力する。
　垂直スキャナ１３０は、この水平セレクタ１２０による信号線の駆動に応動して、各画素の駆動信号を生成して走査線ＳＣＮに出力する。これにより表示装置１００は、垂直スキャナ１３０により画素部１１０に配置された各画素を順次駆動し、水平セレクタ１２０より設定される各信号線の信号レベルで各画素を発光させ、所望の画像を画素部１１０で表示する。
　図２は、本開示の実施の形態に係る表示装置１００のより詳細な構成例を示す説明図である。以下、図２を用いて本開示の実施の形態に係る表示装置１００の構成例を説明する。
　画素部１１０には、赤色を表示する画素１１１Ｒ、緑色を表示する画素１１１Ｇ、青色を表示する画素１１１Ｂがマトリクス状に配置されている。
　そして垂直スキャナ１３０は、オートゼロスキャナ１３１、駆動スキャナ１３２及び書き込みスキャナ１３３を有する。それぞれのスキャナから信号が画素部１１０にマトリクス状に配置された画素に供給されることで、それぞれの画素に設けられるＴＦＴのオン、オフ動作が行われる。
　画素部１１０に設けられる各画素は様々な形態が考えられる。例えば、３つのＮチャネル型のトランジスタ及び１つのキャパシタからなる画素回路を図３に示す。図３に示した画素回路は、Ｎチャネル型のトランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３と、キャパシタＣ１と、有機ＥＬ素子ＥＬと、からなる画素回路である。当該画素回路の駆動の詳細については、例えば特開２００８－２２５３４５号公報などに掲載されており、詳細な説明は割愛するが、トランジスタＴ１は、有機ＥＬ素子ＥＬへの電流の供給のための駆動トランジスタであり、トランジスタＴ２は、映像信号書き込み用の書込みトランジスタであり、トランジスタＴ３は、有機ＥＬ素子ＥＬの消光およびアノード電位のリセット用のリセットトランジスタである。この図３に示した画素回路は、駆動トランジスタであるトランジスタＴ１の閾値電圧補正（Ｖｔｈ補正）と、移動度のばらつきを補正する機能を有する回路である。
　昨今、主にモバイル用途のパネルなどで、静止画表示時に映像信号出力を止めることで低消費電力化する駆動方法が一般的になりつつある。つまり、静止画表示時には低周波数駆動を行う駆動方法が採られつつある。この場合、画素回路では有機ＥＬ素子に一定の電流を供給し続ける必要がある。すなわち、静止画表示時には駆動トランジスタ（図３に示した画素回路におけるトランジスタＴ１）の動作点が変わってはならない。酸化物ＴＦＴはリーク特性に優れておりこの駆動との相性が良い。一方、ＭＯＳやＬＴＰＳなどはリーク電流が比較的大きく、駆動トランジスタの動作点を保持する事が困難であり、静止画の表示中に輝度が低下してしまう。
　そこで、トランジスタのリーク電流を抑制するために、図３に示した画素回路におけるトランジスタＴ２、Ｔ３に対して、それぞれ直列にＮチャネル型のトランジスタを追加する方法が考えられる。図４は、画素回路の構成例を示す説明図であり、図３に示した画素回路に、Ｎチャネル型のトランジスタＴ４、Ｔ５が追加された構成を有する画素回路である。このようにトランジスタＴ４、Ｔ５を追加することで、それぞれ、駆動トランジスタであるトランジスタＴ１のゲートと、信号Ｖｓｉｇが供給される信号線との間、有機ＥＬ素子ＥＬのアノードとリセット電圧Ｖｓｓを供給する信号線との間のトランジスタの数が２つになる。
　このように、書込みトランジスタ及びリセットトランジスタを、直列に２つ接続したトランジスタとすることで、駆動トランジスタのリーク電流を抑制し、静止画の表示中の輝度低下を抑制することが出来る。
　ここまではＮチャネル型のトランジスタを用いて画素回路を構成する例を示したが、Ｐチャネル型のトランジスタを用いて画素回路を構成する場合においても、トランジスタを直列に接続することでトランジスタのリーク電流を抑制する方法を採ることができる。
　図５は、５つのＰチャネル型のトランジスタ及び１つのキャパシタからなる画素回路の例を示す説明図である。図５に示した画素回路は、Ｐチャネル型のトランジスタＴ１１、Ｔ１２、Ｔ１３、Ｔ１４、Ｔ１５と、キャパシタＣｓと、有機ＥＬ素子ＥＬと、からなる画素回路である。また図５には、各画素の駆動の際に動作するトランジスタＴ１６、Ｔ１７、トランスファーゲートＴＦも示されている。
　当該画素回路の駆動の詳細については、例えば特開２０１５－１５２７７５号公報などに掲載されており、詳細な説明は割愛するが、トランジスタＴ１はゲートが信号線ＤＳに接続されており、ドレインが有機ＥＬ素子ＥＬのアノードに接続されており、ソースがトランジスタＴ２のドレインに接続されている。トランジスタＴ２のゲートには、トランジスタＴ３を介して映像信号Ｖｓｉｇが供給され、ソースが電源電圧ＶＣＣＰに接続されている。トランジスタＴ３はゲートが信号線ＷＳに接続されている。トランジスタＴ４はゲートが信号線ＡＺ１に接続されている。トランジスタＴ５はゲートが信号線ＡＺ２に接続されている。
　また、画素回路の駆動を高速化させるために、補正用の容量線を別途設けて、その容量線を複数画素に分割することで容量を小さくし、補正スピードを上げることを目的とした画素回路も提案されている。図６は、６つのＰチャネル型のトランジスタ及び１つのキャパシタからなる画素回路の例を示す説明図である。図６に示した画素回路は、Ｐチャネル型のトランジスタＴ１１～Ｔ１５、Ｔ１８と、有機ＥＬ素子ＥＬと、容量素子Ｃｓと、を含んで構成される。当該画素回路の駆動の詳細については、例えば特開２０１６－３８４２５号公報などに掲載されており、詳細な説明は割愛する。
　図５、図６に示した画素回路における駆動トランジスタはトランジスタＴ１２であり、図５、図６に示した画素回路においても、静止画表示時には駆動トランジスタであるトランジスタＴ１２の動作点が変わってはならない。
　そこで、図５、図６に示した画素回路に対して、トランジスタを追加することでトランジスタのリーク電流を抑制し、静止画の表示中の輝度低下を抑制する方法を採ることができる。
　図７は、図５に示した画素回路に対してトランジスタを追加することでトランジスタのリーク電流の抑制を図った画素回路の構成例を示す説明図である。図７に示した画素回路は、図５に示した画素回路に、Ｐチャネル型のトランジスタＴ２１、Ｔ２２、Ｔ２３を追加した構成を有している。このようにトランジスタＴ２１、Ｔ２２、Ｔ２３を追加することで、それぞれ、駆動トランジスタであるトランジスタＴ２１のゲートと、信号Ｖｓｉｇが供給される信号線との間、有機ＥＬ素子ＥＬのアノードとリセット電圧Ｖｓｓを供給する信号線との間、ゲートと有機ＥＬ素子ＥＬのアノードとの間のトランジスタの数が２つになる。それぞれのトランジスタの数が増えることで、トランジスタからのリーク電流を抑制することが出来る。
