CN111696893A - 基板处理装置以及物品制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了基板处理装置以及物品制造方法。本发明提供了处理基板的基板处理装置，该装置包括被配置成保持和移动基板的台、被配置成在输送单元与台之间保持和输送基板的输送单元、被配置成累积通过处理基板而生成的与台和输送单元有关的控制信息的累积单元以及确定单元，该确定单元被配置成通过基于在累积单元中累积的控制信息来选择能够针对台和输送单元设定的多个输送过程中的一个输送过程来确定在台与输送单元之间输送基板时的输送过程。

Description

基板处理装置以及物品制造方法
技术领域
本发明涉及基板处理装置以及物品制造方法。
背景技术
随着使用曝光装置的各种设备制造方法(工艺)的增加，有必要以高生产率(以高速)输送各种类型的基板。各种类型的基板包括例如具有大量翘曲的基板、具有低平坦度的反面的基板以及具有涂覆有化学试剂或涂覆剂的反面的基板。
日本专利公开No.2006-269867和No.2017-108169提出了关于基板的输送的技术。日本专利公开No.2006-269867公开了通过改变输送机构的各个单元的驱动参数、夹持基板的压力(基板夹持压力)等来以高生产率输送基板的技术。日本专利公开No.2017-108169公开了通过使用用于基板的双重输送路径来以高生产率输送基板的技术。
常规技术中的任何一个都不是能够关于各种类型基板针对每个工艺在装置侧自动确定(选择)最优驱动参数、基板夹持压力、输送路径等的技术。
根据日本专利公开No.2006-269867，有必要提供用于测量基板的翘曲量的单元或预先掌握基板的翘曲量。此外，根据日本专利公开No.2006-269867，从基板的翘曲量来确定输送机构的各个单元的驱动参数和基板夹持压力，但是不考虑基板的反面的状态。另一方面，日本专利公开No.2017-108169中公开的技术需要提供两条输送路径(第一输送路径和第二输送路径)以便提高基板输送的生产率。
发明内容
本发明提供了基板处理装置，该基板处理装置有利于确定在输送基板时的输送过程。
根据本发明的第一方面，提供了一种用于处理基板的基板处理装置，该装置包括被配置成保持和移动基板的台、被配置成在输送单元与台之间保持和输送基板的输送单元、被配置成累积通过处理基板而生成的与台和输送单元有关的控制信息的累积单元以及确定单元，该确定单元被配置成通过基于在累积单元中累积的控制信息来选择能够针对台和输送单元设定的多个输送过程中的一个输送过程来确定在台与输送单元之间输送基板时的输送过程。
根据本发明的第二方面，提供了一种物品制造方法，该物品制造方法包括通过使用上述基板处理装置在基板上形成图案、处理在形成中形成了图案的基板以及从经处理的基板制造物品。
通过以下参考附图对示例性实施例的描述，本发明的更多方面将变得清楚。
附图说明
图1是示出根据本发明的一方面的曝光装置的布置的示意图。
图2是示出基板台和输送单元的布置的示意性平面图。
图3是用于说明曝光装置的操作的流程图。
图4A和图4B是用于说明图3中所示的确定处理(步骤S112)的细节的流程图。
图5是用于说明面向生产率的过程的流程图。
图6是用于说明面向稳定性的过程的流程图。
图7是用于说明在输送基板时优先考虑生产率的输送过程的流程图。
图8是用于说明在输送基板时优先考虑稳定性的输送过程的流程图。
图9是示出作为用户界面的设定画面的示例的视图。
图10是示出作为用户界面的设定画面的示例的视图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细描述实施例。注意的是，以下实施例并非旨在限制所要求保护的发明的范围。在实施例中描述了多个特征，但是并不限制要求所有这样的特征的发明，并且可以适当地组合多个这样的特征。此外，在附图中，相同的附图标记被赋予相同或相似的配置，并且省略其重复描述。
图1是示出根据本发明的一方面的曝光装置1的布置的示意图。曝光装置1是在作为设备的制造工艺的光刻工艺中使用的光刻装置，并且对基板进行处理。在这个实施例中，曝光装置1被实现为在基板上形成图案的基板处理装置。曝光装置1通过步进扫描系统或步进重复系统经由掩模(原件)曝光基板，并且将掩模图案转印到基板上。
注意的是，本发明不将基板处理装置限于曝光装置，并且还可以应用于压印装置和绘图装置。在这种情况下，压印装置使供应到基板上的压印材料与模具接触，并将固化能量施加到压印材料，以在其上转印有模具图案的固化材料上形成图案。绘图装置通过用带电粒子束(电子束)或激光束在基板上绘图来在基板上形成图案(潜像图案)。此外，本发明可以应用于诸如各种类型的高精度处理装置和各种类型的高精度测量装置之类的被配置成处理基板的装置。
曝光装置1包括利用来自光源101的光照亮掩模109的照明光学系统104、投影光学系统110、第一驱动单元112、第二驱动单元113、基板台116、激光干涉仪118和第三驱动单元119。曝光装置1还包括对准测量系统124、聚焦测量系统140、主控制单元103、照明系统控制单元108、投影系统控制单元114、台控制单元120和输送单元130。
光源101发射(输出)多个波长带中的光作为曝光光。照明光学系统104还包括整形光学系统(未示出)和光学积分器(未示出)。照明光学系统104还包括遮光板105、半反射镜106和光传感器107。
