CN104820343A - 光刻装置、光刻系统和物品的制造方法 - Google Patents

光刻装置、光刻系统和物品的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104820343A
CN104820343A CN201510056652.1A CN201510056652A CN104820343A CN 104820343 A CN104820343 A CN 104820343A CN 201510056652 A CN201510056652 A CN 201510056652A CN 104820343 A CN104820343 A CN 104820343A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
lithographic equipment
unit
coating unit
appointed information
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510056652.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104820343B (zh
Inventor
田中亮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of CN104820343A publication Critical patent/CN104820343A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104820343B publication Critical patent/CN104820343B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7019—Calibration
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

本发明公开了光刻装置、光刻系统和物品的制造方法，所述光刻装置执行在从涂覆装置输送的基板上形成图案的处理，所述涂覆装置利用抗蚀剂涂覆所述基板，所述光刻装置包括：获得单元，其被构造为从所述涂覆装置获得第一指定信息，所述第一指定信息指定通过所述涂覆装置涂覆有抗蚀剂且要被执行所述处理的多个基板中的、从所述涂覆装置输送至所述光刻装置的处理对象基板；以及处理单元，其被构造为基于所述第一指定信息，从与所述多个基板分别对应的多个偏移校正信息中，选择与所述处理对象基板对应的偏移校正信息，并且利用所选择的偏移校正信息对所述处理对象基板执行所述处理。

Description

光刻装置、光刻系统和物品的制造方法
技术领域
本发明涉及光刻(lithography)装置、光刻系统和物品的制造方法。
背景技术
在作为半导体设备和液晶设备等的制造处理的光刻处理中，使用曝光装置，该曝光装置经由投影光学系统将标版(reticle)(掩模)图案转印到基板(表面涂覆有抗蚀剂的晶片或玻璃板)上。用于半导体设备的光刻处理具有：作为用于曝光装置进行曝光处理的预处理的涂覆(coating)处理、以及作为后处理的显影处理，涂覆处理利用抗蚀剂(光致抗蚀剂(photoresist))涂覆基板表面，并且显影处理对转印有图案的基板进行显影。作为执行涂覆处理和显影处理的装置，可利用被称为涂覆器/显影器的涂覆/显影装置，这种涂覆器/显影器具有在高速转动基板的同时利用抗蚀剂均匀地涂覆基板表面的涂覆功能(旋转涂覆器)和显影功能。
布置在相邻装置之间的基板输送机构自动地在曝光装置和涂覆/显影装置之间输送基板，以避免对各处理中所处理的批次(lot)进行装载的繁琐操作，并且在维持抗蚀剂的化学特性的同时提高了吞吐量。此外，将曝光装置连接到涂覆/显影装置的方式被称为内联连接(inlineconnection)，并且在很多光刻系统中被采用。
在用于半导体设备的光刻处理中，形成抗蚀剂图案，当执行蚀刻或杂质注入时抗蚀剂图案用作掩模。在这种情况下，当基于在基板上形成的对准标记的位置来校正曝光位置的同时(即，执行对准处理的同时)，执行曝光以在下层图案上覆置(overlay)标版图案。
为了提高覆置精度，可以针对基板上所有照射区域(shot region)执行对准处理。为了将这种技术应用在半导体设备的制造处理中，还需要满足吞吐量的要求。在这种情况下，日本特许第4419233号公报和日本特许第4905617号公报已经提出了如下技术：通过将表示第一层上的图案的形成位置失真的初始失真数据用于第二层及后续层上的图案曝光中的对准，以减少第二层及后续层的对准检测的次数。
为了进一步提高覆置精度和吞吐量，可以考虑管理针对单个批次中的各基板而改变的校正值(偏移)，并且反映各校正值。
然而，当通过以基板为单位反映偏移来提高覆置精度时，可能因针对各基板未能恰当地反映偏移，而不能够恰当地维持覆置精度。这是因为，例如，在涂覆/显影装置中，当发生基板遗失以及发生批次中的基板的缺陷(遗漏)时，在以基板为单位的偏移与处理对象基板之间的关系中会发生不一致(基板移位)。在这种情况下，这批基板上的覆置精度劣化，导致了返工的必要性。
发明内容
本发明提供了一种有利于在批次中的多个基板中的处理对象基板上、反映相应的偏移校正信息的技术。
根据本发明的第一方面，提供了一种光刻装置，所述光刻装置执行在从涂覆装置输送的基板上形成图案的处理，所述涂覆装置利用抗蚀剂涂覆所述基板，所述光刻装置包括：获得单元，其被构造为从所述涂覆装置获得第一指定信息，所述第一指定信息指定通过所述涂覆装置涂覆有抗蚀剂且要被执行所述处理的多个基板中的、从所述涂覆装置输送至所述光刻装置的处理对象基板；以及处理单元，其被构造为基于所述第一指定信息，从与所述多个基板分别对应的多个偏移校正信息中，选择与所述处理对象基板对应的偏移校正信息，并且利用所选择的偏移校正信息对所述处理对象基板执行所述处理。