　図８は、図５に示した画素回路に対してトランジスタを追加することでトランジスタのリーク電流の抑制を図った画素回路の構成例を示す説明図である。図８に示した画素回路は、図６に示した画素回路に、Ｐチャネル型のトランジスタＴ２１、Ｔ２２、Ｔ２３を追加した構成を有している。このようにトランジスタＴ２１、Ｔ２２、Ｔ２３を追加することで、それぞれ、駆動トランジスタであるトランジスタＴ２１のゲートと容量線との間、有機ＥＬ素子ＥＬのアノードとリセット電圧Ｖｓｓを供給する信号線との間、有機ＥＬ素子ＥＬのアノードと容量線との間のトランジスタの数が２つになり、リーク電流を抑制することが出来る。
　しかし、図４に示した画素回路では、図３に示した画素回路に比べて２つ、図７、図８に示した画素回路では、図５、図６に示した画素回路に比べて３つ、トランジスタが増加することになる。このように、駆動トランジスタの動作点を保持するために画素回路のトランジスタの数を増加させると、狭ピッチでの画素レイアウトが困難になり、ディスプレイの高精細化の妨げになってしまう。
　そこで本件開示者は、上述した点に鑑み、有機ＥＬ素子を用いた表示装置の画素回路において、トランジスタの数を増加させず、また増加させたとしても増加を最小限に抑えながら、リーク電流を抑制して、静止画表示時における駆動トランジスタの動作点を保持できる技術について鋭意検討を行った。その結果、本件開示者は、以下で説明するように、有機ＥＬ素子を用いた表示装置の画素回路において、トランジスタの数を増加させず、また増加させたとしても増加を最小限に抑えながら、リーク電流を抑制して、静止画表示時における駆動トランジスタの動作点を保持できる技術を考案するに至った。
　（４トランジスタ構成の画素回路）
　本開示の実施の形態として、まず、３つのＮチャネル型のトランジスタで構成する画素回路の例を説明する。図９は、本開示の実施の形態に係る画素回路の例を示す説明図である。図９に示した画素回路は、Ｎチャネル型のトランジスタＴ３１、Ｔ３２、Ｔ３３、Ｔ３４と、キャパシタＣ３１と、有機ＥＬ素子ＥＬと、を含んで構成される。図９に示した画素回路は、図３に示した画素回路をベースとするものである。
　トランジスタＴ３１は、有機ＥＬ素子ＥＬへの電流の供給のための駆動トランジスタであり、トランジスタＴ３２は、映像信号書き込み用の書込みトランジスタであり、トランジスタＴ３３は、有機ＥＬ素子ＥＬの消光およびアノード電位のリセット用のリセットトランジスタである。この図９に示した画素回路は、駆動トランジスタであるトランジスタＴ１の閾値電圧補正（Ｖｔｈ補正）と、移動度のばらつきを補正する機能を有する回路である。
　図９に示した画素回路は、図３に示した画素回路をベースとするものであるが、図４に示した画素回路とは異なり、図３に示した画素回路からＮチャネル型のトランジスタを１つだけ追加している。図９に示した画素回路は、トランジスタＴ３４が設けられていることで、それぞれ、駆動トランジスタであるトランジスタＴ３１のゲートと、信号Ｖｓｉｇ、Ｖｓｓ、Ｖｏｆｓが供給される信号線１５１との間、有機ＥＬ素子ＥＬのアノードとリセット電圧Ｖｓｓを供給する信号線との間のトランジスタの数が２つになる。
　このように画素回路を構成することで、駆動トランジスタのリーク電流を抑制し、静止画の表示中の輝度低下を抑制することが出来る。
　図１０は、図９に示した画素回路の駆動の様子を示す説明図である。図１０を用いて図９に示した画素回路の駆動例を説明する。
　時刻ｔ１の時点まで発光期間が継続し、時刻ｔ１で発光期間が終了し、消光期間に入る。時刻ｔ１になると、信号線ＷＳ１、ＷＳ２、ＡＺがいずれもローからハイになる。信号線ＷＳ１、ＷＳ２、ＡＺがいずれもローからハイになることで、それぞれ、トランジスタＴ３２、Ｔ３３、Ｔ３４がオンとなる。トランジスタＴ３２、Ｔ３３、Ｔ３４がオンとなることで、トランジスタＴ３１のゲート電位Ｖｇと、トランジスタＴ３１のソース電位（有機ＥＬ素子ＥＬのアノード電位）Ｖｓが低下を始め、いずれも信号線１５１の電位ＶＳＳまで低下する。
　時刻ｔ２の時点で消光期間が終了し、信号線ＡＺがハイからローになる。信号線ＡＺがローになることでトランジスタＴ３３がオフになり、有機ＥＬ素子ＥＬのアノードが信号線１５１から切り離される。
　続いて時刻ｔ３の時点でＶｔｈ補正期間が始まり、信号線１５１の電位がＶｓｓからＶｏｆｓに上昇する。信号線１５１の電位がＶｓｓからＶｏｆｓに上昇することでトランジスタＴ３１のゲート電位ＶｇがＶｏｆｓまで上昇を始める。また、トランジスタＴ３１のゲートと容量Ｃ３１を介して接続されているトランジスタＴ３１のソース電位が、信号線１５１の電位の上昇に伴って、ＶｏｆｓからトランジスタＴ３１の閾値電圧Ｖｔｈを引いた値に達するまで、徐々に上昇する。
　時刻ｔ４の時点でＶｔｈ補正期間が終了し、信号線ＷＳ１がハイからローになる。信号線ＡＺがローになることでトランジスタＴ３２がオフになり、トランジスタＴ３１のゲートが信号線１５１から切り離される。
　時刻ｔ４以降、信号線１５１の電位がＶｏｆｓから映像信号の電位Ｖｓｉｇに変化し、その後時刻ｔ５になると信号書き込みおよび移動補正期間に入る。時刻ｔ５になると信号線ＷＳ１がローからハイになる。信号線ＡＺがハイになることでトランジスタＴ３２がオンになり、トランジスタＴ３１のゲートが信号線１５１と接続される。この期間では、トランジスタＴ３１の出力電流をキャパシタＣ３１に負帰還することで、トランジスタＴ３１のゲート／ソース間電圧Ｖｇｓは移動度μを反映した値となり、一定時間経過後には完全に移動度μを補正したゲート／ソース間電圧Ｖｇｓの値となる。
　これにより、トランジスタＴ３１のゲート電位ＶｇがＶｓｉｇまで上昇を始める。また、トランジスタＴ３１のゲートと容量Ｃ３１を介して接続されているトランジスタＴ３１のソース電位が、信号線１５１の電位の上昇に伴って上昇する。
　続いて時刻ｔ６になると信号書き込みおよび移動補正期間が終了し、発光期間に入る。時刻ｔ６になると信号線ＷＳ１、ＷＳ２がローになる。信号線ＷＳ１、ＷＳ２がローになることでトランジスタＴ３２、Ｔ３４がオフになり、トランジスタＴ３１のゲートおよび有機ＥＬ素子ＥＬのアノードが信号線１５１から切り離される。これによりトランジスタＴ３１のゲート電位の上昇が可能となり、キャパシタＣ３１に保持されたゲート／ソース間電圧Ｖｇｓの値を一定に保ちつつ、トランジスタＴ３１のゲート電位Ｖｇの上昇に連動してトランジスタＴ３１のソース電位Ｖｓの電位も上昇する。これにより有機ＥＬ素子ＥＬの逆バイアス状態が解消し、トランジスタＴ３１はゲート／ソース間電圧Ｖｇｓに応じたドレイン電流を有機ＥＬ素子ＥＬに流す。トランジスタＴ３１から電流が流れることにより、有機ＥＬ素子ＥＬが発光する。なお、信号線１５１の電位は、発光期間における任意のタイミングでＶｓｓに低下する。
　このように、図９に示した画素回路は、トランジスタＴ３４が設けられていても、駆動トランジスタであるトランジスタＴ３１の閾値電圧の補正や移動度ばらつきの補正を問題なく行うことが出来る。そして図９に示した画素回路は、駆動トランジスタのリーク電流を抑制し、静止画の表示中の輝度低下を抑制することが出来る。