从光源101发射并进入照明光学系统104的光经由整形光学系统被整形为预定形状。由整形光学系统整形的光进入光学积分器。光学积分器形成用于以均匀的照度分布来照亮掩模109的许多二次光源。遮光板105布置在照明光学系统104的光路上以在掩模上形成任意照明区域。半反射镜106布置在照明光学系统104的光路上以反射(提取)照亮掩模109的光(曝光光)的一部分。光传感器107布置在由半反射镜106反射的光的光路上以检测光的强度(曝光能量)。照明系统控制单元108在主控制单元103的控制下控制照明光学系统104的每个单元(例如，遮光板105)。
掩模109具有要被转印到基板115上的图案，即，半导体设备的电路图案，并且被照明光学系统104照亮。投影光学系统110由例如折射系统或折反射(catadioptric)系统形成。投影光学系统110以预定的倍率(例如，1/2)将掩模109的图案(其图像)投影(形成)在涂覆有光致抗蚀剂(光敏剂)的基板115(基板115的一个压射区域)上。投影光学系统110包括孔径光阑111。孔径光阑111布置在投影光学系统110的光瞳面(即，与掩模109相对应的傅立叶变换面)中，并且包括几乎圆形的开口部。
第一驱动单元112包括马达，并且通过控制孔径光阑111的开口部的直径来设定预定的NA(数值孔径)。第二驱动单元113沿着投影光学系统110的光轴驱动(移动)构成投影光学系统110的透镜系统的一部分的光学元件。这使得可以在适当地维持投影倍率的同时抑制投影光学系统110的像差的退化并且减小畸变误差。投影系统控制单元114在主控制单元103的控制下经由第一驱动单元112和第二驱动单元113控制投影光学系统110的各个单元(孔径光阑111和光学元件)。
如上所述，基板115是在其上要转印(投影)掩模109的图案并且施加光致抗蚀剂的基板。基板115包括晶片、玻璃板和其它类型的基板。
基板台116是保持基板115的台。第三驱动单元119在三维方向上，即，沿着投影光学系统110的光轴的方向(Z方向)和与该方向正交的面(X-Y面)移动基板台116。第三驱动单元119包括用于移动基板台116的马达。在这个实施例中，沿着投影光学系统110的光轴的方向是Z方向(Z轴)，并且与投影光学系统110的光轴正交的方向是X方向(X轴)和Y方向(Y轴)。
激光干涉仪118检测距固定到基板台116的镜117的距离，以测量基板台116在X-Y面上的位置。对准测量系统124测量在基板115与基板台116之间的位置偏移。台控制单元120在主控制单元103的控制下基于由激光干涉仪118获得的测量结果和由对准测量系统124获得的测量结果经由第三驱动单元119将基板台116移动到X-Y面中的预定位置。
聚焦测量系统140包括投影光学系统121和检测光学系统122，并且在沿着投影光学系统110的光轴的方向上测量基板115的位置，即，基板115的表面的高度。投射光学系统121投影不使施加在基板115上的光致抗蚀剂敏感的光(非曝光光)，并且将光聚焦在基板115上的每个位置处。在基板115上的每个位置处反射的光进入检测光学系统122。
检测光学系统122具有与在基板115上的每个位置处反射的光对应地布置的用于位置检测的多个光接收元件。更具体地，用于位置检测的多个光接收元件被布置成使得每个光接收元件的光接收表面经由成像光学系统几乎与基板115上的每个位置(每个反射点)共轭。因此，基板115在沿着投影光学系统110的光轴的方向上的位置偏移被测量作为进入布置在检测光学系统122上的每个光接收元件的光的位置偏移。
输送单元130是用于在输送单元130与基板台116之间保持并输送基板115的输送机构。如图2中所示，输送单元130包括输送端口201、第一基板手202、预对准单元203和第二基板手204。稍后将与基板115在基板台116与输送单元130之间的输送一起描述输送单元130的细节。图2是示出基板台116和输送单元130的布置的示意性平面图。
存储单元123存储操作曝光装置1所需的各种类型的程序、数据等。在这个实施例中，存储单元123还用作累积单元，该累积单元存储并累积由于在曝光装置1中处理基板115而生成的与基板台116和输送单元130有关的控制信息。在这种情况下，控制信息包括基板台116和输送单元130用来保持基板115的保持力以及基板台116和输送单元130以预设的保持力保持基板115所需的时间。此外，控制信息包括与当基板115在基板台116与输送单元130之间输送时基板115的对准有关的测量值以及对准错误的数量。然而，注意的是，控制信息不必总是包括所有以上信息，并且可以包括以上信息中的至少一条。
主控制单元103由信息处理装置(计算机)形成，并且根据存储在存储单元123中的程序经由照明系统控制单元108、投影系统控制单元114和台控制单元120来全面地控制曝光装置1中的各个单元。主控制单元103控制通过经由掩模109曝光基板115而在基板115上形成图案的曝光处理。此外，在这个实施例中，主控制单元103用作确定单元，该确定单元基于累积在存储单元123中的控制信息来确定在基板台116与输送单元130之间输送基板115时的输送过程。