根据本发明的第二方面，提供了一种光刻装置，所述光刻装置执行在从涂覆装置输送的基板上形成图案的处理，所述涂覆装置利用抗蚀剂涂覆所述基板，所述光刻装置包括：获得单元，其被构造为从所述涂覆装置获得第一指定信息，并且从与所述光刻装置相连接的主计算机获得第二指定信息，所述第一指定信息指定通过所述涂覆装置涂覆有抗蚀剂且要被执行所述处理的多个基板中的、从所述涂覆装置输送至所述光刻装置的处理对象基板，所述第二指定信息指定所述多个基板中的各个基板；以及检测单元，其被构造为基于所述第一指定信息和所述第二指定信息，检测所述多个基板中的、没有从所述涂覆装置输送至所述光刻装置的基板。
根据本发明的第三方面，提供了一种光刻系统，其包括涂覆装置和光刻装置，所述涂覆装置被构造为利用抗蚀剂来涂覆基板，所述光刻装置被构造为执行在从所述涂覆装置输送的基板上形成图案的处理，所述涂覆装置包括通知单元，所述通知单元被构造为向所述光刻装置通知第一指定信息，所述第一指定信息指定通过所述涂覆装置涂覆有抗蚀剂且要被执行所述处理的多个基板中的、从所述涂覆装置输送至所述光刻装置的处理对象基板，并且所述光刻装置包括处理单元，所述处理单元被构造为基于由所述通知单元通知的所述第一指定信息，从与所述多个基板分别对应的多个偏移校正信息中选择与所述处理对象基板对应的偏移校正信息，并且利用所选择的偏移校正信息对所述处理对象基板执行所述处理。
根据本发明的第四方面，提供了一种物品的制造方法，所述方法包括：利用光刻装置在基板上形成图案；以及对形成有所述图案的基板进行处理，其中，所述光刻装置执行在从利用抗蚀剂涂覆基板的涂覆装置输送的基板上形成图案的处理，并且所述光刻装置包括：获得单元，其被构造为从所述涂覆装置获得第一指定信息，所述第一指定信息指定通过所述涂覆装置涂覆有抗蚀剂且要被执行所述处理的多个基板中的、从所述涂覆装置输送至所述光刻装置的处理对象基板；以及处理单元，其被构造为基于所述第一指定信息，从与所述多个基板分别对应的多个偏移校正信息中，选择与所述处理对象基板对应的偏移校正信息，并且利用所选择的偏移校正信息对所述处理对象基板执行所述处理。
根据本发明的第五方面，提供了一种物品的制造方法，所述方法包括：利用光刻装置在基板上形成图案；以及对形成有所述图案的基板进行处理，其中，所述光刻装置执行在从利用抗蚀剂涂覆基板的涂覆装置输送的基板上形成图案的处理，并且所述光刻装置包括：获得单元，其被构造为从所述涂覆装置获得第一指定信息，并且从与所述光刻装置相连接的主计算机获得第二指定信息，所述第一指定信息指定通过所述涂覆装置涂覆有抗蚀剂且要被执行所述处理的多个基板中的、从所述涂覆装置输送至所述光刻装置的处理对象基板，所述第二指定信息指定所述多个基板中的各个基板；以及检测单元，其被构造为基于所述第一指定信息和所述第二指定信息，检测所述多个基板中的、没有从所述涂覆装置输送至所述光刻装置的基板。
根据本发明的第六方面，提供了一种物品的制造方法，所述方法包括：利用光刻系统在基板上形成图案；以及对形成有所述图案的基板进行处理，其中，所述光刻系统包括涂覆装置和光刻装置，所述涂覆装置被构造为利用抗蚀剂涂覆基板，所述光刻装置被构造为执行在从所述涂覆装置输送的基板上形成所述图案的处理，所述涂覆装置包括通知单元，所述通知单元被构造为向所述光刻装置通知第一指定信息，所述第一指定信息指定通过所述涂覆装置涂覆有抗蚀剂且要被执行所述处理的多个基板中的、从所述涂覆装置输送至所述光刻装置的处理对象基板，并且所述光刻装置包括处理单元，所述处理单元被构造为基于由所述通知单元通知的所述第一指定信息，从与所述多个基板分别对应的多个偏移校正信息中选择与所述处理对象基板对应的偏移校正信息，并且利用所选择的偏移校正信息对所述处理对象基板执行所述处理。
通过以下参照附图对示例性实施例的描述，本发明的其他特征将变得清楚。
附图说明
图1是示出作为本发明的一个方面的光刻系统的结构的示意图。
图2是示出图1所示的曝光装置的曝光处理单元的结构的示意图。
图3是根据现有技术的曝光装置、涂覆/显影装置和主计算机之间的时序图。
图4是概念性地示出曝光装置中对应于批次的校正值和以基板为单位的偏移的反映的图。
图5是概念性地示出当发生基板遗失时、对应于批次的校正值和以基板为单位偏移的反映的图。
图6是根据实施例的曝光装置、涂覆/显影装置和主计算机之间的时序图。
图7是概念性地示出当根据本实施例发生基板遗失时、对应于批次的校正值和以基板为单位的偏移的反映的图。
具体实施方式
以下将参照附图描述本发明的优选实施例。请注意，贯穿附图，相同的附图标记表示相同的部件，并且不会给出重复的描述。
图1是示出作为本发明的一个方面的光刻系统1的结构的示意图。光刻系统1是包括曝光装置10和涂覆/显影装置20的系统，并且被用在作为半导体设备、液晶设备等的制造处理的光刻处理中。此外，光刻系统1包括经由网络与曝光装置10和涂覆/显影装置20相连接、并且控制曝光装置10和涂覆/显影装置20的主计算机。
曝光装置10是在基板上形成图案的光刻装置。在本实施例中，该装置利用步进重复(step-and-repeat)方式或者步进扫描(step-and-scan)方式对从涂覆/显影装置20输送的基板进行曝光。如图1所示，曝光装置10被容纳在室11中，并且包括曝光主体单元12和基板输送单元13。
如图2所示，曝光主体单元12包括曝光处理单元100，曝光处理单元100将标版图案转印在基板上。图2是示出曝光处理单元100的结构的示意图。曝光处理单元100包括照明光学系统101、保持标版的标版台102、投影光学系统103、保持基板的基板台121以及控制单元130。