　（５トランジスタ構成の画素回路）
　本開示の実施の形態として、続いて、５つのＰチャネル型のトランジスタで構成する画素回路の例を説明する。図１１は、本開示の実施の形態に係る画素回路の例を示す説明図である。図１１に示した画素回路は、Ｐチャネル型のトランジスタＴ４１、Ｔ４２、Ｔ４３、Ｔ４４、Ｔ４５と、キャパシタＣ４１と、有機ＥＬ素子ＥＬと、を含んで構成される。図１１に示した画素回路は、図４に示した画素回路をベースとするものである。また、図１１には、容量素子Ｃｓｉｇと、Ｐチャネル型のトランジスタＴ４６、Ｔ４７、Ｔ４８が示されている。これらのトランジスタＴ４６、Ｔ４７、Ｔ４８は、トランスファーゲートＴＦの出力電圧をシフトさせるレベルシフト回路として機能する。
　トランジスタＴ４１はゲートが信号線ＤＳに接続されており、ドレインが有機ＥＬ素子ＥＬのアノードに接続されており、ソースがトランジスタＴ４２のドレインに接続されている。トランジスタＴ４２は駆動トランジスタである。トランジスタＴ４２のゲートには、トランジスタＴ４３、Ｔ４４を介して映像信号Ｖｓｉｇが供給され、ソースが電源電圧ＶＣＣＰに接続されている。トランジスタＴ４３、Ｔ４４は書込みトランジスタである。トランジスタＴ４３はゲートが信号線ＷＳ１に接続されている。またトランジスタＴ４３のソースは信号線１６１と接続されている。トランジスタＴ４４はゲートが信号線ＷＳ２に接続されている。またトランジスタＴ４４のソースはトランジスタＴ４３のドレインと接続されている。トランジスタＴ４５はゲートが信号線ｃｍｐに接続されている。
　また、トランジスタＴ４６は、信号線１６１への電位Ｖｓｓの供給を制御するものであり、ゲートが信号線Ｖｇ＿Ｖｓｓに接続されている。トランジスタＴ４７は、信号線１６１への電位Ｖｏｆｓの供給を制御するものであり、ゲートが信号線Ｖｇ＿Ｖｏｆｓに接続されている。トランジスタＴ４８は、信号線１６１への電位Ｖｒｓｔの供給を制御するものであり、ゲートが信号線Ｖｇ＿Ｖｒｓｔに接続されている。なお、Ｖｏｆｓ＞Ｖｓｓであるとする。
　図１１に示した画素回路は、図４に示した画素回路をベースとするものであるが、図７に示した画素回路とは異なり、図４に示した画素回路からトランジスタの数が増加していない。図１１に示した画素回路は、トランジスタＴ４３により、それぞれ、駆動トランジスタであるトランジスタＴ４２のゲートと信号線１６１との間、トランジスタＴ４２のドレインと信号線１６１を供給する信号線との間、駆動トランジスタであるトランジスタＴ４２のゲートとドレインとの間のトランジスタの数が２つになる。
　このように画素回路を構成することで、駆動トランジスタのリーク電流を抑制し、静止画の表示中の輝度低下を抑制することが出来る。
　図１２は、図１１に示した画素回路の駆動の様子を示す説明図である。図１２を用いて図１１に示した画素回路の駆動例を説明する。
　発光期間中の時刻ｔ１の時点で、信号線Ｖｇ＿Ｖｓｓ及び信号線Ｖｇ＿Ｖｒｓｔがハイからローになる。信号線Ｖｇ＿Ｖｓｓ及び信号線Ｖｇ＿Ｖｒｓｔがハイからローになることで、それぞれ、トランジスタＴ４６、Ｔ４８がオンとなる。またこの時点では信号線ＤＳがローであるため、トランジスタＴ４１もオンとなっている。
　その後、時刻ｔ２の時点で発光期間が終了し、消光時間に入る。時刻ｔ２の時点で、信号線ＷＳ１及び信号線ｃｍｐがハイからローになる。信号線ＷＳ１及び信号線ｃｍｐがハイからローになることで、トランジスタＴ４３、Ｔ４５がオンとなる。トランジスタＴ４３、Ｔ４５がオンとなることで、トランジスタＴ４１、Ｔ４６がオンとなっていることにより、トランジスタＴ４２のドレイン電位Ｖｄ及び有機ＥＬ素子ＥＬのアノード電位ＶａｎｏｄｅがＶｓｓまで低下する。
　その後、時刻ｔ３の時点で消光期間が終了し、Ｖｔｈ補正準備期間に入る。時刻ｔ３の時点で、信号線ＤＳがローからハイになり、信号線ＷＳ２がハイからローになり、信号線Ｖｇ＿Ｖｓｓがローからハイになり、信号線Ｖｇ＿Ｖｏｆｓがハイからローになる。信号線ＤＳがローからハイになることでトランジスタＴ４１がオフになり、トランジスタＴ４２のドレインと、有機ＥＬ素子ＥＬのアノードとが切り離される。また信号線ＷＳ２がハイからローになることでトランジスタＴ４４がオンになる。また信号線Ｖｇ＿ＶｓｓがローからハイになることでトランジスタＴ４６がオフになる。また信号線Ｖｇ＿ＶｏｆｓがハイからローになることでトランジスタＴ４７がオンになる。
　これにより、トランジスタＴ４２のゲート電位ＶｇがＶｏｆｓまで低下し、またトランジスタＴ４２のドレイン電位ＶｄがＶｏｆｓまで上昇する。なお、トランジスタＴ４１がオフになり、トランジスタＴ４２のドレインと、有機ＥＬ素子ＥＬのアノードとが切り離されているので、有機ＥＬ素子ＥＬのアノード電位に変化はない。
　その後、時刻ｔ４の時点でＶｔｈ補正準備期間が終了し、Ｖｔｈ補正期間に入る。時刻ｔ４の時点で、信号線Ｖｇ＿Ｖｏｆｓがローからハイになる。信号線Ｖｇ＿ＶｏｆｓがローからハイになることでトランジスタＴ４７がオフになる。これにより、トランジスタＴ４２のゲート電位Ｖｇ及びドレイン電位Ｖｄが、電源電圧ＶＣＣＰからトランジスタＴ４２の閾値電圧Ｖｔｈを引いた電位まで上昇する。
　その後、時刻ｔ５の時点でＶｔｈ補正期間が終了する。時刻ｔ５の時点で信号線ｃｍｐがローからハイになる。信号線ｃｍｐがローからハイになることでトランジスタＴ４５がオフになる。トランジスタＴ４５がオフになることでトランジスタＴ４２のドレインが信号線１６１から切り離される。
　その後、時刻ｔ６の時点で信号書き込み期間に入る。時刻ｔ６の時点で信号線Ｖｇ＿Ｖｒｓｔがローからハイになる。また時刻ｔ６の時点で信号線Ｖｇ＿Ｖｓｉｇがハイからローになる。信号線Ｖｇ＿ＶｒｓｔがローからハイになることでトランジスタＴ４８がオフになる。また信号線Ｖｇ＿Ｖｓｉｇがハイからローになることで信号線１６１に映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇが供給される。
　この時点では、引き続いてトランジスタＴ４５がオフになっており、トランジスタＴ４２のドレインが信号線１６１から切り離されている。従って、信号線１６１に信号電圧Ｖｓｉｇが供給されると、トランジスタＴ４２のゲート電位ＶｇとトランジスタＴ４２のドレイン電位Ｖｄとの電位差が映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇになるまで、トランジスタＴ４２のゲート電位Ｖｇが低下する。これにより、トランジスタＴ４２に映像信号が書き込まれる。