将参考图2描述在基板台116与输送单元130之间的基板115的输送。基板台116设置有将基板115保持在保持表面上的卡盘206。基板台116还设置有升降销205，该升降销205通过驱动单元(未示出)相对于卡盘206将基板115保持在其上的保持表面上下移动。注意的是，代替升降销205，卡盘206可以通过驱动单元(未示出)上下移动以使升降销205相对于卡盘206的保持表面上下移动。
首先将描述与基板115的装载有关的装载处理。在设备制造工厂中，基板115经由将曝光装置1连接到外部装置的输送端口201被装载到曝光装置1中。第一基板手202将装载到曝光装置1中的基板115输送到执行基板115的预对准(粗定位)的预对准单元203。第二基板手204将经历了由预对准单元203进行的预对准的基板115输送到基板台116。此时，基板台116已预先移动到基板装载位置(第一位置)。当第二基板手204将基板115传送到基板台116时，在升降销205上升到了卡盘206的保持表面上方的同时，升降销205首先接收基板115。升降销205然后向下移动以使卡盘206保持(传送)由升降销205接收的基板115。第一基板手202、预对准单元203、第二基板手204、升降销205和卡盘206各自通过例如真空抽吸来保持基板115。卡盘206通过保持基板115来完成装载处理。
接下来将描述与基板115的卸载有关的卸载处理。当完成对基板115的曝光处理时，保持基板115的基板台116移动到基板卸载位置(第一位置)。当基板台116将基板115传送到第一基板手202时，升降销205首先在基板台116上向上移动，以将基板115从卡盘206传送到升降销205。然后，由升降销205保持的基板115被传送到第一基板手202。第一基板手202将基板115输送到输送端口201。通过从输送端口201卸载基板115来完成卸载处理。
<第一实施例>
将参考图3描述曝光装置1的操作。在步骤S101中，曝光装置1确定装载到曝光装置1中的用于目标批次(批次中包括的多个基板)的配方(工艺)是否是过去处理过的配方。如果目标批次的配方是过去处理过的配方，那么处理移动到步骤S102。如果目标批次的配方不是过去处理过的配方，那么处理移动到步骤S103。
在步骤S102中，当与用于目标批次的配方相同的配方被处理作为在基板台116与输送单元130之间输送基板115时的输送过程时，曝光装置1选择与该配方相关联地存储在存储单元123中的输送过程(过去的输送过程)。
在步骤S103中，曝光装置1选择默认设定的输送过程(默认输送过程)作为在基板台116与输送单元130之间输送基板115时的输送过程。
在这个实施例中，可以针对基板台116和输送单元130设定的多个输送过程被存储在存储单元123中作为在基板台116与输送单元130之间输送基板115时的输送过程。例如，存储单元123存储第一输送过程和第二输送过程作为多个输送过程。假定在这种情况下，与第二输送过程相比，第一输送过程(下文中被称为“面向生产率的过程”)优先考虑与基板115的输送有关的生产率。与第一输送过程相比，第二输送过程(下文中被称为“面向稳定性的过程”)优先考虑与基板115的输送有关的稳定性。默认输送过程可以是面向生产率的过程。注意的是，在这个实施例中，多个输送过程是两种类型的输送过程。然而，这不是详尽的。此外，默认输送过程可以是利用参数能够设定的。
在步骤S104中，曝光装置1执行将基板115装载到曝光装置1中的装载处理。装载处理与参考图2描述的装载处理相同，因此将省略该处理的详细描述。
在步骤S105中，曝光装置1将由于装载基板115而生成的与基板台116和输送单元130有关的控制信息存储在存储单元123中。更具体地，存储单元123存储升降销205和卡盘206用来保持基板115的夹持压力(保持力)以及升降销205和卡盘206以预设的夹持压力来保持基板115所需的夹持时间。
在步骤S106中，曝光装置1执行对准测量处理。对准测量处理是与基板115的对准有关的处理，该对准测量处理在基板115在基板台116与输送单元130之间输送时被执行。对准测量处理是用于测量基板115的位置偏移的处理。更具体地，对准测量处理包括测量基板115与基板台116之间的位置偏移的处理以及测量掩模109与基板115之间的位置偏移的处理。
在步骤S107中，曝光装置1将通过对准基板115而生成的与基板台116和输送单元130有关的控制信息存储在存储单元123中。更具体地，存储单元123存储与当基板115在基板台116与输送单元130之间输送时执行的基板115的对准有关的测量值以及对准中的错误的数量。
在步骤S108中，曝光装置1执行通过经由掩模109对基板115进行曝光而在基板115上形成图案的曝光处理，同时根据在步骤S106中执行的对准测量处理来控制掩模109与基板115之间的相对位置。
在步骤S109中，曝光装置1执行从曝光装置1卸载基板115的卸载处理。卸载处理与参考图2描述的卸载处理相同，因此将省略该处理的详细描述。
在步骤S110中，曝光装置1将由于卸载基板115而生成的与基板台116和输送单元130有关的控制信息存储在存储单元123中。更具体地，存储单元123存储升降销205和卡盘206用来保持基板115的夹持压力(保持力)以及升降销205和卡盘206以预设的夹持压力来保持基板115所需的夹持时间。
在步骤S111中，曝光装置1存储指示是否发生了预设的特定错误的信息。在这种情况下，特定错误包括例如夹持错误，即，通过升降销205或卡盘206夹持基板115的故障。