照明光学系统101是包括透镜、反射镜、光学积分器和光阑(stop)的光学系统，并且利用来自光源的光来照亮形成有图案的标版。作为光源，例如，能够使用具有约193nm波长的ArF准分子激光器、具有约153nm波长的F2激光器、YAG激光器、水银灯或氙灯。当激光器被用作光源时，照明光学系统101可以包括将来自光源的平行光整形为预定形状的整形光学系统，或者包括将相干光转换成不相干光的不相干光学系统。
投影光学系统103是在基板上投影标版图案(即，要在基板上形成的图案)的图像的光学系统。作为投影光学系统103，能够使用仅由多个透镜所构成的光学系统、包括多个透镜和至少一个凹透镜的光学系统、包括多个透镜和至少一个衍射光学元件的光学系统、或者仅由多个反射镜所构成的光学系统。
标版台102和基板台121被构造为例如可通过直线电机(linearmotor)来移动。当曝光装置10使用步进扫描方式时，标版台102和基板台121同步移动。为了将标版(其图案)对准基板，标版台102和基板台121中的至少一者包括致动器。
控制单元130控制包括CPU、存储器和通信端口的曝光装置10的整体(操作)。例如，控制单元130起到获得单元的作用，其经由通信端口获得从主计算机和涂覆/显影装置20发送的各种信息。
返回参照图1，基板台121被构造为可以在由防振垫所保持的压盘(platen)上的二维方向上(X轴方向和Y轴方向)移动。标版图案形成在由基板台121所保持的基板上。
基板输送单元13包括输送臂131和输送臂133，输送臂131在曝光主体单元12和基板输送单元13之间输送基板，输送臂133在基板输送单元13内部输送基板。输送臂133由水平多关节型机器人(SCARA robot)构成，并且装载和卸载基板。
此外，基板输送单元13包括在保持基板和托架端口136的同时执行处理(预对准等)的预对准单元132。当不将曝光装置10内联连接到涂覆/显影装置20，而使用能够容纳多个基板的打开的盒(将基板直接装载到曝光装置10中)时，托架端口136作为放置打开的盒的底座(base)。然而，请注意，托架端口136可以是替代打开的盒而放置作为密封的托架的前开式晶圆盒(FOUP，Front Opening Unified Pod)的底座。在PGV(Person Guided Vehicle，人工导引车)输送打开的盒或FOUP之后，可能会自动执行装载和卸载。可选地，通过使用OHT(Over Head Transfer，架空传输)机构，可以从清洁室内的上方将打开的盒或FOUP放置在托架端口136上。
此外，基板输送单元13包括在曝光装置10和涂覆/显影装置20之间交换(装载和卸载)基板的装载单元134和卸载单元135。用于将涂覆有抗蚀剂的基板(未曝光的基板)从涂覆/显影装置20装载(输送)到曝光装置10中的装载单元134可以具有执行处理(温度调整、预对准等)的处理单元的功能。同样地，将曝光的基板(经历了曝光的基板)从曝光装置10卸载(输送)到涂覆/显影装置20中的卸载单元135可以具有执行诸如外围曝光的处理的处理单元的功能。
涂覆/显影装置20具有利用抗蚀剂涂覆基板的涂覆装置的功能、以及显影曝光的基板的显影装置的功能。在本实施例中，涂覆/显影装置20包括涂覆/显影处理单元21和基板输送单元22。涂覆/显影处理单元21和基板输送单元22分别容纳在独立的室中。
涂覆/显影处理单元21由上面放置有打开的盒或FOUP的托架端口211和水平多关节型机器人(SCARA robot)构成，并且包括从托架端口211输送基板的输送臂212。涂覆/显影处理单元21还包括抗蚀剂涂覆单元213、加热单元214、显影单元215和冷却单元216。
抗蚀剂涂覆单元213具有利用抗蚀剂涂覆(供给)基板的功能。抗蚀剂涂覆单元213由旋转涂覆器构成，旋转涂覆器通过在转动基板的同时在基板上滴入抗蚀剂，利用抗蚀剂均匀地涂覆基板(形成抗蚀剂膜)。
加热单元214通过使用电阻加热方式或红外加热方式来执行烘干(bake)处理。更具体地，加热单元214对未曝光的基板执行预烘干(PB，PreBake)处理和后曝光烘干(PEB，Post Exposure Bake)处理。PB处理是一种热处理，其能够在利用抗蚀剂涂覆基板之后，使抗蚀剂中所包含的残留溶剂蒸发或者增强抗蚀剂和基板之间的粘性。因为在曝光之前(对未曝光的基板)执行PB处理，所以有必要在既不发生聚合也不发生抗蚀剂中所包含的添加物的热分解的温度下执行该处理。此外，PEB处理是一种在曝光后且在显影处理前所执行的热处理，用以在使用具有单一波长的光执行曝光时，减小由驻波(standing wave)效应所引起的抗蚀剂图案的变形。此外，执行PEB处理以加速在化学增强型抗蚀剂上曝光后的催化反应。
显影单元215显影由曝光装置10所曝光的基板。显影单元215能够使用诸如旋转方式或喷雾方式的任意方式作为显影方式。
冷却单元216包括例如被称为冷却盘的被冷却的平盘，并且冷却由冷却盘所保持的基板。通过例如冷却水的循环来冷却该冷却盘。可选地，可以通过基于珀尔帖效应(Peltier effect)的电子冷却来冷却该冷却盘。
基板输送单元22包括在输送臂212和输送臂223之间交换经历了预处理(抗蚀剂涂覆、PB处理、冷却等)的基板(未曝光的基板)或由曝光装置10所曝光的基板的装载单元221和卸载单元222。
输送臂223将由输送臂212放置在装载单元221上的基板输送给曝光装置侧的装载单元134。输送臂223还将放置在曝光装置侧的卸载单元135上的基板输送给卸载单元222。
将描述光刻系统1中的基板输送操作。假设在本实施例中，要由曝光装置10所处理的基板被容纳在以25个基板为单位(即，1批)的打开的盒中，并且被放置在涂覆/显影装置20的托架端口211上。
输送臂212将容纳在打开的盒中的基板装载(输送)到抗蚀剂涂覆单元213中。抗蚀剂涂覆单元213利用抗蚀剂来涂覆由输送臂212所装载的基板。
输送臂212从抗蚀剂涂覆单元213卸载利用抗蚀剂所涂覆的基板，并且将基板装载到加热单元214中。加热单元214对输送臂212所装载的基板执行PB处理。