　その後、時刻ｔ７の時点で信号書き込み期間が終了し、発光期間に入る。時刻ｔ７の時点で、信号線ＤＳがハイからローになる。また時刻ｔ７の時点で、信号線ＷＳ１、ＷＳ２がローからハイになる。また時刻ｔ７の時点で、信号線Ｖｇ＿Ｖｓｉｇがローからハイになる。これにより、トランジスタＴ４１がオンになり、トランジスタＴ４３、Ｔ４４がオフになり、信号線１６１への映像信号の供給が停止される。トランジスタＴ４１がオンになることで、トランジスタＴ４２のドレイン電位Ｖｄと、有機ＥＬ素子ＥＬのアノード電位Ｖａｎｏｄｅとが等しくなる。トランジスタＴ４２のドレイン電位Ｖｄが低下することで、トランジスタＴ４２は電流を有機ＥＬ素子ＥＬに流す。トランジスタＴ４２から電流が流れることにより、有機ＥＬ素子ＥＬが発光する。
　このように、図１１に示した画素回路は、図５に示した画素回路から１画素あたりのトランジスタの数を増加させることなく、駆動トランジスタであるトランジスタＴ４２の閾値電圧の補正を問題なく行うことが出来る。そして図１１に示した画素回路は、図５に示した画素回路から１画素あたりのトランジスタの数を増加させることなく、駆動トランジスタのリーク電流を抑制し、静止画の表示中の輝度低下を抑制することが出来る。
　（６トランジスタ構成の画素回路）
　本開示の実施の形態として、続いて、６つのＰチャネル型のトランジスタで構成する画素回路の例を説明する。図１３は、本開示の実施の形態に係る画素回路の例を示す説明図である。図１３に示した画素回路は、Ｐチャネル型のトランジスタＴ５１、Ｔ５２、Ｔ５３、Ｔ５４、Ｔ５５、Ｔ５６と、キャパシタＣｓ１、Ｃｓ２と、有機ＥＬ素子ＥＬと、を含んで構成される。図１３に示した画素回路は、図５に示した画素回路をベースとするものである。また、図１３には、Ｐチャネル型のトランジスタＴ５７、Ｔ５８が示されている。これらのトランジスタＴ５７、Ｔ５８は、トランスファーゲートＴＦの出力電圧をシフトさせるレベルシフト回路として機能する。
　トランジスタＴ５１はゲートが信号線ＤＳに接続されており、ドレインが有機ＥＬ素子ＥＬのアノードに接続されており、ソースがトランジスタＴ５２のドレインに接続されている。トランジスタＴ５２は駆動トランジスタである。トランジスタＴ５２のゲートには、トランジスタＴ５３、Ｔ５４、Ｔ５６を介して映像信号Ｖｓｉｇが供給され、ソースが電源電圧ＶＣＣＰに接続されている。トランジスタＴ５３、Ｔ５４は書込みトランジスタである。トランジスタＴ５３はゲートが信号線ＷＳ１に接続されている。またトランジスタＴ５３のソースは信号線１７１と接続されている。トランジスタＴ５４はゲートが信号線ＷＳ２に接続されている。またトランジスタＴ５４のソースはトランジスタＴ５３のドレインと接続されている。トランジスタＴ５５はゲートが信号線ｃｍｐに接続されている。トランジスタＴ５６は、信号線１７１と容量線１７２との間に設けられており、ゲートが信号線Ｖｇ＿ＲＳＴと接続されている。
　また、トランジスタＴ５７は、信号線１７１への電位Ｖｓｓの供給を制御するものであり、ゲートが信号線Ｖｇ＿Ｖｓｓに接続されている。トランジスタＴ５８は、信号線１７１への電位Ｖｏｆｓの供給を制御するものであり、ゲートが信号線Ｖｇ＿Ｖｏｆｓに接続されている。なお、Ｖｏｆｓ＞Ｖｓｓであるとする。
　図１３に示した画素回路は、図６に示した画素回路をベースとするものであるが、図８に示した画素回路とは異なり、図６に示した画素回路からトランジスタの数が増加していない。図１３に示した画素回路は、トランジスタＴ５３により、それぞれ、駆動トランジスタであるトランジスタＴ５２のゲートと容量線１７２との間、トランジスタＴ５２のドレインと容量線１７２との間、トランジスタＴ５２のゲートとドレインとの間のトランジスタの数が２つになる。
　このように画素回路を構成することで、駆動トランジスタのリーク電流を抑制し、静止画の表示中の輝度低下を抑制することが出来る。
　図１４は、図１３に示した画素回路の駆動の様子を示す説明図である。図１４を用いて図１３に示した画素回路の駆動例を説明する。
　発光期間中の時刻ｔ１の時点で、信号線Ｖｇ＿Ｖｓｓ及び信号線Ｖｇ＿ＲＳＴがハイからローになる。信号線Ｖｇ＿Ｖｓｓ及び信号線Ｖｇ＿ＲＳＴがハイからローになることで、それぞれ、トランジスタＴ５７、Ｔ５６がオンとなる。またこの時点では信号線ＤＳがローであるため、トランジスタＴ５１もオンとなっている。
　その後、時刻ｔ２の時点で発光期間が終了し、消光時間に入る。時刻ｔ２の時点で、信号線ＷＳ１及び信号線ｃｍｐがハイからローになる。信号線ＷＳ１及び信号線ｃｍｐがハイからローになることで、トランジスタＴ５３、Ｔ５５がオンとなる。トランジスタＴ５３、Ｔ５５がオンとなることで、トランジスタＴ５１、Ｔ５６がオンとなっていることにより、トランジスタＴ５２のドレイン電位Ｖｄ及び有機ＥＬ素子ＥＬのアノード電位ＶａｎｏｄｅがＶｓｓまで低下する。
　その後、時刻ｔ３の時点で消光期間が終了し、Ｖｔｈ補正準備期間に入る。時刻ｔ３の時点で、信号線ＤＳがローからハイになり、信号線ＷＳ２がハイからローになり、信号線Ｖｇ＿Ｖｓｓがローからハイになり、信号線Ｖｇ＿Ｖｏｆｓがハイからローになる。信号線ＤＳがローからハイになることでトランジスタＴ５１がオフになり、トランジスタＴ５２のドレインと、有機ＥＬ素子ＥＬのアノードとが切り離される。また信号線ＷＳ２がハイからローになることでトランジスタＴ５４がオンになる。また信号線Ｖｇ＿ＶｓｓがローからハイになることでトランジスタＴ５７がオフになる。また信号線Ｖｇ＿ＶｏｆｓがハイからローになることでトランジスタＴ５８がオンになる。
　これにより、トランジスタＴ５２のゲート電位ＶｇがＶｏｆｓまで低下し、またトランジスタＴ５２のドレイン電位ＶｄがＶｏｆｓまで上昇する。なお、トランジスタＴ５１がオフになり、トランジスタＴ５２のドレインと、有機ＥＬ素子ＥＬのアノードとが切り離されているので、有機ＥＬ素子ＥＬのアノード電位に変化はない。
　その後、時刻ｔ４の時点でＶｔｈ補正準備期間が終了し、Ｖｔｈ補正期間に入る。時刻ｔ４の時点で、信号線Ｖｇ＿Ｖｏｆｓ及びＶｇ＿ＲＳＴがローからハイになる。信号線Ｖｇ＿ＶｏｆｓがローからハイになることでトランジスタＴ５８がオフになる。また信号線Ｖｇ＿ＲＳＴがローからハイになることでトランジスタＴ５６がオフになる。これにより、トランジスタＴ５２のゲート電位Ｖｇ及びドレイン電位Ｖｄが、電源電圧ＶＣＣＰからトランジスタＴ５２の閾値電圧Ｖｔｈを引いた電位まで上昇する。
　その後、時刻ｔ５の時点でＶｔｈ補正期間が終了する。時刻ｔ５の時点で信号線ｃｍｐがローからハイになる。信号線ｃｍｐがローからハイになることでトランジスタＴ５５がオフになる。トランジスタＴ５５がオフになることでトランジスタＴ５２のドレインが容量線１７２から切り離される。
　その後、時刻ｔ６の時点で信号書き込み期間に入る。時刻ｔ６の時点で信号線Ｖｇ＿Ｖｓｉｇがハイからローになる。信号線Ｖｇ＿Ｖｓｉｇがハイからローになることで信号線１７１に映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇが供給される。