在步骤S112中，曝光装置1执行确定在基板台116与输送单元130之间输送基板115时的输送过程的确定处理。稍后将参考图4描述确定处理的细节。
在步骤S113中，曝光装置1确定是否针对批次中包括的所有基板115执行了曝光处理。如果尚未针对该批次中包括的所有基板115执行曝光处理，那么处理移动到步骤S104以针对下一基板115执行曝光处理。如果已针对该批次中包括的所有基板115执行了曝光处理，那么处理移动到步骤S114。
在步骤S114中，曝光装置1将用于在步骤S101中输入的目标批次的配方的最优输送过程(即，在步骤S102或S103中选择的输送过程或在步骤S112中确定的输送过程)与该配方相关联地存储在存储单元123中。
将参考图4A和图4B描述确定在基板台116与输送单元130之间输送基板115时的输送过程的确定处理(步骤S112)的细节。在下面的描述中，针对在存储单元123中累积(存储)的每个控制信息设定的阈值被设定为第一阈值，并且针对批次中超过第一阈值的基板115的数量设定的阈值被设定为第二阈值。
在步骤S201中，曝光装置1读出存储在存储单元123中的输送过程。在步骤S202中，曝光装置1确定在步骤S105中存储在存储单元123中的与装载处理中的卡盘206有关的夹持压力和夹持时间是否等于或小于为其设定的第一阈值。如果与卡盘206有关的夹持力和夹持时间不等于或小于第一阈值，那么处理移动到步骤S203。如果与卡盘206有关的夹持力和夹持时间等于或小于第一阈值，那么处理移动到步骤S205。
在步骤S203中，曝光装置1对批次中超过依据与装载处理中的卡盘206有关的夹持压力和夹持时间的第一阈值的基板115的数量进行计数。在步骤S204中，曝光装置1确定在步骤S203中计数的基板115的数量是否等于或小于为其设定的第二阈值。如果在步骤S203中计数的基板115的数量不等于或小于第二阈值，那么处理移动到步骤S223。如果在步骤S203中计数的基板115的数量等于或小于第二阈值，那么处理移动到步骤S205。
在步骤S223中，曝光装置1确定在批次中输送过程是否被改变(确定)。如果在批次中输送过程没有被改变，那么处理移动到步骤S224。如果在批次中输送过程被改变，那么处理移动到步骤S225。
在步骤S224中，曝光装置1改变(确定)输送过程并且将该输送过程存储在存储单元123中。在这个实施例中，例如，如果当前的输送过程是面向生产率的过程，那么出于以下原因，该输送过程被改变为面向稳定性的过程。如果输送过程是面向生产率的过程，那么有必要执行针对错误的恢复处理，导致生产率恶化。因此，将输送过程改变为优先考虑稳定性的面向稳定性的过程将提高生产率。如日本专利公开No.2006-269867中所公开的，曝光装置1可以改变与基板台116和输送单元130的各个单元有关的驱动参数和第一阈值，并且改变输送过程。
在步骤S225中，曝光装置1确定与对准有关的测量值和对准中的错误的数量是否超过为其设定的第一阈值。如果与对准有关的测量值和对准中的错误的数量超过第一阈值，那么处理移动到步骤S226以通知例如指示错误因素可能是工艺(批次)因素的信息之类的对应的信息。换句话说，如果输送过程被改变并且与对准有关的测量值和对准中的错误的数量在改变输送过程之前和之后没有改变，那么曝光装置1通知该对应的信息。这种通知是经由例如曝光装置1的显示器或音频输出设备执行的，并且因此显示器或音频输出设备用作通知单元。
在步骤S205中，曝光装置1确定在步骤S105中存储在存储单元123中的与装载处理中的升降销205有关的夹持压力和夹持时间是否等于或小于为其设定的第一阈值。如果与升降销205有关的夹持压力和夹持时间不等于或小于第一阈值，那么处理移动到步骤S206。如果与升降销205有关的夹持压力和夹持时间等于或小于第一阈值，那么处理移动到步骤S208。
在步骤S206中，曝光装置1对批次中超过与和装载处理中的升降销205有关的夹持压力和夹持时间有关的第一阈值的基板115的数量进行计数。在步骤S207中，曝光装置1确定在步骤S206中计数的基板115的数量是否等于或小于为其设定的第二阈值。如果在步骤S206中计数的基板115的数量不等于或小于第二阈值，那么处理移动到步骤S223。如果在步骤S206中计数的基板115的数量等于或小于第二阈值，那么处理移动到步骤S208。
在步骤S208中，曝光装置1确定在步骤S107中存储在存储单元123中的对准测量处理中的对准测量值是否等于或小于为对准测量值设定的第一阈值。如果对准测量值不等于或小于第一阈值，那么处理移动到步骤S209。如果对准测量值等于或小于第一阈值，那么处理移动到步骤S211。
在步骤S209中，曝光装置1对批次中超过与对准测量值有关的第一阈值的基板115的数量进行计数。在步骤S210中，曝光装置1确定在步骤S209中计数的基板115的数量是否等于或小于针对基板数量设定的第二阈值。如果在步骤S209中计数的基板115的数量不等于或小于第二阈值，那么处理移动到步骤S223。如果在步骤S209中计数的基板115的数量等于或小于第二阈值，那么处理移动到步骤S211。
在步骤S211中，曝光装置1基于在步骤S107中存储在存储单元123中的对准测量处理中的对准错误的数量来确定是否发生了对准错误。如果发生了对准错误，那么处理移动到步骤S212。如果没有发生对准错误，那么处理移动到步骤S214。