输送臂212从加热单元214卸载经历了PB处理的基板，并且将基板装载到冷却单元216中。冷却单元216对由输送臂212所装载的基板执行冷却处理。被装载到曝光装置10中的基板的温度被调整为不影响容纳曝光装置10的室11的内部的温度，即曝光主体单元12内部的温度(在曝光处理时的环境温度)，作为目标温度。然而，请注意，在光刻系统1中，曝光装置侧的装载单元134(基板输送单元13)具有调整基板的温度的功能，并且已经针对基板执行了最终的精细温度调整。因此，冷却单元216仅需要在基板的温度在一定程度上接近目标温度前执行温度调整(冷却处理)，而无需在基板的温度达到目标温度前执行温度调整(即，基板的温度可能高于目标温度)。
为了将经历了冷却单元216的温度调整(冷却处理)的基板装载到曝光装置10中，输送臂212从冷却单元216卸载基板并且将基板输送(放置)在涂覆/显影装置侧的装载单元221上。输送臂212以上述方式输送容纳在打开的盒中的25个基板中的各个基板。
输送臂223将由涂覆/显影装置侧的装载单元221所输送的基板输送(放置)到曝光装置侧的装载单元134。放置在装载单元134上的基板的温度被调整为与曝光主体单元12内部的温度相等的温度。
输送臂133从装载单元134卸载在装载单元134中经历了温度调整的基板，并且将该基板装载(放置)在预对准单元132上。在转动基板的同时，预对准单元132通过CCD传感器检测基板的边缘，并且获得基板的凹口(notch)、基板的中心以及偏心量(eccentric amount)。然后，执行预对准以将基板的凹口的方向与预定的方向进行对准。
输送臂131从预对准单元132卸载经历了预对准的基板，并且将基板装载到曝光处理单元100中。基板台121保持该基板。曝光处理单元100对基板台121所保持的基板执行曝光处理。
输送臂133从基板台121卸载经历了曝光处理的基板，并且将基板装载(放置)在曝光装置侧的卸载单元135上。
输送臂223从卸载单元135卸载放置在曝光装置侧的卸载单元135上的基板(曝光的基板)，并且将基板装载(放置)在涂覆/显影装置侧的卸载单元222上。
输送臂212从卸载单元222卸载放置在涂覆/显影装置侧的卸载单元222上的基板，并且将基板装载在加热单元214中。加热单元214对输送臂212所装载的基板执行PEB处理。
输送臂212从加热单元214卸载经历了PEB处理的基板，并且将基板装载在显影单元215中。显影单元215对输送臂212装载的基板执行显影处理。
输送臂212从显影单元215卸载经历了显影处理的基板，并且将基板装载(容纳)在放置在托架端口211上的打开的盒的预定槽(slot)中。
光刻系统1针对打开的盒中所容纳的全部基板(本实施例中的25个基板)顺次执行上述一系列处理。
以下将参照图3描述根据现有技术的光刻系统1的操作。图3是在曝光装置10、涂覆/显影装置20和主计算机之间的时序图。
在步骤S21-1中，主计算机将处理作业PJ发送至涂覆/显影装置20。在步骤S21-2中，涂覆/显影装置20接收从主计算机发送的处理作业PJ。处理作业PJ指示执行在基板上形成图案的处理，并且包括表示将要经历该处理的多个基板的细节的基板详细信息。基板详细信息包括例如用于标识基板的基板标识符、表示各个基板所属批次的批次编号、表示容纳各基板的槽的槽编号、以及表示各个基板的类型的基板类型。在从主计算机接收到处理作业PJ时，涂覆/显影装置20开始利用抗蚀剂来涂覆基板的处理。
在步骤S21-3中，主计算机将处理作业PJ发送到曝光装置10。步骤S21-3中所发送的处理作业PJ与步骤S21-1中所发送的处理作业PJ相同。在步骤S21-4中，在从主计算机接收到处理作业PJ时，曝光装置10开始对从涂覆/显影装置20输送的基板进行曝光的曝光处理。
在步骤S21-5中，曝光装置10向涂覆/显影装置20发送用于请求装载基板的装载请求信号。在步骤S21-6中，涂覆/显影装置20开始将利用抗蚀剂涂覆的基板装载到曝光装置10中。在步骤S21-7中，涂覆/显影装置20向曝光装置10发送装载完成信号，用以通知已完成将基板装载到曝光装置10中。
在步骤S21-8中，曝光装置10输送从涂覆/显影装置20装载的基板，并且将基板装载到曝光处理单元100中(使基板台121保持基板)。在步骤S21-9中，曝光装置10对基板台121所保持的基板执行对准处理，并且反映与该批次(即，以批次为单位)对应的校正值。在步骤S21-10中，曝光装置10反映例如针对预先从初始批次获得的各个基板(即，以基板为单位)的偏移(偏移校正信息)。在步骤S21-11中，曝光装置10在反映与该批次对应的校正值和针对各个基板的偏移的同时，对基板执行曝光处理。
图4是概念性地示出在曝光装置10中与各批次对应的校正值和以基板为单位的偏移的反映的图。如图4所示，在除了对准标记的测量结果之外，还反映以批次为单位的校正值和以基板为单位的偏移的同时，曝光装置10对各个基板执行曝光处理。在这种情况下，以批次为单位的校正值和以基板为单位的偏移包括，例如在曝光处理时用于对准基板的信息。参照图4，在以基板为单位的偏移和处理对象基板之间存在一致的关系。然而，请注意，如果由涂覆/显影装置20中的误差引起基板遗失以及批次中的基板出现了缺陷(遗漏)，则如图5所示，在以基板为单位的偏移和处理对象基板之间的关系中会发生不一致(基板移位)。在这种情况下，如果在以基板为单位的偏移和处理对象基板之间的关系中发生了不一致，则后续基板上的覆置精度会劣化，从而最终成为返工对象。
在这种情况下，根据本实施例的光刻系统1被构造为即使在涂覆/显影装置20中已经发生了基板遗失，也会维持覆置精度，而不会引起以基板为单位的偏移和处理对象基板之间的关系的任何的不一致。
根据本实施例的光刻系统1的操作将会参照图6进行描述。图6是在曝光装置10、涂覆/显影装置20和主计算机之间的时序图。