　この時点では、引き続いてトランジスタＴ５５がオフになっており、トランジスタＴ５２のドレインが容量線１７２から切り離されている。従って、信号線１７１に信号電圧Ｖｓｉｇが供給されると、トランジスタＴ５２のゲート電位ＶｇとトランジスタＴ５２のドレイン電位Ｖｄとの電位差が映像信号の信号電圧Ｖｓｉｇになるまで、トランジスタＴ５２のゲート電位Ｖｇが低下する。これにより、トランジスタＴ５２に映像信号が書き込まれる。
　その後、時刻ｔ７の時点で信号書き込み期間が終了し、発光期間に入る。時刻ｔ７の時点で、信号線ＤＳがハイからローになる。また時刻ｔ７の時点で、信号線ＷＳ１、ＷＳ２がローからハイになる。また時刻ｔ７の時点で、信号線Ｖｇ＿Ｖｓｉｇがローからハイになる。これにより、トランジスタＴ５１がオンになり、トランジスタＴ５３、Ｔ５４がオフになり、信号線１７１への映像信号の供給が停止される。トランジスタＴ５１がオンになることで、トランジスタＴ５２のドレイン電位Ｖｄと、有機ＥＬ素子ＥＬのアノード電位Ｖａｎｏｄｅとが等しくなる。トランジスタＴ５２のドレイン電位Ｖｄが低下することで、トランジスタＴ５２は電流を有機ＥＬ素子ＥＬに流す。トランジスタＴ５２から電流が流れることにより、有機ＥＬ素子ＥＬが発光する。
　このように、図１３に示した画素回路は、図６に示した画素回路から１画素あたりのトランジスタの数を増加させることなく、駆動トランジスタであるトランジスタＴ５２の閾値電圧の補正を問題なく行うことが出来る。そして図１３に示した画素回路は、図６に示した画素回路から１画素あたりのトランジスタの数を増加させることなく、駆動トランジスタのリーク電流を抑制し、静止画の表示中の輝度低下を抑制することが出来る。
　＜２．まとめ＞
　以上説明したように本開示の実施の形態によれば、有機ＥＬ素子を用いた表示装置の画素回路において、駆動トランジスタのゲートノードと有機ＥＬ素子のアノードノードとの間を、トランジスタを介して接続し、さらに信号線などの複数画素で共有する配線との間にトランジスタを設けた画素回路が提供される。
　本開示の実施の形態に係る画素回路は、このようにトランジスタを設けることで、駆動トランジスタのゲートノードや、有機ＥＬ素子のアノードノードから、各種信号線までの間を２つのトランジスタで接続する。このようにノード間を２つのトランジスタで接続することにより、本開示の実施の形態に係る画素回路は、トランジスタの数を増加させずに、また、仮に増加させたとしても最低限の増加によって、リーク電流による各々のノードの動作点変動を抑制し、低周波数駆動時の輝度劣化を抑制することができる。
　そして、本開示の実施の形態に係る画素回路を備えた表示装置、及びそのような表示装置を備えた電子機器も同様に提供される。そのような電子機器には、テレビ、スマートフォン等の携帯電話、タブレット型携帯端末、パーソナルコンピュータ、携帯型ゲーム機、携帯型音楽再生装置、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、腕時計型携帯端末、ウェアラブルデバイスなどがある。
　以上、添付図面を参照しながら本開示の好適な実施形態について詳細に説明したが、本開示の技術的範囲はかかる例に限定されない。本開示の技術分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。
　また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、または上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。
　なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）
　発光素子と、
　前記発光素子へ電流を供給する駆動トランジスタと、
　前記発光素子のアノードの電位を所定の電位に設定する第１リセットトランジスタと、
　前記駆動トランジスタのゲートノードでの信号電圧の書き込みを制御する第１書込みトランジスタと、
　一端が前記駆動トランジスタのゲートノードに接続され、前記駆動トランジスタの閾値電圧を保持する保持容量と、
　前記駆動トランジスタのゲートノードと、前記第１書込みトランジスタとの間に直列に接続される第２書込みトランジスタと、
を備える、画素回路。
（２）
　前記駆動トランジスタと前記発光素子のアノードとの間の接続を制御する発光制御トランジスタをさらに備える、前記（１）に記載の画素回路。
（３）
　前記信号電圧が供給される信号線と、前記駆動トランジスタの閾値電圧を補正する容量が接続される容量線との間に設けられる第２リセットトランジスタをさらに備える、前記（２）に記載の画素回路。
（４）
　前記駆動トランジスタ、前記第１リセットトランジスタ、前記第１書込みトランジスタ、前記第２書込みトランジスタは、いずれもＮチャネル型のトランジスタである、前記（１）～（３）のいずれかに記載の画素回路。
（５）
　前記駆動トランジスタ、前記第１リセットトランジスタ、前記第１書込みトランジスタ、前記第２書込みトランジスタは、いずれもＰチャネル型のトランジスタである、前記（１）～（３）のいずれかに記載の画素回路。
（６）
　前記（１）～（５）のいずれかに記載の画素回路を備える、表示装置。
（７）
　前記（６）に記載の表示装置を備える、電子機器。
（８）
　発光素子と、
　前記発光素子へ電流を供給する駆動トランジスタと、
　前記発光素子のアノードの電位を所定の電位に設定する第１リセットトランジスタと、
　前記駆動トランジスタのゲートノードでの信号電圧の書き込みを制御する第１書込みトランジスタと、
　一端が前記駆動トランジスタのゲートノードに接続され、前記駆動トランジスタの閾値電圧を保持する保持容量と、
　前記駆動トランジスタのゲートノードと、前記第１書込みトランジスタとの間に直列に接続される第２書込みトランジスタと、
を備える、画素回路において、
　発光が終了した後の第１期間において、前記第１書込みトランジスタ及び前記第２書込みトランジスタをオンにして、
　前記第１期間の後の第２期間において、前記駆動トランジスタの閾値電圧を補正し、
　前記第２期間の後の第３期間において、前記駆動トランジスタに信号電圧を書込み、
　前記第３期間の後の第４期間において、前記第１書込みトランジスタ及び第２書込みトランジスタをオフにして、前記駆動トランジスタを通じて前記発光素子に電流を流して前記発光素子を発光させる、画素回路の駆動方法。
（９）
　前記第１期間において、前記第１書込みトランジスタをオンにした後に前記第２書込みトランジスタをオンにする、前記（８）に記載の画素回路の駆動方法。
（１０）
　前記画素回路は、前記駆動トランジスタと前記発光素子のアノードとの間の接続を制御する発光制御トランジスタをさらに備える、前記（８）または（９）に記載の画素回路の駆動方法。
（１１）
　前記画素回路は、前記信号電圧が供給される信号線と、前記駆動トランジスタの閾値電圧を補正する容量が接続される容量線との間に設けられる第２リセットトランジスタをさらに備える、前記（１０）に記載の画素回路の駆動方法。