在步骤S212中，曝光装置1对批次中发生了与对准错误的数量有关的对准错误的基板115的数量进行计数。在步骤S213中，曝光装置1确定在步骤S212中计数的基板115的数量是否等于或小于针对基板数量设定的第二阈值。如果在步骤S212中计数的基板115的数量不等于或小于第二阈值，那么处理移动到步骤S223。如果在步骤S212中计数的基板115的数量等于或小于第二阈值，那么处理移动到步骤S214。
在步骤S214中，曝光装置1确定在步骤S110中存储在存储单元123中的与卸载处理中的卡盘206有关的夹持压力和夹持时间是否等于或小于为其设定的第一阈值。如果与卡盘206有关的夹持压力和夹持时间不等于或小于第一阈值，那么处理移动到步骤S215。如果与卡盘206有关的夹持压力和夹持时间等于或小于第一阈值，那么处理移动到步骤S217。
在步骤S215中，曝光装置1对批次中超过与和卸载处理中的卡盘206有关的夹持压力和夹持时间有关的第一阈值的基板115的数量进行计数。在步骤S216中，曝光装置1确定在步骤S215中计数的基板115的数量是否等于或小于第二阈值。如果在步骤S215中计数的基板115的数量不等于或小于第二阈值，那么处理移动到步骤S223。如果在步骤S215中计数的基板115的数量等于或小于第二阈值，那么处理移动到步骤S217。
在步骤S217中，曝光装置1确定在步骤S110中存储在存储单元123中的与卸载处理中的升降销205有关的夹持压力和夹持时间是否等于或小于为其设定的第一阈值。如果与升降销205有关的夹持压力和夹持时间不等于或小于第一阈值，那么处理移动到步骤S218。如果与升降销205有关的夹持压力和夹持时间等于或小于第一阈值，那么处理移动到步骤S220。
在步骤S218中，曝光装置1对批次中超过与和卸载处理中的升降销205有关的夹持压力和夹持时间有关的第一阈值的基板115的数量进行计数。在步骤S219中，曝光装置1确定在步骤S218中计数的基板115的数量是否等于或小于针对基板数量设定的第二阈值。如果在步骤S218中计数的基板115的数量不等于或小于第二阈值，那么处理移动到步骤S223。如果在步骤S218中计数的基板115的数量等于或小于第二阈值，那么处理移动到步骤S220。
在步骤S220中，曝光装置1基于在步骤S111中存储在存储单元123中的指示特定错误的存在/不存在的信息来确定是否发生了特定错误。如果发生了特定错误，那么处理移动到步骤S221。如果没有发生特定错误，那么确定处理终止。
在步骤S221中，曝光装置1对批次中发生了特定错误的基板115的数量进行计数。在步骤S222中，曝光装置1确定在步骤S221中计数的基板115的数量是否等于或小于针对基板数量设定的第二阈值。如果在步骤S221中计数的基板115的数量不等于或小于第二阈值，那么处理移动到步骤S223。注意的是，关于特定错误，在步骤S224中，曝光装置1例如改变用于卡盘206和升降销205的夹持压力的第一阈值。如果在步骤S221中计数的基板115的数量等于或小于第二阈值，那么确定处理终止。
将参考图5描述作为这个实施例中的输送过程之一的面向生产率的过程。在步骤S301中，基板115经由输送端口201被装载到曝光装置1中。在步骤S302中，第一基板手202将装载到曝光装置1中的基板115输送(移动)到预对准单元203。在步骤S303中，预对准单元203将基板115传送到第二基板手204。在步骤S304中，基板115在基板装载位置处被从第二基板手204传送到升降销205。
在步骤S305中，曝光装置1在Y轴负方向上移动第二基板手204，以使第二基板手204从基板装载位置缩回。在步骤S306中，曝光装置1在Y轴正方向上移动基板台116，以使基板台116缩回到基板台116不干扰已在步骤S305中缩回的第二基板手204的非干扰区域。在步骤S307中，曝光装置1在Z轴正方向上移动基板台116，以将基板台116驱动到基板台116干扰第二基板手204的前干扰区域。
在面向生产率的过程中，曝光装置1以这种方式并发地执行步骤S305、S306和S307。换句话说，面向生产率的过程是用于并发地执行以下过程的过程：用于在输送单元130在基板装载位置处将基板115传送到基板台116之后使输送单元130从基板装载位置缩回的过程和用于使基板台116从基板装载位置缩回的过程。这提高了与基板115的装载有关的生产率。
在完成步骤S305、S306和S307的并发处理之后，在步骤S308中，升降销205将基板115传送到卡盘206。因此，曝光装置1终止优先考虑生产率的输送过程。
将参考图6描述作为这个实施例中的输送过程之一的面向稳定性的过程。在步骤S401中，基板115经由输送端口201被装载到曝光装置1中。在步骤S402中，第一基板手202将装载到曝光装置1中的基板115输送(移动)到预对准单元203。在步骤S403中，预对准单元203将基板115传送到第二基板手204。在步骤S404中，第二基板手204在基板装载位置处将基板115传送到升降销205。
在步骤S405中，曝光装置1在Y轴负方向上移动第二基板手204以使第二基板手204从基板装载位置缩回。在步骤S406中，曝光装置1在Z轴正方向上移动基板台116以将基板台116驱动到基板台116干扰第二基板手204的干扰区域。