在步骤S31-1中，主计算机将处理作业PJ发送给涂覆/显影装置20。在步骤S31-2中，涂覆/显影装置20接收到从主计算机发送的处理作业PJ。处理作业PJ指示执行在基板上形成图案的处理，并且包含表示将要经历该处理的多个基板的细节的基板详细信息。在从主计算机接收到处理作业PJ时，涂覆/显影装置20开始利用抗蚀剂涂覆基板的处理。
此外，在步骤S31-3中，主计算机将处理作业PJ发送至曝光装置10。步骤S31-3中发送的处理作业PJ与步骤S31-1中发送的处理作业PJ相同。在步骤S31-4中，在从主计算机接收到处理作业PJ时，曝光装置10开始对从涂覆/显影装置20输送的基板进行曝光的曝光处理。
在步骤S31-5中，曝光装置10向涂覆/显影装置20发送用于请求装载基板的装载请求信号。在步骤S31-6中，涂覆/显影装置20向曝光装置10发送指定信息(第一指定信息)，该指定信息指定了计划装载在曝光装置10中的基板。上述指定信息是用于指定多个基板中的从涂覆/显影装置20输送到曝光装置10的处理对象基板的信息，其中，所述多个基板已经由涂覆/显影装置20利用抗蚀剂涂覆，并且将要经历曝光处理。更具体地，指定信息包含用于标识基板的基板标识符(基板ID)和表示容纳基板的槽的槽编号中的至少一个。在本实施例中，除了基板ID和槽编号以外，指定信息还包括批次编号和基板类型。如上所述，涂覆/显影装置20具有通知单元的功能，该通知单元向曝光装置10通知用于指定从涂覆/显影装置20输送到曝光装置10的处理对象基板的指定信息。以上通知单元可以由控制整个涂覆/显影装置20的控制单元实现。
在步骤S31-7中，曝光装置10从涂覆/显影装置20获得指定信息。在步骤S31-8中，曝光装置10将在步骤S31-3中从主计算机获得的基板详细信息与从涂覆/显影装置20获得的指定信息进行核对，并且将通知已经获得该指定信息的获得信号发送给涂覆/显影装置20。
在步骤S31-9中，涂覆/显影装置20开始将利用抗蚀剂涂覆的基板，更具体地，由在步骤S31-6中发送的指定信息所指定的基板，装载到曝光装置10中。在步骤S31-10中，涂覆/显影装置20将通知已完成将基板装载到曝光装置10的装载完成信号发送给曝光装置10。
在步骤S31-11中，曝光装置10输送从涂覆/显影装置20装载的基板，并且将基板装载到曝光处理单元100(使基板台121保持基板)。在步骤S31-12中，曝光装置10对基板台121所保持的基板执行对准处理，并且反映与该批次对应的(即，以批次为单位)校正值。
在步骤S31-13中，曝光装置10基于在步骤S31-7中获得的指定信息，针对预先从初始批次获得的各个基板(即，以基板为单位)反映偏移(偏移校正信息)。更具体地，曝光装置10基于指定信息中包含的基板ID或槽编号，从分别与多个基板对应的多个偏移中选择与处理对象基板对应的偏移，并且反映所选择的偏移。曝光装置10已经针对该批次中所包含的全部基板，从主计算机获得了基板详细信息(步骤S31-4)，因此能够选择与将要经历曝光处理的多个基板中的各个基板对应的偏移。
在步骤S31-14中，曝光装置10在反映与该批次对应的校正值和针对各个基板的偏移时，对基板执行曝光处理。
图7是概念性地示出当根据本实施例的光刻系统1的涂覆/显影装置20中发生了基板遗失时，与各批次对应的校正值和以基板为单位的偏移的反映的图。如上所述，在本实施例中，因为曝光装置10从涂覆/显影装置20获得用于指定处理对象基板的指定信息，所以能够从分别与多个基板对应的多个偏移中选择与处理对象基板对应的偏移。因此，如图7所示，即使在涂覆/显影装置20中发生了基板遗失，也能够在以基板为单位的偏移和处理对象基板之间建立一致的关系，而不会引起以基板为单位的偏移和处理对象基板之间的关系中的任何不一致(基板移位)。
如上所述，根据本实施例，能够基于指定处理对象基板的指定信息，从分别与多个基板对应的多个偏移中选择与处理对象基板对应的偏移，并且能够利用所选择的偏移对处理对象基板执行曝光处理。因此，即使在发生基板遗失时，光刻系统1(曝光装置10)也能够在维持覆置精度的同时，以高吞吐量提供诸如高经济性的、高质量的设备的物品。通过利用光刻系统1(曝光装置10)，这种制造方法包括在利用抗蚀剂涂覆的基板上形成图案的步骤、以及对形成有图案的基板执行处理(例如，显影)的步骤。此外，在上述形成步骤之后，制造方法还包括其他已知的步骤(氧化、成膜、沉积、掺杂、平坦化、蚀刻、抗蚀剂移除、划片、键合、封装等)。根据本实施例的物品的制造方法在物品的性能、质量、吞吐量和生产成本中的至少一个方面优于传统方法。
此外，在光刻系统1中，因为曝光装置10已经从主计算机获得了基板详细信息，所以曝光装置10能够检测到涂覆/显影装置20中发生的基板遗失。来自主计算机的基板详细信息是指定批次中所包含的多个基板中的各个基板的信息(第二指定信息)。因此，能够基于来自涂覆/显影装置20的指定信息和来自主计算机的基板详细信息，检测批次中所包含的多个基板中的、没有从涂覆/显影装置20输送到曝光装置10的基板(基板遗失)。请注意，检测上述基板遗失的检测单元的功能可以由包括通信端口的控制单元130来实现。
此外，本实施例例示了如下情况：曝光装置10基于从涂覆/显影装置20获得的指定处理对象基板的指定信息，从分别与多个基板对应的多个偏移中选择与处理对象基板对应的偏移。然而，如上所述，曝光装置10也能够检测到基板遗失。所以，曝光装置10还能够基于基板遗失检测结果，从分别与多个基板对应的多个偏移中选择与处理对象基板对应的一个偏移，以便于建立处理对象基板和该偏移之间的一致性。
本发明不限于曝光装置，并且也适用于诸如描绘装置(drawingapparatus)或压印装置(imprint apparatus)的光刻装置。这里，描绘装置是利用带电粒子束(例如，电子束或离子束)在基板上进行描绘的光刻装置。压印装置是在基板上塑造压印材料(例如，树脂)并且在基板上形成图案的光刻装置。