１００　　：表示装置
１１０　　：画素部
１１１Ｂ　：画素
１１１Ｇ　：画素
１１１Ｒ　：画素
１２０　　：水平セレクタ
１３０　　：垂直スキャナ
１３１　　：オートゼロスキャナ
１３２　　：駆動スキャナ
１３３　　：書き込みスキャナ

Claims (11)

  1. 　発光素子と、
    　前記発光素子へ電流を供給する駆動トランジスタと、
    　前記発光素子のアノードの電位を所定の電位に設定する第１リセットトランジスタと、
    　前記駆動トランジスタのゲートノードでの信号電圧の書き込みを制御する第１書込みトランジスタと、
    　一端が前記駆動トランジスタのゲートノードに接続され、前記駆動トランジスタの閾値電圧を保持する保持容量と、
    　前記駆動トランジスタのゲートノードと、前記第１書込みトランジスタとの間に直列に接続される第２書込みトランジスタと、
    を備える、画素回路。
  2. 　前記駆動トランジスタと前記発光素子のアノードとの間の接続を制御する発光制御トランジスタをさらに備える、請求項１に記載の画素回路。
  3. 　前記信号電圧が供給される信号線と、前記駆動トランジスタの閾値電圧を補正する容量が接続される容量線との間に設けられる第２リセットトランジスタをさらに備える、請求項２に記載の画素回路。
  4. 　前記駆動トランジスタ、前記第１リセットトランジスタ、前記第１書込みトランジスタ、前記第２書込みトランジスタは、いずれもＮチャネル型のトランジスタである、請求項１に記載の画素回路。
  5. 　前記駆動トランジスタ、前記第１リセットトランジスタ、前記第１書込みトランジスタ、前記第２書込みトランジスタは、いずれもＰチャネル型のトランジスタである、請求項１に記載の画素回路。
  6. 　請求項１に記載の画素回路を備える、表示装置。
  7. 　請求項６に記載の表示装置を備える、電子機器。
  8. 　発光素子と、
    　前記発光素子へ電流を供給する駆動トランジスタと、
    　前記発光素子のアノードの電位を所定の電位に設定する第１リセットトランジスタと、
    　前記駆動トランジスタのゲートノードでの信号電圧の書き込みを制御する第１書込みトランジスタと、
    　一端が前記駆動トランジスタのゲートノードに接続され、前記駆動トランジスタの閾値電圧を保持する保持容量と、
    　前記駆動トランジスタのゲートノードと、前記第１書込みトランジスタとの間に直列に接続される第２書込みトランジスタと、
    を備える、画素回路において、
    　発光が終了した後の第１期間において、前記第１書込みトランジスタ及び前記第２書込みトランジスタをオンにして、
    　前記第１期間の後の第２期間において、前記駆動トランジスタの閾値電圧を補正し、
    　前記第２期間の後の第３期間において、前記駆動トランジスタに信号電圧を書込み、
    　前記第３期間の後の第４期間において、前記第１書込みトランジスタ及び第２書込みトランジスタをオフにして、前記駆動トランジスタを通じて前記発光素子に電流を流して前記発光素子を発光させる、画素回路の駆動方法。
  9. 　前記第１期間において、前記第１書込みトランジスタをオンにした後に前記第２書込みトランジスタをオンにする、請求項８に記載の画素回路の駆動方法。
  10. 　前記画素回路は、前記駆動トランジスタと前記発光素子のアノードとの間の接続を制御する発光制御トランジスタをさらに備える、請求項８に記載の画素回路の駆動方法。
  11. 　前記画素回路は、前記信号電圧が供給される信号線と、前記駆動トランジスタの閾値電圧を補正する容量が接続される容量線との間に設けられる第２リセットトランジスタをさらに備える、請求項１０に記載の画素回路の駆動方法。
PCT/JP2019/002540 2018-02-20 2019-01-25 画素回路、表示装置、画素回路の駆動方法および電子機器 WO2019163402A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/969,720 US11222587B2 (en) 2018-02-20 2019-01-25 Pixel circuit, display device, driving method of pixel circuit, and electronic apparatus
JP2020501609A JP7118130B2 (ja) 2018-02-20 2019-01-25 表示装置
CN201980013276.4A CN111727470B (zh) 2018-02-20 2019-01-25 像素电路、显示装置、驱动像素电路的方法以及电子设备
CN202211079681.6A CN115472129A (zh) 2018-02-20 2019-01-25 像素电路、显示装置、驱动像素电路的方法以及电子设备
JP2022123378A JP7216242B2 (ja) 2018-02-20 2022-08-02 表示装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018027890 2018-02-20
JP2018-027890 2018-02-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019163402A1 true WO2019163402A1 (ja) 2019-08-29

Family

ID=67687687

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/002540 WO2019163402A1 (ja) 2018-02-20 2019-01-25 画素回路、表示装置、画素回路の駆動方法および電子機器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11222587B2 (ja)
JP (4) JP7118130B2 (ja)
CN (2) CN111727470B (ja)
WO (1) WO2019163402A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220335894A1 (en) * 2020-08-21 2022-10-20 SeeYa Optronics, Ltd. Organic light-emitting display panel

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210029330A (ko) * 2019-09-05 2021-03-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 화소, 및 유기 발광 표시 장치