以这种方式，在面向稳定性的过程中，曝光装置1在升降销205保持基板115的同时抑制基板台116的移动。换句话说，面向稳定性的过程是用于顺序地执行以下过程的过程：用于在输送单元130在基板装载位置处将基板115传送到基板台116之后使输送单元130从基板装载位置缩回的过程和用于使基板台116从基板装载位置缩回的过程。这提高了与基板115的装载有关的稳定性。
在步骤S405和S406中的处理完成之后，在步骤S407中，升降销205将基板115传送到卡盘206。因此，曝光装置1终止优先考虑稳定性的输送过程。
这个实施例已经例示了在基板115被装载时使用的输送过程。然而，本发明也可以应用于在基板115被卸载时的输送过程。下面将描述在卸载基板115时优先考虑生产率的输送过程和优先考虑稳定性的输送过程。
将参考图7描述在卸载基板115时优先考虑生产率的输送过程。在步骤S501中，卡盘206将基板115传送到升降销205。在步骤S502中，曝光装置1在Z轴负方向上移动基板台116以将基板台116驱动到基板台116不干扰第一基板手202的非干扰区域。
在步骤S503中，曝光装置1移动基板台116以将基板台116驱动到基板卸载位置。在步骤S504中，曝光装置1在Y轴正方向上移动第一基板手202以将第一基板手202驱动到基板卸载位置。
以这种方式，在优先考虑生产率的输送过程中，曝光装置1并发地执行步骤S503和S504。换句话说，这个输送过程是用于并发地执行以下过程的过程：用于在输送单元130在基板卸载位置处从基板台116接收基板115之前将基板台116移动到基板卸载位置的过程和用于将输送单元130移动到基板卸载位置的过程。这提高了与基板115的卸载有关的生产率。
在步骤S503和S504中的并发处理完成之后，在步骤S505中，升降销205将基板115传送到第一基板手202。在步骤S506中，基板115通过输送端口201从曝光装置1被卸载。因此，当卸载基板115时，曝光装置1终止优先考虑生产率的输送过程。
将参考图8描述在卸载基板115时优先考虑稳定性的输送过程。在步骤S601中，曝光装置1移动基板台116以将基板台116驱动到基板卸载位置。在步骤S602中，卡盘206将基板115传送到升降销205。在步骤S603中，曝光装置1在Z轴负方向上移动基板台116以将基板台116驱动到基板台116不干扰第一基板手202的非干扰区域。在步骤S604中，曝光装置1在Y轴正方向上移动第一基板手202以将第一基板手202驱动到基板输送位置。
以这种方式，在优先考虑稳定性的输送过程中，曝光装置1在升降销205保持基板115的同时抑制基板台116的移动。换句话说，这个输送过程是用于顺序地执行以下过程的过程：用于在输送单元130在基板卸载位置处从基板台116接收基板115之前将基板台116移动到基板卸载位置的过程和用于将输送单元130移动到基板卸载位置的过程。这提高了与基板115的卸载有关的稳定性。
在步骤S605中，升降销205将基板115传送到第一基板手202。在步骤S606中，基板115通过输送端口201从曝光装置1卸载。因此，当卸载基板115时，曝光装置1终止优先考虑稳定性的输送过程。
以这种方式，在这个实施例中，曝光装置1基于由于输送基板115而生成的与基板台116和输送单元130有关的控制信息来确定(改变)当在基板台116与输送单元130之间输送基板115时的输送过程。在这种情况下，曝光装置1通过基于每个控制信息以及在每个控制信息与针对每个控制信息设定的阈值之间的比较结果来选择存储在存储单元123中的多个输送过程之一，来确定在输送基板115时的输送过程。在该实施例中，在连续处理同一批次中包括的多个基板115的同时，曝光装置1确定在基板台116与输送单元130之间输送基板115时的输送过程。然而，曝光装置1还可以针对每个批次或每个预设数量的基板来确定在基板台116与输送单元130之间输送基板115时的输送过程。根据该实施例，可以根据工艺自动地确定(改变)用于在基板台116与输送单元130之间输送基板115的最优输送过程。这使得可以在维持稳定性的同时提高生产率。
将描述图4中所示的确定处理的具体效果的示例。例如，当当前夹持压力低于存储(累积)在存储单元123中的夹持压力或者当前夹持时间短于存储(累积)在存储单元123中的夹持时间时，估计基板115的翘曲量大或者基板115的反面的平坦度低。假设曝光装置1根据面向生产率的过程来输送基板115。在这种情况下，当曝光装置1在升降销205保持基板115的同时移动基板台116时(步骤S306)，可能发生基板115的位置偏移。此外，基板115可能从升降销205掉落。在这种情况下，因为与面向生产率的过程相比，面向稳定性的过程可以提高与基板115的输送有关的生产率，所以曝光装置1选择面向稳定性的过程。
当夹持压力和夹持时间与存储(累积)在存储单元123中的夹持压力和夹持时间相似时，使用与对准有关的测量值和对准中的错误的数量。如果与对准有关的测量值是异常值或发生了对准错误，那么估计在基板115与升降销205之间的接触表面已被污染或存在物理缺陷。在这种情况下，因为与面向生产率的过程相比，面向稳定性的过程可以提高与基板115的输送有关的生产率，所以曝光装置1选择面向稳定性的过程。