尽管已经参照示例性实施例对本发明进行了描述，但是应该理解到本发明不限于所公开的示例性实施例。所附权利要求的范围适合最宽泛的解释以便包涵以上所有的变形、等同结构和功能。

Claims (12)

1.一种光刻装置，其执行在从涂覆装置输送的基板上形成图案的处理，所述涂覆装置利用抗蚀剂涂覆所述基板，所述光刻装置包括：
获得单元，其被构造为从所述涂覆装置获得第一指定信息，所述第一指定信息指定通过所述涂覆装置涂覆有抗蚀剂且要被执行所述处理的多个基板中的、从所述涂覆装置输送至所述光刻装置的处理对象基板；以及
处理单元，其被构造为基于所述第一指定信息，从与所述多个基板分别对应的多个偏移校正信息中，选择与所述处理对象基板对应的偏移校正信息，并且利用所选择的偏移校正信息对所述处理对象基板执行所述处理。
2.根据权利要求1所述的光刻装置，其中，所述第一指定信息包括用于标识基板的基板标识符、以及表示容纳基板的槽的槽编号中的至少一者。
3.根据权利要求1所述的光刻装置，其中，所述偏移校正信息包括当执行所述处理时用于对准基板的信息。
4.根据权利要求1所述的光刻装置，其中，所述获得单元从与所述光刻装置相连接的主计算机获得第二指定信息，所述第二指定信息指定所述多个基板中的各个基板，并且
所述光刻装置还包括检测单元，该检测单元被构造为基于所述第一指定信息和所述第二指定信息，检测所述多个基板中的、没有从所述涂覆装置输送至所述光刻装置的基板。
5.根据权利要求1所述的光刻装置，其中，所述处理单元包括投影光学系统，该投影光学系统被构造为将与所述图案对应的图像投影到所述处理对象基板上。
6.一种光刻装置，其执行在从涂覆装置输送的基板上形成图案的处理，所述涂覆装置利用抗蚀剂涂覆所述基板，所述光刻装置包括：
获得单元，其被构造为从所述涂覆装置获得第一指定信息，并且从与所述光刻装置相连接的主计算机获得第二指定信息，所述第一指定信息指定通过所述涂覆装置涂覆有抗蚀剂且要被执行所述处理的多个基板中的、从所述涂覆装置输送至所述光刻装置的处理对象基板，所述第二指定信息指定所述多个基板中的各个基板；以及
检测单元，其被构造为基于所述第一指定信息和所述第二指定信息，检测所述多个基板中的、没有从所述涂覆装置输送至所述光刻装置的基板。
7.根据权利要求6所述的光刻装置，所述光刻装置还包括：
处理单元，其被构造为基于所述检测单元获得的检测结果，从与所述多个基板分别对应的多个偏移校正信息中选择一个偏移校正信息，以建立所述处理对象基板与所选择的偏移校正信息之间的一致性，并且被构造为利用所选择的偏移校正信息执行所述处理。
8.根据权利要求7所述的光刻装置，其中，所述处理单元包括投影光学系统，所述投影光学系统被构造为将与所述图案对应的图像投影到所述处理对象基板上。
9.一种光刻系统，其包括涂覆装置和光刻装置，所述涂覆装置被构造为利用抗蚀剂来涂覆基板，所述光刻装置被构造为执行在从所述涂覆装置输送的基板上形成图案的处理，
所述涂覆装置包括通知单元，所述通知单元被构造为向所述光刻装置通知第一指定信息，所述第一指定信息指定通过所述涂覆装置涂覆有抗蚀剂且要被执行所述处理的多个基板中的、从所述涂覆装置输送至所述光刻装置的处理对象基板，并且
所述光刻装置包括处理单元，所述处理单元被构造为基于由所述通知单元通知的所述第一指定信息，从与所述多个基板分别对应的多个偏移校正信息中选择与所述处理对象基板对应的偏移校正信息，并且利用所选择的偏移校正信息对所述处理对象基板执行所述处理。
10.一种物品的制造方法，所述方法包括：
利用光刻装置在基板上形成图案；以及
对形成有所述图案的基板进行处理，
其中，所述光刻装置执行在从利用抗蚀剂涂覆基板的涂覆装置输送的基板上形成图案的处理，并且所述光刻装置包括：
获得单元，其被构造为从所述涂覆装置获得第一指定信息，所述第一指定信息指定通过所述涂覆装置涂覆有抗蚀剂且要被执行所述处理的多个基板中的、从所述涂覆装置输送至所述光刻装置的处理对象基板；以及
处理单元，其被构造为基于所述第一指定信息，从与所述多个基板分别对应的多个偏移校正信息中，选择与所述处理对象基板对应的偏移校正信息，并且利用所选择的偏移校正信息对所述处理对象基板执行所述处理。
11.一种物品的制造方法，所述方法包括：
利用光刻装置在基板上形成图案；以及
对形成有所述图案的基板进行处理，
其中，所述光刻装置执行在从利用抗蚀剂涂覆基板的涂覆装置输送的基板上形成图案的处理，并且所述光刻装置包括：
获得单元，其被构造为从所述涂覆装置获得第一指定信息，并且从与所述光刻装置相连接的主计算机获得第二指定信息，所述第一指定信息指定通过所述涂覆装置涂覆有抗蚀剂且要被执行所述处理的多个基板中的、从所述涂覆装置输送至所述光刻装置的处理对象基板，所述第二指定信息指定所述多个基板中的各个基板；以及
检测单元，其被构造为基于所述第一指定信息和所述第二指定信息，检测所述多个基板中的、没有从所述涂覆装置输送至所述光刻装置的基板。
12.一种物品的制造方法，所述方法包括：
利用光刻系统在基板上形成图案；以及
对形成有所述图案的基板进行处理，
其中，所述光刻系统包括涂覆装置和光刻装置，所述涂覆装置被构造为利用抗蚀剂涂覆基板，所述光刻装置被构造为执行在从所述涂覆装置输送的基板上形成所述图案的处理，
所述涂覆装置包括通知单元，所述通知单元被构造为向所述光刻装置通知第一指定信息，所述第一指定信息指定通过所述涂覆装置涂覆有抗蚀剂且要被执行所述处理的多个基板中的、从所述涂覆装置输送至所述光刻装置的处理对象基板，并且
所述光刻装置包括处理单元，所述处理单元被构造为基于由所述通知单元通知的所述第一指定信息，从与所述多个基板分别对应的多个偏移校正信息中选择与所述处理对象基板对应的偏移校正信息，并且利用所选择的偏移校正信息对所述处理对象基板执行所述处理。