CN114822387B (zh) * 2021-01-28 2023-11-14 成都辰显光电有限公司 像素电路和显示面板
CN113053274B (zh) * 2021-03-08 2023-04-11 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动电路的检测方法、显示面板、显示装置
CN113936600A (zh) * 2021-11-10 2022-01-14 云谷（固安）科技有限公司 像素电路及显示面板
KR20230102896A (ko) * 2021-12-30 2023-07-07 엘지디스플레이 주식회사 발광표시장치 및 이의 구동방법
CN114758624B (zh) * 2022-03-31 2023-07-04 武汉天马微电子有限公司 像素电路及其驱动方法、阵列基板、显示面板和显示装置
CN115035858A (zh) * 2022-06-29 2022-09-09 武汉天马微电子有限公司 像素电路及其驱动方法、显示面板
CN116597776B (zh) * 2023-04-28 2024-04-26 惠科股份有限公司 像素架构、显示面板及其驱动方法、显示装置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050052033A (ko) * 2003-11-28 2005-06-02 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치의 화소회로
JP2007298973A (ja) * 2006-04-05 2007-11-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、表示装置及びに電子機器
JP2009014933A (ja) * 2007-07-03 2009-01-22 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、有機エレクトロルミネッセンス表示装置
KR20120040867A (ko) * 2010-10-20 2012-04-30 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치와 이의 구동방법
WO2013076774A1 (ja) * 2011-11-24 2013-05-30 パナソニック株式会社 表示装置及びその制御方法
JP2014071450A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Lg Display Co Ltd 有機発光表示装置及びその残像消去方法
JP2015025978A (ja) * 2013-07-26 2015-02-05 株式会社ジャパンディスプレイ 駆動回路、表示装置、及び駆動方法
JP2016038425A (ja) * 2014-08-06 2016-03-22 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置の駆動方法
US20170148384A1 (en) * 2015-11-23 2017-05-25 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display
US20170345883A1 (en) * 2016-05-31 2017-11-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001006484A1 (fr) * 1999-07-14 2001-01-25 Sony Corporation Circuit d'attaque et affichage le comprenant, circuit de pixels et procede d'attaque
US7379039B2 (en) * 1999-07-14 2008-05-27 Sony Corporation Current drive circuit and display device using same pixel circuit, and drive method
JP3723507B2 (ja) * 2002-01-29 2005-12-07 三洋電機株式会社 駆動回路
US20050012758A1 (en) * 2003-06-25 2005-01-20 Christou Charlotte L. Digital picture frame
JP2005156703A (ja) 2003-11-21 2005-06-16 Seiko Epson Corp 電子装置の静電保護回路、電気光学装置の静電保護回路及び電子機器
KR100536235B1 (ko) * 2003-11-24 2005-12-12 삼성에스디아이 주식회사 화상 표시 장치 및 그 구동 방법
KR100665943B1 (ko) * 2005-06-30 2007-01-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광 디스플레이 장치 및 구동방법
KR100812003B1 (ko) * 2006-08-08 2008-03-10 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치
JP2008175945A (ja) * 2007-01-17 2008-07-31 Sony Corp 画素回路および表示装置
JP5309455B2 (ja) * 2007-03-15 2013-10-09 ソニー株式会社 表示装置及びその駆動方法と電子機器
JP2008249744A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Sony Corp 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器
JP5467484B2 (ja) 2007-06-29 2014-04-09 カシオ計算機株式会社 表示駆動装置及びその駆動制御方法並びにそれを備える表示装置
JP2009133914A (ja) * 2007-11-28 2009-06-18 Sony Corp 表示装置
KR101040786B1 (ko) * 2009-12-30 2011-06-13 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
CN102656624B (zh) * 2010-10-28 2014-11-26 松下电器产业株式会社 有源矩阵基板的检查方法
JP6111531B2 (ja) * 2012-04-25 2017-04-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器