曝光装置1还可以包括用户界面150，该用户界面150向用户提供用于设定第一阈值和第二阈值的设定画面。图9示出了被设置(显示)在显示器或触摸板上作为用户界面150的用于设定第一阈值和第二阈值的设定画面701的示例。主控制单元103提供用户界面150。
在设定画面701上，参数702用于设定用于装载处理中的卡盘206的夹持压力的第一阈值。参数703用于设定与装载处理中的卡盘206的夹持压力超过第一阈值的各基板115的数量有关的第二阈值。参数704用于设定在同一批次中超过第二阈值时要确定(改变)的输送过程。
参数705用于设定用于装载处理中的卡盘206的夹持时间的第一阈值。参数706用于设定与装载处理中的卡盘206的夹持时间超过第一阈值的各基板115的数量有关的第二阈值。参数707用于设定在同一批次中超过第二阈值时要确定(改变)的输送过程。
参数708用于设定用于装载处理中的升降销205的夹持压力的第一阈值。参数709用于设定与装载处理中的升降销205的夹持压力超过第一阈值的各基板115的数量有关的第二阈值。参数710用于设定在同一批次中超过第二阈值时要确定(改变)的输送过程。
参数711用于设定用于装载处理中的升降销205的夹持时间的第一阈值。参数712用于设定与装载处理中的升降销205的夹持时间超过第一阈值的各基板115的数量有关的第二阈值。参数713用于设定在同一批次中超过第二阈值时要确定(改变)的输送过程。
参数714用于设定用于与对准有关的测量值的第一阈值。注意的是，可以针对与对准有关的测量值设定多个第一阈值。例如，可以针对X轴、Y轴和旋转轴分别设定第一阈值。参数715用于设定与和对准有关的测量值超过第一阈值的各基板115的数量有关的第二阈值。参数716用于设定在同一批次中超过第二阈值时要确定(改变)的输送过程。
参数717用于设定用于对准错误的数量的第二阈值。参数718用于设定在同一批次中超过第二阈值时要确定(改变)的输送过程。
参数719用于设定用于卸载处理中的卡盘206的夹持压力的第一阈值。参数720用于设定与卸载处理中的卡盘206的夹持压力超过第一阈值的各基板115的数量有关的第二阈值。参数721用于设定在同一批次中超过第二阈值时要确定(改变)的输送过程。
参数722用于设定用于卸载处理中的卡盘206的夹持时间的第一阈值。参数723用于设定与卸载处理中的卡盘206的夹持时间超过第一阈值的各基板115的数量有关的第二阈值。参数724用于设定在同一批次中超过第二个阈值时要确定(改变)的输送过程。
参数725用于设定用于卸载处理中的升降销205的夹持压力的第一阈值。参数726用于设定与卸载处理中的升降销205的夹持压力超过第一阈值的各基板115的数量有关的第二阈值。参数727用于设定在同一批次中超过第二阈值时要确定(改变)的输送过程。
参数728用于设定用于卸载处理中的升降销205的夹持时间的第一阈值。参数729用于设定与卸载处理中的升降销205的夹持时间超过第一阈值的各基板115的数量有关的第二阈值。参数730用于设定在同一批次中超过第二阈值时要确定(改变)的输送过程。
参数731用于设定与特定错误相对应的错误编号。参数732用于设定与经历了特定错误的基板115的数量有关的第二阈值。参数733用于设定在同一批次中超过第二阈值时要确定(改变)的输送过程。
参数734用于设定默认输送过程。
<第二实施例>
第一实施例已经例示了通过使用针对每条控制信息设定的每个阈值来确定(改变)输送过程的情况。然而，这不是详尽的。例如，可以通过使用通过机器学习获得的学习模型来确定(改变)输送过程。
在第二实施例中，首先，准备指示输入数据与教师数据之间的关系的学习数据。在这种情况下，输入数据是包括与夹持压力、夹持时间或对准有关的测量值和对准错误的数量中的至少一个的数据。教师数据是指示输入数据的适当的输送过程的数据。指示适当的输送过程的数据可以是指示分别表示适当和不适当的两个值的数据。注意的是，指示表示适当性的逐步评估的值(例如，从1到10的自然数)的数据或指示适当的可能性(例如，从0到1的实数)的数据作为指示适当的输送过程的数据。
可以通过常规基板处理来获得诸如与夹持压力、夹持时间和对准有关的测量值以及对准错误的数量之类的输入数据。可以通过从累积在存储单元123中的每个输入数据(控制信息)和生产率来计算统计量来导出作为输出数据的输送过程。还可以从通过处理各种类型的基板115并比较生产率来获得每个输入数据的实验中导出输送过程。
通过使用学习数据来获得用于确定适当的输送过程的学习模型。学习数据可以通过使用例如神经网络来获得。神经网络是具有包括输入层、中间层和输出层的多层网络结构的模型。可以通过使用指示输入数据与教师数据之间的关系的学习数据的诸如反向传播方法之类的算法来通过优化网络内部的随机变量来获得学习数据。这个实施例例示了通过使用神经网络来获得学习模型的情况。然而，这不是详尽的。例如，可以使用诸如支持向量机和确定树之类的其它模型和算法。
将新的输入数据输入到所获得的学习模型将输出指示适当的输送过程的数据作为输出数据。可以基于输出数据来确定适当的输送过程。
注意的是，可以选择性地执行第一实施例和第二实施例。换句话说，可以进行设定来通过使用针对每条控制信息设定的每个阈值来确定输送过程或者通过使用通过机器学习获得的学习模型来确定输送过程。例如，如图10中所示，在设置在用户界面150上的设定画面701上设置了两个复选框741和742。复选框741是用于选择通过使用每个阈值来确定输送过程的复选框。复选框742是用于选择通过使用学习模型来确定输送过程的复选框。