CN201510056652.1A 2014-02-03 2015-02-02 光刻装置、光刻系统和物品的制造方法 Active CN104820343B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-018832 2014-02-03
JP2014018832A JP6525500B2 (ja) 2014-02-03 2014-02-03 パターン形成方法、リソグラフィ装置及び物品の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104820343A true CN104820343A (zh) 2015-08-05
CN104820343B CN104820343B (zh) 2017-09-05

Family

ID=53730672

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510056652.1A Active CN104820343B (zh) 2014-02-03 2015-02-02 光刻装置、光刻系统和物品的制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9760016B2 (zh)
JP (1) JP6525500B2 (zh)
KR (2) KR101827445B1 (zh)
CN (1) CN104820343B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111696893A (zh) * 2019-03-15 2020-09-22 佳能株式会社 基板处理装置以及物品制造方法
CN113759654A (zh) * 2020-05-19 2021-12-07 长鑫存储技术有限公司 一种晶圆边缘曝光装置、方法及光刻设备

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6853704B2 (ja) * 2017-03-22 2021-03-31 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、および物品の製造方法
JP2020058177A (ja) * 2018-10-03 2020-04-09 日産自動車株式会社 充電制御方法および充電制御装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6043864A (en) * 1999-03-08 2000-03-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Alignment method and apparatus using previous layer calculation data to solve critical alignment problems
CN1637613A (zh) * 2003-10-27 2005-07-13 三星电子株式会社 光刻装置
CN101276143A (zh) * 2007-03-30 2008-10-01 帕洛阿尔托研究中心公司 用于形成掩模层图案的方法和系统
US7516096B1 (en) * 2002-06-21 2009-04-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fabrication facility major excursion event cost forecast model

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4419233B2 (ja) 1999-12-15 2010-02-24 ソニー株式会社 露光方法
JP4905617B2 (ja) 2001-05-28 2012-03-28 株式会社ニコン 露光方法及びデバイス製造方法
US20020042664A1 (en) 2000-05-31 2002-04-11 Nikon Corporation Evaluation method, position detection method, exposure method and device manufacturing method, and exposure apparatus
EP1180788A1 (en) * 2000-08-17 2002-02-20 Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG Method for wafer position data retrieval in semiconductor wafer manufacturing
EP1353229A1 (en) * 2002-04-09 2003-10-15 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
JP2010192593A (ja) * 2009-02-17 2010-09-02 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造システム
JP2011222726A (ja) * 2010-04-08 2011-11-04 Elpida Memory Inc 半導体装置の製造方法、ウェハ処理システム及びプログラム