JP2015034861A (ja) 2013-08-08 2015-02-19 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器
JP6738037B2 (ja) * 2015-11-11 2020-08-12 天馬微電子有限公司 表示装置及び有機発光装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050052033A (ko) * 2003-11-28 2005-06-02 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치의 화소회로
JP2007298973A (ja) * 2006-04-05 2007-11-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置、表示装置及びに電子機器
JP2009014933A (ja) * 2007-07-03 2009-01-22 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、有機エレクトロルミネッセンス表示装置
KR20120040867A (ko) * 2010-10-20 2012-04-30 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치와 이의 구동방법
WO2013076774A1 (ja) * 2011-11-24 2013-05-30 パナソニック株式会社 表示装置及びその制御方法
JP2014071450A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Lg Display Co Ltd 有機発光表示装置及びその残像消去方法
JP2015025978A (ja) * 2013-07-26 2015-02-05 株式会社ジャパンディスプレイ 駆動回路、表示装置、及び駆動方法
JP2016038425A (ja) * 2014-08-06 2016-03-22 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置の駆動方法
US20170148384A1 (en) * 2015-11-23 2017-05-25 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display
US20170345883A1 (en) * 2016-05-31 2017-11-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220335894A1 (en) * 2020-08-21 2022-10-20 SeeYa Optronics, Ltd. Organic light-emitting display panel
US11682352B2 (en) * 2020-08-21 2023-06-20 SeeYa Optronics, Ltd. Organic light-emitting display panel

Also Published As

Publication number Publication date
CN111727470A (zh) 2020-09-29
JP7216242B2 (ja) 2023-01-31
JP2024050936A (ja) 2024-04-10
JPWO2019163402A1 (ja) 2021-04-15
JP2024045589A (ja) 2024-04-02
CN115472129A (zh) 2022-12-13
JP2022153608A (ja) 2022-10-12
JP2023041738A (ja) 2023-03-24
JP7118130B2 (ja) 2022-08-15
CN111727470B (zh) 2022-09-20
US11222587B2 (en) 2022-01-11
US20210005137A1 (en) 2021-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2019163402A1 (ja) 画素回路、表示装置、画素回路の駆動方法および電子機器
US11551617B2 (en) Display device, electronic device, and driving method of display device
US10878754B2 (en) Organic light emitting display device including a maintain transistor
CN112863435A (zh) 具有像素驱动电路的电致发光显示面板
JP7237918B2 (ja) 画素回路、表示装置、画素回路の駆動方法および電子機器
US10049621B2 (en) Organic light emitting display device with increased luminance uniformity
US11289019B2 (en) Pixel circuit, display device, method for driving pixel circuit, and electronic apparatus
WO2020100616A1 (ja) 画素回路、表示装置、画素回路の駆動方法および電子機器
JP2014160203A (ja) 表示装置およびその駆動方法、並びに電子機器
CN113066439A (zh) 一种像素电路、驱动方法、电致发光显示面板及显示装置
JP7011449B2 (ja) 画素回路、表示装置および電子機器
JP2010026118A (ja) 表示装置およびその駆動方法ならびに電子機器
JP7513777B2 (ja) 表示装置
CN114446241A (zh) 像素电路及其驱动方法、显示基板
JP2023041449A (ja) 表示装置
JP2010026119A (ja) 表示装置およびその駆動方法ならびに電子機器
JP2010032904A (ja) 表示装置およびその駆動方法ならびに電子機器
JP2009300853A (ja) 表示装置およびその駆動方法ならびに電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19757577

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020501609

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19757577

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1