<第三实施例>
根据本发明的实施例的物品制造方法适合于制造物品，例如，设备(半导体设备、磁存储介质、液晶元件等)。这种制造方法包括通过使用曝光装置1在基板上形成图案的步骤、处理在其上形成图案的基板的步骤以及从经处理的基板制造物品的步骤。这种制造方法还包括其它已知步骤(氧化、沉积、气相沉积、掺杂、平坦化、刻蚀、抗蚀剂去除、切割、接合、封装等)。与常规方法相比，根据该实施例的物品制造方法在物品的性能、质量、生产率和生产成本中的至少一个方面是有利的。
虽然已经参考示例性实施例描述了本发明，但是应该理解的是，本发明不限于所公开的示例性实施例。所附权利要求的范围应被赋予最广泛的解释，以涵盖所有这样的修改以及等同的结构和功能。

Claims (12)

1.一种用于处理基板的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置包括：
台，被配置成保持和移动基板；
输送单元，被配置成在输送单元与台之间保持和输送基板；
累积单元，被配置成累积通过处理基板而生成的与台和输送单元有关的控制信息；以及
确定单元，被配置成通过基于在累积单元中累积的控制信息来选择能够针对台和输送单元设定的多个输送过程中的一个输送过程来确定在台与输送单元之间输送基板时的输送过程。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，还包括存储单元，所述存储单元被配置成存储所述多个输送过程，
其中，确定单元通过基于在累积单元中累积的控制信息来选择存储在存储单元中的所述多个输送过程中的一个输送过程来确定在输送基板时的输送过程。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述多个输送过程包括第一输送过程和第二输送过程，
第一输送过程是比第二输送过程优先考虑与基板的输送有关的生产率的输送过程，以及
第二输送过程是比第一输送过程优先考虑与基板的输送有关的稳定性的输送过程。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，第一输送过程是用于并发地执行以下过程的过程：用于使输送单元在第一位置处将基板传送到台并且然后使输送单元从第一位置缩回的过程和用于使台从第一位置缩回的过程，以及
第二输送过程是用于顺序地执行以下过程的过程：用于使输送单元在第一位置处将基板传送到台并且然后使输送单元从第一位置缩回的过程和用于使台从第一位置缩回的过程。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，第一输送过程是用于并发地执行以下过程的过程：用于在输送单元在第一位置处从台接收基板之前将台移动到第一位置的过程和用于使输送单元移动到第一位置的过程，以及
第二输送过程是用于顺序地执行以下过程的过程：用于在输送单元在第一位置处从台接收基板之前将台移动到第一位置的过程和用于使输送单元移动到第一位置的过程。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，控制信息包括以下中的至少一个：台和输送单元中的每个用来保持基板的保持力、台和输送单元中的每个以预设的保持力来保持基板所需的时间、与在台与输送单元之间输送基板时执行的基板的对准有关的测量值以及对准中的错误的数量。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，确定单元基于将保持力、时间、测量值和错误数量中的每个与针对保持力、时间、测量值和错误数量中的每个设定的阈值进行比较的结果来确定在台与输送单元之间输送基板时的输送过程。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，还包括用户界面，所述用户界面被配置成向用户提供用于设定阈值的设定画面。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，基板处理装置连续地处理在同一批次中包括的多个基板，以及
确定单元在所述多个基板被连续处理的同时确定在台与输送单元之间输送基板时的输送过程。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，还包括通知单元，所述通知单元被配置成当在所述多个基板的连续处理期间在台与输送单元之间输送基板时输送过程被改变并且在改变输送过程之前和之后与在台与输送单元之间输送基板时执行的基板的对准有关的测量值以及对准中的错误的数量没有发生改变时通知对应的信息。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置，还包括投影光学系统，所述投影光学系统被配置成将掩模图案的图像投影在由台保持的基板上。
12.一种物品的制造方法，其特征在于，包括：
通过使用权利要求1中所定义的基板处理装置在基板上形成图案；
处理在所述形成中形成了图案的基板；以及
从经处理的基板制造物品。
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