JP2012206126A (ja) 2011-03-29 2012-10-25 Toray Eng Co Ltd 露光マーキング装置及び方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6043864A (en) * 1999-03-08 2000-03-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Alignment method and apparatus using previous layer calculation data to solve critical alignment problems
US7516096B1 (en) * 2002-06-21 2009-04-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fabrication facility major excursion event cost forecast model
CN1637613A (zh) * 2003-10-27 2005-07-13 三星电子株式会社 光刻装置
CN101276143A (zh) * 2007-03-30 2008-10-01 帕洛阿尔托研究中心公司 用于形成掩模层图案的方法和系统

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111696893A (zh) * 2019-03-15 2020-09-22 佳能株式会社 基板处理装置以及物品制造方法
CN111696893B (zh) * 2019-03-15 2023-07-18 佳能株式会社 基板处理装置以及物品制造方法
CN113759654A (zh) * 2020-05-19 2021-12-07 长鑫存储技术有限公司 一种晶圆边缘曝光装置、方法及光刻设备

Also Published As

Publication number Publication date
US20150220002A1 (en) 2015-08-06
US9760016B2 (en) 2017-09-12
KR20150092001A (ko) 2015-08-12
KR20180019020A (ko) 2018-02-22
JP2015146392A (ja) 2015-08-13
JP6525500B2 (ja) 2019-06-05
CN104820343B (zh) 2017-09-05
KR101935713B1 (ko) 2019-01-04
KR101827445B1 (ko) 2018-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3870182B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
CN105372945B (zh) 具有增强的覆盖质量的光刻工艺和系统
KR101935713B1 (ko) 리소그래피 장치, 리소그래피 시스템 및 물품의 제조 방법
JP2006228816A (ja) 熱処理板の温度設定方法，熱処理板の温度設定装置，プログラム及びプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
TWI685726B (zh) 用於控制基板之定位之方法及用於判定參照基板之特徵之位置的方法
JP2011210992A (ja) リソグラフィーシステム、及びリソグラフィーシステムの制御方法、それを用いたデバイスの製造方法及び物品の製造方法
TWI579898B (zh) 基板處理系統、基板運送方法、程式及電腦記憶媒體
WO2019152109A1 (en) Multi-configuration digital lithography system
JP2008098635A (ja) リソグラフィ装置、リソグラフィ装置とプロセシングモジュールとの組合せ、及び、デバイス製造方法
JP6157573B2 (ja) パターン形成装置、塗布現像装置、それらを用いた基板搬送方法およびデバイスの製造方法
JPH07142356A (ja) レジスト・パターン形成方法およびこれに用いるレジスト・パターン形成システム
JP4492875B2 (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
JP4442904B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP7022807B2 (ja) パターン形成方法、リソグラフィ装置、および物品製造方法
JP2019045726A (ja) パターン形成方法、リソグラフィ装置、および物品製造方法
TWI804574B (zh) 基板處理裝置
JP2023163641A (ja) 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理装置
JP2023183679A (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
JP2009076579A (ja) 物体処理システム、物体処理方法、露光装置、露光方法、塗布現像装置、塗布現像方法及びデバイス製造方法
JP2013016704A (ja) パターン形成装置、塗布現像装置、それらを用いた基板搬送方法およびデバイスの製造方法
JP2000138161A (ja) 露光装置
JP2009076581A (ja) 物体処理システム、物体処理方法、処理装置、基板処理方法及びデバイス製造方法
TW201626437A (zh) 基板處理方法、程式、電腦記憶媒體及基板處理系統
CN113835302A (zh) 双重构图的曝光方法
JP2024045432A (ja) 反り量推定装置及び反り量推定方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant